JP2001223065A - 電気発熱体厚膜形成用抵抗ペースト - Google Patents

電気発熱体厚膜形成用抵抗ペースト

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    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06553—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of a combination of metals and oxides

Abstract

(57)【要約】 【課題】電気発熱体用抵抗ペースト組成物を提供するこ
と。 【解決手段】（ａ）比表面積が５〜３０ｍ２／ｇの範囲
のルテニウム金属またはその酸化物粉末５〜７５重量
％、（ｂ）平均粒径が０．１〜３μｍの範囲および最大
粒径が８μｍ以下のＡｇ金属およびその化合物粉末５〜
７５重量％、（ｃ）軟化点が４００〜５５０℃の範囲の
ガラスフリット５〜４０重量％、および（ｄ）有機バイ
ンダー５〜４５重量％を含む電気発熱層形成用抵抗ペー
スト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気発熱体厚膜形
成用抵抗ペースト組成物に関し、特に約６００℃以下で
燒結されることによって安定性、均一性および昇温特性
に優れた厚膜が形成できる、低温熱処理抵抗ペースト組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】抵抗ペーストは、スクリーンプリント法
または浸漬法によって電気的不導体基板の上に厚膜を形
成するに用い、一般に導電性物質並びに有機および無機
バインダー物質を含む。前記厚膜形成工程は、有機成分
を除去し無機成分は溶融させて導電性物質の基板に対す
る一体性を増大させる熱処理工程を伴う。
【０００３】たとえば、日本特開昭５３−１００４９６
号には、ルテニウム酸化物粉末およびガラスフリット粉
末を有機溶媒と樹脂とからなる有機媒体に分散した抵抗
器部材用ペーストが開示されており、富士ゼロックス社
の米国特許第５，５１０，８２３号は、ペーストの分散
性を改善して均一な厚さを有する厚膜を得るために、有
機金属化合物と少なくとも一つの有機バインダー化合物
をアスファルト溶液に分散した、厚膜抵抗器部材用ペー
スト組成物を提示している。また、デュポンの韓国特許
第１３０８３１号には、ルテニウムピロクロロオキシド
（ＰｂＲｕＯ３）５〜３０重量％およびガラスバインダ
ー１０〜９０重量％を含む厚膜抵抗器組成物が開示され
ている。
【０００４】しかし、これらの特許に開示されている組
成物を用いて抵抗器素子を製造する方法は、約６００〜
１，０００℃範囲の高い焼成温度を必要とし、したがっ
て、その適用がそのような高温に耐えられる基板に局限
されるという短所がある。
【０００５】最近、抵抗ペースト組成物を用いて発熱体
素子を製造する方法が、自体の発熱によって別途の熱源
が不必要であり、装置の軽量化が可能であるという長所
のため脚光を浴びている。
【０００６】このような厚膜発熱体を開示する先行技術
として、富士ゼロックス社の米国特許第５，９００，２
９５号は、シリンダー型の金属基材に絶縁層と抵抗層を
含む、電子複写機、プリンターまたはファクシミリのよ
うな電子写真装置に取付けられて紙シート上へのトナー
の定着に用いられる定着ローラーを開示している。この
特許においては、抵抗層が、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、ポリフタルアミド樹脂および液晶高分子樹脂から
選ばれた樹脂およびカーボンブラックとカーボン繊維の
混合物を含む樹脂組成物から形成される。しかし、この
特許は、用いられた樹脂の特性上、煩わしい射出成形技
法によって抵抗層を形成しなければならないので、均一
な厚さと優れた発熱特性を有する厚膜が得られにくいと
いう短所がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、簡単な印刷技法によって基板に適用でき、低温
で焼成して安定性、均一性および昇温特性に優れた電気
発熱体厚膜が形成できる、改善された厚膜発熱体形成用
抵抗ペースト組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施態様によ
って、本発明では、（ａ）比表面積が５〜３０ｍ２／ｇ
の範囲のルテニウム金属またはその酸化物粉末５〜７５
重量％、（ｂ）平均粒径が０．１〜３μｍの範囲および
最大粒径が８μｍ以下のＡｇ金属およびその化合物粉末
５〜７５重量％、（ｃ）軟化点が４００〜５５０℃の範
囲のガラスフリット５〜４０重量％、および（ｄ）有機
バインダー５〜４５重量％を含む、電気発熱層形成用抵
抗ペースト組成物が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のペースト組成物において
導電性物質として用いられるルテニウム成分およびＡｇ
成分は、厚膜の電気的および機械的特性を調節し、無機
バインダーとしてのガラスフリットは、基板に対する厚
膜の結合性を増大させる役割をし、有機バインダーは導
電性物質と無機バインダーを分散させる役割をし、厚膜
形成の際ペーストの流動性に影響を及ぼす。
【００１０】（ａ）ルテニウム成分 本発明に用いられるルテニウム成分は、ルテニウム金属
またはその酸化物、たとえば、ＲｕＯ２、ＧｄＢｉＲｕ
２Ｏ６−７、Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ6-7、Ｃｏ２Ｒｕ ２Ｏ
６−７、ＰｂＢｉＲｕ２Ｏ６−７、ＣｕｘＢｉ２−ｘＲ
ｕ２Ｏ６−７（Ｏ＜ｘ＜１）およびＢｉ２Ｒｕ２Ｏ
６−７であり得る。
【００１１】前記ルテニウム成分の粉末は、比表面積が
５〜３０ｍ２／ｇの範囲であることが好ましく、さらに
好ましくは、１０〜２５ｍ２／ｇの範囲である。比表面
積が５ｍ２／ｇ未満であれば、粒子が過度に大きくなる
ため、均一な厚膜が得られなく、比表面積が３０ｍ２／
ｇより大きければ、粒子が過度に微細であるため、印刷
特性が低下し、精度が低下し、燒結性が低下して緻密な
膜が得られにくい。
【００１２】前記ルテニウム成分の粉末は、平均粒径が
０．０１〜０．１μｍの範囲であることが好ましく、さ
らに好ましくは０．０２〜０．０８μｍの範囲である。
平均粒径が０．０１μｍ未満でれば、粒子が過度に微細
であるため、印刷特性が低下し、精度が低下するため、
緻密な膜が得られにくくなる。また、平均粒径が０．１
μｍより大きければ、粒子が過度に大きくなるため、均
一な厚膜が得られないので好ましくない。
【００１３】前記ルテニウム成分の粉末の使用量は、組
成物重量の５〜７５重量％、好ましくは５〜２０重量％
範囲の量であって、使用量が５重量％未満でれば、形成
した電気発熱体が低い抵抗値を有することが難しく、７
５重量％を超過すれば、生成膜の表面平滑性が低下する
ため、好ましくない。
【００１４】（ｂ）Ａｇ成分 また、本発明の発熱体用抵抗ペースト組成物に用いられ
るＡｇ成分は、Ａｇ金属、その酸化物（たとえば、Ａｇ
２Ｏ）、またはその合金（たとえば、ＡｇＰｄ、Ａｇ
０．１Ｐｄ０．９ＲｈＯ２など）であり得る。特に、低
温焼成可能なペーストを得るためには、前記Ａｇ成分が
板状粉末形態であることが好ましい。
【００１５】前記Ａｇ成分は、組成物の５〜７５重量
％、好ましくは２０〜４０重量％範囲の量で用いられ
る。５重量％未満で使用すると、形成した電気発熱体が
低い抵抗値を有しにくく、７５重量％を超過すれば、過
度に低い抵抗値を有し、３００℃以上の温度に発熱さ
れ、抵抗体の厚膜を損傷するおそれがあるので、好まし
くない。
【００１６】前記Ａｇ成分の粉末は、平均粒径が０．１
〜３μｍの範囲および最大粒径が８μｍ以下であること
が好ましいが、平均粒径が０．１μｍ未満でれば、粒子
が過度に微細になるため、燒結の際に収縮率が大きくな
り、膜にクラックが生じやすく、粒子が凝集されやすく
てペースト中での安定な分散状態を得ることが難しく、
印刷特性が低下される。また、平均粒径が３μｍより大
きければ、ペースト塗膜の表面が粗くなり、微細なパタ
ーンを得ることが難しく、また、燒結性が低下して緻密
な薄膜が得られにくいため、好ましくない。
【００１７】前記Ａｇ成分の比表面積（表面積／重量
比）は０．５〜３．５ｍ２／ｇであり、密度は２．５〜
６ｇ／ｃｍ３の範囲であることが好ましい。比表面積が
０．５ｍ２／ｇ未満であれば、粒子が過度に大きくなる
ため、焼成後の塗布膜の平滑性が低下して好ましくな
く、３．５ｍ２／ｇより大きければ、粒子が過度に微細
になるため、粒子が凝集しやく、印刷特性が低下する。
また、密度値が前記範囲を免れると、印刷特性が不良に
なるため、好ましくない。
【００１８】（ｃ）ガラスフリット また、本発明のペースト組成物に用いられるガラスフリ
ットは、ルテニウム粉末を相互結合させる無機バインダ
ーの役割をし、ペーストの基板に対する接着性を向上さ
せるとともに、燒結時に軟化して生成厚膜を基板側に結
着させる作用効果がある。
【００１９】前記ガラスフリットの軟化点は、示差熱
（ＤＳＣ）法によって測定されるが、軟化点が４００〜
５５０℃の範囲であることが好ましく、さらに好ましく
は４２０〜５００℃範囲である。軟化点が４００℃より
低いと、有機成分が含まれやすく、ペーストの塗膜中に
ブリスター(blister)が生じやすくなる。一方、軟化点
が５５０℃より高いと、焼成後の膜の基板に対する接着
強度が低下する。
【００２０】前記ガラスフリットは、本発明のペースト
組成物に５〜４０重量％、好ましくは１０〜４０重量％
の範囲で用いられ、使用量が５重量％未満であれば、焼
成後の膜の基板に対する接着強度が低下し、４０重量％
を超過すると、形成した電気発熱体が低い抵抗値を有す
ることが難しい。
【００２１】前記ガラスフリットとしては、ガラスフリ
ットＡおよびガラスフリットＢが好ましく用いられ得
る。前記ガラスフリットＡとしては、酸化ビスマス（Ｂ
ｉ２Ｏ ３）を含有するものが用いられ、酸化物換算表記
で示した組成成分および含量が下記表１のような組成を
９０重量％以上含有することが好ましく、ガラスフリッ
トＢは酸化鉛（ＰｂＯ）を含有するものが用いられ、酸
化物換算表記で示した組成成分および含量が下記表２の
ような組成を９０重量％以上含有するものが好ましい。
【００２２】
【表１】
【表２】 前記ガラスフリットを用いることによって、ガラス基板
が応力を受けない温度におけるペーストの焼付が可能に
なる。
【００２３】前記ガラスフリットＡの組成において、酸
化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を４０重量％未満で使用する
と、ペーストをガラス基板に焼付けるときの接着強度増
大効果が少なく、９０重量％を超過すると、ガラスフリ
ットの軟化点が過度に低いため、ペーストの脱有機バイ
ンダー性が悪くなり、基板との接着強度が低下するた
め、好ましくない。酸化ビスマスの好ましい量は５０〜
８０重量％範囲である。
【００２４】前記ガラスフリットＡの組成において、酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）が５重量％未満の場合は、ガラス
フリットの安定性が低下し、３０重量％より多い場合
は、耐熱温度が上昇するため、５７０℃以下でのガラス
基板上への焼付が困難となる。好ましくは、酸化ケイ素
を５〜１５重量％範囲の量で用いる。
【００２５】前記ガラスフリットＡの組成において、酸
化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）は、膜の接着強度、熱膨張係数な
どの特性が損傷されないようにガラス基板上での焼付温
度を制御するために加えられるが、５重量％未満では接
着強度が低下し、３０重量％を超過するとガラスフリッ
トの安定性が低下する。酸化ホウ素は７〜２０重量％範
囲の量で用いることが好ましい。
【００２６】前記ガラスフリットＡの組成において、酸
化バリウム（ＢａＯ）は、２重量％未満で用いると、焼
付温度を制御することが困難となり、４０重量％を超過
すると膜の安定性が低下する。好ましくは２〜３０重量
％範囲の量で用いる。
【００２７】また、前記ガラスフリットＢの組成におい
て、酸化鉛（ＰｂＯ）が４０重量％未満の場合は、ペー
ストをガラス基板上に焼付けるとき、接着強度を高める
効果が少なく、９０重量％を超過すると、ガラスフリッ
トの軟化点が過度に低いため、ペーストの脱有機バイン
ダー性が悪くなり、基板との接着強度が低下するため、
好ましくない。酸化鉛の好ましい量は５０〜８０重量％
範囲である。
【００２８】前記ガラスフリットＢの組成において、酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）が１０重量％未満の場合は、ガラ
スフリットの安定性が低下し、４０重量％より多い場合
は、耐熱温度が上昇するため、５７０℃以下でのガラス
基板上への焼付が困難となる。好ましくは、酸化ケイ素
は１０〜３０重量％範囲の量で用いる。
【００２９】前記ガラスフリットＢの組成において、酸
化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）が５重量％未満で用いると、接着
強度が低下し、３０重量％を超過して使用するとガラス
フリットの安定性が低下する。酸化ホウ素は５〜２０重
量％範囲の量で用いることが好ましい。
【００３０】前記ガラスフリットＢの組成において、二
酸化チタン（ＴｉＯ２）を１０重量％を超過して用いる
と、ガラス層の安定性が低下し、好ましい使用量は２〜
５重量％の範囲である。
【００３１】前記ガラスフリットＢの組成において、酸
化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）は組成物の変形温度を高
め、ガラス組成やペーストを安定させるために加えら
れ、２０重量％を超過するとガラスの耐熱温度が過度に
高くなるため、ガラス基板上への焼付が困難となる。好
ましい使用量は２〜１５重量％の範囲である。
【００３２】また、本発明によれば、ガラスフリットと
して前記ガラスフリットＡとガラスフリットＢの両方を
含有する複合ガラスフリットを使用することもでき、酸
化物換算表記で示した構成成分および含量が下記表３の
ような複合ガラスフリットを９０重量％以上含有するこ
とが好ましい。
【００３３】
【表３】 前記ガラスフリットＡ、ガラスフリットＢおよび複合ガ
ラスフリットは、平均粒径が０．２〜５μｍおよび最大
粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。前記ガラス
フリットの粒径を前記範囲にすると、低温でのガラス基
板との接着強度が高くなり、低抵抗性の緻密な膜が得ら
れ、また、薄膜にする場合にも薄膜の剥離が生じにくい
という長所がある。
【００３４】（ｄ）有機バインダー 本発明の発熱体用抵抗ペースト組成物に使用できる有機
バインダー成分としては、エチルセルロース、メチルセ
ルロース、ニトロセルロース、カルボキシメチルセルロ
ースなどのセルロース誘導体と、アクリル酸エステル、
メタクリル酸エステル、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラールなどの樹脂成分とが使用され得る。これ
らのうち、アクリル樹脂、エチルセルロースが好ましく
使用され得る。
【００３５】前記有機バインダー成分は、本発明の組成
物に５〜４５重量％の量で用いられるが、この範囲を外
れると、焼成段階において完全に蒸発（燒結、脱バイン
ダー）できなくなるため好ましくない。
【００３６】（ｅ）有機溶媒 また、本発明のペースト組成物には、有機成分を溶解
し、導電性微粉末およびガラスフリットを分散して粘度
を調整するために有機溶媒を加えることができる。有機
溶媒としては、テキサノール（２，２，４−トリメチル
−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート）、エ
チレングリコール（テルペン）、ブチルカルビトール、
エチルセロソルブ、エチルベンゼン、イソプロピルベン
ゼン、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコ
ール、ジメチルスルホキシド、テレピネオール、パイン
油、ポリビニルブチラール、３−メトキシブチルアセテ
ート、γ‐ブチロラクトン、ジエチルフタレートなどが
ある。これらの有機溶媒は、単独または２種以上混合し
て用いられ得る。
【００３７】（ｆ）その他添加剤 本発明のペースト組成物には、上述の成分以外にも、ペ
ースト組成物の貯蔵安定性、フィルム厚さの均一性およ
び印刷パターンの分離能を向上させ、膜表面の亀裂を防
止するため、添加剤が使用され得る。このような添加剤
の例としては、ヒドロキノンモノメチルエーテルのよう
な重合禁止剤；ポリアクリレート、セルロース誘導体の
ような分散剤；基材に対する接着性を改善するためのシ
ランカップリング剤などの接着性付与剤；塗布性能を改
善するための消泡剤；作業性を改善するためのポリエチ
レングリコール、ジブチルフタレートなどのような可塑
剤；界面活性剤；チキソトロピー性付与剤などがあり、
前記添加剤は０．１〜５．０重量％の範囲内で本発明組
成物の効果に害を与えない範囲の量で含まれ得る。
【００３８】（ｇ）混練および抵抗発熱層の形成 本発明のペースト組成物は、前記構成成分をたとえば、
３つのロールを有するロールミール、ミキサー、均質化
器などの混練器を用いて混練することができる。また、
塗布に適合な流動性を与えるために、ペースト組成物の
粘度は剪断速度（shear rate）４Ｓ−１において通常７
０，０００〜３００，０００センチポアズの範囲であ
る。印刷時の塗布液の粘度は、好ましくは１００，００
０〜２００，０００センチポアズの範囲、さらに好まし
くは１３０，０００〜１８０，０００センチポアズの範
囲に調整する。
【００３９】本発明のペーストをスクリーン印刷法また
は浸漬法などの通常の方法によって基板上に塗布し、た
とえば、８０〜１２０℃範囲の温度で約５〜１０分間乾
燥した後、５００〜６００℃範囲の比較的低い温度で５
〜３０分間、特に約５５０℃で約２０分間焼成して化学
的・物理的に安定な発熱体用抵抗層を形成することがで
きる。焼成温度までの昇温速度は３０〜８０℃／分、好
ましくは約４０℃／分であり得る。
【００４０】本発明の抵抗ペーストを用いて形成した厚
膜発熱体は、約０．１〜３０Ω／ｍｍ２範囲の低い抵抗
値を有し、約５〜１５秒以内に約２００℃（加熱手段、
たとえば、熱ヘッドを含む種々の電気または電子装置の
作動に通常必要な温度）に至る程度に短時間内に温度上
昇が可能であるため、多様な分野で発熱体が必要な全て
の装置に有用できる。
【００４１】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
ためのもののみであり、本発明の範囲を制限しない。
【００４２】実施例１ 下記組成の構成成分を混合して本発明に係る抵抗ペース
ト用混合粉末を得た。
【００４３】
【表４】 次いで、前記混合粉末９２重量部とエチルセルロース８
重量部を有機溶媒としてのテレビネオールに加えて粘度
を１５０，０００センチポアズに調整した後、３軸ロー
ルで混練して本発明の抵抗ペーストを製造した。
【００４４】前記のように得られたペーストを９６％ア
ルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板にスクリーン印刷して２．５
ｃｍｘ２．５ｃｍの大きさおよび厚さ２３μｍの抵抗ペ
ースト塗膜を形成した。塗膜を１５０℃で１０分間乾燥
した後、４０℃／分の速度で昇温し、最高温度５５０℃
で２０分間焼成を行って厚さ６μｍの抵抗層を形成し
た。
【００４５】前記抵抗層の両末端に１０μｍ厚さの電極
層を通常の方法に従って形成し、次いで電極層を保護す
るためにＰｂＯ ８５重量％、ＳｉＯ２ ５重量％およ
びＢ ２Ｏ３ １０重量％からなるガラスフリット（軟化
点３０５℃、平均粒径約３μｍ以下、最大粒径約１０μ
ｍ以下）７０重量％と有機媒質３０重量％を含むガラス
組成物を用いて保護層を形成することによって、厚膜発
熱体を得た。
【００４６】得られた発熱体厚膜は、面積抵抗が１２Ω
／ｍｍ２であり、電極の両端にＡＣ１１０Ｖを印加して
抵抗体表面の温度を測定した結果、２００℃に至るまで
１２秒が所要された。
【００４７】実施例２ 前記実施例１において、ペースト用混合粉末の組成を次
のように変えたことを除いては同様に行った。
【００４８】
【表５】 得られた抵抗体層は厚さが５μｍであり、発熱体は面積
抵抗が６Ω／ｍｍ２であり、電極の両端にＡＣ１１０Ｖ
を印加したとき、２００℃に至るまで６秒が所要され
た。
【００４９】実施例３ 前記実施例２において、ペースト用混合粉末の組成を次
のように変えたことを除いては同様に行った。
【００５０】
【表６】 得られた抵抗体層は厚さが５μｍであり、発熱体は面積
抵抗が２５Ω／ｍｍ２であり、電極の両端にＡＣ ２２
０Ｖを印加したとき、２００℃に至るまで１２秒が所要
された。
【００５１】比較例１ 前記実施例１において、ペースト用混合粉末の組成を次
のように変えたことを除いては同様に行った。
【００５２】
【表７】 得られた抵抗体層は厚さが４μｍであり、発熱体は面積
抵抗が４８０Ω／ｍｍ ２であり、電極の両端にＡＣ１１
０Ｖを印加する順間、抵抗体の膜が破壊して発熱特性を
観察することができなかった。
【００５３】比較例２ 前記実施例３において、ペースト用混合粉末の組成を次
のように変えたことを除いては同様に行った。
【００５４】
【表８】 得られた抵抗体層は厚さが８μｍであり、発熱体は面積
抵抗が２５ｋΩ／ｍｍ ２であり、電極の両端にＡＣ １
１０Ｖを印加したとき、２００℃に至るまで１０分３０
秒が所要された。
【００５５】比較例３ 前記実施例１において、ペースト用混合粉末の組成を次
のように変えたことを除いては同様に行った。
【００５６】
【表９】 得られた抵抗体層は厚さが８μｍであり、発熱体は面積
抵抗が４．３ｋΩ／ｍｍ２であり、電極の両端にＡＣ１
１０Ｖを印加したとき、２００℃に至るまで５分１５秒
が所要された。また、抵抗体層が崩れて完全に焼成され
た厚膜が得られなかった。
【００５７】
【発明の効果】本発明による抵抗ペーストは、特定のル
テニウム系粉末、Ａｇ系粉末、ガラスフリットおよび有
機バインダーからなって、相対的に低温である６００℃
以下の温度においても焼成することができ、基板に対す
る接着強度に優れ、短時間内に温度上昇が可能であるた
め、多様な電子電気製品分野において発熱体用厚膜の形
成に有用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０１Ｂ 1/00 Ｈ０１Ｂ 1/00 Ｌ 1/20 1/20 Ａ 1/22 1/22 Ａ Ｈ０５Ｂ 3/12 Ｈ０５Ｂ 3/12 Ａ 3/20 ３７８ 3/20 ３７８ (72)発明者 鄭 景 元 大韓民国、京畿道城南市盆唐区薮内洞ヤン ジマウルクムホ・アパートメント 103− 303

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）比表面積が５〜３０ｍ２／ｇの範囲
    のルテニウム金属またはその酸化物粉末５〜７５重量
    ％、（ｂ）平均粒径が０．１〜３μｍの範囲および最大
    粒径が8μｍ以下のＡｇ金属およびその化合物粉末５〜
    ７５重量％、（ｃ）軟化点が４００〜５５０℃の範囲の
    ガラスフリット５〜４０重量％、および（ｄ）有機バイ
    ンダー５〜４５重量％を含む、電気発熱層形成用抵抗ペ
    ースト組成物。
  2. 【請求項２】前記ルテニウム酸化物が、ＲｕＯ２、Ｇｄ
    ＢｉＲｕ２Ｏ６−７、Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ6-7、Ｃｏ２Ｒｕ
    ２Ｏ６−７、ＰｂＢｉＲｕ２Ｏ６−７、Ｃｕ ｘＢｉ
    ２−ｘＲｕ２Ｏ６−７（Ｏ＜ｘ＜１）、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ
    ６−７およびこれらの混合物からなる群から選ばれるこ
    とを特徴とする請求項１記載の抵抗ペースト組成物。
  3. 【請求項３】前記ルテニウム成分（ａ）が、平均粒径が
    ０．０１〜０．１μｍの範囲であることを特徴とする請
    求項１記載の抵抗ペースト組成物。
  4. 【請求項４】前記Ａｇ成分（ｂ）が、板状粉末形態であ
    ることを特徴とする請求項１記載の抵抗ペースト組成
    物。
  5. 【請求項５】前記Ａｇ成分（ｂ）が、比表面積が０．５
    〜３．５ｍ２／ｇの範囲であることを特徴とする請求項
    １記載の抵抗ペースト組成物。
  6. 【請求項６】前記ガラスフリットが、Ｂｉ２Ｏ３４０〜
    ９０重量％、ＳｉＯ ２５〜３０重量％、Ｂ２Ｏ３５〜３
    ０重量％およびＢａＯ２〜４０重量％を含むことを特徴
    とする請求項１記載の抵抗ペースト組成物。
  7. 【請求項７】前記ガラスフリットが、ＰｂＯ４０〜９０
    重量％、ＳｉＯ２１０〜４０重量％、Ｂ２Ｏ３５〜３０
    重量％、ＴｉＯ２０〜１０重量％およびＡｌ ２Ｏ３０〜
    ２０重量％を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗
    ペースト組成物。
  8. 【請求項８】前記ガラスフリットが、Ｂｉ２Ｏ３４０〜
    ９０重量％、ＰｂＯ４０〜９０重量％、ＳｉＯ２５〜３
    ０重量％、Ｂ２Ｏ３５〜３０重量％、ＢａＯ２〜２０重
    量％、ＴｉＯ２０〜１０重量％およびＡｌ２Ｏ３０〜２
    ０重量％を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗ペ
    ースト組成物。
  9. 【請求項９】前記ガラスフリットが、平均粒径が０．２
    〜５μｍの範囲であり、最大粒径が１０μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項１記載の抵抗ペースト組成物。
  10. 【請求項１０】絶縁基板上に請求項１〜９のいずれか一
    つの項による抵抗ペースト組成物をコーティングし、コ
    ーティング層を５００〜６００℃範囲の温度で焼成する
    ことによって得られる厚膜発熱体。
  11. 【請求項１１】約０．１〜３０Ω／ｍｍ２範囲の抵抗値
    を有することを特徴とする請求項１０記載の厚膜発熱
    体。
  12. 【請求項１２】５〜１５秒以内に２００℃に至ることを
    特徴とする請求項１０記載の厚膜発熱体。
  13. 【請求項１３】前記基板が、ステンレス鋼、セラミック
    スおよびガラスからなる群から選ばれることを特徴とす
    る請求項１０記載の厚膜発熱体。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109245A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 東芝ライテック株式会社 ヒータおよび画像形成装置
JP2015193709A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 太陽インキ製造株式会社 導電性樹脂組成物及び導電回路
WO2017141984A1 (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 ナミックス株式会社 導電性ペースト
CN107393624A (zh) * 2017-06-29 2017-11-24 广州市尤特新材料有限公司 一种low‑e玻璃导电浆料及其制备方法
CN109427427A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 住友金属矿山株式会社 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂
JP2019062178A (ja) * 2017-09-22 2019-04-18 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗ペースト及び厚膜抵抗体
CN110504075A (zh) * 2017-10-23 2019-11-26 潮州三环（集团）股份有限公司 一种阻值范围为10kΩ/□~100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法
JP7347057B2 (ja) 2019-09-18 2023-09-20 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体用ペースト

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6763712B1 (en) * 2000-10-05 2004-07-20 Ford Global Technologies, Llc Flow-sensing device and method for fabrication
JP3854103B2 (ja) * 2001-06-28 2006-12-06 住友ベークライト株式会社 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置
TWI251018B (en) * 2002-04-10 2006-03-11 Fujikura Ltd Electroconductive composition, electroconductive coating and method of producing the electroconductive coating
JP3744469B2 (ja) * 2002-06-07 2006-02-08 株式会社村田製作所 導電性ペースト
JP2004139838A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Noritake Co Ltd 導体ペーストおよびその利用
JP2005240092A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Dowa Mining Co Ltd 銀粉およびその製造方法
EP1575099A1 (de) * 2004-03-09 2005-09-14 RWE SCHOTT Solar GmbH Verfahren zum Ausbilden einer Struktur
US7481953B2 (en) * 2004-09-01 2009-01-27 Tdk Corporation Thick-film resistor paste and thick-film resistor
US7326370B2 (en) * 2005-03-09 2008-02-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7381353B2 (en) * 2005-03-09 2008-06-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7384577B2 (en) * 2005-03-09 2008-06-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
US20090286678A1 (en) * 2005-05-02 2009-11-19 Symyx Technologies, Inc. High Surface Area Metal And Metal Oxide Materials and Methods of Making the Same
JP2007012371A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 E I Du Pont De Nemours & Co 導電組成物およびプラズマディスプレイの背面基板の製造方法
JP2007235082A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
US7678296B2 (en) * 2006-05-04 2010-03-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Black conductive thick film compositions, black electrodes, and methods of forming thereof
KR101051375B1 (ko) * 2008-09-26 2011-07-22 (주) 나노팩 이산화티타늄 졸 제조장치 및 제조방법 및 이를 이용한 페이스트 조성물
JP5059042B2 (ja) * 2009-02-25 2012-10-24 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池電極用ペースト組成物
TW201227761A (en) 2010-12-28 2012-07-01 Du Pont Improved thick film resistive heater compositions comprising ag & ruo2, and methods of making same
KR20120119066A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 (주)피엔유에코에너지 온도 자가조절형 발열체를 적용한 전기 온수기 및 그 제조방법
KR20120119087A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 (주)피엔유에코에너지 온도 자가조절형 발열체를 적용한 난방장치 및 그 제조방법
KR20120119103A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 (주)피엔유에코에너지 온도 자가조절형 발열체를 적용한 전기장판 및 그 제조방법
KR20120121041A (ko) * 2011-04-26 2012-11-05 (주)피엔유에코에너지 비표면적이 특정한 저항성분을 포함하는 면상발열체 조성물 및 이를 이용한 면상발열체
KR20120121037A (ko) * 2011-04-26 2012-11-05 (주)피엔유에코에너지 특정한 저항온도계수를 갖는 면상발열체 조성물 및 이를 이용한 면상발열체
KR101739744B1 (ko) * 2015-08-13 2017-05-25 대주전자재료 주식회사 무연 후막 저항 조성물, 무연 후막 저항체 및 이의 제조방법
CN106816204B (zh) * 2017-01-12 2018-08-31 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种适配氮化铝基材的浆料及其制备方法
JP6965543B2 (ja) * 2017-03-28 2021-11-10 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体
KR102496482B1 (ko) 2017-10-11 2023-02-06 삼성전자주식회사 발열체 형성용 조성물, 이의 건조 소성물을 포함하는 발열체 및 발열체 형성용 조성물 제조방법
WO2020028999A1 (zh) * 2018-08-06 2020-02-13 苏州速腾电子科技有限公司 一种片式电阻用电阻浆料及其制备方法
CN114101827B (zh) * 2021-11-22 2023-01-06 广东国研新材料有限公司 一种陶瓷发热件电极钎焊工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4160227A (en) * 1977-03-18 1979-07-03 Hitachi, Ltd. Thermistor composition and thick film thermistor
US4312770A (en) * 1979-07-09 1982-01-26 General Motors Corporation Thick film resistor paste and resistors therefrom
US4362656A (en) * 1981-07-24 1982-12-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film resistor compositions
US4476039A (en) * 1983-01-21 1984-10-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors
JPS6124101A (ja) * 1984-07-13 1986-02-01 住友金属鉱山株式会社 厚膜導電ペ−スト
KR940002965B1 (ko) * 1989-03-23 1994-04-09 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니 후막 저단부 저항기 조성물 및 그 제조방법
JPH04209503A (ja) * 1990-12-05 1992-07-30 Mitsubishi Materials Corp 抵抗体のトリミング方法
US5510823A (en) * 1991-03-07 1996-04-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Paste for resistive element film
US5162062A (en) * 1991-06-17 1992-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making multilayer electronic circuits
JP3090029B2 (ja) * 1996-03-25 2000-09-18 富士電機株式会社 定着ローラおよびその製造方法
JP3941201B2 (ja) * 1998-01-20 2007-07-04 株式会社デンソー 導体ペースト組成物及び回路基板

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109245A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 東芝ライテック株式会社 ヒータおよび画像形成装置
JP2015193709A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 太陽インキ製造株式会社 導電性樹脂組成物及び導電回路
KR102553644B1 (ko) 2016-02-17 2023-07-11 나믹스 가부시끼가이샤 도전성 페이스트
WO2017141984A1 (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 ナミックス株式会社 導電性ペースト
KR20180112001A (ko) * 2016-02-17 2018-10-11 나믹스 가부시끼가이샤 도전성 페이스트
JPWO2017141984A1 (ja) * 2016-02-17 2018-12-13 ナミックス株式会社 導電性ペースト
CN107393624A (zh) * 2017-06-29 2017-11-24 广州市尤特新材料有限公司 一种low‑e玻璃导电浆料及其制备方法
CN109427427A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 住友金属矿山株式会社 厚膜电阻体组合物和包含其的厚膜电阻糊剂
TWI686358B (zh) * 2017-08-25 2020-03-01 日商住友金屬礦山股份有限公司 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊
JP7139691B2 (ja) 2017-09-22 2022-09-21 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗ペースト及び厚膜抵抗体
JP2019062178A (ja) * 2017-09-22 2019-04-18 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗ペースト及び厚膜抵抗体
CN110504075A (zh) * 2017-10-23 2019-11-26 潮州三环（集团）股份有限公司 一种阻值范围为10kΩ/□~100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法
CN110504075B (zh) * 2017-10-23 2021-04-23 潮州三环（集团）股份有限公司 一种阻值范围为10kΩ/□～100kΩ/□的厚膜电阻浆料及其制备方法
JP7347057B2 (ja) 2019-09-18 2023-09-20 住友金属鉱山株式会社 厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体用ペースト

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