JP2001281550A - 共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法 - Google Patents
共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法Info
- Publication number
- JP2001281550A JP2001281550A JP2000094262A JP2000094262A JP2001281550A JP 2001281550 A JP2001281550 A JP 2001281550A JP 2000094262 A JP2000094262 A JP 2000094262A JP 2000094262 A JP2000094262 A JP 2000094262A JP 2001281550 A JP2001281550 A JP 2001281550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- scanning
- gain
- value
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
る試料に対してもその影響を受けずに正確な測定を行え
る共焦点走査型光学顕微鏡を提供する。 【解決手段】共焦点走査型光学顕微鏡は、共焦点光学系
と、その集光点を試料に対して二次元方向に走査する手
段と、集光点を試料に対して光軸方向に走査する手段
と、試料からの反射光を検出する光検出手段と、その検
出信号の信号レベルを可変する利得可変手段と、利得可
変手段で変更された検出信号を画像データへ変換するA
/D変換手段とを備えており、試料からの反射光を良好
に検出できる基準範囲を設定し、走査に応じて画像デー
タの画素の値が基準範囲に収まるように利得可変手段の
利得値を調整し、画像データの各画素の値と調整した利
得値に基づいて光検出手段から出力される検出信号を算
出し、その算出値に基づいて試料の表面の画像データを
構築する。
Description
報を測定するための共焦点走査型光学顕微鏡および画像
情報構築方法に関する。
発せられた光を観察試料の表面または内部の一点に集光
し、試料からの透過光または反射光を再び一点に集光
し、試料の表面または内部からの光の集光点に対して共
役な位置に配置されたピンホールを介して検出器で検出
するようにし、点光源からの光を二次元に走査して画像
処理した二次元画像を観察する顕微鏡である。一般的な
共焦点走査型光学顕微鏡の概略的な構成を図14に示
す。
れた光は、ハーフミラー214を通過した後、対物レン
ズ216によって一点に合焦する。合焦点からの反射光
は、対物レンズ216を通過し、ハーフミラー214で
反射された後、一点に集光する。この集光位置にはピン
ホール220が配置されており、ピンホール220を通
過した光のみが光検出器222で検出される。
所定領域において、ラスター走査等の二次元走査を行
い、光検出器222の検出信号を二次元走査の位置情報
と合わせて処理することによって、合焦面218上に存
在する試料の二次元画像が得られる。
からの反射光は、ピンホール220からはずれた位置に
集光するため、ピンホール220をほとんど通過でき
ず、光検出器222で検出されない。従って、共焦点走
査型光学顕微鏡では、合焦面218上に存在する試料の
表面または内部の光学像のみが測定される。
さの異なる複数の観察面A,B,Cを有する試料を共焦
点走査型光学顕微鏡で観察する場合を想定する。この場
合、観察面Aに合焦させたときには他の観察面B,Cの
光学像はぼやけてしまう。このため、すべての観察面
A,B,Cについての合焦画像を同時に観察することは
できない。
次合焦させてその合焦画像を順次画像メモリに格納し、
これらの合焦画像を演算処理により合成することによっ
て、全観察面A,B,Cに合焦した三次元の観察画像を
得ることができる。合焦観察画像の合成は、実際には各
画素について明るさが最大となる値を保持させることに
より行われる。
えば「THEORY AND PRACTICE OF SCANNING OPTICAL MICRO
SCOPY」(126〜130頁)に開示されている。すなわ
ち、試料面の一点に集束光を照射した状態(初期照射点)
で、まず、その光軸方向(Z方向)に集束光を走査し、走
査中に反射光の輝度値が最大となる位置(Z位置)を検出
し輝度値と共に保存する。次に、集束光をX方向に移動
させ、試料面の次の一点(観察点)に集束光の初期照射点
を位置させ、この状態で集束光をZ方向へ走査し、走査
中に反射光の輝度値が最大となる位置(Z位置)を検出し
輝度値と共に保存する。以後同様に、集束光の初期照射
点の位置をX方向およびY方向にステップ的に移動さ
せ、その各点において、集束光をZ方向へ走査し、これ
らの走査で検出された反射光の輝度値の最大となる位置
を輝度値と共にそれぞれ保存する。このようにして、輝
度変化に基づく試料の表面情報を測定する。
情報の測定手順を、図15と図16に示すフローチャー
トを参照して説明する。図15において、まず、画像構
築工程S110を行う。画像構築工程S110では、図
16に示されるように、まず、工程S111において、
現在の集束光の合焦位置に対応した画素の輝度値が、Z
方向の走査の中で最大となっているか判断する。もし最
大ならば、工程S112において、輝度値の最大値を採
用することで、保持する輝度値を最大値に更新するとと
もに、保持するZ位置を輝度値が最大となる位置(高さ)
に更新する。
られた1フレームのサイズ(XY走査範囲)およびZ走査
範囲だけ繰り返し行うために、以下の順序で集束光の合
焦位置の移動処理をおこなう。図15において、まず、
工程S151でX方向の位置が、1ライン終了位置に移
動するまで、X方向へ1ステップ移動工程S152と、
画像構築工程S110を繰り返し行う。工程S151で
X方向の位置が1ライン終了したならば、工程S153
でY方向の位置が1フレーム終了位置に移動するまで、
X方向を移動先頭位置に戻す工程S154とY方向へ1
ステップ移動工程S155を行い、前述の工程S110
と工程S151と工程S152の処理を繰り返し行う。
工程S153でY方向の1フレーム終了していれば、工
程S156でZ方向位置が終了位置に移動するまで、Y
方向を移動先頭位置に戻す工程S157とZ方向への1
ステップ移動工程S158と、前述の工程S110と工
程S151〜工程S155の処理を繰り返し行う。以上
の処理によって、走査の順序は図18に示されるように
なる。
観察を行なう場合に、従来の共焦点走査型光学顕微鏡で
は、以下のような不具合が生じる。光検出器により得ら
れた検出信号は、信号レベルが最適値になるように可変
利得増幅回路において増幅される。この場合、試料の観
察もしくは測定範囲における反射率が一定ならば問題は
ない。しかし、試料の観察もしくは測定範囲内に反射率
が異なる複数の部位が存在すると、正確な検出信号が得
られなくなる。
表面に、反射率の低いガラス面と反射率の高い鏡面とが
混在しているとする。ここで、利得設定前の試料に適合
しない利得が設定されている場合の検出信号レベルは、
それぞれ図20(a)と図21(a)のようになる。そうす
ると、鏡面において得られた検出信号レベルが最適値と
なるように可変利得増幅回路の利得を設定すると、ガラ
ス面において得られた検出信号の信号レベルは図20
(b)に示されるように小さなものとなり、検出感度の低
下を生じる。これに対しガラス面により得られる検出信
号レベルに合わせて可変利得増幅回路の利得を設定する
と、鏡面において得られた検出信号レベルは図21(b)
に示されるように飽和して、従来の検出信号が消失して
しまう。
面に段差を有し、上段は鏡面で下段はガラス面となって
いる試料表面の高さ位置を、共焦点走査型光学顕微鏡を
使用して測定する場合にも以下のような不具合が生じ
る。上段(鏡面)において得られた検出信号レベルに合わ
せて可変利得増幅回路の利得を設定すると、鏡面のZ方
向の強度分布には例えば図23(a)に示されるように尖
鋭なピーク値が現れるため、合焦位置でピークを検出す
ることができる。しかし、下段(ガラス面)において得ら
れた検出信号レベルに対して利得は小さ過ぎ、このため
Z方向の強度分布は全体的に低レベルとなってピークを
検出することが困難となる。これに対し下段(ガラス面)
において得られた検出信号レベルに合わせて利得を設定
すると、図23(b)に示されるようにガラス面による強
度分布からはピークの検出が可能となる。しかし、鏡面
による強度分布には飽和部分が発生して合焦位置でピー
クを検出することが出来なくなる。
三つの提案がなされている。
開示されているように、プリスキャン(予備走査)によっ
て異なる反射率に対応した利得値を求めておき実際の走
査時にこの利得値を使う手法である。しかし、この手法
では、最適な利得値を求めるために作業者による前設定
が必要であり、所望の画像データを得るためには、作業
者への負担が大きくかつスループットが低くなるという
不具合がある。
示されているように、反射率が異なる複数の面に対応し
た光検出系を追加する手法である。しかし、この手法で
は、反射率が異なる部位が増える毎に対応した数だけ光
検出系が必要となるため、システムが複雑でかつ高価に
なってしまうという不具合がある。
に開示されているように、ピークを検出する元データを
利得により増幅した結果の信号で比較せずに、結果の信
号とその利得を元に検出器で検出された信号を求めるこ
とで、ダイナミックレンジを拡大する手法である。
フレームの画像に対して、利得値が1つしか設定できな
いため、試料に段差があり、しかも同じ段の平面内に反
射率の異なる部位を有する場合や、図20と図21で示
したように同一の利得値でそれぞれの部位を検出できな
い場合には、測定ができないか、この部位ごとに測定を
わけて行わなければならないという不具合がある。
れたものであり、その目的は、作業者による、前設定が
なく、かつ試料の測定対象面に応じて検出信号の利得の
異なる部位が複数存在する場合でも、この検出信号の利
得の異なる部位での影響を受けずに常に正確な測定を行
なうことができる共焦点走査型光学顕微鏡およびこの顕
微鏡を使用した画像情報構築方法を提供することであ
る。
発明の共焦点走査型光学顕微鏡は、試料に集束光を照射
する対物光学系と、前記集束光と前記試料とを相対的に
二次元方向へ移動走査する二次元走査手段と、前記対物
光学系の焦点位置と前記試料の位置とを相対的に光軸方
向へ移動走査する光軸方向走査手段と、前記集束光の前
記試料の反射光又は透過光を受光してその受光強度に応
じた検出信号を出力する光検出手段と、光検出手段から
出力された検出信号の信号レベルを可変する利得可変手
段と、前記利得可変手段によって変更した検出信号を画
像データへ変換するA/D変換手段と、試料の測定を行
う際に、前記試料の反射光又は透過光の受光強度を良好
に検出できる有効範囲を設定する制御と、前記二次元走
査手段と前記光軸方向走査手段の少なくとも一方による
走査動作に応じて画像データの画素の値が前記有効範囲
の設定制御で設定された有効範囲に収まるように前記利
得可変手段の利得値を調整する制御と、画像データの各
画素の値と利得可変手段に対して調整された利得値に基
づいて光検出手段から出力された検出信号を算出する制
御と、前記検出信号算出値に基づいて試料の表面の画像
データを構築する制御とを行わせる制御部とを備えてい
ることを特徴とする。
築方法は、光源からの光を走査光学系を介して試料の各
走査面を走査する工程と、各走査面からの光を光検出器
でアナログ信号に変換する工程と、このアナログ信号に
対してオフセット調整及びゲイン調整を施す工程と、オ
フセット調整及びゲイン調整が施されたアナログ信号を
A/D変換器でデジタル信号に変換する工程と、このデ
ジタル信号に所定の信号処理を施す信号処理工程とを有
しており、前記信号処理工程は、前記デジタル信号に逆
算処理を施して、実数データを求める工程と、各走査面
相互の同一位置における実数データ同士の大小を比較す
ることによって、観察画像の高輝度情報及び高さ情報を
求める工程とを有し、前記オフセット調整及びゲイン調
整は、試料の各反射率又は透過率毎に行われて、その各
反射率又は透過率毎に設定したオフセット調整量及びゲ
イン調整量を保存すると共に、前記観察画像の高輝度情
報及び高さ情報を求める工程では、各々の反射率又は透
過率に対応した最適なオフセット調整量及びゲイン調整
量が選択され、試料の各走査面からの輝度情報及び高さ
情報を求めると同時に、各走査面のうち他の反射率又は
透過率を有する部位を走査した際の光検出器からの出力
を飽和状態信号として保存するプロセスを繰り返し、飽
和状態信号が無くなるまで、飽和状態信号のみを更新し
て行くことを特徴とする。
れるように、本実施形態の共焦点走査型光学顕微鏡は、
顕微鏡本体112と、顕微鏡本体112の制御および検
出画像の処理を行なう制御処理部114とを備えてい
る。
れるステージ124と、ステージ124の垂直上方に配
置された対物レンズ110を有している。対物レンズ1
10はレボルバ118により倍率の切替えが可能となっ
ている。対物レンズ110は二次元走査機構116に支
持されている。二次元走査機構116は例えば2個のス
テップモータを駆動源として備えており、二次元走査駆
動回路138から出力される駆動信号に従って動作し、
対物レンズ110を水平方向(XY方向)に移動走査す
る。
支持されている。昇降機構は、ステップモータ等の駆動
源を備えており、制御回路160により制御される昇降
駆動回路158から出力される駆動信号に従ってステー
ジ124を対物レンズ110の光軸方向(Z方向)で一定
量ずつステップ的に昇降移動させる。昇降駆動回路15
8は、ステージ124のステップ駆動中の1ステップ毎
にステップ信号を発生し、アナログ処理ユニット146
へ出力する。
は、ミラー134およびハーフミラー132を経て対物
レンズ110に導かれ、対物レンズ110で集束されて
試料122にスポット照射される。この照射されたスポ
ット光による試料122からの反射光は、対物レンズ1
10、二次元走査機構116を戻りハーフミラー132
で反射され、レンズ130で集光される。レンズ130
による合焦位置にはピンホール128が配置されてお
り、反射光のうちこのピンホール128を通過した光だ
けが光検出器126で受光される。光検出器126で
は、試料122からの反射光が光電変換されて、アナロ
グ画像信号が出力される。
と、二次元走査駆動回路138と、アナログ処理ユニッ
ト146と、画像処理ユニット148と、キーボード等
の入力部162と、制御回路160とを備えている。
部(CPU)140と、デジタル/アナログ(D/A)変換器
142と、可変利得増幅回路144とを備えている。可
変利得増幅回路144は、光検出器126から出力され
たアナログ画像信号の信号レベルを可変制御する。CP
U140は、光検出器126からの信号レベルを可変制
御するための利得値データを記憶するメモリを有し、可
変利得増幅回路144の利得値を可変制御する。CPU
140から読み出された利得値データは、D/A変換器
142によりアナログ電圧に変換されて、可変利得増幅
回路144に与えられる。
れるサンプリング信号は、光検出器126から出力され
たアナログ画像信号をデジタル信号に変換するために使
用される。
画素×512画素×8ビット(256階調)の画像信号を
記憶可能な画像メモリ152と、512画素×512画
素×64ビット(10-306〜10306実数)の検出信号メ
モリ154と、512画素×512画素×8ビット(2
56階調)の高さ情報を記憶可能な高さ画像メモリ15
6とを備えている。
ユニット146の可変利得増幅回路144から出力され
たアナログ画像信号をA/D変換器150でデジタル化
して画像メモリ152に記憶する。
号算出工程で得られた検出信号の中で、Z方向の走査中
に最大となる値を記憶する。
58から出力されたステップ信号の数をカウントするカ
ウンタを有しており、カウントされたステップ数を試料
122のZ方向の高さ情報として記憶する。なお、カウ
ンタには、測定開始前に設定したZ方向の移動領域を表
わすカウント値が初期設定される。
て、動作開始の指示を行う。制御回路160は、例えば
主制御部としてマイクロコンピュータを備えており、試
料122の二次元画像を得るための二次元走査制御手段
を有している。制御回路160は、メモリを有してお
り、後述する基準範囲設定工程、利得値調整工程、検出
信号算出工程、画像構築工程で記憶する必要があるデー
タを適宜記憶する。
制御回路160の制御手順に従って説明する。図2〜図
6は制御回路160の制御手順と制御内容を示すフロー
チャートである。
設定工程S10を行う。これは、試料の反射情報とノイ
ズ情報とを分けるために、A/D変換器150のダイナ
ミックレンジの有効範囲を指定する工程である。以下、
図3を参照して、基準範囲設定工程S10について説明
する。
てダイナミックレンジが狭くならないように、不図示の
シャッターなどにより、光検出器126へ反射光の入力
を遮断し、この状態で、オフセット回路などにより、A
/D変換器150から出力される画像データの輝度値を
ほぼ0に調整する。
増減に影響されないようにA/D変換器150から出力
される画像データの輝度値の出力範囲で有効な下限値を
求める。一定の利得値に対して、A/D変換器150か
ら出力される画像データの輝度値は、図7に示されるよ
うに、ランダムノイズなどのノイズ変動レベルの影響に
よって時間と共に変化する。このランダムノイズなどの
ノイズ変動レベルの範囲を例えば、Iminとすれば、有
効範囲の下限値はIminとなる。
50から出力される画像データの輝度値の飽和を検出す
るための有効範囲の上限値を求める。これは、従来技術
で説明した図23(b)の鏡面に対する検出信号レベルの
ような飽和状態を検出するための輝度値の上限を設定す
るために行う。これをImaxとすれば、有効範囲の上限
値はImaxとなる。
と工程S13によって求められたImaxとIminの値を制
御回路160のメモリに記憶する。最後に、画像測定を
正しく行うために、前述のシャッターを開ける。
0を行う。これは、現在の集束光の照射位置にA/D変
換器150によって変換後の画像データの輝度値が前述
の基準範囲内になるように利得値を調整する処理であ
る。実際には、試料表面の反射率が、直前の照射位置と
同じであれば、利得値は変更しない。反射率が異なる部
位の境界前後で、利得を調整することにより、試料から
の反射光をその反射率によらず正しく検出することを可
能にする。以下、図4を参照して、利得調整工程S20
について説明する。
に可変利得増幅回路144で増幅された光検出信号をA
/D変換器150によって変換後の画像データの輝度値
を画像メモリ152に記憶する。
に記憶した輝度値が前述の基準範囲設定工程S10で求
められたA/D変換器150のダイナミックレンジの有
効範囲の下限値Iminより小さいか判断する。小さい場
合には、工程S23において利得値を最大値に設定し、
CPU140によりこれを可変利得増幅回路144に設
定する。
様に輝度値を取得する。次に、工程S25では、画像メ
モリ152に記憶した輝度値が前述の基準範囲設定工程
S10で求められたA/D変換器150のダイナミック
レンジの有効範囲の上限値Imaxより大きいか判断す
る。大きい場合には、工程S26において利得値を1/
G倍して、工程S24に戻る。ここで、Gとしては、1
回の利得値の変更後に前述の基準範囲の上限値Imaxが
下限値Imin以下にならなければ良いので、G<Imax/
Iminを満たせばよい。
る画像データをA/D変換器150のダイナミックレン
ジの有効範囲内に収めることができたので、最後にその
時の利得値をCPU140に記憶する。
査によって具体的に説明する。図8のイで走査する平面
上には、走査する順に、鏡面、ガラス面、鏡面、という
部位が同一面上に存在する。
輝度値を示している。まず、最初の鏡面に対する輝度値
は、基準範囲内に収まっているので、利得値と輝度値は
変更されずに記憶される。
ると、輝度値が基準範囲下限値を下回るので、工程S2
3の処理によって、利得値が最大の値に設定される。こ
の時の輝度値は、図9(b)に示されるようになる。続い
て、工程S24〜工程S26によって、図9(c)に示さ
れるように、ガラス面の輝度値は基準範囲内に収められ
る。この時の輝度値と利得値が記憶される。走査位置が
ガラス面の間は、利得値と輝度値は変更されずに記憶さ
れる。
すると、輝度値が基準範囲上限値を上回るので、工程S
24〜工程S26によって、図9(a)に示されるよう
に、輝度値は基準範囲内に収められる。この時の輝度値
と利得値が記憶される。
順に、鏡面、ガラス面、鏡面、平面無し、ここでは突出
したガラス面が存在する。鏡面、ガラス面、鏡面まで
は、イで述べた手順と同様の手順となるので、説明は省
略する。
すると、利得値は鏡面を正しく検出できる値となってい
るため、図10(a)に示されるように、輝度値は基準範
囲下限値を下回るので、工程S23の処理によって、利
得値が最大の値に設定される。この時の輝度値は、図1
0(b)に示されるようになる。続いて、工程S24〜工
程S26によって、図10(c)に示されるように、輝度
値は基準範囲内に収められる。この時の利得値と輝度値
は、平面無しの部位では、変更されずに記憶される。
順に、平面無し、ガラス面という部位が存在する。図1
1(a)に示されるように、平面無しの部位では、輝度値
が基準範囲内に収まっているので、利得値と輝度値は変
更されずに記憶される。
ると、輝度値は基準範囲上限値を上回るので、工程S2
4〜工程S26によって、図11(b)に示される基準範
囲内に収められる。この時の輝度値と利得値が記憶され
る。
S30を行う。これは、利得調整工程S20で得られ
た、輝度値と利得値を元にA/D変換器150で変換す
る前の検出信号値を算出するための処理である。以下、
図5を参照して、検出信号算出工程S30について説明
する。
する。検出信号値は、実際には、CPU140に記憶さ
れた現在の利得値Gと、画像メモリ152に記憶され
た、現在の照射位置に対応した画素の輝度値Iijkと、
現在の照射位置に対応した画素の検出信号Vijkとに基
づいて、Vijk=Iijk/Gによって算出される。
検出信号メモリ154に記憶する。
40を行う。これは、検出信号算出工程S30で得られ
た検出信号の最大値を保持し、各画素について走査中に
前述の検出信号が最大となる位置(Z位置)を検出し保存
する処理である。これによって、試料表面の反射光の強
弱や高さ位置の検出精度が、A/D変換器150による
変換後の画像信号のダイナミックレンジによらず、利得
値の可変範囲を含めた精度で検出することができる。以
下、図6を参照して、画像構築工程S40について説明
する。
S30で得られた検出信号の値と、検出信号メモリ15
4に記憶されたZ方向に対して検出信号の最大値とを比
較する。検出信号算出工程S30で得られた検出信号の
方が大きい場合には、工程S42において、検出信号メ
モリ154に記憶されたZ方向に対して検出信号の最大
値を検出信号算出工程S30で得られた検出信号の値と
する。この時のZ位置を昇降駆動回路158から出力さ
れたカウンタの値として高さ画像メモリ156に記憶す
る。実際には、検出信号算出工程S30で得られた検出
信号Vijkと、検出信号メモリ154に記憶されたZ方
向に対して検出信号の最大値Vijmと、高さ情報Zij
と、昇降駆動回路158から出力されたカウンタの値K
とに基づき、Vijk>Vijmの時のみ、Vijm=Vijk、Z
ij=Kとする。
と検出信号算出工程S30と画像構築工程S40を、予
め決められた1フレームのサイズ(XY走査範囲)とZ走
査範囲に対して繰り返し行うために、以下の手順により
集束光の焦点位置の移動処理を行う。
の位置が1ラインの終了位置か否かを判断する。X方向
の位置が1ラインの終了位置でない場合には、工程S5
2において、位置をX方向へ1ステップ移動させた後、
利得値調整工程S20に戻る。
ンの終了位置である場合には、工程S53では、Y方向
の位置が1フレームの終了位置か否かを判断する。Y方
向の位置が1フレームの終了位置でない場合には、工程
S54では、X方向の位置を移動先頭位置に戻し、続い
て、工程S55では、位置をY方向へ1ステップ移動さ
せた後、利得値調整工程S20に戻る。
ームの終了位置である場合には、工程S56では、Z方
向の位置がZ移動範囲の終了位置か否かを判断する。Z
方向の位置がZ移動範囲の終了位置でない場合には、工
程S57では、Y方向の位置を移動先頭位置に戻し、続
いて、工程S58では、位置をZ方向へ1ステップ移動
させた後、利得値調整工程S20に戻る。
範囲の終了位置である場合には、処理を終了する。以上
の一連の処理によって、図18に示される順序の試料1
22に対する走査が終了する。
すると、試料の表面情報が、検出信号メモリ154に、
利得値の可変範囲を含めた検出精度で得られ、また、試
料の高さ情報が、高さ画像メモリ156に、同様の検出
精度で得られる。
して二次元走査中の輝度変化が基準範囲に収まるように
利得を制御し、得られた輝度値と利得値とを元に、検出
信号の値と前回までの検出信号の最大値と比較し、今回
の値の方が大きければその時の光軸位置を記憶している
ので、段差を有し、しかも同一平面に反射率が異なる複
数の部位を持つ試料に対しても、試料の表面情報を得る
ことができる。
体例の一つを例示的に示しているに過ぎない。従って、
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変更や変
形を含む。
走査により1フレームの情報を取得する毎にZ走査を繰
り返して行っているが、XY走査を行なう最中の各点毎
にZ走査を繰り返し行ってもよい。
程、画像構築工程の各工程について、本実施形態では、
各Z位置に対応した1フレーム走査中の1画素毎に行っ
ているが、特にこれらの工程が走査の直後に行うことに
限定されず、各Z位置毎の1フレーム中全ての画素に対
する利得値と検出信号値と高さ情報が得られるのであれ
ばどのような手順であってもよい。
X方向に1〜数ラインまたはY方向に1〜数ライン走査
する毎に利得値調整を繰り返し行い、走査したラインの
全画素について輝度値が基準範囲内になるときの輝度値
と利得値を求めてから、走査したラインの各画素毎に検
出信号調整工程と画像構築工程を行ってもよい。
記憶する検出信号メモリにおいても実数精度でなくても
よい。基準範囲設定工程については、予めシステム固有
の値として、基準範囲を制御回路に記憶しておいてもよ
い。利得調整工程においても、照射位置の輝度値を基準
範囲内になるまで、利得値の最小設定から最大設定値ま
で、設定可能な最小ステップずつ変更していってもよ
い。
に、本発明の第二の実施の形態に係る画像情報構築方法
を用いるシステムは、従来と同様の共焦点走査型光学顕
微鏡(図14参照)を備えており、光源212からのレー
ザ光は、走査光学系224によって試料表面に点状結像
され、この試料表面から反射した反射光は、再び走査光
学系224を経由した後、ピンホールを通過した光のみ
が光検出器222によって検出される。
号は、その直流成分がオフセット調整回路226で差し
引かれた後、残りの光信号成分がゲイン調整回路228
で増幅(A/D変換器230の入力レンジに最適化)され
て、A/D変換器230に入力される。このとき、A/D
変換器230から出力されたデジタル信号(8ビット階
調つまり0〜255までの整数データ)に対して、シス
テム制御用計算機232において、後述する信号処理を
施すことによって、標本画像の高輝度情報及び高さ情報
を高精度に測定することができる。
232からのコマンドによって、共焦点走査型光学顕微
鏡(光源212、走査光学系224、光検出器222)、
オフセット調整回路226、ゲイン調整回路228、A
/D変換器230の測定パラメータを適宜設定すること
ができる。例えば、オフセット調整回路226のオフセ
ット量、ゲイン調整回路228の増幅率、A/D変換器
230の入力レンジを適宜変化させることができる。
(図示しない)が搭載されており、試料を高さ方向に離散
的に区切った走査面に沿ってレーザ光を走査した際に得
られる試料の高さ方向に沿った複数の二次元画像データ
に対応する各々の整数データと、これら各データを取り
込んだときの各々のオフセット調整量及びゲイン調整量
と、後述する信号処理によって得られた実数データを保
存することができるようになっている。
とオフセット調整量とゲイン調整量に応じて変更され
る。例えば、1枚の二次元画像データが1024×76
8ドットで構成され、1ドットの整数データが8ビット
(1バイト)の整数データとして保存される場合には、7
68キロバイト(kByte)のメモリ容量に設定される。ま
た、比較したい二次元画像データがn枚であり、設定さ
れたオフセット調整量及びゲイン調整量が夫々1バイト
で保存できる場合には、全体で(768k+2)×(n+
1)バイトのメモリ容量が必要となる。
率の種類分だけオフセット調整及びゲイン調整が行われ
る。例えば、n種類の反射率を有する試料の面218の
画像情報を構築する場合、まず、n種類の反射率毎にオ
フセット調整量及びゲイン調整量をシステム制御用計算
機232に保存する。この場合、反射率の種類や位置に
ついては、例えば、ICパターンが施された半導体ウエ
ハ等の試料の製造段階で予め分かっていれば、各々の反
射率に対応した最適なオフセット調整量及びゲイン調整
量を設定して保存する。最適なオフセット調整量及びゲ
イン調整量の設定方法は、例えば試料の面218の反射
率の異なる部位を予めプレ走査して設定する方法などが
利用できる。
いて、n種類の反射率は、その反射率の小さい順に並べ
変えられ、その一番低い反射率に対応したオフセット調
整量及びゲイン調整量が選択される。この状態で、試料
の面218の高さ方向に沿って全ての走査面にレーザ光
を走査して、高輝度情報及び高さ情報を求める。
用計算機232において、A/D変換器230から出力
されたデジタル信号(試料の高さ方向に沿った複数の二
次元画像データに夫々対応した整数データ)に対して逆
算処理を施して、実数データを求めた後、個々の二次元
画像データ相互の同一座標における実数データ同士の大
小を比較することによって求められる。
号即ち電圧値に基づく元の明るさ情報をv、オフセット
調整量をo、ゲイン調整量をgとすると、A/D変換器
230から出力されるデジタル信号(整数データ)Iは、
I=g×v+oなる関係を満足している。
データ)Iに対して逆算処理を施して、元の明るさ情報
vを実数データRとして再現すると、R=(I−o)/g
となる。この実数データRは、システム制御用計算機2
32内において、浮動小数点型データとして認識され、
試料の各面に対応した輝度ピークはすべて電圧値の変化
として捕らえることができる。
射率を有する部位が存在する場合、その比較的高い反射
率を有する部位を走査した際に光検出器222から出力
されるアナログ信号のレベルは、一番低い反射率に対応
したオフセット調整量及びゲイン調整量を越えたものと
なり、A/D変換器230の入力レンジ内に収まらな
い。この場合、A/D変換器230の出力は、飽和状態
(例えば、出力ゼロ)となり、システム制御用計算機23
2には、比較的高い反射率を有する部位からの輝度情報
が「飽和状態信号」として保存される。
セット調整量及びゲイン調整量を選択して、上述と同様
の走査を高さ方向に沿って行う。このとき、輝度情報が
「飽和状態」であることが保存されている部位の輝度情
報のみを更新する。そして、残りのn−2の反射率につ
いても、同様の処理を行って、「飽和状態」であること
が保存されている部位の輝度情報のみを更新して行くこ
とによって、A/D変換器230から飽和状態信号が出
力されなくなり、そのとき観察画像の高輝度情報及び高
さ情報が測定されることになる。
のような処理を繰り返すことによって、反射率の違いに
影響されること無く、観察画像の高輝度情報及び高さ情
報を測定することができる。
画像の高輝度情報及び高さ情報の具体的な測定方法につ
いて、図13(a)〜図13(c)を参照して説明する。
(b)に示すように、互いに反射率が異なり且つ高さ方向
に高低差がある面1〜面3を有する試料240の画像情
報を構築する場合を想定しており、面1での反射率をr
1、面2での反射率をr2、面3での反射率をr3と
し、これら3種類の反射率には、r1>r2>r3なる
関係があるものとする。この場合、これら面1〜面3の
夫々にレーザ光が合焦されたときに、図13(c)に示す
ような異なる輝度のピーク1〜3が現れる。即ち、試料
240の高い方から順に、ピーク1は、面1の任意の座
標点での輝度のピークであり、ピーク2は、面2の任意
の座標点での輝度のピーク、そして、ピーク3は、面3
の任意の座標点での輝度のピークである。
さ方向に一定間隔で離散的に区切った256面から成る
走査面に沿ってレーザ光を走査させるように設定されて
いる。なお、走査面は、試料240の高い方から順に、
符号Z0、Z1〜Z255で規定されている。
に、これら反射率に対応した最適なオフセット調整量及
びゲイン調整量を設定して、システム制御用計算機23
2に保存する。
いて、3種類の反射率は、その反射率の小さい順に並べ
変えられ、その一番低い反射率r3に対応したオフセッ
ト調整量及びゲイン調整量が選択される。この状態で、
試料240の高い方から順に全ての走査面Z0〜Z25
5に沿ってレーザ光を走査して、高輝度情報及び高さ情
報を求める。
て、そのとき得られる高輝度情報及び高さ情報を全てシ
ステム制御用計算機232内に記録(保存)する。この走
査面Z0〜Z24では、レーザ光が合焦する面がないこ
とから、その走査面全体に亘って、A/D変換器230
の出力は、ほぼゼロに等しい。
値の変化として捕らえるための実数データRは、以下の
説明では、高輝度データと呼ぶことにする。
度データが全て保存された面(走査完了面)は、次に行わ
れる走査(反射率r2に対応したオフセット調整量及び
ゲイン調整量に基づく2回目の走査)において、再度走
査する必要がないため、走査完了を示すフラグをシステ
ム制御用計算機232内に記録すると共に、高輝度情報
及び高さ情報を更新して行く。
する。
反射率r1の面1に対応するピーク1の高輝度データ
が、A/D変換器230を介してシステム制御用計算機
232内に入力される。システム制御用計算機232で
は、既に記録された高輝度データと、新たに入力した高
輝度データとを比較して、新たに入力した高輝度データ
が大きければ、その高輝度データを記録し直す(更新す
る)と共に、高さ情報も更新する。但し、高輝度データ
が更新されるのは、走査面Z25〜Z49のうち、面1
に対応する領域のみである。
査する。
一番低い反射率r3に対応したオフセット調整量及びゲ
イン調整量を越えてピーク1が立ち上がるため、A/D
変換器230の入力レンジ内に収まらない。この場合、
A/D変換器230の出力は、飽和状態(例えば、出力ゼ
ロ)となり、システム制御用計算機232には、反射率
r1を有する部位からの高輝度データが「飽和状態信
号」として記録される。この場合、飽和状態信号が記録
された部位は、次に行われる走査(反射率r2に対応し
たオフセット調整量及びゲイン調整量に基づく2回目の
走査)において、再度走査する必要があるため、走査完
了を示すフラグは、システム制御用計算機232内に記
録しない。
144まで個別に走査すると、反射率r2の面2に対応
するピーク2の高輝度データが、A/D変換器230を
介してシステム制御用計算機232内に入力される。シ
ステム制御用計算機232では、既に記録された高輝度
データと、新たに入力した高輝度データとを比較して、
新たに入力した高輝度データが大きければ、その高輝度
データを記録し直す(更新する)と共に、高さ情報も更新
する。但し、高輝度データが更新されるのは、走査面Z
144までの面2に対応する領域のみである。
に走査する。
は、一番低い反射率r3に対応したオフセット調整量及
びゲイン調整量を越えてピーク2が立ち上がるため、A
/D変換器230の入力レンジ内に収まらない。この場
合、A/D変換器230の出力は、飽和状態(例えば、出
力ゼロ)となり、システム制御用計算機232には、反
射率r2を有する部位からの高輝度データが「飽和状態
信号」として記録される。この場合、飽和状態信号が記
録された部位は、次に行われる走査(反射率r2に対応
したオフセット調整量及びゲイン調整量に基づく2回目
の走査)において、再度走査する必要があるため、走査
完了を示すフラグは、システム制御用計算機232内に
記録しない。
230まで到達した場合、この走査面Z230付近のピ
ーク3は、一番低い反射率r3に対応したオフセット調
整量及びゲイン調整量を越えていないため、A/D変換
器230の入力レンジ内に収まる。この場合、A/D変
換器230の出力は、飽和状態とならず、この出力全体
に基づいて、反射率r3を有する面3からの高輝度デー
タ及びその高さ情報が共に更新される。
査では、A/D変換器230の出力がほぼゼロとなるか
ら、高輝度データは更新されない。
が終了する。
3の次に大きい反射率r2に対応したオフセット調整量
及びゲイン調整量が選択される。そして、この2回目の
走査では、1回目の走査で走査完了のフラグが記録され
た走査面の走査は行わずに、飽和状態信号が記録された
部位の走査のみを行う。
合、反射率r2に対応したオフセット調整量及びゲイン
調整量を越えてピーク1が一部立ち上がるため、その一
部については、A/D変換器230の入力レンジ内に収
まらない。この場合、A/D変換器230の出力は、ピ
ーク1の一部が飽和状態(例えば、出力ゼロ)となり、シ
ステム制御用計算機232には、その部分の高輝度デー
タが「飽和状態信号」として記録される。この場合、飽
和状態信号が記録された部位は、次に行われる走査(反
射率r1に対応したオフセット調整量及びゲイン調整量
に基づく3回目の走査)において、再度走査する必要が
あるため、走査完了を示すフラグは、システム制御用計
算機232内に記録しない。
反射率r2に対応したオフセット調整量及びゲイン調整
量を越えていないため、A/D変換器230の入力レン
ジ内に収まる。この場合、A/D変換器230の出力
は、飽和状態とならず、この出力全体に基づいて、ピー
ク1の残りの部分の高輝度データ及びその高さ情報が共
に更新される。
する場合、この走査面におけるピーク2は、反射率r2
に対応したオフセット調整量及びゲイン調整量を越えて
いないため、A/D変換器230の入力レンジ内に収ま
る。この場合、A/D変換器230の出力は、飽和状態
とならず、この出力全体に基づいて、反射率r2を有す
る面2からの高輝度データ及びその高さ情報が共に更新
される。
が終了する。
1に対応したオフセット調整量及びゲイン調整量が選択
される。そして、この3回目の走査では、1回目及び2
回目の走査で走査完了のフラグが記録された走査面の走
査は行わずに、飽和状態信号が記録された部位の走査の
みを行う。
走査面Z60付近のピーク1は、一番高い反射率r1に
対応したオフセット調整量及びゲイン調整量を越えてい
ないため、A/D変換器230の入力レンジ内に収ま
る。この場合、A/D変換器230の出力は、飽和状態
とならず、この出力全体に基づいて、反射率r1を有す
る面1からの高輝度データ及びその高さ情報が共に更新
される。
の高輝度データと高さ情報が測定され、これら高輝度デ
ータ及び高さ情報に基づいて観察画像が構築される。
の走査面(例えば、図13に示す同一面1)内において異
なる反射率が他種類存在する場合であっても、試料24
0の反射率の種類分だけオフセット調整及びゲイン調整
を行うだけで、試料240の段差形状や反射率の違い影
響されること無く、短時間に観察画像の高輝度情報及び
高さ情報を高精度に測定することが可能となる。
反射光を検出するタイプの共焦点走査型光学顕微鏡を備
えたシステムについて説明したが、これに限定されるこ
とは無く、試料240からの透過光を検出するタイプの
共焦点走査型光学顕微鏡を備えたシステムにも、本実施
の形態の画像情報構築方法を適用することが可能であ
る。
システムは、図12に示したシステムと基本的に同様で
あり、光源212からのレーザ光は、走査光学系224
によって試料表面に点状結像され、この試料を透過した
透過光は、光検出器222によって検出される。光検出
器222から出力されたアナログ信号は、その直流成分
がオフセット調整回路226で差し引かれた後、残りの
光信号成分がゲイン調整回路228で増幅(A/D変換器
230の入力レンジに最適化)されて、A/D変換器23
0に入力される。このとき、A/D変換器230から出
力されたデジタル信号(試料の高さ方向に沿った複数の
二次元透過画像データに夫々対応した整数データ)に対
して、システム制御用計算機232において、上述した
信号処理を施すことによって、観察画像の高輝度情報及
び高さ情報を高精度に測定することができる。
ム制御用計算機232に取り込まれたデジタル信号(試
料の高さ方向に沿った複数の二次元透過画像データに夫
々対応した整数データ)に対して逆算処理を施して、実
数データを求めた後、個々の二次元透過画像データ相互
の同一中心部における実数データ同士の大小を比較する
ことによって、高輝度情報及び高さ情報を求める。
4×768ドットで構成されている場合、その中心部で
ある800×600ドット領域で大小比較が行われる。
する二次元透過画像データの同一中心部のアライメント
(位置出し)を行った後、二次元透過画像データ全体に適
当な明るさが得られるように、オフセット調整量及びゲ
イン調整量を行う。このようにオフセット調整量及びゲ
イン調整量が施された後、A/D変換器230から出力
されたデジタル信号は、システム制御用計算機232に
おいて、実数データ(浮動小数点データ)Rとして認識さ
れ、この実数データRの大小を比較することによって、
高輝度情報及び高さ情報が求められる。
領域)以外の二次元透過画像データの明るさの影響を受
けて、A/D変換器230からの出力が変化した場合で
も、同一中心部における実数データ(元の明るさ情報)R
同士の大小を比較することができるため、高輝度情報及
び高さ情報を高精度に求めることができる。このように
大小比較した結果に基づいて、第二の実施の形態と同様
に、観察画像の高輝度情報及び高さ情報を高精度に測定
することができる。
の値を8ビットや12ビットの整数データにリニアに変
換したり、ガンマ補正などかけて変換した表面情報を容
易に得ることができる。
を元々の検出精度を超えない任意のデータ階調の画像デ
ータとして再構築を行い表示することができる。
学顕微鏡のシステム構成図である。
御手順を示すフローチャートである。
工程の手順を示すフローチャートである。
の手順を示すフローチャートである。
工程の手順を示すフローチャートである。
の手順を示すフローチャートである。
工程での有効範囲の上限値及び下限値を示すグラフであ
る。
率の異なる部位を有する試料の図である。
る輝度変化を表すグラフである。
れる輝度変化を表すグラフである。
れる輝度変化を表すグラフである。
築方法を適用したシステム構成のブロック図である。
築方法を説明するための図であって、(a)は試料の平
面図、(b)は試料の側面図、(c)は、試料の高さ方
向に変化する反射率に応じた輝度ピークを示す図であ
る。
概略的な構成図である。
制御手順を示すフローチャートである。
フローチャートである。
図である。
係る、X,Y,Z方向の走査順序を示した図である。
る試料の図である。
査する時に得られる検出信号レベルの変化を表すグラフ
である。
査する時に得られる検出信号レベルの変化を表すグラフ
である。
差の反射率が異なる試料の図である。
査する時に得られる検出信号レベルの変化を表すグラフ
である。
Claims (2)
- 【請求項1】 試料に集束光を照射する対物光学系と、
前記集束光と前記試料とを相対的に二次元方向へ移動走
査する二次元走査手段と、前記対物光学系の焦点位置と
前記試料の位置とを相対的に光軸方向へ移動走査する光
軸方向走査手段と、前記集束光の前記試料の反射光又は
透過光を受光してその受光強度に応じた検出信号を出力
する光検出手段と、光検出手段から出力された検出信号
の信号レベルを可変する利得可変手段と、前記利得可変
手段によって変更した検出信号を画像データへ変換する
A/D変換手段と、試料の測定を行う際に、前記試料の
反射光又は透過光の受光強度を良好に検出できる有効範
囲を設定する制御と、前記二次元走査手段と前記光軸方
向走査手段の少なくとも一方による走査動作に応じて画
像データの画素の値が前記有効範囲の設定制御で設定さ
れた有効範囲に収まるように前記利得可変手段の利得値
を調整する制御と、画像データの各画素の値と利得可変
手段に対して調整された利得値に基づいて光検出手段か
ら出力された検出信号を算出する制御と、前記検出信号
算出値に基づいて試料の表面の画像データを構築する制
御とを行わせる制御部とを備えていることを特徴とする
共焦点走査型光学顕微鏡。 - 【請求項2】光源からの光を走査光学系を介して試料の
各走査面を走査する工程と、各走査面からの光を光検出
器でアナログ信号に変換する工程と、このアナログ信号
に対してオフセット調整及びゲイン調整を施す工程と、
オフセット調整及びゲイン調整が施されたアナログ信号
をA/D変換器でデジタル信号に変換する工程と、この
デジタル信号に所定の信号処理を施す信号処理工程とを
有しており、前記信号処理工程は、前記デジタル信号に
逆算処理を施して、実数データを求める工程と、各走査
面相互の同一位置における実数データ同士の大小を比較
することによって、観察画像の高輝度情報及び高さ情報
を求める工程とを有し、前記オフセット調整及びゲイン
調整は、試料の各反射率又は透過率毎に行われて、その
各反射率又は透過率毎に設定したオフセット調整量及び
ゲイン調整量を保存すると共に、前記観察画像の高輝度
情報及び高さ情報を求める工程では、各々の反射率又は
透過率に対応した最適なオフセット調整量及びゲイン調
整量が選択され、試料の各走査面からの輝度情報及び高
さ情報を求めると同時に、各走査面のうち他の反射率又
は透過率を有する部位を走査した際の光検出器からの出
力を飽和状態信号として保存するプロセスを繰り返し、
飽和状態信号が無くなるまで、飽和状態信号のみを更新
して行くことを特徴とする画像情報構築方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000094262A JP2001281550A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000094262A JP2001281550A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001281550A true JP2001281550A (ja) | 2001-10-10 |
JP2001281550A5 JP2001281550A5 (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=18609333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000094262A Pending JP2001281550A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001281550A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216834A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置における高さ測定方法 |
JP2007041120A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Keyence Corp | 共焦点走査型顕微鏡 |
JP2008129226A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Olympus Corp | 共焦点顕微鏡 |
JP2008170973A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-24 | Olympus Corp | 共焦点レーザ顕微鏡 |
WO2009107321A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 株式会社ニコン | 顕微鏡装置および細胞培養装置 |
JP2009222399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Nikon Corp | 画像ゲイン調整装置およびその方法、並びに三次元形状測定装置 |
JP2014206749A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-10-30 | 株式会社キーエンス | 顕微鏡システム |
CN111610197A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-01 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000094262A patent/JP2001281550A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4533766B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2010-09-01 | 日本電子株式会社 | 電子ビーム描画装置における高さ測定方法 |
JP2006216834A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置における高さ測定方法 |
JP2007041120A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Keyence Corp | 共焦点走査型顕微鏡 |
JP2008129226A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Olympus Corp | 共焦点顕微鏡 |
JP2008170973A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-24 | Olympus Corp | 共焦点レーザ顕微鏡 |
WO2009107321A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 株式会社ニコン | 顕微鏡装置および細胞培養装置 |
JP5293733B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-18 | 株式会社ニコン | 顕微鏡装置および細胞培養装置 |
US9562215B2 (en) | 2008-02-28 | 2017-02-07 | Nikon Corporation | Microscope apparatus and cell culture apparatus |
US10155926B2 (en) | 2008-02-28 | 2018-12-18 | Nikon Corporation | Microscope apparatus and cell culture apparatus |
JP2009222399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Nikon Corp | 画像ゲイン調整装置およびその方法、並びに三次元形状測定装置 |
JP2014206749A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-10-30 | 株式会社キーエンス | 顕微鏡システム |
CN111610197A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-01 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
CN111610197B (zh) * | 2020-06-01 | 2023-09-12 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0176358B1 (en) | Image pick-up apparatus | |
JP4908934B2 (ja) | 半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法 | |
US20070081233A1 (en) | Scanning laser microscope apparatus and light-amount detection unit | |
JP3704387B2 (ja) | 共焦点走査型光学顕微鏡およびこの顕微鏡を使用した測定方法 | |
KR101345619B1 (ko) | 낮은 대비 반도체 소자의 명시야 이미징을 위한 패턴 인식매칭 | |
JP2001281550A (ja) | 共焦点走査型顕微鏡および画像情報構築方法 | |
US7292275B2 (en) | Exposure control device for microscope imaging | |
US20050213204A1 (en) | Three-dimensional confocal microscope system | |
JP2002098901A (ja) | 走査型レーザ顕微鏡 | |
JPH0961720A (ja) | 共焦点走査型光学顕微鏡及びこの顕微鏡を使用した測定方法 | |
JP3722535B2 (ja) | 走査型共焦点顕微鏡及びこの顕微鏡を使用した測定方法 | |
JP3783790B2 (ja) | レーザー顕微鏡 | |
JP3869521B2 (ja) | 走査型レーザ顕微鏡 | |
JPH1172308A (ja) | 高さ測定方法及びその装置 | |
JP2008046484A (ja) | 自動焦点検出装置及び自動焦点検出方法 | |
CN110579460B (zh) | 一种寻址扫描快速荧光寿命显微成像系统及方法 | |
JP2010262104A (ja) | 走査型共焦点顕微鏡 | |
JP4536845B2 (ja) | 共焦点顕微鏡 | |
JP3814847B2 (ja) | 放射線画像読取装置 | |
JP2008046361A (ja) | 光学システム及び光学システムの制御方法 | |
JP2005291720A (ja) | 蛍光検出装置、濃淡情報補正方法および濃淡情報補正プログラム | |
JP2001091844A (ja) | 共焦点走査型顕微鏡 | |
JP3960862B2 (ja) | 高さ測定方法 | |
JP2005321728A (ja) | 走査型顕微鏡の測定パラメータ決定方法 | |
US11706526B2 (en) | Focusing position detection method, focusing position detection device and recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110315 |