JP2001185567A - Semiconductor device and manufacturing method therefor - Google Patents

Semiconductor device and manufacturing method therefor

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JP2001185567A
JP2001185567A JP36363499A JP36363499A JP2001185567A JP 2001185567 A JP2001185567 A JP 2001185567A JP 36363499 A JP36363499 A JP 36363499A JP 36363499 A JP36363499 A JP 36363499A JP 2001185567 A JP2001185567 A JP 2001185567A
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tab
lead
semiconductor device
sealing material
leads
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Toshihiro Yamaguchi
利博 山口
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Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can ensure sufficient margin of stand off enough, and can prevent the turning of sealing material into a lead terminal part. SOLUTION: This QFN structure of surface-mounting-type package is composed of a semiconductor chip mounted on a tub, and a plurality of leads electrically connected to the pad on this semiconductor chip through a wire, a sealing material to seal the tube, a semiconductor chip, a wire, and a lead such that is exposes the downside of these leads, and others, and out of the molds used for sealing elements with this sealing material, especially a lower mold 11 has a structure with the section that the lead being engage with is recessed, and that the section to come under the tub is projected, within the range of being sealed with a sealing material, excluding the section that the lead is to engage with, and also the height of the section of the projection under the tab is set, based on the thickness of the lead.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の組み
立て技術に関し、たとえばQFN構造などの表面実装型
パッケージにおいて、このパッケージ下面と実装基板と
の間のスタンドオフの確保に好適な半導体装置およびそ
の製造方法に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device assembling technique, and more particularly to a semiconductor device suitable for securing a stand-off between a lower surface of the package and a mounting substrate in a surface mount type package such as a QFN structure. The present invention relates to a technology that is effective when applied to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、本発明者が検討した技術とし
て、QFN構造の表面実装型パッケージにおいては、基
板実装性を考慮して、パッケージ下面と実装基板との間
に所定範囲の距離、いわゆるスタンドオフを確保する方
法などが考えられる。すなわち、表面実装型パッケージ
におけるスタンドオフの確保を実施することにより、基
板実装性の歩留まり向上を図ることができる。
2. Description of the Related Art For example, as a technique studied by the present inventor, in a surface mount type package having a QFN structure, a distance within a predetermined range between a package lower surface and a mounting board, a so-called stand, is taken into consideration in consideration of board mountability. A method for securing the off state is conceivable. That is, by ensuring the stand-off of the surface mount package, the yield of the substrate mountability can be improved.

【0003】なお、このようなQFN構造の表面実装型
パッケージなどに関する技術としては、たとえば199
3年8月2日、日経BP社発行の「日経エレクトロニク
スno.587」P104〜P118に記載される技術
などが挙げられる。
[0003] Techniques related to such a surface mount type package having a QFN structure include, for example, 199
The techniques described in “Nikkei Electronics no. 587”, pp. 104 to 118, issued by Nikkei BP on Aug. 2, 1993, may be mentioned.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
なQFN構造の表面実装型パッケージの技術について、
本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかと
なった。たとえば、QFN構造のパッケージは、図5に
示すように、タブ1上に搭載された半導体チップ2と、
この半導体チップ2上のパッドにワイヤ3を介して電気
的に接続された複数のリード4と、これらの複数のリー
ド4の下面側を露出するようにタブ1、半導体チップ
2、ワイヤ3および複数のリード4を封止する封止材5
などから構成されている。
By the way, regarding the technology of the surface mount type package having the QFN structure as described above,
As a result of the study by the present inventors, the following has become clear. For example, a package having a QFN structure includes a semiconductor chip 2 mounted on a tab 1 as shown in FIG.
A plurality of leads 4 electrically connected to the pads on the semiconductor chip 2 via the wires 3, and a tab 1, the semiconductor chip 2, the wires 3, and Sealing material 5 for sealing the lead 4
It is composed of

【0005】このQFN構造のパッケージを封止材によ
り封止する際は、たとえば図6(後述する図4(a)に
対応)に示すように、リード4が嵌合される部分、タブ
1の下面側の部分が凹状に形成されている構造の下型1
1と、逆凹状に形成されている上型12とからなる金型
を用いて封止することにより、タブ1の下面側が覆わ
れ、リード4の下面側が露出されたパッケージ構造とな
る。この露出されたリード4の下面側に半田メッキ6の
メッキ処理が施され、この半田メッキ6の厚さ分だけス
タンドオフが確保できる。
When the package having the QFN structure is sealed with a sealing material, for example, as shown in FIG. 6 (corresponding to FIG. Lower mold 1 having a lower surface portion formed in a concave shape
By sealing using a mold composed of the upper mold 1 and the upper mold 12 formed in an inverted concave shape, the lower surface of the tab 1 is covered and the lower surface of the lead 4 is exposed. The exposed lower surface of the lead 4 is plated with solder plating 6, and a stand-off can be secured by the thickness of the solder plating 6.

【0006】ところが、図6のような構造の金型を用い
た封止処理においては、封止材5がリード4の下面側に
回り込み、リード端子部が封止材5により覆われて隠れ
てしまう恐れがある。このようにリード端子部が封止材
5に覆われると、実装基板との接合性に問題が生じるこ
とが考えられる。
However, in a sealing process using a mold having a structure as shown in FIG. 6, the sealing material 5 goes around the lower surface side of the lead 4 and the lead terminal portion is covered by the sealing material 5 and hidden. There is a risk that it will. When the lead terminal portion is covered with the sealing material 5 as described above, it is conceivable that a problem occurs in the bonding property with the mounting substrate.

【0007】そこで、本発明の目的は、QFN構造など
の表面実装型パッケージにおいて、封止金型の構造を工
夫することで、スタンドオフのマージンを十分に確保す
ることができ、またリード端子部に封止材の回り込みを
防止することができる半導体装置およびその製造方法を
提供するものである。
Accordingly, an object of the present invention is to improve the structure of a sealing mold in a surface mount type package such as a QFN structure so that a stand-off margin can be sufficiently secured and a lead terminal portion can be provided. The present invention provides a semiconductor device and a method for manufacturing the same, which can prevent the encapsulant from wrapping around.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0010】すなわち、本発明による半導体装置は、タ
ブ上に搭載された半導体チップ上のパッドに、ワイヤを
介して電気的に接続された複数のリードの下面側を露出
するように、タブ、半導体チップ、ワイヤおよびリード
を封止する封止材とからなる表面実装型の半導体装置に
おいて、封止材から露出される各リードの厚さ方向が所
定の寸法で露出されているものである。
That is, in the semiconductor device according to the present invention, the tab, the semiconductor, and the semiconductor chip mounted on the tab are exposed so that the lower surfaces of a plurality of leads electrically connected via wires are exposed. In a surface mounting type semiconductor device including a chip, a wire, and a sealing material for sealing a lead, a thickness direction of each lead exposed from the sealing material is exposed with a predetermined dimension.

【0011】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、前記のような表面実装型の半導体装置において、封
止材により封止する際に、リードが嵌合される部分は凹
状に形成され、かつタブの下面側の部分は凸状に形成さ
れた構造の下型を含む金型を用いて封止するものであ
る。これにより、パッケージ下面と実装基板との間のス
タンドオフのマージンを十分に確保することができる。
Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the above-described surface-mount type semiconductor device, when sealing with a sealing material, a portion where a lead is fitted is formed in a concave shape, The tab on the lower surface side is sealed with a mold including a lower mold having a convex structure. Thus, a sufficient stand-off margin between the lower surface of the package and the mounting substrate can be secured.

【0012】この製造方法において、タブの下面側の凸
状の部分は、リードが嵌合される部分を除き、封止材に
より封止される範囲で凸状に形成することにより、リー
ドの下面側への封止材の回り込みを防止することがで
き、さらにタブの下面側の凸状の部分の高さは、リード
の厚さに基づいて設定することにより、タブおよびリー
ドの厚さ方向の加工に対応することができるようにした
ものである。
In this manufacturing method, the convex portion on the lower surface side of the tab is formed in a convex shape within a range sealed by the sealing material except for a portion where the lead is fitted, so that the lower surface of the lead is formed. The sealing material can be prevented from wrapping around to the side, and the height of the convex portion on the lower surface side of the tab is set based on the thickness of the lead, so that the height in the thickness direction of the tab and the lead can be reduced. It is designed to be able to cope with processing.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の一実施の形
態の半導体装置を示す断面図、図2は本実施の形態の半
導体装置において、組み立て方法を示すフロー図、図3
および図4は封止金型を示す平面図および断面図であ
る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing an assembling method in the semiconductor device according to the present embodiment, and FIG.
4 and FIG. 4 are a plan view and a sectional view showing a sealing mold.

【0014】まず、図1により、本実施の形態の半導体
装置の構成の一例を説明する。本実施の形態の半導体装
置は、たとえばQFN構造の表面実装型パッケージとさ
れ、タブ1上に搭載された半導体チップ2と、この半導
体チップ2上のパッドにワイヤ3を介して電気的に接続
された複数のリード4と、これらのリード4の下面側を
露出するようにタブ1、半導体チップ2、ワイヤ3およ
びリード4を封止する封止材5などからなり、封止材5
から露出される各リード4の厚さ方向が所定の寸法で露
出されて構成されている。
First, an example of the configuration of the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor device of the present embodiment is, for example, a surface mount package having a QFN structure, and is electrically connected to a semiconductor chip 2 mounted on a tab 1 and a pad on the semiconductor chip 2 via a wire 3. A plurality of leads 4 and a sealing material 5 for sealing the tabs 1, the semiconductor chip 2, the wires 3, and the leads 4 so as to expose the lower surfaces of the leads 4.
The thickness direction of each lead 4 that is exposed from is exposed at a predetermined dimension.

【0015】タブ1およびリード4は、たとえばCuな
どの短冊状のリードフレームからなり、その1個の半導
体チップ2に対応する各部分の中央部に4本のタブ吊り
リードにより支持されたタブ1が設けられ、このタブ1
の周縁近傍にタブ1を囲むように複数のリード4が設け
られ、これらのリード4の露出された下面に半田メッキ
6が被着されて外部端子となる。このタブ1の下面側
は、たとえばハーフエッチング加工が施されてリード4
の部分の約半分の厚さとなっている。
The tab 1 and the lead 4 are formed of a strip-shaped lead frame made of, for example, Cu or the like, and the tab 1 supported by four tab suspension leads is provided at the center of each portion corresponding to one semiconductor chip 2. Is provided, and this tab 1
A plurality of leads 4 are provided so as to surround the tab 1 in the vicinity of the periphery of the lead, and solder plating 6 is applied to the exposed lower surfaces of these leads 4 to become external terminals. The lower surface of the tab 1 is subjected to, for example, a half-etching process so that a lead 4 is formed.
About half the thickness of the part.

【0016】半導体チップ2には、たとえばマイコン、
ASIC、ゲートアレイ、システムLSI、メモリなど
の所定の集積回路が形成され、この集積回路の外部端子
となる複数のパッド7が主面上に設けられている。この
半導体チップ2は、たとえば非導電性ペーストなどの接
着剤によりタブ1上に固定される。
The semiconductor chip 2 includes, for example, a microcomputer,
A predetermined integrated circuit such as an ASIC, a gate array, a system LSI, and a memory is formed, and a plurality of pads 7 serving as external terminals of the integrated circuit are provided on a main surface. The semiconductor chip 2 is fixed on the tab 1 by an adhesive such as a non-conductive paste.

【0017】ワイヤ3は、たとえばAuなどの金属線か
らなり、このワイヤ3を介して半導体チップ2上のパッ
ド7とリード4の一端部とが電気的に接続される。
The wire 3 is made of a metal wire such as Au, for example, and the pad 7 on the semiconductor chip 2 and one end of the lead 4 are electrically connected via the wire 3.

【0018】封止材5は、たとえばエポキシ樹脂などの
樹脂材料からなり、この封止材5によりリード4の下面
側を露出するように、タブ1、半導体チップ2、ワイヤ
3およびリード4が保護、耐湿性向上のために封止され
る。
The sealing material 5 is made of a resin material such as an epoxy resin. The tab 1, the semiconductor chip 2, the wires 3 and the leads 4 are protected by the sealing material 5 so that the lower surfaces of the leads 4 are exposed. , And sealed to improve moisture resistance.

【0019】次に、図2により、本実施の形態の半導体
装置の組み立て方法の一例を簡単に説明する。図2にお
いて、右側の図は各フローに対応する半導体装置の断面
図である。この組み立てに先立って、ウェハからダイシ
ングされて形成された半導体チップ2、短冊状に10個
などの複数個単位で形成されたリードフレームや、ワイ
ヤ3、封止材5などを用意する。
Next, an example of a method of assembling the semiconductor device according to the present embodiment will be briefly described with reference to FIG. In FIG. 2, the figure on the right side is a cross-sectional view of the semiconductor device corresponding to each flow. Prior to this assembling, a semiconductor chip 2 formed by dicing from a wafer, a lead frame formed in a plurality of units such as ten strips, wires 3, a sealing material 5, and the like are prepared.

【0020】まず、ダイボンディング工程(ステップS
1)において、短冊状に形成されたリードフレームの複
数個の各タブ1上に接着剤により複数個の各半導体チッ
プ2をそれぞれ固着する。さらに、ワイヤボンディング
工程(ステップS2)において、複数個の各半導体チッ
プ2上の各パッド7とリードフレームの複数個の各リー
ド4の一端部とをそれぞれワイヤ3により接続する。
First, a die bonding step (step S)
In 1), a plurality of semiconductor chips 2 are respectively fixed to a plurality of tabs 1 of a lead frame formed in a strip shape with an adhesive. Further, in a wire bonding step (Step S2), each pad 7 on each of the plurality of semiconductor chips 2 is connected to one end of each of the plurality of leads 4 of the lead frame by a wire 3.

【0021】続いて、封止工程(ステップS3)におい
て、複数個の半導体チップ2が固着された短冊状のリー
ドフレームを、リード4の下面側を露出するように、タ
ブ1、半導体チップ2、ワイヤ3およびリード4を封止
材5により封止する。この封止工程においては、特に図
3および図4に示すような金型が用いられ、以下に詳細
に説明する。図3は下型の平面図、図4(a),(b)
はそれぞれ図3のa−a’切断線、b−b’切断線にお
ける断面図(上型も含む)である。なお、この金型は、
簡単化のために20ピンのパッケージを例に示してい
る。
Subsequently, in a sealing step (step S3), the strip-shaped lead frame to which the plurality of semiconductor chips 2 are fixed is connected to the tab 1, the semiconductor chip 2, and the semiconductor chip 2 so that the lower surfaces of the leads 4 are exposed. The wires 3 and the leads 4 are sealed with a sealing material 5. In this sealing step, a mold as shown in FIGS. 3 and 4 is particularly used, which will be described in detail below. FIG. 3 is a plan view of the lower mold, and FIGS. 4 (a) and 4 (b).
3 is a cross-sectional view (including an upper mold) taken along a cutting line aa ′ and a cutting line bb ′ in FIG. 3, respectively. In addition, this mold
For simplicity, a 20-pin package is shown as an example.

【0022】すなわち、下型11および上型12からな
る金型のうち、特に下型11は、リード4が嵌合される
部分は凹状に形成され、かつタブ1の下面側の部分はリ
ード4が嵌合される部分を除き、封止材5により封止さ
れる範囲で凸状に形成された構造からなり、またタブ1
の下面側の凸状の部分の高さはリード4の厚さに基づい
て設定される。たとえば、リード4の厚さ寸法が150
μm程度の場合に、下型11の凹状の部分の高さ寸法L
1は150μm程度、凸状の部分の高さ寸法L2は50
μm程度に形成される。
That is, among the molds composed of the lower mold 11 and the upper mold 12, the lower mold 11 has a concave portion at the portion where the lead 4 is fitted, and the lower portion of the tab 1 has the lead 4 Except for a portion where the tab 1 is fitted, the tab 1 has a structure formed in a convex shape in a range sealed by the sealing material 5.
The height of the convex portion on the lower surface side is set based on the thickness of the lead 4. For example, when the thickness dimension of the lead 4 is 150
μm, the height L of the concave portion of the lower mold 11
1 is about 150 μm, and the height L2 of the convex portion is 50
It is formed to a thickness of about μm.

【0023】この封止工程においては、まずリードフレ
ームをトランスファーモールド装置の下型11の所定の
位置に搭載し、上型12と下型11とを型締めする。こ
の型締めした両金型の合わせ面には、タブ1、半導体チ
ップ2、ワイヤ3およびリード4が封止材5で封止され
るキャビティ13が形成され、このキャビティ13内に
封止材5を充填する。この充填された封止材5は、ハー
フエッチング加工されたタブ1の下面に回り込み、タブ
1、半導体チップ2、ワイヤ3およびリード4を確実に
気密封止する。同時に、下型11の形状によりリード4
の厚さ方向が十分に露出し、またリード4の下面側へ封
止材5が回り込むことがない。
In this sealing step, first, the lead frame is mounted at a predetermined position on the lower mold 11 of the transfer molding apparatus, and the upper mold 12 and the lower mold 11 are clamped. A cavity 13 in which the tab 1, the semiconductor chip 2, the wires 3 and the leads 4 are sealed by the sealing material 5 is formed on the mating surface of the two clamped molds. Fill. The filled sealing material 5 goes around the lower surface of the half-etched tub 1 and reliably hermetically seals the tub 1, the semiconductor chip 2, the wires 3 and the leads 4. At the same time, the lead 4
Is sufficiently exposed, and the sealing material 5 does not go around the lower surface of the lead 4.

【0024】続いて、外装処理工程(ステップS4)に
おいて、封止材5から露出されたリード4の部分に半田
メッキ6を被着するためにメッキ処理を施す。これによ
り、たとえば半田メッキ6の厚さが25μm程度の場合
には、下型11の形状によるタブ1の下面側の凸状の部
分の高さ寸法L2の50μm程度を加算した75μm程
度の寸法分だけ、パッケージ下面と実装基板との間のス
タンドオフのマージンを確保することができる。
Subsequently, in an exterior processing step (step S4), a plating process is performed to apply the solder plating 6 to the portions of the leads 4 exposed from the sealing material 5. Thereby, for example, when the thickness of the solder plating 6 is about 25 μm, the height of about 50 μm of the height L2 of the convex portion on the lower surface side of the tab 1 due to the shape of the lower mold 11 is added by about 75 μm. Only, a stand-off margin between the lower surface of the package and the mounting substrate can be secured.

【0025】最後に、切断工程(ステップS5)におい
て、リードフレームをリード4の外側の位置で切断し、
リードフレームから1個ずつパッケージとして切り離
す。これにより、QFN構造の表面実装型パッケージが
完成する。この完成後に、パッケージの良品/不良品を
選別するためのテストが行われ、良品のパッケージが製
品として使用される。
Finally, in a cutting step (step S5), the lead frame is cut at a position outside the lead 4,
Separate them one by one from the lead frame as a package. As a result, a surface mount type package having a QFN structure is completed. After this completion, a test is performed to select non-defective / defective packages, and non-defective packages are used as products.

【0026】従って、本実施の形態の半導体装置によれ
ば、タブ1の下面側の部分が凸状に形成された構造から
なる下型11を用いることにより、半田メッキ6の厚さ
に凸状の高さ寸法を加えてスタンドオフのマージンを十
分に確保することができるとともに、リード4と下型1
1および上型12との距離・隙間を狭くすることができ
るので、リード4の下面側への封止材5の回り込みを防
止することができる。また、タブ1と下型11との距離
が狭くなるので、封止材5の注入時のタブ1の上下変動
を防止することができる。
Therefore, according to the semiconductor device of the present embodiment, by using the lower mold 11 having a structure in which the lower surface side of the tab 1 is formed in a convex shape, the thickness of the solder plating 6 becomes convex. In addition to the height dimension, the stand-off margin can be sufficiently secured, and the lead 4 and the lower mold 1 can be secured.
Since the distance and gap between the first die 1 and the upper die 12 can be reduced, it is possible to prevent the sealing material 5 from wrapping around the lower surface of the lead 4. Further, since the distance between the tab 1 and the lower mold 11 is reduced, it is possible to prevent the tab 1 from vertically moving when the sealing material 5 is injected.

【0027】この結果、封止材5の漏れなどの低減を図
ることによって、半導体装置の基板実装性の歩留まり向
上が期待できる。これは、半導体装置の信頼性の向上に
つながる。すなわち、実装基板と接合するリード4に封
止材5が付着していることによって、半田メッキ6の接
合面積の縮小化の問題があり、剪断強度の確保が厳しく
なるが、本実施の形態においてはこの問題を解決するこ
とができる。
As a result, it is expected that the yield of the semiconductor device can be improved by reducing the leakage of the sealing material 5. This leads to an improvement in the reliability of the semiconductor device. That is, since the sealing material 5 adheres to the lead 4 joined to the mounting substrate, there is a problem in that the joint area of the solder plating 6 is reduced, and it becomes difficult to secure the shear strength. Can solve this problem.

【0028】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0029】たとえば、前記実施の形態においては、封
止材がタブの下面に回り込むパッケージ構造について説
明したが、タブを露出させた構造とすることも可能であ
る。この場合には、下型の凸状の部分の高さをタブの下
面に接するように形成することで、封止工程においてタ
ブの下面が金型の凸状の部分に接しているので、タブの
上下変動をなくしてタブの変形を防止することができ
る。また、タブから直接外部へ放熱してパッケージの放
熱性を向上させることも可能である。
For example, in the above-described embodiment, the package structure in which the sealing material goes around the lower surface of the tab has been described. However, a structure in which the tab is exposed may be employed. In this case, by forming the height of the convex portion of the lower mold so as to be in contact with the lower surface of the tab, the lower surface of the tab is in contact with the convex portion of the mold in the sealing step. The vertical deformation of the tab can be eliminated and the deformation of the tab can be prevented. Further, heat can be directly radiated from the tab to the outside to improve the heat radiation of the package.

【0030】また、QFN構造の表面実装型パッケージ
について説明したが、これに限定されるものではなく、
複数のリードの下面側を露出するように、タブ、半導体
チップ、ワイヤおよびリードを封止するような同様の構
造のパッケージについても適用することができる。
Although the surface mount type package having the QFN structure has been described, the present invention is not limited to this.
The present invention can also be applied to a package having a similar structure in which tabs, semiconductor chips, wires, and leads are sealed so that the lower surfaces of the leads are exposed.

【0031】[0031]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0032】(1)封止材により封止する際に、リード
が嵌合される部分は凹状に形成され、かつタブの下面側
の部分は凸状に形成されている構造の下型を含む金型を
用いて封止することで、各リードの厚さ方向を所定の寸
法で露出することができるので、パッケージ下面と実装
基板との間のスタンドオフのマージンを十分に確保する
ことが可能となる。
(1) When encapsulating with a sealing material, the portion into which the lead is fitted is formed in a concave shape, and the portion on the lower surface side of the tab includes a lower mold having a convex shape. By sealing with a mold, the thickness direction of each lead can be exposed with a predetermined dimension, so that a sufficient stand-off margin between the lower surface of the package and the mounting board can be secured. Becomes

【0033】(2)タブの下面側の凸状の部分は、リー
ドが嵌合される部分を除き、封止材により封止される範
囲で凸状に形成することで、リードの下面側への封止材
の回り込みを防止することが可能となる。
(2) The convex portion on the lower surface side of the tab, except for the portion where the lead is fitted, is formed in a convex shape within the range sealed with the sealing material, so that the lower surface side of the lead is formed. Of the sealing material can be prevented.

【0034】(3)タブの下面側の凸状の部分の高さ
は、リードの厚さに基づいて設定することで、タブおよ
びリードの厚さ方向の加工に対応することが可能とな
る。
(3) By setting the height of the convex portion on the lower surface side of the tab based on the thickness of the lead, it is possible to cope with the processing in the thickness direction of the tab and the lead.

【0035】(4)前記(1)により、タブと下型との
距離を狭くすることができるので、封止材の注入時にタ
ブの上下変動を防止することが可能となる。
(4) According to the above (1), the distance between the tab and the lower mold can be reduced, so that it is possible to prevent the tab from moving up and down when the sealing material is injected.

【0036】(5)前記(1)〜(4)により、スタン
ドオフの確保、リード端子部への封止材の漏れなどの低
減、タブの変動防止によって基板実装性の歩留まりを向
上させることができ、この結果、半導体装置の信頼性の
向上が可能となる。
(5) According to the above (1) to (4), it is possible to secure the stand-off, reduce the leakage of the sealing material to the lead terminal portion, etc., and improve the yield of the substrate mountability by preventing the tab from changing. As a result, the reliability of the semiconductor device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態の半導体装置を示す断面
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態の半導体装置において、
組み立て方法を示すフロー図である。
FIG. 2 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
It is a flowchart which shows an assembling method.

【図3】本発明の一実施の形態の半導体装置において、
封止金型(下型)を示す平面図である。
FIG. 3 illustrates a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
It is a top view which shows a sealing mold (lower mold).

【図4】(a),(b)は本発明の一実施の形態の半導
体装置において、封止金型を示す断面図である。
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing a sealing mold in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の前提となる半導体装置を示す断面図で
ある。
FIG. 5 is a sectional view showing a semiconductor device which is a premise of the present invention.

【図6】本発明の前提となる半導体装置において、封止
金型を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sealing mold in a semiconductor device which is a premise of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 タブ 2 半導体チップ 3 ワイヤ 4 リード 5 封止材 6 半田メッキ 7 パッド 11 下型 12 上型 13 キャビティ Reference Signs List 1 tab 2 semiconductor chip 3 wire 4 lead 5 sealing material 6 solder plating 7 pad 11 lower mold 12 upper mold 13 cavity

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 タブ上に搭載された半導体チップと、前
記半導体チップ上のパッドにワイヤを介して電気的に接
続された複数のリードと、前記複数のリードの下面側を
露出するように前記タブ、前記半導体チップ、前記ワイ
ヤおよび前記複数のリードを封止する封止材とからなる
表面実装型の半導体装置であって、 前記封止材から露出される前記複数のリードは、この各
リードの厚さ方向が所定の寸法で露出されていることを
特徴とする半導体装置。
A semiconductor chip mounted on a tab, a plurality of leads electrically connected to pads on the semiconductor chip via wires, and a lower surface of the plurality of leads being exposed. A surface mounting type semiconductor device comprising a tab, the semiconductor chip, the wires, and a sealing material for sealing the plurality of leads, wherein the plurality of leads exposed from the sealing material are each of the leads. A thickness direction of the semiconductor device is exposed at a predetermined dimension.
【請求項2】 タブ上に搭載された半導体チップと、前
記半導体チップ上のパッドにワイヤを介して電気的に接
続された複数のリードと、前記複数のリードの下面側を
露出するように前記タブ、前記半導体チップ、前記ワイ
ヤおよび前記複数のリードを封止する封止材とからなる
表面実装型の半導体装置の製造方法であって、 前記封止材により封止する際は、前記リードが嵌合され
る部分は凹状に形成され、かつ前記タブの下面側の部分
は凸状に形成された構造の下型を含む金型を用いて封止
し、パッケージ下面と実装基板との間のスタンドオフの
マージンを確保することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
2. A semiconductor chip mounted on a tab, a plurality of leads electrically connected to pads on the semiconductor chip via wires, and a lower surface of the plurality of leads is exposed. A method for manufacturing a surface-mount type semiconductor device, comprising: a tab, the semiconductor chip, the wire, and a sealing material for sealing the plurality of leads, wherein the sealing is performed by the sealing material. The portion to be fitted is formed in a concave shape, and the portion on the lower surface side of the tab is sealed with a mold including a lower mold having a structure formed in a convex shape. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising securing a standoff margin.
【請求項3】 請求項2記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記タブの下面側の凸状の部分は、前記リード
が嵌合される部分を除き、前記封止材により封止される
範囲で凸状に形成され、前記リードの下面側への前記封
止材の回り込みを防止することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein a convex portion on a lower surface side of the tab is sealed with the sealing material except for a portion where the lead is fitted. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is formed in a convex shape within a range, and prevents the encapsulant from flowing to the lower surface side of the lead.
【請求項4】 請求項3記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記タブの下面側の凸状の部分の高さは、前記
リードの厚さに基づいて設定され、前記タブおよび前記
リードの厚さ方向の加工に対応することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein a height of a convex portion on a lower surface side of said tab is set based on a thickness of said lead, and said tab and said lead are formed. A method of manufacturing a semiconductor device, the method being adapted for processing in a thickness direction of a semiconductor device.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003243600A (en) * 2001-12-14 2003-08-29 Hitachi Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2005057067A (en) * 2003-08-05 2005-03-03 Renesas Technology Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006210941A (en) * 2006-03-27 2006-08-10 Renesas Technology Corp Semiconductor device
KR100740358B1 (en) * 2005-02-25 2007-07-16 야마하 가부시키가이샤 Sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame
US8481369B2 (en) 2010-02-04 2013-07-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method of making semiconductor package with improved standoff

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