JP2001215369A - 光半導体素子モジュール構造 - Google Patents
光半導体素子モジュール構造Info
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- JP2001215369A JP2001215369A JP2000028741A JP2000028741A JP2001215369A JP 2001215369 A JP2001215369 A JP 2001215369A JP 2000028741 A JP2000028741 A JP 2000028741A JP 2000028741 A JP2000028741 A JP 2000028741A JP 2001215369 A JP2001215369 A JP 2001215369A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子モジュール構造におけるＬＤ及び
ＰＤ更には光ファイバの端面付近の空間部にポッティン
グ樹脂封止する際の構造的難点を改善する。 【解決手段】 リードのそれぞれに＋、−の関係を与え
ることによりＬＤ１の端面より光が出射され、一方の光
は基板３のＶ溝に接続された光ファイバとの光結合を達
成させる。他方の光は光ファイバ２とＬＤ１を介して対
向の場所に位置されるモニタＰＤ７へ入射される。この
様にそれぞれの光結合が達成されることにより光路４２
が形成されることになる。空間のα部はポッティング樹
脂４３によって光路確保と外部環境との遮断が達成され
ている。又、コの字型ヘッダ１０の側壁部の影響により
ポッティング樹脂は流出されることなくＬＤ及びＰＤ更
には光ファイバの端面付近を充分に覆い被せられる。
ＰＤ更には光ファイバの端面付近の空間部にポッティン
グ樹脂封止する際の構造的難点を改善する。 【解決手段】 リードのそれぞれに＋、−の関係を与え
ることによりＬＤ１の端面より光が出射され、一方の光
は基板３のＶ溝に接続された光ファイバとの光結合を達
成させる。他方の光は光ファイバ２とＬＤ１を介して対
向の場所に位置されるモニタＰＤ７へ入射される。この
様にそれぞれの光結合が達成されることにより光路４２
が形成されることになる。空間のα部はポッティング樹
脂４３によって光路確保と外部環境との遮断が達成され
ている。又、コの字型ヘッダ１０の側壁部の影響により
ポッティング樹脂は流出されることなくＬＤ及びＰＤ更
には光ファイバの端面付近を充分に覆い被せられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光データ伝送装置
に関し、特に電気信号／光信号変換機能をもつ光送信機
と、光信号／電気信号変換機能をもつ光受信機を別々又
は一体化した光送受信モジュールにおける光半導体素子
モジュール構造に関する。
に関し、特に電気信号／光信号変換機能をもつ光送信機
と、光信号／電気信号変換機能をもつ光受信機を別々又
は一体化した光送受信モジュールにおける光半導体素子
モジュール構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来例の光半導体素子モジュール
構造を示す上面図、図８は図７の光半導体素子モジュー
ルＣ−Ｃ断面図である。
構造を示す上面図、図８は図７の光半導体素子モジュー
ルＣ−Ｃ断面図である。
【０００３】同図において、２１は光半導体素子である
ＬＤ−ｃｈｉｐ（以下ＬＤという）、２２は光ファイ
バ、２３はＳｉ-Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ-Ｖ溝基板２３は
上部に形成されたＶ溝に光ファイバ２２が搭載接続され
ている。２４はリードＡ、２５はリードＢであり、Ｓｉ
-Ｖ溝基板２３上に薄膜形成技術によりパターニング形
成されている。更に、リードＡ２４上にはＬＤ２１が接
合材であるＡｕ／Ｓｎハンダ等により精度良く接続固定
されている。ＬＤ２１の上面からはリードＢ２５に向け
てワイヤボンディングＡ２６が形成されている。
ＬＤ−ｃｈｉｐ（以下ＬＤという）、２２は光ファイ
バ、２３はＳｉ-Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ-Ｖ溝基板２３は
上部に形成されたＶ溝に光ファイバ２２が搭載接続され
ている。２４はリードＡ、２５はリードＢであり、Ｓｉ
-Ｖ溝基板２３上に薄膜形成技術によりパターニング形
成されている。更に、リードＡ２４上にはＬＤ２１が接
合材であるＡｕ／Ｓｎハンダ等により精度良く接続固定
されている。ＬＤ２１の上面からはリードＢ２５に向け
てワイヤボンディングＡ２６が形成されている。
【０００４】以上によりリードＡ２４がカソード電極
（−極）、リードＢ２５がアノード電極（＋電極）とな
り、アノード、カソード電極が達成される。２７は光半
導体素子であるＰＤ−ｃｈｉｐ（以下モニタＰＤとい
う）、２８はリードＣ、２９はリードＤ、３０は平面形
ヘッダを示し、平面形ヘッダ３０上にはリードＣ２８、
リードＤ２９が薄膜形成技術によりパターニング形成さ
れている。モニタＰＤ２７の電極からリードＤ２９に向
けてワイヤボンディングＢ３１が形成されている。
（−極）、リードＢ２５がアノード電極（＋電極）とな
り、アノード、カソード電極が達成される。２７は光半
導体素子であるＰＤ−ｃｈｉｐ（以下モニタＰＤとい
う）、２８はリードＣ、２９はリードＤ、３０は平面形
ヘッダを示し、平面形ヘッダ３０上にはリードＣ２８、
リードＤ２９が薄膜形成技術によりパターニング形成さ
れている。モニタＰＤ２７の電極からリードＤ２９に向
けてワイヤボンディングＢ３１が形成されている。
【０００５】以上によりリードＣ２８がカソード電極
（−極）、リードＤ２９がアノード電極（＋極）とな
り、アノード、カソード電極が達成される。リードＡ２
４、リードＢ２５、リードＣ２８、リードＤ２９のそれ
ぞれに＋、−の関係を与えることによりＬＤ２１の端面
より光が出射され、一方の光は光ファイバ２２との光結
合を達成させる。他方の光は光ファイバ２２とＬＤ２１
を介して対向する場所に位置されるモニタＰＤ２７へ入
射される。
（−極）、リードＤ２９がアノード電極（＋極）とな
り、アノード、カソード電極が達成される。リードＡ２
４、リードＢ２５、リードＣ２８、リードＤ２９のそれ
ぞれに＋、−の関係を与えることによりＬＤ２１の端面
より光が出射され、一方の光は光ファイバ２２との光結
合を達成させる。他方の光は光ファイバ２２とＬＤ２１
を介して対向する場所に位置されるモニタＰＤ２７へ入
射される。
【０００６】光ファイバ２２と光結合を達成した光は光
ファイバ２２内を伝搬し光出力となる。ＰＤ２７へ入射
された光は電流に変換されリードＣ２８、リードＤ２９
にモニタ電流として流れる。ＬＤ２１及びモニタＰＤ２
７更には光ファイバ２２の端面付近の空気中の光伝搬す
る部分α部は光路確保とＬＤ２１及びモニタＰＤ２７の
外部環境との遮断の意味より透明な樹脂（以下ポッティ
ング樹脂という）により封止を行う。
ファイバ２２内を伝搬し光出力となる。ＰＤ２７へ入射
された光は電流に変換されリードＣ２８、リードＤ２９
にモニタ電流として流れる。ＬＤ２１及びモニタＰＤ２
７更には光ファイバ２２の端面付近の空気中の光伝搬す
る部分α部は光路確保とＬＤ２１及びモニタＰＤ２７の
外部環境との遮断の意味より透明な樹脂（以下ポッティ
ング樹脂という）により封止を行う。
【０００７】以上を総称して光半導体素子モジュールと
称している。
称している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の光
半導体素子モジュール構造では以下のような問題点があ
った。
半導体素子モジュール構造では以下のような問題点があ
った。
【０００９】図７のＬＤ２１及びモニタＰＤ２７更には
光ファイバ２２の端面付近の空気中の光伝搬する部分α
部をポッティング樹脂で封止する際に、その樹脂を滴下
する時、更には硬化させる時に樹脂が図７に示すＳ部よ
り流れ出してしまう。
光ファイバ２２の端面付近の空気中の光伝搬する部分α
部をポッティング樹脂で封止する際に、その樹脂を滴下
する時、更には硬化させる時に樹脂が図７に示すＳ部よ
り流れ出してしまう。
【００１０】これにより光路確保が不十分になってしま
ったり、ＬＤ２１及びモニタＰＤ２７が外部環境にさら
されてしまい、信頼性が著しく低下させるといった問題
点があった。
ったり、ＬＤ２１及びモニタＰＤ２７が外部環境にさら
されてしまい、信頼性が著しく低下させるといった問題
点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】リードのそれぞれに＋、
−の関係を与えることにより光半導体素子（ＬＤ）の端
面より光が出射され、一方の光は基板の溝に搭載接続さ
れた光ファイバとの光結合を達成させる。他方の光は光
ファイバとＬＤを介して対向の場所に位置される光半導
体素子（モニタＰＤ）へ入射される。
−の関係を与えることにより光半導体素子（ＬＤ）の端
面より光が出射され、一方の光は基板の溝に搭載接続さ
れた光ファイバとの光結合を達成させる。他方の光は光
ファイバとＬＤを介して対向の場所に位置される光半導
体素子（モニタＰＤ）へ入射される。
【００１２】このように、それぞれの光結合が達成され
ることにより光路が形成されることになる。ＬＤ及びモ
ニタＰＤ更には光ファイバ端面付近の空気中の光伝搬す
る部分はポッティング樹脂によって光路確保とＬＤ及び
モニタＰＤの外部環境との遮断が達成されている。
ることにより光路が形成されることになる。ＬＤ及びモ
ニタＰＤ更には光ファイバ端面付近の空気中の光伝搬す
る部分はポッティング樹脂によって光路確保とＬＤ及び
モニタＰＤの外部環境との遮断が達成されている。
【００１３】また、コの字型ヘッダの側壁部の影響によ
りポッティング樹脂は流れ出すことなくＬＤ及びモニタ
ＰＤ更には光ファイバの端面付近を充分に覆いかぶせる
ことが可能となる。
りポッティング樹脂は流れ出すことなくＬＤ及びモニタ
ＰＤ更には光ファイバの端面付近を充分に覆いかぶせる
ことが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】第１の実施形態では光半導体素子
として端面発光素子であるＬＤ−ｃｈｉｐを用いた光半
導体素子モジュールとした例を、第２の実施形態では端
面受光素子であるＰＤ−cｈｉｐを用いた光半導体素子
モジュールとした例を挙げ説明する。
として端面発光素子であるＬＤ−ｃｈｉｐを用いた光半
導体素子モジュールとした例を、第２の実施形態では端
面受光素子であるＰＤ−cｈｉｐを用いた光半導体素子
モジュールとした例を挙げ説明する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施形態の光半導体
素子モジュールの構造を示す上面図、図２は図１のＡ−
Ａ断面図である。
素子モジュールの構造を示す上面図、図２は図１のＡ−
Ａ断面図である。
【００１６】同図において、１は光半導体素子であるＬ
Ｄ−cｈｉｐ（以下ＬＤという）、２は光ファイバ、３
はＳｉ−Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ−Ｖ溝基板３は上部に形
成されたＶ溝に光ファイバ２が搭載接続されている。４
はリードＡ、５はリードＢであり、Ｓｉ−Ｖ溝基板３上
に薄膜形成技術によりパターニング形成されている。更
に、リードＡ４上にはＬＤ１が接合材であるＡｕ／Ｓｎ
ハンダ等により精度良く接続固定されている。ＬＤ１の
上面からはリードＢ５に向けてワイヤボンディングＡ６
が形成されている。
Ｄ−cｈｉｐ（以下ＬＤという）、２は光ファイバ、３
はＳｉ−Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ−Ｖ溝基板３は上部に形
成されたＶ溝に光ファイバ２が搭載接続されている。４
はリードＡ、５はリードＢであり、Ｓｉ−Ｖ溝基板３上
に薄膜形成技術によりパターニング形成されている。更
に、リードＡ４上にはＬＤ１が接合材であるＡｕ／Ｓｎ
ハンダ等により精度良く接続固定されている。ＬＤ１の
上面からはリードＢ５に向けてワイヤボンディングＡ６
が形成されている。
【００１７】以上によりリードＡ４がカソード電極（−
極）、リードＢ５がアノード電極（＋電極）と、なりア
ノード、カソード電極が達成される。７は光半導体素子
であるＰＤ−ｃｈｉｐ（以下モニタＰＤという）、８は
リードＣ、９はリードＤ、１０はコの字型ヘッダを示
し、コの字型ヘッダ１０上にはリードＣ８、リードＤ９
が薄膜形成技術によりパターニング形成されている。モ
ニタＰＤ７の一方の電極はリードＣ８に接合材のＡｕ／
Ｓｎハンダ等により固定され、電気的にも接続されてい
る。他方の電極からはリードＤ９に向けてワイヤボンデ
ィングＢ１１が形成され、電気的に接続されている。
極）、リードＢ５がアノード電極（＋電極）と、なりア
ノード、カソード電極が達成される。７は光半導体素子
であるＰＤ−ｃｈｉｐ（以下モニタＰＤという）、８は
リードＣ、９はリードＤ、１０はコの字型ヘッダを示
し、コの字型ヘッダ１０上にはリードＣ８、リードＤ９
が薄膜形成技術によりパターニング形成されている。モ
ニタＰＤ７の一方の電極はリードＣ８に接合材のＡｕ／
Ｓｎハンダ等により固定され、電気的にも接続されてい
る。他方の電極からはリードＤ９に向けてワイヤボンデ
ィングＢ１１が形成され、電気的に接続されている。
【００１８】以上によりリードＣ８がカソード電極（−
極）、リードＤ９がアノード電極（＋極）となり、アノ
ード、カソード電極が達成される。リードＡ４、リード
Ｂ５、リードＣ８、リードＤ９のそれぞれに＋、−の関
係を与えることによりＬＤ１の端面より光が出射され、
一方の光は光ファイバ２との光結合を達成させる。他方
の光は光ファイバ２とＬＤ１を介して対向する場所に位
置されるモニタＰＤ７へ入射される。光ファイバ２と光
結合を達成した光は光ファイバ２内を伝搬し光出力とな
る。ＰＤ７へ入射された光は電流に変換され、リードＣ
８、リードＤ９にモニタ電流として流れる。ＬＤ１及び
モニタＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近の空気中の
光伝搬する部分α部は光路確保とＬＤ１及びモニタＰＤ
７の外部環境との遮断の意味で透明なポッティング樹脂
により封止を行う。
極）、リードＤ９がアノード電極（＋極）となり、アノ
ード、カソード電極が達成される。リードＡ４、リード
Ｂ５、リードＣ８、リードＤ９のそれぞれに＋、−の関
係を与えることによりＬＤ１の端面より光が出射され、
一方の光は光ファイバ２との光結合を達成させる。他方
の光は光ファイバ２とＬＤ１を介して対向する場所に位
置されるモニタＰＤ７へ入射される。光ファイバ２と光
結合を達成した光は光ファイバ２内を伝搬し光出力とな
る。ＰＤ７へ入射された光は電流に変換され、リードＣ
８、リードＤ９にモニタ電流として流れる。ＬＤ１及び
モニタＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近の空気中の
光伝搬する部分α部は光路確保とＬＤ１及びモニタＰＤ
７の外部環境との遮断の意味で透明なポッティング樹脂
により封止を行う。
【００１９】この際ポッティング樹脂はコの字型ヘッダ
１０の影響により外へ流れ出すことなく光路確保とＬＤ
１及びモニタＰＤ７の外部環境との遮断が達成される。
コの字型ヘッダ１０の影響によりポッティング樹脂が流
れ出さない様子をα部近辺の拡大図により以下詳細に説
明する。
１０の影響により外へ流れ出すことなく光路確保とＬＤ
１及びモニタＰＤ７の外部環境との遮断が達成される。
コの字型ヘッダ１０の影響によりポッティング樹脂が流
れ出さない様子をα部近辺の拡大図により以下詳細に説
明する。
【００２０】図３は本発明の要部であるα部近辺の拡大
図、図４は図３のＡ−Ａ断面の拡大図である。
図、図４は図３のＡ−Ａ断面の拡大図である。
【００２１】上記、リードＡ４、リードＢ５、リードＣ
８、リードＤ９のそれぞれに＋、−の関係を与えること
によりＬＤ１の端面より光が出射され、一方の光は光フ
ァイバ２との光結合を達成させる。他方の光は光ファイ
バ２とＬＤ１を介して対向の場所に位置されるモニタＰ
Ｄ７へ入射される。この様にそれぞれの光結合が達成さ
れることにより光路４２が形成されることになる。
８、リードＤ９のそれぞれに＋、−の関係を与えること
によりＬＤ１の端面より光が出射され、一方の光は光フ
ァイバ２との光結合を達成させる。他方の光は光ファイ
バ２とＬＤ１を介して対向の場所に位置されるモニタＰ
Ｄ７へ入射される。この様にそれぞれの光結合が達成さ
れることにより光路４２が形成されることになる。
【００２２】４３はポッティング樹脂を示す。ＬＤ１及
びＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近の空気中の光伝
搬する部分α部はポッティング樹脂４３によって光路確
保とＬＤ１及びモニタＰＤ７の外部環境との遮断が達成
されている。コの字型ヘッダ１０の側壁部（図３に示す
Ｐ部）の影響によりポッティング樹脂は流れ出すことな
くＬＤ１及びＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近を充
分に覆いかぶせることが可能となる。
びＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近の空気中の光伝
搬する部分α部はポッティング樹脂４３によって光路確
保とＬＤ１及びモニタＰＤ７の外部環境との遮断が達成
されている。コの字型ヘッダ１０の側壁部（図３に示す
Ｐ部）の影響によりポッティング樹脂は流れ出すことな
くＬＤ１及びＰＤ７更には光ファイバ２の端面付近を充
分に覆いかぶせることが可能となる。
【００２３】図５は本発明の第２の実施形態の光半導体
素子モジュール構造を示す上面図、図６は図５のＢ−Ｂ
の断面図である。
素子モジュール構造を示す上面図、図６は図５のＢ−Ｂ
の断面図である。
【００２４】同図において、１は半導体素子であるＰＤ
−ｃｈｉｐ（以下ＰＤという）、２は光ファイバ、３は
Ｓｉ-Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ-Ｖ溝基板３は上部に形成さ
れたＶ溝に光ファイバ２が搭載接続されている。８はリ
ードＣ、９はリードＤ、１０はコの字型ヘッダを示し、
コの字型ヘッダ１０にはリードＣ８、リードＤ９が薄膜
形成技術によりパターニング形成されている。ＰＤ１の
電極からはリードＤ９に向けてワイヤボンディングＢ１
１が形成されている。
−ｃｈｉｐ（以下ＰＤという）、２は光ファイバ、３は
Ｓｉ-Ｖ溝基板を示し、Ｓｉ-Ｖ溝基板３は上部に形成さ
れたＶ溝に光ファイバ２が搭載接続されている。８はリ
ードＣ、９はリードＤ、１０はコの字型ヘッダを示し、
コの字型ヘッダ１０にはリードＣ８、リードＤ９が薄膜
形成技術によりパターニング形成されている。ＰＤ１の
電極からはリードＤ９に向けてワイヤボンディングＢ１
１が形成されている。
【００２５】以上によりリードＣ８がカソード電極（−
極）、リードＤ９がアノード電極（＋極）となり、アノ
ード、カソード電極が達成される。リードＣ８、リード
Ｄ９それぞれに＋、−の関係を与え、更に光ファイバ２
の端面より光が出射され、ＰＤ１へ入射されると光ファ
イバ２と光結合を達成させ、ＰＤ１に入射された光は電
流に変換され、リードＣ８、リードＤ９に電流として流
れる。ＰＤ１及び光ファイバ２の端面付近の空気中の光
伝搬する部分α部は光路確保とＰＤ１の外部環境との遮
断の意味で透明なポッティング樹脂により封止を行う。
極）、リードＤ９がアノード電極（＋極）となり、アノ
ード、カソード電極が達成される。リードＣ８、リード
Ｄ９それぞれに＋、−の関係を与え、更に光ファイバ２
の端面より光が出射され、ＰＤ１へ入射されると光ファ
イバ２と光結合を達成させ、ＰＤ１に入射された光は電
流に変換され、リードＣ８、リードＤ９に電流として流
れる。ＰＤ１及び光ファイバ２の端面付近の空気中の光
伝搬する部分α部は光路確保とＰＤ１の外部環境との遮
断の意味で透明なポッティング樹脂により封止を行う。
【００２６】この際ポッティング樹脂はコの字型ヘッダ
１０の影響により外へ流れ出すことなく光路確保とＰＤ
１の外部環境との遮断が達成される。ポッティング樹脂
が流れ出さない様子の詳細に関しては、前述の第１の実
施形態と同一のため省略する。
１０の影響により外へ流れ出すことなく光路確保とＰＤ
１の外部環境との遮断が達成される。ポッティング樹脂
が流れ出さない様子の詳細に関しては、前述の第１の実
施形態と同一のため省略する。
【００２７】この様に本実施形態のモジュール構造とす
ることによりポッティング樹脂は流れ出すことなく光路
確保と光半導体素子の外部環境との遮断が達成される。
ることによりポッティング樹脂は流れ出すことなく光路
確保と光半導体素子の外部環境との遮断が達成される。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、光半導体素子であるＬＤ−ｃｈｉｐ、ＰＤ−ｃｈｉ
ｐ、ファイバ端面をポッティング樹脂により確実に覆う
ことが可能となる。
ば、光半導体素子であるＬＤ−ｃｈｉｐ、ＰＤ−ｃｈｉ
ｐ、ファイバ端面をポッティング樹脂により確実に覆う
ことが可能となる。
【００２９】また、光半導体素子であるＬＤ−ｃｈｉ
ｐ、ＰＤ−ｃｈｉｐ、ファイバ端面をポッティング樹脂
により確実に覆うことが可能になったことにより光路を
確実に確保することができる。
ｐ、ＰＤ−ｃｈｉｐ、ファイバ端面をポッティング樹脂
により確実に覆うことが可能になったことにより光路を
確実に確保することができる。
【００３０】さらに、光半導体素子であるＬＤ−ｃｈｉ
ｐ、ＰＤ−ｃｈｉｐをポッティング樹脂により確実に覆
うことが可能になったことにより外部環境から完全に遮
断することも可能になり、信頼性の向上が図れる。
ｐ、ＰＤ−ｃｈｉｐをポッティング樹脂により確実に覆
うことが可能になったことにより外部環境から完全に遮
断することも可能になり、信頼性の向上が図れる。
【図１】本発明の第１の実施形態の構造を示す上面図
【図２】本発明の第１の実施形態を示すＡ−Ａ断面図
【図３】本発明の第１の実施形態の要部拡大図
【図４】本発明の第１の実施形態の要部Ａ−Ａ断面図
【図５】本発明の第２の実施形態の構造を示す上面図
【図６】本発明の第２の実施形態を示すＢ−Ｂ断面図
【図７】従来例の光半導体素子モジュール構造を示す上
面図
面図
【図８】従来例の光半導体素子モジュールＣ−Ｃ断面図
１ ＬＤ，ＰＤ ２ 光ファイバ ３ Ｓｉ−Ｖ溝基板 ４ リードＡ ５ リードＢ ６ ワイヤボンディングＡ ７ モニタＰＤ ８ リードＣ ９ リードＤ １０ コの字型ヘッダ １１ ワイヤボンディングＢ ４２ 光路 ４３ ポッティング樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 DA36 5F073 BA01 FA05 FA06 FA11 FA22 FA28 FA29 5F088 BA16 EA09 JA03
Claims (5)
- 【請求項１】 光半導体素子、モニタ光半導体素子及び
光ファイバを備えた光半導体素子モジュール構造におい
て、 側壁を有するコの字ヘッダ上にリードのパターニングが
施され更にモニタ光半導体素子が接続固定され、前記リ
ードとモニタ光半導体素子は電気的に接続され、前記リ
ードに＋、−の関係を作ることによりアノード、カソー
ド電極が形成されることを特徴とする光半導体素子モジ
ュール構造。 - 【請求項２】 前記光半導体素子の光を前記コの字ヘッ
ダ上のモニタ光半導体素子へ入射させることを特徴とす
る請求項１記載の光半導体素子モジュール構造。 - 【請求項３】 前記光半導体素子、モニタ光半導体素子
及び光ファイバ端面が透明なポッティング樹脂で覆われ
たことを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体素子
モジュール構造。 - 【請求項４】 前記光半導体素子の光路が透明なポッテ
ィング樹脂で覆われたことを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の光半導体素子モジュール構造。 - 【請求項５】 前記コの字ヘッダの側壁がポッティング
樹脂を流さないことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の光半導体素子モジュール構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028741A JP2001215369A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 光半導体素子モジュール構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000028741A JP2001215369A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 光半導体素子モジュール構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18554096
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001215369A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8743166B2 (en) | 2012-01-30 | 2014-06-03 | Oki Data Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
-
2000
- 2000-02-07 JP JP2000028741A patent/JP2001215369A/ja active Pending
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