JP2001237489A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents

レーザダイオード駆動回路

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JP2001237489A JP2000045000A JP2000045000A JP2001237489A JP 2001237489 A JP2001237489 A JP 2001237489A JP 2000045000 A JP2000045000 A JP 2000045000A JP 2000045000 A JP2000045000 A JP 2000045000A JP 2001237489 A JP2001237489 A JP 2001237489A
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    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオードに高速のパルス電流を供給
することができるレーザダイオード駆動回路を提供す
る。 【解決手段】 レーザダイオード13に電流を供給する
電流源10と、電流源10とレーザダイオード13との
間に設けられ第1の電圧パルス信号SW1により駆動さ
れる第1のスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ
11と、電流源10とNMOSトランジスタ11との接
続点N1と擬似負荷14との間に設けられ第1の電圧パ
ルス信号SW1とは逆相の第2の電圧パルス信号SW
1’により駆動される第2のスイッチ手段としてのNM
OSトランジスタ12とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、レーザプ
リンタ、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Vers
atile Disc)等の記録/再生等に用いられる光源として
のレーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信、レーザプリンタ、CD、DVD
等の記録/再生等に用いられる光源としてレーザダイオ
ードに用いる場合にレーザダイオードに流すパルス電流
は数10mA〜数100mAと大電流であり、しかも高
速に(具体的には、1nsec以下の立ち上がり及び立ち
下がり時間で)スイッチングする状態で使用される。従
来のレーザダイオード駆動回路における主要部の構成例
を図16及び図17に示す。図16に示す従来のレーザ
ダイオード駆動回路はレーザダイオードにスイッチング
素子を介して電流源を接続し、スイッチング素子を駆動
することにより、所望のパルス電流をレーザダイオード
に供給するものである。
【0003】また、図18に示す従来のレーザダイオー
ド駆動回路は、第1の電流源をレーザダイオードのアノ
ードに直接、接続し、かつ第1の電流源とレーザダイオ
ードとの接続点にスイッチング素子を介して第1の出力
電流値が異なる電流吸い込み用の第2の電流源及び擬似
負荷の直列回路を接続してなり、スイッチング素子を駆
動することにより、レーザダイオードにパルス電流を流
すようにしたものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図16及び図18に示
した従来のレーザダイオード駆動回路について具体的に
説明する。図16において、レーザダイオード駆動回路
における主要部は、レーザダイオード102に100m
Aの電流を供給する電流源100と、レーザダイオード
102のアノードと電流源100との間に設けられたス
イッチング素子として機能するNMOSトランジスタ1
01とを有している。
【0005】上記構成において、NMOSトランジスタ
101のゲートには例えば、図17(A)に示すよう1
00MHzのパルス電圧信号が入力され、NMOSトラン
ジスタ101はスイッチングされる。この結果、ノード
OUT1にはパルス高が100mAの電流パルスが発生
し、レーザダイオードに流れ込む(図17(B))。と
ころが、電流源100とNMOSトランジスタ101と
の接続点であるノードN1における電位が、NMOSト
ランジスタ101がオフ状態になった時点で電源電圧V
dd付近のレベルまで上昇してしまうために、次にNMO
Sトランジスタ101がオン状態になる際に、ノードN
1における電位が、電源電圧Vdd付近のレベルから直ぐ
には低下しない(図17(C))。この結果、NMOS
トランジスタ101のゲートに入力されるパルス電圧信
号(図17(A))に対し、ノードOUT1に発生する電
流パルスは図17(B)に示すように高速に応答せず、
パルス電流波形がなまってしまうという問題が有った。
【0006】また、図18に示す従来のレーザダイオー
ド駆動回路の主要部は、レーザダイオード201に10
0mAの電流を供給する第1の電流源200と、第1の
電流源200とレーザダイオード201の接続点とドレ
インが接続されるスイッチング素子としてのNMOSト
ランジスタ202と、該NMOSトランジスタ202の
ソースと接続され第1の出力電流値が異なる電流吸い込
み用の第2の電流源203(出力電流は50mA)と、
該第2の電流源203と接続される擬似負荷204とを
有している。
【0007】上記構成において、NMOSトランジスタ
202のゲートには例えば、図19(A)に示すように
100MHzのパルス電圧信号が入力され、NMOSトラ
ンジスタ202はスイッチングされる。この結果、NM
OSトランジスタ202がオンの期間には第1の電流源
200から電流吸い込み用の第2の電流源203側に5
0mAの電流I2が流れ込み、この電流I2は擬似負荷2
04に流れる。これと同時にレーザダイオード201に
は第1の電流源200から50mAの電流I1が流れ
る。一方、NMOSトランジスタ202がオフの期間に
は第2の電流源203側に流れる電流I2は0mAとな
り、第1の電流源200からレーザダイオード201に
流れる電流I1は100mAとなる(図19(B)、
(C))。
【0008】この場合にNMOSトランジスタ202が
オン状態からオフ状態に変化すると、ノードOUT2の電
位は接地電位(0V)になるので、再度NMOSトラン
ジスタ202がオン状態になるとき、直ぐに擬似負荷2
04に50mAの電流が流れない。このために、NMO
Sトランジスタ202のゲートに入力されるパルス電圧
信号(図19(A))に対し、レーザダイオード201
に流れ込む電流I1は、高速応答できず、パルス電流波
形がなまってしまうという問題が有った。本発明はこの
ような事情に鑑みてなされたものであり、レーザダイオ
ードに高速のパルス電流を供給することができるレーザ
ダイオード駆動回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、レーザダイオードに電流
を供給する電流源と、前記電流源と前記レーザダイオー
ドとの間に設けられ第1の電圧パルス信号により駆動さ
れる第1のスイッチ手段と、前記電流源と第1のスイッ
チ手段との接続点と擬似負荷との間に設けられ前記第1
の電圧パルス信号とは逆相の第2の電圧パルス信号によ
り駆動される第2のスイッチ手段とを有し、前記第1の
スイッチ手段と第2のスイッチ手段は相補的にスイッチ
ング動作することを特徴とする。
【0010】請求項1に記載の発明によれば、レーザダ
イオードに電流を供給する電流源と、前記電流源と前記
レーザダイオードとの間に設けられ第1の電圧パルス信
号により駆動される第1のスイッチ手段と、前記電流源
と第1のスイッチ手段との接続点と擬似負荷との間に設
けられ前記第1の電圧パルス信号とは逆相の第2の電圧
パルス信号により駆動される第2のスイッチ手段とを有
し、前記第1のスイッチ手段と第2のスイッチ手段は相
補的にスイッチング動作するようにしたので、前記電流
源と第1のスイッチ手段との接続点には常に一定電流が
流れるために前記電流源と第1のスイッチ手段との接続
点における電位は変動せず、レーザダイオードに高速の
パルス電流を供給することができる。
【0011】また、請求項2に記載の発明は、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する第2の電流源と、前記第2の電流源と前記レーザダ
イオードのアノード側との間に設けられ第1の電圧パル
ス信号により駆動される第1のスイッチ手段と、前記第
2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続点と擬似
負荷との間に設けられ前記第1の電圧パルス信号とは逆
相の第2の電圧パルス信号により駆動される第2のスイ
ッチ手段とを有し、前記第1のスイッチ手段と第2のス
イッチ手段は相補的にスイッチング動作することを特徴
とする。
【0012】請求項2に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する第2の電流源と、前記第2の電流源と前記レーザダ
イオードのアノード側との間に設けられ第1の電圧パル
ス信号により駆動される第1のスイッチ手段と、前記第
2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続点と擬似
負荷との間に設けられ前記第1の電圧パルス信号とは逆
相の第2の電圧パルス信号により駆動される第2のスイ
ッチ手段とを有し、前記第1のスイッチ手段と第2のス
イッチ手段は相補的にスイッチング動作するようにした
ので、第2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続
点には常に一定電流が流れるために前記第2の電流源と
第1のスイッチ手段との接続点における電位は変動せ
ず、第1の電流源により供給されるオフセット電流のレ
ベルに第2の電流源により供給される電流を第1のスイ
ッチ手段によりスイッチングすることにより得られる電
流パルスを重畳した高速のパルス電流をレーザダイオー
ドに供給することができる。
【0013】また、請求項3に記載の発明は、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する2以上の第2の電流源とを有し、前記2以上の第2
の電流源の各々の出力端と、前記レーザダイオードのア
ノード側との間に第1のスイッチ手段が接続され、前記
2以上の第2の電流源の各々の出力端と前記第1のスイ
ッチ手段との接続点と、擬似負荷との間に第2のスイッ
チ手段が接続され、前記レーザダイオードに供給する電
流が、少なくとも前記オフセット電流のレベルを基準と
してパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号の
振幅が可変となるように前記2以上の第2の電流源の各
々の出力端に接続される第1、第2のスイッチ手段を駆
動制御することを特徴とする。
【0014】請求項3に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する2以上の第2の電流源とを有し、前記2以上の第2
の電流源の各々の出力端と、前記レーザダイオードのア
ノード側との間に第1のスイッチ手段が接続され、前記
2以上の第2の電流源の各々の出力端と前記第1のスイ
ッチ手段との接続点と、擬似負荷との間に第2のスイッ
チ手段が接続され、前記レーザダイオードに供給する電
流が、少なくとも前記オフセット電流のレベルを基準と
してパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号の
振幅が可変となるように前記2以上の第2の電流源の各
々の出力端に接続される第1、第2のスイッチ手段を駆
動制御するようにしたので、前記2以上の第2の電流源
の各々の出力端と前記第1、第2のスイッチ手段との接
続点である各ノードには常に定電流が流れるために電圧
変動がなく、それ故レーザダイオードに供給する電流
を、少なくとも前記オフセット電流のレベルを基準とし
てパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号の振
幅が可変となるように制御することができる。
【0015】また、請求項4に記載の発明は、請求項3
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流が、前記オフセット電流の
レベルに更に、第2のオフセット電流を重畳し、該重畳
により加算された第2のオフセット電流のレベルを基準
にしてパルス電流信号を重畳するように前記2以上の第
2の電流源の各々の出力端に接続される第1、第2のス
イッチ手段を駆動制御することを特徴とする。
【0016】請求項4に記載の発明によれば、請求項3
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流が、前記オフセット電流の
レベルに更に、第2のオフセット電流を重畳し、該重畳
により加算された第2のオフセット電流のレベルを基準
にしてパルス電流信号を重畳するように前記2以上の第
2の電流源の各々の出力端に接続される第1、第2のス
イッチ手段を駆動制御するようにしたので、請求項3に
記載の発明による効果に加えて、レーザダイオードに供
給する電流を、オフセット電流を可変にし、かつこのオ
フセット電流にパルス電流信号を重畳するように制御す
ることができる。
【0017】また、請求項5に記載の発明は、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、第1の電流源とは出力電流値が異なる電流
を供給する第2の電流源と、第2の電流源の出力電流を
吸い込む第1のトランジスタと該第1のトランジスタに
より駆動される第2のトランジスタとを有するカレント
ミラー回路と、前記第2のトランジスタと、前記第1の
電流源の出力端と前記レーザダイオードのアノードとの
接続点との間に設けられたスイッチ手段とを有すること
を特徴とする。
【0018】請求項5に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、第1の電流源とは出力電流値が異なる電流
を供給する第2の電流源と、第2の電流源の出力電流を
吸い込む第1のトランジスタと、該第1のトランジスタ
により駆動される第2のトランジスタとを有するカレン
トミラー回路と、前記第2のトランジスタと、前記第1
の電流源の出力端と前記レーザダイオードのアノードと
の接続点との間に設けられたスイッチ手段とを有するの
で、前記第1の電流源の出力端と前記レーザダイオード
のアノードとの接続点には常に定電流が流れ、このノー
ドにおける電位は変動せず、それ故前記第1の電流源に
より供給されるオフセット電流を基準としてスイッチ手
段により第1の電流源の出力電流から所定の電流量を断
続的にカレントミラー回路側に分流することにより得ら
れる高速のパルス電流をレーザダイオードに供給するこ
とができる。
【0019】また、請求項6に記載の発明は、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、第1の電流源とは出力電流値が異なる電流
を供給する第2の電流源と、第2の電流源の出力電流を
吸い込む第1のトランジスタと該第1のトランジスタに
より駆動される第2のトランジスタとを有するカレント
ミラー回路と、前記第2の電流源の出力端と前記第1の
トランジスタとの間に設けられた第1のスイッチ手段
と、前記第2の電流源の出力端と前記第2のトランジス
タとの間に設けられた第2のスイッチ手段とを有し、前
記第1の電流源の出力端を前記第2のスイッチ手段と前
記第2のトランジスタとの接続点に接続すると共に、前
記第1、第2のスイッチ手段が相補的にスイッチング動
作するように該第1、第2のスイッチ手段を駆動制御す
ることを特徴とする。
【0020】請求項6に記載の発明によれば、レーザダ
イオードに対し第1の電流源によりオフセット電流を常
時、供給し、第1、第2のスイッチ手段及びカレントミ
ラー回路の動作により上記オフセット電流に第2の電流
源から出力される電流を重畳し、または上記オフセット
電流から第2の電流源から出力される電流の電流値に等
しい電流をカレントミラー回路側に分流させるようにし
たので、高速のパルス電流をレーザダイオードに供給す
ることができると共に、レーザダイオードに供給する電
流を、中心の電流値を固定した状態で振幅を変化させる
ことができる。
【0021】また、請求項7に記載の発明は、請求項6
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流を前記第1の電流源から出
力されるオフセット電流のみに制限する際に、前記第2
の電流源の出力端と、前記第1のスイッチ手段及び第2
のスイッチ手段との間に設けられ該第1のスイッチ手段
及び第2のスイッチ手段への電流供給を遮断する第3の
スイッチ手段と、前記カレントミラー回路を構成する第
1、第2のトランジスタを強制的にオフ状態にする第4
のスイッチ手段を有することを特徴とする。
【0022】請求項7に記載の発明によれば、請求項6
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流を前記第1の電流源から出
力されるオフセット電流のみに制限する際に、前記第2
の電流源の出力端と、前記第1のスイッチ手段及び第2
のスイッチ手段との間に設けられ該第1のスイッチ手段
及び第2のスイッチ手段への電流供給を遮断する第3の
スイッチ手段と、前記カレントミラー回路を構成する第
1、第2のトランジスタを強制的にオフ状態にする第4
のスイッチ手段とを設けたので、請求項6に記載された
発明により得られる効果に加えて、レーザダイオードに
供給する電流を第1の電流源から出力されるオフセット
電流のみに制限する際にカレントミラー回路の動作の影
響を高速に断つことができる。
【0023】また、請求項8に記載の発明は、請求項7
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記第2
の電流源の出力端と擬似負荷との間に接続される第5の
スイッチ手段を有し、前記レーザダイオードに供給する
電流を前記第1の電流源から出力されるオフセット電流
のみに制限する際に前記第5のスイッチ手段をオン状態
とし、前記第2の電流源の出力電流を前記擬似負荷に流
出させることを特徴とする。
【0024】請求項8に記載の発明によれば、請求項7
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記第2
の電流源の出力端と擬似負荷との間に接続される第4の
スイッチ手段を有し、前記レーザダイオードに供給する
電流を前記第1の電流源から出力されるオフセット電流
のみに制限する際に前記第4のスイッチ手段をオン状態
とし、前記第2の電流源の出力電流を前記擬似負荷に流
出するようにしたので、前記第2の電流源と、前記第1
及び第2のスイッチ手段との接続点には常に定電流が流
れるので、この接続点における電位は変動せず、それ故
レーザダイオードに供給する電流を第1の電流源から出
力されるオフセット電流のみに制限する動作状態から、
第1、第2のスイッチ手段及びカレントミラー回路の動
作により上記オフセット電流に第2の電流源から出力さ
れる電流を重畳し、または上記オフセット電流から第2
の電流源から出力される電流の電流値に等しい電流をカ
レントミラー回路側に分流させることによりパルス電流
を発生する動作状態に移行する際に高速に応答すること
ができる。
【0025】また、請求項9に記載の発明は、請求項1
乃至8のいずれかに記載のレーザダイオード駆動回路に
おいて、前記各スイッチ手段及び前記各トランジスタは
MOSトランジスタで形成されることを特徴とする。
【0026】請求項9に記載の発明によれば、請求項1
乃至8のいずれかに記載のレーザダイオード駆動回路に
おいて、前記各スイッチ手段及び前記各トランジスタは
MOSトランジスタで形成するようにしたので、CMO
S半導体集積回路上に請求項1乃至8のいずれかに記載
のレーザダイオード駆動回路を形成することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。本発明の第1の実施の形態に係る
レーザダイオード駆動回路の構成を図1に示す。同図に
おいて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
は、レーザダイオード13に電流を供給する電流源10
と、電流源10とレーザダイオード13との間に設けら
れ第1の電圧パルス信号SW1により駆動される第1の
スイッチ手段としてのNMOSトランジスタ11と、電
流源10とNMOSトランジスタ11との接続点(ノー
ド)N1と擬似負荷14との間に設けられ第1の電圧パ
ルス信号SW1とは逆相の第2の電圧パルス信号SW
1’により駆動される第2のスイッチ手段としてのNM
OSトランジスタ12とを有している。
【0028】電流源10の一端は電源電圧Vddの電源ラ
インに接続され、出力端はNMOSトランジスタ11、
12のドレインに接続されている。NMOSトランジス
タ11のソースはレーザダイオード13のアノードに接
続され、レーザダイオード13のカソードは接地されて
いる。NMOSトランジスタ12のソースはレーザダイ
オード13と略等しい直流抵抗を有する擬似負荷14を
介して接地されている。尚、電流源10の出力電流は1
00mAであり、ノードOUT1はそれぞれ、NMOSト
ランジスタ11とレーザダイオード13との接続点、ノ
ードOUT2はNMOSトランジスタ12と擬似負荷14
との接続点である。
【0029】上記構成において、図2(A)、(B)に
示すように、NMOSトランジスタ11のゲートに第1
の電圧パルス信号SW1が、またNMOSトランジスタ
12のゲートに第1の電圧パルス信号SW1と逆相の第
2の電圧パルス信号SW1’が入力されると、NMOS
トランジスタ11、12は第1の電圧パルス信号SW
1、第2の電圧パルス信号SW1’により交互にスイッ
チングされ、レーザダイオード13と擬似負荷14に交
互に電流源10より100mAのパルス電流が供給され
る(図2(C)、(D))。
【0030】この場合にNMOSトランジスタ11、1
2のいずれか一方は、必ずオン状態になるので、ノード
N1には常に100mAの定電流が流れ、ノードN1に
おける電位は変動しない(図2(E))。したがって、
NMOSトランジスタ11、12は第1の電圧パルス信
号SW1、第2の電圧パルス信号SW1’により相補的
に、かつ高速にスイッチングされ、NMOSトランジス
タ11のオン、オフ動作によりノードOUT1に高速のパ
ルス電流が発生し、レーザダイオード13にこの高速の
パルス電流を供給することができる。
【0031】このように本発明の第1の実施の形態に係
るレーザダイオード駆動回路によれば、レーザダイオー
ド13に電流を供給する電流源10と、電流源10とレ
ーザダイオード13との間に設けられ第1の電圧パルス
信号により駆動される第1のスイッチ手段としてのNM
OSトランジスタ11と、電流源10とNMOSトラン
ジスタ11との接続点N1と擬似負荷14との間に設け
られ第1の電圧パルス信号とは逆相の第2の電圧パルス
信号により駆動される第2のスイッチ手段としてのNM
OSトランジスタ12とを有するので、ノードN1には
常に一定電流が流れるためにノードN1における電位は
変動せず、レーザダイオード13に高速のパルス電流を
供給することができる。
【0032】次に、本発明の第2の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図3に示す。同図にお
いて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
は、カソード側が接地されたレーザダイオード24のア
ノード側と接続され該レーザダイオード24にオフセッ
ト電流を供給する第1の電流源20と、上記オフセット
電流に重畳する電流を供給する第2の電流源21と、第
2の電流源21とレーザダイオード24のアノード側と
の間に設けられ第1の電圧パルス信号により駆動される
第1のスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ22
と、第2の電流源21と第1のスイッチ手段としてのN
MOSトランジスタ22との接続点であるノードN1と
擬似負荷25との間に設けられ第1の電圧パルス信号と
は逆相の第2の電圧パルス信号により駆動される第2の
スイッチ手段としてのNMOSトランジスタ23とを有
している。
【0033】電流源20、21の一端は電源電圧Vddの
電源ラインに接続され、電流源20の出力端はレーザダ
イオード24のアノードに接続されている。NMOSト
ランジスタ22、23のドレインは電流源21の出力端
に接続され、NMOSトランジスタ22のソースはレー
ザダイオード24のアノードに接続されている。また、
NMOSトランジスタ23のソースは擬似負荷25を介
して接地されている。なお、電流源20の出力電流は1
00mAであり、電流源21の出力電流は50mAであ
る。ノードOUT1はNMOSトランジスタ22とレーザ
ダイオード24と接続点、ノードOUT2はNMOSトラ
ンジスタ23と擬似負荷25との接続点である。
【0034】上記構成において、図4(A)、(B)に
示すように、NMOSトランジスタ22のゲートに第1
の電圧パルス信号SW1が、またNMOSトランジスタ
23のゲートに第1の電圧パルス信号SW1と逆相の第
2の電圧パルス信号SW1’が入力されると、NMOS
トランジスタ22、23は第1の電圧パルス信号SW
1、第2の電圧パルス信号SW1’により交互に、すな
わち相補的にスイッチングされる。レーザダイオード2
4には常時、電流源20より100mAの電流が供給さ
れるために、この電流がオフセット電流となる。このオ
フセット電流に、NMOSトランジスタ22のスイッチ
ングによりNMOSトランジスタ22がオンとなる期間
のみ電流源21から50mAの出力電流が重畳された電
流I1(図4(C))がレーザダイオード24に供給さ
れる。
【0035】本実施の形態において、NMOSトランジ
スタ22、23のうちのいずれか一方は、必ずオン状態
となるように駆動されるので、ノードN1には常に50
mAの定電流が流れ、ノードN1における電位は変動し
ない。このように、本発明の第2実施の形態に係るレー
ザダイオード駆動回路によれば、電流源21(第2の電
流源)とNMOSトランジスタ22(第1のスイッチ手
段)との接続点であるノードN1には常に一定電流が流
れるためにノードN1における電位は変動せず、電流源
20(第1の電流源)により供給される100mAのオ
フセット電流のレベルに電流源21により供給される5
0mAの電流をNMOSトランジスタ22によりスイッ
チングすることにより得られる電流パルスを重畳した高
速のパルス電流をレーザダイオードに供給することがで
きる。
【0036】次に、本発明の第3の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図5に示す。同図にお
いて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
は、カソード側が接地されたレーザダイオード37のア
ノード側と接続されレーザダイオード37にオフセット
電流を供給する第1の電流源としての電流源30と、上
記オフセット電流に重畳する電流を供給する2以上の
(本実施の形態では2つの)第2の電流源としての電流
源31、32とを有している。
【0037】また、電流源31、32の各々の出力端と
レーザダイオード37のアノード側との間に第1のスイ
ッチ手段としてのNMOSトランジスタ33、35が接
続され、、電流源31、32の各々の出力端と前記第1
のスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ33、3
5との接続点N1、N2と擬似負荷38との間にそれぞ
れ、第2のスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ
34、36とが接続されている。電流源30、31、3
2の一端は電源電圧Vddの電源ラインに接続され、電流
源31、32の出力端はそれぞれ、NMOSトランジス
タ33、35のドレインに接続され、NMOSトランジ
スタ33、35のソースはレーザダイオード37のアノ
ードに接続されている。
【0038】また、電流源30、31、32の出力端は
NMOSトランジスタ34、36のドレインに接続さ
れ、NMOSトランジスタ34、36のソースは擬似負
荷38を介して接地されている。本実施の形態では、電
流源30の出力電流は100mA、電流源31の出力電
流は50mA、電流源32の出力電流は100mAであ
る。なお、擬似負荷38は、レーザダイオード37と
略、等しい直流抵抗を有している。NMOSトランジス
タ33、34のゲートには相互に逆相の電圧パルス信号
SW1、SW1’が印加され、またNMOSトランジス
タ35、36のゲートには相互に逆相の電圧パルス信号
SW2、SW2’が印加されるようになっている。
【0039】上記構成において、図6の下方に示すよう
に時系列的に各区間T1〜T4で電圧パルス信号SW
1、SW2を動作させるものとする。ここで、「SW1
がOFF」とはNMOSトランジスタ33をオフさせる
ローレベルの信号SW1がゲートに入力されることを、
「SW1がON」とはNMOSトランジスタ33をオン
させるハイレベルの信号SW1がゲートに入力されるこ
とを、「SW1がON/OFF」とはNMOSトランジ
スタ33をオン/オフさせるようにハイレベルの信号と
ローレベルの信号が交互にゲートに印加されるように電
圧パルス信号SW1が供給されることを、それぞれ意味
している。NMOSトランジスタ35を駆動する信号S
W2についても同様である。
【0040】図6に示すように、期間T1では信号SW
1、SW2としてローレベルの信号がNMOSトランジ
スタ33、35のゲートに入力され、この時NMOSト
ランジスタ34、36のゲートに入力される信号SW
1’、SW2’はハイレベルとなる。この結果、NMO
Sトランジスタ33、35はオフ状態、NMOSトラン
ジスタ34、36はオン状態となるため期間T1では電
流源31、32の出力電流はノードOUT2を通り、擬似
負荷38に流入する。したがって、レーザダイオード3
7には電流源30の出力電流100mAのオフセット電
流のみが駆動電流I1として供給される。
【0041】次いで、期間T2では信号SW1がON/
OFF、信号SW2がOFFとなる、すなわち、NMO
Sトランジスタ33、34が相補的に交互にスイッチン
グされると共に、NMOSトランジスタ35はオフ状態
となり、かつNMOSトランジスタ36がオン状態とな
る。この結果、電流源32の出力電流(100mA)は
擬似負荷38に流れ、レーザダイオード37には電流源
30から出力される100mAのオフセット電流に、電
流源31の出力電流をNMOSトランジスタ33、34
のスイッチングにより得られる振幅が50mAのパルス
電流を重畳した駆動電流I1がレーザダイオード37に
供給される。
【0042】更に、期間T3では、信号SW1がON、
信号SW2がON/OFFとなる、すなわち、NMOS
トランジスタ33がオン状態、NMOSトランジスタ3
4がオフ状態となり、かつNMOSトランジスタ35,
36が相補的に交互にスイッチングされる状態となる。
この結果、電流源30、31の出力電流がレーザダイオ
ード37に150mAのオフセット電流として供給さ
れ、このオフセット電流に、電流源32の出力電流をN
MOSトランジスタ35、36のスイッチングにより得
られる振幅が100mAのパルス電流を重畳した駆動電
流I1がレーザダイオード37に供給される。
【0043】次に、期間T4では、信号SW1がOF
F、信号SW2がON/OFFとなる、すなわち、NM
OSトランジスタ33がオフ状態、NMOSトランジス
タ34がオン状態となり、かつNMOSトランジスタ3
5,36が相補的に交互にスイッチングされる状態とな
る。この結果、電流源30の出力電流がレーザダイオー
ド37に100mAのオフセット電流として供給され、
このオフセット電流に、電流源32の出力電流をNMO
Sトランジスタ35、36のスイッチングにより得られ
る振幅が100mAのパルス電流を重畳した駆動電流I
1がレーザダイオード37に供給される。
【0044】本実施の形態に係るレーザダイオード駆動
回路では、電流源31、32の出力端におけるノードN
1、N2にはそれぞれ常に、定電流が流れているので各
ノードN1、N2における電位に変動はなく、それ故、
NMOSトランジスタ33、34、またはNMOSトラ
ンジスタ35、36を相補的にスイッチングすることに
より高速のパルス電流をレーザダイオード37のアノー
ドが接続されるノードOUT1に供給することができる。
【0045】このように本実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路によれば、レーザダイオード37に供給
する駆動電流が、少なくとも第1の電流源としての電流
源30により供給されるオフセット電流のレベルを基準
としてパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号
の振幅が可変となるように2以上の第2の電流源として
の電流源31、32の各々の出力端に接続されるNMO
Sトランジスタ33〜36を駆動制御するようにしたの
で、オフセット電流に振幅が可変で高速のパルス電流を
重畳した駆動電流をレーザダイオードに供給することが
できる。
【0046】更に、本実施の形態に係るレーザダイオー
ド駆動回路によれば、レーザダイオードに供給する電流
が、第1の電流源としての電流源30により供給される
第1のオフセット電流のレベルに更に、第2のオフセッ
ト電流を重畳し、該重畳により加算されたオフセット電
流のレベルを基準にしてパルス電流信号を重畳するよう
に2以上の第2の電流源としての電流源31、32の各
々の出力端に接続される第1、第2のスイッチ手段とし
てのNMOSトランジスタ33〜36を駆動制御するよ
うにしたので、レーザダイオードに供給する電流を、オ
フセット電流のレベルを可変にし、かつこのオフセット
電流に高速のパルス電流信号を重畳するように制御する
ことができる。
【0047】次に、本発明の第3の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路をCD―RW(CD−Rewritab
le)等の記録/再生装置に適用した具体的回路の構成例
を図7に示す。同図においてこのレーザダイオード駆動
回路は、カソード側が接地されたレーザダイオード52
のアノード側とNMOSトランジスタ50を介して接続
され、かつ擬似負荷53とNMOSトランジスタ51を
介して接続され、通常はレーザダイオード52にオフセ
ット電流を供給する電流源40と、オフセット電流に重
畳する電流を供給する複数の電流源41、42、43と
を有している。
【0048】複数の電流源41〜43の各々の出力端と
レーザダイオード52のアノードとの間に、第1のスイ
ッチ手段としてのNMOSトランジスタ44、46、4
8がそれぞれ、接続されており、電流源41〜43の各
々の出力端とNMOSトランジスタ44、46、48と
の接続点であるノードN1〜N3と擬似負荷53との間
にそれぞれ、第2のスイッチ手段としてのNMOSトラ
ンジスタ45、47、49が接続されている。電流源4
0、41,42、43の出力電流源はそれぞれ、100
mA、200mA、50mA、50mAである。
【0049】図7に示すレーザダイオード駆動回路で
は、データの書込み、読み出し、消去の各動作におい
て、レーザダイオード52に供給する電流のうち、オフ
セット電流、あるいはこのオフセット電流に重畳するパ
ルス電流の振幅は異なるため、各動作に適合するように
各NMOSトランジスタ44〜51を制御する電圧パル
ス信号SW1〜SW4及びその反転信号SW1’〜SW
4’が各NMOSトランジスタ50のゲートに供給され
る。
【0050】以下、図7に示すレーザダイオード駆動回
路の動作を図8に示すタイミングチャートに基づいて説
明する。図8において、下方に示すようにデータの読み
出しが行われる期間T11では、NMOSトランジスタ4
4のゲートに供給される電圧パルス信号SW1はOF
F、すなわちローレベルに固定され、電圧パルス信号S
W2はON/OFF、すなわちNMOSトランジスタ4
6をオン/オフさせるようにハイレベルの信号とローレ
ベルの信号が交互にゲートに印加されるようにNMOS
トランジスタ46に供給される。さらに、電圧パルス信
号SW3はOFF、すなわちローレベルに固定され、電
圧パルス信号SW3はON、すなわち、ハイレベルに固
定される。さらに、信号SW4はオン状態となる。
【0051】この結果、期間T11では、NMOSトラン
ジスタ44、48、51がオフ状態、NMOSトランジ
スタ45、49、50がオン状態にそれぞれ固定され、
NMOSトランジスタ46、47が交互に相補的にオン
/オフ状態となる。したがって、レーザダイオード52
には、電流源40の出力電流(100mA)がオフセッ
ト電流として供給され、電流源41、43の出力電流は
擬似負荷53に流れ込む。また、これと同時に電流源4
2の出力電流(50mA)は、NMOSトランジスタ4
6,47が相補的にスイッチングされるために、このス
イッチングにより得られる振幅50mAのパルス電流が
レーザダイオード52に供給される。したがって、レー
ザダイオード52には、100mAのオフセット電流に
振幅50mAのパルス電流が重畳された駆動電流I1が
レーザダイオード52に供給されることとなる。
【0052】次に、データの消去が行われる期間T12で
は、電圧パルス信号SW1はON、すなわちハイレベル
に固定され、電圧パルス信号SW2、SW4はOFF、
すなわちローレベルに固定され、電圧パルス信号SW3
は、ON/OFF、すなわちNMOSトランジスタ48
をオン/オフさせるようにハイレベルの信号とローレベ
ルの信号が交互にゲートに印加されるようにNMOSト
ランジスタ48に供給される。この結果、期間T12で
は、NMOSトランジスタ44、47、51がオン状
態、NMOSトランジスタ45、46、50がオフ状態
にそれぞれ固定され、NMOSトランジスタ48、49
が交互に相補的にオン/オフ状態となる。
【0053】したがって、レーザダイオード52には、
電流源41の出力電流(200mA)がオフセット電流
として供給され、電流源40、42の出力電流は擬似負
荷53に流れ込む。また、これと同時に電流源43の出
力電流(50mA)は、NMOSトランジスタ48,4
9が相補的にスイッチングされるために、このスイッチ
ングにより得られる振幅50mAのパルス電流がレーザ
ダイオード52に供給される。したがって、レーザダイ
オード52には、200mAのオフセット電流に振幅5
0mAのパルス電流が重畳された駆動電流I1がレーザ
ダイオード52に供給されることとなる。
【0054】更に、データの書込みが行われる期間T13
では、電圧パルス信号SW1がON/OFF、すなわち
NMOSトランジスタ44をオン/オフし、ハイレベル
の信号とローレベルの信号が交互にゲートに印加される
ようにNMOSトランジスタ48に供給される。また、
電圧パルス信号SW2、SW3はOFF、すなわちロー
レベルに固定され、電圧パルス信号SW4はON、すな
わちハイレベルに固定される。この結果、期間T13で
は、NMOSトランジスタ47、49、50がオン状
態、NMOSトランジスタ46、48、51がオフ状態
にそれぞれ固定され、NMOSトランジスタ44、45
が交互に相補的にオン/オフ状態となる。
【0055】したがって、レーザダイオード52には、
電流源40の出力電流(100mA)がオフセット電流
として供給され、電流源42、43の出力電流は擬似負
荷53に流れ込む。また、これと同時に電流源41の出
力電流(200mA)は、NMOSトランジスタ44,
45が相補的にスイッチングされるために、このスイッ
チングにより得られる振幅200mAのパルス電流がレ
ーザダイオード52に供給される。したがって、レーザ
ダイオード52には、100mAのオフセット電流に振
幅200mAのパルス電流が重畳された駆動電流I1が
レーザダイオード52に供給されることとなる。上記各
動作において、ノードN1〜N4には常に、定電流が流
れるので、これらのノードにおける電圧変動はなく、既
述した第3の実施の形態と同様に高速のパルス電流をレ
ーザダイオード52に供給することができる。
【0056】次に、本発明の第4の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図9に示す。同図にお
いて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
は、カソード側が接地されたレーザダイオード62のア
ノード側と接続されレーザダイオード62にオフセット
電流を供給する第1の電流源としての電流源60と、電
流源60とは出力電流値が異なる電流を供給する第2の
電流としての電流源61と、電流源61の出力電流を吸
い込む第1のトランジスタとしてのNMOSトランジス
タ63とNMOSトランジスタ63により駆動される第
2のトランジスタとしてのNMOSトランジスタ64と
を有するカレントミラー回路と、NMOSトランジスタ
64と、電流源60の出力端とレーザダイオード62の
アノードとの接続点であるノードOUT1との間に設けら
れたスイッチ手段としてのNMOSトランジスタ65と
を有している。
【0057】電流源60、61の出力電流は、それぞれ
100mA、50mAであり、NMOSトランジスタ6
3、64のチャネル幅は等しいものとする。また、NM
OSトランジスタ65は、図10(A)に示す電圧パル
ス信号SW1によりスイッチング制御される。上記構成
において、図10(A)に示す電圧パルス信号SW1が
ローレベルの期間ではNMOSトランジスタ65はオフ
状態にあり、レーザダイオード62には、電流源60の
出力電流(100mA)のすべてが駆動電流I1として
供給される。
【0058】一方、電圧パルス信号SW1がハイレベル
の期間では、NMOSトランジスタ65はオン状態とな
る。このときNMOSトランジスタ63には電流源61
より定電流I3(50mA)が供給され、吸い込まれ
る。NMOSトランジスタ63、64のチャネル幅は等
しいのでNMOSトランジスタ64にも50mAの電流
I2が電流源60よりNMOSトランジスタ65を介し
て流れ込む。この結果、NMOSトランジスタ65がオ
ン状態の期間では、レーザダイオード62には電流源6
0より50mAの電流が駆動電流I1として供給される
こととなる。したがって、NMOSトランジスタ65の
電圧パルス信号SW1によるスイッチング動作に応じて
レーザダイオード62には図10(B)に示すような駆
動電流I1が供給される。
【0059】本実施の形態に係るレーザダイオード駆動
回路によれば、ノードOUT1には常に100mAの定電
流が流れるので、ノードOUT1における電圧変動は生じ
ず、また、NMOSトランジスタ63、64より構成さ
れるカレントミラー回路の応答が速いので、第1の電流
源としての電流源60より供給されるオフセット電流
(100mA)を基準としてNMOSトランジスタ65
をスイッチングすることにより電流源60の出力電流か
ら所定の電流量(50mA)を断続的にカレントミラー
回路側に分流することにより得られる高速のパルス電流
をレーザダイオードに供給することができる。
【0060】次に、本発明の第5の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図11に示す。同図に
おいて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
は、カソード側が接地されたレーザダイオード72のア
ノード側と接続されレーザダイオード72にオフセット
電流を供給する第1の電流源としての電流源70と、第
1の電流源とは出力電流値が異なる電流を供給する第2
の電流源としての電流源71と、電流源71の出力電流
を吸い込む第1のトランジスタとしてのNMOSトラン
ジスタ73と、NMOSトランジスタ73により駆動さ
れる第2のトランジスタとしてのNMOSトランジスタ
74とを有するカレントミラー回路と、電流源71の出
力端とNMOSトランジスタ73との間に設けられた第
1のスイッチ手段としてPMOSトランジスタ75と、
電流源71の出力端とNMOSトランジスタ74との間
に設けられた第2のスイッチ手段としてのPMOSトラ
ンジスタ76とを有している。
【0061】電流源70、71の出力電流は、それぞれ
100mA、50mAであり、NMOSトランジスタ7
3、74のチャネル幅は等しいものとする。また、電流
源70の出力端は、第2のスイッチ手段としてのPMO
Sトランジスタ76と、NMOSトランジスタ74との
接続点であるノードN3に接続されており、第1、第2
のスイッチ手段としてのPMOSトランジスタ76、7
5が相補的にスイッチング動作するように図12
(A),(B)に示す電圧パルス信号SW1、SW1’
により駆動制御される。
【0062】上記構成において、図12(A)、(B)
に示す電圧パルス信号SW1、SW1’によりPMOS
トランジスタ76、75を駆動すると、図12(A)に
示す電圧パルス信号SW1がローレベルの期間ではPM
OSトランジスタ76はオン状態にあり、このとき電圧
パルス信号SW1’はハイレベルとなるためにPMOS
トランジスタ75はオフ状態となる。この結果、NMO
Sトランジスタ73、74もオフ状態となる。したがっ
て、レーザダイオード72には電流源70より常時、1
00mAの電流が供給され、かつ電流源71よりPMO
Sトランジスタ76を介してレーザダイオード72に5
0mAの電流I2が供給されるので(図12(D))、
結局電圧パルス信号SW1がローレベルの期間ではレー
ザダイオード72に150mAの駆動電流I1が供給さ
れる(図12(C))。
【0063】一方、図12(A)に示す電圧パルス信号
SW1がハイレベルの期間ではPMOSトランジスタ7
6はオフ状態にあり、このとき電圧パルス信号SW1’
はローレベルとなるためにPMOSトランジスタ75は
オン状態となる。このためにNMOSトランジスタ7
3、74は飽和領域で動作する。この結果、電流源71
よりPMOSトランジスタ75を介してNMOSトラン
ジスタ73に50mAの電流I4が吸い込まれ(図12
(F))、これと同時に、NMOSトランジスタ73、
74のチャネル幅は等しいために電流源70よりNMO
Sトランジスタ74に電流I4と同じ50mAの電流I3
が流れ込む(図12(E))。
【0064】したがって、電流源70の出力電流100
mAのうち50mAの電流I3がカレントミラー回路側
に分流するので、レーザダイオード72には50mAの
駆動電流I1が供給されることとなる。このように、本
実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路によれば、
レーザダイオード72に対し第1の電流源としての電流
源70によりオフセット電流を常時、供給し、第1、第
2のスイッチ手段としてのPMOSトランジスタ75,
76及びカレントミラー回路の動作により上記オフセッ
ト電流に第2の電流源としての電流源71から出力され
る電流を重畳し、または上記オフセット電流から電流源
71から出力される電流の電流値に等しい電流をカレン
トミラー回路側に分流させるようにしたので、高速のパ
ルス電流をレーザダイオードに供給することができると
共に、レーザダイオードに供給する電流を、中心の電流
値を固定した状態で振幅を変化させることができる。し
たがって、レーザダイオード駆動回路の設計及び調整が
容易になるという効果もある。
【0065】次に、本発明の第6の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図13に示す。同図に
おいて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
が図11に示した第5の実施の形態に係るレーザダイオ
ード駆動回路と構成上、異なるのは、レーザダイオード
72に供給する電流を第1の電流源としての電流源70
から出力されるオフセット電流のみに制限する際に、第
2の電流源としての電流源71の出力端と、第1のスイ
ッチ手段としてのPMOSトランジスタ75及び第2の
スイッチ手段としてのPMOSトランジスタ76との間
に設けられ該PMOSトランジスタ75、76への電流
供給を遮断する第3のスイッチ手段としてのPMOSト
ランジスタ80と、カレントミラー回路を構成する第
1、第2のトランジスタとしてのNMOSトランジスタ
73、74を強制的にオフ状態にする第4のスイッチ手
段としてのNMOSトランジスタ81とを付加した点で
あり、その他の構成は同一であるので、同一の要素には
同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【0066】なお、PMOSトランジスタ80、NMO
Sトランジスタ81の各ゲートには通常動作時には、ロ
ーレベルとなり、NMOSトランジスタ73、74で構
成されるカレントミラー回路及び第1、第2のスイッチ
手段としてのPMOSトランジスタ75、76の動作の
影響を断つ際にハイレベルとなる同一の制御信号SW3
が入力されるようになっている。
【0067】上記構成において、通常動作時には、すな
わち制御信号SW3がローレベルの期間では、PMOS
トランジスタ80はオン状態、NMOSトランジスタ8
1はオフ状態となり、この場合には図11に示す回路構
成と同一になり、図12に示すように電圧パルス信号S
W1、SW1’によりPMOSトランジスタ75、76
が相補的にスイッチング動作することによりレーザダイ
オード72には、中心となる100mAの電流値を固定
した状態で50mAの振幅で増減する駆動電流I1が供
給されることとなる。
【0068】一方、制御信号SW3がハイレベルの期間
では、PMOSトランジスタ80はオフ状態、NMOS
トランジスタ81はオン状態となる。この結果、NMO
Sトランジスタ73、74、PMOSトランジスタ7
5、76はオフ状態となり、電流源71からレーザダイ
オード72側に流れ込む電流I2、電流源71からNM
OSトランジスタ73に流れ込む電流I4、電流源70
からNMOSトランジスタ74に流れ込む電流I3は零
となる。
【0069】このように制御信号SW3がハイレベルの
期間では、NMOSトランジスタ73、74で構成され
るカレントミラー回路及び相補的にスイッチング動作す
る第1、第2のスイッチ手段としてのPMOSトランジ
スタ75、76の動作の影響を断つことができ、このと
き、レーザダイオード72には電流源70より100m
Aの駆動電流が供給される。この場合にNMOSトラン
ジスタ81をオン状態とすることによりカレントミラー
回路を構成するNMOSトランジスタ73、74を高速
にオン状態からオフ状態に遷移させることはできるが、
PMOSトランジスタ80がオフ状態になることにより
PMOSトランジスタ80のソース側電位が電源電圧V
ddになるので、再度、通常動作に移行させる際に高速応
答することができない。
【0070】本実施の形態に係るレーザダイオード駆動
回路によれば、レーザダイオード72に供給する電流を
電流源70から出力されるオフセット電流のみに制限す
る際に、電流源71の出力端と、PMOSトランジスタ
75及びPMOSトランジスタ76との間に設けられ該
PMOSトランジスタ75、76への電流供給を遮断す
る第3のスイッチ手段としてのPMOSトランジスタ8
0と、カレントミラー回路を構成するNMOSトランジ
スタ73、74を強制的にオフ状態にする第4のスイッ
チ手段としてのNMOSトランジスタ81とを付加する
ようにしたので、第5の実施の形態により得られる効果
に加えてレーザダイオード72に供給する電流を第1の
電流源から出力されるオフセット電流に制限する際にカ
レントミラー回路の影響を高速に断つことができる。
【0071】次に、本発明の第7の実施の形態に係るレ
ーザダイオード駆動回路の構成を図14に示す。同図に
おいて、本実施の形態に係るレーザダイオード駆動回路
が図11に示した第6の実施の形態に係るレーザダイオ
ード駆動回路と構成上、異なるのは、第3のスイッチ手
段としてのPMOSトランジスタ80を除去し、第2の
電流源としての電流源71の出力端と擬似負荷91との
間に接続される第5のスイッチ手段としてのPMOSト
ランジスタ90を設け、レーザダイオード72に供給す
る電流を電流源70(第1の電流源)から出力されるオ
フセット電流のみに制限する際にPMOSトランジスタ
90をオン状態とし、電流源71(第2の電流源)の出
力電流を擬似負荷91に流出させるようにした点であ
り、その他の構成、動作は図13示した第6の実施の形
態に係るレーザダイオード駆動回路と同様であるので、
重複する説明は省略する。
【0072】上記構成において、電圧パルス信号SW
1、SW1’によりPMOSトランジスタ75、76が
相補的にスイッチング動作する通常動作時には、NMO
Sトランジスタ81のゲートに入力される制御信号SW
3はローレベルであり、PMOSトランジスタ90のゲ
ートに入力される制御信号SW4はハイレベルとなる
(図15(A)、(B))。この状態下では図15
(C)に示すようにレーザダイオード72には中心とな
る100mAの電流値を固定した状態で50mAの振幅
で増減する駆動電流I1が供給される。
【0073】その後、時刻tnで制御信号SW4がハイ
レベルからローレベルに、制御信号SW3がローレベル
からハイレベルに変化すると共に、PMOSトランジス
タ75、76のゲートに入力されていた電圧パルス信号
SW1’、SW1がハイレベルの電位に固定されると、
電流源71の出力電流はPMOSトランジスタ90を介
して擬似負荷91にバイパスするように流出し、かつP
MOSトランジスタ75、76、NMOSトランジスタ
73、74はオフ状態となる。この結果、スイッチング
手段としてのPMOSトランジスタ75、76及び、N
MOSトランジスタ73、74により構成されるカレン
トミラー回路の動作の影響を高速に断つことができる。
【0074】また、第2の電流源としての電流源71の
出力端と、PMOSトランジスタ75、76、90のソ
ースとの接続点であるノードN1には常に、50mAの
定電流が流れているので、ノードN1における電圧変動
は生じない。したがって、本実施の形態に係るレーザダ
イオード駆動回路によれば、レーザダイオードに供給す
る電流を第1の電流源としての電流源70から出力され
るオフセット電流のみに制限する動作状態から、第1、
第2のスイッチ手段としてのPMOSトランジスタ7
5、76及びカレントミラー回路を構成するNMOSト
ランジスタ73、74の動作により上記オフセット電流
に第2の電流源としての電流源71から出力される電流
を重畳し、または上記オフセット電流から電流源71か
ら出力される電流の電流値に等しい電流をカレントミラ
ー回路側に分流させることによりパルス電流を発生する
動作状態に遷移する際に高速に応答することができる。
【0075】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項1に記載
の発明によれば、レーザダイオードに電流を供給する電
流源と、前記電流源と前記レーザダイオードとの間に設
けられ第1の電圧パルス信号により駆動される第1のス
イッチ手段と、前記電流源と第1のスイッチ手段との接
続点と擬似負荷との間に設けられ前記第1の電圧パルス
信号とは逆相の第2の電圧パルス信号により駆動される
第2のスイッチ手段とを有し、前記第1のスイッチ手段
と第2のスイッチ手段は相補的にスイッチング動作する
ようにしたので、前記電流源と第1のスイッチ手段との
接続点には常に一定電流が流れるために前記電流源と第
1のスイッチ手段との接続点における電位は変動せず、
レーザダイオードに高速のパルス電流を供給することが
できる。
【0076】請求項2に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する第2の電流源と、前記第2の電流源と前記レーザダ
イオードのアノード側との間に設けられ第1の電圧パル
ス信号により駆動される第1のスイッチ手段と、前記第
2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続点と擬似
負荷との間に設けられ前記第1の電圧パルス信号とは逆
相の第2の電圧パルス信号により駆動される第2のスイ
ッチ手段とを有し、前記第1のスイッチ手段と第2のス
イッチ手段は相補的にスイッチング動作するようにした
ので、第2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続
点には常に一定電流が流れるために前記第2の電流源と
第1のスイッチ手段との接続点における電位は変動せ
ず、第1の電流源により供給されるオフセット電流のレ
ベルに第2の電流源により供給される電流を第1のスイ
ッチ手段によりスイッチングすることにより得られる電
流パルスを重畳した高速のパルス電流をレーザダイオー
ドに供給することができる。
【0077】請求項3に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、前記オフセット電流に重畳する電流を供給
する2以上の第2の電流源とを有し、前記2以上の第2
の電流源の各々の出力端と、前記レーザダイオードのア
ノード側との間に第1のスイッチ手段が接続され、前記
2以上の第2の電流源の各々の出力端と前記第1のスイ
ッチ手段との接続点と、擬似負荷との間に第2のスイッ
チ手段が接続され、前記レーザダイオードに供給する電
流が、少なくとも前記オフセット電流のレベルを基準と
してパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号の
振幅が可変となるように前記2以上の第2の電流源の各
々の出力端に接続される第1、第2のスイッチ手段を駆
動制御するようにしたので、前記2以上の第2の電流源
の各々の出力端と前記第1、第2のスイッチ手段との接
続点である各ノードには常に定電流が流れるために電圧
変動がなく、それ故レーザダイオードに供給する電流
を、少なくとも前記オフセット電流のレベルを基準とし
てパルス電流信号を重畳し、かつ該パルス電流信号の振
幅が可変となるように制御することができる。
【0078】請求項4に記載の発明によれば、請求項3
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流が、前記オフセット電流の
レベルに更に、第2のオフセット電流を重畳し、該重畳
により加算された第2のオフセット電流のレベルを基準
にしてパルス電流信号を重畳するように前記2以上の第
2の電流源の各々の出力端に接続される第1、第2のス
イッチ手段を駆動制御するようにしたので、請求項3に
記載の発明による効果に加えて、レーザダイオードに供
給する電流を、オフセット電流を可変にし、かつこのオ
フセット電流にパルス電流信号を重畳するように制御す
ることができる。
【0079】請求項5に記載の発明によれば、カソード
側が接地されたレーザダイオードのアノード側と接続さ
れ該レーザダイオードにオフセット電流を供給する第1
の電流源と、第1の電流源とは出力電流値が異なる電流
を供給する第2の電流源と、第2の電流源の出力電流を
吸い込む第1のトランジスタと、該第1のトランジスタ
により駆動される第2のトランジスタとを有するカレン
トミラー回路と、前記第2のトランジスタと、前記第1
の電流源の出力端と前記レーザダイオードのアノードと
の接続点との間に設けられたスイッチ手段とを有するの
で、前記第1の電流源の出力端と前記レーザダイオード
のアノードとの接続点には常に定電流が流れ、このノー
ドにおける電位は変動せず、それ故前記第1の電流源に
より供給されるオフセット電流を基準としてスイッチ手
段により第1の電流源の出力電流から所定の電流量を断
続的にカレントミラー回路側に分流することにより得ら
れる高速のパルス電流をレーザダイオードに供給するこ
とができる。
【0080】請求項6に記載の発明によれば、レーザダ
イオードに対し第1の電流源によりオフセット電流を常
時、供給し、第1、第2のスイッチ手段及びカレントミ
ラー回路の動作により上記オフセット電流に第2の電流
源から出力される電流を重畳し、または上記オフセット
電流から第2の電流源から出力される電流の電流値に等
しい電流をカレントミラー回路側に分流させるようにし
たので、高速のパルス電流をレーザダイオードに供給す
ることができると共に、レーザダイオードに供給する電
流を、中心の電流値を固定した状態で振幅を変化させる
ことができる。
【0081】請求項7に記載の発明によれば、請求項6
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記レー
ザダイオードに供給する電流を前記第1の電流源から出
力されるオフセット電流のみに制限する際に、前記第2
の電流源の出力端と、前記第1のスイッチ手段及び第2
のスイッチ手段との間に設けられ該第1のスイッチ手段
及び第2のスイッチ手段への電流供給を遮断する第3の
スイッチ手段と、前記カレントミラー回路を構成する第
1、第2のトランジスタを強制的にオフ状態にする第4
のスイッチ手段とを設けたので、請求項6に記載された
発明により得られる効果に加えて、レーザダイオードに
供給する電流を第1の電流源から出力されるオフセット
電流のみに制限する際にカレントミラー回路の動作の影
響を高速に断つことができる。
【0082】請求項8に記載の発明によれば、請求項7
に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記第2
の電流源の出力端と擬似負荷との間に接続される第5の
スイッチ手段を有し、前記レーザダイオードに供給する
電流を前記第1の電流源から出力されるオフセット電流
のみに制限する際に前記第5のスイッチ手段をオン状態
とし、前記第2の電流源の出力電流を前記擬似負荷に流
出させるようにしたので、前記第2の電流源と、前記第
1及び第2のスイッチ手段との接続点には常に定電流が
流れるので、この接続点における電位は変動せず、それ
故レーザダイオードに供給する電流を第1の電流源から
出力されるオフセット電流のみに制限する動作状態か
ら、第1、第2のスイッチ手段及びカレントミラー回路
の動作により上記オフセット電流に第2の電流源から出
力される電流を重畳し、または上記オフセット電流から
第2の電流源から出力される電流の電流値に等しい電流
をカレントミラー回路側に分流させることによりパルス
電流を発生する動作状態に移行する際に高速に応答する
ことができる。
【0083】請求項9に記載の発明によれば、請求項1
乃至8のいずれかに記載のレーザダイオード駆動回路に
おいて、前記各スイッチ手段及び前記各トランジスタは
MOSトランジスタで形成するようにしたので、CMO
S半導体集積回路上に請求項1乃至8のいずれかに記載
のレーザダイオード駆動回路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路の構成を示す回路図。
【図2】 図1に示したレーザダイオード駆動回路の各
部の動作状態を示すタイミングチャート。
【図3】 本発明の第2の実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路の構成を示す回路図。
【図4】 図3に示したレーザダイオード駆動回路の各
部の動作状態を示すタイミングチャート。
【図5】 本発明の第3の実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路の構成を示す回路図。
【図6】 図5に示したレーザダイオード駆動回路にお
けるスイッチング素子の制御信号とレーザダイオードに
供給される駆動電流の変化状態との関係を示すタイミン
グチャート。
【図7】 本発明の第3の実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路の具体的構成例を示す回路図。
【図8】 図7に示したレーザダイオード駆動回路にお
けるスイッチング素子の制御信号とレーザダイオードに
供給される電流の変化状態との関係を示すタイミングチ
ャート。
【図9】 本発明の第4の実施の形態に係るレーザダイ
オード駆動回路の構成を示す回路図。
【図10】 図9に示したレーザダイオード駆動回路に
おけるスイッチング素子の制御信号とレーザダイオード
に供給される駆動電流の変化状態との関係を示すタイミ
ングチャート。
【図11】 本発明の第5の実施の形態に係るレーザダ
イオード駆動回路の構成を示す回路図。
【図12】 図11に示したレーザダイオード駆動回路
の各部の動作状態を示すタイミングチャート。
【図13】 本発明の第6の実施の形態に係るレーザダ
イオード駆動回路の構成を示す回路図。
【図14】 本発明の第7の実施の形態に係るレーザダ
イオード駆動回路の構成を示す回路図。
【図15】 図14に示したレーザダイオード駆動回路
における各スイッチング素子の動作状態とレーザダイオ
ードに供給される駆動電流との関係を示すタイミングチ
ャート。
【図16】 従来のレーザダイオード駆動回路の主要部
の構成例を示す回路図。
【図17】 図16に示したレーザダイオード駆動回路
の各部の動作状態を示すタイミングチャート。
【図18】 従来のレーザダイオード駆動回路の主要部
の他の構成例を示す回路図。
【図19】 図18に示したレーザダイオード駆動回路
の各部の動作状態を示すタイミングチャート。
【符号の説明】
10、20、21、30〜32 電流源 11、12、22、23、33〜36 NMOSトラン
ジスタ 13、24、37 レーザダイオード 14、25、38 擬似負荷

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザダイオードに電流を供給する電流
    源と、 前記電流源と前記レーザダイオードとの間に設けられ第
    1の電圧パルス信号により駆動される第1のスイッチ手
    段と、 前記電流源と第1のスイッチ手段との接続点と擬似負荷
    との間に設けられ前記第1の電圧パルス信号とは逆相の
    第2の電圧パルス信号により駆動される第2のスイッチ
    手段とを有し、 前記第1のスイッチ手段と第2のスイッチ手段は相補的
    にスイッチング動作することを特徴とするレーザダイオ
    ード駆動回路。
  2. 【請求項2】 カソード側が接地されたレーザダイオー
    ドのアノード側と接続され該レーザダイオードにオフセ
    ット電流を供給する第1の電流源と、 前記オフセット電流に重畳する電流を供給する第2の電
    流源と、 前記第2の電流源と前記レーザダイオードのアノード側
    との間に設けられ第1の電圧パルス信号により駆動され
    る第1のスイッチ手段と、 前記第2の電流源と前記第1のスイッチ手段との接続点
    と擬似負荷との間に設けられ前記第1の電圧パルス信号
    とは逆相の第2の電圧パルス信号により駆動される第2
    のスイッチ手段とを有し、 前記第1のスイッチ手段と第2のスイッチ手段は相補的
    にスイッチング動作することを特徴とするレーザダイオ
    ード駆動回路。
  3. 【請求項3】 カソード側が接地されたレーザダイオ
    ードのアノード側と接続され該レーザダイオードにオフ
    セット電流を供給する第1の電流源と、 前記オフセット電流に重畳する電流を供給する2以上の
    第2の電流源とを有し、 前記2以上の第2の電流源の各々の出力端と、前記レー
    ザダイオードのアノード側との間に第1のスイッチ手段
    が接続され、前記2以上の第2の電流源の各々の出力端
    と前記第1のスイッチ手段との接続点と、擬似負荷との
    間に第2のスイッチ手段が接続され、 前記レーザダイオードに供給する電流が、少なくとも前
    記オフセット電流のレベルを基準としてパルス電流信号
    を重畳し、かつ該パルス電流信号の振幅が可変となるよ
    うに前記2以上の第2の電流源の各々の出力端に接続さ
    れる第1、第2のスイッチ手段を駆動制御することを特
    徴とするレーザダイオード駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記レーザダイオードに供給する電流
    が、前記オフセット電流のレベルに更に、第2のオフセ
    ット電流を重畳し、該重畳により加算された第2のオフ
    セット電流のレベルを基準にしてパルス電流信号を重畳
    するように前記2以上の第2の電流源の各々の出力端に
    接続される第1、第2のスイッチ手段を駆動制御するこ
    とを特徴とする請求項3に記載のレーザダイオード駆動
    回路。
  5. 【請求項5】 カソード側が接地されたレーザダイオー
    ドのアノード側と接続され該レーザダイオードにオフセ
    ット電流を供給する第1の電流源と、 第1の電流源とは出力電流値が異なる電流を供給する第
    2の電流源と、 第2の電流源の出力電流を吸い込む第1のトランジスタ
    と該第1のトランジスタにより駆動される第2のトラン
    ジスタとを有するカレントミラー回路と、 前記第2のトランジスタと、前記第1の電流源の出力端
    と前記レーザダイオードのアノードとの接続点との間に
    設けられたスイッチ手段と、 を有することを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
  6. 【請求項6】 カソード側が接地されたレーザダイオー
    ドのアノード側と接続され該レーザダイオードにオフセ
    ット電流を供給する第1の電流源と、 第1の電流源とは出力電流値が異なる電流を供給する第
    2の電流源と、 第2の電流源の出力電流を吸い込む第1のトランジスタ
    と該第1のトランジスタにより駆動される第2のトラン
    ジスタとを有するカレントミラー回路と、 前記第2の電流源の出力端と前記第1のトランジスタと
    の間に設けられた第1のスイッチ手段と、 前記第2の電流源の出力端と前記第2のトランジスタと
    の間に設けられた第2のスイッチ手段とを有し、 前記第1の電流源の出力端を前記第2のスイッチ手段と
    前記第2のトランジスタとの接続点に接続すると共に、
    前記第1、第2のスイッチ手段が相補的にスイッチング
    動作するように該第1、第2のスイッチ手段を駆動制御
    することを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
  7. 【請求項7】 前記レーザダイオードに供給する電流を
    前記第1の電流源から出力されるオフセット電流のみに
    制限する際に、前記第2の電流源の出力端と、前記第1
    のスイッチ手段及び第2のスイッチ手段との間に設けら
    れ該第1のスイッチ手段及び第2のスイッチ手段への電
    流供給を遮断する第3のスイッチ手段と、 前記カレントミラー回路を構成する第1、第2のトラン
    ジスタを強制的にオフ状態にする第4のスイッチ手段を
    有することを特徴とする請求項6に記載のレーザダイオ
    ード駆動回路。
  8. 【請求項8】 前記第2の電流源の出力端と擬似負荷と
    の間に接続される第5のスイッチ手段を有し、 前記レーザダイオードに供給する電流を前記第1の電流
    源から出力されるオフセット電流のみに制限する際に前
    記第5のスイッチ手段をオン状態とし、前記第2の電流
    源の出力電流を前記擬似負荷に流出させることを特徴と
    する請求項7に記載のレーザダイオード駆動回路。
  9. 【請求項9】 前記各スイッチ手段及び前記各トランジ
    スタはMOSトランジスタで形成されることを特徴とす
    る請求項1乃至8のいずれかに記載のレーザダイオード
    駆動回路。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003032455A1 (fr) * 2001-10-02 2003-04-17 Hamamatsu Photonics K.K. Circuit d'attaque d'un element d'emission de lumiere
US7274648B2 (en) 2002-01-25 2007-09-25 Sony Corporation Semiconductor laser drive circuit including a waveform generator voltage-to-current conversion circuit
WO2007148581A1 (ja) * 2006-06-21 2007-12-27 Mitsumi Electric Co., Ltd. 発光ダイオード駆動回路
JP2013187528A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光素子駆動装置
JP2015076581A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 ソニー株式会社 光送信回路、光送信装置、および、光伝送システム
CN109326954A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 科大国盾量子技术股份有限公司 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100428592C (zh) * 2001-03-05 2008-10-22 富士施乐株式会社 发光元件驱动装置和发光元件驱动系统
JP4123791B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-23 富士ゼロックス株式会社 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム
JP3908971B2 (ja) * 2001-10-11 2007-04-25 浜松ホトニクス株式会社 発光素子駆動回路
JP3947495B2 (ja) * 2003-06-02 2007-07-18 ローム株式会社 モールド型半導体レーザ
JP2005026410A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ駆動装置
DE10358957A1 (de) * 2003-12-15 2005-07-07 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Kompatibler optischer Abtaster mit verbessertem Lasermodulator für Aufzeichnungs- oder Wiedergabegeräte optischer Aufzeichnungsträger
US7170335B2 (en) * 2004-03-08 2007-01-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Driver circuit for driving a light source of an optical pointing device
US7372882B2 (en) * 2004-04-28 2008-05-13 Renesas Technology Corp. Driving circuit for and semiconductor device for driving laser diode
WO2006067890A1 (ja) * 2004-12-22 2006-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光送信回路
US7400662B2 (en) * 2005-01-26 2008-07-15 Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd Calibration of laser systems
US7468998B2 (en) * 2005-03-25 2008-12-23 Pavilion Integration Corporation Radio frequency modulation of variable degree and automatic power control using external photodiode sensor for low-noise lasers of various wavelengths
EP1819021B1 (en) * 2006-02-14 2018-06-20 Finder S.P.A. Method and device for monitoring polyphase lines and for detecting phase losses based on the phase angle between phase-to-phase voltages
CN202797600U (zh) * 2012-09-13 2013-03-13 常州华达科捷光电仪器有限公司 一种激光模组控制电路
CN104596970B (zh) * 2014-12-30 2017-03-22 南京大学 一种中红外激光气体传感检测装置及方法
TWI575829B (zh) * 2015-11-25 2017-03-21 財團法人工業技術研究院 加快雷射二極體發光的控制方法
CN109257848A (zh) * 2018-10-22 2019-01-22 上海炬佑智能科技有限公司 光源驱动电路、光源驱动方法以及飞行时间测距传感器
JP2020088020A (ja) * 2018-11-16 2020-06-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 検出回路、駆動回路および発光装置
JP7414729B2 (ja) * 2018-11-27 2024-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 駆動装置および発光装置
CN112217571B (zh) * 2019-07-09 2022-02-22 博通集成电路(上海)股份有限公司 Cmos单管红外收发器
US10840907B1 (en) 2019-11-19 2020-11-17 Honeywell International Inc. Source-coupled logic with reference controlled inputs
US20220247145A1 (en) * 2020-03-24 2022-08-04 Shenzhen Intela Laser Technology Co., Ltd. Laser light source control system and control method thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139761A (ja) 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Electric Equip Corp インタ−ホンシステム
JPH04283978A (ja) 1991-03-13 1992-10-08 Fujitsu Ltd レーザダイオード駆動回路
JPH05190949A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Rohm Co Ltd レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路
JPH0734491A (ja) 1993-07-20 1995-02-03 Hitachi Constr Mach Co Ltd 建設機械のフィルタ目詰り検出装置
US5798658A (en) * 1995-06-15 1998-08-25 Werking; Paul M. Source-coupled logic with reference controlled inputs
JP3636411B2 (ja) 1997-03-19 2005-04-06 富士通株式会社 レーザーダイオードの駆動回路および駆動方法
JPH11208017A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Canon Inc 発光素子駆動装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003032455A1 (fr) * 2001-10-02 2003-04-17 Hamamatsu Photonics K.K. Circuit d'attaque d'un element d'emission de lumiere
US7535266B2 (en) 2001-10-02 2009-05-19 Hamamatsu Phontonics K.K. Light emitting device driving circuit
US7274648B2 (en) 2002-01-25 2007-09-25 Sony Corporation Semiconductor laser drive circuit including a waveform generator voltage-to-current conversion circuit
WO2007148581A1 (ja) * 2006-06-21 2007-12-27 Mitsumi Electric Co., Ltd. 発光ダイオード駆動回路
CN101473456B (zh) * 2006-06-21 2012-05-09 三美电机株式会社 发光二极管驱动电路
JP2013187528A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光素子駆動装置
JP2015076581A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 ソニー株式会社 光送信回路、光送信装置、および、光伝送システム
CN109326954A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 科大国盾量子技术股份有限公司 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块
CN109326954B (zh) * 2017-07-31 2024-01-26 科大国盾量子技术股份有限公司 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块

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