JP2001265446A - サイクル制御装置、電力調整器、温度調節器及び温度制御装置 - Google Patents

サイクル制御装置、電力調整器、温度調節器及び温度制御装置

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JP2001265446A JP2000071642A JP2000071642A JP2001265446A JP 2001265446 A JP2001265446 A JP 2001265446A JP 2000071642 A JP2000071642 A JP 2000071642A JP 2000071642 A JP2000071642 A JP 2000071642A JP 2001265446 A JP2001265446 A JP 2001265446A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高調波を発生せず、従来のサイクル制御に比
し、高精度な制御を行う電力調整器を提供する。 【解決手段】 温度調節器1からの指令値を、半サイク
ル毎にサンプル・ホールド部21で保持し、入力指令値
と出力誤差累積値を加算部24で加算して、補正出力を
得、この補正出力と所定の閾値を比較部25で比較し、
補正出力が閾値以上であると100〔%〕出力を、補正
出力が閾値より小さいときは0〔%〕出力をゼロクロス
機能付きSSR3に出力する。指令入力値と実際の出力
との偏差が出力誤差演算部22で出力誤差として求めら
れ、この出力誤差を出力誤差累積部23で累積する。制
御周期は半サイクル期間×n(入力指令値に応じた整
数)とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、交流電圧のサイ
クル制御装置及びこのサイクル制御装置を備えた電力調
整器、温度調節器、温度制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ヒータ等の温度制御装置には、図
1に示すように、温度調節器1より所定の入力指令値を
サイクル制御装置2に与え、サイクル制御装置2では入
力された指令値に応じ、所定の周期、例えば0.2〔s
ec〕毎に1ないし数サイクルの出力をゼロクロス機能
付きSSR3に与え、前記所定の周期毎の何サイクルを
ヒータ4に与えてON/OFFし、そのヒータの温度を
温度センサ5で検出し、温度検出器1にフィードバック
し、サイクル制御を繰り返すことにより、ヒータ4の温
度を入力指令値に応じた値となるように制御するものが
ある。
【0003】サイクル制御装置2は、図2に示すよう
に、温度調節器1で100%が出力されていると、電源
周波数が50Hzの場合、この出力値100%を受け、
0.2secの制御周期の10サイクルがフル出力され
る。温度調整器1の出力が75%であると、サイクル制
御装置2からは10サイクル中、7.5サイクル分がO
Nで出力される。同様に、温度調節器1の出力が50%
の場合、サイクル制御装置2からは10サイクル中、5
サイクルがONで出力される。以下、25%の温度調節
器出力の場合は10サイクル中、2.5サイクル分がO
Nされる。0%の温度調節器出力では、出力も10サイ
クルすべてOFFである。
【0004】なお、0.2secで50Hzの全サイク
ルは10回となるが、図2は様式的なものであり、全サ
イクルが4回としている。
【0005】温度制御には、周期毎の数サイクル分中の
オンサイクル比率を設定値に応じて変える上記サイクル
制御の他に、設定値に応じ各サイクルにおける点弧角を
制御する位相制御が採用されることもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のサイク
ル制御では、制御周期が固定であり、且つ1サイクルを
単位としてON/OFF制御するので、出力分解能が低
く、制御精度が悪く、出力応答も遅い。また、ON状態
が時間的に偏るため、制御対象の寿命に悪影響、例えば
制御対象がヒータの場合、熱ストレスが大きいという問
題がある。
【0007】一方、位相制御では、高精度の制御が可能
であるが、点弧角を制御するものであるから、基本波成
分以外に高調波が発生するという問題がある。さらに高
速処理が必要であるため、装置全体が高価になるという
問題がある。
【0008】この発明は上記問題点に着目してなされた
ものであって、高調波を発生せず、しかも従来のサイク
ル制御に比し、高精度な制御が可能な電力調整器を提供
することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明のサイクル制御
装置は、半サイクル以上の所定のサイクル毎に入力指令
値と実際の出力値の誤差値を演算する出力誤差演算手段
と、この演算された出力誤差を累積する出力誤差累積手
段と、前記入力指令値と前記出力誤差累積値とを加算す
る加算手段と、この加算手段の出力と所定の閾値を比較
し、前記加算手段の出力が閾値より大なる場合に100
%を、出力が閾値より小なる場合に0%を出力する比較
手段とを備えている。
【0010】このサイクル制御装置では、例えば半サイ
クル毎に入力指令値と実際の出力値の誤差値が出力誤差
演算部で演算される。最初、半サイクルでは実際出力値
は0%であると言えるから、入力指令値が出力誤差とな
り、この出力誤差が累積される。最初の半サイクルでは
累積値も0%であるから、入力指令値がそのまま比較手
段に入力されることになり、入力指令値が予め設定して
ある閾値(例えば50%)と比較される。入力指令値が
閾値よりも小さい場合、比較手段より0%が出力され
る。
【0011】次の半サイクルでは、出力誤差はやはり入
力指令値と同じであるが、出力誤差値の累積は入力指令
値の2倍となる。一方、前回の累積値である入力指令値
と今回の入力指令値が加算手段で加算され、2倍の入力
指令値が比較手段に入力されるので、この2倍の入力指
令値は閾値よりも大なので、比較手段は100〔%〕を
出力する。この出力100〔%〕と指令入力値より、出
力誤差は指令入力値−出力100〔%〕となり、出力誤
差累積は2倍の入力指令値−100〔%〕となる。
【0012】さらに、次の半サイクルでは加算手段の出
力は、入力指令値+(2倍の入力指令値−100
〔%〕)となり、比較手段に入力されるが、この入力は
閾値よりも小さいので、出力は再び0〔%〕となる。以
上の処理を制御周期にわたり繰り返す。制御周期間では
入力指令値に対応する数の半サイクルだけ100〔%〕
出力を出す。例えば、入力指令値が40%であると、制
御周期が半サイクル期間×5とされ、うち2回の半サイ
クルだけ100〔%〕出力とされ、制御周期毎にこの処
理が繰り返される。また、他の例として、入力指令値が
15%であるとすると、制御周期が半サイクル期間×2
0とされ、うち3回の半サイクルだけ100〔%〕出力
とされる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態により、この発
明をさらに詳細に説明する。図3は、この発明の一実施
形態であるヒータの温度制御装置の概略構成を示すブロ
ック図である。この実施形態温度制御装置は、温度調節
器1と、サイクル制御装置20と、ゼロクロス機能付き
SSR3と、ヒータ4と、温度センサ5とから構成され
ている。サイクル制御装置20以外は図1に示したもの
と同様である。ここでは、サイクル制御装置20とゼロ
クロス機能付きSSR3を合わせて、電力調整器に相当
する。
【0014】サイクル制御装置20は、温度調整器1か
らの指令値Xを半サイクル間保持するサンプル・ホール
ド部21と、入力された指令値Xと実際の出力値Yの出
力誤差Eを算出する出力誤差演算部22と、出力誤差演
算部22で求めた出力誤差Eを累積する出力誤差累積部
23と、入力された指令値Xと、出力誤差累積値を加算
する加算部(補正部)24と、この加算部24の出力を
受け、その入力値と所定の閾値とを比較し、入力値が閾
値より大なる場合に100〔%〕出力、入力値が閾値よ
り小なる場合に0〔%〕出力とする比較部25とを備え
ている。
【0015】次に、この実施形態温度制御装置の動作を
説明する。ここでは、図4に示すフロー図により、サイ
クル制御装置20の動作を中心に説明する。動作の開始
にあたり、先ず初期処理が実施される(ステップST
1)。例えば、比較部25の閾値Sの設定(ステップS
T11)、変数nをクリア(ステップST12)、パラ
メータ初期値を設定し、累積用レジスタΣ(n)をクリ
アする(ステップST13)。
【0016】初期処理に続いて、変数nを1インクリメ
ントする(ステップST2)。処理開始で先ずn=1と
される。そして、第1番目(n=1)のオン比率入力X
1 を取り込む(ステップST3)。続いて前回までの出
力誤差累積Σ(n−1)に今回の入力指令値Xn を加算
し、出力Y(n)を求める(ステップST4)。
【0017】最初の半サイクルの処理ではΣ(n−1)
は0〔%〕であり、Xn =X1 である。したがって、入
力指令値を40〔%〕に設定したとすると、X1 =40
〔%〕であり、Yi1も40〔%〕である。比較部25で
入力された補正出力値Yi1と閾値Sが比較され(ステッ
プST5)、補正出力値Yi1が閾値S以上であると、出
力を100〔%〕とする(ステップST6)。逆に補正
出力値Yi1が閾値Sよりも小さいと、出力を0〔%〕と
する(ステップST7)。
【0018】続いて今回の入力指令値X1 と出力Y1
偏差、出力誤差E←X1 −Y1 を求める(ステップST
8)とともに、それまでの出力誤差累積に今回の出力誤
差E 1 を加算して、出力誤差累積を更新する(ステップ
ST9)。これにより、最初の半サイクルに係る処理を
終了する。
【0019】その後、ステップST2に戻り、変数nを
1インクリメント(n=2)し、第2回目の半サイクル
の処理を実行する。ステップST2からステップST9
の処理は制御周期間にわたり繰り返され、次の制御周期
に入ると、再度、変数n及びΣ(n)をクリアして、同
様の処理を繰り返す。
【0020】上記した処理動作を具体的な数値を例にあ
げて説明する。以下の説明では、入力指令値X=40
〔%〕、閾値S=50〔%〕とし、50〔HZ〕の交流
信号を制御するものとする。50〔HZ〕の半サイクル
期間は10〔msec〕であるから、10〔msec〕
毎に、図4に示すフロー図の処理を実行する。入力指令
値Xは40〔%〕であるから、制御周期は半サイクル期
間×5と決定される。
【0021】最初の半サイクル(周期1)では、図5に
示すように、入力指令値40〔%〕、この指令値40
〔%〕と出力誤差累積Σ(0)の加算で補正出力Yi1
40〔%〕、この補正出力Yi1=40〔%〕と閾値S=
50〔%〕の比較で、閾値Sの方が大であるから、出力
0〔%〕、指令値X1 =40〔%〕とこの出力0〔%〕
の偏差より、出力誤差E1 =40〔%〕、同時に累積誤
差Σ(1)=40〔%〕である。
【0022】第2番目の半サイクル(周期2)では、同
じく図5に示すように、入力指令値は変わらず40
〔%〕、この指令値40〔%〕と、前回までの累積値Σ
(1)=40〔%〕の加算で、補正出力Yi2=80
〔%〕、この補正出力Yi2=80〔%〕と閾値S=50
〔%〕の比較で閾値Sよりも補正出力Yi2の方が大であ
るから、出力を100〔%〕とする。指令値X2 =40
〔%〕と、出力100〔%〕との偏差により出力誤差E
2 =−60〔%〕、前回までの累積値Σ(1)=40
〔%〕に出力誤差−60〔%〕を累積して、出力誤差累
積Σ(2)=−20〔%〕である。
【0023】第3番目の半サイクル(周期3)では、入
力指令値X3 は変わらず40〔%〕、この指令値40
〔%〕と前回までの累積値Σ(2)=−20〔%〕の加
算で補正出力Yi3=20〔%〕、この補正出力Yi3=2
0〔%〕と閾値S=50〔%〕の比較で閾値Sの方が大
きいので、出力を0〔%〕とする。指令値X3 =40
〔%〕と出力0〔%〕との偏差で、出力誤差E3 =40
〔%〕、前回までの累積値Σ(2)=−20〔%〕を加
算して、出力誤差累積Σ(3)=20〔%〕である。
【0024】第4番目の半サイクル(周期4)では、入
力指令値X4 は40〔%〕、この指令値40〔%〕と、
前回までの累積値Σ(3)=20〔%〕の加算で補正出
力Y i4=60〔%〕、この補正出力Yi4=60〔%〕と
閾値S=50〔%〕の比較で閾値Sよりも補正出力Yi4
の方が大きいので、出力を100〔%〕とする。指令値
4 =40〔%〕と出力100〔%〕の偏差で出力誤差
4 =−60〔%〕、前回までの累積値Σ(3)=20
〔%〕に出力誤差−60〔%〕を累積して、出力誤差累
積Σ(4)=−40〔%〕である。
【0025】第5番目の半サイクル(周期5)では、入
力指令値X5 は40〔%〕、この指令値40〔%〕と前
回までの累積値−40〔%〕の加算で補正出力Yi5=0
〔%〕、この補正出力Yi5と閾値S=50〔%〕の比較
では明らかに閾値Sの方が大なので、出力を0〔%〕と
する。指令値X5 =40〔%〕と出力0〔%〕の偏差で
出力誤差E5 =40〔%〕、前回までの累積値Σ(4)
=−40〔%〕を加算して、出力誤差累積Σ(5)=0
〔%〕である。
【0026】以上5回の半サイクルで制御周期が終了
し、次の制御周期に移る。1制御周期の中では、指令値
40〔%〕に対し、出力100〔%〕の半サイクルが2
回有り、5回の半サイクル中に2回の100〔%〕出力
で他の3回のサイクルが出力0〔%〕であるから、指令
値に対応した出力となる。
【0027】図6に示す径200mmのセラミック基板
31にCH1〜CH6の埋め込みヒータ32を設けた半
導体ウェア用ヒータで1CHのみを使用し、ヒータ抵
抗:13Ω、ヒータ電圧:約20VAC、ヒータ電力:
約30〔W〕、温調制御周期:0.5〔sec〕、PI
D調整則:ジーグラニコラス法から微調整で実験を行っ
たところ、従来のサイクル制御では図7で示す最大0.
2°C、上記実施形態のサイクル制御では図8に示す最
大0.1°Cの温度変化となり、この実施形態による場
合の方が変化幅が小さいことが確認できた。
【0028】また、図9に示す原理のハロゲンランプ4
1と反射鏡42を備える半導体テスト用加熱用のスポッ
トヒータで加熱対象43を、定格電圧:100VAC、
消費電力:340W、最高到達温度:650°Cで加熱
実験したところ、従来のサイクル制御では温度変化幅が
図10に示す5.2°Cとなり、実施形態のサイクル制
御では、図11に示す2.6°Cとなり、やはりこの実
施形態による場合の方が、制御過程における変化幅が小
さい。
【0029】図12は、半導体ウエハ用ヒータに従来の
サイクル法(図12のa)と、実施形態で使用したサイ
クル法(図12のc)による制御をシミュレーションし
たものであり、従来のサイクル法による場合に比し、こ
の実施形態の方が温度変化の振れ幅が小さい結果が出て
いる。
【0030】図13は、スポットヒータ(ハロゲンラン
プ)に、従来のサイクル法(図13のa)、位相制御
(図13のb)、この実施形態のサイクル法(図13の
c)による制御をシミュレーションしたものであり、や
はり従来のサイクル法による場合に比し、この実施形態
の方が温度変化の振れ幅が小さく、位相制御と同程度の
振れ幅となる結果が出ている。
【0031】図14は、はんだごてを想定して、従来の
サイクル法(図14のa)、位相制御(図14のb)、
この実施形態のサイクル法(図14のc)による制御を
シミュレーションしたものであり、従来のサイクル法に
よる場合に比し、この実施形態の方が温度変化の振れ幅
が小さく、位相制御と同程度の振れ幅となる結果が出て
いる。
【0032】図15、図16、図17は、それぞれ50
〔HZ〕の交流成分を基本波とするシミュレーションに
よる出力電圧に含まれる基本波と高調波成分を示してい
る。図15は位相制御、図16は従来のサイクル制御、
図17はこの発明の実施形態のサイクル制御の場合であ
り、位相制御の場合、第3高調波、第5高調波、第7高
調波、……、と基本波の大きさの数十%の高調波が発生
しているが、この実施形態のサイクル制御では、従来の
サイクル制御と同様に、高周波が十分に低減されてい
る。
【0033】なお、上記実施形態のサイクル制御装置
は、アナログ演算回路で構成してもよいし、コンピュー
タ等のソフトウェアを含むデジタル演算回路で構成して
もよい。
【0034】また、上記実施形態のサイクル制御装置2
0は、ゼロクロス機能付きSSR3とで電力調整器を構
成する場合を想定しているが、この発明はサイクル制御
装置20を温度調節器1に内蔵させること、サイクル制
御装置20を単独ユニットとして構成し、温度制御装置
の温度調節器1とゼロクロス機能付きSSR3(電力調
整器)との間に設けることにも適用できる。
【0035】
【発明の効果】この発明によれば、指令値に応じ、制御
周期を決定し、半サイクル毎に出力補正し、指令値に応
じ、100〔%〕出力か0〔%〕出力を選択して出力す
るものであるから、従来のサイクル制御に比し、出力分
解能が高い。従来のサイクル制御に比し、出力応答が速
い。従来のサイクル制御に比し、ON状態が時間的に分
散されるので、制御対象を長寿命化できる。従来の位相
制御に比べて高速処理が必要ないため、装置が安価に実
現できる。ゼロ電圧スイッチングであるため、電気ノイ
ズが小さい。等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の温度制御装置を示すブロック図である。
【図2】同温度制御装置のサイクル制御を説明するため
の図である。
【図3】この発明の一実施形態である温度制御装置の構
成を示すブロック図である。
【図4】同実施形態温度制御装置を構成するサイクル制
御装置の動作を説明するフロー図である。
【図5】同サイクル制御装置の半サイクル毎の動作を説
明するための各部のレベルの一例を示す図である。
【図6】半導体ウエハ用ヒータの一例を示す図である。
【図7】同半導体ウエハ用のヒータを実験により、従来
のサイクル制御法で温度制御した場合の温度変化を示す
図である。
【図8】半導体ウエハ用ヒータを実験により、この発明
のサイクル制御法で温度制御した場合の温度変化を示す
図である。
【図9】スポットヒータを説明する図である。
【図10】スポットヒータを実験により、従来のサイク
ル制御法で温度制御した場合の温度変化を示す図であ
る。
【図11】スポットヒータを実験により、この発明のサ
イクル制御法で温度制御した場合の温度変化を示す図で
ある。
【図12】半導体ウエハ用ヒータをシミュレーションに
より、従来のサイクル制御法、この発明のサイクル制御
法により、温度制御した場合の温度変化を示す図であ
る。
【図13】スポットヒータをシミュレーションにより、
従来のサイクル法、位相制御法、この発明のサイクル制
御法で温度制御した場合の温度変化を示す図である。
【図14】はんだごてを想定し、シミュレーションによ
り、従来のサイクル制御法、位相制御法、この発明のサ
イクル制御法により、温度制御した場合の温度変化を示
す図である。
【図15】温度制御を位相制御法で行った場合の出力電
圧の周波数スペクトルを示す図である。
【図16】温度制御を従来のサイクル制御法で行った場
合の出力電圧の周波数スペクトルを示す図である。
【図17】温度制御を、この発明のサイクル制御で行っ
た場合の出力電圧の周波数スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
1 温度調節器 2、20 サイクル制御装置 3 ゼロクロス機能付きSSR 4 ヒータ 5 温度センサ 21 サンプル・ホールド部 22 出力誤差演算部 23 出力誤差累積部 24 加算部 25 比較部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半サイクル以上の所定のサイクル毎に入力
    指令値と実際の出力値の誤差値を演算する出力誤差演算
    手段と、この演算された出力誤差を累積する出力誤差累
    積手段と、前記入力指令値と前記出力誤差累積値とを加
    算する加算手段と、この加算手段の出力と所定の閾値を
    比較し、前記加算手段の出力が閾値より大なる場合に1
    00%を、出力が閾値より小なる場合に0%を出力する
    比較手段とを備えたことを特徴とするサイクル制御装
    置。
  2. 【請求項2】前記請求項1に記載のサイクル制御装置を
    内蔵したことを特徴とする電力調整器。
  3. 【請求項3】前記請求項1に記載のサイクル制御装置を
    内蔵したことを特徴とする温度調節器。
  4. 【請求項4】前記請求項1に記載のサイクル制御装置
    を、温度調節器と電力調整器の間に設置したことを特徴
    とする温度制御装置。
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