JP2001284153A - 被処理物検出機構 - Google Patents
被処理物検出機構Info
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- JP2001284153A JP2001284153A JP2000100872A JP2000100872A JP2001284153A JP 2001284153 A JP2001284153 A JP 2001284153A JP 2000100872 A JP2000100872 A JP 2000100872A JP 2000100872 A JP2000100872 A JP 2000100872A JP 2001284153 A JP2001284153 A JP 2001284153A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出系へのダストの付着を抑制し、被処理物
の光学的検出を長期にわたって維持できる被処理物検出
機構を提供すること。 【解決手段】 処理室２０と受光器Ｓ２（発光器Ｓ１）
との間に、発光器Ｓ１と受光器Ｓ２との間を結ぶ光路の
一部を形成する通孔４０を有する被駆動体３７と、この
被駆動体３７を通孔４０の軸方向が光路と直交する位置
に回動可能な駆動部とからなるシャッタ装置３０を設け
る。被処理物の検出時は、被駆動体３７を通孔４０が光
路と平行な位置に置くが、処理を開始する際は、被駆動
体３７を通孔４０が光路と垂直な位置に回動して、処理
室２０と窓２８との間の連通を遮断する。これにより、
処理室２０内にて発生したダストが窓２８に付着するの
が防止され、検出系のクリーニング周期を長くすること
ができる。
の光学的検出を長期にわたって維持できる被処理物検出
機構を提供すること。 【解決手段】 処理室２０と受光器Ｓ２（発光器Ｓ１）
との間に、発光器Ｓ１と受光器Ｓ２との間を結ぶ光路の
一部を形成する通孔４０を有する被駆動体３７と、この
被駆動体３７を通孔４０の軸方向が光路と直交する位置
に回動可能な駆動部とからなるシャッタ装置３０を設け
る。被処理物の検出時は、被駆動体３７を通孔４０が光
路と平行な位置に置くが、処理を開始する際は、被駆動
体３７を通孔４０が光路と垂直な位置に回動して、処理
室２０と窓２８との間の連通を遮断する。これにより、
処理室２０内にて発生したダストが窓２８に付着するの
が防止され、検出系のクリーニング周期を長くすること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物検出機構
に関し、更に詳しくは、被処理物として希土類磁石材料
のインゴット又はその粉体を水素吸蔵させた後、脱水素
して粉砕し、永久磁石材料粉末を得る水素熱処理装置に
用いて好適な、被処理物検出機構に関する。
に関し、更に詳しくは、被処理物として希土類磁石材料
のインゴット又はその粉体を水素吸蔵させた後、脱水素
して粉砕し、永久磁石材料粉末を得る水素熱処理装置に
用いて好適な、被処理物検出機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空処理装置における被処理物検出機構
は、一般に、処理室内の搬送路と直交する直線上に配置
される一対の発光器及び受光器から成り、この発光器か
ら受光器に向かう光が被処理物により遮られたときの受
光器の受光レベルの低下に基づいて、当該直線上の被処
理物の存在を検出する。
は、一般に、処理室内の搬送路と直交する直線上に配置
される一対の発光器及び受光器から成り、この発光器か
ら受光器に向かう光が被処理物により遮られたときの受
光器の受光レベルの低下に基づいて、当該直線上の被処
理物の存在を検出する。
【０００３】例えば図３に示す真空処理装置は、永久磁
石材料の水素処理装置を模式的に示すもので、図中左方
から水素吸蔵室としての水素処理室１１、脱水素室とし
ての第１、第２加熱室１２、１３、更に、第１、第２冷
却室１４、１５の複数の処理室からなる。Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、Ｇ４及びＧ５は、各処理室の間を仕切るゲートバ
ルブである。各々の処理室には上述した構成の検出機構
Ｓが各々設けられ、図４に示すように、処理室１１〜１
５内における被処理物Ｔの搬送方向と直交する直線上に
発光器Ｓ１及び受光器Ｓ２が配置される。
石材料の水素処理装置を模式的に示すもので、図中左方
から水素吸蔵室としての水素処理室１１、脱水素室とし
ての第１、第２加熱室１２、１３、更に、第１、第２冷
却室１４、１５の複数の処理室からなる。Ｇ１、Ｇ２、
Ｇ３、Ｇ４及びＧ５は、各処理室の間を仕切るゲートバ
ルブである。各々の処理室には上述した構成の検出機構
Ｓが各々設けられ、図４に示すように、処理室１１〜１
５内における被処理物Ｔの搬送方向と直交する直線上に
発光器Ｓ１及び受光器Ｓ２が配置される。
【０００４】検出機構Ｓの検出対象は、処理室１１〜１
５を縦断する搬送台１６上の搬送ローラ１７により搬送
されるトレイＴであり、処理するべき永久磁石材料のイ
ンゴット（鋳塊）又はその粉体を収容している。発光器
Ｓ１及び受光器Ｓ２は各々、処理室内に連絡する導管１
８及びガラス等の透明体で成る窓１９を介して対向配置
され、両者の間を結ぶ光路がトレイＴにより遮られると
当該光路上にトレイＴが搬送されてきたことを検出し、
搬送ローラ１７の駆動の停止、ゲートバルブの開閉ある
いは各種真空処理の制御がなされる。
５を縦断する搬送台１６上の搬送ローラ１７により搬送
されるトレイＴであり、処理するべき永久磁石材料のイ
ンゴット（鋳塊）又はその粉体を収容している。発光器
Ｓ１及び受光器Ｓ２は各々、処理室内に連絡する導管１
８及びガラス等の透明体で成る窓１９を介して対向配置
され、両者の間を結ぶ光路がトレイＴにより遮られると
当該光路上にトレイＴが搬送されてきたことを検出し、
搬送ローラ１７の駆動の停止、ゲートバルブの開閉ある
いは各種真空処理の制御がなされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記のような構
成の被処理物検出機構Ｓを、永久磁石材料を粉砕する水
素熱処理装置に用いた場合、以下のような問題点があ
る。
成の被処理物検出機構Ｓを、永久磁石材料を粉砕する水
素熱処理装置に用いた場合、以下のような問題点があ
る。
【０００６】当該水素熱処理装置は、水素処理室１１に
おいて加圧水素雰囲気下、トレイＴ上の永久磁石材料に
水素を吸蔵させ、後の第１、第２加熱室１２、１３にお
いて減圧下、吸蔵した水素を脱水素させることにより当
該永久磁石材料を自己崩壊させ、磁気特性が改善された
磁性材料粉末を得ることを目的とする。この際、例えば
第１、第２加熱室１２、１３における脱水素工程におい
てダストが発生し、これが導管１８を通って窓１９に付
着して、当該窓１９を曇らせ、当該検出機構Ｓによるト
レイＴの光学的検出を不可能ならしめるおそれがある。
したがって、窓１９の定期的なクリーニングが必要とな
り、装置稼働率の低下が引き起こされる。
おいて加圧水素雰囲気下、トレイＴ上の永久磁石材料に
水素を吸蔵させ、後の第１、第２加熱室１２、１３にお
いて減圧下、吸蔵した水素を脱水素させることにより当
該永久磁石材料を自己崩壊させ、磁気特性が改善された
磁性材料粉末を得ることを目的とする。この際、例えば
第１、第２加熱室１２、１３における脱水素工程におい
てダストが発生し、これが導管１８を通って窓１９に付
着して、当該窓１９を曇らせ、当該検出機構Ｓによるト
レイＴの光学的検出を不可能ならしめるおそれがある。
したがって、窓１９の定期的なクリーニングが必要とな
り、装置稼働率の低下が引き起こされる。
【０００７】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、検出
系へのダストの付着を抑制し、被処理物の光学的検出を
長期にわたって維持できる被処理物検出機構を提供する
ことを課題とする。
系へのダストの付着を抑制し、被処理物の光学的検出を
長期にわたって維持できる被処理物検出機構を提供する
ことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題は、複数の処
理室が仕切弁を介して連結されてなる処理装置に設けら
れ、前記処理室内における被処理物の搬送路と交差する
直線上に配置される投光器及び受光器を有し、前記受光
器にて受光される前記投光器からの光の受光レベルに基
づいて、前記直線上における前記被処理物の存否を検出
する被処理物検出機構において、前記投光器と前記受光
器との間を結ぶ光路の一部を形成する通孔を有する被駆
動体と、該被駆動体を前記通孔の軸方向が前記光路と直
交する位置に回動可能な駆動部とからなるシャッタ装置
を備えたことを特徴とする被処理物検出機構、によって
解決される。
理室が仕切弁を介して連結されてなる処理装置に設けら
れ、前記処理室内における被処理物の搬送路と交差する
直線上に配置される投光器及び受光器を有し、前記受光
器にて受光される前記投光器からの光の受光レベルに基
づいて、前記直線上における前記被処理物の存否を検出
する被処理物検出機構において、前記投光器と前記受光
器との間を結ぶ光路の一部を形成する通孔を有する被駆
動体と、該被駆動体を前記通孔の軸方向が前記光路と直
交する位置に回動可能な駆動部とからなるシャッタ装置
を備えたことを特徴とする被処理物検出機構、によって
解決される。
【０００９】本発明は、通常は、上記被駆動体を上記通
孔の軸方向が光路と平行に位置させることにより被処理
物の光学的検出を可能とする一方で、検出終了後は、上
記被駆動体を上記通孔の軸方向が光路と直交する位置に
回動して、処理室と発光器側及び受光器側との間の連絡
を絶つことにより、処理室内にて発生するダストが発光
器及び受光器側に到達するのを防止し、被処理物の光学
的検出を長期にわたって維持するようにしている。
孔の軸方向が光路と平行に位置させることにより被処理
物の光学的検出を可能とする一方で、検出終了後は、上
記被駆動体を上記通孔の軸方向が光路と直交する位置に
回動して、処理室と発光器側及び受光器側との間の連絡
を絶つことにより、処理室内にて発生するダストが発光
器及び受光器側に到達するのを防止し、被処理物の光学
的検出を長期にわたって維持するようにしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１及び図２は本発明の実施の形態を示し
ている。本実施の形態では、処理室を挟んで設置される
一対の発光器及び受光器を有する被処理物検出機構につ
いて説明するが、発光器側及び受光器側の構成はそれぞ
れ同一であるので、受光器側の構成についてのみ図示す
るものとし、発光器側の図示は省略する。また本実施の
形態では、上述したような構成の水素熱処理装置に本発
明を適用した例について説明する。
ている。本実施の形態では、処理室を挟んで設置される
一対の発光器及び受光器を有する被処理物検出機構につ
いて説明するが、発光器側及び受光器側の構成はそれぞ
れ同一であるので、受光器側の構成についてのみ図示す
るものとし、発光器側の図示は省略する。また本実施の
形態では、上述したような構成の水素熱処理装置に本発
明を適用した例について説明する。
【００１２】処理室２０を画成する二重構造の炉壁２１
を直角方向に貫通して、受光器Ｓ２に連絡する管路２
２、２３及び２４からなる導管２５が設けられ、これと
反対側の炉壁２１には図示しない発光器Ｓ１に連絡する
同一構成の導管が導管２５と同一直線上に設けられてい
る。導管２５の端部には、蓋本体２９がフランジ部２７
を介して気密に固定されており、この蓋本体２９の一部
側壁には、導管２５を通る上記発光器Ｓ１からの光を受
光器Ｓ２へ導くためのガラス等の透明体でなる窓２８が
設けられている。
を直角方向に貫通して、受光器Ｓ２に連絡する管路２
２、２３及び２４からなる導管２５が設けられ、これと
反対側の炉壁２１には図示しない発光器Ｓ１に連絡する
同一構成の導管が導管２５と同一直線上に設けられてい
る。導管２５の端部には、蓋本体２９がフランジ部２７
を介して気密に固定されており、この蓋本体２９の一部
側壁には、導管２５を通る上記発光器Ｓ１からの光を受
光器Ｓ２へ導くためのガラス等の透明体でなる窓２８が
設けられている。
【００１３】窓２８は、蓋本体２９の一構成要素である
プレート４５の一部をなし、管路２４と整列配置される
管路４６の端部と正対している。そして、プレート４５
を気密に貫通する軸４７に取り付けられたゴム製のブレ
ード４８をツマミ４９で回動させることにより、窓２８
の内面が清掃可能に構成されている。
プレート４５の一部をなし、管路２４と整列配置される
管路４６の端部と正対している。そして、プレート４５
を気密に貫通する軸４７に取り付けられたゴム製のブレ
ード４８をツマミ４９で回動させることにより、窓２８
の内面が清掃可能に構成されている。
【００１４】受光器Ｓ２は、蓋本体２９と一体的に固定
される支持アーム５０上にフレーム５１を介して固定さ
れている。又、導管２５内の圧力を常に同圧に維持する
ために、シャッタ装置３０よりも受光器Ｓ２側に位置す
る管路２４には処理室２０にに連絡する配管５２が接続
されている。
される支持アーム５０上にフレーム５１を介して固定さ
れている。又、導管２５内の圧力を常に同圧に維持する
ために、シャッタ装置３０よりも受光器Ｓ２側に位置す
る管路２４には処理室２０にに連絡する配管５２が接続
されている。
【００１５】導管２５を構成する管路２３と管路２４と
の間には、本発明に係るシャッタ装置３０が設けられて
いる。以下、その詳細について説明する。
の間には、本発明に係るシャッタ装置３０が設けられて
いる。以下、その詳細について説明する。
【００１６】管路２３と管路２４との間には、これらを
連絡する孔３１を有するシャッタ装置３０の本体３１が
例えば溶接により固定されており、内部にスリーブ３３
及びシールリング３４、３５を介して、駆動部３６によ
り導管２５の軸線と直交する軸の周りに回動可能な軸状
の被駆動体３７が挿入されている。駆動部３６は例えば
モータから構成され、本体３２に対して支持部材４１を
介して固定されている。被駆動体３７は駆動部３６の駆
動軸３８に対してキー３９を介して係合している。
連絡する孔３１を有するシャッタ装置３０の本体３１が
例えば溶接により固定されており、内部にスリーブ３３
及びシールリング３４、３５を介して、駆動部３６によ
り導管２５の軸線と直交する軸の周りに回動可能な軸状
の被駆動体３７が挿入されている。駆動部３６は例えば
モータから構成され、本体３２に対して支持部材４１を
介して固定されている。被駆動体３７は駆動部３６の駆
動軸３８に対してキー３９を介して係合している。
【００１７】被駆動体３７の先端部近傍には、導管２５
及び孔３１を通る光の光路の一部となり得る通孔４０が
形成されており、駆動部３６の駆動により、図１に示す
ように通孔４０の軸方向が光路と平行な連通位置と、図
２に示すように通孔４０の軸方向が光路と直交する遮断
位置とが選択的にとられるように構成される。
及び孔３１を通る光の光路の一部となり得る通孔４０が
形成されており、駆動部３６の駆動により、図１に示す
ように通孔４０の軸方向が光路と平行な連通位置と、図
２に示すように通孔４０の軸方向が光路と直交する遮断
位置とが選択的にとられるように構成される。
【００１８】又、本実施の形態では、シールリング３
４、３５との間の領域に配管接続孔４２を介してアルゴ
ン等の不活性ガスが所定の圧力で導入される。これは、
シールリング３４、３５の損傷、摩耗等によりシール性
能が劣化した際、処理室２０内の水素ガスの外部への漏
洩を防止するためのものであり、例えばシールリング３
４のシール性能が劣化した場合、導入した不活性ガスが
被駆動体３７とスリーブ３３との間、被駆動体３７内部
の通路４３、及び通孔４０を介して導管２５及び処理室
２０に流入する。これにより、水素ガスの外部への漏洩
が防止される。
４、３５との間の領域に配管接続孔４２を介してアルゴ
ン等の不活性ガスが所定の圧力で導入される。これは、
シールリング３４、３５の損傷、摩耗等によりシール性
能が劣化した際、処理室２０内の水素ガスの外部への漏
洩を防止するためのものであり、例えばシールリング３
４のシール性能が劣化した場合、導入した不活性ガスが
被駆動体３７とスリーブ３３との間、被駆動体３７内部
の通路４３、及び通孔４０を介して導管２５及び処理室
２０に流入する。これにより、水素ガスの外部への漏洩
が防止される。
【００１９】本発明に係る被処理物検出機構の受光器Ｓ
２側は以上のように構成されるが、図示しない発光器Ｓ
１側についても上述と同様に構成されているものとす
る。
２側は以上のように構成されるが、図示しない発光器Ｓ
１側についても上述と同様に構成されているものとす
る。
【００２０】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。水素処理すべき遷移金属−希土類金属−半金属系永
久磁石材料（例えばFe-Nd-B 合金）のインゴット又はそ
の粉体は図示しないトレイに収容されて、図３に示す水
素処理室１１から第１、第２加熱室１２、１３及び第
１、第２冷却室１４、１５の順に搬送される。各処理室
の間にはゲートバルブＧ１〜Ｇ４が仕切弁として配置さ
れ、上記トレイが処理室間を移動する時以外は閉じられ
ている。
る。水素処理すべき遷移金属−希土類金属−半金属系永
久磁石材料（例えばFe-Nd-B 合金）のインゴット又はそ
の粉体は図示しないトレイに収容されて、図３に示す水
素処理室１１から第１、第２加熱室１２、１３及び第
１、第２冷却室１４、１５の順に搬送される。各処理室
の間にはゲートバルブＧ１〜Ｇ４が仕切弁として配置さ
れ、上記トレイが処理室間を移動する時以外は閉じられ
ている。
【００２１】発光器Ｓ１及び受光器Ｓ２を有する上記構
成の被処理物検出機構は、各処理室１１〜１５の所定の
場所にそれぞれ配置されており、例えば水素処理室１１
に搬入された被処理物は被処理物検出機構Ｓの配置位置
で停止され、加圧水素下、所定温度に加熱されて水素吸
蔵処理が行われる。この処理が終了すると、ゲートバル
ブＧ１が開弁するとともに搬送系が駆動され、水素吸蔵
処理が施された被処理物が第１加熱室１２へ搬送され
る。そして、第１加熱室１２の被処理物検出機構Ｓの位
置に当該被処理物が到達すると、搬送系の駆動が停止さ
れるとともにゲートバルブＧ１が閉弁される。この処理
室では、減圧下、所定温度に加熱されて吸蔵された水素
の脱水素が行われる。この過程で、被処理物は水素崩壊
の形態で自己破壊し、微細な粉体となる。この処理と同
様な処理が第２加熱室においても行われ、それ以降、被
処理物は第１、第２冷却室１４、１５において冷却され
た後、装置外部へ搬出される。
成の被処理物検出機構は、各処理室１１〜１５の所定の
場所にそれぞれ配置されており、例えば水素処理室１１
に搬入された被処理物は被処理物検出機構Ｓの配置位置
で停止され、加圧水素下、所定温度に加熱されて水素吸
蔵処理が行われる。この処理が終了すると、ゲートバル
ブＧ１が開弁するとともに搬送系が駆動され、水素吸蔵
処理が施された被処理物が第１加熱室１２へ搬送され
る。そして、第１加熱室１２の被処理物検出機構Ｓの位
置に当該被処理物が到達すると、搬送系の駆動が停止さ
れるとともにゲートバルブＧ１が閉弁される。この処理
室では、減圧下、所定温度に加熱されて吸蔵された水素
の脱水素が行われる。この過程で、被処理物は水素崩壊
の形態で自己破壊し、微細な粉体となる。この処理と同
様な処理が第２加熱室においても行われ、それ以降、被
処理物は第１、第２冷却室１４、１５において冷却され
た後、装置外部へ搬出される。
【００２２】上述のように、被処理物検出機構Ｓはゲー
トバルブＧ１〜Ｇ４の開閉制御、搬送系の駆動制御など
を行う上で、各処理室内における被処理物の位置検出セ
ンサとして機能する。このとき、従来の被処理物検出機
構では、各処理室内にて発生するダストが、光透過用の
窓に付着して、当該窓を曇らせ、所期の被処理物検出機
能に支障を来すおそれがあった。
トバルブＧ１〜Ｇ４の開閉制御、搬送系の駆動制御など
を行う上で、各処理室内における被処理物の位置検出セ
ンサとして機能する。このとき、従来の被処理物検出機
構では、各処理室内にて発生するダストが、光透過用の
窓に付着して、当該窓を曇らせ、所期の被処理物検出機
能に支障を来すおそれがあった。
【００２３】本実施の形態では、図１に示したように受
光器Ｓ２（及び発光器Ｓ１）の前面に位置する光透過用
の窓２８よりも処理室２０側に設けたシャッタ装置３０
を、図２に示すように駆動部３６の駆動により被駆動体
３７を９０度回動させて通孔４０の軸方向が光路と直交
する位置に置くことにより、処理室２０と窓２８との間
の連通が遮断され、導管２５を介して処理室２０内のダ
ストが窓２８に到達することが防止される。
光器Ｓ２（及び発光器Ｓ１）の前面に位置する光透過用
の窓２８よりも処理室２０側に設けたシャッタ装置３０
を、図２に示すように駆動部３６の駆動により被駆動体
３７を９０度回動させて通孔４０の軸方向が光路と直交
する位置に置くことにより、処理室２０と窓２８との間
の連通が遮断され、導管２５を介して処理室２０内のダ
ストが窓２８に到達することが防止される。
【００２４】したがって、当該被処理物検出機構により
被処理物を検出した時点で、被駆動体を図１に示す位置
から図２に示す位置へ回動することにより、その後の所
定の処理を行う際に発生するダストが窓２８に付着して
被処理物の光学的検出作用を阻害するということはな
い。なお、被処理物に対する処理が終了した後は、シャ
ッタ装置３０を図１に示す位置に戻されることにより、
本来の被処理物の検出作用が行われる。
被処理物を検出した時点で、被駆動体を図１に示す位置
から図２に示す位置へ回動することにより、その後の所
定の処理を行う際に発生するダストが窓２８に付着して
被処理物の光学的検出作用を阻害するということはな
い。なお、被処理物に対する処理が終了した後は、シャ
ッタ装置３０を図１に示す位置に戻されることにより、
本来の被処理物の検出作用が行われる。
【００２５】又、本実施の形態によれば、駆動部３６に
よる被駆動体３７の駆動を、被駆動体３７の軸方向の周
りへの所定角度（９０度）の回動で行うようにしている
ので、上下又は水平方向へのスライド移動の場合に比べ
て、シールリング３４、３５の高いシール性及びシール
耐久性を得ることができる。
よる被駆動体３７の駆動を、被駆動体３７の軸方向の周
りへの所定角度（９０度）の回動で行うようにしている
ので、上下又は水平方向へのスライド移動の場合に比べ
て、シールリング３４、３５の高いシール性及びシール
耐久性を得ることができる。
【００２６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２７】例えば以上の実施の形態では、発光器Ｓ１
と受光器Ｓ２とを結ぶ光路が処理室内における被処理物
の搬送方向と直交するようにしたが、これに限らず、上
記光路が被処理物の搬送方向と斜めに交差する位置に上
記発光器Ｓ１及び受光器Ｓ２を配置することも可能であ
る。
と受光器Ｓ２とを結ぶ光路が処理室内における被処理物
の搬送方向と直交するようにしたが、これに限らず、上
記光路が被処理物の搬送方向と斜めに交差する位置に上
記発光器Ｓ１及び受光器Ｓ２を配置することも可能であ
る。
【００２８】また、以上の実施の形態では、発光器Ｓ１
及び受光器Ｓ２をそれぞれ別々の光電管で構成したが、
発光器及び受光器が一体的となった反射型の光電管を用
いることも可能である。
及び受光器Ｓ２をそれぞれ別々の光電管で構成したが、
発光器及び受光器が一体的となった反射型の光電管を用
いることも可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の被処理物検
出機構によれば、処理室内にて発生するダストが発光器
及び受光器側に到達するのを防止し、被処理物の光学的
検出を長期にわたって維持することができる。
出機構によれば、処理室内にて発生するダストが発光器
及び受光器側に到達するのを防止し、被処理物の光学的
検出を長期にわたって維持することができる。
【００３０】また、請求項２の構成によれば、処理室内
部とその外部とを区画する透明体へのダストの付着が防
止又は抑制されるので、当該窓の清掃サイクルを長くし
て、装置のスループット向上を図ることができる。
部とその外部とを区画する透明体へのダストの付着が防
止又は抑制されるので、当該窓の清掃サイクルを長くし
て、装置のスループット向上を図ることができる。
【００３１】更に、請求項３の発明によれば、ダストが
発生し易い処理室内における被処理物の適正な検出機能
を長期にわたって維持することができる。
発生し易い処理室内における被処理物の適正な検出機能
を長期にわたって維持することができる。
【図１】本発明の実施の形態による被処理物検出機構の
受光器側の構成を示す側断面図である。
受光器側の構成を示す側断面図である。
【図２】図１の作用を説明する側断面図である。
【図３】水素熱処理装置の概要を説明する模式図であ
る。
る。
【図４】被処理物検出機構の全体を示す処理室の断面図
である。
である。
１１ 水素処理室（水素吸蔵室） １２ 第１加熱室（脱水素室） １３ 第２加熱室（脱水素室） ２０ 処理室 ２５ 導管 ２８ 窓 ３０ シャッタ装置 ３６ 駆動部 ３７ 被駆動体 ４０ 通孔 Ｓ１ 発光器 Ｓ２ 受光器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中塚 篤 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 Ｆターム(参考） 5E062 CD04 CG01 CG02 CG03
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の処理室が仕切弁を介して連結され
てなる処理装置に設けられ、前記処理室内における被処
理物の搬送路と交差する直線上に配置される投光器及び
受光器を有し、前記受光器にて受光される前記投光器か
らの光の受光レベルに基づいて、前記直線上における前
記被処理物の存否を検出する被処理物検出機構におい
て、 前記投光器と前記受光器との間を結ぶ光路の一部を形成
する通孔を有する被駆動体と、該被駆動体を前記通孔の
軸方向が前記光路と直交する位置に回動可能な駆動部と
からなるシャッタ装置を備えたことを特徴とする被処理
物検出機構。 - 【請求項２】 前記投光器及び前記受光器が、前記処理
室の内部に連絡する管路の端部に設けられた透明体に相
対向して配置され、前記被駆動体が、前記処理室と前記
透明体との間の管路途中に配置されることを特徴とする
請求項１に記載の被処理物検出機構。 - 【請求項３】 前記被処理物が、希土類磁石材料のイン
ゴット又はその粉体からなり、前記処理装置が、少なく
とも、前記被処理物を水素吸蔵させる水素吸蔵室と、該
被処理物を脱水素する脱水素室とを前記処理室として有
する水素熱処理装置であることを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の被処理物検出機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100872A JP4523111B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 被処理物検出機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100872A JP4523111B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 被処理物検出機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284153A true JP2001284153A (ja) | 2001-10-12 |
| JP4523111B2 JP4523111B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=18615017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000100872A Expired - Lifetime JP4523111B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 被処理物検出機構 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4523111B2 (ja) |
Citations (6)
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| JPH06249966A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 被処理体の検出装置 |
| JPH06346112A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 粗粉砕処理方法及びその装置 |
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| JPH10317010A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-02 | Nippon Koshuha Steel Co Ltd | 被熱処理物の形状測定装置および形状測定方法 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100872A patent/JP4523111B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP4523111B2 (ja) | 2010-08-11 |
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