JP2001217463A - Led発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Led発光素子及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 LED発光素子の特性の均一化を図ること。 【構成】 LEDチップ1と、先端に前記LEDチップ
1を配置するためのカップ4を備える第1のリード2
と、前記第1のリード2に近接配置した第2のリード3
と、前記第1のリード2及び第2のリード3の先端を覆
う第1の樹脂8と、前記第1の樹脂8を覆う第2の樹脂
11を備え、前記第1の樹脂8に前記LEDチップ1か
ら出力される光の波長を変換して出力する波長変換材9
を混入するとともに、前記波長変換材9をその密度が前
記第1の樹脂8の下方領域よりも上方領域が大きくなる
ように配置したことを特徴とするLED発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLEDチップとその光を
波長変換して出力する波長変換材を組み合わせたLED
発光素子、及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LEDチップを封止するための樹脂内に
蛍光体等の波長変換材を混入し、LEDチップの発する
色とは異なる色を発光することができるLED発光素子
が提案されている(例えば、特許第2927279号公
報参照)。この種の発光素子は、リードの先端に形成さ
れたカップ内にLEDチップを配置し、波長変換材を混
入した樹脂を前記カップ内に配置している。そしてカッ
プ内にLEDチップと前記波長変換材入りの樹脂を配置
した後に、これらを覆うようにLEDランプの外形を形
成するモールド用の樹脂を形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】波長変換材入りの樹脂
をカップ内に充填する従来の構造は、カップ内に充填す
る樹脂量がごく微量であるため、充填樹脂量の変動割合
が大きくなりやすい。それに伴って樹脂に含まれる波長
変換材の変動割合も大きくなりやすい。波長変換材の割
合が変動すると、LEDチップからの光と波長変換後の
光のバランスが崩れて色調に変動が生じるので、LED
発光素子の特性を均一に保つことができなくなるという
問題が有る。また、配線用のワイヤボンド線が外部に露
出したままとなるため、組立て時の取り扱いに十分注意
を払う必要が有る。
【0004】そこで本発明は、上記の点を考慮し、LE
D発光素子の特性の均一化を図ることを課題の1つとす
る。また、組立作業性を良好に維持することを課題の1
つとする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のLED発光素子
は請求項1に記載のように、LEDチップと、先端に前
記LEDチップを配置するためのカップを備える第1の
リードと、前記第1のリードに近接配置した第2のリー
ドと、前記第1のリード及び第2のリードの先端を覆う
第1の樹脂と、前記第1の樹脂を覆う第2の樹脂を備
え、前記第1の樹脂に前記LEDチップから出力される
光の波長を変換して出力する波長変換材を混入するとと
もに、前記波長変換材をその密度が前記第1の樹脂の下
方領域よりも上方領域が大きくなるように配置したこと
を特徴とする。
【0006】本発明のLED発光素子は請求項2に記載
のように、前記第1の樹脂は、天面に前記波長変換材を
有しているとともに天面の周囲が下向きに傾斜している
ことを特徴とする。
【0007】本発明のLED発光素子は請求項3に記載
のように、前記第1の樹脂と第2の樹脂の境界部分に両者
の密着性を阻害する層を配置していることを特徴とす
る。
【0008】本発明のLED発光素子の製造方法は請求
項4に記載のように、先端にLEDチップを配置した第
1のリード及び前記LEDチップに配線が施された第2
のリードを用意する工程と、前記LEDチップの光を波
長変換する材料が混入された第1の樹脂を小型の第1の
ケース内に配置する工程と、前記第1の樹脂内に上下反
転させた前記第1、第2のリードの先端を挿入した状態
で第1の樹脂を硬化させる工程と、第2の樹脂を前記ケ
ースよりも大型の第2のケース内に配置する工程と、前
記第2の樹脂内に上下反転させた前記第1、第2のリー
ドの先端を前記第1の樹脂が形成された状態のまま挿入
して第2の樹脂を硬化させる工程とを備えることを特徴
とする。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は、本発明のLED発光素子
の一実施例を示す断面図、図2(a)〜(e)は、本発
明のLED発光素子の製造方法を説明するための工程を
示す断面図である。以下本発明の実施例について、図2
を参照して説明する。
【0010】図2(a)に示すように、先端にLEDチ
ップ1を配置した第1のリード2及び前記LEDチップ
1に配線が施された第2のリード3を用意する。第1の
リード2の先端にはカップ4が一体に形成され、カップ
4の底面にLEDチップ1が接着剤によって固定されて
いる。LEDチップ1は、中心波長が400〜500n
mの光を発するGaN系の青色LEDチップで、その配
線には金線からなるワイヤボンド線5,6を用いてい
る。第1、第2のリード2,3は、図示しない部分で互い
に連結されていて一対のリードを構成している。
【0011】リードに対するLEDチップ1の配置なら
びに配線の工程が終わると、次に、図2(b)(c)に
示すように、第1の樹脂の形成工程が実行される。この
工程に際して、キャスティング用の小型の第1のケース
7に第1の樹脂8が注入される。この第1の樹脂8は、エ
ポキシ樹脂などの透光性樹脂の中に、YAG系の蛍光体
等の波長変換材9を混入したもので、注入後の時間経過
と共に波長変換材9が自重によってケース7の底に沈降
して堆積する。波長変換材9がある程度沈降して、波長
変換材の高密度層と低密度層が分離した状態になった後
で、前記チップ1付きのリードを上下反転させケース7
内の樹脂8に挿入する。
【0012】ケース7に注入する第1の樹脂8は、波長
変換材9の密度が高い層と低い層を別々の樹脂を注入す
ることによっても形成することができ、例えば波長変換
材9入りの透光性樹脂を最初に注入後に波長変換材9を
含まない透光性樹脂をその上に注入することで形成する
こともできる。
【0013】リード2,3をケース7の樹脂8に挿入す
る時、リード2の先端のカップ4部分に空気が残留する
恐れがある場合は、事前にカップ4内に樹脂を充填させ
ておくのが空気の残留を防ぐ上で有効である。カップ4
に充填する樹脂としては、第1の樹脂8と同様に波長変
換材9を含む透光性樹脂を用いても良いし、波長変換材
を含まない透光性樹脂を用いても良い。実験によれば、
波長変換材を含まない透光性樹脂(第1の樹脂8のベー
スとなる透光性樹脂)を事前にカップに充填しておくの
が、色むらを防ぐ上で有効であった。
【0014】図2(c)に示すように、リード2,3の
先端をケース7内の樹脂8に挿入した状態を保ちながら
加熱することにより、樹脂8の熱硬化の工程を実行す
る。樹脂8の熱硬化が終わると、ケース7からの取り外
しを行なう。ここで、ケース7の内側に、シリコンオイ
ル等の剥離剤を予め塗布しておくことにより、リードの
先端に形成された第1樹脂8の取り外しを容易に行なう
ことができる。また、配線用のワイヤボンド線5,6が
第1の樹脂8によって覆われて確実に保護されるので、
その後の取り扱いが容易になる。
【0015】第1の樹脂8内の波長変換材9は、その密
度が前記第1の樹脂8の下方領域よりも上方領域が大き
くなるように配置される。すなわち、ケース7の底に沈
降していた波長変換材9は、カップ4の天面を覆うよう
に、第1の樹脂8の天面10となる部分に位置する。第1
の樹脂8の天面10は、その周囲部分がLEDチップ1
と同程度の高さ位置となるように、下側に向けて傾斜し
ている。この傾斜は、ケース7の内面形状を天面10の
外形と相応して予め設定しておくことにより形成され
る。
【0016】次に、図2(d)に示すように、第2の樹
脂11の形成工程が実行される。この工程に際して、キ
ャスティング用の大型の第2のケース12に第2の樹脂
11が注入される。この第2の樹脂11は、エポキシな
どの透光性樹脂が用いられる。第1の樹脂8のように波
長変換材は混入していない。そして、第1の樹脂8が先
端に形成された前記リード2,3を上下反転させ、第2
の樹脂11内に第1の樹脂8が完全に埋まる位置までケ
ース10内に挿入する。そして、図2(e)に示すよう
に、この状態を保って加熱し、第2の樹脂11の熱硬化
を行なう。尚、第1の樹脂8に付着している剥離剤は除
去しないので、周囲に剥離剤が付着した状態の第1の樹
脂8を第2の樹脂11内に挿入している。
【0017】第2の樹脂11の硬化が終わると、ケース
12からの抜き取り工程を行ない、リード2,3の連結
部材(図示せず)を取り去ることにより、図1に示すよ
うなLED発光素子が完成する。そして、リード2,3
に所定の電圧を加えると、LEDチップ1が発光する。
この光の一部は、波長変換材9に吸収された後、例えば
黄色の光に波長変換されて出力される。この波長変換さ
れた光と波長変換される前の光が混色されて、例えば白
色の光として観察される。
【0018】上記のように、カップ4に比べて非常に大
きな容積を持つ第1のケース7に波長変換材9入りの樹
脂8を注入するので、カップ4に波長変換材入りの樹脂
注入する場合に比べて、注入樹脂の変動割合を減少さ
せ、それに伴い、その樹脂に含まれる波長変換材9の変
動割合も低減することができる。その結果、波長変換材
9によるLEDチップの光の波長変換を安定して行な
い、色むらの発生を防止することができる。
【0019】波長変換材の高密度な層9は、カップ4の
上面を覆うように配置されるが、その間に若干の隙間が
生じることも有る。しかしながら、第1の樹脂8の天面
10周囲に下向きの傾斜を形成して、この傾斜部分に高
密度な層9を配置しているので、上記隙間からの漏れ光
をこの傾斜部分で確実に捕捉することができる。
【0020】また一般的に、リード2,3とその周囲の
樹脂の熱膨張率差に起因する応力がLEDチップ1周辺
に加わりやすいが、第1の樹脂8と第2の樹脂11の間に
第1の樹脂8の剥離剤からなり、両者の密着を阻害する
層が介在しているので、上記応力を低減することができ
る。すなわち、第1の樹脂8と第2の樹脂11の間に位置
する剥離剤が、第1、第2の樹脂8,11間の応力を分断
するような緩衝材として機能し、リード2,3との間に
生じる応力を第1の樹脂8のみに起因する程度の大きさ
に低減することができる。その結果、発光素子の応力劣
化を抑制することができる。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光特性
の揃ったLED発光素子を提供することができる。ま
た、LED発光素子の組立作業性を高めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】(a)〜(e)は本発明の発光素子の製造方法
を示す断面図である。
【符号の説明】
1 LEDチップ 2 リード 3 リード 4 カップ 8 第1の樹脂 9 波長変換材 11 第2の樹脂

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LEDチップと、先端に前記LEDチッ
    プを配置するためのカップを備える第1のリードと、前
    記第1のリードに近接配置した第2のリードと、前記第
    1のリード及び第2のリードの先端を覆う第1の樹脂
    と、前記第1の樹脂を覆う第2の樹脂を備え、前記第1
    の樹脂に前記LEDチップから出力される光の波長を変
    換して出力する波長変換材を混入するとともに、前記波
    長変換材をその密度が前記第1の樹脂の下方領域よりも
    上方領域が大きくなるように配置したことを特徴とする
    LED発光素子。
  2. 【請求項2】 前記第1の樹脂は、天面に前記波長変換
    材を有しているとともに天面の周囲が下向きに傾斜して
    いることを特徴とする請求項1記載のLED発光素子。
  3. 【請求項3】 前記第1の樹脂と第2の樹脂の境界部分に
    両者の密着性を阻害する層を配置していることを特徴と
    する請求項1記載のLED発光素子。
  4. 【請求項4】 先端にLEDチップを配置した第1のリ
    ード及び前記LEDチップに配線が施された第2のリー
    ドを用意する工程と、前記LEDチップの光を波長変換
    する材料が混入された第1の樹脂を小型の第1のケース
    内に配置する工程と、前記第1の樹脂内に上下反転させ
    た前記第1、第2のリードの先端を挿入した状態で第1
    の樹脂を硬化させる工程と、第2の樹脂を前記ケースよ
    りも大型の第2のケース内に配置する工程と、前記第2
    の樹脂内に上下反転させた前記第1、第2のリードの先
    端を前記第1の樹脂が形成された状態のまま挿入して第
    2の樹脂を硬化させる工程とを備えることを特徴とする
    LED発光素子の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6092678A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Stanley Electric Co Ltd 表示用発光ダイオ−ドの製造方法
JPH065928A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Rohm Co Ltd 樹脂封止型電子部品
JPH098357A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Rohm Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6092678A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Stanley Electric Co Ltd 表示用発光ダイオ−ドの製造方法
JPH065928A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Rohm Co Ltd 樹脂封止型電子部品
JPH098357A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Rohm Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法

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