JP2001223290A

JP2001223290A - プリント配線板の製造方法

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Publication number: JP2001223290A
Application number: JP2000029987A
Authority: JP
Inventors: Yogo Kawasaki; 洋吾川崎; Masanori Kawade; 雅徳川出
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-02-08
Filing date: 2000-02-08
Publication date: 2001-08-17
Anticipated expiration: 2020-02-08
Also published as: JP4226180B2

Abstract

(57)【要約】【課題】信頼性を高めたプリント配線板の製造方法を
提供する。【解決手段】プリント配線板１０の片面に、低融点の
半田からなる半田ペースト７６αを印刷し、もう一方の
片面に高融点の半田からなる導電性接着剤８６を印刷す
る。その後、導電性接着剤８６に導電性接続ピン８０を
当接させ、高融点の半田が溶融する最低の温度でリフロ
ーをする。それにより、半田バンプの形成と導電性接続
ピン８０の取り付けとを同時にでき、リフロー時の熱に
よる基板の影響を最小にすることで、プリント配線板の
信頼性を高める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、上面に半田バン
プが形成され、下面に導電性接続ピンが配設されたプリ
ント配線板の製造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＰＧＡパッケージ基板においては、プリ
ント配線板の表層の片面に半田ペーストなどを印刷し、
リフローをしてＩＣチップなどの電子部品を実装するた
めの半田バンプを形成する。その後、もう一方の片面
に、半田ペーストなどの導電性接着剤を印刷し、マザー
ボードやドータボードヘ接続するための導電性接続ピン
を、導電性接着剤に取り付けてリフローをして接続固定
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法では、半田バンプ形成と導電性接続ピンの取り付
けとを、別々にリフローをして行っているため、リフロ
ーの回数が増えてしまい、リフロー時の熱の影響による
基板の反りが生じ易くなっていた。基板に反りが生じた
場合、基板中の配線が断線もしくは断線し易くなってし
まい、基板の信頼性を低下させていた。また、導電性接
続ピンは傾くこともあり、ソケットへ挿入できないこと
や、半田部分の応力により導電性接続ピンが剥がれるこ
とがあり、電気的接続が取れないことがあった。

【０００４】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、信頼性を高めたプリ
ント配線板を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明では、上面に半田バンプが形成さ
れ、下面に導電性接続ピンが配設される少なくとも以下
の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを技術的特徴とす
るプリント配線板の製造方法にある：（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する
工程と：（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する
工程と：（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するよう
に導電性接続ピンを位置決めする工程と：（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する
最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バ
ンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記
高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける
工程。

【０００６】請求項１では、プリント配線板の上面に低
融点の半田を用い、下面には、高融点の半田を用いてい
る。そして、プリント配線板の上面の半田バンプの形成
と、プリント配線板の下面の半田を介して導電性接続ピ
ンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田が溶融す
る最低の温度でリフローすることにより、同時に行って
いる。それにより、リフローの回数を１回にすることが
でき、リフロー時の熱による基板の影響を最小にするこ
とができ、プリント配線板の信頼性を高めることが可能
となる。

【０００７】請求項２の発明では、上面に半田バンプが
形成され、下面に導電性接続ピンが配設される少なくと
も以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを技術的特
徴とするプリント配線板の製造方法にある：（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する
工程と：（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する
工程と：（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するよう
に導電性接続ピンを位置決めする工程と：（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する
最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バ
ンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記
高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける
工程：（Ｅ）プリント配線板の前記半田バンプに電子部品を載
置し、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田
の溶融しない温度を加え、当該電子部品を半田バンプに
取り付ける工程。

【０００８】請求項２では、プリント配線板の上面に低
融点の半田を用い、下面には、高融点の半田を用いてい
る。そして、プリント配線板の上面の半田バンプの形成
と、プリント配線板の下面の半田を介して導電性接続ピ
ンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田が溶融す
る最低の温度でリフローすることにより、同時に行って
いる。これにより、リフロー時の熱による基板の影響を
小さくすることができ、プリント配線板の信頼性を高め
ることが可能となる。その後、プリント配線板に電子部
品を実装する際に、高融点の半田が溶融しない温度でリ
フローをして、プリント配線板の上面の半田バンプに電
子部品を実装している。それにより、導電性接続ピン側
の半田の溶融による、導電性接続ピンの脱落および傾き
を起こすことなく、半田バンプに電子部品を実装するこ
とができる。

【０００９】請求項３の発明では、前記低融点の半田
が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／
Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂか
らなり、前記高融点の半田が溶融する最低の温度とし
て、２００〜２５０℃を加えることを技術的特徴とす
る。

【００１０】請求項３では、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、
Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなる高融点の半田
が、溶融する最低の温度として、２００〜２５０℃を加
えている。それによって、Ｓｎ／Ｐｂからなる低融点の
半田が溶融すると共に高融点の半田も溶融するので、同
時に半田バンプの形成と導電性接続ピンの取り付けとを
行うことが可能となる。なお、２００℃未満では、高融
点の半田が溶融しないので、導電性接続ピンの取り付け
ができない。また、２５０℃以上では、低融点の半田が
液状に溶けてしまい、半田バンプを形成することができ
ない。さらに、プリント配線板を構成する樹脂層である
樹脂絶縁層、ソルダーレジスト層が変質する恐れがあ
る。

【００１１】請求項４の発明では、前記低融点の半田
が、Ｓｎ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が、Ｓｎ／
Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂか
らなり、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半
田の溶融しない温度として、２００〜２５０℃を加える
ことを技術的特徴とする。

【００１２】請求項４では、半田バンプに電子部品を実
装する際に要する熱の温度を２００〜２５０℃とするこ
とで、高融点の半田の溶融を防いでいる。それにより、
半田バンプに電子部品を実装する際に要する熱の影響に
よる導電性接続ピンの脱落、傾きを防ぐことが可能とな
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント
配線板１０の構成について、図８を参照して説明する。
図８は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板１０の断面図を示している。

【００１４】図８に示すように、多層プリント配線板１
０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成さ
れ、該コア基板３０の両面には、導体回路３４が形成さ
れている。また、該コア基板３０の上には、バイアホー
ル６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶
縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０
の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形
成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。
該上層層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジス
ト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０
には、開口７１Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側の該開口
７１Ｕには、半田バンプ７６が配設されている。また、
底面側の該開口７１Ｄには、導電性接続ピン８０の固定
部８４が、導電性接着剤８６によって接続固定されてい
る。

【００１５】本発明に用いられる半田バンプ７６として
は、低融点のＳｎ／Ｐｂからなる半田が好ましい。ま
た、導電性接着剤８６としては、高融点のＳｎ／Ｐｂ、
Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂなどから
なる半田を使用することができ、Ｓｎ／Ｐｂで形成する
のが最も好ましい。また、高融点の半田の融点は、２０
０〜２５０℃のものが好ましく、低融点の半田の融点
は、高融点の半田の融点より低いものを用いる。それに
より、後述するように半田バンプ７６の形成と導電性接
続ピン８０の取り付けとを同時に行い、リフローの回数
を１回にする。

【００１６】引き続き、本発明の第１実施形態に係る多
層プリント配線板の製造工程について図１〜図９を参照
して説明する。この第１実施形態では、多層プリント配
線板をセミアディティブ方により形成する。

【００１７】多層プリント配線板の製造方法について説
明する。ここでは、第１実施形態の多層プリント配線板
の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ム、Ｂ．樹脂充填剤、Ｃ．ソルダーレジスト用樹脂につ
いて説明する。

【００１８】Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９，油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５，大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０，大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【００１９】Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【００２０】Ｃ．ソルダーレジスト用樹脂の調製ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に
６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ
基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分
子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトン
に溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）
１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品
名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマー
である２官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品
名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノ
マー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量
部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６
５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合
組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤
としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．
２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調
整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を
得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、
ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、
６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。

【００２１】引き続き、本発明の第１実施形態に係る多
層プリント配線板の製造方法について、図１〜図９を参
照して説明する。

【００２２】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に導体回路３４とス
ルーホール３６を形成する（図１（Ｂ）参照）。

【００２３】（２）スルーホール３６および導体回路３
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃
ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール３６を含む導体回路３４の
全表面に粗化面３４αを形成する（図１（Ｃ）参照）。

【００２４】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール３６内、および、基板３０の片面の導体回路３
４非形成部と導体回路３４の外縁部とに樹脂充填剤４０
の層を形成する。すなわち、まず、スキージを用いてス
ルーホール３６内に樹脂充填剤４０を押し込んだ後、１
００℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、導体回路３
４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に
載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路３
４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成し、１００℃、
２０分の条件で乾燥させる（図１（Ｄ）参照）。

【００２５】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面
やスルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４
０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。この
ような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様
に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間
の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化する（図２
（Ａ）参照）。

【００２６】このようにして、スルーホール３６や導体
回路３４非形成部に形成された樹脂充填材４０の表層部
および導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材４０
と導体回路３６の側面とが粗化面３４αを介して強固に
密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填材４
０とが粗化面３８αを介して強固に密着した絶縁性基板
を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の
表面と導体回路３４の表面とが同一平面となる。

【００２７】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０
の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路３８の表面と
スルーホール３６のランド表面３６ａと内壁とをエッチ
ングすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３
４βを形成する（図２（Ｂ）参照）。エッチング液とし
ては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコ
ール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチ
ング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用す
る。

【００２８】（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製し
た基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成
する（図２（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用
樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、
圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の
条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化さ
せる。

【００２９】（７）次に、層間樹脂絶縁層５０上に、厚
さ１．２ｍｍの貫通孔４７ａが形成されたマスク４７を
介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビ
ーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．
０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの
条件で層間樹脂絶縁層５０に、直径８０μｍのバイアホ
ール用開口４８を形成する（図２（Ｄ）参照）。樹脂フ
ィルムとしては、ＰＰＥ、ポリオレフィン、ポリイミド
樹脂、フェノール樹脂でもよい。インク状にした接着剤
として塗布してもよい。

【００３０】（８）バイアホール用開口４８を形成した
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５０αとする（図３（Ａ）参照）。過マ
ンガン酸以外にもクロム酸やクロム硫酸等の強酸を用い
てもよい。

【００３１】（９）次に、上記処理を終えた基板３０
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４
８の内壁面に触媒核を付着させる。

【００３２】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗化面５０α全体に厚さ
０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５２を形成する
（図３（Ｂ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【００３３】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜５２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっき
レジスト５４を設ける（図３（Ｃ）参照）。

【００３４】（１２）次いで、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図３（Ｄ）参
照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００３５】（１３）めっきレジスト５４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電
解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅
めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バ
イアホール６０を含む）を形成する（図４（Ａ）参
照）。

【００３６】（１４）（５）と同様の処理を行い、第二
銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗
化面５８αを形成する（図４（Ｂ）参照）。

【００３７】（１５）上記（６）〜（１４）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８（バイ
アホール１６０を含む）を形成する（図４（Ｃ）参
照）。

【００３８】（１６）次に、多層配線基板の両面に、Ｃ
で調製したソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで
塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃で３０分
間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口
部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを
ソルダーレジスト組成物に密着させて１０００ｍＪ／ｃ
ｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液または準水現像液
で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１Ｕ、７１Ｄ
を形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００
℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条
件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物
を硬化させ、開口７１Ｕ、７１Ｄを有する、厚さ２０μ
ｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図４（Ｄ）参
照）。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用することもできる。

【００３９】（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成する（図５（Ａ）参照）。

【００４０】（１８）この後、基板の開口７１Ｕ側の面
の上に、開口７１Ｕに相当している部分に通孔７５ａが
形成された半田印刷用マスク７５を載置する。そして、
マスク７５を介して、低融点のスズ−鉛を含有する半田
ペースト７６αを印刷する（図５（Ｂ）参照）。

【００４１】（１９）次に、基板を裏返して、半田ペー
スト７６αに触れないように基板を、支持治具７８に載
置する（図６（Ａ）参照）。その後、（１８）と同様
に、基板に開口７１Ｄに相当している部分に通孔７９ａ
が形成された半田印刷用マスク７９を、基板の開口７１
Ｄ側の面に載置する。そして、マスク７９を介して開口
７１Ｄ内に導電性接着剤８６として高融点のスズ−アン
チモンを含有する半田ペーストを印刷する（図６（Ｂ）
参照）。

【００４２】（２０）さらに、接続部８２と固定部８４
からなる導電性接続ピン８０を、ピン保持装置８８に取
り付けて支持し（図７（Ａ）参照）、導電性接続ピン８
０の固定部８４を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤８６に
当接させる（図７（Ｂ）参照）。

【００４３】（２１）その後、２００〜２５０℃でリフ
ローすることで、開口部７１Ｕに半田バンプ７６を形成
し、同時に開口部７１Ｄ内の導電性接着剤８６に導電性
接続ピン８２を接続固定させる。これにより、半田バン
プ７６および導電性接続ピン８２を有する多層プリント
配線板１０を得ることができる（図８参照）。高融点の
半田（スズ−アンチモン）が溶融する最低の温度である
２００〜２５０でリフローすることによって、低融点の
半田（スズ−鉛）が溶融すると共に高融点の半田も溶融
し、同時に半田バンプ７６の形成と導電性接続ピン８０
の取り付けとを行うことができる。そのため、リフロー
の回数を１回にすることができ、リフロー時の熱による
基板の影響を小さくすることが可能となり、これによ
り、多層プリント配線板の信頼性を高めることができ
る。

【００４４】（２２）次に、完成した多層プリント配線
板１０の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド
９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置する。そ
の後、２００〜２５０℃でリフローを行い、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。これにより、ＩＣチップ９０を
有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図
９参照）。半田バンプ７６にＩＣチップ９０を実装する
際に要する熱の温度を２００〜２５０℃とすることで、
ＩＣチップ９０を実装する際に要する熱の影響による、
導電性接着剤８６の溶融が原因の、導電性接続ピン８０
の脱落および傾きを防ぐことが可能となる。

【００４５】

【発明の効果】本発明では上述したように、プリント配
線板の上面に低融点の半田を用い、下面に高融点の半田
を用いている。そして、プリント配線板上面の半田バン
プの形成と、プリント配線板の下面の半田を介して導電
性接続ピンを取り付ける工程とを、下面の高融点の半田
が溶融する最低の温度でリフローすることにより同時に
行っている。そのため、リフローの回数を一回にするこ
とができ、リフロー時の熱による基板の影響を小さくす
ることが可能となる。よって、プリント配線板の信頼性
を高めることができる。また、導電性接続ピンの傾きが
なくソケットに収まるため、電気接続性を向上させれ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の断面図である。

【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４導体回路３６バイアホール５０層間樹脂絶縁層５８導体回路６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７１Ｕ、７１Ｄ開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７６半田バンプ８０導電性接続ピン８２接続部８４固定部８６導電性接着剤９０ＩＣチップ９２半田パッド１５０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０バイアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面に半田バンプが形成され、下面に導
電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜
（Ｄ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板
の製造方法：（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する
工程と：（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する
工程と：（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するよう
に導電性接続ピンを位置決めする工程と：（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する
最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バ
ンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記
高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける
工程。
【請求項２】上面に半田バンプが形成され、下面に導
電性接続ピンが配設される少なくとも以下の（Ａ）〜
（Ｅ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板
の製造方法：（Ａ）プリント配線板の上面に低融点の半田を載置する
工程と：（Ｂ）プリント配線板の下面に高融点の半田を載置する
工程と：（Ｃ）プリント配線板の下面の前記半田と当接するよう
に導電性接続ピンを位置決めする工程と：（Ｄ）プリント配線板に、前記高融点の半田が溶融する
最低の温度を加え、前記プリント配線板の上面に半田バ
ンプを形成すると同時に、プリント配線板の下面に前記
高融点の半田を介して前記導電性接続ピンを取り付ける
工程：（Ｅ）プリント配線板の前記半田バンプに電子部品を載
置し、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田
の溶融しない温度を加え、当該電子部品を半田バンプに
取り付ける工程。
【請求項３】前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからな
り、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓ
ｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、前記高融点の半田が溶融する最低の温度として、２００
〜２５０℃を加えることを特徴とする請求項１又は２の
プリント配線板の製造方法。
【請求項４】前記低融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂからな
り、前記高融点の半田が、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓ
ｎ／Ａｇ又はＳｎ／Ｓｂ／Ｐｂからなり、前記低融点の半田が溶融すると共に高融点の半田の溶融
しない温度として、２００〜２５０℃を加えることを特
徴とする請求項２のプリント配線板の製造方法。