JP2542003Y2 - 光半導体素子モジュール - Google Patents
光半導体素子モジュールInfo
- Publication number
- JP2542003Y2 JP2542003Y2 JP1988151506U JP15150688U JP2542003Y2 JP 2542003 Y2 JP2542003 Y2 JP 2542003Y2 JP 1988151506 U JP1988151506 U JP 1988151506U JP 15150688 U JP15150688 U JP 15150688U JP 2542003 Y2 JP2542003 Y2 JP 2542003Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- light
- semiconductor device
- wavelength
- wavelength filter
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は，光通信，光計測，光情報処理に使用する
光半導体素子モジユールに関するものである。
光半導体素子モジユールに関するものである。
〔従来の技術〕 ２波の波長多重通信をするためには，波長λ１の光を
発振する発光モジユールと，波長λ２の光を発振する発
光モジユールと，伝送路となる１本の光フアイバと，波
長λ１の光と波長λ２の光を選択的に分離または合流さ
せる２つの合波分波器と，波長λ１の光を受ける受光モ
ジユールと，波長γ２の光を受ける受光モジユールとが
必要である。
発振する発光モジユールと，波長λ２の光を発振する発
光モジユールと，伝送路となる１本の光フアイバと，波
長λ１の光と波長λ２の光を選択的に分離または合流さ
せる２つの合波分波器と，波長λ１の光を受ける受光モ
ジユールと，波長γ２の光を受ける受光モジユールとが
必要である。
通信における誤り率を低くする為に，前記合波分波器
は近端漏話量−50dB程度と遠端漏話量−30dB程度の性能
を得ることが必要で，誘電体多層膜からなる波長フイル
タ板と，前記波長フイルタ板への光の入射光をコリメー
トさせるレンズとを備えるので，高価であった。
は近端漏話量−50dB程度と遠端漏話量−30dB程度の性能
を得ることが必要で，誘電体多層膜からなる波長フイル
タ板と，前記波長フイルタ板への光の入射光をコリメー
トさせるレンズとを備えるので，高価であった。
そこで，最近，低価格のフアイバ融着カツプラーと波
長フイルタを内蔵した受光モジユールとの構成を，前記
合波分波器と受光モジユールとの構成のかわりに使用す
る場合がある。また，波長λ１の発光素子としてレーザ
ダイオードを使用する場合，自然発光成分のうちの波長
λ２の成分を減衰させる波長フイルタ内蔵の発光モジユ
ールが必要な場合もある。
長フイルタを内蔵した受光モジユールとの構成を，前記
合波分波器と受光モジユールとの構成のかわりに使用す
る場合がある。また，波長λ１の発光素子としてレーザ
ダイオードを使用する場合，自然発光成分のうちの波長
λ２の成分を減衰させる波長フイルタ内蔵の発光モジユ
ールが必要な場合もある。
ここでは，光半導体モジユールとして，波長フイルタ
内蔵の受光モジユールを説明する。
内蔵の受光モジユールを説明する。
第２図は例えば波長λ１を受光する従来の光半導体モ
ジユールを示す断面図であり，図において，（１）は光
フアイバ，（２）は誘電体多膜層からなる波長フイルタ
板，（３）はレンズ，（４）はキヤツプ，（５）はガラ
ス板，（６）はホトダイオード，（７）はステム，
（８）はリード，（９）は気密用ガラス，（10）は筐体
である。
ジユールを示す断面図であり，図において，（１）は光
フアイバ，（２）は誘電体多膜層からなる波長フイルタ
板，（３）はレンズ，（４）はキヤツプ，（５）はガラ
ス板，（６）はホトダイオード，（７）はステム，
（８）はリード，（９）は気密用ガラス，（10）は筐体
である。
波長フイルタ板（２）は湿度による特性の変化を防ぐ
ための誘電体多層膜面を光フアイバ（１）側にして透明
な接着剤で接着される。また，ホトダイオード（６）は
湿度による暗電流の増加を防ぐ為，キヤツプ（４）とガ
ラス（５）を低融点ガラスで融着することと，ステム
（７）とリード（８）を気密用ガラス（９）で融着する
ことと，キヤツプ（４）とステム（７）を溶接すること
とにより，気密がとられる。また，光フアイバ（１）と
フイルタ板（２）とレンズ（３）とガラス板（５）とホ
トダイオード（６）とは光フアイバ（１）のコアから出
射した光がホトダイオードの受光面に入射する様に配置
され，筐体（10）に固定される。
ための誘電体多層膜面を光フアイバ（１）側にして透明
な接着剤で接着される。また，ホトダイオード（６）は
湿度による暗電流の増加を防ぐ為，キヤツプ（４）とガ
ラス（５）を低融点ガラスで融着することと，ステム
（７）とリード（８）を気密用ガラス（９）で融着する
ことと，キヤツプ（４）とステム（７）を溶接すること
とにより，気密がとられる。また，光フアイバ（１）と
フイルタ板（２）とレンズ（３）とガラス板（５）とホ
トダイオード（６）とは光フアイバ（１）のコアから出
射した光がホトダイオードの受光面に入射する様に配置
され，筐体（10）に固定される。
次に動作について説明する。波長多重通信をする場
合，光フアイバ（１）から出射する光には波長λ１の光
と波長λ２の光とが含まれる。波長λ２の光は波長フイ
ルタ板（２）により反射され，波長λ１の光は波長フイ
ルタ板（２）を透過する。次に波長λ１の光はレンズ
（３）により集束され，ガラス板（５）を透過したの
ち，ホトダイオード（６）の受光面へ入射して電気に変
換され，リード（８）から電気信号を出力する。
合，光フアイバ（１）から出射する光には波長λ１の光
と波長λ２の光とが含まれる。波長λ２の光は波長フイ
ルタ板（２）により反射され，波長λ１の光は波長フイ
ルタ板（２）を透過する。次に波長λ１の光はレンズ
（３）により集束され，ガラス板（５）を透過したの
ち，ホトダイオード（６）の受光面へ入射して電気に変
換され，リード（８）から電気信号を出力する。
従来の光半導体素子モジユールは以上のように構成さ
れているので，波長フイルタの誘電体多層膜面を湿度の
高い空気層から遮断しなければならず，接着剤で接着す
ることは必要で、また、その接着工程に費用がかかり高
価となるなどの課題があつた。
れているので，波長フイルタの誘電体多層膜面を湿度の
高い空気層から遮断しなければならず，接着剤で接着す
ることは必要で、また、その接着工程に費用がかかり高
価となるなどの課題があつた。
この考案は上記のような課題を解消するためになされ
たもので，波長フイルタの誘電体多層膜面を湿度の高い
空気層から遮断できるとともに，接着工程を必要としな
い光半導体素子モジユールを得ることを目的とする。
たもので，波長フイルタの誘電体多層膜面を湿度の高い
空気層から遮断できるとともに，接着工程を必要としな
い光半導体素子モジユールを得ることを目的とする。
この考案に係る光半導体素子モジユールは，キヤツプ
に融着されたガラス板の光半導体素子側の面に誘電体多
層膜を蒸着し波長フイルタ板を製作するとともに，光半
導体素子を上記キヤツプと波長フイルタ板とで気密構造
としたものである。
に融着されたガラス板の光半導体素子側の面に誘電体多
層膜を蒸着し波長フイルタ板を製作するとともに，光半
導体素子を上記キヤツプと波長フイルタ板とで気密構造
としたものである。
〔作用〕 この考案における光半導体素子モジユールは，誘電体
多層膜面が湿度の低い窒素等の気体により気密され，フ
イルタ特性の湿度による変化が防がれる。
多層膜面が湿度の低い窒素等の気体により気密され，フ
イルタ特性の湿度による変化が防がれる。
以下，この考案の一実施例を図について説明する。
第１図において，キヤツプ（４）にガラス板を低融点
ガラスで融着し，次に，ホトダイオード（６）側の面に
誘電体多層膜を蒸着し波長フイルタ板（２）を製作す
る。ホトダイオード（６）の湿度による暗電流の増加を
防ぐためと，波長フイルタ板（２）の湿度による特性の
変化を防ぐために，湿度の低い窒素等の気体雰囲気中
で，キヤツプ（４）とステム（７）を溶接し，気密構造
とする。
ガラスで融着し，次に，ホトダイオード（６）側の面に
誘電体多層膜を蒸着し波長フイルタ板（２）を製作す
る。ホトダイオード（６）の湿度による暗電流の増加を
防ぐためと，波長フイルタ板（２）の湿度による特性の
変化を防ぐために，湿度の低い窒素等の気体雰囲気中
で，キヤツプ（４）とステム（７）を溶接し，気密構造
とする。
次に動作について説明する。波長多重通信をする場
合，光フアイバ（１）から出射する光には波長λ１の光
と波長λ２の光とが含まれる。光フアイバ（１）から出
射した波長λ２の光はレンズ（３）により集束されたの
ち波長フイルタ（２）により反射される。また光フアイ
バ（１）から出射した波長λ１の光はレンズ（３）によ
り集束され，波長フイルタ（２）を透過したのち，ホト
ダイオード（６）の受光面へ入射して電気に変換され，
リード（８）から電気信号を出力する。
合，光フアイバ（１）から出射する光には波長λ１の光
と波長λ２の光とが含まれる。光フアイバ（１）から出
射した波長λ２の光はレンズ（３）により集束されたの
ち波長フイルタ（２）により反射される。また光フアイ
バ（１）から出射した波長λ１の光はレンズ（３）によ
り集束され，波長フイルタ（２）を透過したのち，ホト
ダイオード（６）の受光面へ入射して電気に変換され，
リード（８）から電気信号を出力する。
なお，上記実施例では光半導体素子としてホトダイオ
ードを設けたものを示したが，光半導体素子はアバラン
シユホトダイオードや受光素子を備えた光半導体集積回
路でもよい。
ードを設けたものを示したが，光半導体素子はアバラン
シユホトダイオードや受光素子を備えた光半導体集積回
路でもよい。
また，上記実施例では，受光モジユールの場合につい
て説明したが，発光モジユールでもよく，光半導体素子
はレーザダイオードや面発光ダイオードや端面発光ダイ
オードや受光素子を備えた光半導体集積回路でもよく，
上記実施例と同様の効果を奏する。
て説明したが，発光モジユールでもよく，光半導体素子
はレーザダイオードや面発光ダイオードや端面発光ダイ
オードや受光素子を備えた光半導体集積回路でもよく，
上記実施例と同様の効果を奏する。
また，上記実施例では，光フアイバが備えられた場合
について示したが，光フアイバコネクタが取付け可能な
レセプタクルを備えた光半導体素子モジュールであつて
もよく，上記実施例と同様の効果を奏する。
について示したが，光フアイバコネクタが取付け可能な
レセプタクルを備えた光半導体素子モジュールであつて
もよく，上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように，この考案によればキャップ、ステム、
光透過板および湿度の低い窒素などの気体により形成さ
れた１つの気密構造内に、誘電体多層膜を上記光透過板
の光半導体素子との対向面に蒸着して構成した波長フィ
ルタ板を設けることにより湿度による波長フィルタ板の
特性変化を防止することができるとともに、誘電体多層
膜面を従来のように接着剤で接着する必要がなく、安価
な光半導体素子モジュールが得られる効果を有する。
光透過板および湿度の低い窒素などの気体により形成さ
れた１つの気密構造内に、誘電体多層膜を上記光透過板
の光半導体素子との対向面に蒸着して構成した波長フィ
ルタ板を設けることにより湿度による波長フィルタ板の
特性変化を防止することができるとともに、誘電体多層
膜面を従来のように接着剤で接着する必要がなく、安価
な光半導体素子モジュールが得られる効果を有する。
第１図はこの考案の一実施例による光半導体モジユール
を示す断面側面図，第２図は従来の光半導体素子モジユ
ールを示す断面図である。 （１）は光フアイバ，（２）は波長フイルタ板，（３）
はレンズ，（４）はキヤツプ，（５）はガラス板，
（６）はホトダイオード，（７）はステム，（８）はリ
ード，（９）は気密様ガラス，（10）は筐体である。 なお，図中，同一符号は同一，又は相当部分を示す。
を示す断面側面図，第２図は従来の光半導体素子モジユ
ールを示す断面図である。 （１）は光フアイバ，（２）は波長フイルタ板，（３）
はレンズ，（４）はキヤツプ，（５）はガラス板，
（６）はホトダイオード，（７）はステム，（８）はリ
ード，（９）は気密様ガラス，（10）は筐体である。 なお，図中，同一符号は同一，又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】ステムに取付けられた光半導体素子と、上
記ステムに取付けられ、上記光半導体素子と対向する位
置に光透過板を有するキャップとを具備した光半導体素
子モジュールにおいて、上記キャップ、上記ステム、上
記光透過板および湿度の低い窒素などの気体により形成
された１つの気密構造と、上記光透過板の上記光半導体
素子と対向する面に誘電体多層膜を蒸着して構成した波
長フィルタ板とを設けたことを特徴とする光半導体素子
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988151506U JP2542003Y2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光半導体素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988151506U JP2542003Y2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光半導体素子モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272563U JPH0272563U (ja) | 1990-06-01 |
| JP2542003Y2 true JP2542003Y2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=31425612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988151506U Expired - Lifetime JP2542003Y2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 光半導体素子モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542003Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009053460A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Ntt Electornics Corp | 波長フィルタ |
| WO2016186661A1 (en) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | Newport Corporation | Optical analysis system with optical conduit light delivery |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028148B2 (ja) * | 1976-01-29 | 1985-07-03 | 株式会社東芝 | フオトダイオ−ド |
| JPS60247208A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-06 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP1988151506U patent/JP2542003Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0272563U (ja) | 1990-06-01 |
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