JP2001261321A - ホスゲンの製造方法およびポリカーボネート樹脂 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 四塩化炭素、塩素分子等（特に四塩化炭素）
の含有不純物の少ないホスゲンを効率よく製造する方法
およびポリカーボネート樹脂を提供する。 【解決手段】 ホスゲン化触媒として充填密度０．４２
０〜０．４５５ｇ／ｍｌ、比表面積１２００〜１３００
ｍ²／ｇ、細孔容積０．９０〜１．００ｍｌ／ｇ、粒密
度０．６５〜０．８０ｇ／ｍｌ、平均細孔径１．６５〜
１．９５ｎｍの活性炭を用いてホスゲンを製造し、次い
で該ホスゲンを蒸留することを特徴とするホスゲンの製
造方法および該ホスゲンと二価フェノールとを反応させ
て得られたポリカーボネート樹脂。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホスゲン化触媒と
して特定の活性炭を用いて四塩化炭素含有量の少ないホ
スゲンを製造する方法および該ホスゲンからのポリカー
ボネート樹脂に関する。更に詳しくは、充填密度０．４
２０〜０．４５５ｇ／ｍｌ、比表面積１２００〜１３０
０ｍ²／ｇ、細孔容積０．９０〜１．００ｍｌ／ｇ、粒
密度０．６５〜０．８０ｇ／ｍｌ、平均細孔径１．６５
〜１．９５ｎｍの活性炭（好ましくは椰子殻活性炭）を
用いてホスゲンを製造し、次いで該ホスゲンを蒸留する
ことを特徴とするホスゲンの製造方法および該ホスゲン
を用いて製造されたポリカーボネート樹脂に関する。

【０００２】

【従来の技術】ホスゲンを製造するにおいて、ホスゲン
化触媒として活性炭を用いてホスゲンを製造する方法に
関しては公知であると共に種々の製造方法が提案されて
いる。

【０００３】例えば、特公昭５５−１４０４４号公報に
おいては一酸化炭素／塩素のモル比を１．０００程度で
反応せしめて、四塩化炭素含有量２５０ｐｐｍ程度のホ
スゲン製造する方法、特開昭６２−２９７３２０号公報
において四塩化炭素５００ｐｐｍ含有するホスゲンを蒸
留してホスゲン中の四塩化炭素５ｐｐｍにする方法や特
開平１０−２２６７２４号公報においては塩素分子含有
量５００〜１０００ｐｐｍのホスゲンを製造し、該ホス
ゲンを活性炭吸着する方法によってホスゲン中の塩素分
子を少なくする方法が開示されている。しかし、何れの
方法においても四塩化炭素と塩素分子含有量を各々単独
で低減する方法であって、両者を同時に効率よく低減す
ることは出来なかった。また、蒸留で残った四塩化炭
素、の処理や塩素分子を吸着した活性炭を処理すること
が必須になり経済的にも負担が多く、地球環境への負荷
も大きい。即ち、このような不純物の発生の少ないホス
ゲンの製造方法が望まれている。

【０００４】また、ＷＯ９７／３０９３２号公報には、
特定条件で段階的に加熱した時の加熱減量が少なく、且
つ金属含有量が１０００ｐｐｍ以下の活性炭を用いて、
四塩化炭素の少ないホスゲンの製造方法が開示されてい
る。しかしながら、かかる活性炭は、製造プロセスが複
雑の上、活性炭の純度が高いため、触媒毒に敏感であ
り、触媒としての寿命が短い欠点があった。更に、かか
る公報にはホスゲン中の塩素分子についても、何らの考
慮がなされていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記課
題を解決すべく鋭意検討した結果、ホスゲン化触媒とし
て充填密度０．４２０〜０．４５５ｇ／ｍｌ、比表面積
１２００〜１３００ｍ²／ｇ、細孔容積０．９０〜１．
００ｍｌ／ｇ、粒密度０．６５〜０．８０ｇ／ｍｌ、平
均細孔径１．６５〜１．９５ｎｍの活性炭を用いてホス
ゲンを製造することによって、驚くべきことに、四塩化
炭素、塩素分子等（特に四塩化炭素）の含有量の少ない
ホスゲンが得られることまた、該ホスゲンを用いて製造
したポリカーボネート樹脂が色相が良好であることを究
明し、本発明を完成した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、四塩化
炭素、塩素分子等（特に四塩化炭素）の含有不純物の少
ないホスゲンを効率よく製造する方法および該ホスゲン
からのポリカーボネート樹脂を提供するものである。

【０００７】即ち、本発明の第１の目的は、ホスゲン化
触媒として充填密度０．４２０〜０．４５５ｇ／ｍｌ、
比表面積１２００〜１３００ｍ²／ｇ、細孔容積０．９
０〜１．００ｍｌ／ｇ、粒密度０．６５〜０．８０ｇ／
ｍｌ、平均細孔径１．６５〜１．９５ｎｍの活性炭を用
いてホスゲンを製造し、次いで該ホスゲンを蒸留するこ
とを特徴とするホスゲンの製造方法によって達成され
る。第２の目的は、該ホスゲンを用いて製造されたポリ
カーボネート樹脂によって達成される。

【０００８】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明のホスゲンの製造に用いるホスゲン化触媒として、充
填密度は０．４２０〜０．４５５ｇ／ｍｌであり、０．
４２５〜０．４５０ｇ／ｍｌが好ましい。充填密度が
０．４２０ｇ／ｍｌ未満の場合は品質的には特に問題な
いが、設備が極大化すると共に、設備費が増大するので
好ましくない。０．４５５ｇ／ｍｌを越えると圧力損失
が大きくなり、系内圧力上昇により高圧ガス規制法で生
産量が制限されるので好ましくない。

【０００９】ホスゲン化触媒の比表面積は１２００〜１
３００ｍ²／ｇである。比表面積は１２００ｍ²／ｇ未満
の場合はホスゲン中の四塩化炭素含有量は少なく出来る
が塩素分子含有量が多くなるので好ましくない。また、
１３００ｍ²／ｇを越えると塩素分子含有量は少なく出
来るが四塩化炭素含有量が多くなるので好ましくない。

【００１０】ホスゲン化触媒の細孔容積は０．９０〜
１．００ｍｌ／ｇである。細孔容積が０．９０ｍｌ／ｇ
未満の場合はホスゲン中の四塩化炭素含有量は少なく出
来るが塩素分子含有量が多くなるので好ましくない。
１．００ｍｌ／ｇを越えるとホスゲン中の塩素分子含有
量は少なく出来るが四塩化炭素含有量が多くなるので好
ましくない。

【００１１】ホスゲン化触媒の粒密度は０．６５〜０．
８０ｇ／ｍｌである。粒密度は０．６５ｇ／ｍｌ未満の
場合は、ホスゲン中の塩素分子含有量は少なく出来るが
四塩化炭素含有量が多くなるので好ましくない。０．８
０ｇ／ｍｌ越えるとホスゲン中の四塩化炭素含有量は少
なく出来るが塩素分子含有量が多くなるので好ましくな
い。

【００１２】ホスゲン化触媒の平均細孔径は１．６５〜
１．９５ｎｍが好ましい。平均細孔径１．９５ｎｍを越
えるとホスゲン中の四塩化炭素含有量は少なく出来るが
塩素分子含有量が多くなるので好ましくない。１．６５
ｎｍ未満は生産効率上悪くなるので好ましくない。

【００１３】ホスゲン化触媒に用いる活性炭は椰子殻が
好ましく、石炭系の活性炭は産地によって品質のバラツ
キがあるので好ましくない。

【００１４】尚、本発明に用いる活性炭は十分乾燥行
い、水分を少なくして用いることが好ましく、また、ホ
スゲンの原料である一酸化炭素はＣＯＳ、ＣＳ₂、Ｈ₂Ｓ
等の硫黄化合物や水分などの不純物の少ない物を用いる
ことが望ましい。

【００１５】本発明のホスゲンの製造方法の一例とし
て、一酸化炭素（以下、ＣＯと略称する）と塩素（以
下、Ｃｌ２と略称する）とを反応熱を除去するための機
能を有し、且つ、反応塔の周方向に１箇所以上、及び反
応塔の高さ位置の異なる１箇所以上の箇所に塩素導入口
を設けた反応塔で反応させる方法があげられる。この反
応塔の周方向の塩素導入口は１箇所以上であるが１〜１
０箇所が好ましく、２〜５箇所がより好ましい。導入箇
所１０箇所以内にすると装置が簡便で経済的に有利であ
る。また、反応塔の高さ位置の異なる塩素導入口は２箇
所以上であるが、３〜１０箇所が好ましく、３〜６箇所
がより好ましい。

【００１６】また、反応塔は２段以上の多段の反応槽で
行うことが好ましい。この多段の反応槽は２〜１０段が
好ましく、２〜６段がより好ましく、３〜４段が最も好
ましい。その４段の例として、反応熱を除去するための
機能を有した装置に活性炭の総比表面積を第４反応槽の
総比表面積に対し２０〜４０％の活性炭を充填した第１
反応槽、反応熱除去するための機能を有した装置に活性
炭の総比表面積を第４反応槽の総比表面積に対し４０〜
６０％の活性炭を充填した第２反応槽、反応熱を除去す
るための機能を有した装置に活性炭の総比表面積を第４
反応槽の総比表面積に対し７０〜８０％の活性炭を充填
した第３反応槽、反応熱を除去するための機能を有した
装置に活性炭のみを充填した第４反応槽を直列に接続し
た構成があげられる。更に塩素分子含有量を低くするた
めには、第４反応槽の後に反応熱を除去するための機能
を有し、金属アンチモンを充填した槽を設けるとよい。
この金属アンチモン充填槽の後に、一般的には−２０℃
のブラインを通液したコンデンサーと重量測定装置を付
設した液化ホスゲン貯槽を設ける。これらの装置を直列
に接続し、第１反応槽から、ＣＯとのモル比（ＣＯ／Ｃ
ｌ２のモル比）が１．０１５以上になるようにＣＯとＣ
ｌ２ガスを通気することによって得られる。より四塩化
炭素の生成量を少なくする方法としてはＣＯとＣｌ２ガ
スの通気量を少なくし、槽内での発熱量を少なくすれば
よい。更に少なくするにはホスゲンを蒸留分離する方法
があるが蒸留分離する方法では塩素分子含有量を下げる
効果は殆どない。また、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比が高い方
が金属アンチモンを少なくして塩素分子含有量を少なく
できるがＣＯ／Ｃｌ２のモル比が高過ぎると収率が低下
するので、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比は１．０１５〜１．０
６０の範囲が好ましく、１．０２０〜１．０４５の範囲
がより好ましい。

【００１７】ＣＯ／Ｃｌ２のモル比が１．０１５〜１．
０６０の範囲であるとホスゲン中の塩素分子含有量が少
なく、ポリカーボネート樹脂の色相が良くなると共に揮
発性ガスの発生が少なくなる。

【００１８】ホスゲンの蒸留は、単蒸留ないし蒸留段数
が数段の蒸留装置を用いて行う。例えば、ウイドマー精
留管を用いて蒸留する方法、スルーザーパッキングを充
填した蒸留塔（理論段数数段）を用いて精留する方法等
があげられる。

【００１９】本発明の方法で得られたホスゲンは品質に
優れているので、ポリカーボネート樹脂やイソシアネー
ト及び染料等の製造に好適に用いることができ、特にポ
リカーボネート樹脂の製造に極めて好適である。

【００２０】かかるポリカーボネート樹脂は通常二価フ
ェノールとホスゲンとを界面重合法で反応させて得られ
たもの、またはホスゲンを原料としたジアリルカーボネ
ートと二価フェノールを用いて溶融重合法で反応させて
得られたものである。特に界面重合法で反応させて得ら
れたポリカーボネート樹脂の製造に、極めて好適であ
る。

【００２１】ここで使用される二価フェノールの代表的
な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，
４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−
ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノール
Ａ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）
フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビ
ス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝
プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒ
ドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−
ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジ
メチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス
｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレ
ン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−
ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，
α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプ
ロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒ
ドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニル
ケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルお
よび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があ
げられ、これらは単独または２種以上を混合して使用で
きる。

【００２２】なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス
｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチル
ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選
ばれた少なくとも１種の二価フェノールより得られる単
独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノ
ールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
とビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ
−３−メチル）フェニル｝プロパンまたはα，α’−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベ
ンゼンとの共重合体が好ましく使用される。

【００２３】上記二価フェノールとホスゲンを界面重合
法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製造する
に当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェ
ノールの酸化防止剤等を使用する。またポリカーボネー
ト樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合し
た分岐ポリカーボネート樹脂にすることもできる。

【００２４】二価フェノールとホスゲンとの反応には、
酸結合剤および有機溶媒の存在させる。酸結合剤として
は、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアル
カリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用
いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、ク
ロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。ま
た、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ
−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブ
チルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級
アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触
媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜
４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨ
は９以上に保つのが好ましい。

【００２５】また、かかる重合反応において、通常末端
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
又は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式
（１）で表される単官能フェノール類を示すことができ
る。

【００２６】

【化１】

【００２７】［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直
鎖又は分岐のアルキル基、或いはフェニル基置換アルキ
ル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数であ
る。］上記単官能フェノール類の具体例としては、例え
ばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−
クミルフェノールおよびイソオクチルフェノール等１ケ
の水酸基を有するフェノール化合物がが挙げられる。

【００２８】このようにして界面重合反応によって得ら
れるポリカーボネート溶液は電解物質が無くなるまで有
機相を洗浄し、最終的には有機相から溶媒を除去して、
粒状体、フレーク等の固形物とし、この固形物を乾燥し
てポリカーボネート樹脂が得られるが一般的には乾燥し
た固形物を溶融押出しし、ペレット化した物を成形用に
好ましく供される。

【００２９】成形用に供されるポリカーボネート樹脂の
粘度平均分子量は１０，０００〜１００，０００程度で
あり、好ましくは１１，０００〜４５，０００程度であ
り、光ディスク用のポリカーボネート樹脂の分子量は、
粘度平均分子量で１０，０００〜２２，０００が好まし
く、１２，０００〜２０，０００がより好ましく、１
３，０００〜１８，０００が特に好ましい。かかる粘度
平均分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材
料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動
性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。

【００３０】シリコンウエハー等の精密機材収納容器に
用いられるポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平均
分子量で１４，０００〜３０，０００が好ましく、１
４，５００〜２５，０００がより好ましく、１５，００
０〜２４，０００がさらに好ましい。かかる粘度平均分
子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、一定の機
械的強度を有し成形時の流動性も良好であり好ましい。

【００３１】上記ポリカーボネート樹脂に離型剤、帯電
防止剤、増白剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤
（耐候剤）、抗菌剤等の改質改良剤を適宜添加して用い
ることができる。

【００３２】

【実施例】以下実施例にしたがって、本発明を具体的に
説明するが本発明の要旨を越えない限り、これらの実施
例によって限定されるものではない。尚、評価は次に示
す方法で行った。 （１）活性炭の充填密度の測定 ＪＩＳＫ−１４７４記載の方法に従って測定した。 （２）活性炭の比表面積の測定 ＢＥＴ式窒素ガス吸着法で測定した。 （３）活性炭の細孔容積、粒密度、平均細孔径の測定 水銀圧入法で測定した。 （４）ホスゲン中の四塩化炭素の測定 得られたホスゲン１μｌを電子捕獲型検出器付きガスク
ロマトグラフ装置（日立製作所製）に注入し測定した。 （５）ホスゲン中の塩素分子含有量の測定 得られたホスゲンを１００ｇサンプリングし、これを気
化させて、ＮａＯＨ溶液に吸収させて、ＮａＣｌＯとし
て酸化還元滴定し、その絶対量を測定して、ホスゲン中
の塩素含有量とした。

【００３３】［比較例１］反応熱を除去する機能を有し
た多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水し、チ
ューブ側に充填密度０．４００ｇ／ｍｌ、比表面積１４
００ｍ²／ｇ、細孔容積１．１０ｍｌ／ｇ、粒密度０．
６０ｇ／ｍｌ、平均細孔径１６．０ｎｍの椰子殻活性炭
５０ｋｇを充填した反応槽の後に−２５℃のブラインを
通液したコンデンサーと重量測定装置を付設した液化ホ
スゲン貯槽を設け、これらの装置を直列に接続し、反応
槽から、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比１．０１０になるように
ＣＯ１０．１０ｍ³／ＨｒとＣｌ２ガス１０．００ｍ³／
Ｈｒを通気して液化ホスゲンを得た。このホスゲン中の
塩素分子１５ｐｐｍ、四塩化炭素含有量１３５ｐｐｍで
あった。得られたホスゲンの評価結果を表１にまとめ
た。

【００３４】［比較例２］反応熱を除去する機能を有し
た多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水し、チ
ューブ側に充填密度０．４８０ｇ／ｍｌ、比表面積１１
００ｍ²／ｇ、細孔容積０．８５ｍｌ／ｇ、粒密度０．
８５ｇ／ｍｌ、平均細孔径２０．３ｎｍの椰子殻活性炭
５０ｋｇを充填した反応槽の後に−２５℃のブラインを
通液したコンデンサーと重量測定装置を付設した液化ホ
スゲン貯槽を設け、これらの装置を直列に接続し、反応
槽から、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比１．０２０になるように
ＣＯ１０．２０ｍ³／ＨｒとＣｌ２ガス１０．００ｍ³／
Ｈｒを通気して液化ホスゲンを得た。このホスゲン中の
塩素分子８ｐｐｍ、四塩化炭素含有量７０ｐｐｍであっ
た。得られたホスゲンの評価結果を表１にまとめた。

【００３５】［実施例１］反応熱を除去する機能を有し
た多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水し、チ
ューブ側に充填密度０．４３０ｇ／ｍｌ、比表面積１３
００ｍ²／ｇ、細孔容積０．９８ｍｌ／ｇ、粒密度０．
６９ｇ／ｍｌ、平均細孔径１７．０ｎｍの椰子殻活性炭
５０ｋｇを充填した反応槽の後に−２５℃のブラインを
通液したコンデンサーと重量測定装置を付設した液化ホ
スゲン貯槽を設け、これらの装置を直列に接続し、反応
槽から、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比１．０２０になるように
ＣＯ１０．２０ｍ³／ＨｒとＣｌ２ガス１０．００ｍ³／
Ｈｒを通気して液化ホスゲンを得た。このホスゲン中の
塩素分子４ｐｐｍ、四塩化炭素含有量６４ｐｐｍであっ
た。この液化ホスゲンを住友重機械工業（株）製スルー
ザーパッキングを充填した蒸留塔（理論段数６）を用い
て還流比０．４、ホスゲンフィード温度３１．０℃、塔
頂温度２７．０℃の条件で精留した。得られたホスゲン
の評価結果を表１にまとめた。

【００３６】次に、かかるホスゲンを用いてポリカーボ
ネート樹脂を製造した。温度計、撹拌機及び還流冷却器
付き反応器にイオン交換水２１９．４部、４８％水酸化
ナトリウム水溶液４０．２部を仕込み、これに２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７．５部お
よびハイドロサルファイト０．１２部を溶解した後、塩
化メチレン１８１部を加え、撹拌下１５〜２５℃で上記
ホスゲン２８．３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン
吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７．２
部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．４２部を
加え、撹拌を始め、乳化後トリエチルアミン０．０６部
を加え、さらに２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終
了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水
洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン
交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取
出口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレン
を蒸発して、粘度平均分子量１５，１００のポリカーボ
ネート樹脂パウダーを得た。このパウダーを１４５℃、
６時間乾燥し、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを０．００４重量％、ステアリ
ン酸モノグリセリドを０．０６重量％加えた。次に、か
かるパウダーをベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製
ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２４０℃、ベント
ガス吸引度−６６７Ｐａで脱気しながら溶融混練し、ペ
レットを得た。このペレットは、色相が良好であった。

【００３７】［実施例２］反応熱を除去する機能を有し
た多管式反応槽のシェル側に１０℃の冷水を通水し、チ
ューブ側に充填密度０．４５０ｇ／ｍｌ、比表面積１２
００ｍ²／ｇ、細孔容積０．９１ｍｌ／ｇ、粒密度０．
７８ｇ／ｍｌ、平均細孔径１８．５ｎｍの椰子殻活性炭
５０ｋｇを充填した反応槽の後に−２５℃のブラインを
通液したコンデンサーと重量測定装置を付設した液化ホ
スゲン貯槽を設け、これらの装置を直列に接続し、反応
槽から、ＣＯ／Ｃｌ２のモル比１．０２０になるように
ＣＯ１０．２０ｍ³／ＨｒとＣｌ２ガス１０．００ｍ³／
Ｈｒを通気して液化ホスゲンを得た。このホスゲン中の
塩素分子５ｐｐｍ、四塩化炭素含有量６１ｐｐｍであっ
た。この液化ホスゲンを住友重機械工業（株）製スルー
ザーパッキングを充填した蒸留塔（理論段数６）を用い
て還流比０．４、ホスゲンフィード温度３１．０℃、塔
頂温度２７．０℃の条件で精留した。得られたホスゲン
の評価結果を表１にまとめた。

【００３８】次に、かかるホスゲンを用いてポリカーボ
ネート樹脂を製造した。実施例１のポリカーボネート樹
脂を製造するにおいて、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル１．５５部に変更した以外は実施例１と同じ方法で行
い、粘度平均分子量２３，５００のポリカーボネート樹
脂ペレットを得た。得られたペレットは、色相が良好で
あった。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【発明の効果】本発明は、四塩化炭素、塩素分子等（特
に四塩化炭素）の含有不純物の少ないホスゲンを効率よ
く製造できるのでポリカーボネート樹脂、イソシアネー
ト、医薬及び染料等広範囲の分野の原料として好適であ
る。特にポリカーボネート樹脂の製造に好適に用いられ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G046 HA01 HB02 HB05 HB06 HC15 4G069 AA02 AA12 BA08A BA08B CB25 CB59 DA06 EC05X EC05Y EC07X EC07Y EC13X EC13Y EC21X EC21Y 4J029 AA09 AB01 AC02 AE01 AE04 BB04A BB05A BB10A BB12A BB12B BB12C BB13A BB13B BB15B BC07A BC07B BD08 BD09A BD09B BE05A BE07 BF14A BG08X BH02 DB07 DB10 DB13 FA07 HC01 JC031 JC091 JC231 JC631 JF031 JF041 KE09 KE11

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホスゲン化触媒として充填密度０．４２
   ０〜０．４５５ｇ／ｍｌ、比表面積１２００〜１３００
   ｍ²／ｇ、細孔容積０．９０〜１．００ｍｌ／ｇ、粒密
   度０．６５〜０．８０ｇ／ｍｌ、平均細孔径１．６５〜
   １．９５ｎｍの活性炭を用いてホスゲンを製造し、次い
   で該ホスゲンを蒸留することを特徴とするホスゲンの製
   造方法。
2. 【請求項２】 活性炭が椰子殻活性炭である請求項１記
   載のホスゲンの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２のいずれか１項記載の
   ホスゲンと二価フェノールとを反応させて得られたポリ
   カーボネート樹脂。