JP2001185535A

JP2001185535A - プラズマ真空装置及びプラズマ真空処理方法

Info

Publication number: JP2001185535A
Application number: JP36531099A
Authority: JP
Inventors: Manabu Yamauchi; 学山内; Iwao Ichikawa; 岩夫市川; Norio Kawatani; 典夫川谷; Kazumasa Osoniwa; 和正獺庭
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-12-22
Filing date: 1999-12-22
Publication date: 2001-07-06

Abstract

(57)【要約】【課題】処理対象物の自動供給及び高速・大量処理が
可能な低コストのプラズマ真空装置及びプラズマ真空処
理方法を提供すること。【解決手段】プラズマ真空処理するための処理部を有
するチャンバ１１０と、前記チャンバに対し水平方向に
ゲートバルブ１０１を介して配設されたサブチャンバ１
４０との間で水平方向に移動して処理対象を移動させる
移動手段１１１と、前記サブチャンバ内に配設されてお
り、前記処理対象を２段に収納可能で、垂直方向に移動
可能なホルダ１４１とを備える。そして、前記移動手段
により未処理の前記処理対象１と処理済の前記処理対象
を前記ホルダと前記処理部との間で交互に移動させ交換
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空中でのプラズ
マプロセスを利用したプラズマ真空装置及びプラズマ真
空処理方法に関し、例えばプラズマクリーニング装置
や、同様な構造のスパッタリング装置、エッチング装置
等のプラズマ真空装置及びプラズマ真空処理方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は、一般的なプラズマクリーニング
装置の基本構成を示す概略図である。このプラズマクリ
ーニング装置１０は、クリーニング対象となる基板１を
出し入れするための図示しない開閉機構を持つ真空チャ
ンバ１１を備えている。

【０００３】真空チャンバ１１は、マスフローコントロ
ーラなどで構成されるガス供給系１２に配管接続されて
いると共に、バルブや絞り弁などにより構成されるガス
排気系１３を介して真空ポンプ１４に配管接続されてい
る。また、真空チャンバ１１内には、２つの電極１５、
１６が対向して配置されている。電極１５は、接地され
ており、電極１６は、コンデンサ１７及び高周波電源１
８に配線接続されて接地されている。

【０００４】このような構成において、その動作例を説
明する。先ず、開閉機構により真空チャンバ１１を開い
て基板１を電極１６上に載置する。そして、ガス排気系
１３及び真空ポンプ１４により真空チャンバ１１内から
空気を排気し、ガス供給系１２により真空チャンバ１１
内にプラズマ発生のための反応ガスを一定量ずつ供給す
ると共に、ガス排気系１３及び真空ポンプ１４により真
空チャンバ１１内からガスを排気することにより、真空
チャンバ１１内を一定の真空状態に保つ。

【０００５】次に、高周波電源１８により電極１６に高
周波電流を供給する。このとき、電極１６は、コンデン
サ１７により電気的に浮いているので、電極１５、１６
間に生じた電子により負に帯電する。このため、電極１
６近傍の陽イオンは、電極１６に引き付けられ、電極１
６に垂直な一定の速度を持って電極１６上の基板１に衝
突する。そして、この陽イオンの衝突により、基板１表
面は物理的にクリーニング処理される。

【０００６】このようなプラズマクリーニング装置によ
れば、ワイヤボンディングプロセスにおいて、ワイヤボ
ンディング前に電極部表面の金属化合物やコンタミを除
去することにより、ワイヤと基板電極部の接合性を改善
することができる。また、樹脂接合やＡＣＦプロセスに
おいて、コンタミの除去や濡れ性の改善などを行なうこ
とにより、チップと基板間の接合強度を向上させること
ができる。また、実装工程において、はんだ接合面の酸
化膜を除去することにより、はんだ濡れ性を向上させる
ことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来、上述した構成の
プラズマクリーニング装置１０では、クリーニング処理
スピードを上げるため、以下のような装置構成としてい
る。即ち、真空チャンバ１１の容積を機能上必要最小限
に小さくし、真空排気時間を短縮することにより、クリ
ーニング処理スピードを上げている。また、真空チャン
バ１１の処理面積を広くし、例えば２０枚〜３０枚の複
数の基板１を平面状に並べて同時処理することにより、
クリーニング処理スピードを上げている。

【０００８】ところが、真空チャンバ１１の容積を機能
上必要最小限に小さくした場合、クリーニング処理可能
な基板１の大きさも小さくする必要があり、最終製品の
生産量の大幅な増加は期待できないという欠点がある。
また、真空チャンバ１１の処理面積を広くした場合、電
極１６の面積が広くなるため、高周波電源１８を大容量
にする必要があり、設備コストが上昇するという欠点が
ある。

【０００９】さらに、真空チャンバ１１の容積が大きく
なり、真空排気時間が掛かるため、基板１の１枚当たり
のクリーニング処理スピードの大幅なアップは期待でき
ないという欠点がある。この欠点を解消するには、ガス
排気系１３及び真空ポンプ１４の排気能力を高めればよ
いが、設備コストが上昇するという新たな欠点が生じ
る。また、真空チャンバ１１内に平面状に複数の基板１
を並べる構造のために、基板１の自動供給は難しく、手
作業によるバッチ処理となる。本発明は、上述した事情
から成されたものであり、処理対象物の自動供給及び高
速・大量処理が可能な低コストのプラズマ真空装置及び
プラズマ真空処理方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、プラズマ真空処理するための処理部を有するチ
ャンバと、前記チャンバに対し水平方向にゲートバルブ
を介して配設されたサブチャンバとを備えたプラズマ真
空装置であって、前記チャンバと前記サブチャンバとの
間で水平方向に移動して処理対象を移動させる移動手段
と、前記サブチャンバ内に配設されており、前記処理対
象を２段に収納可能で、垂直方向に移動可能なホルダと
を備え、前記移動手段により未処理の前記処理対象と処
理済の前記処理対象を前記ホルダと前記処理部との間で
交互に移動させ交換することにより達成される。

【００１１】また、上記目的は、本発明にあっては、水
平方向にゲートバルブを介して配設されたチャンバとサ
ブチャンバとを備えたプラズマ真空装置を使用して、処
理対象を前記チャンバ内の処理部にてプラズマ真空処理
する方法であって、未処理の前記処理対象と処理済の前
記処理対象を２段に収納可能なホルダを、前記サブチャ
ンバ内にて垂直方向に移動させ、未処理の前記処理対象
と処理済の前記処理対象を、前記ホルダと前記処理部と
の間で水平方向に交互に移動させ交換することにより達
成される。

【００１２】上記構成によれば、処理対象を上下２段に
収納可能なホルダをサブチャンバにて上下動させ、その
ホルダにこれから処理する処理対象と、すでに処理が済
んだ処理対象を交互に収納するようにしている。このた
め、チャンバにおける処理対象の処理等と、サブチャン
バにおける処理対象の搬出・搬入を併行することがで
き、処理のサイクルタイムを短縮させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べ
る実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術
的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範
囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の
記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００１４】図１及び図２は、本発明のプラズマ真空装
置の実施形態の概略を示す平面図及び側面図である。こ
のプラズマ真空装置は、基板１をクリーニング処理する
プラズマクリーニング装置１００である。このプラズマ
クリーニング装置１００は、本体１０１上面に、チャン
バ１１０と、ゲートバルブ１０２によりチャンバ１１０
と仕切られたサブチャンバ１４０が配設され、本体１０
１側面に、基板格納部１７０が配設された構成となって
いる。

【００１５】このような構成において、基板１は、基板
格納部１７０からサブチャンバ１４０を介してチャンバ
１１０に搬入され、クリーニング処理された後、サブチ
ャンバ１４０を介して基板格納部１７０に搬出されるよ
うになっている。

【００１６】チャンバ１１０は、真空排気機能及びプラ
ズマ発生機能を有し、基板１をクリーニング処理するよ
うになっている。チャンバ１１０内には、チャンバ１１
０とサブチャンバ１４０との間で基板１を移動させる基
板移動手段１１１が配設されている。基板移動手段１１
１は、移載アーム１１２と、この移載アーム１１２が連
結されたボールナット１１３と、このボールナット１１
３が螺合されたボールネジ１１４と、このボールネジ１
１４が連結されたモータ１１５と、基板１の移動を基板
１の両側面からガイドするガイドバー１１６で構成され
ている。ガイドバー１１６は、基板１の幅方向に調整可
能に構成されており、さらに、移載アーム１１２の移動
もガイド可能なように構成されている。

【００１７】このような構成において、移載アーム１１
２は、モータ１１５の駆動によるボールネジ１１４の回
転により、ボールナット１１３と共に移動し、基板１を
ガイドバー１１６に沿って移動させるようになってい
る。

【００１８】さらに、チャンバ１１０は、マスフローコ
ントローラなどで構成されるガス供給系１１７に配管接
続されていると共に、バルブや絞り弁などにより構成さ
れるガス排気系１１８を介して真空ポンプ１１９に配管
接続されている。また、チャンバ１１０内には、２つの
電極１２０、１２１が対向して配置されている。電極１
２０は、接地されており、電極１２１は、高周波電源１
２２に配線接続されて接地されている。ガス供給系１１
７、真空ポンプ１１９及び高周波電源１２２は、本体１
０１内に配設されている。

【００１９】このような構成において、ガス供給系１１
７は、チャンバ１１０内にプラズマ発生のための反応ガ
スを一定量ずつ供給し、ガス排気系１１８及び真空ポン
プ１１９は、チャンバ１１０内から空気やガスを排気し
てチャンバ１１０内を一定の真空状態に保つようになっ
ている。高周波電源１２２は、電極１２１に高周波電流
を供給し、電極１２０、１２１間にプラズマ放電を発生
させるようになっている。

【００２０】サブチャンバ１４０は、チャンバ１１０と
ほぼ同程度の真空排気機能及び基板１の受け渡し機能を
有し、チャンバ１１０におけるプラズマ処理時の真空排
気時間を短縮するようになっている。サブチャンバ１４
０内には、チャンバ１１０と基板格納部１７０との間の
基板１の受け渡しを仲介する基板ホルダ１４１と、この
基板ホルダ１４１を昇降させるシリンダ１４２が配設さ
れている。基板ホルダ１４１は、図１の拡大図に示すよ
うに、クリーニング処理が完了した基板１を受け入れる
ための第１受台１４１ａと、次にクリーニング処理を行
う基板１を保持するための第２受台１４１ｂの２段構造
となっている。

【００２１】このように、基板ホルダ１４１を２段構造
としているので、移載アーム１１２の１往復のみで基板
１の交換が可能となり、タクト的にも有利となる。シリ
ンダ１４２は、基板ホルダ１４１を３段階の高さで調整
可能なガイド機能を有しており、シリンダ本体側は本体
１０１内に配設されている。また、サブチャンバ１４０
の上部には、図示しないシリンダ及びガイドにより開閉
可能な蓋１４０ａが設けられている。

【００２２】このような構成において、基板ホルダ１４
１は、シリンダ１４２の動作により、サブチャンバ１４
０内の下段の位置で、チャンバ１１０から移動される基
板１を受け入れ、サブチャンバ１４０内の中段の位置
で、チャンバ１１０に移動させる新たな基板１を受け渡
し、サブチャンバ１４０の上部開放口より上方の上段の
位置で、基板格納部１７０から搬出される新たな基板１
を受け入れると共に、基板格納部１７０に搬入させる基
板１を受け渡すようになっている。

【００２３】さらに、サブチャンバ１４０は、バルブや
絞り弁などにより構成されるガス排気系１４３を介して
真空ポンプ１４４に配管接続されている。ガス排気系１
４３及び真空ポンプ１４４は、本体１０１内に配設され
ている。このような構成において、ガス排気系１４３及
び真空ポンプ１４４は、サブチャンバ１４０内から空気
を排気してサブチャンバ１４０内を一定の真空状態に保
つようになっている。

【００２４】基板格納部１７０は、サブチャンバ１４０
に対する基板１の搬出・搬入機能を有している。基板格
納部１７０は、マガジン供給部１７１と、基板搬出・搬
入部１７２を備えている。マガジン供給部１７１は、図
１の拡大図に示すような複数の基板１を多段に収納可能
なマガジン１７３を定位置に位置決め固定するマガジン
ベース１７４と、このマガジンベース１７４を基板収納
ピッチずつ昇降させる昇降機構１７５を備えており、本
体１０１のサブチャンバ１４０側に配設されている。

【００２５】基板搬出・搬入部１７２は、マガジン１７
３に収納されている基板１を基板ホルダ１４１に押し出
す搬出シリンダ１７６と、基板ホルダ１４１に収納され
ている基板１をマガジン１７３に押し出す搬入シリンダ
１７７を備えており、搬出シリンダ１７６はマガジン供
給部１７１の外側側面に配設され、搬入シリンダ１７７
はチャンバ１１０上部に配設されている。

【００２６】このような構成において、搬出シリンダ１
７６は、マガジン１７３に収納されている基板１を押し
出して、基板ホルダ１４１の第２受台１４１ｂに収納
し、搬入シリンダ１７７は、基板ホルダ１４１の第１受
台１４１ａに収納されている基板１を押し出して、マガ
ジン１７３に収納するようになっている。

【００２７】以上のような構成のプラズマクリーニング
装置１００の自動運転動作手順を図３及び図４を参照し
て説明する。尚、予め、複数の未処理基板１が収納され
たマガジン１７３は、マガジンベース１７４上の定位置
に位置決め固定され、最初に処理される未処理基板１
が、昇降機構１７５により搬出シリンダ１７６脇に位置
決めされているものとする。

【００２８】オペレータがプラズマクリーニング装置１
００のスタートスイッチを押すと、真空ポンプ１１９が
作動し、チャンバ１１０内の真空排気をガス排気系１１
８を介して開始すると同時に、サブチャンバ１４０の蓋
１４０ａが開く。そして、シリンダ１４２が作動して、
基板ホルダ１４１が上段位置まで上昇する。位置検出セ
ンサにより基板ホルダ１４１が上段位置まで上昇したこ
とが確認されると、搬出シリンダ１７６が作動して、１
枚目の未処理基板１をマガジン１７３から押し出し、基
板ホルダ１４１の第２受台１４１ｂに収納する（図３
（Ａ））。

【００２９】続いて、シリンダ１４２が作動して、基板
ホルダ１４１が下段位置まで下降し、サブチャンバ１４
０の蓋１４０ａが閉じる。位置検出センサにより基板ホ
ルダ１４１が下段位置まで下降したことが確認される
と、真空ポンプ１４４が作動し、サブチャンバ１４０内
の真空排気をガス排気系１４３を介して開始する。そし
て、真空センサによりチャンバ１１０内及びサブチャン
バ１４０内が所定の真空度になったことが確認される
と、ゲートバルブ１０２が開き、モータ１１５が作動し
て、移載アーム１１２がサブチャンバ１４０内の基板ホ
ルダ１４１上に移動する（図３（Ｂ））。

【００３０】続いて、シリンダ１４２が作動して、基板
ホルダ１４１が中段位置まで上昇する。位置検出センサ
により基板ホルダ１４１が中段位置まで上昇したことが
確認されると、モータ１１５が作動して、移載アーム１
１２が第２受台１４１ｂ上に載置されている１枚目の未
処理基板１をチャンバ１１０内の電極１２１上に移動す
る。そして、ゲートバルブ１０２が閉じ、ガス供給系１
１７が作動して、反応ガスをチャンバ１１０内に供給す
る。その後、高周波電源１２２が作動して、高周波電流
を電極１２１に供給し、電極１２０、１２１間にプラズ
マ放電を発生させ、１枚目の未処理基板１をクリーニン
グ処理する（図３（Ｃ））。

【００３１】また、ゲートバルブ１０２が閉じると同時
に、真空ポンプ１４４が停止してサブチャンバ１４０内
をパージして大気圧に戻す。その後、サブチャンバ１４
０の蓋１４０ａが開き、シリンダ１４２が作動して、基
板ホルダ１４１が上段位置まで上昇する。位置検出セン
サにより基板ホルダ１４１が上段位置まで上昇したこと
が確認されると、搬出シリンダ１７６が作動して、２枚
目の未処理基板１をマガジン１７３から押し出し、基板
ホルダ１４１の第２受台１４１ｂに収納する（図３
（Ｄ））。

【００３２】続いて、シリンダ１４２が作動して、基板
ホルダ１４１が下段位置まで下降し、サブチャンバ１４
０の蓋１４０ａが閉じる。位置検出センサにより基板ホ
ルダ１４１が下段位置まで下降したことが確認される
と、真空ポンプ１４４が作動し、サブチャンバ１４０内
の真空排気をガス排気系１４３を介して開始する（図４
（Ａ））。

【００３３】真空センサによりサブチャンバ１４０内が
所定の真空度になったことが確認され、所定のクリーニ
ング処理時間経過による１枚目の基板１のクリーニング
処理が確認されると、ゲートバルブ１０２が開き、モー
タ１１５が作動して、移載アーム１１２がチャンバ１４
０内の電極１２１上に載置されている１枚目の処理済基
板１をサブチャンバ１４０内の基板ホルダ１４１の第１
受台１４１ａ上に移動する（図４（Ｂ））。

【００３４】続いて、シリンダ１４２が作動して、基板
ホルダ１４１が中段位置まで上昇する。位置検出センサ
により基板ホルダ１４１が中段位置まで上昇したことが
確認されると、モータ１１５が作動して、移載アーム１
１２が第２受台１４１ｂ上に載置されている２枚目の未
処理基板１をチャンバ１１０内の電極１２１上に移動す
る。そして、ゲートバルブ１０２が閉じ、ガス供給系１
１７が作動して、反応ガスをチャンバ１１０内に供給す
る。その後、高周波電源１２２が作動して、高周波電流
を電極１２１に供給し、電極１２０、１２１間にプラズ
マ放電を発生させ、２枚目の未処理基板１をクリーニン
グ処理する（図４（Ｃ））。

【００３５】また、ゲートバルブ１０２が閉じると同時
に、真空ポンプ１４４が停止してサブチャンバ１４０内
をパージして大気圧に戻す。その後、サブチャンバ１４
０の蓋１４０ａが開き、シリンダ１４２が作動して、基
板ホルダ１４１が上段位置まで上昇する。位置検出セン
サにより基板ホルダ１４１が上段位置まで上昇したこと
が確認されると、搬入シリンダ１７７が作動して、１枚
目の処理済基板１を第１受台１４１ａから押し出し、マ
ガジン１７３に収納する（図４（Ｄ））。

【００３６】以降、図３（Ｄ）から図４（Ｄ）までの動
作を繰り返すことにより、未処理基板１をマガジン１７
３から出してクリーニング処理する作業と、処理済基板
１をマガジン１７３へ戻す作業をほぼ併行して連続的に
行うことができる。

【００３７】従来のプラズマ真空装置においては、基板
交換、チャンバ内の真空排気、ガス供給、プラズマ処
理、パージの順で作業がシリーズに行われる。これに対
し、本実施形態では、サブチャンバ１４０を設け、チャ
ンバ１１０での基板１の交換をサブチャンバ１４０を介
して真空状態で行えるようにしており、またチャンパ１
１０でのクリーニング処理中にサブチャンバ１４０単独
で大気圧中での基板１の搬出・搬入及び真空排気を行え
るようにしているので、サイクルタイムを大幅に短縮す
ることができる。

【００３８】例えばチャンバ１１０での作業時間は、サ
ブチャンバ１４０との基板１の移載時間＋クリーニング
処理時間であり、サブチャンバ１４０での作業時間は、
パージ時間＋基板１の搬出・搬入時間＋真空排気時間で
ある。クリーニング処理の内容により異なるが、クリー
ニング処理時間が２５秒である場合、チャンバ１１０で
の作業時間は約３０秒となり、また、サブチャンバ１４
０での作業時間は３０秒である。従って、本実施形態の
サイクルタイムは３０秒となり、従来のサイクルタイム
である５５秒と比較して２５秒のタクト短縮を図ること
ができる。

【００３９】また、本実施形態では、チャンバ１１０
と、サブチャンバ１４０と、基板格納部１７０とを基本
構成としているが、基板格納部１７０を除くチャンバ１
１０と、サブチャンバ１４０のみで構成し、基板１の搬
出・搬入を手作業で行うようにしても同様の効果を得る
ことができる。さらに、基板１の搬出・搬入位置の両側
にコンベアユニットを取り付けるようにすれば、インラ
インでの使用が可能となる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、処理対
象物を自動供給することができると共に、高速・大量に
処理することができる。また、装置を低コストで構成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ真空装置の実施形態の概略を
示す平面図。

【図２】図１のプラズマ真空装置の側面図。

【図３】図１のプラズマ真空装置の自動運転動作手順を
示す第１の図。

【図４】図１のプラズマ真空装置の自動運転動作手順を
示す第２の図。

【図５】従来のプラズマ真空装置の概略を示す平面図。

【符号の説明】

１・・・基板、１００・・・プラズマクリーニング装
置、１０１・・・・・・本体、１０２・・・ゲートバル
ブ、１１０・・・チャンバ、１１１・・・基板移動手
段、１１２・・・移載アーム、１１３・・・ボールナッ
ト、１１４・・・ボールネジ、１１５・・・モータ、１
１６・・・ガイドバー、１１７・・・ガス供給系、１１
８・・・ガス排気系、１１９・・・真空ポンプ、１２
０、１２１・・・電極、１２２・・・高周波電源、１４
０・・・サブチャンバ、１４０ａ・・・蓋、１４１・・
・基板ホルダ、１４２・・・シリンダ、１４１ａ・・・
第１受台、１４１ｂ・・・第２受台、１４２・・・シリ
ンダ、１４３・・・ガス排気系、１４４・・・真空ポン
プ、１７０・・・基板格納部、１７１・・・マガジン供
給部、１７２・・・基板搬出・搬入部、１７３・・・マ
ガジン、１７４・・・マガジンベース、１７５・・・昇
降機構、１７６・・・搬出シリンダ、１７７・・・搬入
シリンダ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者川谷典夫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者獺庭和正東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 CA05 DA01 KA02 KA09 4K030 FA01 GA12 KA28 5F004 AA16 BB11 BB18 BC08 5F045 DP02 DQ10 DQ17 EN04 EN05 5F103 BB36 BB44 RR02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ真空処理するための処理部を有
するチャンバと、前記チャンバに対し水平方向にゲートバルブを介して配
設されたサブチャンバとを備えたプラズマ真空装置であ
って、前記チャンバと前記サブチャンバとの間で水平方向に移
動して処理対象を移動させる移動手段と、前記サブチャンバ内に配設されており、前記処理対象を
２段に収納可能で、垂直方向に移動可能なホルダとを備
え、前記移動手段により未処理の前記処理対象と処理済の前
記処理対象を前記ホルダと前記処理部との間で交互に移
動させ交換することを特徴とするプラズマ真空装置。
【請求項２】前記ホルダが、垂直方向の移動により前
記サブチャンバから外部へ突出可能に構成されており、
未処理の前記処理対象と処理済の前記処理対象を搬出・
搬入させる請求項１に記載のプラズマ真空装置。
【請求項３】水平方向にゲートバルブを介して配設さ
れたチャンバとサブチャンバとを備えたプラズマ真空装
置を使用して、処理対象を前記チャンバ内の処理部にて
プラズマ真空処理する方法であって、未処理の前記処理対象と処理済の前記処理対象を２段に
収納可能なホルダを、前記サブチャンバ内にて垂直方向
に移動させ、未処理の前記処理対象と処理済の前記処理対象を、前記
ホルダと前記処理部との間で水平方向に交互に移動させ
交換することを特徴とするプラズマ真空処理方法。
【請求項４】前記ホルダを、垂直方向に移動させて前
記サブチャンバから外部へ突出させ、未処理の前記処理
対象と処理済の前記処理対象を搬出・搬入させる請求項
３に記載のプラズマ真空処理方法。