JP2001217526A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JP2001217526A JP2001217526A JP2000027174A JP2000027174A JP2001217526A JP 2001217526 A JP2001217526 A JP 2001217526A JP 2000027174 A JP2000027174 A JP 2000027174A JP 2000027174 A JP2000027174 A JP 2000027174A JP 2001217526 A JP2001217526 A JP 2001217526A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レジストの剥離残りがなく、配線密度の高いプ
リント配線板の製造方法提供すること。 【解決手段】表面に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フ
ォトレジスト層を形成し、露光現像後、電気めっきによ
り導体回路を形成し、その後フォトレジスト層をエッチ
ング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法に
おいて、フォトレジスト層のエッチング除去を酸化剤に
より行う。
リント配線板の製造方法提供すること。 【解決手段】表面に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フ
ォトレジスト層を形成し、露光現像後、電気めっきによ
り導体回路を形成し、その後フォトレジスト層をエッチ
ング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法に
おいて、フォトレジスト層のエッチング除去を酸化剤に
より行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型、軽量、高速化の
要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでい
る。従来の、銅箔をエッチングすることで作製するプリ
ント配線板は、サイドエッチングの影響で配線の微細化
には限界があり、基板の高密度化には限界があった。そ
こで近年は、電気めっきによるセミアデイティブ法によ
るプリント配線板の製造方法が注目されている。このセ
ミアディティブ法は絶縁樹脂上に薄付け無電解銅めっき
等により給電層を設け、その上にフォトレジスト層を形
成し、露光現像後、電気めっきにより回路形成し、レジ
ストを除去した後、余分な給電層をエッチング除去する
ことでプリント配線板を製造する方法である。フォトレ
ジスト層の形成はドライフィルムフォトレジストをラミ
ネートするか、液状フォトレジストを印刷する方法があ
るが、作業性の面から通常ドライフィルムフォトレジス
トが使われる。ドライフィルムフォトレジストの除去に
は通常水酸化ナトリウムや水酸化カリウムを含んだアル
カリ水溶液が用いられる。
要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでい
る。従来の、銅箔をエッチングすることで作製するプリ
ント配線板は、サイドエッチングの影響で配線の微細化
には限界があり、基板の高密度化には限界があった。そ
こで近年は、電気めっきによるセミアデイティブ法によ
るプリント配線板の製造方法が注目されている。このセ
ミアディティブ法は絶縁樹脂上に薄付け無電解銅めっき
等により給電層を設け、その上にフォトレジスト層を形
成し、露光現像後、電気めっきにより回路形成し、レジ
ストを除去した後、余分な給電層をエッチング除去する
ことでプリント配線板を製造する方法である。フォトレ
ジスト層の形成はドライフィルムフォトレジストをラミ
ネートするか、液状フォトレジストを印刷する方法があ
るが、作業性の面から通常ドライフィルムフォトレジス
トが使われる。ドライフィルムフォトレジストの除去に
は通常水酸化ナトリウムや水酸化カリウムを含んだアル
カリ水溶液が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プリント配線板の高密
度化に対応し、ドライフィルムフォトレジストにもファ
イン化の要求が大きくなってきており、３０μｍ厚のド
ライフィルムフォトレジストでもライン/スペースで２
０/２０μｍ以下の解像が可能となってきた。ところ
が、プリント配線板のライン/スペースが微細になるに
つれて、フォトレジスト層が剥離できなくなる場合があ
る。特にフォトレジスト像が台形の形状をしている場合
や電気めっきがオーバーハングしている場合、電気めっ
きにこぶがある場合には、導体回路がフォトレジスト層
を抑えつける形状になるため、剥離が難しい。従来は剥
離液中のイオン濃度を調整し、剥離片を小さくすること
で対応してきたが、配線が微細化することによりこの方
法では対応できない場合が増えてきた。本発明はかかる
状況に鑑みなされたもので、レジストの剥離残りがな
く、配線密度の高いプリント配線板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
度化に対応し、ドライフィルムフォトレジストにもファ
イン化の要求が大きくなってきており、３０μｍ厚のド
ライフィルムフォトレジストでもライン/スペースで２
０/２０μｍ以下の解像が可能となってきた。ところ
が、プリント配線板のライン/スペースが微細になるに
つれて、フォトレジスト層が剥離できなくなる場合があ
る。特にフォトレジスト像が台形の形状をしている場合
や電気めっきがオーバーハングしている場合、電気めっ
きにこぶがある場合には、導体回路がフォトレジスト層
を抑えつける形状になるため、剥離が難しい。従来は剥
離液中のイオン濃度を調整し、剥離片を小さくすること
で対応してきたが、配線が微細化することによりこの方
法では対応できない場合が増えてきた。本発明はかかる
状況に鑑みなされたもので、レジストの剥離残りがな
く、配線密度の高いプリント配線板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、表面
に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フォトレジスト層を
形成し、露光現像後電気めっきにより導体回路を形成
し、その後フォトレジスト層を剥離除去する工程を有す
るプリント配線板の製造方法において、フォトレジスト
層の剥離除去を酸化剤により行うことを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法に関する。
に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フォトレジスト層を
形成し、露光現像後電気めっきにより導体回路を形成
し、その後フォトレジスト層を剥離除去する工程を有す
るプリント配線板の製造方法において、フォトレジスト
層の剥離除去を酸化剤により行うことを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いる絶縁樹脂層として
は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル
等の熱可塑性樹脂を用いることができ特に制約はない。
次に絶縁樹脂層上に給電層を形成する。給電層には無電
解銅めっきや無電解ニッケルめっき等の薄付け無電解め
っきが好適である。無電解めっきの前処理にはパラジウ
ム、錫コロイド溶液を用いるのが一般的である。無電解
めっきの厚みとしては０.１〜５μｍが好ましい。
は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル
等の熱可塑性樹脂を用いることができ特に制約はない。
次に絶縁樹脂層上に給電層を形成する。給電層には無電
解銅めっきや無電解ニッケルめっき等の薄付け無電解め
っきが好適である。無電解めっきの前処理にはパラジウ
ム、錫コロイド溶液を用いるのが一般的である。無電解
めっきの厚みとしては０.１〜５μｍが好ましい。
【０００６】次にフォトレジスト層を給電層の表面に形
成する。ここでは作業性の面からＲＹ３０２５(日立化
成工業（株）製、商品名)や、ＨＷ４２５(日立化成工業
（株）製、商品名)のようなドライフィルムフォトレジ
ストを使用するのが好適である。ドライフィルムを給電
層表面に熱圧着することでフォトレジスト層を給電層表
面に形成することができる。次にフォトレジスト層を露
光、現像し、回路パターンを形成する。現像には通常炭
酸ナトリウム水溶液が用いられる。次に電気めっきによ
り導体回路を形成する。電気めっき浴にはピロリン酸銅
めっき浴や硫酸銅めっき浴が用いられる。
成する。ここでは作業性の面からＲＹ３０２５(日立化
成工業（株）製、商品名)や、ＨＷ４２５(日立化成工業
（株）製、商品名)のようなドライフィルムフォトレジ
ストを使用するのが好適である。ドライフィルムを給電
層表面に熱圧着することでフォトレジスト層を給電層表
面に形成することができる。次にフォトレジスト層を露
光、現像し、回路パターンを形成する。現像には通常炭
酸ナトリウム水溶液が用いられる。次に電気めっきによ
り導体回路を形成する。電気めっき浴にはピロリン酸銅
めっき浴や硫酸銅めっき浴が用いられる。
【０００７】次にアルカリ性の過マンガン酸塩水溶液、
或いは酸性のクロム酸塩水溶液等の酸化剤でフォトレジ
スト層をエッチング除去する。フォトレジスト層がアル
カリ現像タイプであれば、アルカリ性の過マンガン酸塩
溶液を用いるのがより効果的であり、その後酸による中
和処理を行なうのがさらに好適である。最後に不要な給
電層をエッチング除去することで導体回路間の絶縁性を
確保する。この時のエッチング液は硫酸、過酸化水素水
の混合水溶液やペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液等
の銅がエッチングできるものであれば特に制限はない。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが本発
明はこれに限定されるものではない。
或いは酸性のクロム酸塩水溶液等の酸化剤でフォトレジ
スト層をエッチング除去する。フォトレジスト層がアル
カリ現像タイプであれば、アルカリ性の過マンガン酸塩
溶液を用いるのがより効果的であり、その後酸による中
和処理を行なうのがさらに好適である。最後に不要な給
電層をエッチング除去することで導体回路間の絶縁性を
確保する。この時のエッチング液は硫酸、過酸化水素水
の混合水溶液やペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液等
の銅がエッチングできるものであれば特に制限はない。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが本発
明はこれに限定されるものではない。
【０００８】
【実施例】実施例１ 図１(ａ)に示すように、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍ
の銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０.２ｍｍのガラス布
基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ-E-５７９(日立化
成工業（株）製、商品名)を用い、その不要な箇所の銅
箔をエッチング除去して、内層導体回路２１を形成し、
内層回路板２を作製した。その内層回路板２の内層導体
回路２１の処理を、ＭＥＣ etch ＢＯＮＤ ＣＬ-８１０
０(メック（株）製、商品名)を用い、液温３５℃、スプ
レー圧０.１５ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、
銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸を作り、Ｍ
ＥＣ etch ＢＯＮＤ ＣＬ-８３００(メック（株）製、
商品名)を用い、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件
で浸漬して、銅表面に防錆処理を行なった。図１(ｂ)に
示すように、内層回路板２の両面に、絶縁接着剤である
ＢＬ-９７００(日立化成工業（株）製、商品名)を、厚
さ０.０４ｍｍに塗布し、１７０℃で５０分加熱し、絶
縁樹脂層１を形成した。
の銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０.２ｍｍのガラス布
基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ-E-５７９(日立化
成工業（株）製、商品名)を用い、その不要な箇所の銅
箔をエッチング除去して、内層導体回路２１を形成し、
内層回路板２を作製した。その内層回路板２の内層導体
回路２１の処理を、ＭＥＣ etch ＢＯＮＤ ＣＬ-８１０
０(メック（株）製、商品名)を用い、液温３５℃、スプ
レー圧０.１５ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、
銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸を作り、Ｍ
ＥＣ etch ＢＯＮＤ ＣＬ-８３００(メック（株）製、
商品名)を用い、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件
で浸漬して、銅表面に防錆処理を行なった。図１(ｂ)に
示すように、内層回路板２の両面に、絶縁接着剤である
ＢＬ-９７００(日立化成工業（株）製、商品名)を、厚
さ０.０４ｍｍに塗布し、１７０℃で５０分加熱し、絶
縁樹脂層１を形成した。
【０００９】図１(ｃ)に示すように、炭酸ガスインパク
トレーザー穴あけ機Ｌ-５００(住友重機械工業（株）
製、商品名)により、直径８０μｍの非貫通穴４をあ
け、過マンガン酸カリウム５５ｇ/リツトルと水酸化ナ
トリウム４０ｇ/リットルの混合水溶液に、液温７０℃
で２分間浸漬し、スミアの除去を行なうとともに表面に
微細な凹凸を作った。その後、パラジウム溶液であるＨ
Ｓ-２０２Ｂ(日立化成工業（株）製、商品名)に、２５
℃で１５分間浸漬し、触媒を付与した後、ＣＵＳＴ-２
０１(日立化成工業（株）製、商品名)を使用し、液温２
５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行ない、厚さ
０.３μｍの給電層５を形成した。図１(ｆ)に示すよう
に、ドライフィルムフォトレジストであるＲＹ-３０２
５(日立化成工業（株）製、商品名)を、無電解めっき層
５の表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所を
マスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像
して、めっきレジスト７を形成した。
トレーザー穴あけ機Ｌ-５００(住友重機械工業（株）
製、商品名)により、直径８０μｍの非貫通穴４をあ
け、過マンガン酸カリウム５５ｇ/リツトルと水酸化ナ
トリウム４０ｇ/リットルの混合水溶液に、液温７０℃
で２分間浸漬し、スミアの除去を行なうとともに表面に
微細な凹凸を作った。その後、パラジウム溶液であるＨ
Ｓ-２０２Ｂ(日立化成工業（株）製、商品名)に、２５
℃で１５分間浸漬し、触媒を付与した後、ＣＵＳＴ-２
０１(日立化成工業（株）製、商品名)を使用し、液温２
５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行ない、厚さ
０.３μｍの給電層５を形成した。図１(ｆ)に示すよう
に、ドライフィルムフォトレジストであるＲＹ-３０２
５(日立化成工業（株）製、商品名)を、無電解めっき層
５の表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所を
マスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像
して、めっきレジスト７を形成した。
【００１０】次に、図１(ｇ)に示すように、硫酸銅浴を
用いて、液温２５℃、電流密度１.０Ａ/ｄｍ2の条件
で、電解銅めっきを２０μｍほど行ない、回路導体幅/
回路導体間隔(Ｌ/Ｓ)=５０/５０となるように電解銅め
っき層８を形成した。次に図１(ｈ)に示すように、アル
カリ過マンガン酸水溶液であるＭＬＢ-４９５(メルテッ
クス（株）製、商品名)に７０℃で１０分浸漬し、ドラ
イフィルムフォトレジストの除去を行ない、引き続き酸
性溶媒であるＭＬＢ-７９０(メルテックス（株）製、商
品名)に７０℃で５分浸漬し、中和処理を行なった後、
最後にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡ
プロセス液(メルテックス（株）製、商品名)に室温で１
分間浸漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無
電解銅めっき層５をエッチング除去し、その後流水で洗
浄、乾燥した。
用いて、液温２５℃、電流密度１.０Ａ/ｄｍ2の条件
で、電解銅めっきを２０μｍほど行ない、回路導体幅/
回路導体間隔(Ｌ/Ｓ)=５０/５０となるように電解銅め
っき層８を形成した。次に図１(ｈ)に示すように、アル
カリ過マンガン酸水溶液であるＭＬＢ-４９５(メルテッ
クス（株）製、商品名)に７０℃で１０分浸漬し、ドラ
イフィルムフォトレジストの除去を行ない、引き続き酸
性溶媒であるＭＬＢ-７９０(メルテックス（株）製、商
品名)に７０℃で５分浸漬し、中和処理を行なった後、
最後にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡ
プロセス液(メルテックス（株）製、商品名)に室温で１
分間浸漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無
電解銅めっき層５をエッチング除去し、その後流水で洗
浄、乾燥した。
【００１１】実施例２ アルカリ過マンガン酸水溶液であるＭＬＢ-４９５(メル
テックス（株）製、商品名)に７０℃で５分浸漬し、ド
ライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は実
施例１と同様に基板を作成した。 実施例３ クロム酸(ＣｒＯ3)５００ｇ/リツトル水溶液からなる酸
化剤に７０℃で１０分浸漬し、ドライフィルムフォトレ
ジストの除去を行なった以外は実施例１と同様に基板を
作成した。
テックス（株）製、商品名)に７０℃で５分浸漬し、ド
ライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は実
施例１と同様に基板を作成した。 実施例３ クロム酸(ＣｒＯ3)５００ｇ/リツトル水溶液からなる酸
化剤に７０℃で１０分浸漬し、ドライフィルムフォトレ
ジストの除去を行なった以外は実施例１と同様に基板を
作成した。
【００１２】比較例１ 水酸化ナトリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬し、
ドライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は
実施例１と同様に基板を作成した。 比較例２ 水酸化カリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬し、ド
ライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は実
施例１と同様に基板を作成した。
ドライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は
実施例１と同様に基板を作成した。 比較例２ 水酸化カリウム水溶液３％に４０℃で１０分浸漬し、ド
ライフィルムフォトレジストの除去を行なった以外は実
施例１と同様に基板を作成した。
【００１３】実施例及び比較例で作製した基板のレジス
ト剥離残りを観察した結果、実施例においてはいずれも
剥離残りはなく良好であったが、比較例においてはどち
らも剥離残りが見られた。
ト剥離残りを観察した結果、実施例においてはいずれも
剥離残りはなく良好であったが、比較例においてはどち
らも剥離残りが見られた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、レ
ジストの剥離残りなく配線密度の高いプリント配線板を
提供することができる。
ジストの剥離残りなく配線密度の高いプリント配線板を
提供することができる。
【図１】本発明方法の実施例による工程図。
１ 絶縁樹脂層 ２ 内層回路板 ４ 非貫通穴 ５ 給電層 ７ めっきレジスト ８ 無電解メッキ層 ２１ 内層回路 ２２ 絶縁基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 豊樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 有家 茂晴 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5E339 AB02 AC01 AC02 AD03 BC02 BD03 BD08 BD11 BE13 BE15 CF15 CF16 CG04 DD04
Claims (2)
- 【請求項１】表面に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フ
ォトレジスト層を形成し、露光現像後電気めっきにより
導体回路を形成し、その後フォトレジスト層をエッチン
グ除去する工程を有するプリント配線板の製造方法にお
いて、フォトレジスト層のエッチング除去を酸化剤によ
り行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項２】酸化剤が過マンガン酸又は重クロム酸を主
成分とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027174A JP2001217526A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027174A JP2001217526A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217526A true JP2001217526A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=18552777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000027174A Pending JP2001217526A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001217526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150366A (ja) * | 2002-03-01 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000027174A patent/JP2001217526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150366A (ja) * | 2002-03-01 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板 |
| JP4555998B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2010-10-06 | 日立化成工業株式会社 | プリント配線板 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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