KR0172020B1 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

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KR0172020B1
KR0172020B1 KR1019950029997A KR19950029997A KR0172020B1 KR 0172020 B1 KR0172020 B1 KR 0172020B1 KR 1019950029997 A KR1019950029997 A KR 1019950029997A KR 19950029997 A KR19950029997 A KR 19950029997A KR 0172020 B1 KR0172020 B1 KR 0172020B1
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요우이찌 쯔노다
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

IC칩은 아일랜드 위에 탑재되며 서스 팬더에 의해 지지되는 TAB 리드에 의해 리드 프레임의 리드에 접속되고 그 전체는 패키지 형성을 위해 플라스틱 물질로 봉지된다. 아일랜드의 상부면과 서스 팬더의 하부면간의 거리, 서스 팬더의 상부면과 패키지의 상부면간의 거리 및 아일랜드의 하부면과 패키지의 하부면간의 거리들은 실질적으로 서로 동일하다.The IC chip is mounted on an island and connected to the lead of the lead frame by a TAB lead supported by a sus panda and the whole is encapsulated with a plastic material for package formation. The distance between the top face of the island and the bottom face of the sus panda, the distance between the top face of the sus panda and the top face of the package and the distance between the bottom face of the island and the bottom face of the package are substantially equal to each other.

Description

TAB 시스템의 플라스틱 봉지 반도체 장치Plastic Encapsulation Semiconductor Device in TAB System

제1(a)도 및 제1(b)도 각각은 플라스틱 봉지가 되어 있지 않은 종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치의 평면도 및 단면도.1 (a) and 1 (b) are a plan view and a cross-sectional view of a conventional plastic encapsulation semiconductor device, each of which is not encapsulated.

제2(a)도 및 제2(b)도 각각은 플라스틱 봉지가 되어 있지 않은 본 발명의 제1실시예의 TAB 시스템의 플라스틱 봉지 반도체 장치의 평면도 및 단면도.2 (a) and 2 (b) are a plan view and a sectional view of the plastic encapsulation semiconductor device of the TAB system of the first embodiment of the present invention, respectively, in which the encapsulation is not performed.

제3(a)도 및 제3(b)도 각각은 플라스틱 봉지가 되어 있지 않은 본 발명의 제2실시예의 TAB 시스템의 플라스틱 봉지 반도체 장치의 평면도 및 단면도.3 (a) and 3 (b) are a plan view and a sectional view of the plastic encapsulation semiconductor device of the TAB system of the second embodiment of the present invention, respectively, in which the encapsulation is not performed.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 리드 프레임 리드 1a : 내부 리드부1: Lead frame lead 1a: Internal lead part

1b : 외부 리드부 2 : 아일랜드1b: External lead portion 2: Ireland

3 : 서스 팬더 4 : TAB 리드3: Sus Panda 4: TAB Lead

4a : 내부 리드부 4b : 외부 리드부4a: inner lead portion 4b: outer lead portion

5 : IC칩 6 : 마운트재5: IC chip 6: Mounting material

7 : 봉지 수지7: encapsulation resin

본 발명은 플라스틱 봉지 반도체 장치에 관한 것으로, 구체적으로 테이프 자동 결합(TAB) 기술에 의해 IC칩과 IC칩에 접속된 내부 리드를 갖는 리드 프레임을 플라스틱 몰딩에 의해 봉지한 반도체 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plastic encapsulated semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device in which a lead frame having an internal lead connected to an IC chip and an IC chip by tape automatic bonding (TAB) technology is sealed by plastic molding.

종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치는 리드 프레임의 아일랜드(island)에 IC칩을 다이 결합하고, 배선 결합에 의해 IC칩의 결합 패드를 리드 프레임의 내부 리드에 접속한 후에 플라스틱 몰딩에 의해 이들을 봉지함으로써 제작되고 있다.Conventional plastic encapsulation semiconductor devices are fabricated by die-bonding IC chips to islands of the lead frame, connecting the bond pads of the IC chips to the internal leads of the lead frame by wire bonding, and then sealing them by plastic molding. have.

그러나, 이러한 종래의 제작 시스템에서는 결합 패드의 수가 증가될 때, 그리고 IC칩의 기능을 향상시키고 그 규모를 증가시키기 위해 패드 피치가 축소될 때 몇몇의 문제점이 발생된다. 상기한 문제점들로서는,However, some problems arise in this conventional fabrication system when the number of bond pads is increased and when the pad pitch is reduced to improve the function and scale of the IC chip. As the above problems,

(1) 패드 피치의 축소로 인해, 배선 결합부의 소공(capillary) 또는 웨지가 이미 접속된 배선과 접촉하여, 결과적으로 신뢰성 있는 결합이 어렵게 된다.(1) Due to the reduction of the pad pitch, the capillary or wedge of the wiring coupling portion comes into contact with the wiring which is already connected, and as a result, reliable coupling becomes difficult.

(2) 결합에 요구되는 시간이 패드 수의 증가에 비례하여 증가된다.(2) The time required for bonding is increased in proportion to the increase in the number of pads.

이러한 상황에서 TAB을 사용하여 IC칩 및 리드 프레임을 접속하는 패키지 시스템이 개발되어 실용화되고 있다.In this situation, a package system for connecting an IC chip and a lead frame using a TAB has been developed and put into practical use.

TAB 시스템의 상기한 플라스틱 봉지 반도체 장치에서는, IC칩이 다이 마운트재에 의해 리드 프레임의 아일랜드 상에 다이 결합되고, IC칩의 전극 단자는 테이프 캐리어의 서스 팬더(suspender)에 의해 지지되는 TAB 리드에 의해 패키지의 외주부에 배열된 리드 프레임의 리드에 접속된다. 즉, TAB 리드의 내부 리드부는 IC칩의 전극 단자에 접속되고, 외부 리드부는 리드 프레임의 내부 리드에 접속된다. 리드 프레임의 외부 리드부를 제외하고 전체 반도체 장치는 플라스틱 몰딩에 의해 봉지된다.In the plastic encapsulation semiconductor device of the TAB system, the IC chip is die-bonded on the island of the lead frame by the die mount material, and the electrode terminal of the IC chip is connected to the TAB lead supported by the suspender of the tape carrier. It connects to the lead of the lead frame arrange | positioned at the outer peripheral part of a package by this. That is, the inner lead portion of the TAB lead is connected to the electrode terminal of the IC chip, and the outer lead portion is connected to the inner lead of the lead frame. Except for the external lead portion of the lead frame, the entire semiconductor device is sealed by plastic molding.

이러한 패키지 시스템에 의해, IC칩에 대한 내부 리드의 결합은 결합 기구에 의해 함께 행해질 수 있고, 본더(bonder)의 소공 또는 웨지와 배선간의 간섭을 배제할 수 있기 때문에, 상기한 패키지 시스템은 좁은 패드 피치로 다수의 핀의 IC칩을 달성할 수 있다. 게다가, 전극 패드의 수가 증가되더라도 결합 스템의 수를 증가시키지 않기 때문에, 배선-결합 시스템에 대한 효율성은 패드 수의 증가와 더불어 증가된다.With such a package system, the coupling of the internal leads to the IC chip can be done together by the coupling mechanism, and the above-mentioned package system can be narrowed because it can eliminate the pores of the bonder or the interference between the wedge and the wiring. Pitch can achieve IC chip of many pins. In addition, since the number of electrode pads does not increase the number of coupling stems, the efficiency for the wire-coupling system increases with the increase in the number of pads.

본 발명의 목적은 TAB을 사용하는 플라스틱 봉지 반도체 장치를 개선하기 위한 것이며, 특히 플라스틱 봉지 단계에서 수지 흐름을 균형있게 함으로써 패키지 내에서의 변위로부터 아일랜드, 서스 팬더 및 IC칩 등의 구성 부품을 보호하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to improve a plastic encapsulated semiconductor device using TAB, in particular to protect component parts such as islands, sus pandas and IC chips from displacement in a package by balancing the resin flow in the plastic encapsulation step. It is for.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 플라스틱 봉지 반도체 장치에 있어서, IC칩은 리드 프레임의 아일랜드 상에 설치되고, 서스 팬더에 의해 지지되는 TAB 리드의 내부 리드부와 외부 리드부는 각각 IC칩의 전극과 리드 프레임의 내부 리드부에 접속되며, 몰드 플라스틱에 의해 봉지된다. 또한, 플라스틱 봉지 반도체 장치는, 아일랜드의 상부면에서 서스 팬더의 하부면까지 측정된 거리 Hm은 실질적으로 서스 팬더의 상부면에서 몰드 플라스틱의 상부면까지 측정된 거리 Hu와 동일한 것을 특징으로 한다.According to the present invention for achieving the above object, in the plastic encapsulation semiconductor device, the IC chip is provided on an island of the lead frame, and the internal lead portion and the external lead portion of the TAB lead supported by the suspender are each IC chip. Is connected to the inner lead portion of the lead frame and is sealed by mold plastic. In addition, the plastic encapsulation semiconductor device is characterized in that the distance Hm measured from the upper surface of the island to the lower surface of the sus Panda is substantially the same as the distance Hu measured from the upper surface of the sus panda to the upper surface of the molded plastic.

바람직하게는, 아일랜드의 상부면에서 서스 팬더의 하부면까지 측정된 거리 Hm은 실질적으로 아일랜드의 하부면에서 몰드 플라스틱의 하부면까지 측정된 거리 H1과 동일하다.Preferably, the distance Hm measured from the top face of the island to the bottom face of the sus panda is substantially equal to the distance H1 measured from the bottom face of the island to the bottom face of the mold plastic.

게다가, 서스 팬더의 폭 Ws 및 깊이 Ls는 실질적으로 아일랜드의 폭 W1 및 깊이 L1와 동일하게 형성된다.In addition, the width Ws and depth Ls of the sus panther are formed substantially equal to the width W1 and depth L1 of the island.

본 발명에 따르면, (1) 아일랜드의 상부면에서 서스 팬더의 하부면까지 측정된 거리 Hm은 실질적으로 서스 팬더의 상부면에서 몰드 플라스틱의 상부면까지 측정된 거리 Hu와 실질적으로 동일하고, 또한, (2) 아일랜드의 상부면에서 서스 팬더의 하부면까지 측정되 거리 Hm은 실질적으로 아일랜드의 하부면에서 몰드 플라스틱의 하부면까지 측정된 거리 H1과 동일한다.According to the invention, (1) the distance Hm measured from the top surface of the island to the bottom surface of the sus panda is substantially the same as the distance Hu measured from the top surface of the sus panda to the top surface of the mold plastic, (2) The distance Hm measured from the top face of the island to the bottom face of the sus panda is substantially equal to the distance H1 measured from the bottom face of the island to the bottom face of the molded plastic.

결국, 트랜스퍼 몰딩 동안 (1) 금속 다이와 아일랜드 사이, (2) 아일랜드와 서스 팬더 사이, 그리고 (3) 서스 팬더의 금속 다이간에 형성되는 수지의 3개의 흐름 경로의 단면 영역은 실질적으로 서로 동일하기 때문에 수지 흐름에 대한 이들 경로의 저항성은 서로 같다. 따라서, 게이트로부터 금속 다이의 구멍속으로 주입되는 수지는 이들 통로를 통해 동일한 흐름 속도로 흐르게 된다. 결국, 서스 팬더 혹은 아일랜드 상·하간의 압력 차이가 없으므로 서스 팬더 혹은 아일랜드의 변위가 억제된다.After all, during the transfer molding the cross-sectional areas of the three flow paths of resin formed between (1) the metal die and the island, (2) the island and the sus panda, and (3) the sus panda's metal die are substantially the same as each other. The resistance of these pathways to resin flow is the same. Thus, the resin injected from the gate into the holes of the metal die flows through these passages at the same flow rate. As a result, since there is no pressure difference between the sus panda or the island up and down, the displacement of the sus panda or the island is suppressed.

또한, 서스 팬더의 폭 Ws 및 깊이 L1가 각각 아일랜드의 폭 W1 및 깊이 L1과 실질적으로 동일하기 때문에, 아일랜드의 영역을 증가시키는 것이 가능해져 패키지의 열 저항성을 감소시키는 것이 가능하다.In addition, since the width Ws and the depth L1 of the sus Panda are substantially the same as the width W1 and the depth L1 of the islands, respectively, it is possible to increase the area of the island, thereby reducing the thermal resistance of the package.

본 발명의 상기한 목적, 특징 및 장점은 첨부한 도면과 관련한 다음의 설명으로부터 보다 명백해 질 수 있을 것이다.The above objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description taken in conjunction with the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명하기에 앞서, 먼저 TAB 시스템의 종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치에 대하여 기술하려고 한다.Before describing an embodiment of the present invention, a conventional plastic encapsulation semiconductor device of a TAB system will be described.

제1(a)도 및 제1(b)도에 도시한 바와 같이, IC칩(5)은 마운트재(6)을 통해 리드 프레임의 아일랜드(2) 상에 다이 결합되며, IC칩(5)의 전극 단자는 테이프 캐리어의 서스 팬더(3)에 의해 지지되는 TAB 리드(4)에 의해 패키지의 외주 부분에 배열되는 리드 프레임의 리드(1)에 접속된다. 즉, TAB 리드(4)의 내부 리드부(4a)은 IC칩(5)의 전극 단자에 접속되고, 그의 외부 리드부는 리드 프레임의 내부 리드부에 접속된다. 리드 프레임의 외부 리드부(1b)을 제외한 이러한 구조는 봉지 플라스틱(7)에 의해 봉지된다.As shown in FIG. 1 (a) and FIG. 1 (b), the IC chip 5 is die-coupled onto the island 2 of the lead frame through the mounting material 6, and the IC chip 5 The electrode terminal of is connected to the lead 1 of the lead frame arranged in the outer peripheral part of the package by the TAB lead 4 supported by the sus Panda 3 of the tape carrier. That is, the inner lead portion 4a of the TAB lead 4 is connected to the electrode terminal of the IC chip 5, and its outer lead portion is connected to the inner lead portion of the lead frame. This structure except for the outer lead portion 1b of the lead frame is sealed by the encapsulation plastic 7.

이 페키징 시스템에 의하면, IC칩에 대한 내부 리드 결합은 결합 기구에 의해 함께 행해질 수 있어서, 본더의 소공 또는 웨지와 배선간의 간섭을 배제하는 것이 가능해져 이 페키징 시스템은 다수의 핀의 좁은 패드 피치의 IC칩이 달성될 수 있다. 또한, 전극 패드의 수가 증가되어도 결합 단계의 수의 증가가 없으므로, 배선 결합 시스템과 관련한 효율성이 패드 수가 증가하는 만큼 증가된다.According to this packaging system, the internal lead coupling to the IC chip can be performed together by a coupling mechanism, which makes it possible to eliminate the small pores of the bonder or the interference between the wedge and the wiring, so that the packaging system is a narrow pad of many pins. A pitch IC chip can be achieved. In addition, even if the number of electrode pads is increased, there is no increase in the number of coupling steps, so that the efficiency with respect to the wiring coupling system is increased as the number of pads is increased.

TAB 시스템의 종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치에서는 패키지 내의 아일랜드(2)와 서스 팬더(3)간의 위치 관계에 대해서 특정한 고려 사항이 취해지지 않고 있다. 따라서, 종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치에서는, 패키지의 하부면과 아일랜드의 하부면간의 거리 H1, 아일랜드의 상부면과 서스 팬더의 하부면간의 거리 Hm, 그리고 서스 팬더의 상부면과 패키지의 상부면간의 거리 Hu간의 관계식은 제1(b)도에 도시한 바와 같이 HmHuH1이다.In the conventional plastic encapsulation semiconductor device of the TAB system, no specific consideration is taken regarding the positional relationship between the island 2 and the sus Panda 3 in the package. Therefore, in the conventional plastic encapsulation semiconductor device, the distance H1 between the bottom surface of the package and the bottom surface of the island, the distance Hm between the top surface of the island and the bottom surface of the sus panda, and the distance between the top surface of the sus panda and the top surface of the package The relationship between Hu is HmHuH1 as shown in FIG. 1 (b).

TAB 시스템의 상기한 플라스틱 봉지 반도체 장치에서는, 패키지 내의 여러 부품이 위치 균형의 특정한 고려없이 배열되었다. 따라서, 패키지를 플라스틱으로 봉지하기 위한 트랜스퍼 몰딩 단계에 있어서, 수지 흐름이 일정하지 않아 아일랜드 및/또는 서스 팬더가 변위될 수 있다. 이들 부품의 변위 메카니즘을 설명한다.In the above plastic encapsulated semiconductor device of the TAB system, the various parts in the package are arranged without particular consideration of positional balance. Thus, in the transfer molding step for encapsulating the package in plastic, the resin flow is not constant and the island and / or sus panda may be displaced. The displacement mechanism of these parts will be described.

트랜스퍼 몰딩 단계에 있어서, 예를 들면 제1(b)도에서 오른쪽에서 왼쪽으로 금속 다이의 구멍속으로 주입된 수지는, (1) 금속 다이와 아일랜드 사이, (2) 아일랜드와 서스 팬더 사이, 그리고 (3) 서스 팬더와 금속 다이 사이의 통로를 통해 구멍의 좌측으로 흐르면서 구멍을 채운다. 그러나, 아일랜드 및 서스 팬더가 관계식 HmHuH1의 관계로 배열됨으로, 수지 흐름에 대한 통로(2)의 저항성이 가장 작고 이 통로에서의 수지 흐름 속도는 최대로 되며 가장 좁은 통로(1)의 흐름 속도가 최소로 된다. 아일랜드 혹은 서스 팬더 상·하간의 수지 흐름 속도의 차이로 인해 이들간에 압력차가 발생되고 이로 인해 아일랜드 및/또는 서스 팬더가 수지 주입동안 수직 방향으로 변위된다.In the transfer molding step, for example, the resin injected into the hole of the metal die from right to left in FIG. 1 (b) is (1) between the metal die and the island, (2) between the island and the sus panda, and ( 3) Fill the hole as it flows through the path between the sus panda and the metal die to the left of the hole. However, since the islands and sus pandas are arranged in the relation HmHuH1, the passage 2 has the least resistance to resin flow, and the resin flow rate in this passage is maximum and the flow rate in the narrowest passage 1 is minimal. It becomes Differences in the resin flow rates between the islands or sus pandas above and below cause pressure differentials between them, causing the islands and / or sus pandas to be displaced vertically during resin injection.

아일랜드 및/또는 서스 팬더의 이러한 변위에 의해 다음과 같은 문제점이 발생될 수 있다.This displacement of the island and / or sus panda can cause the following problems.

가) 인접한 TAB 리드(4) 사이 혹은 TAB 리드와 IC칩간에 쇼트 회로가 발생될 수 있다.A) A short circuit may be generated between adjacent TAB leads 4 or between the TAB leads and the IC chip.

나) 아일랜드(2), 서스 팬더(3), 및/또는 TAB 리드(4)가 수지 봉지면에 노출될 수 있다. 노출되지 않는 경우, 이들 부분에서의 수지 봉지 두께는 감소될 수 있다.B) The island 2, sus panda 3, and / or TAB lid 4 may be exposed to the resin encapsulation surface. If not exposed, the resin encapsulation thickness in these portions can be reduced.

다) 패키지의 봉지 후의 수지의 수축은 일정치 않게 되며 IC칩은 휨 응력을 받는다.C) The shrinkage of the resin after sealing the package becomes inconsistent and the IC chip is subjected to bending stress.

라) 패키지는 말릴 수 있으며, 외부 리드의 동일 평면성(coplanarity)이 저하될 수 있다.D) The package may be rolled out and the coplanarity of the external leads may be degraded.

게다가, 아일랜드의 변위 가능성이 크면, 아일랜드가 커지기 때문에, 반도체의 아일랜드의 크기가 커지기 때문에 반도체의 열적 저항성을 감소시키는 것이 불가능하다.In addition, if the island is likely to be displaced, since the island is large, it is impossible to reduce the thermal resistance of the semiconductor because the island is large in size.

이제부터, 제2(a)도 및 제2(b)도를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Now, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b).

제2(a)도 및 제2(b)도에서, 도면 참조 번호(1)는 리드 프레임으로부터 절삭에 의해 분리된 리드를 나타내고, 각 리드(1)는 패키지 내에 있는 내부 리드부(1a)과 패키지의 외부에 있는 외부 리드부(1b)으로 구성된다. 도면 참조 번호(2)는 지지핀(2a)에 의해 리드 프레임의 프레임 부분에 의해 지지되는 아일랜드를 나타내고, 도면 참조 번호(3)는 테이프 캐리어로부터 떨어져 분리된 폴리이미드의 환형 서스 팬더를 나타낸다. 도면 참조 번호(4)는 서스 팬더(3)에 의해 지지되는 TAB 리드를 나타낸다. 각 TAB 리드(4)는 환형 서스 팬더(3) 내측에 있는 내부 리드부(4a)과 서스 팬더(3)의 외부에 있는 외부 리드부(4b)로 구성된다. 도면 참조 번호(5)는 Ag 페스트와 같은 마운트재(6)을 통해 아일랜드(2) 상에 탑재된 IC칩을 나타내며, 도면 참조 번호(7)은 트랜스퍼 몰딩에 의해 전체 패키지를 봉지하는 봉지 수지를 나타낸다. 봉지 수지의 외부 구성은 점선으로 도시되어 있다. 즉, 도면 참조번호(8,9)는 패키지의 상부 및 하부면을 각각 나타낸다. 봉지 수지의 각면에 다수의 리드가 제공되지만, 설명을 간단히 하기 위해 각 측면의 중심 부분에서 이들을 생략하였다.In FIGS. 2 (a) and 2 (b), reference numeral 1 denotes a lead separated by cutting from the lead frame, and each lead 1 is connected to an internal lead portion 1a in the package. It consists of the external lead part 1b which is outside of a package. The reference numeral 2 denotes an island supported by the frame part of the lead frame by the support pin 2a, and the reference numeral 3 denotes an annular sus panda of polyimide separated from the tape carrier. Reference numeral 4 in the drawing denotes a TAB lead supported by the sus Panda 3. Each TAB lead 4 is composed of an inner lead portion 4a inside the annular sus Panda 3 and an outer lead portion 4b outside the sus Panda 3. The reference numeral 5 denotes an IC chip mounted on the island 2 through a mounting material 6 such as an Ag paste, and the reference numeral 7 denotes an encapsulating resin encapsulating the entire package by transfer molding. Indicates. The external configuration of the encapsulating resin is shown in dashed lines. That is, reference numerals 8 and 9 denote upper and lower surfaces of the package, respectively. A number of leads are provided on each side of the encapsulation resin, but these are omitted from the central portion of each side for simplicity of explanation.

이 실시예에서, 패키지(9)의 하부면과 아일랜드(9)의 하부면간의 거리 H1, 아일랜드(2)의 상부면과 서스 팬더(3)의 하부면간의 거리 Hm, 그리고 서스 팬더(3)의 상부면과 패키지(8)의 상부면간의 거리 Hu는 제2(b)도에 도시한 바와 같이In this embodiment, the distance H1 between the bottom face of the package 9 and the bottom face of the island 9, the distance Hm between the top face of the island 2 and the bottom face of the suspan 3, and the sus panda 3. The distance Hu between the top face of the top face and the top face of the package 8 is shown in FIG.

의 관계에 있다.Is in a relationship.

이 식(1)은 TAB 리드(4)의 내부 리드부(4a)과 외부 리드부(4b)의 길이를 조정하고, TAB 리드(4)의 내부 결합 및 외부 결합시에 서스 팬더(3)의 높이를 조정하여 아일랜드(2)의 딤플 길이 D를 설정함으로서 만족될 수 있다.This equation (1) adjusts the lengths of the inner lead portion 4a and the outer lead portion 4b of the TAB lead 4, and at the time of the inner coupling and the outer coupling of the TAB lead 4, It can be satisfied by adjusting the height to set the dimple length D of the island 2.

패키지의 제작의 트랜스퍼 몰딩 단계시에, IC칩(5)이 탑재되는 리드 프레임이 상부 금속 다이와 하부 금속 다이 사이에 놓이므로 상부 및 하부 금속 다이에 의해 생긴 구멍의 중심에 실질적으로 IC칩(5)이 배치된다. 이어서, 수지가 리드 프레임의 상부 부분 및 리드 프레임의 하부 부분으로 동시에 주입되는 오버 앤드 언더 게이트 시스템(over-and-under gate system)에 의해 구멍 속으로 수지가 주입된다.During the transfer molding step of the fabrication of the package, the lead frame on which the IC chip 5 is mounted lies between the upper metal die and the lower metal die, so that the IC chip 5 is substantially at the center of the hole created by the upper and lower metal dies. Is placed. Subsequently, the resin is injected into the hole by an over-and-under gate system in which the resin is injected simultaneously into the upper part of the lead frame and the lower part of the lead frame.

Hm≒Hu의 관계에 따라, 아일랜드(2)의 상부면과 서스 팬더(3)의 하부면 사이, 그리고 서스 팬더(3)의 상부면과 패키지의 상부면 사이의 통로의 흐름 저항성이 수지 봉지 단계동안 균형이 유지된다. 따라서, 서스 팬더(3) 상하의 수지 흐름이 수지 봉지 단계동안 일정하게 되어, 결국 서스 팬더(3)의 변위가 제한된다. 또한, Hm≒H1의 관계에 따라, 상술한 것과 유사한 이유로 인해 아일랜드(2)의 변위가 제한된다. 결과적으로, 인접한 TAB 리드(4) 사이 및/또는 TAB 리드(4)와 IC 칩(5) 사이의 쇼트 회로가 방지된다. 또한, 수지가 구멍을 균일하게 채움으로 인해 봉지 단계 후의 수지의 수축이 일정하게 되어 IC 칩(5)이 휨응력에 영향을 받지 않는다. 게다가, 패키지의 말림이 감소되어 패키지의 외부 리드의 동일 평면성이 개선되며, 특히 패키지가 박막형 콰드 플랫 패키지(GFP) 등의 표면에 설치될 때 발생되는 결점을 방지할 수 있다.According to the relationship of Hm ≒ Hu, the flow resistance of the passage between the upper surface of the island 2 and the lower surface of the sus Panda 3, and between the upper surface of the sus Panda 3 and the upper surface of the package is a resin encapsulation step. Balance is maintained. Thus, the resin flow up and down the sus panda 3 becomes constant during the resin encapsulation step, and eventually the displacement of the sus panda 3 is limited. Further, according to the relationship of Hm_H1, the displacement of the island 2 is limited for a similar reason as described above. As a result, a short circuit between adjacent TAB leads 4 and / or between the TAB leads 4 and the IC chip 5 is prevented. In addition, since the resin uniformly fills the pores, the shrinkage of the resin after the sealing step becomes constant so that the IC chip 5 is not affected by the bending stress. In addition, the curling of the package is reduced, thereby improving the coplanarity of the outer leads of the package, and in particular, it is possible to prevent defects that occur when the package is installed on the surface of a thin quad flat package (GFP) or the like.

본 발명의 제2실시예를 제3(a)도 및 제3(b)도와 관련하여 설명한다. 제3(a)도 및 제3(b)도에서, 제2(a)도 및 제2(b)도에 도시한 것에 대응하는 부분에는 이에 대한 상세한 설명없이 제1실시예에서 사용된 것과 동일한 도면 참조 부호를 병기하였다. 제2실시예에서, 패키지의 하부면과 아일랜드(2)의 하부면 사이의 거리 H1, 아일랜드(2)의 상부면과 서스 팬더(3)의 하부면간의 거리 Hm, 그리고 서스 팬더(3)의 상부면과 패키지의 상부면간의 거리 Hu는 실질적으로 제1실시예의 경우에서와 같이 서로 동일하게 제조되었다.A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 (a) and 3 (b). In Figs. 3 (a) and 3 (b), parts corresponding to those shown in Figs. 2 (a) and 2 (b) are the same as those used in the first embodiment without detailed description thereof. Reference numerals in the drawings are given together. In the second embodiment, the distance H1 between the bottom surface of the package and the bottom surface of the island 2, the distance Hm between the top surface of the island 2 and the bottom surface of the suspan 3, and of the sus panda 3. The distance Hu between the top face and the top face of the package was made substantially the same as in the case of the first embodiment.

그외에, 제2실시예에서는 아일랜드92)의 폭 W1과 깊이 L1 사이, 그리고 서스 팬더(4)의 폭 Ws와 깊이 Ls간에 다음의 식이 제공된다. 즉 W1≒Ws 그리고In addition, in the second embodiment, the following equation is provided between the width W1 and the depth L1 of the island 92 and between the width Ws and the depth Ls of the sus Panda 4. That is, W1 ≒ Ws and

L1≒LsL1 ≒ Ls

상기 식에 의해, 수지 봉지 단계 동안의 수지 흐름의 균일성이 제1실시예와 비교하여 더욱 개선되고 제1실시예의 효과는 제2실시예에 의해 더욱 향상된다. 또한, 아일랜드(2)의 영역이 증가될 수 있어서, 결국 플라스틱 봉지 반도체 장치의 열방사가 개선된다. 즉, 이 실시예의 열 저항성은 종래의 플라스틱 봉지 반도체 장치의 49℃와 비교하여 상당히 낮은 29℃까지 감소될 수 있다.By the above formula, the uniformity of the resin flow during the resin encapsulation step is further improved as compared with the first embodiment, and the effect of the first embodiment is further improved by the second embodiment. In addition, the area of the island 2 can be increased, which in turn improves the thermal radiation of the plastic encapsulated semiconductor device. That is, the thermal resistance of this embodiment can be reduced to 29 ° C., which is considerably lower than 49 ° C. of conventional plastic encapsulated semiconductor devices.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 플라스틱 봉지 단계 동안, 플라스틱 물질이 금속 다이에 의해 생긴 구멍의 3개의 공간, 즉 서스 팬더의 상부, 서스 팬더와 아일랜드 사이, 그리고 아일랜드 하부를 균일하게 채움으로써, 구멍 내에서 서스 팬더와 아일랜드의 임의의 변위가 방지된다. 따라서 본 발명에 따르면, 인접한 TAB 리드간 및/또는 TAB 리드와 IC 칩간의 쇼트 회로의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 플라스틱 봉지 후에 IC 칩이 휨응력에 영향을 받지 않고 패키지의 말림이 방지된다. 따라서, 외부 리드의 형성 동안 패키지의 공동 평면성이 실질적으로 개선된다. 또한, 아일랜드, 서스 팬더 및/또는 TAB 리드가 플라스틱 봉지면에 노출되는 경우가 없으며, 노출되지 않는 경우에는, 이들 부분에서의 플라스틱 봉지 두께가 축소된다. 따라서, 제품의 수율 및 신뢰성이 개선된다. 아울러, 아일랜드 영역이 증가되어 플라스틱 봉지 반도체 장치의 열적 저항성이 감소된다.As described above, according to the present invention, during the plastic encapsulation step, the plastic material uniformly fills the three spaces of the holes created by the metal die, namely the top of the sus panda, between the sus panda and the island, and the bottom of the island, Any displacement of the sus Panda and the island in the hole is prevented. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of a short circuit between adjacent TAB leads and / or between the TAB leads and the IC chip. In addition, after the plastic encapsulation, the IC chip is not affected by the bending stress and the package is prevented from curling. Thus, the coplanarity of the package is substantially improved during the formation of the outer leads. In addition, the island, sus panda and / or TAB leads are never exposed to the plastic encapsulation, and if not exposed, the plastic encapsulation thickness at these portions is reduced. Thus, product yield and reliability are improved. In addition, the island area is increased to reduce the thermal resistance of the plastic encapsulated semiconductor device.

이상, 특정한 실시예와 관련하여 본 발명을 설명하였지만, 이러한 설명은 제한된 의미로 해석되어서는 않된다. 본 발명의 설명과 관련하여 본 기술 분야에 숙련된 자는 기술된 실시예에 대한 여러가지 변형이 있을 수 있음을 알 수 있을 것이다. 따라서, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 영역에 속하는 임의의 변형 또는 실시예를 포함하려고 한다.While the invention has been described above in connection with specific embodiments, such descriptions should not be construed in a limited sense. Those skilled in the art with respect to the description of the present invention will appreciate that various modifications may be made to the described embodiments. Accordingly, the appended claims are intended to cover any modifications or embodiments falling within the scope of the invention.

Claims (5)

리드 프레임, 상기 리드 프레임의 아일랜드 상에 탑재된 IC 칩, 그리고 상기 IC 칩의 전극에 접속된 내부 리드부와 상기 래드 프레임의 내부 리드부에 접속된 외부 리드부를 가진 서스 팬더 지지 TAB 리드를 포함하고, 패키지 형성을 위해 플라스틱 물질에 의해 모두 봉지되는 플라스틱 봉지 반도체 장치에 있어서, 상기 아일랜드의 상부면에서 상기 서스 팬더의 하부면까지의 거리는 상기 서스 팬더의 상부면에서 상기 패키지의 상부면까지의 거리와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 플라스틱 봉지 반도체 장치.A sus panda support TAB lead having a lead frame, an IC chip mounted on an island of the lead frame, and an inner lead portion connected to an electrode of the IC chip and an outer lead portion connected to an inner lead portion of the rad frame; And a plastic encapsulation semiconductor device all encapsulated by a plastic material for package formation, wherein a distance from an upper surface of the island to a lower surface of the sus panda is equal to a distance from an upper surface of the sus panda to an upper surface of the package. A plastic encapsulation semiconductor device, characterized by substantially the same. 제1항에 있어서, 상기 아일랜드의 상부면에서 상기 서스 팬더의 하부면까지의 거리는 상기 아일랜드의 하부면에서 상기 패키지의 하부면까지의 거리와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 플라스틱 봉지 반도체 장치.The plastic encapsulation semiconductor device of claim 1, wherein a distance from an upper surface of the island to a lower surface of the sus panda is substantially equal to a distance from a lower surface of the island to a lower surface of the package. 제1항에 있어서, 상기 서스 팬더의 폭 및 깊이는 각각 상기 아일랜드의 폭 및 깊이와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 플라스틱 봉지 반도체 장치.The plastic encapsulation semiconductor device according to claim 1, wherein the width and depth of the sus Panda are substantially the same as the width and depth of the island, respectively. 상부면 및 하부면을 가진 아일랜드, 각각이 상기 아일랜드의 측면에 위치한 내부 리드부와 상기 아일랜드의 대향 측면에 위치한 외부 리드부를 갖고 있으며 상기 아일랜드 주위에 방사상으로 배열된 리드 프레임의 복수의 리드, 상기 아일랜드의 상부면에 탑재되고 그 표면에 복수의 전극을 갖는 반도체 소자, 각각이 상기 반도체 소자의 상기 전극의 다른 하나에 접속된 내부 리드부와 상기 리드 프레임의 상기 리드의 상기 리드부의 다른 하나에 접속된 외부 리드부를 가진 복수의 TAB 리드, 상기 반도체 소자를 둘러싸고 상기 TAB 리드 중 인접하는 리드들간의 거리가 일정하도록 상기 TAB 리드를 지지하는 환형 서스 팬더, 및 상부면 및 하부면을 갖고 상기 아일랜드, 상기 리드 프레임의 상기 리드의 상기 내부 리드부, 상기 반도체 소자, 상기 TAB 리드 및 상기 서스 팬더를 봉지하는 플라스틱 봉지 패키지를 포함하는 플라스틱 봉지 반도체 장치에 있어서, 상기 패키지의 상기 하부면과 상기 아일랜드의 상기 하부면간의 거리, 상기 아일랜드의 상부면과 상기 서스 팬더의 하부면간의 거리, 그리고 상기 서스 팬더의 상부면과 상기 패키지의 상부면간의 거리는 실질적으로 서로 동일한 것을 특징으로 하는 플라스틱 봉지 반도체 장치.Islands having an upper surface and a lower surface, each of the plurality of leads of the lead frame radially arranged around the islands, the inner leads being on the side of the islands and the outer leads located on opposite sides of the islands; A semiconductor element mounted on an upper surface of the semiconductor element having a plurality of electrodes on its surface, each of which is connected to an internal lead portion connected to the other of the electrode of the semiconductor element and the other of the lead portion of the lead of the lead frame A plurality of TAB leads having an outer lead portion, an annular sus panda that surrounds the semiconductor element and supports the TAB leads so that the distance between adjacent leads of the TAB leads is constant, and the islands and the leads having upper and lower surfaces The inner lead portion of the lead of the frame, the semiconductor element, the TAB lead and A plastic encapsulation semiconductor device comprising a plastic encapsulation package encapsulating a gas panda, comprising: a distance between the bottom surface of the package and the bottom surface of the island, a distance between the top surface of the island and the bottom surface of the suspanda; And a distance between an upper surface of the sus panda and an upper surface of the package is substantially equal to each other. 제4항에 있어서, 상기 서스 팬더 및 상기 아일랜드는 각각 장방형 형태이며, 상기 서스 팬더 및 상기 아일랜드의 폭은 실질적으로 서로 동일하며, 상기 서스 팬더 및 상기 아일랜드의 깊이는 실질적으로 서로 동일한 것을 특징으로 하는 플라스틱 봉지 반도체 장치.The method according to claim 4, wherein the sus panda and the island are each rectangular in shape, the width of the sus panda and the island is substantially the same, the depth of the sus panda and the island are substantially the same. Plastic encapsulation semiconductor device.
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