JP2001267618A - 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好なスクライブを簡便に実施することがで
きるハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装置の製造方
法を提供する。 【解決手段】 ハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装
置１０１の製造方法では、裏面電極１１５を分離するた
めの分離溝１１８の形成において、波長が６７０ｎｍ以
上９００ｎｍ以下のスクライブ用レーザビームを照射す
ることによって、結晶質シリコン系光電変換ユニット層
１１４の所定領域と同時に裏面電極１１５の所定領域を
吹き飛ばすことによって裏面電極１１５を分離する分離
溝１１８を形成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、集積型薄膜光電
変換装置の製造方法に関し、特に、非晶質シリコン系光
電変換ユニット層と、結晶質シリコン系光電変換ユニッ
ト層とにより構成される、いわゆるハイブリッド型の集
積型薄膜光電変換装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積型薄膜光電変換装置を構成す
る薄膜光電材料として、比較的安価なコストで製造でき
る非晶質（アモルファス）シリコンからなる薄膜光電材
料と、多結晶シリコンからなる薄膜光電材料が知られて
いる。非晶質シリコンからなる薄膜光電材料は、波長が
３５０〜８００ｎｍの比較的短波長の光を吸収する。多
結晶シリコンからなる薄膜光電材料は、波長が７００〜
１１００ｎｍの比較的長波長の光を吸収する。非晶質シ
リコンからなる薄膜光電材料と多結晶シリコンからなる
薄膜光電材料とを積層して、長波長の光と短波長の光を
両方吸収することにより、高い変換効率を実現できる、
いわゆるハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装置が開
発されている。

【０００３】従来のハイブリッド型の集積型薄膜光電変
換装置の製造方法について、以下説明する。図３および
図４は、従来のハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装
置の製造方法を説明するための断面図である。図３を参
照して、集積型薄膜光電変換装置を製造する場合には、
まず、ガラス基板１１１上に透明導電層１１２を熱ＣＶ
Ｄ法やスパッタリング法などにより形成する。透明導電
層の材料としては、酸化錫、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）、酸化亜鉛などのＴＣＯ（透明導電性酸化物）が利
用され得る。透明導電層１１２にレーザを照射すること
により、分離溝１１２ａを形成する。

【０００４】透明導電層１１２上に、プラズマＣＶＤ法
により、ｐ型の不純物がドープされたｐ型シリコン層１
１３ｐ、不純物がドープされていない真性半導体からな
る光電変換層としてのｉ型非晶質シリコン層１１３ｉ、
およびｎ型の不純物がドープされたｎ型シリコン層１１
３ｎを順次形成し、これらが非晶質シリコン系光電変換
ユニット層１１３を構成する。

【０００５】ｎ型シリコン層１１３ｎ上に、プラズマＣ
ＶＤ法により、ｐ型の不純物がドープされたｐ型シリコ
ン層１１４ｐ、不純物がドープされていない真性半導体
からなる光電変換層としてのｉ型多結晶シリコン層１１
４ｉ、ｎ型の不純物がドープされたｎ型シリコン層１１
４ｎを順次形成し、これらが結晶質シリコン系光電変換
ユニット層１１４を構成する。

【０００６】なお、光電変換ユニット層において、その
厚さの大部分をｉ型層が占めている。よって、一般に、
ｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結晶質かにかかわらず
ｉ型層が非晶質のものは非晶質ユニット層と称され、ｉ
型層が結晶質のものは結晶質ユニット層と称される。そ
して、一般に、結晶質ユニット層は、吸収係数が大きく
違うため、非晶質ユニット層に比べて数倍から１０倍程
度の厚さにすることが必要とされる。なお、ｎ型シリコ
ン層１１４ｎの表面を大気中で保護するために、ｎ型シ
リコン層１１４ｎに連続して大気に取り出すことなく酸
化亜鉛からなる酸化物層１１６が形成される。

【０００７】その後、大気から取り出しガラス基板１１
１および透明導電層１１２を介して矢印１３１で示すよ
うに非晶質シリコン系光電変換ユニット層１１３と結晶
質シリコン系光電変換ユニット層１１４とにＹＡＧ（イ
ットリウム−アルミニウム−ガーネット）の第２高調波
のレーザ（波長５３２ｎｍ）を照射する。このとき、結
晶質シリコン系光電変換ユニット層１１４は波長５３２
ｎｍのレーザ光をあまり吸収することができず、レーザ
光は専ら非晶質シリコン系光電変換ユニット層１１３に
吸収されて発熱する。そして、非晶質シリコン系光電変
換ユニット層１１３が高温となって吹き飛ぶのに伴っ
て、その上の結晶質シリコン系光電変換ユニット層１１
４と酸化物層１１６も同時に吹き飛び、接続溝１１７が
形成される（工程Ａ）。

【０００８】図４を参照して、接続溝１１７を充填し、
かつ酸化物層１１６の表面を覆うように裏面電極１１５
をスパッタリングや蒸着などにより形成する。裏面電極
１１５の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ｃｒなどの種々の金属を利用することがで
き、ＴＣＯ層と金属層の積層として構成される場合もあ
る。次に、矢印１２１で示すように、ガラス基板１１１
および透明導電層１１２を介して非晶質シリコン系光電
変換ユニット層１１３および結晶質シリコン系光電変換
ユニット層１１４にＹＡＧの第２高調波レーザを照射す
る。この際にも、専ら非晶質シリコン系光電変換ユニッ
ト層１１３がレーザ光を吸収して高温となって吹き飛ぶ
のに伴い、その上の結晶質シリコン系光電変換ユニット
層１１４、酸化物層１１６、および裏面電極１１５も同
時に吹き飛び、分離溝１１８が形成される。これによ
り、集積型薄膜光電変換装置１０１が得られる。なお、
一般には、分離溝１１８を埋めかつ裏面電極１１５を保
護するために、保護樹脂層がさらに付与される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のような製造工程
で生じる問題点について以下に説明する。図５は、非晶
質シリコンと多結晶シリコンについて、光の波長と規格
化された吸収効率との関係を示すグラフである。吸収効
率とは、入射した光のうち、どれだけの光を吸収するか
を示す割合である。図５中点線は非晶質シリコンの吸収
効率を示し、実線は多結晶シリコンの吸収効率を示す。
図５より、非晶質シリコンでは、光の波長が５００ｎｍ
付近で吸収効率が最大となり、その波長から外れるに従
って吸収効率は低下する。これに対して、多結晶シリコ
ンでは、光の波長が７００ｎｍ付近で吸収効率が最大と
なり、この波長から外れるに従って吸収効率が低下す
る。

【００１０】図３および図４で示す工程Ａおよび工程Ｂ
では、レーザとして、波長が５３２ｎｍのＹＡＧの第２
高調波レーザを用いている。この波長は非晶質シリコン
の吸収効率が最も高い波長であるが、多結晶シリコンに
対しては吸収効率が低い波長である。そのため、図３お
よび図４で示す工程Ａおよび工程ＢでＹＡＧの第２高調
波レーザを照射した場合、レーザ光のエネルギは専ら非
晶質ユニット層１１３のみによって吸収されて発熱す
る。したがって、薄い非晶質ユニット層１１３のみの発
熱によってその上のはるかに厚い結晶質ユニット層１１
４などをも同時に吹き飛ばすことは容易ではない。特
に、非晶質ユニット層１１３から金属層を含む裏面電極
１１５までを同時に吹き飛ばして分離溝１１８を形成す
ることは容易ではない。

【００１１】すなわち、用いられるレーザのパワーが不
十分であれば、分離溝１１８の形成が不完全となって、
隣接するセル間で短絡を生じやすくなる。他方、不完全
な分離溝１１８の形成になることを避けるためにレーザ
パワーを上げ過ぎれば、透明導電層１１２がダメージを
受け、集積型薄膜光電変換装置の直列抵抗の増大などを
生じ、その光電変換特性の低下を生じやすくなる。

【００１２】したがって、従来のレーザスクライブ法で
は、正常な接続用溝１１７や分離溝１１８を形成するた
めの適正なレーザ照射条件が極めて狭い範囲に限定され
て高度に制御されなければならず、良好なスクライブを
簡便に実施することが困難であるという問題がある。

【００１３】そこで、この発明は、上述のような問題点
を解決するためになされたものであり、良好なスクライ
ブを簡便に実施することができる集積型薄膜光電変換装
置の製造方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明の１つの局面に
従った集積型薄膜光電変換装置の製造方法は、透明絶縁
基板上に順に積層された透明電極層、非晶質シリコン系
光電変換ユニット層、結晶質シリコン系光電変換ユニッ
ト層、および裏面電極層が複数の短冊状の光電変換セル
を形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の
分離溝によって分離されていて、かつそれら複数のセル
は分離溝に平行な複数の接続用溝を介して互いに電気的
に直列接続された集積型薄膜光電変換装置の製造方法で
ある。裏面電極層を複数の短冊状の裏面電極に分離する
ための裏面電極分離溝の形成において、波長が６７０ｎ
ｍ以上９００ｎｍ以下のスクライブ用レーザビームを照
射することによって結晶質シリコン系光電変換ユニット
層の所定領域と同時に裏面電極層の所定領域を吹き飛ば
すことによって裏面電極分離溝を形成することを特徴と
するものである。

【００１５】また好ましくは、波長が６７０ｎｍ以上９
００ｎｍ以下のスクライブ用レーザビームを照射すると
ともに、波長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のスクラ
イブ用レーザビームをも照射することによって裏面電極
分離溝を形成することを特徴とする。

【００１６】この発明の別の局面に従った集積型薄膜光
電変換装置の製造方法は、透明絶縁基板上に順に積層さ
れた透明電極層、非晶質シリコン系光電変換ユニット
層、結晶質シリコン系光電変換ユニット層、および裏面
電極層が複数の短冊状の光電変換セルを形成するように
実質的に直線状で互いに平行な複数の分離溝によって分
離されていて、かつそれら複数のセルは分離溝に平行な
複数の接続用溝を介して互いに電気的に直列接続された
集積型薄膜光電変換装置の製造方法である。接続用溝の
形成において、波長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の
スクライブ用レーザビームと波長が６７０ｎｍ以上９０
０ｎｍ以下のスクライブ用レーザビームを照射して非晶
質シリコン系光電変換ユニット層の所定領域および結晶
質シリコン系光電変換ユニット層の所定領域を吹き飛ば
すことによって接続用溝を形成することを特徴とする。

【００１７】また好ましくは、裏面電極層を複数の短冊
状の裏面電極に分離するための裏面電極分離溝の形成に
おいて、波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のスクラ
イブ用レーザビームを照射して結晶質シリコン系光電変
換ユニット層の所定領域と同時に裏面電極層の所定領域
を吹き飛ばすことによって裏面電極分離溝を形成するこ
とを特徴とする。

【００１８】このような方法に従えば、従来の方法に比
べて、プロセスウインドウが広く、工程が安定するとい
う効果がある。また、必要最小限のレーザパワーで加工
できるため、モジュールへのダメージが小さくなり、出
力が向上するという効果がある。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態の一
例について図面を参照して説明する。

【００２０】図１および図２は、この発明の実施の形態
に従った集積型薄膜光電変換装置の製造方法を説明する
ために示す断面図である。図１を参照して、透明絶縁基
板としてのガラス基板１１１上に酸化錫からなる厚さ約
７００ｎｍの透明導電層１１２を熱ＣＶＤ法により形成
する。透明導電層１１２の一部分にレーザを照射するこ
とにより分離溝１１２ａを形成する。

【００２１】透明導電層１１２上に、プラズマＣＶＤ法
によって、ｐ型の不純物がドープされたｐ型シリコン層
１１３ｐと、不純物がドープされていない真性半導体か
らなる光電変換層としてのｉ型非晶質シリコン層１１３
ｉと、ｎ型の不純物がドープされたｎ型シリコン層１１
３ｎとを順次形成して、厚さ約０．３μｍの非晶質シリ
コン系光電変換ユニット層１１３を構成する。

【００２２】非晶質シリコン系光電変換ユニット層１１
３上に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型シリコン層１１
４ｎと、不純物がドープされていない真性半導体からな
る光電変換層としてのｉ型多結晶シリコン層１１４ｉ
と、ｐ型の不純物がドープされたｐ型シリコン層１１４
ｐとを順次形成して、厚さ約２．０μｍの結晶質シリコ
ン系光電変換ユニット層１１４を構成する。結晶質シリ
コン系光電変換ユニット層１１４上にスパッタリングに
より酸化亜鉛からなる厚さ約５０ｎｍの酸化物層１１６
を形成する。

【００２３】その後、大気から取り出して非晶質シリコ
ン系光電変換ユニット層１１３および結晶質シリコン系
光電変換ユニット層１１４の一部分に、矢印３１で示す
ようにレーザを照射する。このスクライブ用のレーザビ
ーム照射工程においては、波長が３５０ｎｍ以上６５０
ｎｍ以下のレーザと波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以
下のレーザの両方を照射することが好ましい。

【００２４】波長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のレ
ーザとして、ＹＡＧの第２高調波レーザを用いることが
できる。レーザの波長を３５０ｎｍ以上としたのは、レ
ーザの波長が３５０ｎｍ未満では、非晶質シリコンがレ
ーザを吸収せず非晶質シリコンを十分に加熱することが
できないからである。また、レーザの波長を６５０ｎｍ
以下としたのは、レーザの波長が６５０ｎｍを超える
と、非晶質シリコンでのレーザの吸収が少なくなり、非
晶質シリコンを十分に加熱することができないからであ
る。

【００２５】波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のレ
ーザとして、ルビーレーザ（波長６９４ｎｍ）、アレキ
サンドライトレーザ（波長７００〜８３０ｎｍ）および
半導体レーザとしてのＧａＡｌＡｓレーザを用いること
ができる。レーザの波長を６７０ｎｍ以上としたのは、
レーザの波長が６７０ｎｍより短いと、多結晶シリコン
でのレーザの吸収が急激に減少し多結晶シリコンを加熱
できなくなるからである。また、レーザの波長を９００
ｎｍ以下としたのは、レーザの波長が９００ｎｍを超え
ると多結晶シリコンでのレーザの吸収が少なくなり、多
結晶シリコンを十分に加熱できないからである。

【００２６】上述のように２種類の波長範囲のレーザが
照射された非晶質シリコン系光電変換ユニット層１１３
と結晶質シリコン系光電変換ユニット層１１４は、その
両方の部分が高温となって吹き飛ぶ。このとき同時に、
結晶質シリコン系光電変換ユニット層１１４上の酸化物
層１１６も吹き飛ぶ。これにより、非晶質シリコン系光
電変換ユニット層１１３、結晶質シリコン系光電変換ユ
ニット層１１４、および酸化物層１１６を貫通して透明
導電層１１２に達する接続溝１１７が形成される（工程
Ａ）。

【００２７】図２を参照して、接続溝１１７を充填しか
つ酸化物層１１６を覆うように、厚さ約３０ｎｍの酸化
亜鉛と厚さ約３００ｎｍの銀との積層からなる裏面電極
１１５を形成する。この裏面電極１１５をセルごとに分
離する溝１１８を形成するために、矢印２１で示すよう
に、非晶質シリコン系光電変換ユニット層１１３および
結晶質シリコン系光電変換ユニット層１１４にレーザを
照射する。このスクライブ用レーザビーム照射工程で
は、波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のレーザを照
射することができる。その例として、上述のルビーレー
ザ、アレキサンドライトレーザ、ＧａＡｌＡｓレーザを
用いることができる。さらに、分離溝１１８の底部を透
明導電層１１２まで掘り下げることが望まれる場合に
は、波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のレーザとと
もに、波長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の短波長の
レーザを照射してもよい。このレーザとして、上述のＹ
ＡＧの第２高調波レーザを用いることができる。

【００２８】レーザが照射された非晶質シリコン系光電
変換ユニット層１１３および結晶質シリコン系光電変換
ユニット層１１４の部分が高温となって吹き飛ぶと同時
にその上に位置する酸化物層１１６および裏面電極１１
５の一部分も吹き飛ぶ。これにより、非晶質シリコン系
光電変換ユニット層１１３、結晶質シリコン系光電変換
ユニット層１１４、酸化物層１１６および裏面電極１１
５を貫通し、透明導電層１１２に達する分離溝１１８が
形成される。なお、分離溝１１８を形成する際には、最
小限裏面電極１１５が分離されればよい。

【００２９】以上の工程により、ガラス基板１１１上に
順に積層された透明導電層１１２、非晶質シリコン系光
電変換ユニット１１３、結晶質シリコン系光電変換ユニ
ット１１４、酸化物層１１６および裏面電極１１５が、
複数の短冊状の光電変換セルを形成するように実質的に
直線状で互いに平行な複数の分離溝１１８によって分離
されていて、かつそれら複数のセルは分離溝１１８に平
行な複数の接続用溝１１７を介して互いに電気的に直列
接続されたハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装置１
０１が得られる。なお、分離溝１１８を埋めかつ裏面電
極１１５を保護するために、保護樹脂層が付与されても
よいことはいうまでもない。

【００３０】次に、本発明の具体例について説明する。
以下の３種類のレーザ加工方法１，２および３を用意し
た。

【００３１】レーザ加工方法１ 波長が５３２ｎｍのＹＡＧの第２高調波レーザで出力が
０．５Ｗで周波数が５ｋＨｚのものを用いた。スポット
直径を７０μｍ、スクライブ速度を１００ｍｍ／秒と
し、１回のビーム走査でスクライブを行う。

【００３２】レーザ加工方法２ 波長が７００ｎｍのアレキサンドライトレーザを用いて
レーザ加工方法３と同様の条件で加工した後に波長が５
３２ｎｍのＹＡＧの第２高調波レーザを用いレーザ加工
方法１と同様の条件で加工を行う。

【００３３】レーザ加工方法３ 波長が７００ｎｍのアレキサンドライトレーザで出力が
１０ｍＷで周波数が１ｋＨｚのレーザ４本を同期発振さ
せる。４本のレーザビームを一点に集中させる。集中し
た部分のスポットの直径は２０μｍであり、スクライブ
速度は１０ｍｍ／秒である。このレーザビームでは、ス
ポットの直径が小さいために、互いに部分的に重なる６
本の走査線を描くようにスクライブを行う。また、隣り
合う走査線の間の距離は１０μｍとする。

【００３４】この３種類のレーザ加工方法１〜３のう
ち、図１で示す接続溝１１７を形成する工程Ａではレー
ザ加工方法１および２のいずれかを用いた。また、分離
溝１１８を形成する工程Ｂでは、上述のレーザ加工方法
１〜３のいずれかを用いた。これらの方法により、平面
積が１ｃｍ×１０ｃｍのセルを１０段直列接続（全平面
積１０ｃｍ×１０ｃｍ）されたハイブリッド型の集積型
薄膜光電変換装置サンプル１〜６をそれぞれ１０個ずつ
製造し、それらの平均変換効率をＡＭ１．５、１００ｍ
Ｗ／ｃｍ²、および２５℃の条件のソーラシミュレータ
で求めた。その結果を表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１中サンプル１は工程Ａおよび工程Ｂで
波長が５３２ｎｍのＹＡＧの第２高調波レーザを用いた
従来品であり、平均変換効率は低い。これに対して、本
発明品であるサンプル２〜６については、いずれも従来
品より高い変換効率を有している。特に、工程Ａにおい
て短波長のレーザと長波長のレーザとを照射し、工程Ｂ
において長波長のレーザを使用したサンプル６が特に高
い平均変換効率を有していることがわかる。

【００３７】このことより、本発明品に従えば、平均変
換効率の高い薄膜光電変換装置を得ることができること
がわかる。さらに、工程Ｂで長波長のレーザを使用する
ことにより高い平均変換効率を達成することができるこ
とがわかる。

【００３８】また、別の実験で、レーザ加工方法２を用
いた工程Ａにおいて、波長が７００ｎｍのレーザの３回
目の走査時に波長が５３２ｎｍのレーザを同時に照射し
た。これにより平均変換効率が０．１％上昇することも
判明した。

【００３９】以上、この発明の実施の形態について説明
したが、ここで示した実施の形態はさまざまに変形する
ことが可能である。まず、レーザの種類としては、上述
のレーザだけでなく、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６３２．
８ｎｍ）、Ｋｒ⁺レーザ（波長６４７ｎｍ）、または従
来用いられているレーザを使用することができる。さら
に、レーザの周波数やレーザの出力は必要に応じて適宜
変えることができる。

【００４０】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００４１】

【発明の効果】この発明に従えば、良好なスクライブを
簡便に実施することができるハイブリッド型の集積型薄
膜光電変換装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態に従ったハイブリッド
型の集積型薄膜光電変換装置の製造方法の第１工程を示
す断面図である。

【図２】 この発明の実施の形態に従ったハイブリッド
型の集積型薄膜光電変換装置の製造方法の第２工程を示
す断面図である。

【図３】 従来のハイブリッド型の集積型薄膜光電変換
装置の製造方法の第１工程を示す断面図である。

【図４】 従来のハイブリッド型の集積型薄膜光電変換
装置の製造方法の第２工程を示す断面図である。

【図５】 非晶質シリコンと多結晶シリコンについて、
光の波長と規格化された吸収効率との関係を示すグラフ
である。

【符号の説明】

１０１ ハイブリッド型の集積型薄膜光電変換装置、１
１１ ガラス基板、１１３ 非晶質シリコン系光電変換
ユニット層、１１４ 結晶質シリコン系光電変換ユニッ
ト層、１１５ 裏面電極、１１６ 酸化物層、１１７，
１１８ 溝。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁基板上に順に積層された透明電
   極層、非晶質シリコン系光電変換ユニット層、結晶質シ
   リコン系光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数
   の短冊状の光電変換セルを形成するように実質的に直線
   状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されてい
   て、かつそれら複数のセルは前記分離溝に平行な複数の
   接続用溝を介して互いに電気的に直列接続された集積型
   薄膜光電変換装置の製造方法であって、 前記裏面電極層を複数の短冊状の裏面電極に分離するた
   めの裏面電極分離溝の形成において、 波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のスクライブ用レ
   ーザビームを照射することによって前記結晶質シリコン
   系光電変換ユニット層の所定領域と同時に裏面電極層の
   所定領域を吹き飛ばすことによって前記裏面電極分離溝
   を形成することを特徴とする、集積型薄膜光電変換装置
   の製造方法。
2. 【請求項２】 前記波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以
   下のスクライブ用レーザビームを照射するとともに、波
   長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のスクライブ用レー
   ザビームをも照射することによって前記裏面電極分離溝
   を形成することを特徴とする、請求項１に記載の集積型
   薄膜光電変換装置の製造方法。
3. 【請求項３】 透明絶縁基板上に順に積層された透明電
   極層、非晶質シリコン系光電変換ユニット層、結晶質シ
   リコン系光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数
   の短冊状の光電変換セルを形成するように実質的に直線
   状で互いに平行な複数の分離溝によって分離されてい
   て、かつそれら複数のセルは前記分離溝に平行な複数の
   接続用溝を介して互いに電気的に直列接続された集積型
   薄膜光電変換装置の製造方法であって、 前記接続用溝の形成において、 波長が３５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下のスクライブ用レ
   ーザビームと波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のス
   クライブ用レーザビームとを照射して前記非晶質シリコ
   ン系光電変換ユニット層の所定領域および前記結晶質シ
   リコン系光電変換ユニット層の所定領域を吹き飛ばすこ
   とによって前記接続用溝を形成することを特徴とする、
   集積型薄膜光電変換装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記裏面電極層を複数の短冊状の裏面電
   極に分離するための裏面電極分離溝の形成において、 波長が６７０ｎｍ以上９００ｎｍ以下のスクライブ用レ
   ーザビームを照射して前記結晶質シリコン系光電変換ユ
   ニット層の所定領域と同時に前記裏面電極層の所定領域
   を吹き飛ばすことによって前記裏面電極分離溝を形成す
   ることを特徴とする、請求項３に記載の集積型薄膜光電
   変換装置の製造方法。