JP2001201809A - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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- JP2001201809A JP2001201809A JP2000012354A JP2000012354A JP2001201809A JP 2001201809 A JP2001201809 A JP 2001201809A JP 2000012354 A JP2000012354 A JP 2000012354A JP 2000012354 A JP2000012354 A JP 2000012354A JP 2001201809 A JP2001201809 A JP 2001201809A
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- radiation image
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された放射線
画像を読み取る放射線画像読取装置において、装置を小
型化する。 【解決手段】 光検出器として半導体光検出素子31を利
用し、励起光Ｌと輝尽発光光Ｍとを分離するダイクロイ
ック面25を有する光学部材20を備えて、その光学部材20
の一端面21を励起光射出面（励起光の照射口）かつ輝尽
発光光入射面（輝尽発光光の集光口）とし、蓄積性蛍光
体シート10の励起光Ｌを照射した箇所の直上で輝尽発光
光Ｍを集光するように構成する。
画像を読み取る放射線画像読取装置において、装置を小
型化する。 【解決手段】 光検出器として半導体光検出素子31を利
用し、励起光Ｌと輝尽発光光Ｍとを分離するダイクロイ
ック面25を有する光学部材20を備えて、その光学部材20
の一端面21を励起光射出面（励起光の照射口）かつ輝尽
発光光入射面（輝尽発光光の集光口）とし、蓄積性蛍光
体シート10の励起光Ｌを照射した箇所の直上で輝尽発光
光Ｍを集光するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蓄積性蛍光体シー
トに蓄積記録された放射線画像を読み取る放射線画像読
取装置に関するものである。
トに蓄積記録された放射線画像を読み取る放射線画像読
取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】放射線を照射することによりこの放射線
のエネルギーの一部が蓄積され、その後、可視光やレー
ザ光等の励起光を照射することにより、蓄積された放射
線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝
尽性蛍光体）を利用して、支持体上に蓄積性蛍光体を積
層してなるシート状の蓄積性蛍光体シートに人体等の被
写体の放射線画像情報が蓄積記録されたものに、励起光
を走査して輝尽発光光を発光させ、この輝尽発光光を集
光ミラーや光ガイドにより集光し、集光された輝尽発光
光を光電子増倍管により光電変換して画像信号を得、一
方この画像信号読取り後の蓄積性蛍光体シートに消去光
を照射して、このシートに残留する放射線のエネルギー
を放出せしめる放射線画像読取装置がすでによく知られ
ている。
のエネルギーの一部が蓄積され、その後、可視光やレー
ザ光等の励起光を照射することにより、蓄積された放射
線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝
尽性蛍光体）を利用して、支持体上に蓄積性蛍光体を積
層してなるシート状の蓄積性蛍光体シートに人体等の被
写体の放射線画像情報が蓄積記録されたものに、励起光
を走査して輝尽発光光を発光させ、この輝尽発光光を集
光ミラーや光ガイドにより集光し、集光された輝尽発光
光を光電子増倍管により光電変換して画像信号を得、一
方この画像信号読取り後の蓄積性蛍光体シートに消去光
を照射して、このシートに残留する放射線のエネルギー
を放出せしめる放射線画像読取装置がすでによく知られ
ている。
【０００３】この装置により得られた画像信号には、後
に観察読影に適した階調処理や周波数処理等の画像処理
が施され、この処理が施された後の画像信号は診断用可
視像としてフイルム上やＣＲＴ上に再生され診断等に供
される。
に観察読影に適した階調処理や周波数処理等の画像処理
が施され、この処理が施された後の画像信号は診断用可
視像としてフイルム上やＣＲＴ上に再生され診断等に供
される。
【０００４】ところで、前述のように輝尽発光光を検出
する光検出器としては従来光電子増倍管（フォトマルチ
センサ）が利用されているが、このフォトマルチセンサ
を備えた光検出器は小型化が困難であるという問題があ
る。そこで、複数の光電変換素子が配列されて構成され
るラインセンサを用いて読取系を小型化して装置全体を
小型に構成した放射線画像読取装置が提案されている。
する光検出器としては従来光電子増倍管（フォトマルチ
センサ）が利用されているが、このフォトマルチセンサ
を備えた光検出器は小型化が困難であるという問題があ
る。そこで、複数の光電変換素子が配列されて構成され
るラインセンサを用いて読取系を小型化して装置全体を
小型に構成した放射線画像読取装置が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光検出
器とは別個に集光ミラーを必要とする系では十分に小型
化を達成することができないという問題がある。
器とは別個に集光ミラーを必要とする系では十分に小型
化を達成することができないという問題がある。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされてものであ
って、より小型に構成することが可能な放射線画像読取
装置を提供することを目的とするものである。
って、より小型に構成することが可能な放射線画像読取
装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線画像読取
装置は、放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シー
ト上に照射される励起光を主走査方向に走査するための
走査光学系と、前記励起光の走査によって蓄積性蛍光体
シートから生じた輝尽発光光を検出する半導体光検出素
子を備えた、前記主走査方向に長さを有する光検出器
と、前記主走査方向に延び、一端面が前記蓄積性蛍光体
シートに近接して該シートに対面するように設けられ、
他端面が前記光検出器に光学的に接続され、前記励起光
および輝尽発光光のうちいずれか一方を選択的に透過さ
せ他方を反射するダイクロイック面を有し、前記一端面
から入射した前記輝尽発光光を前記光検出器に導くため
の光学部材とを備え、前記励起光が前記ダイクロイック
面で反射あるいは該面を透過して前記光学部材の前記一
端面から射出して前記蓄積性蛍光体シートを励起するよ
うに前記走査光学系が配置されていることを特徴とする
ものである。
装置は、放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シー
ト上に照射される励起光を主走査方向に走査するための
走査光学系と、前記励起光の走査によって蓄積性蛍光体
シートから生じた輝尽発光光を検出する半導体光検出素
子を備えた、前記主走査方向に長さを有する光検出器
と、前記主走査方向に延び、一端面が前記蓄積性蛍光体
シートに近接して該シートに対面するように設けられ、
他端面が前記光検出器に光学的に接続され、前記励起光
および輝尽発光光のうちいずれか一方を選択的に透過さ
せ他方を反射するダイクロイック面を有し、前記一端面
から入射した前記輝尽発光光を前記光検出器に導くため
の光学部材とを備え、前記励起光が前記ダイクロイック
面で反射あるいは該面を透過して前記光学部材の前記一
端面から射出して前記蓄積性蛍光体シートを励起するよ
うに前記走査光学系が配置されていることを特徴とする
ものである。
【０００８】すなわち、光検出器に半導体光検出素子を
用い、ダイクロイック面を有する光学部材を利用するこ
とによって、その光学部材の一端面を励起光射出面（励
起光の照射口）かつ輝尽発光光入射面（輝尽発光光の集
光口）とたことを特徴とするものである。
用い、ダイクロイック面を有する光学部材を利用するこ
とによって、その光学部材の一端面を励起光射出面（励
起光の照射口）かつ輝尽発光光入射面（輝尽発光光の集
光口）とたことを特徴とするものである。
【０００９】前記光学部材の前記シートに対面する端面
に前記励起光の反射を防止する励起光反射防止膜が設け
られていることが望ましい。
に前記励起光の反射を防止する励起光反射防止膜が設け
られていることが望ましい。
【００１０】ここで、励起光反射防止膜とは、輝尽発光
光の反射は多少許しても、励起光は反射しない光学層で
あり、例えば光学部材の材料の屈折率よりも低い屈折率
を有する材料の蒸着薄膜が使用される。なお、輝尽発光
光の反射も防止して、その集光効率を向上させるように
すればなお好ましいので、この励起光反射防止膜は、励
起光のみでなく、広い波長行きに亘って光の反射を防止
する反射防止膜（無反射膜）としてもよい。
光の反射は多少許しても、励起光は反射しない光学層で
あり、例えば光学部材の材料の屈折率よりも低い屈折率
を有する材料の蒸着薄膜が使用される。なお、輝尽発光
光の反射も防止して、その集光効率を向上させるように
すればなお好ましいので、この励起光反射防止膜は、励
起光のみでなく、広い波長行きに亘って光の反射を防止
する反射防止膜（無反射膜）としてもよい。
【００１１】前記光検出器が、前記長さの方向に前記半
導体光検出素子を複数配されてなるものであり、前記複
数の素子のうち、前記励起光の走査を受けたシートの箇
所近傍に配されている素子から検出された信号のみを利
用して前記蓄積記録されている放射線画像の画像信号を
得るものであることが望ましい。
導体光検出素子を複数配されてなるものであり、前記複
数の素子のうち、前記励起光の走査を受けたシートの箇
所近傍に配されている素子から検出された信号のみを利
用して前記蓄積記録されている放射線画像の画像信号を
得るものであることが望ましい。
【００１２】前記光学部材を、前記ダイクロイック面か
ら前記走査光学系まで延びるように構成してもよい。
ら前記走査光学系まで延びるように構成してもよい。
【００１３】前記光学部材と前記光検出器との間に励起
光の前記光検出器への入射を防ぐ励起光カットフィルタ
を設けてもよい。
光の前記光検出器への入射を防ぐ励起光カットフィルタ
を設けてもよい。
【００１４】前記半導体光検出素子を冷却する冷却装置
が設けることが望ましい。なお、冷却装置としては、ペ
ルチェ素子を用いることができる。
が設けることが望ましい。なお、冷却装置としては、ペ
ルチェ素子を用いることができる。
【００１５】なお、冷却装置を備える場合には、前記半
導体光検出素子と前記光学部材との間を断熱構造とする
ことが望ましい。断熱構造とするのは前記半導体光検出
素子と光学部材との間であればよいので、励起光カット
フィルタを備えた装置の場合、励起光カットフィルタと
半導体光検出素子の間を断熱構造としてもよいし、励起
光カットフィルタと光学部材との間を断熱構造としても
よい。
導体光検出素子と前記光学部材との間を断熱構造とする
ことが望ましい。断熱構造とするのは前記半導体光検出
素子と光学部材との間であればよいので、励起光カット
フィルタを備えた装置の場合、励起光カットフィルタと
半導体光検出素子の間を断熱構造としてもよいし、励起
光カットフィルタと光学部材との間を断熱構造としても
よい。
【００１６】
【発明の効果】本発明の放射線画像読取装置は、半導体
光検出素子を利用した光検出器を備えたことによって、
従来フォトマルチセンサを利用していた場合と比較して
装置を小型に構成することができる。
光検出素子を利用した光検出器を備えたことによって、
従来フォトマルチセンサを利用していた場合と比較して
装置を小型に構成することができる。
【００１７】また、ダイクロイック面を備えた光学部材
を利用し、この光学部材の一端面を励起光の照射口と輝
尽発光光の集光口として利用しているため、蓄積性蛍光
体シートの励起光を照射されたの箇所の直上に輝尽発光
光の集光口を設けることとなり、集光ミラーを用いるこ
となく輝尽発光光を効率よく集光することができる。
を利用し、この光学部材の一端面を励起光の照射口と輝
尽発光光の集光口として利用しているため、蓄積性蛍光
体シートの励起光を照射されたの箇所の直上に輝尽発光
光の集光口を設けることとなり、集光ミラーを用いるこ
となく輝尽発光光を効率よく集光することができる。
【００１８】また、光学部材の輝尽発光光の集光口であ
る端面に励起光反射防止膜が設けられているので蛍光体
シートに照射されてそこで反射された励起光は、光学部
材の該端面に入射しても反射されず、従って励起光が直
接照射される部分以外からは輝尽発光光が放射されるこ
とはない。すなわち、この反射防止膜がない場合、シー
トで反射された励起光が端面でさらに反射されて本来シ
ートの照射すべきでない部分に照射されてその部分から
輝尽発光が生じて画像ノイズとなることがある。従っ
て、この反射防止膜を設けることにより画像情報の読取
がより正確になり、Ｓ／Ｎが向上し、画質のよい画像を
得ることができるようになる。
る端面に励起光反射防止膜が設けられているので蛍光体
シートに照射されてそこで反射された励起光は、光学部
材の該端面に入射しても反射されず、従って励起光が直
接照射される部分以外からは輝尽発光光が放射されるこ
とはない。すなわち、この反射防止膜がない場合、シー
トで反射された励起光が端面でさらに反射されて本来シ
ートの照射すべきでない部分に照射されてその部分から
輝尽発光が生じて画像ノイズとなることがある。従っ
て、この反射防止膜を設けることにより画像情報の読取
がより正確になり、Ｓ／Ｎが向上し、画質のよい画像を
得ることができるようになる。
【００１９】光検出器が複数の半導体光検出素子を備え
ると、励起光の走査を受けたシートの箇所近傍に配され
ている素子から検出された信号のみを利用することがで
きるため、フレアの低減が可能となりより高画質の画像
を得ることができる。
ると、励起光の走査を受けたシートの箇所近傍に配され
ている素子から検出された信号のみを利用することがで
きるため、フレアの低減が可能となりより高画質の画像
を得ることができる。
【００２０】前記光学部材と前記光検出器との間に励起
光の前記光検出器への入射を防ぐ励起光カットフィルタ
を設けた構成とすることにより、ダイクロイック面によ
り完全に分離ができなかった励起光の光検出器への入射
を防ぐことができる。
光の前記光検出器への入射を防ぐ励起光カットフィルタ
を設けた構成とすることにより、ダイクロイック面によ
り完全に分離ができなかった励起光の光検出器への入射
を防ぐことができる。
【００２１】前記半導体光検出素子を冷却するペルチェ
素子等の冷却装置を設けることにより、素子の温度上昇
によって生じるノイズを低減することができ、より高画
質の画像を得ることができる。
素子等の冷却装置を設けることにより、素子の温度上昇
によって生じるノイズを低減することができ、より高画
質の画像を得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の放射線画像読取装
置の実施の形態について図面を用いて説明する。
置の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２３】図１は放射線画像読取装置の概略構成を示
す斜視図である。図示の放射線画像読取装置は、所定の
波長の励起光（レーザ光）Ｌを出射するレーザ光源11、
この励起光Ｌを反射偏向して蓄積性蛍光体シート10を矢
印Ｘ方向に主走査する回転多面鏡12、この回転多面鏡12
を回転駆動するモータ13、および回転多面鏡13で反射偏
向された励起光Ｌをシート10上に収束し、かつ等速度で
矢印Ｘ方向に走査させる走査レンズ14からなる励起光光
学系15と、前記励起光Ｌの光路上に配され、後述の搬送
装置40の搬送方向と直交するように延在し、かつシート
の表面に略平行に近接して対向する光学部材20、該光学
部材20と同等の長さを有する、蓄積性蛍光体シート10よ
り発せられる輝尽発光光Ｍを検出する半導体光検出素子
を備えた光検出器30と、蓄積性蛍光体シート10を矢印Ｙ
方向に搬送するベルトコンベアであるシート搬送装置4
0、光検出器30に接続されている図示しない信号処理部
とからなる。
す斜視図である。図示の放射線画像読取装置は、所定の
波長の励起光（レーザ光）Ｌを出射するレーザ光源11、
この励起光Ｌを反射偏向して蓄積性蛍光体シート10を矢
印Ｘ方向に主走査する回転多面鏡12、この回転多面鏡12
を回転駆動するモータ13、および回転多面鏡13で反射偏
向された励起光Ｌをシート10上に収束し、かつ等速度で
矢印Ｘ方向に走査させる走査レンズ14からなる励起光光
学系15と、前記励起光Ｌの光路上に配され、後述の搬送
装置40の搬送方向と直交するように延在し、かつシート
の表面に略平行に近接して対向する光学部材20、該光学
部材20と同等の長さを有する、蓄積性蛍光体シート10よ
り発せられる輝尽発光光Ｍを検出する半導体光検出素子
を備えた光検出器30と、蓄積性蛍光体シート10を矢印Ｙ
方向に搬送するベルトコンベアであるシート搬送装置4
0、光検出器30に接続されている図示しない信号処理部
とからなる。
【００２４】さらに詳細には、図２に示すように、光検
出器30は、半導体光検出素子31a,b,c,d,…（以下、半導
体光検出素子31という）が長さ方向に複数配されてなる
ものである。なお、半導体光検出素子としては、a-Ｓ
ｉ，c-Ｓｉ，a-Ｓｅ，ＣｄＳ，III-Ｖ族半導体等種々の
ものを用いることができる。
出器30は、半導体光検出素子31a,b,c,d,…（以下、半導
体光検出素子31という）が長さ方向に複数配されてなる
ものである。なお、半導体光検出素子としては、a-Ｓ
ｉ，c-Ｓｉ，a-Ｓｅ，ＣｄＳ，III-Ｖ族半導体等種々の
ものを用いることができる。
【００２５】また、図３に示すように、光学部材20は、
その一端面21がシート10の表面に略平行に近接して対向
し、他端面22が励起光カットフィルタ28を介して半導体
光検出素子31と光学的に接続されている。光学部材20に
は、後述のように励起光Ｌと輝尽発光光Ｍとを分離する
ダイクロイック面を設けるが、その分離が不完全でわず
かな励起光が光検出素子に入射することがあるために励
起光カットフィルタ28を備える。さらに、励起光カット
フィルタ28には光学部材20以外からの半導体光検出素子
31への光の入射を防ぐために遮光層29が設けられてい
る。また、半導体光検出素子31の温度上昇に伴って発生
するノイズを低減するために該素子31を冷却する冷却手
段としてペルチェ素子35が備えられており、半導体光検
出素子31を冷却することにより光学部材20に結露が生じ
るのを防ぐため、半導体光検出素子31とカットフィルタ
28とは非接触とし、その隙間は真空にして断熱構造とす
る。なお、この断熱構造を設けるのは半導体光検出素子
31と光学部材20との間であればよく、上述のように半導
体光検出素子31とカットフィルタ28との間ではなく、カ
ットフィルタ28と光学部材20との間であってもよい。
その一端面21がシート10の表面に略平行に近接して対向
し、他端面22が励起光カットフィルタ28を介して半導体
光検出素子31と光学的に接続されている。光学部材20に
は、後述のように励起光Ｌと輝尽発光光Ｍとを分離する
ダイクロイック面を設けるが、その分離が不完全でわず
かな励起光が光検出素子に入射することがあるために励
起光カットフィルタ28を備える。さらに、励起光カット
フィルタ28には光学部材20以外からの半導体光検出素子
31への光の入射を防ぐために遮光層29が設けられてい
る。また、半導体光検出素子31の温度上昇に伴って発生
するノイズを低減するために該素子31を冷却する冷却手
段としてペルチェ素子35が備えられており、半導体光検
出素子31を冷却することにより光学部材20に結露が生じ
るのを防ぐため、半導体光検出素子31とカットフィルタ
28とは非接触とし、その隙間は真空にして断熱構造とす
る。なお、この断熱構造を設けるのは半導体光検出素子
31と光学部材20との間であればよく、上述のように半導
体光検出素子31とカットフィルタ28との間ではなく、カ
ットフィルタ28と光学部材20との間であってもよい。
【００２６】光学部材20の内部には、長軸方向にダイク
ロイック面25が端面21に対して４５°をなすように設け
られている。このダイクロイック面25は、励起光Ｌを透
過しかつ輝尽発光光Ｍを反射するものであり、例えば光
学部材20の端面側端部を断面三角形に分割し、この分割
面に例えば低屈折率物質と高屈折率物質との膜を多層に
形成した後、この分割面を再び接合することにより作ら
れる。
ロイック面25が端面21に対して４５°をなすように設け
られている。このダイクロイック面25は、励起光Ｌを透
過しかつ輝尽発光光Ｍを反射するものであり、例えば光
学部材20の端面側端部を断面三角形に分割し、この分割
面に例えば低屈折率物質と高屈折率物質との膜を多層に
形成した後、この分割面を再び接合することにより作ら
れる。
【００２７】また、光学部材20のシート10に近接する端
面21には、励起光反射防止膜が形成されている。この反
射防止膜は励起光Ｌの反射を防止するとともに好ましく
は輝尽発光光Ｍを光学部材20内部へ効率よく導入しうる
ものである。このような光学的性質を有する励起光反射
防止膜の具体例として、光学部材の材料の屈折率よりも
低い屈折率を有する材料の蒸着薄膜が挙げられる。この
ような蒸着薄膜を設ける場合、その光学的厚さを励起光
の波長の１／４とすると励起光の反射は最小となり、特
に薄膜材料の屈折率ｎ１ と光学部材材料の屈折率ｎ２
との間にｎ１＝√ｎ２ なる関係がある場合に励起光の
反射は全くなくなる。光学部材の材料の具体例としては
プラスチック、ガラス等があげられる、これらの材料か
らなる光学部材の端面に設けられる蒸着薄膜の材料とし
て、ＭgＦ2 ，ＣａＦ2 ，水晶石等が挙げられる。な
お、このような蒸着膜は、励起光の反射を防止するとと
もに輝尽発光光の反射をも防止し、従って輝尽発光光は
光学部材の内部へ効率よく導入される。なお、上述の蒸
着薄膜は励起光反射防止膜の単なる一例であり、従って
励起光反射防止膜はこの蒸着薄膜に限られるものではな
く、励起光の反射を防止する膜であればいかなるもので
あってもよい。
面21には、励起光反射防止膜が形成されている。この反
射防止膜は励起光Ｌの反射を防止するとともに好ましく
は輝尽発光光Ｍを光学部材20内部へ効率よく導入しうる
ものである。このような光学的性質を有する励起光反射
防止膜の具体例として、光学部材の材料の屈折率よりも
低い屈折率を有する材料の蒸着薄膜が挙げられる。この
ような蒸着薄膜を設ける場合、その光学的厚さを励起光
の波長の１／４とすると励起光の反射は最小となり、特
に薄膜材料の屈折率ｎ１ と光学部材材料の屈折率ｎ２
との間にｎ１＝√ｎ２ なる関係がある場合に励起光の
反射は全くなくなる。光学部材の材料の具体例としては
プラスチック、ガラス等があげられる、これらの材料か
らなる光学部材の端面に設けられる蒸着薄膜の材料とし
て、ＭgＦ2 ，ＣａＦ2 ，水晶石等が挙げられる。な
お、このような蒸着膜は、励起光の反射を防止するとと
もに輝尽発光光の反射をも防止し、従って輝尽発光光は
光学部材の内部へ効率よく導入される。なお、上述の蒸
着薄膜は励起光反射防止膜の単なる一例であり、従って
励起光反射防止膜はこの蒸着薄膜に限られるものではな
く、励起光の反射を防止する膜であればいかなるもので
あってもよい。
【００２８】次に本実施形態の放射線画像情報読取装置
の作用について説明する。
の作用について説明する。
【００２９】レーザ光源11から所定の波長の励起光Ｌが
出射され、この出射された励起光Ｌはモータ13により高
速回転駆動される回転多面鏡12により所定の方向に偏向
され、この偏向されたレーザ光Ｌは走査レンズ14により
収束され、かつ等速度でシート10を矢印Ｘ方向に主走査
する。一方、シート10はシート搬送装置40により矢印Ｙ
方向へ移動（副走査）され、この主走査と副走査とが組
み合わされてシート10の全面に亘って均一に励起光Ｌが
照射される。
出射され、この出射された励起光Ｌはモータ13により高
速回転駆動される回転多面鏡12により所定の方向に偏向
され、この偏向されたレーザ光Ｌは走査レンズ14により
収束され、かつ等速度でシート10を矢印Ｘ方向に主走査
する。一方、シート10はシート搬送装置40により矢印Ｙ
方向へ移動（副走査）され、この主走査と副走査とが組
み合わされてシート10の全面に亘って均一に励起光Ｌが
照射される。
【００３０】励起光Ｌは光学部材10の上方からダイクロ
イック面25に入射し、このダイクロイック面25および端
面21を透過してシート10に照射される。この励起光Ｌが
照射された蓄積性蛍光体シート10の箇所からは、そこに
蓄積記録されている放射線画像情報に応じた光量の輝尽
発光光Ｍが発せられる。この発光した輝尽発光光Ｍは四
方へ拡散するが、励起光Ｌが照射されて輝尽発光光Ｍが
放出される箇所の上方は、端面21が十分に広い面積で覆
っているため、上方に放射された輝尽発光光Ｍのほぼ全
部が端面21から光学部材20に入る。この光学部材20に入
った輝尽発光光Ｍは励起光カットフィルタ28を透過して
半導体光検出素子31に伝達され、画像信号Ｓに光電変換
して外部の信号処理装置に出力する。なお、図２に示す
ように、複数の半導体光検出素子31のうち例えば素子31
c 近傍で励起光Ｌが走査された場合、この光検出素子31
c および隣接する素子31b,31d により検出された信号の
みを加算して画像信号Ｓとして用いることとする。この
ように励起光Ｌが走査されている近傍の半導体光検出素
子の信号のみを利用することにより、フレア成分を低減
することができる。一方、シート10で反射され端面21か
ら光学部材20に入った励起光Ｌはダイクロイック面25を
透過して光学部材20の外部に出るので、光検出器30の方
へは進まない。しかし、ダイクロイック面25による励起
光の透過が不完全でわずかな励起光が光検出素子31側に
反射されることが、このわずかな励起光も励起光カット
フィルタ28によりカットされ光検出素子31には入射され
ない。また、励起光カットフィルタ28の遮光層29によ
り、シート10で反射された励起光の一部が直接半導体光
検出素子31に入射することも防いでいる。
イック面25に入射し、このダイクロイック面25および端
面21を透過してシート10に照射される。この励起光Ｌが
照射された蓄積性蛍光体シート10の箇所からは、そこに
蓄積記録されている放射線画像情報に応じた光量の輝尽
発光光Ｍが発せられる。この発光した輝尽発光光Ｍは四
方へ拡散するが、励起光Ｌが照射されて輝尽発光光Ｍが
放出される箇所の上方は、端面21が十分に広い面積で覆
っているため、上方に放射された輝尽発光光Ｍのほぼ全
部が端面21から光学部材20に入る。この光学部材20に入
った輝尽発光光Ｍは励起光カットフィルタ28を透過して
半導体光検出素子31に伝達され、画像信号Ｓに光電変換
して外部の信号処理装置に出力する。なお、図２に示す
ように、複数の半導体光検出素子31のうち例えば素子31
c 近傍で励起光Ｌが走査された場合、この光検出素子31
c および隣接する素子31b,31d により検出された信号の
みを加算して画像信号Ｓとして用いることとする。この
ように励起光Ｌが走査されている近傍の半導体光検出素
子の信号のみを利用することにより、フレア成分を低減
することができる。一方、シート10で反射され端面21か
ら光学部材20に入った励起光Ｌはダイクロイック面25を
透過して光学部材20の外部に出るので、光検出器30の方
へは進まない。しかし、ダイクロイック面25による励起
光の透過が不完全でわずかな励起光が光検出素子31側に
反射されることが、このわずかな励起光も励起光カット
フィルタ28によりカットされ光検出素子31には入射され
ない。また、励起光カットフィルタ28の遮光層29によ
り、シート10で反射された励起光の一部が直接半導体光
検出素子31に入射することも防いでいる。
【００３１】以下、本発明の他の実施の形態について説
明するが、上述の第一の実施の形態と同等の要素には同
番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限
り省略する。
明するが、上述の第一の実施の形態と同等の要素には同
番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限
り省略する。
【００３２】図４は本発明の第二の実施形態に係る放射
線画像読取装置の概略構成の断面図を示す。
線画像読取装置の概略構成の断面図を示す。
【００３３】本実施の形態は、上述の第一の実施形態の
放射線画像読取装置の光学部材20に替えて、ダイクロイ
ック面25から走査光学系15まで延びた光学部材20’を用
いたものである。このように、走査光学系15からダイク
ロイック面25に至る励起光光路を同一素材で構成するこ
とにより、光路途中に埃等がつくのを防止することがで
きる。
放射線画像読取装置の光学部材20に替えて、ダイクロイ
ック面25から走査光学系15まで延びた光学部材20’を用
いたものである。このように、走査光学系15からダイク
ロイック面25に至る励起光光路を同一素材で構成するこ
とにより、光路途中に埃等がつくのを防止することがで
きる。
【００３４】図５は本発明の第三の実施形態に係る放射
線画像読取装置の一部の断面図を示す。
線画像読取装置の一部の断面図を示す。
【００３５】本実施の形態においては、光学部材20”と
して、励起光Ｌを反射し輝尽発光光Ｍを透過するダイク
ロイック面25”を有するものを用い、ダイクロイック面
25”を透過して光学部材20”上方に進む輝尽発光光Ｍを
受光するため、半導体光検出素子31（光検出器30）は光
学部材20”の上方に配されている。図示しないが、走査
光学系は、励起光を光学部材20”に横方向から入射させ
るように配置されており、ダイクロイック面25”に入射
された励起光Ｌは該面25”でほぼ完全に反射されて光学
部材20”の端面21からシート10に照射される。励起光Ｌ
が照射されてシート10から生じた輝尽発光光Ｍは端面21
から光学部材20”に入射してダイクロイック面25”を透
過し、半導体光検出素子31に受光されて画像信号として
出力される。
して、励起光Ｌを反射し輝尽発光光Ｍを透過するダイク
ロイック面25”を有するものを用い、ダイクロイック面
25”を透過して光学部材20”上方に進む輝尽発光光Ｍを
受光するため、半導体光検出素子31（光検出器30）は光
学部材20”の上方に配されている。図示しないが、走査
光学系は、励起光を光学部材20”に横方向から入射させ
るように配置されており、ダイクロイック面25”に入射
された励起光Ｌは該面25”でほぼ完全に反射されて光学
部材20”の端面21からシート10に照射される。励起光Ｌ
が照射されてシート10から生じた輝尽発光光Ｍは端面21
から光学部材20”に入射してダイクロイック面25”を透
過し、半導体光検出素子31に受光されて画像信号として
出力される。
【図１】本発明の第一の実施形態に係る放射線画像読取
装置の概略構成を示す斜視図
装置の概略構成を示す斜視図
【図２】本発明の第一の実施形態に係る放射線画像読取
装置の光検出器の側面図
装置の光検出器の側面図
【図３】本発明の第一の実施形態に係る放射線画像読取
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図４】本発明の第二の実施形態に係る放射線画像読取
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図５】本発明の第三の実施形態に係る放射線画像読取
装置を示す断面図
装置を示す断面図
10 蓄積性蛍光体シート 15 走査光学系 20 光学部材 21 励起光射出面（輝尽発光光入射面） 25 ダイクロイック面 30 光検出器 31 半導体光検出素子 40 搬送装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB04 CC10 DD20 EE02 EE07 2H013 AC01 AC03 5B047 AA05 AA17 AB02 BA01 BC07 BC09 BC18 CA19 CB05 CB09 5C072 AA01 BA01 BA12 BA15 DA06 DA09 HA02 HA13 NA01 VA01 5F088 AA01 AA11 AB03 AB05 AB07 AB09 BA15 BB07 EA03 JA11 JA13
Claims (8)
- 【請求項１】 放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光
体シート上に照射される励起光を主走査方向に走査する
ための走査光学系と、 前記励起光の走査によって蓄積性蛍光体シートから生じ
た輝尽発光光を検出する半導体光検出素子を備えた、前
記主走査方向に長さを有する光検出器と、 前記主走査方向に延び、一端面が前記蓄積性蛍光体シー
トに近接して該シートに対面するように設けられ、他端
面が前記光検出器に光学的に接続され、前記励起光およ
び輝尽発光光のうちいずれか一方を選択的に透過させ他
方を反射するダイクロイック面を有し、前記一端面から
入射した前記輝尽発光光を前記光検出器に導くための光
学部材とを備え、 前記励起光が前記ダイクロイック面で反射あるいは該面
を透過して前記光学部材の前記一端面から射出して前記
蓄積性蛍光体シートを励起するように前記走査光学系が
配置されていることを特徴とする放射線画像読取装置。 - 【請求項２】 前記光学部材の前記一端面に前記励起光
の反射を防止する励起光反射防止膜が設けられているこ
とを特徴とする請求項１記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項３】 前記光検出器が、前記長さの方向に前記
半導体光検出素子を複数配されてなるものであり、 前記複数の素子のうち、前記励起光の走査を受けたシー
トの箇所近傍に配されている素子から検出された信号の
みを利用して前記蓄積記録されている放射線画像の画像
信号を得るものであることを特徴とする請求項１または
２いずれか記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項４】 前記光学部材が、前記ダイクロイック面
から前記走査光学系まで延びていることを特徴とする請
求項１から３いずれか記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項５】 前記光学部材と前記光検出器との間に励
起光の前記光検出器への入射を防ぐ励起光カットフィル
タが設けられていることを特徴とする請求項１から４い
ずれか記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項６】 前記半導体光検出素子を冷却する冷却装
置が設けられていることを特徴とする請求項１から５い
ずれか記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項７】 前記冷却装置が、ペルチェ素子であるこ
とを特徴とする請求項６記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項８】 前記半導体光検出素子と前記光学部材と
の間を断熱構造としたことを特徴とする請求項６または
７いずれか記載の放射線画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000012354A JP2001201809A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 放射線画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000012354A JP2001201809A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 放射線画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201809A true JP2001201809A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18540076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000012354A Withdrawn JP2001201809A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 放射線画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201809A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018061694A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP2021045578A (ja) * | 2016-10-13 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP2021045579A (ja) * | 2016-10-13 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP2023061996A (ja) * | 2020-12-02 | 2023-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000012354A patent/JP2001201809A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018061694A (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| WO2018070325A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| KR20190062404A (ko) * | 2016-10-13 | 2019-06-05 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선 화상 독취 장치 |
| JP2021045578A (ja) * | 2016-10-13 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP2021045579A (ja) * | 2016-10-13 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| US11355150B2 (en) | 2016-10-13 | 2022-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image reading device |
| KR102413195B1 (ko) * | 2016-10-13 | 2022-06-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선 화상 독취 장치 |
| JP7328197B2 (ja) | 2016-10-13 | 2023-08-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP7382303B2 (ja) | 2016-10-13 | 2023-11-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| US12068013B2 (en) | 2016-10-13 | 2024-08-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image reading device |
| JP2023061996A (ja) * | 2020-12-02 | 2023-05-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
| JP7445795B2 (ja) | 2020-12-02 | 2024-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像読取装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |