JP2001267469A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一面側に半導体素子を装着した放熱板を、そ
の他面が露出するように樹脂でモールドしてなる樹脂封
止型半導体装置において、簡単な構成にて、半導体素子
に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モールド時の放熱
板の露出面における樹脂ばりの発生を防止する。 【解決手段】 上側放熱板４０の周辺部には、該放熱板
４０における他の部位よりも変形しやすい変形部として
の溝部４４が全周に渡って連続して形成されており、成
形型８０によって該放熱板４０を他面４２側から押圧し
たときに、該放熱板４０における溝部４４から外周側の
部位が、押圧方向に曲がって成形型８０の内面に密着す
るようになっている。
の他面が露出するように樹脂でモールドしてなる樹脂封
止型半導体装置において、簡単な構成にて、半導体素子
に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モールド時の放熱
板の露出面における樹脂ばりの発生を防止する。 【解決手段】 上側放熱板４０の周辺部には、該放熱板
４０における他の部位よりも変形しやすい変形部として
の溝部４４が全周に渡って連続して形成されており、成
形型８０によって該放熱板４０を他面４２側から押圧し
たときに、該放熱板４０における溝部４４から外周側の
部位が、押圧方向に曲がって成形型８０の内面に密着す
るようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一面側に半導体素
子を装着した放熱板を、その他面が露出するように樹脂
でモールドしてなる樹脂封止型半導体装置に関する。
子を装着した放熱板を、その他面が露出するように樹脂
でモールドしてなる樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の樹脂封止型半導体装置として
は、例えば、特開平６−２９１２２３号公報において、
半導体素子の放熱性を向上させるために、半導体素子の
両面に放熱板を装着したものを、成形型内に収容して樹
脂モールドし、それぞれの放熱板の外側の面を樹脂部か
ら露出させるようにしたものが、提案されている。
は、例えば、特開平６−２９１２２３号公報において、
半導体素子の放熱性を向上させるために、半導体素子の
両面に放熱板を装着したものを、成形型内に収容して樹
脂モールドし、それぞれの放熱板の外側の面を樹脂部か
ら露出させるようにしたものが、提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものでは、放熱板の反りや厚さの変動（特に、放熱
板が薄くなった場合）により、放熱板と成形型（モール
ド金型）の内面（キャビティ面）との間の密着性が不十
分となり、その隙間へ樹脂が漏れて、放熱板の露出面に
樹脂が付着する現象（以下、樹脂ばりと言う）が発生
し、本来の放熱面積が得られなくなってしまうという不
具合が発生する。
来のものでは、放熱板の反りや厚さの変動（特に、放熱
板が薄くなった場合）により、放熱板と成形型（モール
ド金型）の内面（キャビティ面）との間の密着性が不十
分となり、その隙間へ樹脂が漏れて、放熱板の露出面に
樹脂が付着する現象（以下、樹脂ばりと言う）が発生
し、本来の放熱面積が得られなくなってしまうという不
具合が発生する。
【０００４】また、放熱板が厚い場合には、放熱板自体
が変形しにくいものとなるため、モールド金型の型締め
力が半導体素子に、強く加わることになり、半導体素子
の特性悪化や破壊といった半導体素子への損傷が懸念さ
れる。なお、上記の問題は、半導体素子の両面に放熱板
を装着したものに限らず、半導体素子の一面のみに放熱
板を装着した樹脂封止型半導体装置においても、同様に
発生する。
が変形しにくいものとなるため、モールド金型の型締め
力が半導体素子に、強く加わることになり、半導体素子
の特性悪化や破壊といった半導体素子への損傷が懸念さ
れる。なお、上記の問題は、半導体素子の両面に放熱板
を装着したものに限らず、半導体素子の一面のみに放熱
板を装着した樹脂封止型半導体装置においても、同様に
発生する。
【０００５】そこで、本発明は上記問題に鑑み、一面側
に半導体素子が装着された放熱板を、成形型内に収容
し、放熱板の他面が露出するように樹脂でモールドして
なる樹脂封止型半導体装置において、簡単な構成にて、
半導体素子に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モール
ド時における樹脂ばりの発生を防止することを目的とす
る。
に半導体素子が装着された放熱板を、成形型内に収容
し、放熱板の他面が露出するように樹脂でモールドして
なる樹脂封止型半導体装置において、簡単な構成にて、
半導体素子に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モール
ド時における樹脂ばりの発生を防止することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１〜請求項５記載の発明においては、放熱板
（４０）の周辺部に、該放熱板における他の部位よりも
変形しやすい変形部（４４）を形成し、成形型（８０）
によって放熱板を他面（４２）側から締め付けて押圧し
たときに、放熱板における変形部から外周側の部位が、
その押圧方向に曲がって成形型の内面に密着するように
なっていることを特徴としている。
め、請求項１〜請求項５記載の発明においては、放熱板
（４０）の周辺部に、該放熱板における他の部位よりも
変形しやすい変形部（４４）を形成し、成形型（８０）
によって放熱板を他面（４２）側から締め付けて押圧し
たときに、放熱板における変形部から外周側の部位が、
その押圧方向に曲がって成形型の内面に密着するように
なっていることを特徴としている。
【０００７】本発明によれば、成形型（８０）で放熱板
（４０）を他面（４２）側から押圧して、放熱板の他面
（４２）に成形型の内面を密着させる際、変形部（４
４）を起点にその外周側の部位が押圧方向に曲がること
により、成形型の内面が、放熱板の他面の周辺部を押圧
方向に押し込む形となる。これにより、成形型の内面と
放熱板の他面の周辺部とが確実に密着するため、両者間
の隙間を無くすことができ、放熱板の他面と成形型との
間に樹脂が入り込むのを防止できる。
（４０）を他面（４２）側から押圧して、放熱板の他面
（４２）に成形型の内面を密着させる際、変形部（４
４）を起点にその外周側の部位が押圧方向に曲がること
により、成形型の内面が、放熱板の他面の周辺部を押圧
方向に押し込む形となる。これにより、成形型の内面と
放熱板の他面の周辺部とが確実に密着するため、両者間
の隙間を無くすことができ、放熱板の他面と成形型との
間に樹脂が入り込むのを防止できる。
【０００８】また、成形型（８０）による締め付け力
（型締め力）は、放熱板（４０）の一面（４１）側に設
けられた半導体素子（１０）に対しては、変形部（４
４）の変形によって緩衝される。よって、本発明によれ
ば、放熱板に変形部を形成するだけの簡単な構成にて、
半導体素子に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モール
ド時の放熱板の他面（４２）即ち露出面における樹脂ば
りの発生を防止することができる。
（型締め力）は、放熱板（４０）の一面（４１）側に設
けられた半導体素子（１０）に対しては、変形部（４
４）の変形によって緩衝される。よって、本発明によれ
ば、放熱板に変形部を形成するだけの簡単な構成にて、
半導体素子に加わる型締め力を低減しつつ、樹脂モール
ド時の放熱板の他面（４２）即ち露出面における樹脂ば
りの発生を防止することができる。
【０００９】ここで、請求項２の発明のように、変形部
は、放熱板（４０）における他の部位よりも厚さが薄い
薄肉部（４４）として構成することができ、この薄肉部
としては、請求項３の発明のように、溝部（４４）とす
ることができる。
は、放熱板（４０）における他の部位よりも厚さが薄い
薄肉部（４４）として構成することができ、この薄肉部
としては、請求項３の発明のように、溝部（４４）とす
ることができる。
【００１０】また、請求項４の発明のように、変形部
（４４）を、放熱板（４０）の周辺部の全周に渡って連
続して形成したものとすれば、上記した変形部の変形
を、より確実に実現することができる。さらに、請求項
５の発明のように、変形部（４４）を、放熱板（４０）
における半導体素子（１０）の装着領域（４３）よりも
外周側に形成すれば、半導体素子に加わる成形型（８
０）による締め付け力（型締め力）を、より低減するこ
とができる。
（４４）を、放熱板（４０）の周辺部の全周に渡って連
続して形成したものとすれば、上記した変形部の変形
を、より確実に実現することができる。さらに、請求項
５の発明のように、変形部（４４）を、放熱板（４０）
における半導体素子（１０）の装着領域（４３）よりも
外周側に形成すれば、半導体素子に加わる成形型（８
０）による締め付け力（型締め力）を、より低減するこ
とができる。
【００１１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装
置１００を示す概略断面図であり、樹脂モールド前の状
態を示す。なお、モールド後の樹脂ボディ７０の外形
は、図中、破線にて示す。
について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装
置１００を示す概略断面図であり、樹脂モールド前の状
態を示す。なお、モールド後の樹脂ボディ７０の外形
は、図中、破線にて示す。
【００１３】１０は矩形チップ状をなす半導体素子（例
えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）
等）であり、この半導体素子１０は、その表面（一面）
１１及び裏面（他面）１２に電極（図示せず）を有す
る。この半導体素子１０の裏面１２には、ろう材（例え
ば、はんだ）２０を用いて、放熱板（下側放熱板）３０
の一面３１側が装着されている。また、半導体素子１０
の表面１１には、同じくろう材２０を用いて、放熱板
（上側放熱板）４０の一面４１側が装着されている。
えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）
等）であり、この半導体素子１０は、その表面（一面）
１１及び裏面（他面）１２に電極（図示せず）を有す
る。この半導体素子１０の裏面１２には、ろう材（例え
ば、はんだ）２０を用いて、放熱板（下側放熱板）３０
の一面３１側が装着されている。また、半導体素子１０
の表面１１には、同じくろう材２０を用いて、放熱板
（上側放熱板）４０の一面４１側が装着されている。
【００１４】これら放熱板３０、４０は、例えば、銅、
アルミニウム、タングステン、モリブデン等の伝熱性の
良好な材料を用いて矩形板状に形成されたものである。
ここで、上側放熱板４０における半導体素子１０との接
触部（半導体素子の装着領域）４３は、該放熱板４０の
一面４１にて突出したものとなっている。
アルミニウム、タングステン、モリブデン等の伝熱性の
良好な材料を用いて矩形板状に形成されたものである。
ここで、上側放熱板４０における半導体素子１０との接
触部（半導体素子の装着領域）４３は、該放熱板４０の
一面４１にて突出したものとなっている。
【００１５】また、上側放熱板４０の一面４１の周端縁
からやや内側の位置、即ち、上側放熱板４０の一面４１
の周辺部には、溝部（本発明でいう変形部）４４が形成
されており、この溝部４４の部分は、該放熱板４０にお
ける他の部位よりも厚さが薄く変形しやすい薄肉部とし
て構成されている。
からやや内側の位置、即ち、上側放熱板４０の一面４１
の周辺部には、溝部（本発明でいう変形部）４４が形成
されており、この溝部４４の部分は、該放熱板４０にお
ける他の部位よりも厚さが薄く変形しやすい薄肉部とし
て構成されている。
【００１６】本例では、この溝部４４は、上側放熱板４
０の一面４１における接触部４３よりも外周側の周辺部
に、全周に渡って連続して形成されており、上側放熱板
４０の一面４１上からみて、環状に形成された溝であ
る。この溝部４４は、例えば上側放熱板４０に対して、
プレス等の機械加工あるいはエッチング加工等を施すこ
とにより、形成されている。
０の一面４１における接触部４３よりも外周側の周辺部
に、全周に渡って連続して形成されており、上側放熱板
４０の一面４１上からみて、環状に形成された溝であ
る。この溝部４４は、例えば上側放熱板４０に対して、
プレス等の機械加工あるいはエッチング加工等を施すこ
とにより、形成されている。
【００１７】また、半導体素子１０の表面１１のうち、
上側放熱板４０の接触部４３と接触していない部位に
は、半導体素子１０の制御信号電極（パッド、図示せ
ず）が形成されており、この制御信号電極は、外部と電
気的に接続されるリード５０に対して、金やアルミニウ
ム等のボンディングワイヤ６０にて接続されている。
上側放熱板４０の接触部４３と接触していない部位に
は、半導体素子１０の制御信号電極（パッド、図示せ
ず）が形成されており、この制御信号電極は、外部と電
気的に接続されるリード５０に対して、金やアルミニウ
ム等のボンディングワイヤ６０にて接続されている。
【００１８】この図１に示す半導体装置１００は、下側
放熱板３０の一面３１に、ろう材２０にて半導体素子１
０を装着し、上記制御信号電極とリード５０とをワイヤ
ボンディングにて結線した後、上側放熱板４０をろう材
２０にて半導体素子１０に装着することにより、形成さ
れる。
放熱板３０の一面３１に、ろう材２０にて半導体素子１
０を装着し、上記制御信号電極とリード５０とをワイヤ
ボンディングにて結線した後、上側放熱板４０をろう材
２０にて半導体素子１０に装着することにより、形成さ
れる。
【００１９】その後、図２に示す樹脂モールド工程を行
う。ここまで形成された状態の半導体装置をモールド金
型（成形型）８０に入れ、例えばエポキシ樹脂等よりな
る樹脂でモールドすることにより、樹脂ボディ（図１
中、破線図示、本発明でいう樹脂））７０で封止された
樹脂封止型半導体装置が構成される。
う。ここまで形成された状態の半導体装置をモールド金
型（成形型）８０に入れ、例えばエポキシ樹脂等よりな
る樹脂でモールドすることにより、樹脂ボディ（図１
中、破線図示、本発明でいう樹脂））７０で封止された
樹脂封止型半導体装置が構成される。
【００２０】このとき、上下の放熱板３０、４０の他面
（露出面）３２、４２が、樹脂ボディ７０の上下の外面
より露出しており、また、リード５０の先端側が樹脂ボ
ディ７０の側面から外部に導出されている。これによ
り、半導体素子１０は、外部と信号のやり取りを可能と
するとともに、各放熱板３０、４０の他面３２、４２か
ら、半導体素子１０にて発生した熱を良好に放熱するこ
とができる。
（露出面）３２、４２が、樹脂ボディ７０の上下の外面
より露出しており、また、リード５０の先端側が樹脂ボ
ディ７０の側面から外部に導出されている。これによ
り、半導体素子１０は、外部と信号のやり取りを可能と
するとともに、各放熱板３０、４０の他面３２、４２か
ら、半導体素子１０にて発生した熱を良好に放熱するこ
とができる。
【００２１】ところで、本実施形態では、上側放熱板４
０の周辺部に、該放熱板４０における他の部位よりも変
形しやすい変形部としての溝部４４を形成しており、そ
れによって、金型８０によって放熱板４０を締め付けて
他面４２側から押圧したときに、放熱板４０における溝
部４４から外周側の部位を、押圧方向（締め付け方向）
に曲げつつ金型８０の内面に密着させるようになってい
る。
０の周辺部に、該放熱板４０における他の部位よりも変
形しやすい変形部としての溝部４４を形成しており、そ
れによって、金型８０によって放熱板４０を締め付けて
他面４２側から押圧したときに、放熱板４０における溝
部４４から外周側の部位を、押圧方向（締め付け方向）
に曲げつつ金型８０の内面に密着させるようになってい
る。
【００２２】この溝部４４の効果について、図２に示す
樹脂モールド工程の説明図（概略断面図）を参照して、
より具体的に述べる。樹脂モールド工程に使用されるモ
ールド金型８０は、上型８１と下型８２とから構成さ
れ、それら上型８１と下型８２との間に、樹脂ボディ７
０の外形に相当する空間部としてのキャビティ８３が形
成されている。
樹脂モールド工程の説明図（概略断面図）を参照して、
より具体的に述べる。樹脂モールド工程に使用されるモ
ールド金型８０は、上型８１と下型８２とから構成さ
れ、それら上型８１と下型８２との間に、樹脂ボディ７
０の外形に相当する空間部としてのキャビティ８３が形
成されている。
【００２３】この樹脂モールド工程では、図１に示す半
導体装置１００を、例えば、下型８２上の所定位置にセ
ットし、その状態からモールド金型８０の型合わせ、型
締めを行う。これにて、図２に示す様に、半導体装置１
００が、キャビティ８３内に収納された状態となる。
導体装置１００を、例えば、下型８２上の所定位置にセ
ットし、その状態からモールド金型８０の型合わせ、型
締めを行う。これにて、図２に示す様に、半導体装置１
００が、キャビティ８３内に収納された状態となる。
【００２４】そして、この時、上述のように、上型８１
が上側放熱板４０の他面（露出面）４２の周端縁に当接
し、モールド金型８０の締め付け力（型締め力）によ
り、放熱板４０を図２中の下方に押圧するようになる。
これにより、放熱板４０の溝部４４から外側の周端縁の
みが変形して押圧方向に曲がり、上型８１の内面（成形
型の内面）即ちキャビティ８３の面が、上側放熱板４０
の他面４２の周辺部を締め付け方向に押し込む形とな
る。
が上側放熱板４０の他面（露出面）４２の周端縁に当接
し、モールド金型８０の締め付け力（型締め力）によ
り、放熱板４０を図２中の下方に押圧するようになる。
これにより、放熱板４０の溝部４４から外側の周端縁の
みが変形して押圧方向に曲がり、上型８１の内面（成形
型の内面）即ちキャビティ８３の面が、上側放熱板４０
の他面４２の周辺部を締め付け方向に押し込む形とな
る。
【００２５】この状態で、キャビティ８３内に、例えば
エポキシ樹脂が注入されて硬化される。この際、モール
ド金型８０の型締め力を受けて、上側放熱板４０の溝部
４４から外側の周端縁のみが変形してキャビティ８３の
面に確実に密着しているので、仮に上側放熱板４０に反
りや寸法公差が生じていても、該キャビティ面との間の
隙間が塞がれ、樹脂が侵入することが無くなる。
エポキシ樹脂が注入されて硬化される。この際、モール
ド金型８０の型締め力を受けて、上側放熱板４０の溝部
４４から外側の周端縁のみが変形してキャビティ８３の
面に確実に密着しているので、仮に上側放熱板４０に反
りや寸法公差が生じていても、該キャビティ面との間の
隙間が塞がれ、樹脂が侵入することが無くなる。
【００２６】このように、本実施形態によれば、成形型
８０の内面と上側放熱板４０の他面４２の周辺部との間
の隙間を無くし、両者の密着性を向上させることができ
るため、上側放熱板４０の他面４２と成形型８０との間
に樹脂が入り込むのを防止できる。また、成形型８０に
よる締め付け力（型締め力）は、上側放熱板４０の一面
４１側に設けられた半導体素子１０に対しては、溝部４
４の変形によって緩衝される。
８０の内面と上側放熱板４０の他面４２の周辺部との間
の隙間を無くし、両者の密着性を向上させることができ
るため、上側放熱板４０の他面４２と成形型８０との間
に樹脂が入り込むのを防止できる。また、成形型８０に
よる締め付け力（型締め力）は、上側放熱板４０の一面
４１側に設けられた半導体素子１０に対しては、溝部４
４の変形によって緩衝される。
【００２７】よって、本実施形態によれば、上側放熱板
４０に溝部（変形部）４４を形成するだけの簡単な構成
にて、半導体素子１０に加わる型締め力を低減しつつ、
樹脂モールド時の放熱板４０の露出面４２における樹脂
ばりの発生を防止することができる。
４０に溝部（変形部）４４を形成するだけの簡単な構成
にて、半導体素子１０に加わる型締め力を低減しつつ、
樹脂モールド時の放熱板４０の露出面４２における樹脂
ばりの発生を防止することができる。
【００２８】また、本実施形態によれば、溝部４４を、
上側放熱板４０の周辺部の全周に渡って連続して形成し
ているため、上側放熱板４０における溝部４４から外側
の周端縁の変形を、より確実に実現することができる。
さらに、溝部４４を、上側放熱板４０における接触部４
３（半導体素子１０の装着領域）よりも外周側に形成し
ているため、半導体素子１０に加わる型締め力を、より
低減することができる。
上側放熱板４０の周辺部の全周に渡って連続して形成し
ているため、上側放熱板４０における溝部４４から外側
の周端縁の変形を、より確実に実現することができる。
さらに、溝部４４を、上側放熱板４０における接触部４
３（半導体素子１０の装着領域）よりも外周側に形成し
ているため、半導体素子１０に加わる型締め力を、より
低減することができる。
【００２９】（他の実施形態）なお、上記実施形態で
は、溝部（変形部）４４は、上側放熱板４０の周辺部の
全周に連続して形成されているが、成形型による締め付
け時に、変形部が締め付け方向に変形しつつ、放熱板の
他面の周辺部が成形型の内面に隙間無く密着するように
なっているものであれば、部分的に形成されていても良
い。例えば、放熱板４０の周辺部に破線状の環形状に形
成したものでも良い。
は、溝部（変形部）４４は、上側放熱板４０の周辺部の
全周に連続して形成されているが、成形型による締め付
け時に、変形部が締め付け方向に変形しつつ、放熱板の
他面の周辺部が成形型の内面に隙間無く密着するように
なっているものであれば、部分的に形成されていても良
い。例えば、放熱板４０の周辺部に破線状の環形状に形
成したものでも良い。
【００３０】また、溝部４４は、上側放熱板４０の他面
４２に形成されていても良いし、一面４１と他面４２の
両方に形成された構成（つまり、くびれ形状）となって
いても良い。また、溝部は下側放熱板３０の周辺部にも
形成されていても良い。また、変形部は溝部でなくと
も、他の部位よりも変形しやすければ良い。例えば、放
熱板４０において溝部４４よりも外周側部位の厚さを内
周側部位よりも厚さを薄くした薄肉部としても良い。
４２に形成されていても良いし、一面４１と他面４２の
両方に形成された構成（つまり、くびれ形状）となって
いても良い。また、溝部は下側放熱板３０の周辺部にも
形成されていても良い。また、変形部は溝部でなくと
も、他の部位よりも変形しやすければ良い。例えば、放
熱板４０において溝部４４よりも外周側部位の厚さを内
周側部位よりも厚さを薄くした薄肉部としても良い。
【００３１】以上述べてきたように、本発明は、放熱板
の外周縁部を、放熱板における他の部位に比べて、成形
型内にて放熱板を締め付けたときに、成形型の内面と密
着して締め付け方向に曲がり変形しやすくしたことを主
たる特徴とするものであり、半導体素子の表裏両面を放
熱板で挟んだ構造以外にも、半導体素子の表面のみまた
は裏面のみに放熱板を装着した半導体装置にも適用可能
である。
の外周縁部を、放熱板における他の部位に比べて、成形
型内にて放熱板を締め付けたときに、成形型の内面と密
着して締め付け方向に曲がり変形しやすくしたことを主
たる特徴とするものであり、半導体素子の表裏両面を放
熱板で挟んだ構造以外にも、半導体素子の表面のみまた
は裏面のみに放熱板を装着した半導体装置にも適用可能
である。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２】上記実施形態に係る樹脂モールド工程を説明す
るための概略断面図である。
るための概略断面図である。
１０…半導体素子、３０…下側放熱板、３１…下側放熱
板の一面、３２…下側放熱板の他面（露出面）、４０…
上側放熱板、４１…上側放熱板の一面、４２…上側放熱
板の他面（露出面）、４３…上側放熱板における半導体
素子との接触部、４４…溝部、６０…樹脂ボディ、８０
…モールド金型（成形型）。
板の一面、３２…下側放熱板の他面（露出面）、４０…
上側放熱板、４１…上側放熱板の一面、４２…上側放熱
板の他面（露出面）、４３…上側放熱板における半導体
素子との接触部、４４…溝部、６０…樹脂ボディ、８０
…モールド金型（成形型）。
Claims (5)
- 【請求項１】 一面（３１、４１）側に半導体素子（１
０）が装着された放熱板（３０、４０）を、成形型（８
０）内に収容し、前記放熱板の他面（３２、４２）が露
出するように樹脂（７０）でモールドしてなる樹脂封止
型半導体装置において、 前記放熱板（４０）の周辺部には、前記放熱板における
他の部位よりも変形しやすい変形部（４４）が形成され
ており、 前記成形型によって前記放熱板を前記他面側から押圧し
たときに、前記放熱板における前記変形部から外周側の
部位が、その押圧方向に曲がって前記成形型の内面に密
着するようになっていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項２】 前記変形部は、前記放熱板（４０）にお
ける他の部位よりも厚さが薄い薄肉部（４４）であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項３】 前記薄肉部は、溝部（４４）であること
を特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 前記変形部（４４）は、前記放熱板（４
０）の周辺部の全周に渡って連続して形成されているこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載
の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 前記変形部（４４）は、前記放熱板（４
０）における前記半導体素子（１０）の装着領域（４
３）よりも外周側に形成されていることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079359A JP4253992B2 (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000079359A JP4253992B2 (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267469A true JP2001267469A (ja) | 2001-09-28 |
| JP4253992B2 JP4253992B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=18596615
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000079359A Expired - Fee Related JP4253992B2 (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4253992B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927167B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-08-09 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device having controlled surface roughness |
| US7190054B2 (en) | 2003-02-19 | 2007-03-13 | Denso Corporation | Semiconductor module having inner pressure release portion |
| CN1319161C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-05-30 | 株式会社电装 | 半导体器件 |
| JP2008244238A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| KR100995478B1 (ko) | 2002-02-07 | 2010-11-22 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 패키지형 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
| JP2014056916A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
| JP2015115510A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| CN107026107A (zh) * | 2016-02-02 | 2017-08-08 | 东和株式会社 | 电子部件的制造装置及制造方法以及电子部件 |
| JP6416996B1 (ja) * | 2017-07-24 | 2018-10-31 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置用の封止型 |
| US11410905B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-08-09 | International Business Machines Corporation | Optimized weight heat spreader for an electronic package |
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000079359A patent/JP4253992B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100995478B1 (ko) | 2002-02-07 | 2010-11-22 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 패키지형 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
| US6927167B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-08-09 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device having controlled surface roughness |
| US7190054B2 (en) | 2003-02-19 | 2007-03-13 | Denso Corporation | Semiconductor module having inner pressure release portion |
| CN1319161C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-05-30 | 株式会社电装 | 半导体器件 |
| JP2008244238A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| JP2014056916A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
| JP2015115510A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| CN107026107A (zh) * | 2016-02-02 | 2017-08-08 | 东和株式会社 | 电子部件的制造装置及制造方法以及电子部件 |
| JP2017139278A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の製造装置及び製造方法並びに電子部品 |
| JP6416996B1 (ja) * | 2017-07-24 | 2018-10-31 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置用の封止型 |
| JP2019024032A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置用の封止型 |
| US11410905B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-08-09 | International Business Machines Corporation | Optimized weight heat spreader for an electronic package |
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| JP4253992B2 (ja) | 2009-04-15 |
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