JP2001196203A - チップ型サーミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 焼付け電極層形成時のガラス層や焼付け電極
層の保形性が良好でガラス層表面が平滑で見栄えが良
い。はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ焼付け電極層
のめっき処理による抵抗値変化がなく高い信頼性と高い
抗折強度を得る。 【構成】 チップ型サーミスタ１０はサーミスタ素体１
１と素体両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラス
層１４と素体両端面を含む両端部に設けられた一対の端
子電極１２を備える。電極１２は素体両端部に形成され
た焼付け電極層１６とこの電極層の表面に形成されため
っき層１８，１９を有する。ガラス層１４の一部又は全
部が素体表面上に形成された結晶化ガラスの下ガラス層
１４ａと下ガラス層上に形成された密閉性を有する非晶
質ガラスの上ガラス層１４ｂとにより構成される。結晶
化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が４００〜１０
００℃の範囲にあって、その結晶化温度が前記ガラス転
移点より高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種の電子機器の温度
補償用サーミスタや表面温度測定用センサに適するチッ
プ型サーミスタに関する。更に詳しくはプリント回路基
板等に表面実装されるチップ型サーミスタに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のチップ型サーミスタは、
はんだ耐熱性を向上させるためにサーミスタ素体の両端
部に銀−パラジウムを主成分とする電極を焼付け、はん
だ付着性を高めるためにこの焼付け電極の表面にめっき
層を設けている。このめっき処理時に導電性のあるサー
ミスタ素体表面にめっきが付着して抵抗値が変化しない
ように、本出願人は焼付け電極層が接触する部分以外の
サーミスタ素体の表面を軟化点がこの電極層の焼付け温
度とほぼ等しいガラス層で被覆し、かつ焼付け電極層の
表面にめっき層を形成したチップ型サーミスタを特許出
願した（特開平３−２５０６０３）。また本出願人はガ
ラス層形成後の電極層焼付け時にガラス層が軟化しない
ように、ガラス層をガラスと、アルミナ、ジルコニア、
マグネシア等の無機結晶物とを含む無機複合材料で構成
したサーミスタを特許出願した（特開平３−２５０６０
４）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平３−２
５０６０４号公報に開示したサーミスタでは、このガラ
ス層を形成するためのペースト中でガラス粉末と無機結
晶物粉末が均一に混合しにくいため、このペーストが印
刷性に劣り印刷後のサーミスタ素体の表面が平滑になら
ない不具合があった。また無機複合材料の焼成時に無機
結晶物が存在することにより無機複合材料中に気泡が残
存し易い。この残存した気泡は開気孔（open pore）に
なり易く、後工程のめっき処理時にめっき液が開気孔内
に浸入してサーミスタ素体をめっき液で浸食し、サーミ
スタの信頼性を低下させる欠点があった。更に電極層の
焼付け後にガラス層の表面が荒れ、サーミスタの外観を
損うとともに、高温多湿の環境下で使用すると開気孔の
程度により抵抗値が変化して、製品の信頼性を低下する
問題点があった。

【０００４】本発明の目的は、焼付け電極層形成時のガ
ラス層や焼付け電極層の保形性が良好なチップ型サーミ
スタを提供することにある。本発明の別の目的は、ガラ
ス層の表面が平滑で見栄えの良いチップ型サーミスタを
提供することにある。本発明の別の目的は、はんだ耐熱
性及びはんだ付着性に優れ、焼付け電極層のめっき処理
に起因した抵抗値の変化がなく、しかも高温多湿等の環
境下でも抵抗値の変化がなく、信頼性の高いチップ型サ
ーミスタを提供することにある。本発明の更に別の目的
は、熱的ストレスに起因した引張応力に対する強度が高
いチップ型サーミスタを提供することにある。

【０００５】

【問題点を解決するための手段】図１及び図２に示すよ
うに、本発明のチップ型サーミスタ１０は、サーミスタ
素体１１と、このサーミスタ素体１１の両端面を除く素
体表面を被覆する絶縁性ガラス層１４と、このサーミス
タ素体１１の両端面を含む両端部に設けられた一対の端
子電極１２，１２とを備え、これらの端子電極１２，１
２がサーミスタ素体１１の両端部に形成された焼付け電
極層１６とこの焼付け電極層１６の表面に形成されたＮ
ｉめっき層１８及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１９を
それぞれ有するサーミスタの改良である。その特徴ある
構成は、ガラス層１４の一部又は全部が素体表面上に形
成された結晶化ガラスからなる下ガラス層１４ａとこの
下ガラス層１４ａの上に形成された密閉性を有する非晶
質ガラスからなる上ガラス層１４ｂとにより構成され、
この結晶化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が４０
０〜１０００℃の範囲にあって、その結晶化温度が前記
ガラス転移点より高い温度であることにある。ここで、
「結晶化ガラスの前駆体ガラス」とは、結晶化ガラスを
結晶化するために熱処理する前のガラスをいう。

【０００６】本発明のチップ型サーミスタは、図１及び
図２に示されるもの以外に、図４又は図５に示すように
サーミスタ素体１１の両端面以外の素体表面にこれらの
端子電極１２，１２に電気的に接続する抵抗値調整用内
部電極２１を有し、ガラス層１４が内部電極２１を含む
両端面以外の素体表面を被覆するように構成され、この
ガラス層１４の一部又は全部が素体表面上に形成された
結晶化ガラスからなる下ガラス層１４ａとこの下ガラス
層１４ａの上に形成された密閉性を有する非晶質ガラス
からなる上ガラス層１４ｂとにより構成されたチップ型
サーミスタ２０を含む。

【０００７】また本発明のチップ型サーミスタは、図７
又は図８に示すようにサーミスタ素体１１の両端面以外
の素体表面にこれらの端子電極１２，１２に電気的に接
続しない抵抗値調整用内部電極２２を有し、ガラス層１
４が内部電極２２を含む両端面以外の素体表面を被覆す
るように構成され、このガラス層１４の一部又は全部が
素体表面上に形成された結晶化ガラスからなる下ガラス
層１４ａとこの下ガラス層１４ａの上に形成された密閉
性を有する非晶質ガラスからなる上ガラス層１４ｂとに
より構成されたチップ型サーミスタ３０を含む。

【０００８】また本発明のチップ型サーミスタは、図９
に示すようにサーミスタ素体１１の素体内部に一対の端
子電極１２，１２に電気的に接続する抵抗値調整用内部
電極２３を有し、ガラス層１４が両端面以外の素体表面
を被覆するように構成され、このガラス層１４の一部又
は全部が素体表面上に形成された結晶化ガラスからなる
下ガラス層１４ａとこの下ガラス層１４ａの上に形成さ
れた密閉性を有する非晶質ガラスからなる上ガラス層１
４ｂとにより構成されたチップ型サーミスタ４０を含
む。なお、図示しないが、この内部電極２３が一対の端
子電極１２，１２に電気的に接続しないチップ型サーミ
スタも含む。

【０００９】図１及び図２に示したチップ型サーミスタ
１０は、次の方法により製造される。図３に示すよう
に、先ずサーミスタ素体用のセラミック焼結シート１１
（同図（ａ））を用意する。この焼結シート１１はＭ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属の酸化物粉
末を１種又は２種以上混合してこの混合物を仮焼し粉砕
し、有機結合材を加え混合して直方体に成形した後、焼
成してセラミック焼結ブロック（図示せず）を作製し、
続いてこのブロックをバンドソーを用いてウエハ状に切
断して作られる。なお、金属酸化物の混合物を仮焼し粉
砕した後、有機結合材と溶剤を加え混練してスラリーを
調製し、このスラリーをドクターブレード法等により成
膜乾燥してグリーンシートを成形し、これを焼成して焼
結シート１１としてもよい。

【００１０】この焼結シート１１の両面にガラス層１４
を形成する。先ず第１ガラスペーストを印刷して乾燥
し、次いで第２ガラスペーストを印刷して乾燥した後、
焼成することにより絶縁性の結晶化ガラスからなる下ガ
ラス層１４ａと、密閉性を有する絶縁性の非晶質ガラス
からなる上ガラス層１４ｂとが形成される（同図
（ｂ））。次いで両面がガラス層１４で被覆された焼結
シート１１をダイヤモンドブレード付き切断機のような
ダイシングソーを用いて短冊状に切断した後（同図
（ｃ））、この短冊状サーミスタ素体１３の両側の切断
面に前記と同じ第１及び第２ガラスペーストを順次印刷
して乾燥し、その後焼成して下ガラス層１４ａと上ガラ
ス層１４ｂからなるガラス層１４を形成する（同図
（ｄ））。次に前記切断面と垂直な方向にこの短冊状サ
ーミスタ素体１３を細かく切断してチップ１５を作る
（同図（ｅ））。このチップ１５の切断面を包むように
チップの両端部に貴金属粉末と無機結合材を含む導電性
ペーストを塗布し、焼成して電極層を形成する。更にこ
の焼付け電極層を下地電極層としてこの表面にめっき層
を形成して焼付け電極層とめっき層からなる端子電極１
２を有するチップ型サーミスタ１０を得る（同図
（ｆ））。

【００１１】図４に示したチップ型サーミスタ２０は、
次の方法により製造される。図６に示すように、先ず前
記と同様にして作られたセラミック焼結シート１１の両
面に貴金属粉末と無機結合材を含む導電性ペーストを帯
状に間隔をあけて印刷し乾燥して多数列の抵抗値調整用
内部電極２１を形成する（同図（ａ））。次いでこのシ
ート１１の両面にガラス層１４を形成する。図３（ｂ）
と同様にして下ガラス層１４ａと上ガラス層１４ｂから
なるガラス層１４が形成される（同図（ｂ））。次に両
面がガラス層１４で被覆された焼結シート１１を電極２
１の列方向と直交する方向に短冊状に切断した後（同図
（ｃ））、この短冊状サーミスタ素体１３の両側の切断
面に前記と同じ第１及び第２ガラスペーストを順次印刷
して乾燥し、その後焼成して下ガラス層１４ａと上ガラ
ス層１４ｂからなるガラス層１４を形成する（同図
（ｄ））。次に前記切断面と垂直な方向にかつ電極２１
の幅方向の中心線にそってこの短冊状サーミスタ素体１
３を細かく切断してチップ１５を作る（同図（ｅ））。
このチップ１５の切断面を包むようにチップの両端部に
導電性ペーストを塗布し、焼成して電極層を形成する。
更にこの焼付け電極層を下地電極層としてこの表面にめ
っき層を形成して焼付け電極層とめっき層からなる端子
電極１２を有するチップ型サーミスタ２０を得る（同図
（ｆ））。

【００１２】図５に示したチップ型サーミスタ２０は、
図６（ａ）において抵抗値調整用内部電極２１を上下両
面で１列ずつ交互に減らして形成する以外は、図６と同
様に製造される。図７又は図８に示したチップ型サーミ
スタ３０は、図６（ｄ）において短冊状サーミスタ素体
１３の電極２１と電極２１の間をその切断面と垂直な方
向に切断してチップを作る以外は、図６と同様に形成さ
れる。図９に示したチップ型サーミスタ４０は、次の方
法により製造される。先ずサーミスタ素体用のセラミッ
クグリーンシートを極く薄く成形し、このシート上面に
導電性ペーストを印刷し乾燥して内部電極２３を形成し
た後、複数のグリーンシートを積み重ねてシート状の積
層体にし、この積層体を焼成して焼結シートを作る。以
後、図６（ｂ）〜（ｆ）に示す方法と同様にしてチップ
型サーミスタ４０を得る。

【００１３】上述したガラス層１４について詳しく説明
する。このガラス層はその一部又は全部が下ガラス層と
上ガラス層の二層からなる。下ガラス層はセラミック素
体上に形成された結晶化ガラスからなり、上ガラス層は
この下ガラス層上に形成された密閉性を有する非晶質ガ
ラスからなる。この下ガラス層は後述するガラスペース
トを印刷又は塗布し乾燥した後、焼成することにより５
〜２０μｍ程度の厚さに形成される。下ガラス層が部分
的に結晶化ガラスである場合には、結晶化率は１０％以
上であることが本発明の目的を達成するために必要であ
る。ここで、結晶化ガラスとは、均一な非晶質のガラス
をその軟化点付近で制御されたスケジュールに従って焼
成し、微細な結晶の集りに変える方法で作られたガラス
セラミックスである。結晶化ガラスにするためには、ガ
ラスペーストに含まれる非晶質のガラス粉末（原料ガラ
ス粉末）を結晶化可能となるように選択しかつ配合する
こと、及びそのガラスペーストに含まれるガラスが結晶
化するように乾燥したペーストを所定の温度条件で焼成
することが必要である。

【００１４】ガラスペースト焼成後の下ガラス層の緻密
度合いが良好になるように、結晶化ガラスの前駆体ガラ
スはそのガラス転移点が４００〜１０００℃の範囲にあ
って、その結晶化温度がガラス転移点より高いことが必
要である。このガラス転移点の範囲は、電極層の焼成温
度を考慮して決められる。この電極層にＡｇを用いると
きにはその焼成温度は６００〜８５０℃であり、その温
度よりガラス転移点が大幅に低い場合、例えば結晶化ガ
ラスの前駆体ガラスのガラス転移点が４００℃未満の場
合には結晶化温度が６００℃を下回ることがあり、電極
層焼成時に結晶化ガラスが変質するおそれがある。また
前駆体ガラスのガラス転移点が１０００℃を越えるとき
には、結晶化温度が１０００℃より高くなりサーミスタ
素体が変質するおそれがある。

【００１５】これに対して上ガラス層はガラスペースト
に含まれる非晶質のガラス粉末（原料ガラス粉末）が下
ガラス層の上述した焼成条件では結晶化しないように選
択しかつ配合することが必要である。上ガラス層はこの
ような原料ガラス粉末を含むガラスペーストを印刷又は
塗布し乾燥した後、焼成することにより５〜２０μｍ程
度の厚さに形成される。本発明の目的を達成するため
に、下ガラス層の結晶化率は１０％以下であって下ガラ
ス層を密閉することが必要である。

【００１６】下ガラス層の結晶化ガラスはその熱膨張係
数がサーミスタ素体の熱膨張係数の４０％以上１００％
以下であることが好ましく、特に５０％以上９０％以下
であることが好ましい。上記４０〜１００％のときに
は、チップ型サーミスタの抗折強度がガラス層を設けな
いものと比べて増加することは勿論、ガラス層が未結晶
化ガラスからなるものであってその熱膨張係数が上記範
囲にあるものと比べても増加する。特に５０〜９０％の
ときには、抗折強度がガラス層を設けないもの及びガラ
ス層が未結晶化ガラスからなるものと比較してそれぞれ
２０〜７０％増加する。これに対して４０〜１００％の
範囲外では、ガラス層を設けないもの及びガラス層が未
結晶化ガラスからなるものと比べて抗折強度が低下す
る。

【００１７】抗折強度とは、間隔をあけて配置された２
つの台にチップ型サーミスタの両端を置き、チップ型サ
ーミスタの中央部に荷重を加えたときの破壊強度をい
う。これは、チップ型サーミスタをプリント回路基板に
表面実装したときの実装機等による応力（機械的ストレ
ス）、或いははんだ等による熱や実装後の熱サイクルに
よって生じる応力歪み（熱的ストレス）にどれだけ耐え
ることができるかの目安となる。

【００１８】本発明のチップ型サーミスタの抗折強度が
増加するのは、サーミスタ素体表面のガラス層に圧縮応
力が残留するためと考えられる。即ち、ガラスの焼成時
に熱膨張していたサーミスタ素体とガラス層が冷える
と、熱膨張係数の大きなサーミスタ素体の方が縮み方が
大きく、ガラス層が圧縮された状態となる。この状態の
チップ型サーミスタに折曲げ力を加えると、折曲げの内
側には圧縮応力が生じ、外側には引張応力が生じる。サ
ーミスタ素体とガラス層は、ともに圧縮応力に強く引張
応力に弱い特徴がある。このため、予めガラス層により
大きな圧縮応力を与えておくと、ガラス層を設けないも
の及びガラス層が未結晶化ガラスからなるものに比べ
て、折曲げ力を加えたときにその曲げの外側の引張応力
に対してクラックが生じにくくなる。上ガラス層の非晶
質ガラスの熱膨張係数も下ガラス層の結晶化ガラスと同
様に、サーミスタ素体の熱膨張係数の４０％以上１００
％以下であることが好ましく、特に５０％以上９０％以
下であることが好ましい。

【００１９】

【作用】図２に示すように、サーミスタ素体１１の両端
面を除く素体表面を下ガラス層１４ａと上ガラス層１４
ｂからなる二層の絶縁性ガラス層１４で被覆し、このサ
ーミスタ素体１１の両端面を含む両端部に焼付け電極層
１６を設けた後、めっき層１８，１９を設けることによ
りチップ型サーミスタ１０が作られる。ガラス層１４の
うち下ガラス層１４ａは結晶化ガラスであって、この結
晶化ガラスとなるガラスペーストは従来のように無機結
晶物を含まないため、印刷性が良好で、しかも下ガラス
層の形成時にガラス転移点を経て結晶化温度に達するた
め、焼成後のガラス自身の緻密度合いが良好である。

【００２０】また、ガラス層１４のうち上ガラス層１４
ｂは非晶質ガラスであって下ガラス層１４ａを密閉する
ため、たとえ下ガラス層１４ａに微細な開気孔が存在し
ても、これらの開気孔は覆われ、ガラス層１４の表面を
平滑にする。このためサーミスタ素体１１は完全に被覆
され電極層１６のみがめっき処理される。二層のガラス
層によりめっき処理時にサーミスタ素体１１へのめっき
液の浸食及び素体１１へのめっきの付着が防止され、サ
ーミスタの抵抗値が所期の値に対して変動しない。Ｎｉ
めっき層１８によりはんだ耐熱性が向上し、サーミスタ
を基板にはんだ付けするときにはんだによる電極層１６
の電極食われが防止する。またＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっ
き層１９により端子電極１２のはんだ付着性が向上す
る。これらのめっき層１８，１９は貴金属の焼付け電極
層１６の表面を被覆するため、貴金属のイオン移動が発
生しにくい。また、下ガラス層１４ａが結晶化ガラスで
あるため、電極層１６の形成中にガラス自身の粘度低下
が少なく、サーミスタ素体のエッジ部のガラス層や、エ
ッジ部の焼付け電極層１６が消失せず、電極層形成後の
ガラス層１４に焼成治具等との融着跡又は接触跡が残ら
ない。

【００２１】更に、結晶化ガラスの熱膨張係数をサーミ
スタ素体の熱膨張係数より適度に小さくすれば、作製さ
れたチップ型サーミスタのガラス層により大きな圧縮応
力が与えられ、ガラス層がないチップ型サーミスタ或い
は未結晶化ガラスのガラス層のみを有するチップ型サー
ミスタに比べて、折曲げ力を加えたときにその曲げの外
側の引張応力に対してクラックが生じにくくなる。

【００２２】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ラス層のうち下ガラス層を結晶化ガラスにより構成する
ことにより、焼付け電極層形成時にガラス層が軟化して
変形したり焼成治具等に融着したりせず、また電極層が
ガラス層に溶け込まないため、ガラス層や焼付け電極層
の保形性が良好になる。また下ガラス層の上に非晶質ガ
ラスからなる上ガラス層を形成して結晶化ガラスの開気
孔を密閉することにより、ガラス層表面が平滑でサーミ
スタの見栄えが良くなる。また二重構造のガラス層によ
りサーミスタ素体が完全に保護されるので、第一に電極
層を形成した後、めっき処理するときにめっき液の浸食
によるサーミスタの抵抗値の変化を生じない。第二にサ
ーミスタ実装後の高温多湿等の環境下における抵抗値の
変化を生じない。これにより耐めっき液性及び耐候性の
ある信頼性の高いチップ型サーミスタが得られる。更に
熱膨張係数を適切に選択すれば、ガラス層が未結晶化ガ
ラスのチップ型サーミスタより抗折強度を増加させるこ
とができる。

【００２３】

【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明を実施例を比較例とともに説明する。以下に述べる実
施例は本発明の技術的範囲を限定するものではない。

【００２４】＜実施例＞次の方法により図１〜図３に示
すチップ型サーミスタを作製した。先ず市販の酸化マン
ガン、酸化コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これら
の各金属元素が所定の原子比となるように上記金属酸化
物をそれぞれ秤量した。秤量物をボールミルで１６時間
均一に混合した後に脱水乾燥した。次いでこの混合物を
９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物を再びボールミル
で粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に対してポリビニルブ
チラールを６重量％、エタノールを３０重量％、ブタノ
ールを３０重量％それぞれ加え、混合スラリーを作製し
た。このスラリーを用いてドクタブレード法により厚さ
０．８０ｍｍのグリーンシートを作製し、このシートを
たて７０ｍｍ、よこ７０ｍｍの大きさに打抜いた。次に
このシートを１２００℃で４時間焼成し、たて５０ｍ
ｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの焼結シート１１を
得た（図３（ａ））。

【００２５】ガラス転移点が約６５０℃で結晶化温度が
約７５０℃であるＳｉＯ₂，ＭｇＯ，ＺｎＯ及びＢａＯ
を主成分とする原料ガラス粉末を含む第１ガラスペース
トを調製した。このペースト中でガラス成分は均一に混
じり合った。次いで７８０℃では結晶化しないＳｉ
Ｏ₂，ＰｂＯ及びＫ₂Ｏを主成分とする原料ガラス粉末を
含む第２ガラスペーストを調製した。第１ガラスペース
トを焼結シート１１の両面に印刷し乾燥した後、乾燥し
た第１ガラスペーストの上に第２ガラスペーストを印刷
し乾燥した。

【００２６】第２ガラスペーストが乾燥した焼結シート
１１を室温から約３０℃／分の速度で７８０℃まで昇温
し、そこで約１０分間保持し、約３０℃／分の速度で室
温まで降温して、厚さ約２０μｍのガラス層１４をシー
ト表面に形成した（図３（ｂ））。このガラス層１４は
第１ガラスペーストから形成された結晶化ガラスからな
る下ガラス層１４ａと、第２ガラスペーストから形成さ
れた非晶質ガラスからなる上ガラス層１４ｂにより構成
される。

【００２７】次に、これを厚さ０．１０ｍｍのダイヤモ
ンドブレードを用いて、幅１．２０ｍｍの短冊状に切断
し（図３（ｃ））、この短冊状体１３の両側の切断面に
前記と同様の方法で第１及び第２ガラスペーストを印刷
焼成して同じ構成のガラス層１４を形成し、短冊状体の
４面をガラス層１４で被覆した（図３（ｄ））。続いて
前記切断により得られた切断面と垂直な方向に短冊状体
１３を長さ１．９０ｍｍのチップ状に細かく切断した
（図３（ｅ））。この切断面及びその周囲のガラス層１
４にＡｇペーストを塗布した。このチップ１５を室温か
ら約３０℃／分の速度で７８０℃まで昇温し、そこで約
１０分間保持し、約３０℃／分の速度で室温まで降温し
て焼付け電極層を形成した。この焼成により４面のガラ
ス層１４のうち下ガラス層１４ａは結晶化率約６０％の
結晶化ガラスとなり、上ガラス層１４ｂは非晶質ガラス
であった。得られたチップ１５の寸法は長さ約２．０ｍ
ｍ、幅約１．２５ｍｍ、厚さ約０．７５ｍｍであった。

【００２８】最後にこのチップ１５に電解めっき法によ
りめっき処理を施し、焼付け電極層の表面に厚さ２〜３
μｍのＮｉめっき層と厚さ４〜５μｍのＳｎめっき層と
を積層し、二重構造の電極表面層を形成した。これによ
り電極層とめっき層からなる端子電極１２が両端部に形
成されたチップ型サーミスタ１０を得た（図３
（ｆ））。

【００２９】＜比較例１＞第１ガラスペーストを７８０
℃では結晶化しないＳｉＯ₂，ＰｂＯ及びＮａ₂Ｏを主成
分とする原料ガラス粉末を含むように調製した以外は、
上記実施例と同一の条件で図３（ｆ）に示す製造方法に
準じてチップ型サーミスタを得た。このサーミスタのガ
ラス層はサーミスタ素体表面上に形成された非晶質ガラ
スからなる下ガラス層とこの下ガラス層の上に形成され
たやはり非晶質ガラスからなる上ガラス層とにより構成
されていた。

【００３０】実施例及び比較例で得られたチップ型サー
ミスタの信頼性を調べるため、サーミスタを１２５℃の
高温雰囲気に１０００時間放置する高温放置試験及び８
５℃で相対湿度８５％の高温多湿雰囲気に１０００時間
放置する高温多湿試験を行った。各試験とも試料数２０
個で行い、次式（１）よりサーミスタの抵抗値の変化率
を求めた。その結果を表１に示す。 抵抗値変化率 ＝（Ｒ₂−Ｒ₁）／Ｒ₁ ……（１） ただし、Ｒ₁は試験前の抵抗値、Ｒ₂は試験後の抵抗値で
ある。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１より明らかなように、結晶化ガラスの
下ガラス層と非晶質ガラスの上ガラス層を有する実施例
のサーミスタは２つの試験とも抵抗値変化率は１未満の
低い値であったのに対して、比較例のサーミスタは２つ
の試験とも約４の高い値であった。これにより実施例の
サーミスタが耐候性に優れ、信頼性が高いことが判っ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サーミスタの外観斜視図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１のチップ型サーミスタの製造工程を説明す
る図。

【図４】本発明の抵抗値調整用内部電極を設けたチップ
型サーミスタの断面図。

【図５】本発明の抵抗値調整用内部電極を設けた別のチ
ップ型サーミスタの断面図。

【図６】図４のチップ型サーミスタの製造工程を説明す
る図。

【図７】本発明の抵抗値調整用内部電極を設けた別のチ
ップ型サーミスタの断面図。

【図８】本発明の抵抗値調整用内部電極を設けた別のチ
ップ型サーミスタの断面図。

【図９】本発明の内部電極を設けた別のチップ型サーミ
スタの断面図。

【符号の説明】

１０，２０，３０，４０ チップ型サーミスタ １１ サーミスタ素体 １２ 端子電極 １４ ガラス層 １４ａ 下ガラス層 １４ｂ 上ガラス層 １６ 焼付け電極層 １８ Ｎｉめっき層 １９ Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層 ２１，２２，２３ 抵抗値調整用内部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 秀人 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス研究所 内 (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス研究所 内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 サーミスタ素体(11)と、前記サーミスタ
   素体(11)の両端面を除く素体表面を被覆する絶縁性ガラ
   ス層(14)と、前記サーミスタ素体(11)の両端面を含む両
   端部に設けられた一対の端子電極(12,12)とを備え、前
   記一対の端子電極(12,12)が前記サーミスタ素体(11)の
   両端部に形成された焼付け電極層(16)と前記焼付け電極
   層(16)の表面に形成されためっき層(18,19)をそれぞれ
   有するチップ型サーミスタ(10)において、 前記ガラス層(14)の一部又は全部が前記素体表面上に形
   成された結晶化ガラスからなる下ガラス層(14a)と前記
   下ガラス層(14a)の上に形成された密閉性を有する非晶
   質ガラスからなる上ガラス層(14b)とにより構成され、
   前記結晶化ガラスの前駆体ガラスのガラス転移点が４０
   ０〜１０００℃の範囲にあって、その結晶化温度が前記
   ガラス転移点より高い温度であることを特徴とするチッ
   プ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 結晶化ガラスはその熱膨張係数がサーミ
   スタ素体(11)の熱膨張係数の４０％以上１００％以下で
   ある請求項１記載のチップ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 サーミスタ素体(11)は両端面以外の素体
   表面に前記端子電極に電気的に接続し又は接続しない抵
   抗値調整用内部電極(21,22)を有し、 ガラス層(14)が前記内部電極(21,22)を含む両端面以外
   の素体表面を被覆するように構成された請求項１記載の
   チップ型サーミスタ。
4. 【請求項４】 サーミスタ素体(11)は素体内部に一対の
   端子電極(12,12)に電気的に接続し又は接続しない抵抗
   値調整用内部電極(23)を有する請求項１記載のチップ型
   サーミスタ。