JP2001244057A

JP2001244057A - セラミックヒーターとその製造方法及びこれを用いたウエハ加熱装置

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Publication number: JP2001244057A
Application number: JP2000050976A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Tanaka; 智田中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-02-28
Filing date: 2000-02-28
Publication date: 2001-09-07
Anticipated expiration: 2020-02-28
Also published as: JP3847045B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ウエハ加熱装置に用いるセラミックヒーターに
おいて、板状体として炭化珪素質セラミックスを用いた
場合、炭化珪素質セラミックスの表面に発熱抵抗体を形
成しようとすると、発熱抵抗体に添加しているガラス成
分が炭化珪素に濡れず発熱抵抗体が容易に剥離してしま
うという課題があった。【解決手段】炭化珪素質セラミックスからなる板状体の
一方の主面に、厚み０．０５〜２．０μｍのＳｉＯ₂か
らなる膜と、厚み１０〜６００μｍのガラスからなる絶
縁層をこの順に備え、該絶縁層上に発熱抵抗体を備える
とともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を
具備してセラミックヒーターを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主にウエハを加熱
するのに用いるウエハ加熱装置及びこれに用いるセラミ
ックヒーターとその製造方法に関するものであり、例え
ば、半導体ウエハや液晶基板あるいは回路基板等のウエ
ハ上に半導体薄膜を生成したり、前記ウエハ上に塗布さ
れたレジスト液を乾燥焼き付けしてレジスト膜を形成す
るのに好適なウェハ加熱装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体製造装置の製造工程にお
ける、半導体薄膜の成膜処理、エッチング処理、レジス
ト膜の焼き付け処理等においては、半導体ウエハ（以
下、ウエハと略す）を加熱するためにウエハ加熱装置が
用いられている。

【０００３】従来の半導体製造装置は、まとめて複数の
ウエハを成膜処理するバッチ式のものが使用されていた
が、ウエハの大きさが８インチから１２インチと大型化
するにつれ、処理精度を高めるために、一枚づつ処理す
る枚葉式と呼ばれる手法が近年実施されている。しかし
ながら、枚葉式にすると１回当たりの処理数が減少する
ため、ウエハの処理時間の短縮が必要とされている。こ
のため、ウエハ支持部材に対して、ウエハの加熱時間の
短縮、ウエハの吸着・脱着の迅速化と同時に加熱温度精
度の向上が要求されていた。

【０００４】上記のようなウエハ加熱装置の例として、
例えば特開平１１−４０３３０号公報に「窒化物セラミ
ックスまたは炭化物セラミックスからなる板状体の表面
に、金属粒子を焼結して形成した発熱体を設けてなるこ
とを特徴とするヒーター」が示されている。

【０００５】このセラミックヒーターは、ウエハ表面に
形成された感光性樹脂を乾燥させるヒーターである。こ
の構造を図４を用いて説明すると、セラミックスからな
る均熱板３２の表面に金、銀、白金、パラジウム、鉛、
タングステン、ニッケルから選ばれる１種以上の金属粒
子を焼結させた金属粒子焼結体３４とＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上の金属
からなる金属被覆層３４からなる発熱抵抗体３５が形成
されている。また、金属粒子焼結体３４には、窒化物セ
ラミックスおよび炭化物セラミックスに前記金属粒子を
密着させるために金属酸化物を含ませることが示されて
いる。また、窒化物セラミックスおよび炭化物セラミッ
クスの表面に形成されている薄い酸化膜が、金属粒子表
面の酸化膜および前記金属酸化物と反応して発熱抵抗体
５の密着性が向上することが示されている。また、導通
端子３７がハンダ３６により発熱抵抗体３５に固定され
ている。そして、ウエハＷはリフトピン３９により均熱
板３２と離間して設置されることが示されている。

【０００６】窒化アルミニウム質セラミックスと炭化珪
素質セラミックスは、両者とも熱伝導率が高いので均熱
性を必要とする半導体ウエハ加熱装置用の均熱板３２の
材料としては好適であるが、感光性樹脂からなる膜をウ
エハＷの上に形成し乾燥させる工程に使用される均熱板
３２の材料としては、炭化珪素質セラミックスの方が優
れている。これは、窒化アルミニウム質セラミックスの
場合、窒化アルミニウムが空気中の水分と反応してアン
モニアガスを発生させ、これが感光性樹脂に悪影響を与
えるからである。そこで、感光性樹脂の乾燥工程に使用
される均熱板３２としては、炭化珪素質セラミックスの
方が有用である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、均熱板
の基材として炭化珪素質セラミックスを用いた場合、炭
化珪素質セラミックスと発熱抵抗体との間の絶縁層を形
成することが困難であった。例えば、絶縁層としてＡｕ
−Ｐｔ混合粉末にガラスを混合したペーストを炭化珪素
質セラミックスの表面にプリント法により形成し焼結さ
せようとすると、発熱抵抗体に添加しているガラス成分
が炭化珪素に濡れず発熱抵抗体が容易に剥離してしまう
という問題があった。そこで、Ｘ線電子分校分析によ
り、炭化珪素質セラミックスの表面をスパッタリングし
ながら酸化皮膜の厚みを分析してみたところ、酸化皮膜
の厚みは、２０〜３０ｎｍ程度と非常に薄いことが判っ
た。

【０００８】また、発熱抵抗体を形成する際に、これを
プリントする絶縁層の平坦度が悪いとプリントした発熱
抵抗体に厚みバラツキが発生し、これにより均熱板に温
度分布が発生し、ウエハの温度が安定しないという課題
があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題について鋭意検討した結果、ウェハ加熱装置を構成す
るセラミックヒーターとして、炭化珪素質セラミックス
からなる板状体の一方の主面に、厚み０．０５〜２．０
μｍのＳｉＯ₂からなる膜と、厚み１０〜６００μｍの
ガラスからなる絶縁層をこの順に備え、該絶縁層上に発
熱抵抗体を備えるとともに、該発熱抵抗体と電気的に接
続される給電部を具備することにより、上記課題を解決
することができることを見出した。

【００１０】また、前記絶縁層の平坦度を３００μｍ以
下とすることにより、プリント形成する発熱抵抗体の厚
みを所定範囲内に管理することができ、ウエハの温度制
御の精度を向上させることができることが判った。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１２】図１は本発明のウエハ加熱装置の一例を示
す断面図で、炭化珪素を主成分とするセラミックスの板
状体からなる均熱板２の一方の主面を、ウエハＷを載せ
る載置面３とするとともに、他方の主面に形成されたＳ
ｉＯ₂膜２１の上にガラスからなる絶縁層４を介して発
熱抵抗体５を形成し、この発熱抵抗体５と電気的に接続
する給電部６を備えてセラミックヒーターを構成したも
のである。

【００１３】図２を用いて、さらに本発明のウエハ加熱
装置の均熱板２の構造を細かく説明する。均熱板２のウ
エハ載置面３を除く表面には、酸化雰囲気中で熱処理す
ることにより生成したＳｉＯ₂膜２１が形成されてい
る。そして、このＳｉＯ₂膜２１の上にガラスからなる
絶縁層４が形成され、さらにその上に、Ａｕ、Ｐｔ族金
属もしくはこれらの合金からなる発熱抵抗体５が形成さ
れ、この発熱抵抗体５には給電部６が形成されてセラミ
ックヒーターを構成してある。このセラミックヒーター
を支持体１１に接合し、上記給電部６に導通端子７を押
圧して接続することによりウェハ加熱装置を構成してい
る。また、ウエハＷは、支持ピン２２により載置面３か
ら離間して保持される。これにより、ウエハＷが均熱板
２に片当たりして温度分布が悪くなるといった問題を防
止している。

【００１４】前記ＳｉＯ₂膜２１の厚みｔは、０．０５
〜２．０μｍとする。さらに好ましくは、０．１〜１．
０μｍとすることが好ましい。これにより、表面に形成
するガラスからなる絶縁層４を炭化珪素質セラミックス
表面に信頼性高く形成することが可能となる。この厚み
ｔを０．０５μｍ未満とすると、この上に絶縁層４とな
るガラス層を形成した場合に、表面のＳｉＯ₂膜２１が
ガラスに吸収され、絶縁層４に均熱板２からのハジケが
発生してしまい好ましくない。また、前記ＳｉＯ₂膜２
１の厚みを２．０μｍより大きくすると、ＳｉＯ₂膜２
１中にクリストバライトからなる結晶相が増えてしま
い、絶縁層４の密着性が低下してしまうので好ましくな
い。なお、信頼性と生産性の面から考慮するとＳｉＯ₂
膜２１の厚みｔは０．１〜１．０μｍとすることがさら
に好ましい。

【００１５】また、ＳｉＯ₂膜２１は、アモルファス状
態であることが好ましいが、厚みが厚くなったり前記Ｓ
ｉＯ₂膜２１を徐冷したりすると、ＳｉＯ₂膜２１内に結
晶が生成してくる。析出する結晶相としては、クォー
ツ、クリストバライト、トリジマイト等の結晶相が生成
してくる。このうち、特にクリストバライトは、１８０
〜２７０℃に大きな体積変化を伴うα相とβ相間の転移
点があり、ＳｉＯ₂膜２１にクラックを発生させるので
結晶相として好ましくない。

【００１６】これに対し、本発明者等が鋭意検討した結
果、ＳｉＯ₂膜２１に含まれる結晶相であるクリストバ
ライトの（１０１）面のピーク高さが炭化珪素の（１０
２）面のピーク高さに対し１０％以下であるようにすれ
ば、良好な耐久性を示すことが判った。逆に、前記ピー
ク高さの割合が１０％を越えると、熱サイクル試験にお
いて絶縁層４にクラックが発生したり絶縁層４が剥離し
易くなり、発熱抵抗体５が断線してしまうので好ましく
ない。

【００１７】なお、炭化珪素の結晶相については、六方
晶系であるα−炭化珪素の主ピークである（１０２）面
を取り上げたが、実際は、炭化珪素の他の結晶系とピー
クが重なるものがあるが、全てを前記ピークに代表させ
て表記した。また、前記ＳｉＯ₂膜２１を１４７０〜１
５７０℃付近で徐冷するとトリジマイトが生成する場合
がある。この場合、トリジマイトも１１０〜１６５℃付
近に体積変化を伴うα相とβ相間の転移点があるので、
ＳｉＯ₂膜２１中にトリジマイトが生成することも好ま
しくない。

【００１８】また、図３に本発明のＳｉＯ₂膜２１を表
面に形成した炭化珪素のＸ線回折ピークの一例を示し
た。図の左側の矢印で示したピークが、クリストバライ
トの主ピークである（１０１）面のピークであり、上に
ＳｉＣ（１０２）と記したピークが炭化珪素の（１０
２）面のピークである。

【００１９】また、前記ＳｉＯ₂膜２１を形成する方法
については、炭化珪素質セラミックスからなる均熱板２
を平坦度１００μｍ以下に研磨した後、酸化雰囲気中１
２００〜１６００℃で１〜１２時間処理し、冷却過程に
おいて少なくとも１０００〜６００℃を２００℃／時間
より速い速度で冷却することにより、前記のようにクリ
ストバライト結晶の生成を抑えたＳｉＯ₂膜２１を形成
することができる。

【００２０】また、ＳｉＯ₂膜２１中の酸素の拡散は非
常に遅いので、本発明の請求範囲相当の厚みのＳｉＯ₂
膜２１を炭化珪素質セラミックスからなる均熱板２の表
面に形成するには、このように、高温の酸化雰囲気中で
熱処理を施すことが必要である。

【００２１】そして、酸化雰囲気中の熱処理により形成
したＳｉＯ₂膜２１のうち、載置面３側の膜は、研磨に
より除去する。

【００２２】また、ガラスからなる絶縁層４は、厚みを
１０〜６００μｍとする。この厚みが１０μｍ以下であ
ると、均熱板２と発熱抵抗体５との間の電気的な絶縁が
不十分となる。また、前記厚みが６００μｍ以上となる
と、ガラスは熱伝導率が低いので、発熱抵抗体５からウ
エハＷ載置面３への熱伝達が遅くなってしまうので好ま
しくない。

【００２３】このガラスからなる絶縁層４の表面は、平
坦度が３００μｍ以下であることが望ましい。これは、
もし平坦度が３００μｍより大きいと、絶縁層４の表面
に発熱抵抗体５をプリント法により形成する際に、厚み
バラツキが生じて発熱抵抗体５の抵抗分布が崩れてしま
うからである。

【００２４】ガラスからなる絶縁層４の平坦度を３００
μｍ以下とするためには、均熱板２の絶縁層４を塗布す
る側の炭化珪素質セラミックスの平坦度を３００μｍ以
下とすると同時に、炭化珪素質セラミックスの熱膨張率
３．９×１０^-6ｄｅｇ^-1に対し、ガラスの熱膨張率を
３．０〜３．６×１０^-6ｄｅｇ^-1とすることが必要であ
る。これは、ガラスが焼結する際の収縮による応力が焼
き付けの際の熱処理では十分緩和されず、絶縁層４側が
凹となるような反りが残留しやすいからである。このよ
うに、ガラスの熱膨張率を炭化珪素質セラミックスの熱
膨張率より小さくすることにより均熱板２の反りを低減
することが、平坦度を向上させるのに有効である。

【００２５】また、前記絶縁層４の平坦度が３００μｍ
より大きい場合は、予め膜厚を管理した発熱抵抗体５を
転写シートに形成しておき、該発熱抵抗体５を転写によ
り絶縁層４上に形成することによって発熱抵抗体５の厚
みを均一とし、均熱板２を均一に加熱することができる
ようにする。

【００２６】また、ガラスからなる絶縁層４は、プリン
トもしくは転写により一定厚みの膜を形成し、そのガラ
スの作業点以上の温度で熱処理することにより形成す
る。ガラスの熱膨張率は、炭化珪素の熱膨張率３．９×
１０^-6ｄｅｇ^-1より若干小さな３．０〜３．６×１０^-6
ｄｅｇ^-1程度にすることが好ましい。これは、ガラスが
焼結し溶融する際に、その収縮による応力を十分緩和し
切っておらず、収縮による応力が反りの形で残留してい
るため、この分を吸収するためガラスの熱膨張率を炭化
珪素に較べ若干小さくする。この結果、ガラスに残留す
る応力が圧縮応力となるので、熱応力に対しクラックが
発生し難くなるからである。

【００２７】さらに、発熱抵抗体５は、絶縁層４との密
着性を高めるためガラスを含み、このガラスの軟化点
が、絶縁層４に含まれるガラスの転移点より低いことが
発熱抵抗体５の加工精度を向上させる上で好ましい。ガ
ラスは転移点以上の温度では高粘度の粘性流体であると
考えられる。このため、絶縁層４に含まれるガラスの転
移点より発熱抵抗体５に含まれるガラスの軟化点を低く
し、発熱抵抗体５の焼き付け時に、基材となる絶縁層４
に影響がでないようにする。

【００２８】発熱抵抗体５のパターン形状としては、円
弧状の電極部と直線状の電極部とからなる略同心円状を
したものや渦巻き状をしたものなど、載置面３を均一に
加熱できるパターン形状であれば良い。均熱性を改善す
るため、発熱抵抗体５を複数のパターンに分割すること
も可能である。また、発熱抵抗体５としては、金や銀、
パラジウム、白金族の金属等の材質のものを使用するこ
とができる。また、必要に応じて発熱抵抗体をトリミン
グすることにより、均熱性を向上させる。

【００２９】また、ウエハ載置面３の赤外線放射率は８
０％以上であることが好ましい。これにより、均熱板２
の熱が載置面３から赤外線および遠赤外線でウエハＷに
高効率で放射されるので、載置面３表面の温度が一定に
なりやすく、また、ウエハＷの加熱効率が高くなる。

【００３０】炭化珪素質セラミックスには、炭素と炭化
硼素を焼結助剤として用いる系とＡｌ₂Ｏ₃およびＹ₂Ｏ₃
を添加する系、また、Ｓｉの成形体を炭素系ガス中で処
理して炭化する反応焼結により形成した系等がある。炭
素を添加した系は、炭素が残留するので一般的には黒く
なり、また、Ａｌ₂Ｏ₃およびＹ₂Ｏ₃を添加した系は、炭
化珪素にＡｌが固溶することにより黒くなるので、この
ような操作を管理することにより赤外線放射率を８０％
以上にすることができる。また、反応焼結により作製し
た炭化珪素は、反応焼結の状態により色が黄緑色から灰
色になる場合がある。この場合、赤外線放射率の高い材
料、例えば、コージライトを溶射したり、ＣＶＤ等の手
法を用いて表面に炭化珪素からなる皮膜を形成すること
により赤外線放射率を８０％以上にすることができる。

【００３１】なお、均熱板２を形成する炭化珪素質セラ
ミックスは、主成分の炭化珪素に対し、焼結助剤として
硼素（Ｂ）と炭素（Ｃ）を添加したり、もしくはアルミ
ナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、イットリア（Ｙ₂Ｏ₃）のような金属酸
化物を添加して十分混合し、平板状に加工したのち、１
９００〜２１００℃で焼成することにより得られる。炭
化珪素はα型を主体とするものあるいはβ型を主体とす
るもののいずれであっても構わない。

【００３２】また、反応焼結による炭化珪素は、Ｓｉ粉
末からなる成形体を形成し、これを１６００〜２０００
℃の炭化水素ガス中で炭化処理することにより得ること
ができる。

【００３３】さらに均熱板２は、均熱板２と支持体１１
の外周にボルト１７を貫通させ、均熱板２側より弾性体
８、座金１８を介在させてナット１９を螺着することに
より弾性的に固定している。これにより、均熱板２の温
度を変更したり載置面３にウエハを載せ均熱板２の温度
が変動した場合に支持体１１変形が発生しても、上記弾
性体８によってこれを吸収し、これにより均熱板２の反
りを防止し、ウエハＷ加熱におけるウエハＷ表面に温度
分布が発生することを防止できる。

【００３４】また、熱電対１０は、均熱板２の中央部の
ウエハ載置面３の直近に設置され、熱電対１０の温度を
基に均熱板２の温度を調整する。発熱抵抗体５が複数の
ブロックに別れており、個別に温度制御する場合は、そ
れぞれの発熱抵抗体５のブロックに測温用の熱電対１０
を設置する。熱電対１０としては、その応答性と保持の
作業性の観点から、外径１．０ｍｍ以下のシース型の熱
電対１０を使用することが好ましい。また、均熱板２に
埋め込まれた先端部に力が掛からないように熱電対１０
の途中が支持部７の板状構造部１３に保持されている。
この熱電対１０の先端部は、均熱板２に孔が形成され、
この中に設置された円筒状の金属体の内壁面にバネ材に
より押圧固定することが測温の信頼性を向上させるため
に好ましい。

【００３５】また、支持体１１は板状構造体１３と側壁
部からなり、該板状構造体１３には発熱抵抗体５に電力
を供給するための導通端子７が絶縁材９を介して設置さ
れ、不図示の空気噴射口や熱電対保持部が形成されてい
る。そして、前記導通端子７は、給電部６に弾性体８に
より押圧される構造となっている。また、前記板状構造
体１３は、複数の層から構成されている。

【００３６】また、均熱板２に形成された給電部６と導
通端子７間の接続を、押圧による接触とすることによ
り、均熱板２と支持体１１の温度差による両者の膨張の
差を接触部分の滑りで緩和できるので、使用中の熱サイ
クルに対し、耐久性良好なウエハ加熱装置を提供するこ
とができる。この押圧手段である弾性体８としては、図
１に示すようなコイル状のバネや、他に板バネ等を用い
て押圧するようにしても構わない。

【００３７】弾性体８の押圧力としては、０．３Ｎ以上
の荷重を導通端子７に掛けるようにすればよい。弾性体
８の押圧力を０．３Ｎ以上とする理由は、均熱板２およ
び支持体１１の膨張収縮による寸法変化に対し、それに
応じて導通端子７が移動しなければならないが、装置の
構成上導通端子７を均熱板２の下面から給電部６に押し
当てるようにしているため、導通端子７の摺動部との摩
擦により導通端子７が給電部６から離れることを防止す
る為である。

【００３８】また、導通端子７の給電部６との当接面側
の径は、１．５〜４ｍｍとすることが好ましい。さら
に、導通端子７を保持する絶縁材９は、その使用温度に
応じて、２００℃以下の温度では、ガラス繊維を分散さ
せたＰＥＥＫ（ポリエトキシエトキシケトン樹脂）材の
ものを用いることが可能であり、また、それ以上の温度
で使用する場合は、アルミナ、ムライト等からなるセラ
ミック製の絶縁材９を用いることが可能である。

【００３９】このとき、導通端子７の少なくとも給電部
６との当接部を、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、ステンレス
および白金族の金属のうち少なくとも１種以上からなる
金属により形成することが好ましい。具体的には、導通
端子７自体を上記金属で形成するか、または導通端子７
の表面に該金属からなる被覆層を設けることもできる。

【００４０】あるいは、導通端子７と給電部６の間に上
記金属からなる金属箔を挿入することにより、導通端子
７表面の酸化による接触不良を防止し、均熱板２の耐久
性を向上させることが可能となる。

【００４１】また、導通端子７の表面にブレーチング加
工やサンドブラスト加工を施したりして、表面を荒らす
ことにより接点が点接触となることを防止すると、さら
に接触の信頼性を向上させることができる。ウエハ加熱
装置１は、均熱板２面内の温度は均一になるように調整
するが、加熱時、ウエハの入れ替え時等は、構造的に均
熱板２と支持体９の温度の関係は一定ではない。この温
度差により、給電部６と導電端子７は、捻れた位置関係
で接触する場合が多いので、これらの接点を平坦に加工
すると、片当たりして接触不良を起こしやすい。

【００４２】そして、このウエハ加熱装置１によりウエ
ハＷを加熱するには、不図示の搬送アームにて載置面３
の上方まで運ばれたウエハＷを不図示のリフトピンにて
支持したあと、リフトピン８を降下させてウエハＷを載
置面３上に載せる。

【００４３】次に、給電部６に通電して発熱抵抗体５を
発熱させ、絶縁層４及び均熱板２を介して載置面３上の
ウエハＷを加熱する。均熱板２を炭化珪素質焼結体によ
り形成すると、熱を加えても変形が小さく、板厚を薄く
できるため、所定の処理温度に加熱するまでの昇温時間
及び所定の処理温度から室温付近に冷却するまでの冷却
時間を短くすることができ、生産性を高めることができ
るとともに、８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有するこ
とから、薄い板厚でも発熱抵抗体５のジュール熱を素早
く伝達し、載置面３の温度ばらつきを極めて小さくする
ことができる。

【００４４】さらに、このようなウエハ加熱装置１をレ
ジスト膜形成用として使用する場合は、炭化珪素質焼結
体を均熱板２に使用すると、大気中の水分等と反応して
アンモニアガスを発生させレジスト膜を劣化させること
がないので好ましい。また、この際、焼結助剤に水と反
応してアンモニアやアミンを形成する可能性のある窒化
物を含まないようにすることが必要である。これによ
り、ウエハＷ上に微細な配線を高密度に形成することが
可能となる。

【００４５】

【実施例】実施例１炭化珪素原料に３重量％のＢ₄Ｃと２重量％の炭素を適
量のバインダおよび溶剤を用いて混合し、造粒したあと
成形圧１００ＭＰａで成形し１９００〜２１００℃で焼
成して、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋであり外径が２３０
ｍｍの円盤状の炭化珪素質焼結体を得る。そして、両面
を平面研削した後、１０００℃、１１００℃、１２００
℃、１４００℃、１６００℃×１時間と、１６００℃×
２時間、４時間、８時間、１２時間、さらに１８００℃
×４時間、８時間の熱処理を各々施し、冷却時少なくと
も１０００℃から６００℃までを３００℃／時間の速度
で冷却してＳｉＯ₂からなる膜２１を形成した後、一方
の表面に２００μｍのガラスペーストをプリント形成
し、９００℃で焼き付け処理することにより絶縁層４を
形成し、絶縁層４の状態を観察した。尚、ガラスの熱膨
張率は、３．４×１０ ^-6ｄｅｇ^-1のものを用いた。

【００４６】また、こうして作製した一方の面にガラス
を塗布した円盤状の炭化珪素質焼結体を３００℃の恒温
槽に３０分間挿入し均熱化したものを、室温に取り出し
て空気吹き付けにより急冷し、再度３００℃の恒温槽に
挿入するサイクルを５００サイクル施して、ガラスから
なる絶縁層４の状態を確認した。

【００４７】熱処理後に形成されたＳｉＯ₂からなる膜
２１の厚みｔは、Ｘ線光電子分光分析装置（ＰＨＩ製Ｑ
ｕａｎｔｕｍ２０００）を用いて、表面を１８．７ｎｍ
／ｍｉｎのスパッタレートでスパッタリングすることに
より、確認した。

【００４８】結果を、表１に示した。

【００４９】

【表１】

【００５０】表１から判るように、全く熱処理を施して
いないＮｏ．１は、表面に形成されたＳｉＯ₂からなる
膜２１の厚みｔが０．０２μｍと非常に薄いため、ガラ
スからなる絶縁層４を形成した際に、表面のＳｉＯ₂か
らなる膜２１がガラスに吸収され、一部にハジケが発生
した。また、前記膜が２μｍ以上となった１８００℃×
８時間処理したＮｏ．１３は、耐久テスト後、絶縁層４
にクラックが発生していることが判った。

【００５１】これに対し、ＳｉＯ₂からなる膜２１の厚
みｔが０．０５〜２．０μｍであるＮｏ．２〜１２はガ
ラス層のハジケが発生せず均質なガラス層が生成でき
た。また、耐久テストにおいてガラスからなる絶縁層４
にクラックが発生しないことが判った。

【００５２】実施例２ここでは、炭化珪素を大気中で熱処理することにより表
面に形成されるＳｉＯ ₂からなる膜２１のＸ線回折によ
る結晶ピークと耐久性の相関を調べた。大気中の熱処理
温度を１０００〜１８００℃とし、保持時間を１〜１２
時間の間で変量し、さらに、冷却速度を調整して、前記
膜２１に生成する結晶相の量を変量させた。

【００５３】前記膜２１の結晶相の確認は、理学電機製
のＲＩＮＴ１４００Ｖ型のＸ線回折装置を用いて、Ｃｕ
の管球を用いて管電圧５０ｋＶ、管電流２００ｍＡ、ス
テップ幅０．０２０度、計数時間０．５０秒、２θ＝２
０〜８０度の条件で実施した。ピークは、クリストバラ
イトの（１００）面と炭化珪素の（１０２）面のピーク
高さを測定し比較した。なお、簡略化のため、前記高さ
は測定データの各ピークの強度計数値を使って計算し
た。

【００５４】こうして、準備したサンプルを用いて実施
例１と同様の耐久テストを実施し、ＳｉＯ₂からなる膜
２１のＸ線回折による結晶ピークと耐久性の相関を調べ
た。

【００５５】結果を、表２に示した。

【００５６】

【表２】

【００５７】表２から判るように、クリストバライトの
（１０１）面のピーク高さが炭化珪素の（１０２）面の
ピーク高さに対し１０％を越えるＮｏ．７、８は、耐久
テスト後絶縁層４の表面を観察したところ、表面にクラ
ックが発生していた。これに対し、前記比率が１０％以
下であるＮｏ．１〜６は、絶縁層４にクラックが発生せ
ず、良好な耐久性を示した。

【００５８】実施例３ここでは、ガラスからなる絶縁層４の平坦度と、この上
にプリント法により形成した発熱抵抗体５の抵抗値バラ
ツキの関係を調査した。実施例１と同様な方法で作製し
たガラスからなる絶縁層４を形成した炭化珪素質基板を
用いて、さらに、絶縁層４上に３０重量％のＡｕ−Ｐｔ
を含有するガラスペーストをプリントし、６００℃で発
熱抵抗体５を焼き付け処理した。ガラスからなる絶縁層
４の平坦度は、炭化珪素質基板の平坦度を調整すること
により異なる平坦度の絶縁層４を有する試料を準備し
た。また、ガラスからなる絶縁層４の平坦度が３５０μ
ｍである試料の絶縁層４の表面に、予め転写シートに形
成された厚み管理された発熱抵抗体５を転写により形成
し、焼き付け処理した試料を作製した。

【００５９】このようにして準備したサンプルの発熱抵
抗体５の抵抗値を５ｃｍのブロックに分割し、それぞれ
同一の抵抗値に調整するブロック毎に、バラツキを調査
した。バラツキは、以下の式により計算した。

【００６０】バラツキ＝（最大抵抗値−最小抵抗値）／
最大抵抗値×１００平坦度がほぼ同等の各３個の試料を準備し、３個のサン
プルのバラツキの平均をとり、データとした。

【００６１】結果を、表３に示した。

【００６２】

【表３】

【００６３】表３に示したように、ガラスからなる絶縁
層４の平坦度が３５０μｍとなるＮｏ．６は、抵抗値バ
ラツキが１５％と大きくなり、大きなトリミングを施さ
なければ抵抗値分布を調整できないことが判った。これ
に対し、前記平坦度が２０〜３００μｍであるＮｏ．１
〜５は、抵抗値バラツキが８％以下となり、小さなトリ
ミングで抵抗値分布を調整できることが判った。

【００６４】実施例４ここでは、発熱抵抗体５に含まれるガラスの軟化点と絶
縁層４に含まれるガラスの転移点の関係と、発熱抵抗体
５の抵抗値バラツキとの相関を調べた。ガラスの転移点
および軟化点については、ガラス部分をリューターを用
いて削り取り、回収した粉末を示差走査熱量分析計によ
り評価した。評価方法については、データの吸熱ピーク
を確認し、低温側から転移点、軟化点の温度と判定し、
この温度差を測定した。発熱抵抗体５の部分は、できる
だけ金属分を含まない部分を選び、窒素ガスをフローさ
せながら、金属による影響を抑制して評価した。

【００６５】試料は、実施例３に準じた方法で、各々ガ
ラスの種類と組み合わせを変更して試料を作製した。ま
た、抵抗値バラツキは、実施例３と同様な方法で評価し
た。

【００６６】結果は、表４に示した。

【００６７】

【表４】

【００６８】表４から判るように、絶縁層４に含まれる
ガラスの転移点温度から、発熱抵抗体５に含まれるガラ
スの転移点温度を引いた差が、正もしくは０となるＮ
ｏ．１〜４は、抵抗値バラツキが小さくなったが、前記
差が負となるＮｏ．５、６は、抵抗値バラツキが大きく
なった。また、Ｎｏ．６については、絶縁層４の組織内
に発泡した部分が発生した。以上の結果から、発熱抵抗
体５に含まれるガラスの軟化点を絶縁層４に含まれるガ
ラスの転移点より高くすることが、抵抗値分布を改善す
るために有効であることが判った。

【００６９】実施例５ここでは、炭化珪素質基板の赤外線放射率と、ウエハ加
熱の昇温時間の関係を調査した。炭化珪素質基板とし
て、炭化硼素と炭素を焼結助剤として用いた試料Ｎｏ．
１、Ａｌ₂Ｏ₃とＹ₂Ｏ₃を焼結助剤として用いたＮｏ．
２、Ｓｉからなる成形体をメタンガス流中で炭化させる
反応焼結により形成したＮｏ．３となる炭化珪素質基板
を準備し、実施例１と同様な方法で厚み０．５μｍのＳ
ｉＯ₂からなる膜２１を形成し、ウエハ載置面３ではな
い他方の主面上に厚み２００μｍのガラスからなる絶縁
膜４を形成し、さらにその上に発熱抵抗体５を転写法に
より形成し焼き付け処理して均熱板２を得た。

【００７０】Ｎｏ．３においては、さらに、ウエハＷの
載置面３上に、ＣＶＤ法により黒いＳｉＣ膜を形成した
Ｎｏ．４、前記載置面３上に溶射により１５μｍのコー
ジライト膜を形成したＮｏ．５を準備した。その後、各
均熱板２の発熱抵抗体５に抵抗調整部を設けて、均熱性
を向上させた後、図１に示したような支持体１１に組み
込んで、均熱板２を２００℃に保持しておき、載置面３
にウエハを載せたあと、ウエハ温度が２００℃に安定す
るまでの昇温時間を比較した。赤外線放射率は、日本ア
ビオニクス株式会社製のコンパクトサーモＴＶＳ−２２
００ＭＫ−IIＳＴを使用し、２００℃において、載置面
３に黒体を塗布した前後の放射率を測定し、黒体を塗布
したものの放射率を１００％としてそれに対する塗布前
の面の放射率を計算により求めた。

【００７１】結果を、表５に示した。

【００７２】

【表５】

【００７３】表５に示したように、赤外線放射率が８０
％以下であるＮｏ．３は、昇温時間が５０秒かかった
が、赤外線放射率が８０％であるＮｏ．１、２、４、５
は、昇温時間が４０秒以下となり、良好であった。

【００７４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、炭化珪
素質セラミックスからなる板状体の一方の主面に、厚み
０．０５〜２．０μｍのＳｉＯ₂からなる膜と、厚み１
０〜６００μｍのガラスからなる絶縁層をこの順に備
え、該絶縁層上に発熱抵抗体を備えるとともに、該発熱
抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してセラミッ
クヒーターを構成したことによって、発熱抵抗体の密着
の信頼性を高めることができ、このセラミックヒーター
を用いて構成したウェハ加熱装置は耐久性を良好にする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエハ加熱装置を示す断面図である。

【図２】本発明のウエハ加熱装置の一部拡大断面図であ
る。

【図３】本発明のウエハ加熱装置におけるＳｉＯ₂膜の
Ｘ線回折パターンの一例を示す図である。

【図４】従来のウエハ加熱装置の均熱板の一部拡大断面
図である。

【符号の説明】

１：ウエハ加熱装置２：均熱板３：載置面４：絶縁層５：発熱抵抗体６：給電部７：導通端子８：弾性体１０：熱電対１１：支持体２１：ＳｉＯ₂膜Ｗ：半導体ウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｂ 3/12 Ａ５Ｆ０４６Ｈ０５Ｂ 3/10 3/20 ３２８ 3/12 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ 3/20 ３２８ 21/302 ＢＦターム(参考） 3K034 AA02 AA34 BB06 BB14 CA02 CA15 EA07 FA16 FA17 FA24 FA39 JA01 3K092 PP09 PP20 QA05 QB02 QB76 QC42 QC59 RF03 RF11 RF17 RF22 SS14 SS24 SS32 TT22 UB02 VV22 VV31 VV34 VV40 4K063 AA05 AA12 BA12 CA03 FA03 5F004 BB26 BB29 5F045 EK09 EM02 EM09 5F046 KA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化珪素質セラミックスからなる板状体の
一方の主面に、厚み０．０５〜２．０μｍのＳｉＯ₂か
らなる膜と、厚み１０〜６００μｍのガラスからなる絶
縁層をこの順に備え、該絶縁層上に発熱抵抗体を備える
とともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を
具備してなるセラミックヒーター。
【請求項２】前記ＳｉＯ₂からなる膜は、Ｘ線回折ピー
クにおけるクリストバライトの（１０１）面のピーク高
さが炭化珪素の（１０２）面のピーク高さに対し１０％
以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック
ヒーター。
【請求項３】前記ガラスからなる絶縁層の表面の平坦度
が３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
のセラミックヒーター。
【請求項４】前記発熱抵抗体がガラスを含み、このガラ
スの軟化点が、前記絶縁層に含まれるガラスの転移点よ
り低いことを特徴とする請求項１記載のセラミックヒー
ター。
【請求項５】前記発熱抵抗体が金属成分として、Ｐｔ族
金属、Ａｕ、もしくはこれらの合金を主成分とすること
を特徴とする請求項１記載のセラミックヒーター。
【請求項６】前記板状体の発熱抵抗体と反対側の主面を
ウェハ載置面とし、ウェハの加熱に用いることを特徴と
する請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックヒータ
ー。
【請求項７】前記ウエハ載置面の赤外線放射率が８０％
以上であることを特徴とする請求項６記載のセラミック
ヒーター。
【請求項８】炭化珪素質セラミックスからなる板状体の
表面を平坦度１００μｍ以下に研磨し、酸化雰囲気中１
２００〜１６００℃で１〜１２時間処理した後、少なく
とも１０００〜６００℃を２００℃／時間より早い速度
で冷却することによってＳｉＯ₂からなる膜を形成し、
この膜上に絶縁層、発熱抵抗体を形成する工程を含むセ
ラミックヒーターの製造方法。
【請求項９】前記発熱抵抗体を転写により形成すること
を特徴とする請求項８記載のセラミックヒーターの製造
方法。
【請求項１０】請求項６記載のセラミックヒーターを支
持体に接合し、前記給電部に導通端子を接続したことを
特徴とするウェハ加熱装置。