JP2001272316A - 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 - Google Patents
透過型電子顕微鏡用試料の作製方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
ＴＥＭ観察用試料を得ることができる。 【解決手段】 半導体基板２８上の特定箇所２を集束イ
オンビーム３を用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化し、特定箇所２を含む観察領域を試
料１として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元
マニュピュレータからなるマニュピュレータシステムを
用いて試料１を作製する工程とを含み、マニュピュレー
タシステムを用いて試料１を作製する際に、マニュピュ
レータ先端６に取付けられた絶縁体棒７からなるマイク
ロピペット先端８に試料１を静電吸着し、この試料１を
透過型電子顕微鏡用観察メッシュ９に落下させる。これ
により、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、透
過型電子顕微鏡の試料１を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
ＴＥＭ観察用試料を得ることができる。 【解決手段】 半導体基板２８上の特定箇所２を集束イ
オンビーム３を用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化し、特定箇所２を含む観察領域を試
料１として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元
マニュピュレータからなるマニュピュレータシステムを
用いて試料１を作製する工程とを含み、マニュピュレー
タシステムを用いて試料１を作製する際に、マニュピュ
レータ先端６に取付けられた絶縁体棒７からなるマイク
ロピペット先端８に試料１を静電吸着し、この試料１を
透過型電子顕微鏡用観察メッシュ９に落下させる。これ
により、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、透
過型電子顕微鏡の試料１を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の解析
方法に係り、特に解析箇所を集束イオンビーム（ＦＩ
Ｂ：Focused Ion Beam）を用いて作製する透過電子顕微
鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）の観
察試料の作製方法に関するものである。
方法に係り、特に解析箇所を集束イオンビーム（ＦＩ
Ｂ：Focused Ion Beam）を用いて作製する透過電子顕微
鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）の観
察試料の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス等の試料の微細構造解析
をする方法の一つとしてＴＥＭは良く知られている。数
百ｋＶ以上の高電圧によって加速された電子ビームを試
料の観察したい部位を有するＴＥＭ観察面に照射し、そ
のＴＥＭ観察面を透過した通過電子を結像させて観察
（ＴＥＭ観察）する。このＴＥＭ観察は極めて高い分解
能での観察が可能である。また、フィールドエミッショ
ン電子銃（ＦＥＧ）のような細く絞った電子ビームプロ
ーブを用いれば、ナノメートル領域のＥＤＸ分析やＥＥ
ＬＳ分析が可能である。
をする方法の一つとしてＴＥＭは良く知られている。数
百ｋＶ以上の高電圧によって加速された電子ビームを試
料の観察したい部位を有するＴＥＭ観察面に照射し、そ
のＴＥＭ観察面を透過した通過電子を結像させて観察
（ＴＥＭ観察）する。このＴＥＭ観察は極めて高い分解
能での観察が可能である。また、フィールドエミッショ
ン電子銃（ＦＥＧ）のような細く絞った電子ビームプロ
ーブを用いれば、ナノメートル領域のＥＤＸ分析やＥＥ
ＬＳ分析が可能である。
【０００３】近年、ダイシング装置と集束イオンビーム
（ＦＩＢ）装置とを組み合わせて、特定箇所の極めて薄
いＴＥＭ観察面を形成するＴＥＭ試料の作成方法が可能
となり、半導体デバイスの不良解析に活用されている。
（ＦＩＢ）装置とを組み合わせて、特定箇所の極めて薄
いＴＥＭ観察面を形成するＴＥＭ試料の作成方法が可能
となり、半導体デバイスの不良解析に活用されている。
【０００４】従来のダイシング装置と集束イオンビーム
とを組み合わせた透過型電子顕微鏡試料の作製方法を、
図を参照しながら、簡略して説明する。図１４は従来の
透過型電子顕微鏡試料の作製方法の一例を示す工程流れ
図である。まず、図１４（ａ）に示すように、ダイシン
グ装置で試料１を電子顕微鏡の鏡体内に装着できる大き
さ（例えば、約０．２ｍｍ×２ｍｍ×０．５ｍｍ）に切
り出す。なお、試料１はダミーＳｉ基板上にワックスで
接着した状態でダイシング装置で切り出す。ウェハの場
合は数ｃｍ角に切り出した試料をダミーＳｉ基板上にワ
ックスで接着した状態でダイシング装置で切り出す。
とを組み合わせた透過型電子顕微鏡試料の作製方法を、
図を参照しながら、簡略して説明する。図１４は従来の
透過型電子顕微鏡試料の作製方法の一例を示す工程流れ
図である。まず、図１４（ａ）に示すように、ダイシン
グ装置で試料１を電子顕微鏡の鏡体内に装着できる大き
さ（例えば、約０．２ｍｍ×２ｍｍ×０．５ｍｍ）に切
り出す。なお、試料１はダミーＳｉ基板上にワックスで
接着した状態でダイシング装置で切り出す。ウェハの場
合は数ｃｍ角に切り出した試料をダミーＳｉ基板上にワ
ックスで接着した状態でダイシング装置で切り出す。
【０００５】続いて、図１４（ｂ）に示すように、観察
箇所２が含まれるように、両側縁部を長手方向にダイシ
ング装置で加工して試料１の長手方向に直交する断面が
凸型形状となるようにする。最後に、図１４（ｃ）に示
すように、表面からＦＩＢ３を走査することにより、観
察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度に薄膜
化してＴＥＭ観察用試料を作製する。
箇所２が含まれるように、両側縁部を長手方向にダイシ
ング装置で加工して試料１の長手方向に直交する断面が
凸型形状となるようにする。最後に、図１４（ｃ）に示
すように、表面からＦＩＢ３を走査することにより、観
察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度に薄膜
化してＴＥＭ観察用試料を作製する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の作製方法では、ウェハにおいては、ウェハを数ｃ
ｍ角に切り出すため、ウェハをへきかいしなければなら
ず、直接ウェハからＴＥＭ観察用試料が得られないとい
う問題があった。また、パッケージに封止された試料に
おいては、パッケージから半導体デバイスを除去する
際、半導体デバイス自身が破損したり、表面汚染が生じ
るため、ＴＥＭ観察用試料が作成できないという問題が
あった。また、ウェハにさらに、ダイシング加工の際、
ダイシング・ソーからの衝撃が強いため、試料とダミー
Ｓｉ基板との界面において剥離が生じ、それが試料全面
に伝搬するため、ダイシング加工時の歩留まりが低下す
るという問題があった。また、ダイシング・ソーからの
衝撃により、基板上に形成された薄膜と基板、または薄
膜と薄膜との界面において剥離が生じるという問題があ
った。更に工程数が多くなり、長い処理時間を要した。
従来の作製方法では、ウェハにおいては、ウェハを数ｃ
ｍ角に切り出すため、ウェハをへきかいしなければなら
ず、直接ウェハからＴＥＭ観察用試料が得られないとい
う問題があった。また、パッケージに封止された試料に
おいては、パッケージから半導体デバイスを除去する
際、半導体デバイス自身が破損したり、表面汚染が生じ
るため、ＴＥＭ観察用試料が作成できないという問題が
あった。また、ウェハにさらに、ダイシング加工の際、
ダイシング・ソーからの衝撃が強いため、試料とダミー
Ｓｉ基板との界面において剥離が生じ、それが試料全面
に伝搬するため、ダイシング加工時の歩留まりが低下す
るという問題があった。また、ダイシング・ソーからの
衝撃により、基板上に形成された薄膜と基板、または薄
膜と薄膜との界面において剥離が生じるという問題があ
った。更に工程数が多くなり、長い処理時間を要した。
【０００７】したがって、この発明の目的は、このよう
な従来の方法にあった課題を解決するもので、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、ＴＥＭ観察用試料を
得ることができる透過型電子顕微鏡用試料の作製方法を
提供することである。
な従来の方法にあった課題を解決するもので、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、ＴＥＭ観察用試料を
得ることができる透過型電子顕微鏡用試料の作製方法を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明の請求項１記載の透過型電子顕微鏡用試料の
作製方法は、半導体基板上の特定箇所を集束イオンビー
ムを用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さ
に薄膜化し、特定箇所を含む観察領域を試料として切り
出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元マニュピュレー
タからなるマニュピュレータシステムを用いて試料を作
製する工程とを含み、マニュピュレータシステムを用い
て試料を作製する際に、マニュピュレータ先端に取付け
られた絶縁体棒からなるマイクロピペット先端に試料を
静電吸着し、この試料を透過型電子顕微鏡用観察メッシ
ュに落下させることを特徴とする。
にこの発明の請求項１記載の透過型電子顕微鏡用試料の
作製方法は、半導体基板上の特定箇所を集束イオンビー
ムを用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さ
に薄膜化し、特定箇所を含む観察領域を試料として切り
出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元マニュピュレー
タからなるマニュピュレータシステムを用いて試料を作
製する工程とを含み、マニュピュレータシステムを用い
て試料を作製する際に、マニュピュレータ先端に取付け
られた絶縁体棒からなるマイクロピペット先端に試料を
静電吸着し、この試料を透過型電子顕微鏡用観察メッシ
ュに落下させることを特徴とする。
【０００９】このように、半導体基板上の特定箇所を集
束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能
な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所を含む観察領域を試
料として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元マ
ニュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用
いて試料を作製する工程とを含むので、半導体ウェハま
たは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を
得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能にす
る。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が
含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面を
切り出せるように加工したため実現できる。また、マニ
ュピュレータ先端に取付けられた絶縁体棒からなるマイ
クロピペット先端に試料を静電吸着し、この試料を透過
型電子顕微鏡用観察メッシュに落下させるので、試料の
薄膜化した特定箇所を含む観察面を透過型電子顕微鏡に
より解析することができる。
束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能
な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所を含む観察領域を試
料として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元マ
ニュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用
いて試料を作製する工程とを含むので、半導体ウェハま
たは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を
得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能にす
る。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が
含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面を
切り出せるように加工したため実現できる。また、マニ
ュピュレータ先端に取付けられた絶縁体棒からなるマイ
クロピペット先端に試料を静電吸着し、この試料を透過
型電子顕微鏡用観察メッシュに落下させるので、試料の
薄膜化した特定箇所を含む観察面を透過型電子顕微鏡に
より解析することができる。
【００１０】請求項２記載の透過型電子顕微鏡用試料の
作製方法は、請求項１において、半導体基板上の特定箇
所を含む観察領域を試料として切り出す工程は、特定箇
所を含み相対する２辺を集束イオンビームによりエッチ
ングして０．５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した
試料の半導体基板とつながっている相対する２辺と直交
する両端を集束イオンビームによりエッチングし、試料
を３０〜６０度の範囲の角度に傾斜して特定箇所を含む
試料の半導体基板とつながっている底部を、この底部の
中央部分が０．１μｍ程度の幅で残るように集束イオン
ビームによりエッチングした後、特定箇所を集束イオン
ビームにより試料表面から走査することにより、さらに
０．１μｍの厚さまで薄膜化する。
作製方法は、請求項１において、半導体基板上の特定箇
所を含む観察領域を試料として切り出す工程は、特定箇
所を含み相対する２辺を集束イオンビームによりエッチ
ングして０．５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した
試料の半導体基板とつながっている相対する２辺と直交
する両端を集束イオンビームによりエッチングし、試料
を３０〜６０度の範囲の角度に傾斜して特定箇所を含む
試料の半導体基板とつながっている底部を、この底部の
中央部分が０．１μｍ程度の幅で残るように集束イオン
ビームによりエッチングした後、特定箇所を集束イオン
ビームにより試料表面から走査することにより、さらに
０．１μｍの厚さまで薄膜化する。
【００１１】この構成によって、半導体ウェハまたは半
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。これ
は、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が含まれる
ようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面の一部を残
した状態で切り出すようにしたため実現できる。すなわ
ち、特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を、この底部の中央部分が０．１μｍ程度の幅で残
るように集束イオンビームによりエッチングした後、特
定箇所を集束イオンビームにより試料表面から走査する
ことにより、さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するの
で、帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面を静電吸着できる。
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。これ
は、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が含まれる
ようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面の一部を残
した状態で切り出すようにしたため実現できる。すなわ
ち、特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を、この底部の中央部分が０．１μｍ程度の幅で残
るように集束イオンビームによりエッチングした後、特
定箇所を集束イオンビームにより試料表面から走査する
ことにより、さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するの
で、帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面を静電吸着できる。
【００１２】請求項３記載の透過型電子顕微鏡用試料の
作製方法は、請求項１において、半導体基板上の特定箇
所を含む観察領域を試料として切り出す工程は、特定箇
所を含み相対する２辺を集束イオンビームによりエッチ
ングして０．５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した
試料の半導体基板とつながっている相対する２辺と直交
する両端のうちの一方の端部を集束イオンビームにより
エッチングし、試料を３０〜６０度の範囲の角度に傾斜
して特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を全て集束イオンビームによりエッチングし、かつ
試料の他方の端部の高さ方向の中央部分を０．１μｍ程
度の幅で残すようにエッチングした後、特定箇所を集束
イオンビームにより試料表面から走査することにより、
さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化する。
作製方法は、請求項１において、半導体基板上の特定箇
所を含む観察領域を試料として切り出す工程は、特定箇
所を含み相対する２辺を集束イオンビームによりエッチ
ングして０．５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した
試料の半導体基板とつながっている相対する２辺と直交
する両端のうちの一方の端部を集束イオンビームにより
エッチングし、試料を３０〜６０度の範囲の角度に傾斜
して特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を全て集束イオンビームによりエッチングし、かつ
試料の他方の端部の高さ方向の中央部分を０．１μｍ程
度の幅で残すようにエッチングした後、特定箇所を集束
イオンビームにより試料表面から走査することにより、
さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化する。
【００１３】この構成によって、半導体ウェハまたは半
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。これ
は、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が含まれる
ようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面の一部を残
した状態で切り出すようにしたため実現できる。すなわ
ち、特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を全て集束イオンビームによりエッチングし、かつ
試料の他方の端部の高さ方向の中央部分を０．１μｍ程
度の幅で残すようにエッチングした後、特定箇所を集束
イオンビームにより試料表面から走査することにより、
さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するので、帯電した
マイクロピペット先端に特定箇所を含むＴＥＭ観察面を
静電吸着できる。
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。これ
は、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇所が含まれる
ようにその観察面を薄膜化し、さらに観察面の一部を残
した状態で切り出すようにしたため実現できる。すなわ
ち、特定箇所を含む試料の半導体基板とつながっている
底部を全て集束イオンビームによりエッチングし、かつ
試料の他方の端部の高さ方向の中央部分を０．１μｍ程
度の幅で残すようにエッチングした後、特定箇所を集束
イオンビームにより試料表面から走査することにより、
さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するので、帯電した
マイクロピペット先端に特定箇所を含むＴＥＭ観察面を
静電吸着できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態を図
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の
説明図で、同図（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取
り図、同図（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特
定箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同
図（ｃ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図
を示す見取り図、図２はこの発明の第１の実施の形態に
おける半導体装置の処理を示す工程説明図で、（ａ），
（ｂ）は図１と同じ見取り図、（ｃ）は製造プロセス次
工程に流す前工程の見取り図である。
１および図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第
１の実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の
説明図で、同図（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取
り図、同図（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特
定箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同
図（ｃ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図
を示す見取り図、図２はこの発明の第１の実施の形態に
おける半導体装置の処理を示す工程説明図で、（ａ），
（ｂ）は図１と同じ見取り図、（ｃ）は製造プロセス次
工程に流す前工程の見取り図である。
【００１５】図１に示すように、半導体装置を解析する
方法の一つとしてＴＥＭ観察する際のこのＴＥＭ試料の
作製方法は、半導体基板２８上の特定箇所２を集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ３）を用いて透過型電子顕微鏡で観察
が可能な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所２を含む観察
領域を試料１として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡
と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシ
ステムを用いて試料を作製する工程とを含む。
方法の一つとしてＴＥＭ観察する際のこのＴＥＭ試料の
作製方法は、半導体基板２８上の特定箇所２を集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ３）を用いて透過型電子顕微鏡で観察
が可能な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所２を含む観察
領域を試料１として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡
と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシ
ステムを用いて試料を作製する工程とを含む。
【００１６】この場合、図１（ａ）に示すように、半導
体ウェハ２８をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含ま
れるように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。ここで試料１は図２の半導体ウェ
ハ２８の部分である。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を試料１とし
て切り出す。次に、図１（ｂ）に示すように、正立型光
学顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュ
レータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た例えばガラスからなる絶縁体棒７からなるマイクロピ
ペット先端８に静電吸着させる。次に、図１（ｃ）に示
すように、マニュピュレータシステムを用いて透過電子
顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含む
ＴＥＭ観察面５を落下させる。次に、透過電子顕微鏡を
用いて、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を観察およ
び、分析することにより、半導体装置を解析する。
体ウェハ２８をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含ま
れるように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。ここで試料１は図２の半導体ウェ
ハ２８の部分である。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を試料１とし
て切り出す。次に、図１（ｂ）に示すように、正立型光
学顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュ
レータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た例えばガラスからなる絶縁体棒７からなるマイクロピ
ペット先端８に静電吸着させる。次に、図１（ｃ）に示
すように、マニュピュレータシステムを用いて透過電子
顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含む
ＴＥＭ観察面５を落下させる。次に、透過電子顕微鏡を
用いて、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を観察およ
び、分析することにより、半導体装置を解析する。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、観察箇所
２をサンプリングした半導体ウェハ２８において、有機
系ガス２６を流しながら集束イオンビーム３を用いて、
加工穴２７を走査する。集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法により有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶ
Ｄ膜、例えばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め
込まれる。次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程
に流す。このように、その加工穴を集束イオンビームア
シストＣＶＤ法による成膜により、埋め込み、前記半導
体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流すことができ、
各工程の工程管理をウェハを破壊せず行うことができ
る。
２をサンプリングした半導体ウェハ２８において、有機
系ガス２６を流しながら集束イオンビーム３を用いて、
加工穴２７を走査する。集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法により有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶ
Ｄ膜、例えばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め
込まれる。次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程
に流す。このように、その加工穴を集束イオンビームア
シストＣＶＤ法による成膜により、埋め込み、前記半導
体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流すことができ、
各工程の工程管理をウェハを破壊せず行うことができ
る。
【００１８】この実施の形態では、集束イオンビーム３
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面を切り出すようにしたため、帯
電したマイクロピペット先端８に特定箇所２を含むＴＥ
Ｍ観察面を静電吸着できるため、半導体ウェハまたは半
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。ま
た、半導体基板２８上に回路パターンが形成された半導
体ウェハについて説明したが、パターンがない半導体ウ
ェハやチップ上に切り出された半導体チップについても
同様の効果を得る。
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面を切り出すようにしたため、帯
電したマイクロピペット先端８に特定箇所２を含むＴＥ
Ｍ観察面を静電吸着できるため、半導体ウェハまたは半
導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができ、半導体プロセス工程管理を可能にする。ま
た、半導体基板２８上に回路パターンが形成された半導
体ウェハについて説明したが、パターンがない半導体ウ
ェハやチップ上に切り出された半導体チップについても
同様の効果を得る。
【００１９】この発明の第２の実施の形態を図３および
図４に基づいて説明する。図３，４はこの発明の第２の
実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明
図で、図３（ａ）〜（ｃ）はＦＩＢ加工中の試料を示す
平面図、図４（ｄ）はＦＩＢ加工後の試料を示す平面
図、同図（ｅ）は帯電したマイクロピペット先端に特定
箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図
（ｆ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を
示す見取り図である。
図４に基づいて説明する。図３，４はこの発明の第２の
実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明
図で、図３（ａ）〜（ｃ）はＦＩＢ加工中の試料を示す
平面図、図４（ｄ）はＦＩＢ加工後の試料を示す平面
図、同図（ｅ）は帯電したマイクロピペット先端に特定
箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図
（ｆ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を
示す見取り図である。
【００２０】この透過型電子顕微鏡用試料の作製方法
は、第１の実施の形態の半導体基板２８上の特定箇所２
を含む観察領域を試料１として切り出す工程において、
特定箇所２を含み相対する２辺を集束イオンビーム３に
よりエッチングして薄膜化し、薄膜化した試料１の半導
体基板２８とつながっている相対する２辺と直交する両
端１２を集束イオンビーム３によりエッチングし、試料
１を傾斜して特定箇所２を含む試料１の半導体基板２８
とつながっている底部を、この底部の中央部分１３が残
るように集束イオンビーム３によりエッチングした後、
特定箇所２を集束イオンビーム３により試料表面４から
走査することにより、さらに薄膜化する。
は、第１の実施の形態の半導体基板２８上の特定箇所２
を含む観察領域を試料１として切り出す工程において、
特定箇所２を含み相対する２辺を集束イオンビーム３に
よりエッチングして薄膜化し、薄膜化した試料１の半導
体基板２８とつながっている相対する２辺と直交する両
端１２を集束イオンビーム３によりエッチングし、試料
１を傾斜して特定箇所２を含む試料１の半導体基板２８
とつながっている底部を、この底部の中央部分１３が残
るように集束イオンビーム３によりエッチングした後、
特定箇所２を集束イオンビーム３により試料表面４から
走査することにより、さらに薄膜化する。
【００２１】この場合、図３（ａ）に示すように、ＦＩ
Ｂ装置で試料１の観察箇所２が含まれるように、観察特
定箇所２の前方領域１０と後方領域１１を集束イオンビ
ーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜化
する。次に図３（ｂ）に示すように、薄片化した両端１
２を集束イオンビーム３によりエッチングする。次に図
３（ｃ）に示すように、試料１を３０〜６０度の範囲の
角度に傾斜した状態でＴＥＭ観察面５の下部の中央１３
が０．１μｍの幅が残るまで、集束イオンビーム３によ
りエッチングする。次に図４（ｄ）に示すように、観察
特定箇所２を集束イオンビーム３により試料表面４から
走査することにより、０．１μｍの厚さに薄膜化する。
Ｂ装置で試料１の観察箇所２が含まれるように、観察特
定箇所２の前方領域１０と後方領域１１を集束イオンビ
ーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜化
する。次に図３（ｂ）に示すように、薄片化した両端１
２を集束イオンビーム３によりエッチングする。次に図
３（ｃ）に示すように、試料１を３０〜６０度の範囲の
角度に傾斜した状態でＴＥＭ観察面５の下部の中央１３
が０．１μｍの幅が残るまで、集束イオンビーム３によ
りエッチングする。次に図４（ｄ）に示すように、観察
特定箇所２を集束イオンビーム３により試料表面４から
走査することにより、０．１μｍの厚さに薄膜化する。
【００２２】この後の工程は第１の実施の形態と同様で
ある。すなわち、図４（ｅ）に示すように、正立型光学
顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレ
ータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た絶縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸
着させる。次に、図４（ｆ）に示すように、マニュピュ
レータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ
９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下
させる。次に、透過電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を
含むＴＥＭ観察面５を観察および、分析することによ
り、半導体装置を解析する。
ある。すなわち、図４（ｅ）に示すように、正立型光学
顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレ
ータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た絶縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸
着させる。次に、図４（ｆ）に示すように、マニュピュ
レータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ
９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下
させる。次に、透過電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を
含むＴＥＭ観察面５を観察および、分析することによ
り、半導体装置を解析する。
【００２３】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００２４】この実施の形態では、集束イオンビーム３
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出す
ようにしたため、帯電したマイクロピペット先端８に特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面を静電吸着したまま採取で
きるため、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出す
ようにしたため、帯電したマイクロピペット先端８に特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面を静電吸着したまま採取で
きるため、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
【００２５】また、観察特定箇所２の前後を集束イオン
ビーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜
化した試料１について説明したが、観察特定箇所２の左
右を集束イオンビーム３によりエッチングした試料１に
ついても同様の効果を得る。また、半導体基板２８上に
回路パターンが形成された半導体ウェハについて説明し
たが、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出
された半導体チップについても同様の効果を得る。
ビーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜
化した試料１について説明したが、観察特定箇所２の左
右を集束イオンビーム３によりエッチングした試料１に
ついても同様の効果を得る。また、半導体基板２８上に
回路パターンが形成された半導体ウェハについて説明し
たが、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出
された半導体チップについても同様の効果を得る。
【００２６】この発明の第３の実施の形態を図５および
図６に基づいて説明する。図５，６はこの発明の第３の
実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明
図で、図５（ａ）〜（ｃ）はＦＩＢ加工中の試料を示す
平面図、図６（ｄ）はＦＩＢ加工後の試料を示す平面
図、同図（ｅ）は帯電したマイクロピペット先端に特定
箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図
（ｆ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を
示す見取り図である。
図６に基づいて説明する。図５，６はこの発明の第３の
実施の形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明
図で、図５（ａ）〜（ｃ）はＦＩＢ加工中の試料を示す
平面図、図６（ｄ）はＦＩＢ加工後の試料を示す平面
図、同図（ｅ）は帯電したマイクロピペット先端に特定
箇所を含むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図
（ｆ）はＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を
示す見取り図である。
【００２７】この透過型電子顕微鏡用試料の作製方法
は、第１の実施の形態の半導体基板２８上の特定箇所２
を含む観察領域を試料１として切り出す工程において、
特定箇所２を含み相対する２辺を集束イオンビーム３に
よりエッチングして薄膜化し、薄膜化した試料１の半導
体基板２８とつながっている、相対する２辺と直交する
両端のうちの一方の端部１６を集束イオンビーム３によ
りエッチングし、試料１を傾斜して特定箇所２を含む試
料１の半導体基板２８とつながっている底部を全て集束
イオンビーム３によりエッチングし、かつ試料１の他方
の端部の高さ方向の中央部分１８を残すようにエッチン
グした後、特定箇所２を集束イオンビーム３により試料
表面４から走査することにより、さらに薄膜化する。
は、第１の実施の形態の半導体基板２８上の特定箇所２
を含む観察領域を試料１として切り出す工程において、
特定箇所２を含み相対する２辺を集束イオンビーム３に
よりエッチングして薄膜化し、薄膜化した試料１の半導
体基板２８とつながっている、相対する２辺と直交する
両端のうちの一方の端部１６を集束イオンビーム３によ
りエッチングし、試料１を傾斜して特定箇所２を含む試
料１の半導体基板２８とつながっている底部を全て集束
イオンビーム３によりエッチングし、かつ試料１の他方
の端部の高さ方向の中央部分１８を残すようにエッチン
グした後、特定箇所２を集束イオンビーム３により試料
表面４から走査することにより、さらに薄膜化する。
【００２８】この場合、図５（ａ）に示すように、ＦＩ
Ｂ装置で試料１の観察箇所２が含まれるように、観察特
定箇所２の前方領域１４と後方領域１５を集束イオンビ
ーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜化
する。次に図５（ｂ）に示すように、薄片化した片端１
６を集束イオンビーム３によりエッチングする。次に図
５（ｃ）に示すように、試料１を３０〜６０度の範囲の
角度に傾斜した状態でＴＥＭ観察面５の下部１７を集束
イオンビーム３によりエッチングする。さらに、ＴＥＭ
観察面５の片端部の高さ方向の中央部分１８が０．１μ
ｍの幅が残るまで、集束イオンビーム３でエッチングす
る。次に図６（ｄ）に示すように、観察特定箇所２を集
束イオンビーム３により試料表面４から走査することに
より０．１μｍの厚さに薄膜化する。
Ｂ装置で試料１の観察箇所２が含まれるように、観察特
定箇所２の前方領域１４と後方領域１５を集束イオンビ
ーム３によりエッチングし、０．５μｍの厚さに薄膜化
する。次に図５（ｂ）に示すように、薄片化した片端１
６を集束イオンビーム３によりエッチングする。次に図
５（ｃ）に示すように、試料１を３０〜６０度の範囲の
角度に傾斜した状態でＴＥＭ観察面５の下部１７を集束
イオンビーム３によりエッチングする。さらに、ＴＥＭ
観察面５の片端部の高さ方向の中央部分１８が０．１μ
ｍの幅が残るまで、集束イオンビーム３でエッチングす
る。次に図６（ｄ）に示すように、観察特定箇所２を集
束イオンビーム３により試料表面４から走査することに
より０．１μｍの厚さに薄膜化する。
【００２９】この後の工程は第１の実施の形態と同様で
ある。すなわち、図６（ｅ）に示すように、正立型光学
顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレ
ータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た絶縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸
着させる。次に、図６（ｆ）に示すように、マニュピュ
レータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ
９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下
させる。次に、透過電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を
含むＴＥＭ観察面５を観察および、分析することによ
り、半導体装置を解析する。
ある。すなわち、図６（ｅ）に示すように、正立型光学
顕微鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレ
ータシステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴ
ＥＭ観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられ
た絶縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸
着させる。次に、図６（ｆ）に示すように、マニュピュ
レータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ
９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下
させる。次に、透過電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を
含むＴＥＭ観察面５を観察および、分析することによ
り、半導体装置を解析する。
【００３０】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００３１】この実施の形態では、集束イオンビーム３
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出す
ようにしたため、帯電したマイクロピペット先端８に特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面を静電吸着したまま採取で
きるため、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出す
ようにしたため、帯電したマイクロピペット先端８に特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面を静電吸着したまま採取で
きるため、半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。
【００３２】また、この実施の形態では、観察特定箇所
２の前後を集束イオンビーム３によりエッチングし、
０．５μｍの厚さに薄膜化した試料１について説明した
が、観察特定箇所２の左右を集束イオンビーム３により
エッチングした試料１についても同様の効果を得る。ま
た、半導体基板２８上に回路パターンが形成された半導
体ウェハについて説明したが、パターンがない半導体ウ
ェハやチップ上に切り出された半導体チップについても
同様の効果を得る。
２の前後を集束イオンビーム３によりエッチングし、
０．５μｍの厚さに薄膜化した試料１について説明した
が、観察特定箇所２の左右を集束イオンビーム３により
エッチングした試料１についても同様の効果を得る。ま
た、半導体基板２８上に回路パターンが形成された半導
体ウェハについて説明したが、パターンがない半導体ウ
ェハやチップ上に切り出された半導体チップについても
同様の効果を得る。
【００３３】この発明の第４の実施の形態を図７に基づ
いて説明する。図７はこの発明の第４の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
いて説明する。図７はこの発明の第４の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
【００３４】図７（ａ），（ｂ）の工程は第１の実施の
形態と同様である。すなわち、図７（ａ）に示すよう
に、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれ
るように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。
次に、図７（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３
次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシステ
ムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面
５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒
７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させる。
次に、図７（ｃ）に示すように、マニュピュレータシス
テムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュとしてマイ
クログリッド１９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５を落下させる。次に、透過電子顕微鏡を用い
て、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を観察および、分
析することにより、半導体装置を解析する。
形態と同様である。すなわち、図７（ａ）に示すよう
に、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれ
るように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。
次に、図７（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３
次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシステ
ムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面
５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒
７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させる。
次に、図７（ｃ）に示すように、マニュピュレータシス
テムを用いて透過電子顕微鏡用観察メッシュとしてマイ
クログリッド１９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５を落下させる。次に、透過電子顕微鏡を用い
て、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を観察および、分
析することにより、半導体装置を解析する。
【００３５】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００３６】この実施の形態では、集束イオンビーム３
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面を切り出すようにしたため、帯
電したマイクロピペット先端８に特定箇所２を含むＴＥ
Ｍ観察面を静電吸着できるため、半導体チップまたは半
導体ウェハから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができる。さらに、透過電子顕微鏡用観察メッシュと
して数μｍから数１０μｍの穴からなるマイクログリッ
ドを用いることにより、微小なＴＥＭ観察面でもメッシ
ュから落ちることがなく、微小な透過型電子顕微鏡の試
料を得ることができる。これに伴いＴＥＭ観察の歩留ま
りが向上する。
によりＴＥＭ観察箇所２が含まれるようにその観察面を
薄膜化し、さらに観察面を切り出すようにしたため、帯
電したマイクロピペット先端８に特定箇所２を含むＴＥ
Ｍ観察面を静電吸着できるため、半導体チップまたは半
導体ウェハから直接、透過型電子顕微鏡の試料を得るこ
とができる。さらに、透過電子顕微鏡用観察メッシュと
して数μｍから数１０μｍの穴からなるマイクログリッ
ドを用いることにより、微小なＴＥＭ観察面でもメッシ
ュから落ちることがなく、微小な透過型電子顕微鏡の試
料を得ることができる。これに伴いＴＥＭ観察の歩留ま
りが向上する。
【００３７】また、透過電子顕微鏡用観察メッシュとし
てマイクログリッドついて説明したが、カーボン支持膜
付きメッシュ、プラズマ重合支持膜付きメッシュについ
ても同様の効果を得る。また、半導体基板２８上に回路
パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
てマイクログリッドついて説明したが、カーボン支持膜
付きメッシュ、プラズマ重合支持膜付きメッシュについ
ても同様の効果を得る。また、半導体基板２８上に回路
パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
【００３８】この発明の第５の実施の形態を図８に基づ
いて説明する。図８はこの発明の第５の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
いて説明する。図８はこの発明の第５の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
【００３９】図８（ａ）の工程は第１〜３の実施の形態
と同様である。すなわち、図８（ａ）に示すように、試
料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれるよう
に、集束イオンビーム３を試料表面４から走査し、観察
箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さに
薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用いて、観察
特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。次に、図
８（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３次元マニ
ュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用い
て、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５をマニ
ュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒としてガ
ラス２０からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。マイクロピペット先端８は以下のように加工され
る。まず、外形１．５ｍｍのガラス管をマイクロピペッ
トプーラ装置を用いてガラス管の外形を５μｍになるよ
うに細くする。次に、マイクロフォージ装置を用いて、
ガラス管の先端を曲率半径５μｍ程度に太くする。この
ように、絶縁棒としてガラス２０を用いることにより、
絶縁体棒先端の形状、曲率半径を容易に制御することが
できるため、大きさの異なるＴＥＭ観察面を帯電したマ
イクロピペット先端に容易に静電吸着できる。次に、図
８（ｃ）に示すように、マニュピュレータシステムを用
いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定
箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下させる。次に、透過
電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５
を観察および、分析することにより、半導体装置を解析
する。
と同様である。すなわち、図８（ａ）に示すように、試
料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれるよう
に、集束イオンビーム３を試料表面４から走査し、観察
箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さに
薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用いて、観察
特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。次に、図
８（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３次元マニ
ュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用い
て、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５をマニ
ュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒としてガ
ラス２０からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。マイクロピペット先端８は以下のように加工され
る。まず、外形１．５ｍｍのガラス管をマイクロピペッ
トプーラ装置を用いてガラス管の外形を５μｍになるよ
うに細くする。次に、マイクロフォージ装置を用いて、
ガラス管の先端を曲率半径５μｍ程度に太くする。この
ように、絶縁棒としてガラス２０を用いることにより、
絶縁体棒先端の形状、曲率半径を容易に制御することが
できるため、大きさの異なるＴＥＭ観察面を帯電したマ
イクロピペット先端に容易に静電吸着できる。次に、図
８（ｃ）に示すように、マニュピュレータシステムを用
いて透過電子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定
箇所２を含むＴＥＭ観察面５を落下させる。次に、透過
電子顕微鏡を用いて、特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５
を観察および、分析することにより、半導体装置を解析
する。
【００４０】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００４１】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、絶縁体棒としてガ
ラス２０を用いることにより、絶縁体棒先端の形状、曲
率半径を容易に制御することができるため、大きさの異
なるＴＥＭ観察面を帯電したマイクロピペット先端８に
静電吸着でき、大きさの異なる透過型電子顕微鏡の試料
を得ることができる。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、絶縁体棒としてガ
ラス２０を用いることにより、絶縁体棒先端の形状、曲
率半径を容易に制御することができるため、大きさの異
なるＴＥＭ観察面を帯電したマイクロピペット先端８に
静電吸着でき、大きさの異なる透過型電子顕微鏡の試料
を得ることができる。
【００４２】また、絶縁体棒としてとしてガラスついて
説明したが、ＳｉＮについても同様の効果を得る。Ｓｉ
Ｎを用いる場合には、半導体プロセスまたは集束イオン
ビームを用いることにより、絶縁体棒先端の形状、曲率
半径を容易に制御することができる。また、半導体基板
上に回路パターンが形成された半導体ウェハについて説
明したが、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切
り出された半導体チップについても同様の効果を得る。
説明したが、ＳｉＮについても同様の効果を得る。Ｓｉ
Ｎを用いる場合には、半導体プロセスまたは集束イオン
ビームを用いることにより、絶縁体棒先端の形状、曲率
半径を容易に制御することができる。また、半導体基板
上に回路パターンが形成された半導体ウェハについて説
明したが、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切
り出された半導体チップについても同様の効果を得る。
【００４３】この発明の第６の実施の形態を図９に基づ
いて説明する。図９はこの発明の第６の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
いて説明する。図９はこの発明の第６の実施の形態の透
過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下した試料説明図を示す見取
り図である。
【００４４】図９（ａ）の工程は第１〜３の実施の形態
と同様である。すなわち、図９（ａ）に示すように、試
料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれるよう
に、集束イオンビーム３を試料表面４から走査し、観察
箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さに
薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用いて、観察
特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。次に、図
９（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３次元マニ
ュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用い
て、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５をマニ
ュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒としてガ
ラス２０からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。マイクロピペット先端８は以下のように加工され
る。まず、マイクロピペットプーラ装置を用いて、外形
１．５ｍｍのガラス管をガラス管の外形を５μｍになる
ように細くする。次に、マイクロフォージ装置を用い
て、ガラス管の先端２１を曲率半径５μｍ程度に太くす
る。このように、絶縁棒としてガラス２０を用いること
により、絶縁体棒先端の形状、曲率半径を容易に制御す
ることができるため、大きさの異なるＴＥＭ観察面を帯
電したマイクロピペット先端に静電吸着できる。さら
に、絶縁棒の曲率半径が５μｍ以上であることにより、
ＴＥＭ観察面とマイクロピペット先端８との接触面積が
増え、静電吸着しやすくなる。正立型光学式顕微鏡で特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面と絶縁体棒先端を容易に観
察することができ、マニュピュレータシステムでＴＥＭ
観察面を採取できる。次に、図９（ｃ）に示すように、
マニュピュレータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観
察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察
面５を落下させる。
と同様である。すなわち、図９（ａ）に示すように、試
料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含まれるよう
に、集束イオンビーム３を試料表面４から走査し、観察
箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚さに
薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用いて、観察
特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。次に、図
９（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と３次元マニ
ュピュレータからなるマニュピュレータシステムを用い
て、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５をマニ
ュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体棒としてガ
ラス２０からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。マイクロピペット先端８は以下のように加工され
る。まず、マイクロピペットプーラ装置を用いて、外形
１．５ｍｍのガラス管をガラス管の外形を５μｍになる
ように細くする。次に、マイクロフォージ装置を用い
て、ガラス管の先端２１を曲率半径５μｍ程度に太くす
る。このように、絶縁棒としてガラス２０を用いること
により、絶縁体棒先端の形状、曲率半径を容易に制御す
ることができるため、大きさの異なるＴＥＭ観察面を帯
電したマイクロピペット先端に静電吸着できる。さら
に、絶縁棒の曲率半径が５μｍ以上であることにより、
ＴＥＭ観察面とマイクロピペット先端８との接触面積が
増え、静電吸着しやすくなる。正立型光学式顕微鏡で特
定箇所２を含むＴＥＭ観察面と絶縁体棒先端を容易に観
察することができ、マニュピュレータシステムでＴＥＭ
観察面を採取できる。次に、図９（ｃ）に示すように、
マニュピュレータシステムを用いて透過電子顕微鏡用観
察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察
面５を落下させる。
【００４５】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００４６】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、絶縁棒の曲率半径
が５μｍ以上であることにより、ＴＥＭ観察面とマイク
ロピペット先端８との接触面積が増え、静電吸着しやす
くなり、透過型電子顕微鏡の試料を容易に得ることがで
きる。これに伴いマニュピュレータシステムでＴＥＭ観
察面を容易に採取できる。また、半導体基板２８上に回
路パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、絶縁棒の曲率半径
が５μｍ以上であることにより、ＴＥＭ観察面とマイク
ロピペット先端８との接触面積が増え、静電吸着しやす
くなり、透過型電子顕微鏡の試料を容易に得ることがで
きる。これに伴いマニュピュレータシステムでＴＥＭ観
察面を容易に採取できる。また、半導体基板２８上に回
路パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
【００４７】この発明の第７の実施の形態を図１０に基
づいて説明する。図１０はこの発明の第７の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
づいて説明する。図１０はこの発明の第７の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
【００４８】図１０（ａ），（ｂ）の工程は第１〜３の
実施の形態と同様である。すなわち、図１０（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図７（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡
と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシ
ステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観
察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁
体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１０（ｃ）に示すように、まず、接地した
導電性膜２２、たとえばＡｌ箔上に透過電子顕微鏡用観
察メッシュ９を置き、帯電した絶縁棒７と透過電子顕微
鏡用観察メッシュ９を接触させることにより、透過電子
顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含む
ＴＥＭ観察面５を落下させる。静電吸着したＴＥＭ観察
面の静電気が接地した導電性膜２２を通じて逃げるた
め、静電吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察
メッシュに前記薄膜化した特定箇所２を落下させること
ができる。
実施の形態と同様である。すなわち、図１０（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図７（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡
と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシ
ステムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観
察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁
体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１０（ｃ）に示すように、まず、接地した
導電性膜２２、たとえばＡｌ箔上に透過電子顕微鏡用観
察メッシュ９を置き、帯電した絶縁棒７と透過電子顕微
鏡用観察メッシュ９を接触させることにより、透過電子
顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含む
ＴＥＭ観察面５を落下させる。静電吸着したＴＥＭ観察
面の静電気が接地した導電性膜２２を通じて逃げるた
め、静電吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察
メッシュに前記薄膜化した特定箇所２を落下させること
ができる。
【００４９】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００５０】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、導電性膜２２によ
り静電吸着したＴＥＭ観察面の静電気を低減することが
できるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察メッシュに
薄膜化した特定箇所２を落下させることができ、透過型
電子顕微鏡の試料を容易に得ることができる。また、半
導体基板上に回路パターンが形成された半導体ウェハに
ついて説明したが、パターンがない半導体ウェハやチッ
プ上に切り出された半導体チップについても同様の効果
を得る。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、導電性膜２２によ
り静電吸着したＴＥＭ観察面の静電気を低減することが
できるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察メッシュに
薄膜化した特定箇所２を落下させることができ、透過型
電子顕微鏡の試料を容易に得ることができる。また、半
導体基板上に回路パターンが形成された半導体ウェハに
ついて説明したが、パターンがない半導体ウェハやチッ
プ上に切り出された半導体チップについても同様の効果
を得る。
【００５１】この発明の第８の実施の形態を図１１に基
づいて説明する。図１１はこの発明の第８の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
づいて説明する。図１１はこの発明の第８の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
【００５２】図１１（ａ），（ｂ）の工程は第１〜３の
実施の形態と同様である。すなわち、図１１（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図１１（ｂ）に示すように、正立型光学顕微
鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータ
システムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶
縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。次に、図１１（ｃ）に示すように、まず、接地し
た金属棒２３、たとえば先端を電解研磨したＷ棒と帯電
した絶縁棒７を接触させることにより、透過電子顕微鏡
用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５を落下させる。ここで、マニュピュレータは二
つ使用し、金属棒２３はもう一つのマニュピュレータ先
端に取り付けられている。静電吸着したＴＥＭ観察面の
静電気が接地した金属棒２３を通じて逃げるため、静電
吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察メッシュ
に前記薄膜化した特定箇所を落下させることができる。
実施の形態と同様である。すなわち、図１１（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図１１（ｂ）に示すように、正立型光学顕微
鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータ
システムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶
縁体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着さ
せる。次に、図１１（ｃ）に示すように、まず、接地し
た金属棒２３、たとえば先端を電解研磨したＷ棒と帯電
した絶縁棒７を接触させることにより、透過電子顕微鏡
用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ
観察面５を落下させる。ここで、マニュピュレータは二
つ使用し、金属棒２３はもう一つのマニュピュレータ先
端に取り付けられている。静電吸着したＴＥＭ観察面の
静電気が接地した金属棒２３を通じて逃げるため、静電
吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察メッシュ
に前記薄膜化した特定箇所を落下させることができる。
【００５３】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００５４】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、金属棒２３により
静電吸着したＴＥＭ観察面の静電気を低減することがで
きるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察メッシュに薄
膜化した特定箇所を落下させることができ、透過型電子
顕微鏡用試料１を容易に得ることができる。また、半導
体基板２８上に回路パターンが形成された半導体ウェハ
について説明したが、パターンがない半導体ウェハやチ
ップ上に切り出された半導体チップについても同様の効
果を得る。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、金属棒２３により
静電吸着したＴＥＭ観察面の静電気を低減することがで
きるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察メッシュに薄
膜化した特定箇所を落下させることができ、透過型電子
顕微鏡用試料１を容易に得ることができる。また、半導
体基板２８上に回路パターンが形成された半導体ウェハ
について説明したが、パターンがない半導体ウェハやチ
ップ上に切り出された半導体チップについても同様の効
果を得る。
【００５５】この発明の第９の実施の形態を図１２に基
づいて説明する。図１２はこの発明の第９の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
づいて説明する。図１２はこの発明の第９の実施の形態
の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、同図
（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
【００５６】図１２（ａ），（ｂ）の工程は第１〜３の
実施の形態と同様である。すなわち、図１２（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図１２（ｂ）に示すように、正立型光学顕微
鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータ
システムを用いて、薄膜化した特定箇所を含むＴＥＭ観
察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁
体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１２（ｃ）に示すように、まず、帯電した
絶縁棒７に水蒸気２４を噴霧させることにより、透過電
子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含
むＴＥＭ観察面５を落下させる。ここで、静電吸着した
ＴＥＭ観察面の静電気が水蒸気２４を通じて逃げるた
め、静電吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察
メッシュに前記薄膜化した特定箇所を落下させることが
できる。
実施の形態と同様である。すなわち、図１２（ａ）に示
すように、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が
含まれるように、集束イオンビーム３を試料表面４から
走査し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な
程度の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を
用いて、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出
す。次に、図１２（ｂ）に示すように、正立型光学顕微
鏡と３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータ
システムを用いて、薄膜化した特定箇所を含むＴＥＭ観
察面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁
体棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１２（ｃ）に示すように、まず、帯電した
絶縁棒７に水蒸気２４を噴霧させることにより、透過電
子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２を含
むＴＥＭ観察面５を落下させる。ここで、静電吸着した
ＴＥＭ観察面の静電気が水蒸気２４を通じて逃げるた
め、静電吸着力が低減し、容易に透過電子顕微鏡用観察
メッシュに前記薄膜化した特定箇所を落下させることが
できる。
【００５７】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００５８】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、静電吸着したＴＥ
Ｍ観察面の静電気を低減することができるため、容易に
透過型電子顕微鏡用観察メッシュに薄膜化した特定箇所
を落下させることができ、透過型電子顕微鏡用試料を容
易に得ることができる。また、半導体基板２８上に回路
パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、静電吸着したＴＥ
Ｍ観察面の静電気を低減することができるため、容易に
透過型電子顕微鏡用観察メッシュに薄膜化した特定箇所
を落下させることができ、透過型電子顕微鏡用試料を容
易に得ることができる。また、半導体基板２８上に回路
パターンが形成された半導体ウェハについて説明した
が、パターンがない半導体ウェハやチップ上に切り出さ
れた半導体チップについても同様の効果を得る。
【００５９】この発明の第１０の実施の形態を図１３に
基づいて説明する。図１３はこの発明の第１０の実施の
形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、
同図（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
基づいて説明する。図１３はこの発明の第１０の実施の
形態の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法の説明図で、
同図（ａ）はＦＩＢ加工後の試料を示す見取り図、同図
（ｂ）は帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含
むＴＥＭ観察面が静電吸着した見取り図、同図（ｃ）は
ＴＥＭ観察用メッシュに落下のための試料説明図を示す
見取り図である。
【００６０】図１３（ａ），（ｂ）の工程は第１の実施
の形態と同様である。すなわち、図１３（ａ）に示すよ
うに、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含ま
れるように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。
次に、図１３（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と
３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシス
テムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察
面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体
棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１３（ｃ）に示すように、まず、帯電した
絶縁棒７にアルコール２５を滴下させることにより、透
過電子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２
を含むＴＥＭ観察面５を落下させる。ここで、アルコー
ル２５の比重により静電吸着したＴＥＭ観察面が絶縁棒
７から脱離することにより、容易に透過電子顕微鏡用観
察メッシュに前記薄膜化した特定箇所２を落下させるこ
とができる。
の形態と同様である。すなわち、図１３（ａ）に示すよ
うに、試料１をＦＩＢ装置で試料１の観察箇所２が含ま
れるように、集束イオンビーム３を試料表面４から走査
し、観察箇所２を透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度
の厚さに薄膜化する。次に、集束イオンビーム３を用い
て、観察特定箇所２を含むＴＥＭ観察面５を切り出す。
次に、図１３（ｂ）に示すように、正立型光学顕微鏡と
３次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシス
テムを用いて、薄膜化した特定箇所２を含むＴＥＭ観察
面５をマニュピュレータ先端６に取り付けられた絶縁体
棒７からなるマイクロピペット先端８に静電吸着させ
る。次に、図１３（ｃ）に示すように、まず、帯電した
絶縁棒７にアルコール２５を滴下させることにより、透
過電子顕微鏡用観察メッシュ９に薄膜化した特定箇所２
を含むＴＥＭ観察面５を落下させる。ここで、アルコー
ル２５の比重により静電吸着したＴＥＭ観察面が絶縁棒
７から脱離することにより、容易に透過電子顕微鏡用観
察メッシュに前記薄膜化した特定箇所２を落下させるこ
とができる。
【００６１】次に、観察箇所２をサンプリングした半導
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
体ウェハ２８において、有機系ガス２６を流しながら集
束イオンビーム３を用いて、加工穴２７を走査する（図
２（ｃ））。集束イオンビームアシストＣＶＤ法により
有機系ガス２６が反応し、加工穴２７にＣＶＤ膜、例え
ばＴＥＯＳガスを用いた場合は酸化膜が埋め込まれる。
次に半導体ウェハ２８を製造プロセス次工程に流す。こ
のように、その加工穴を集束イオンビームアシストＣＶ
Ｄ法による成膜により、埋め込み、前記半導体ウェハ２
８を製造プロセス次工程に流すことができ、各工程の工
程管理をウェハを破壊せず行うことができる。
【００６２】この実施の形態では、第１〜３の実施の形
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、アルコール２５の
比重により静電吸着したＴＥＭ観察面の吸着力を低減さ
せることができるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察
メッシュに薄膜化した特定箇所２を落下させることがで
き、透過型電子顕微鏡用試料１を容易に得ることができ
る。また、半導体基板２８上に回路パターンが形成され
た半導体ウェハについて説明したが、パターンがない半
導体ウェハやチップ上に切り出された半導体チップにつ
いても同様の効果を得る。
態と同様に半導体ウェハまたは半導体チップから直接、
透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体プロ
セス工程管理を可能にする。さらに、アルコール２５の
比重により静電吸着したＴＥＭ観察面の吸着力を低減さ
せることができるため、容易に透過型電子顕微鏡用観察
メッシュに薄膜化した特定箇所２を落下させることがで
き、透過型電子顕微鏡用試料１を容易に得ることができ
る。また、半導体基板２８上に回路パターンが形成され
た半導体ウェハについて説明したが、パターンがない半
導体ウェハやチップ上に切り出された半導体チップにつ
いても同様の効果を得る。
【００６３】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の透過型電子顕
微鏡用試料の作製方法によれば、半導体基板上の特定箇
所を集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察
が可能な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所を含む観察領
域を試料として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３
次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシステ
ムを用いて試料を作製する工程とを含むので、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の
試料を得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能
にする。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇
所が含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察
面を切り出せるように加工したため実現できる。このた
め、従来のようにウェハをへきかいする必要がなく、半
導体デバイス自身の破損や表面汚染が生じることがな
く、またダイシング加工による衝撃が生じることがない
ので信頼性が向上する。また、マニュピュレータ先端に
取付けられた絶縁体棒からなるマイクロピペット先端に
試料を静電吸着し、この試料を透過型電子顕微鏡用観察
メッシュに落下させるので、試料の薄膜化した特定箇所
を含む観察面を透過型電子顕微鏡により解析することが
できる。
微鏡用試料の作製方法によれば、半導体基板上の特定箇
所を集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察
が可能な程度の厚さに薄膜化し、特定箇所を含む観察領
域を試料として切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３
次元マニュピュレータからなるマニュピュレータシステ
ムを用いて試料を作製する工程とを含むので、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の
試料を得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能
にする。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇
所が含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察
面を切り出せるように加工したため実現できる。このた
め、従来のようにウェハをへきかいする必要がなく、半
導体デバイス自身の破損や表面汚染が生じることがな
く、またダイシング加工による衝撃が生じることがない
ので信頼性が向上する。また、マニュピュレータ先端に
取付けられた絶縁体棒からなるマイクロピペット先端に
試料を静電吸着し、この試料を透過型電子顕微鏡用観察
メッシュに落下させるので、試料の薄膜化した特定箇所
を含む観察面を透過型電子顕微鏡により解析することが
できる。
【００６４】請求項２では、特定箇所を含む試料の半導
体基板とつながっている底部を、この底部の中央部分が
０．１μｍ程度の幅で残るように集束イオンビームによ
りエッチングした後、特定箇所を集束イオンビームによ
り試料表面から走査することにより、さらに０．１μｍ
の厚さまで薄膜化するので、帯電したマイクロピペット
先端に特定箇所を含むＴＥＭ観察面を静電吸着できる。
このことから、半導体ウェハまたは半導体チップから直
接、透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体
プロセス工程管理を可能にする。これは、集束イオンビ
ームによりＴＥＭ観察箇所が含まれるようにその観察面
を薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出
すようにしたため実現でき、様々の故障原因を迅速に解
明できる効果がある。
体基板とつながっている底部を、この底部の中央部分が
０．１μｍ程度の幅で残るように集束イオンビームによ
りエッチングした後、特定箇所を集束イオンビームによ
り試料表面から走査することにより、さらに０．１μｍ
の厚さまで薄膜化するので、帯電したマイクロピペット
先端に特定箇所を含むＴＥＭ観察面を静電吸着できる。
このことから、半導体ウェハまたは半導体チップから直
接、透過型電子顕微鏡の試料を得ることができ、半導体
プロセス工程管理を可能にする。これは、集束イオンビ
ームによりＴＥＭ観察箇所が含まれるようにその観察面
を薄膜化し、さらに観察面の一部を残した状態で切り出
すようにしたため実現でき、様々の故障原因を迅速に解
明できる効果がある。
【００６５】請求項３では、特定箇所を含む試料の半導
体基板とつながっている底部を全て集束イオンビームに
よりエッチングし、かつ試料の他方の端部の中央部分を
０．１μｍ程度の幅で残すようにエッチングした後、特
定箇所を集束イオンビームにより試料表面から走査する
ことにより、さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するの
で、帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面を静電吸着できる。このことから、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の
試料を得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能
にする。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇
所が含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察
面の一部を残した状態で切り出すようにしたため実現で
き、様々の故障原因を迅速に解明できる効果がある。
体基板とつながっている底部を全て集束イオンビームに
よりエッチングし、かつ試料の他方の端部の中央部分を
０．１μｍ程度の幅で残すようにエッチングした後、特
定箇所を集束イオンビームにより試料表面から走査する
ことにより、さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化するの
で、帯電したマイクロピペット先端に特定箇所を含むＴ
ＥＭ観察面を静電吸着できる。このことから、半導体ウ
ェハまたは半導体チップから直接、透過型電子顕微鏡の
試料を得ることができ、半導体プロセス工程管理を可能
にする。これは、集束イオンビームによりＴＥＭ観察箇
所が含まれるようにその観察面を薄膜化し、さらに観察
面の一部を残した状態で切り出すようにしたため実現で
き、様々の故障原因を迅速に解明できる効果がある。
【図１】この発明の第１の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態における半導体装
置の処理を示す工程説明図である。
置の処理を示す工程説明図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の図３の後工程の説明図である。
鏡用試料の作製方法の図３の後工程の説明図である。
【図５】この発明の第３の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図６】この発明の第３の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の図３の後工程の説明図である。
鏡用試料の作製方法の図３の後工程の説明図である。
【図７】この発明の第４の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図８】この発明の第５の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図９】この発明の第６の実施の形態の透過型電子顕微
鏡用試料の作製方法の説明図である。
鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図１０】この発明の第７の実施の形態の透過型電子顕
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図１１】この発明の第８の実施の形態の透過型電子顕
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図１２】この発明の第９の実施の形態の透過型電子顕
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
微鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図１３】この発明の第１０の実施の形態の透過型電子
顕微鏡用試料の作製方法の説明図である。
顕微鏡用試料の作製方法の説明図である。
【図１４】従来例の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法
の説明図である。
の説明図である。
１ 試料 ２ 観察特定箇所 ３ 集束イオンビーム ４ 試料表面 ５ ＴＥＭ観察面 ６ マニュピュレータ先端 ７ 絶縁体棒 ８ マイクロピペット先端 ９ 透過電子顕微鏡用観察メッシュ １０ 観察特定箇所の前方領域 １１ 観察特定箇所の後方領域 １２ 薄片化した両端 １３ ＴＥＭ観察面の下部中央 １４ 観察特定箇所の前方領域 １５ 観察特定箇所の後方領域 １６ 薄片化した片端 １７ ＴＥＭ観察面の下部 １８ ＴＥＭ観察面の片端中央 １９ マイクログリッド ２０ ガラス ２１ ガラス管の先端 ２２ 導電性膜 ２３ 金属棒 ２４ 水蒸気 ２５ アルコール ２６ 有機系ガス ２７ 加工穴 ２８ 半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｇ０１Ｎ 1/28 Ｆ Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上の特定箇所を集束イオンビ
ームを用いて透過型電子顕微鏡で観察が可能な程度の厚
さに薄膜化し、前記特定箇所を含む観察領域を試料とし
て切り出す工程と、正立型光学顕微鏡と３次元マニュピ
ュレータからなるマニュピュレータシステムを用いて試
料を作製する工程とを含み、前記マニュピュレータシス
テムを用いて試料を作製する際に、マニュピュレータ先
端に取付けられた絶縁体棒からなるマイクロピペット先
端に前記試料を静電吸着し、この試料を透過型電子顕微
鏡用観察メッシュに落下させることを特徴とする透過型
電子顕微鏡用試料の作製方法。 - 【請求項２】 半導体基板上の特定箇所を含む観察領域
を試料として切り出す工程は、前記特定箇所を含み相対
する２辺を集束イオンビームによりエッチングして０．
５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した前記試料の前
記半導体基板とつながっている前記相対する２辺と直交
する両端を集束イオンビームによりエッチングし、前記
試料を３０〜６０度の範囲の角度に傾斜して前記特定箇
所を含む前記試料の前記半導体基板とつながっている底
部を、この底部の中央部分が０．１μｍ程度の幅で残る
ように集束イオンビームによりエッチングした後、前記
特定箇所を集束イオンビームにより試料表面から走査す
ることにより、さらに０．１μｍの厚さまで薄膜化する
請求項１記載の透過型電子顕微鏡用試料の作製方法。 - 【請求項３】 半導体基板上の特定箇所を含む観察領域
を試料として切り出す工程は、前記特定箇所を含み相対
する２辺を集束イオンビームによりエッチングして０．
５μｍ程度の厚さに薄膜化し、薄膜化した前記試料の前
記半導体基板とつながっている、前記相対する２辺と直
交する両端のうちの一方の端部を集束イオンビームによ
りエッチングし、前記試料を３０〜６０度の範囲の角度
に傾斜して前記特定箇所を含む前記試料の前記半導体基
板とつながっている底部を全て集束イオンビームにより
エッチングし、かつ前記試料の他方の端部の高さ方向の
中央部分を０．１μｍ程度の幅で残すようにエッチング
した後、前記特定箇所を集束イオンビームにより試料表
面から走査することにより、さらに０．１μｍの厚さま
で薄膜化する請求項１記載の透過片電子顕微鏡用試料の
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088289A JP2001272316A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088289A JP2001272316A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001272316A true JP2001272316A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18604184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088289A Pending JP2001272316A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001272316A (ja) |
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-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088289A patent/JP2001272316A/ja active Pending
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