JP2001237102A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期間保存後に電子部品を回路基板にはんだ
付けで実装する場合においても、はんだの濡れ性が良好
に保たれ、かつ側面電極層の表面にウィスカが発生しに
くい電子部品を提供することを目的とする。 【解決手段】 基体１１の側面に側面電極層を有する電
子部品において、前記側面電極層を覆うように少なくと
もスズを含有する第１の接続層２０を設けるとともに、
この第１の接続層２０を覆うようにこの第１の接続層２
０よりもスズの含有率を少なくした第２の接続層２１を
設けたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に用い
られる側面に電極を有する電子部品およびその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、この種の電子部品は、外部の電
子回路と接続するための電極として側面に電極を有する
ものが多く使用されている。このような電子部品の一例
としてチップ形抵抗器があり、例えば、特開平４−１０
２３０２号公報に開示されたものが知られている。

【０００３】以下、従来の電子部品についてチップ形抵
抗器を例にして図面を参照しながら説明する。

【０００４】図７（ａ）は従来のチップ形抵抗器の斜視
図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【０００５】図７（ａ）（ｂ）において、１はセラミッ
ク材料からなる基体である。２は基体１の上面の側部に
設けられた第１の上面電極層である。３は第１の上面電
極層２に一部が重なるように基体１の上面に設けられた
抵抗層である。４は少なくとも抵抗層３を覆うように設
けられた第１の保護層である。５は抵抗値を調整するた
めに、レーザ光を第１の保護層４を通過させて抵抗層３
に照射して設けられたトリミング溝である。６は少なく
ともトリミング溝５を覆うように第１の保護層４の上面
に設けられた第２の保護層である。７は第１の上面電極
層２の上面に重なりかつ第１の上面電極層２の端部まで
設けられた第２の上面電極層である。８は基体１の端面
に少なくとも第２の上面電極層７と電気的に接続するよ
うに設けられた端面電極層である。９は第２の上面電極
層７および端面電極層８を覆うように設けられたニッケ
ルめっき層で、このニッケルめっき層９と前記端面電極
層８とにより、側面電極層を構成しているものである。
１０はニッケルめっき層９を覆うように設けられたはん
だめっき層である。

【０００６】以上のように構成されたチップ形抵抗器に
ついて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明
する。

【０００７】図８（ａ）〜（ｆ）は従来のチップ形抵抗
器の製造方法を示す工程図である。

【０００８】まず、図８（ａ）に示すように、基体１の
上面の両側部に導電性ペーストを印刷後、焼成して第１
の上面電極層２を形成する。

【０００９】次に、図８（ｂ）に示すように、第１の上
面電極層２に一部が重なるように基体１の上面に抵抗ペ
ーストを印刷後、焼成して抵抗層３を形成する。

【００１０】次に、図８（ｃ）に示すように、抵抗層３
を覆うようにガラスペーストを印刷し焼成して第１の保
護層４を形成した後、第１の保護層４を透過させて抵抗
層３にレーザ光を照射することによりトリミング溝５を
形成して抵抗値を修正する。

【００１１】次に、図８（ｄ）に示すように、少なくと
もトリミング溝５を覆うように第１の保護層４の上面に
絶縁塗料を印刷後、硬化させて第２の保護層６を形成す
る。

【００１２】次に、図８（ｅ）に示すように、第１の上
面電極層２の上面に重なりかつ第１の上面電極層２の端
部までのびるように導電性ペーストを印刷後、焼成して
第２の上面電極層７を形成する。

【００１３】次に、図８（ｆ）に示すように、基体１の
端面に、第１の上面電極層２および第２の上面電極層７
と電気的に接続されるように導電ペーストを塗布し、硬
化させて端面電極層８を形成する。

【００１４】次に、第２の上面電極層７および端面電極
層８を覆うようにめっき工法により図７に示すようなニ
ッケルめっき層９を形成し、このニッケルめっき層９と
前記端面電極層８とにより側面電極層を構成する。

【００１５】さらに、ニッケルめっき層９を覆うように
めっき工法により、図７に示すようなはんだめっき層１
０を形成して、従来のチップ形抵抗器を製造していた。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のチップ形抵抗器では、このチップ形抵抗器のは
んだめっき層１０に鉛が含まれているため、このような
チップ形抵抗器を使用した電子機器を廃棄して埋め立て
処分したときに、鉛が溶出することがあった。また、鉛
を使用しないスズ１００％のめっき材料を用いて最外層
である側面電極層を形成したものにおいては、このよう
なスズ１００％の最外層を有するチップ形抵抗器を長期
間保存した後、回路基板にはんだ付けで実装する場合
に、はんだの濡れ性が劣化するか、または上記最外層の
表面にウィスカが発生するということがあった。

【００１７】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、長期間保存後に電子部品を回路基板にはんだ付けで
実装する場合においても、はんだの濡れ性が良好に保た
れ、かつ側面電極層の表面にウィスカが発生しにくい電
子部品を提供することを目的とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の電子部品は、基体の側面に側面電極層を有
する電子部品において、前記側面電極層を覆うように少
なくともスズを含有する第１の接続層を設けるととも
に、この第１の接続層を覆うようにこの第１の接続層よ
りもスズの含有率を少なくした第２の接続層を設けたも
ので、この構成によれば、長期間保存後に電子部品を回
路基板にはんだ付けで実装する場合においても、はんだ
の濡れ性が良好に保たれ、かつ側面電極層の表面にウィ
スカが発生するのも抑えることができるものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基体の側面に側面電極層を有する電子部品におい
て、前記側面電極層を覆うように少なくともスズを含有
する第１の接続層を設けるとともに、この第１の接続層
を覆うようにこの第１の接続層よりもスズの含有率を少
なくした第２の接続層を設けたもので、この構成によれ
ば、最外層である第２の接続層のスズの含有率を少なく
しているため、長期間保存後に電子部品を回路基板には
んだ付けで実装する場合においても、はんだの濡れ性が
良好に保たれ、かつ側面電極層の表面にスズによるウィ
スカが発生するのも抑えることができるという作用を有
するものである。

【００２０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の第１の接続層と第２の接続層との境界部分を第１の接
続層または第２の接続層と同じ物質のみで構成したもの
で、この構成によれば、この電子部品を回路基板に実装
した後、ヒートサイクルが加わった場合でも、前記第２
の接続層と第１の接続層との境界部分には他の物質、例
えば酸化物の含有率が高い物質等を含まないため、熱応
力により大きな歪みを発生させることも無く、特性の変
化が少ないという作用を有するものである。

【００２１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の第２の接続層の層厚を０．５μｍ以上としたもので、
この構成によれば、長期間保存後もはんだの濡れ性が良
好で、またスズによるウィスカの発生も抑えられるとい
う作用を有するものである。

【００２２】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の第１の接続層の層厚と第２の接続層の層厚とを合わせ
た層厚を２μｍ以上としたもので、この構成によれば、
長期間保存後もはんだの濡れ性が良好で、またウィスカ
の発生も抑えられるという作用を有するものである。

【００２３】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の第１の接続層および第２の接続層をスズに少なくとも
鉛、ビスマス、銅、銀のいずれか１つを含有させた金属
で構成したもので、この構成によれば、長期保存後もは
んだの濡れ性が良好で、またウィスカの発生も抑えられ
るという作用を有するものである。

【００２４】請求項６に記載の発明は、基体の側面に側
面電極層を有する電子部品において、前記側面電極層を
覆うようにスズを含有する接続層を設け、かつこの接続
層は前記側面電極層側から外縁側に向かうにつれてスズ
の含有率が少なくなるように構成したもので、この構成
によれば、長期間保存後もはんだの濡れ性が良好で、ま
たウィスカの発生も抑えられ、さらにはこの電子部品に
ヒートサイクルが加わった場合でも熱応力を緩和できる
ため、特性の変化が少ないという作用を有するものであ
る。

【００２５】請求項７に記載の発明は、基体の側面に側
面電極層を有する電子部品の製造方法において、前記側
面電極層を覆うように少なくともスズを含有する第１の
接続層を形成する工程と、前記第１の接続層を覆うよう
に前記第１の接続層よりもスズの含有率が少ない第２の
接続層を形成する工程とを備えたもので、この製造方法
によれば、長期間保存後もはんだの濡れ性が良好で、ま
たウィスカの発生も抑えられ、さらにはこの電子部品が
廃棄されて埋め立て処分された場合でも、鉛の溶出量を
少なくすることができるという作用を有するものであ
る。

【００２６】請求項８に記載の発明は、基体の側面に側
面電極層を有する電子部品の製造方法において、前記側
面電極層を覆うとともに前記側面電極層側から外縁側に
向かうにつれてスズの含有率が少なくなる接続層を形成
する工程を有し、かつ前記接続層を同一のめっき槽で形
成するようにしたもので、この製造方法によれば、めっ
き槽を替えずに同じめっき槽で接続層を形成できるた
め、生産設備を簡素化でき量産性に優れたものが得られ
るものである。また接続層のスズの含有量を、ニッケル
めっき槽に接する側面電極層側から外縁側に向かうにつ
れて少なくしているため、長期間保存後もはんだの濡れ
性が良好で、またウィスカの発生も抑えられるという作
用を有するものである。

【００２７】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における電子部品およびその製造方法について、電
子部品の一種であるチップ形抵抗器を例にして、図面を
参照しながら説明する。

【００２８】図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけ
るチップ形抵抗器の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の
Ｂ−Ｂ線断面図である。

【００２９】図１（ａ）（ｂ）において、１１はセラミ
ック材料からなる基体である。１２は基体１１の上面の
側部に設けられた第１の上面電極層である。１３は第１
の上面電極層１２に一部が重なるように基体１１の上面
に設けられた抵抗層である。１４は少なくとも抵抗層１
３を覆うように設けられた第１の保護層である。１５は
抵抗値を調整するために、レーザ光を第１の保護層１４
を通過させて抵抗層１３に照射して設けられたトリミン
グ溝である。１６は少なくともトリミング溝１５を覆う
ように第１の保護層１４の上面に設けられた第２の保護
層である。１７は第１の上面電極層１２の上面に重なる
ように基体１１の幅いっぱいまで設けられた第２の上面
電極層である。１８は基体１１の端面に少なくとも第２
の上面電極層１７と電気的に接続するように設けられた
端面電極層である。１９は第２の上面電極層１７および
端面電極層１８の表面に設けられたニッケルめっき層で
あり、このニッケルめっき層１９と前記端面電極層１８
とにより、側面電極層を構成しているものである。２０
はニッケルめっき層１９の表面に設けられたはんだめっ
き層である。２０はニッケルめっき層１９の表面に設け
られ、かつ少なくともスズを含有する第１の接続層であ
る。２１は第１の接続層２０を覆うように設けられ、か
つ第１の接続層２０よりもスズの含有率を少なくした第
２の接続層である。そしてこの第２の接続層２１の層厚
は０．５μｍ以上とし、また前記第１の接続層２０の層
厚と第２の接続層２１の層厚とを合わせた層厚は２μｍ
以上で、かつ２０μｍ以下としているものである。

【００３０】以上のように構成されたチップ形抵抗器に
ついて、以下にその製造方法を説明する。

【００３１】図２は本発明の実施の形態１におけるチッ
プ形抵抗器の製造工程の概要を示す工程図である。

【００３２】図２において第１の上面電極層形成からニ
ッケルめっき層形成までの工程は、従来の技術で図８を
用いて説明したものと同じであるため、第１の上面電極
層形成からニッケルめっき層形成までの工程説明は省略
し、ニッケルめっき層形成の次の工程から説明する。

【００３３】まず、側面電極層の一部であるニッケルめ
っき層１９を形成した後、スズ含有率９５〜１００％、
好ましくはスズ１００％で、鉛含有率５〜０％、好まし
くは鉛含有率０％の組成となるめっき層を形成するめっ
き液を入れためっき槽により、電流密度１〜１０Ａ／ｄ
ｍ²の条件で、約４０分間のバレルめっきを施し、少な
くともニッケルめっき層１９を覆うように第１の接続層
２０を形成する。

【００３４】次に、スズ含有率９０〜９５％と、鉛含有
率１０〜５％の組成となるめっき層を形成するめっき液
を入れためっき槽により、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ²
の条件で、約１０分間のバレルめっきを施して、少なく
とも第１の接続層２０を覆うように第２の接続層２１を
形成する。このとき、第２の接続層２１の層厚は０．５
μｍ以上になるようにめっきを施すものであり、さらに
第２の接続層２１のスズ含有率は第１の接続層２０のス
ズ含有率よりも少なくするものである。また、上記本発
明の実施の形態１においては、第１の接続層２０を形成
した直後に第２の接続層２１用のめっき槽を設置して第
１の接続層２０を形成した後、第１の接続層２０が水等
の他の液体や空気等に直接接する前に、連続的に第２の
接続層２１を形成するようにしているため、第１の接続
層２０の表面に酸化された層が形成されることはないも
のである。そしてまた、第１の接続層２０を形成するた
めのめっき槽と、第２の接続層２１用のめっき槽との間
に水洗層を設置する必要もないため、設備も簡素化でき
るものである。

【００３５】最後に、第２の接続層２１を形成したチッ
プ形抵抗器を水洗し、第３リン酸ナトリウム水溶液で変
色防止処理を行い、乾燥させて本発明の実施の形態１に
おけるチップ形抵抗器を製造するものである。

【００３６】次に、本発明の実施の形態１におけるチッ
プ形抵抗器について、従来のチップ形抵抗器および比較
のための試作品と比較してその特徴を説明する。

【００３７】従来の一般のチップ形抵抗器の接続層の厚
みは約１５μｍで、スズと鉛との組成比率は９０：１０
であった。鉛を含有せずスズ１００％にした試作品の接
続層の層厚は約１５μｍ、スズと鉛との組成比率は１０
０：０である。それに対して本発明の実施の形態１に示
すチップ形抵抗器の第１の接続層２０の層厚は約１４μ
ｍ、スズと鉛との組成比率は１００：０で、第２の接続
層２１の層厚は約１μｍであり、スズと鉛との組成比率
は９０：１０である。

【００３８】この３種類のチップ形抵抗器の１個あたり
に含まれる鉛の量を無極放電プラズマ中で発光分光分析
で測定するＩＰＣ分析法により定量分析した。この３種
類のチップ形抵抗器の１個あたりに含まれる鉛の量は、
それぞれ従来の一般のチップ形抵抗器では約１．１ｍ
ｇ、スズ１００％にした試作品の鉛含有量は、０．０ｍ
ｇ、本発明の実施の形態１におけるチップ形抵抗器の鉛
含有量は０．２ｍｇであった。すなわち、本発明の実施
の形態１におけるチップ形抵抗器の鉛含有量は、従来の
一般のチップ形抵抗器の鉛含有量に比べて約５分の１で
あり、鉛の含有量が少ないため、廃棄後埋め立て処分さ
れた場合でも鉛の溶出量が少ないチップ形抵抗器が得ら
れるものである。

【００３９】また、上記３種類のチップ形抵抗器を温度
約６０℃、湿度約９５％の雰囲気中に約５００時間放置
後、メニスコグラフ法により約２３０℃の溶融はんだを
用いて、接続層の表面がはんだに濡れるまでの時間を測
定した結果を下記に示す。このテストは劣化を加速する
ような環境条件の中に長時間電子部品を保存した場合の
はんだ付け性をはんだに濡れるまでの時間で測定するも
のである。はんだに濡れるまでの時間は、それぞれ従来
の一般のチップ形抵抗器で約０．４０秒、スズ１００％
にした試作品では、約１．６０秒、本発明の実施の形態
１によるチップ形抵抗器の場合は約０．４１秒であっ
た。したがって、はんだに濡れるまでの時間によるはん
だ濡れ性の評価結果は、スズ１００％の場合が最も悪
く、従来の一般のチップ形抵抗器と本発明の実施の形態
１におけるチップ形抵抗器の場合は同等となり、良好で
あった。

【００４０】上記した鉛の含有量を測定した結果とはん
だの濡れ性 を測定した結果とをまとめると、本発明の
実施の形態１におけるチップ形抵抗器は従来のものに比
べてはんだ含有量が約５分の１と少なく、また長期間保
存した場合でもはんだの濡れ性は劣化せず、良好である
ことが分かる。

【００４１】次に、本発明の実施の形態１において、第
２の接続層２１の層厚を約１μｍに固定して、第１の接
続層２０と第２の接続層２１との合計の層厚を変えてサ
ンプルを作り、上記と同じ方法ではんだに濡れるまでの
時間を測定した。その測定結果を図３に示す。測定結果
は、図３に示すように、第１の接続層２０と第２の接続
層２１との合計の層厚が２μｍ以上であれば、はんだ濡
れ時間は１秒間以内であり、はんだの濡れ性が良好であ
ることがわかる。

【００４２】また、第１の接続層２０の層厚を４．０μ
ｍに固定して、第２の接続層２１の層厚が０．３μｍ、
０．５μｍ、１．２μｍ、１．８μｍのサンプルを各１
００個ずつ作成し、温度約６０℃、湿度９５％の雰囲気
中に約２５０時間放置後、ウィスカの発生しているサン
プルの率を調べた。その結果を図４に示す。図４に示す
ように第２の接続層２１の層厚が０．５μｍ以上であれ
ばウィスカの発生が無いことがわかる。

【００４３】なお、上記本発明の実施の形態１における
チップ形抵抗器では、スズ−鉛系のはんだめっきについ
て説明したが、スズ−ビスマス系はんだ、スズ−銀系は
んだ、スズ−銅系はんだ、およびこれらの複合形はんだ
を用いても、本発明の実施の形態１と同様の効果を有す
るものである。

【００４４】また、本発明の実施の形態１では、チップ
形抵抗器について説明したが、これに限定されるもので
はなく、他の電子部品、例えば、積層セラミックコンデ
ンサ、チップ形ビーズコア、チップ形コイル、チップ形
抵抗・コンデンサ・コイル複合部品等においても同様の
効果を有するものである。

【００４５】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における電子部品およびその製造方法について、電
子部品の一種であるチップ形抵抗器を例にして、図面を
参照しながら説明する。

【００４６】図５（ａ）は本発明の実施の形態２におけ
るチップ形抵抗器の斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ｃ−Ｃ線断面図である。

【００４７】図５（ａ）（ｂ）において、３１はセラミ
ック材料からなる基体である。３２は基体３１の上面の
側部に設けられた第１の上面電極層である。３３は第１
の上面電極層３２に一部が重なるように基体３１の上面
に設けられた抵抗層である。３４は少なくとも抵抗層３
３を覆うように設けられた第１の保護層である。３５は
抵抗値を調整するために、レーザ光を第１の保護層３４
を通過させて抵抗層３３に照射して設けられたトリミン
グ溝である。３６は少なくともトリミング溝３５を覆う
ように第１の保護層３４の上面に設けられた第２の保護
層である。３７は第１の上面電極層３２の上面に重なる
ように基体３１の幅いっぱいまで設けられた第２の上面
電極層である。３８は基体３１の端面に少なくとも第２
の上面電極層３７と電気的に接続するように設けられた
端面電極層である。３９は第２の上面電極層３７および
端面電極層３８の表面に設けられたニッケルめっき層で
あり、このニッケルめっき層３９と前面端面電極層３８
とにより、側面電極層を構成しているものである。４０
はニッケルめっき層３９の表面に設けられた接続層でこ
の接続層４０は、ニッケルめっき層３９に直接接してい
る部分、すなわち前記側面電極層側から外縁側に向かう
につれてスズの含有率が少なくなるように構成されてい
る。すなわち、ニッケルめっき層３９から離れた外縁側
になるほど、ニッケルめっき層３９に直接接している内
縁側に比べてスズの含有率が少なく鉛の含有率が多くな
っており、内縁側から外縁側へは組成変化が連続的でか
つ単層であり、二層以上となるような境界が無いもので
ある。

【００４８】以上のように構成された本発明の実施の形
態２のチップ形抵抗器について、以下にその製造方法を
説明する。

【００４９】図６は本発明の実施の形態２におけるチッ
プ形抵抗器の製造工程の概要を示す工程図である。

【００５０】図６において第１の上面電極層形成からニ
ッケルめっき層形成までの工程は、従来の技術で図８を
用いて説明したものと同じであるため、第１の上面電極
層形成からニッケルめっき層形成までの工程説明は省略
し、ニッケルめっき層形成の次の工程から説明する。

【００５１】まず、側面電極層の一部であるニッケルめ
っき層３９を形成した後、スズ含有率９５〜１００％、
好ましくはスズ９８％、鉛含有率５〜２％、好ましくは
２％の組成となるめっき層を形成するめっき液を入れた
めっき槽により、電流密度５〜１５Ａ／ｄｍ²の条件で
約３０分間のバレルめっきを施し、引き続き、同一のめ
っき層により、電流密度を１〜７Ａ／ｄｍ²に変化させ
て約１５分間のバレルめっきを施し、ニッケルめっき層
３９の表面に単層である接続層４０を形成する。このよ
うにして形成された接続層４０は、鉛とスズのイオン化
傾向の違いにより、ニッケルめっき層３９に接している
内縁側のめっき層の組成はスズの含有率が高く、外縁側
ではスズの含有率が低くなり、したがって外縁側では鉛
の含有率が高くなっている。

【００５２】最後に、接続層４０を形成したチップ形抵
抗器を水洗し、第３リン酸ナトリウム水溶液で変色防止
処理を行い、乾燥させて本発明の実施の形態２における
チップ形抵抗器を製造するものである。

【００５３】上記したように、本発明の実施の形態２に
おけるチップ形抵抗器の製造方法は、組成比率変化のあ
る接続層４０を形成する際に、同一めっき槽のめっき液
を用いて電流密度を変えることにより鉛とスズとの含有
率を変えるようにしているため、製造設備を簡素化、小
型化でき、また生産性でも優れているという効果を有す
るものである。

【００５４】また、めっき時の電流密度の変化を徐々に
連続的に行わせることによって、単層である接続層４０
中のスズや鉛との含有率、すなわち組成比率を連続的に
変化させることができる。接続層４０の組成が連続的に
変化していると、チップ形抵抗器を回路基板にはんだ付
けした後、強いヒートショックが加えられた場合でも、
熱応力を吸収することができ、これにより、ヒートショ
ックによる特性変化が小さいなどのヒートショックに対
する耐久性が高くなるという効果を有する。

【００５５】次に、本発明の実施形態２におけるチップ
形抵抗器について、従来のチップ形抵抗器および比較の
ための試作品と比較してその特徴を説明する。

【００５６】従来の一般のチップ形抵抗器の接続層の厚
みは約１５μｍで、スズと鉛との組成比率は９０：１０
であった。鉛を含有せずスズ１００％にした試作品の接
続層の層厚は約１５μｍ、スズと鉛との組成比率は１０
０：０である。それに対して本発明の実施の形態２に示
すチップ形抵抗器の接続層の層厚は約１５μｍ、スズと
鉛との組成比率はニッケルめっき層９に接している内縁
側では９８：２であり、外縁側では組成比率９１：９で
ある。

【００５７】この３種類のチップ形抵抗器の１個あたり
に含まれる鉛の量を本発明の実施の形態１と同様にＩＰ
Ｃ分析法により定量分析した。この３種類のチップ形抵
抗器の１個あたりに含まれる鉛の量は、それぞれ従来の
一般のチップ形抵抗器では約１．１ｍｇ、スズ１００％
にした試作品の鉛含有量は、０．０ｍｇ、本発明の実施
の形態２におけるチップ形抵抗器の鉛含有量は約０．３
ｍｇであった。すなわち、本発明の実施の形態２におけ
るチップ形抵抗器の鉛含有量は、従来の一般のチップ形
抵抗器の鉛含有量に比べて約４分の１であり、鉛の含有
量が少ないチップ形抵抗器が得られるものである。

【００５８】また、上記３種類のチップ形抵抗器を温度
約６０℃、湿度約９５％の雰囲気中に約５００時間放置
後、メニスコグラフ法により約２３０℃の溶融はんだを
用いて、はんだに濡れるまでの時間を測定した結果を下
記に示す。このテストは劣化を加速するような環境条件
の中に長期間電子部品を保存した場合のはんだ付け性を
はんだに濡れるまでの時間を測定するものである。はん
だに濡れるまでの時間は、それぞれ従来の一般のチップ
形抵抗器で約０．４０秒、スズ１００％にした試作品で
は、約１．６０秒、本発明の実施の形態２におけるチッ
プ形抵抗器の場合は約０．４３秒であった。はんだに濡
れるまでの時間、すなわちはんだ濡れ性はスズ１００％
の場合が最も悪く、従来の一般のチップ形抵抗器と本発
明の実施の形態２におけるチップ形抵抗器の場合はほぼ
同等であった。

【００５９】そしてまた、単層となっている接続層４０
は、最外層のスズの含有率が少なく、鉛の含有率が９％
になっているため、接続層４０の表面にウィスカが発生
しないものである。

【００６０】上記した鉛の含有量を測定した結果とはん
だの濡れ性を測定した結果とをまとめると、本発明の実
施の形態２におけるチップ形抵抗器は従来のものに比べ
てはんだ含有量が約４分の１と少なく、また長期保存し
た場合でもはんだの濡れ性は良いことがわかる。

【００６１】なお、上記本発明の実施の形態２における
チップ形抵抗器では、スズ−鉛系のはんだめっきについ
て説明したが、スズ−ビスマス系はんだ、スズ−銀系は
んだ、スズ−銅系はんだ、およびこれらの複合系はんだ
を用いても、本発明の実施の形態２と同様の効果を有す
るものである。

【００６２】また、本発明の実施の形態２では、チップ
形抵抗器について説明したが、これに限定されるもので
はなく、他の電子部品、例えば、積層セラミックコンデ
ンサ、チップ形ビーズコア、チップ形コイル、チップ形
抵抗・コンデンサ・コイル複合部品等においても同様の
効果を有するものである。

【００６３】

【発明の効果】以上のように本発明の電子部品は、側面
電極層を覆うように少なくともスズを含有する第１の接
続層を設けるとともに、この第１の接続層を覆うように
この第１の接続層よりもスズの含有率を少なくした第２
の接続層を設けたもので、最外層である第２の接続層は
スズの含有率を少なくしているため、長期間保存後に電
子部品を回路基板にはんだ付けで実装する場合において
も、はんだの濡れ性が良好に保たれ、かつ側面電極層の
表面にスズによるウィスカが発生するのも抑えることが
できるという効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形
抵抗器の斜視図 （ｂ）（ａ）のＢ−Ｂ線断面図

【図２】本発明の実施の形態１におけるチップ形抵抗器
の製造工程の概要を示す工程図

【図３】はんだ濡れ時間の測定結果を示す図

【図４】ウィスカの発生率を示す図

【図５】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形
抵抗器の斜視図 （ｂ）（ａ）のＣ−Ｃ線断面図

【図６】本発明の実施の形態２におけるチップ形抵抗器
の製造工程の概要を示す工程図

【図７】（ａ）従来のチップ形抵抗器の斜視図 （ｂ）（ａ）のＡ−Ａ線断面図

【図８】（ａ）〜（ｆ）従来のチップ形抵抗器の製造方
法を示す工程図

【符号の説明】

１１、３１ 基体 １８、３８ 端面電極層 １９、３９ ニッケルめっき層 ２０ 第１の接続層 ２１ 第２の接続層 ４０ 接続層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体の側面に側面電極層を有する電子部
   品において、前記側面電極層を覆うように少なくともス
   ズを含有する第１の接続層を設けるとともに、この第１
   の接続層を覆うようにこの第１の接続層よりもスズの含
   有率を少なくした第２の接続層を設けた電子部品。
2. 【請求項２】 第１の接続層と第２の接続層との境界部
   分を第１の接続層または第２の接続層と同じ物質のみで
   構成した請求項１記載の電子部品。
3. 【請求項３】 第２の接続層の層厚を０．５μｍ以上と
   した請求項１記載の電子部品。
4. 【請求項４】 第１の接続層の層厚と第２の接続層の層
   厚とを合わせた層厚を２μｍ以上とした請求項１記載の
   電子部品。
5. 【請求項５】 第１の接続層および第２の接続層をスズ
   に少なくとも鉛、ビスマス、銅、銀のいずれか１つを含
   有させた金属で構成した請求項１記載の電子部品。
6. 【請求項６】 基体の側面に側面電極層を有する電子部
   品において、前記側面電極層を覆うようにスズを含有す
   る接続層を設け、かつこの接続層は前記側面電極層側か
   ら外縁側に向かうにつれてスズの含有率が少なくなるよ
   うに構成した電子部品。
7. 【請求項７】 基体の側面に側面電極層を有する電子部
   品の製造方法において、前記側面電極層を覆うように少
   なくともスズを含有する第１の接続層を形成する工程
   と、前記第１の接続層を覆うように前記第１の接続層よ
   りもスズの含有率が少ない第２の接続層を形成する工程
   とを備えた電子部品の製造方法。
8. 【請求項８】 基体の側面に側面電極層を有する電子部
   品の製造方法において、前記側面電極層を覆うとともに
   前記側面電極層側から外縁側に向かうにつれてスズの含
   有率が少なくなる接続層を形成する工程を有し、かつ前
   記接続層を同一のめっき槽で形成するようにした電子部
   品の製造方法。