JP3758740B2 - 大気圧プラズマ処理装置及びその方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧又はその近傍の圧力下にて被処理体をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置及びその方法に関し、特に設置面積を縮小できるレイアウトの改良に関する。
【0002】
【背景技術】
プラズマ処理装置は、例えば半導体製造工程のエッチング、アッシング、成膜、洗浄などのプロセスにて多用されている。これらのプラズマ処理は主として真空プラズマ処理装置にて実施されていた。
【0003】
真空プラズマ処理装置の代表的な装置レイアウトを、図16及び図17に示す。
【0004】
図16は、供給ャリア200、搬送ロボット202、第1のロードロックチャンバー204、真空プラズマ処理室206、第2のロードロックチャンバー208、搬送ロボット210及び収容キャリア212を一列に横並びとして、真空プラズマ処理装置を構成している。なお、第1のロードロックチャンバー204、真空プラズマ処理室206及び第2のロードロックチャンバー208の間には、ゲートバルブ214、216が配置される。
【0005】
図17はマルチチャンバーあるいはクラスタツール方式と称されるものである。この装置の場合は、真空搬送室220の回りに放射状に複数の真空プラズマ処理室230A〜230Cが配置されている。大気圧下に配置されたキャリア240内の被処理体は、搬送ロボット242によりロードロックチャンバー244に搬入される。さらに、真空搬送室220に配置された搬送ロボット222により、複数の真空プラズマ処理室230A〜230Cの間で被処理体が搬入出される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の真空プラズマ処理装置のレイアウトは、単位面積当たりのコストが高いクリーンルーム内にて、広い設置面積を必要とし、ランニングコストが増大していた。
【0007】
本発明者は、大気圧プラズマ処理装置のレイアウトを設計することを試みた。この大気圧プラズマ処理装置のレイアウトを設計するにあたり、図16、図17に示す真空プラズマ処理装置のロードロックチャンバー、ゲートバルブ及び真空搬送室などを省略でき、その分設置面積を縮小することができる。
【0008】
しかし、装置をよりコンパクトにするためには、従来の平面的なレイアウトでは自ずと限界がある。
【0009】
そこで、本発明の目的とするところは、大気圧下で被処理体を搬送できる事情を考慮して、設置面積を大幅に縮小することができるレイアウトを備えた大気圧プラズマ処理装置及びその方法を提供することにある。
【0010】
本発明の他の目的は、発塵の悪影響を低減し、処理の歩留まりを向上することができる大気圧プラズマ処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明に係る大気圧プラズマ処理装置は、被処理体を複数枚収容したキャリアと、
前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記キャリアより一枚ずつ前記被処理体を取り出す取出手段と、
取り出された前記被処理体を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記被処理体が前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置に設定する移動機構と、
を有することを特徴とする。
【0012】
請求項7の発明に係る大気圧プラズマ処理方法は、被処理体を複数枚収容したキャリアより、一枚の前記被処理体を取り出す工程と、
取り出された前記被処理体を真空吸着する吸着テーブルにより、前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置された大気圧プラズマ処理部に向けて、縦方向に移動させる工程と、
前記吸着テーブルにて前記被処理体を支持したまま、前記大気圧プラズマ処理部にて、大気圧又はその近傍の圧力下にて、前記被処理体をプラズマ処理する工程と、
を有することを特徴とする。
【0013】
請求項1及び7の各発明によれば、縦方向の異なる位置に配置されたキャリアと大気圧プラズマ処理部との間で、被処理体を少なくとも縦方向に搬送している。このため、キャリア、大気圧プラズマ処理部を横方向に配列してその間を水平搬送する場合と比較して、装置の設置面積を大幅に縮小できる。しかも、縦方向搬送手段である吸着テーブルは、搬送手段としての機能と共に、大気圧プラズマ処理部での被処理体の支持手段として兼用でき、部材点数を少なくできる。また、搬送空間は大気圧雰囲気であるから、機構の複雑なメカニカルチャックに代えて真空吸着の手法を使用できる。さらには、大気圧プラズマ処理部にも、真空ポンプ、ゲートバルブ、ロードロックチャンバー等の部材が不要であり、真空プラズマ処理装置と比較すれば、その設置面積は大幅に縮小される。
【0014】
請求項2の発明に係る大気圧プラズマ処理装置は、複数の被処理体を、その被処理面を垂直にして支持する縦溝を有するキャリアと、
前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理面を垂直にして前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記キャリアより上方に一枚ずつ前記被処理体を取り出す取出手段と、
取り出された前記被処理体を、前記被処理面を垂直にしたままその裏面を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記被処理体が前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置に設定する移動機構と、
を有することを特徴とする。
【0015】
請求項2の発明によれば、請求項1の発明の作用・効果に加えて、被処理体を垂直に支持したまま搬送できるので、搬送時に被処理体に不純物が付着することを低減できる。特に、この種の処理装置空間はクリーンエアーによるダウンフローがなされているため、垂直な被処理面をダウンフローエアーにより清浄にすることができる。
【0016】
この場合、請求項3に示すように、前記取出手段を、前記キャリアの下方より一枚の前記被処理体を突き上げる突き上げ手段と、突き上げられた前記被処理体の縦方向移動を案内する案内手段と、で構成することができる。
【0017】
請求項4の発明に係る大気圧プラズマ処理装置は、複数の被処理体を、その被処理面を上向きで水平に収容した第1のキャリアと、
前記第1のキャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理面を上向き水平にして前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記第1のキャリア及び前記大気圧プラマ処理部とは縦方向にて異なる位置に配置され、前記大気圧プラズマ処理部にて処理された被処理体を、その被処理面を上向き水平にして収容する第2のキャリアと、
前記第1のキャリアより水平に一枚ずつ前記被処理体を搬出する搬出手段と、取り出された前記被処理体を、前記被処理面を水平にしたままその裏面を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記第1のキャリアからの搬出位置と、前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置と、前記第2のキャリアへの搬入位置とに、前記吸着テーブルを設定する移動機構と、
前記搬入位置に設定された前記被処理体を、前記第2のキャリアに搬入させる搬入手段と、
を有することを特徴とする。
【0018】
請求項4の発明によれば、被処理体を水平にして搬送しながらも、第1、第2のキャリア及び大気圧プラズマ処理部が、それぞれ縦方向にて異なる高さ位置に配置されているため、被処理体を縦方向に沿って搬送している。このため、第1、第2のキャリア、大気圧プラズマ処理部を横方向に配列してその間を水平搬送する場合と比較して、装置の設置面積を大幅に縮小できる。その他、請求項1の発明と同等の作用・効果をそうすることができる。
【0019】
この場合、請求項5に示すように、前記第2のキャリアを、前記第1のキャリアよりも上方位置に配置するとよい。
【0020】
こうすると、第1のキャリアからの被処理体取り出し動作時に発塵が生じても、第2のキャリア内に収容された処理済みの被処理体に悪影響が生ずることがない。
【0021】
この場合、請求項6に示すように、前記大気圧プラズマ処理部を、前記吸着テーブルの縦方向移動経路の上部に配置することが好ましい。
【0022】
こうすると、第1のキャリアより被処理体が受け渡された吸着テーブルを、縦方向にのみ搬送することで、大気圧プラズマ処理部に搬送できる。しかも、第2のキャリアの上方から外れた位置に大気圧処理部を配置でき、第2のキャリアの上方にて発塵が生ずる虞れが低減する。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0024】
(第1実施例)
図1は、本発明の大気圧プラズマ処理装置の実施例を示している。図1において、大気圧プラズマ処理装置が収納された筐体10は、その正面10a側からオペレータが各種の操作をできるようになっている。筐体10の背面10b側には、各種の駆動部が収納された駆動部収納室12が設けられている。
【0025】
筐体10内に部には、大別して、被処理体1を搭載したキャリア20と、被処理体1を処理する大気圧プラズマ処理部30と、キャリア20より被処理体1を一枚ずつ取り出す取出機構40と、キャリア20と大気圧プラズマ処理部30との間で処理体1の搬送を行う吸着テーブル60とを有する。
【0026】
ここで、被処理体1は、例えば液晶基板などの、一辺の長さが300mm以上の比較的大型な平板状の基板である。
【0027】
キャリア20は、図1及び図3に示すように、基板1を垂直状態にて複数枚例えば20枚収納している。図1に示すキャリア20の相対向する側板22には、図3に示すように縦溝24が複数形成されている。基板1は、この縦溝24に挿入されることで、キャリア20内部にて垂直状態を維持したまま支持される。
【0028】
このキャリア20内より基板1を一枚ずつ取り出す取出機構40は、大別して、図1及び図3に示すように、突き上げ駆動部42と、ガイド部50とから構成されている。
【0029】
突き上げ駆動部42は、キャリア20の下方に配置されている。この突き上げ駆動部42は、ロッド46を進退駆動するシリンダ44と、このロッド46の上端に固定された、外形がコ字状の突き上げ部48とを有する。この突き上げ部48の上端2箇所には、基板1を挿入可能な溝48aが設けられている。この突き上げ駆動部42は、突き上げ部48を、鉛直方向である矢印A方向に昇降駆動するものである。
【0030】
ここで、このキャリア20は、筐体10の正面10a側より、オペレータにより筐体10内部にセットされる。そして、本実施例ではキャリア20が、水平方向である矢印B方向に移動可能となってる。従って、キャリア20を矢印B方向に移動させ、取り出すべき基板1を突き上げ駆動部42の上方位置に順次設定することで、キャリア20内部のすべての基板1を取り出し可能となっている。なお、この突き上げ駆動部42は、キャリア20に基板1を収納する場合にも利用される。
【0031】
一方、ガイド部50は、キャリア20の上方位置に配置されている。このガイド部50は、縦方向の異なる3箇所にそれぞれ回転ローラ52を有する一対の支持プレート54と、この支持プレート54間のピッチを変更する駆動プレート56とを有する。
【0032】
このガイド部50は、突き上げ駆動部42より突き上げ駆動されてキャリア20より取り出される基板1を案内して、垂直状態が維持されたままの取り出し姿勢を保持するためのものである。
【0033】
また、一対の支持プレート54は、吸着テーブル60との間で基板1の受渡しを行う際には、基板1との干渉を防止するために、図1の矢印C方向に開閉可能となっている。この支持プレート54を駆動する駆動プレート56は、駆動部収納室12内部に設けられた図示しない駆動機構により駆動される。
【0034】
吸着テーブル60は、図2に示すように、基板1の外形よりも大きなテーブル面62を有する。また、この吸着テーブル60は、図2に示すように、このテーブル面62の例えば3箇所にて、テーブル面62により突出可能な3本の吸着ピン64を有する。この3本の吸着ピン64は、基板1を真空吸着するものである。
【0035】
この吸着テーブル60は、図1に示すように、水平方向である矢印D方向及び鉛直方向である矢印F方向に移動可能である。
【0036】
この各駆動を行うためのテーブル駆動部70が、駆動部収納室12内に設けられている。このテーブル駆動部70は、縦方向に伸びるレール72と、このレール72に沿って移動するリニアベアリング74と、リニアベアリング74に搭載された伸縮駆動部76と、この伸縮駆動部76に固定されたロッド78とを有する。ロッド78は、筐体10の背面10bに縦方向にて切り欠かれたスリット10cと介して、筐体10の内部に延びている。そして、このロッド78の一端が、吸着テーブル60に固定されている。
【0037】
大気圧プラズマ処理部30は、図5に示すように、1つの側方に開口32aを有する処理室32を有する。この処理室32の開口32aは、処理時にあっては、基板1を真空吸着した吸着テーブル60により閉鎖される。
【0038】
開口32aを閉鎖する吸着テーブル60と対向する位置には、RF電源36に接続された電極34が配置されている。なお、吸着テーブル60は接地電極として機能する。従って、電極34と吸着テーブル60とで、プラズマ生成用の一対の平行平板電極を構成している。この電極34にはガス導入管38aが接続され、例えば多孔質金属等で形成された電極34を介して各種ガスが供給される。さらに、処理室32にはガス排気管38bが接続されている。
【0039】
次に、第1実施例装置の動作について、図4〜図8を参照して説明する。
【0040】
キャリア20より基板1を1枚ずつ取り出す時には、図3に示すように、キャリア20の左端の基板1から順次取り出しを行う。このために、キャリア20を矢印B方向に移動させ、左端の基板1が、突き上げ駆動部42の上方位置に設定されるようにする。
【0041】
その後、シリンダ44を駆動して、突き上げ部48を上昇させる。突き上げ部48の上昇途中で、突き上げ部48の上端の溝48aが基板1の下端に挿入され、そのまま、基板1が突き上げ部48と共に上昇する。
【0042】
一方、キャリア20より取出される基板1の上端側は、ガイド部50により案内される。すなわち、基板1の2つの側端が、一対の支持プレート54に支持された回転ローラ52の溝部52aにて案内され、基板1が垂直状態を維持したまま上昇移動する。
【0043】
突き上げ部48がその上限位置に達した状態を図4に示す。このとき、基板1は、一対の支持プレート54に設けられた6つの回転ローラ52と、突き上げ部48の溝48aとによって支持されている。
【0044】
その後、吸着テーブル60が、図4に示すように、基板1と対向する近接位置まで、図1の矢印D方向に沿って移動される。その後、この吸着テーブル60のテーブル面62より吸着ピン64が突出駆動される。そして、図4に示すように、この吸着ピン64の先端が、基板1の裏面1bと当接され、これとほぼ同時に真空吸着動作を行うことで、3本の吸着ピン64に基板1が真空吸着される。
【0045】
この状態の平面図が、図6に示されている。その後、図7に示すように、一対の支持プレート54が、その対向間距離を広げるように、矢印C方向に移動される。これにより、基板1は3本の吸着ピン64のみによって支持されている。
【0046】
この後、図8に示すように、3本の吸着ピン64が後退移動される。このとき、3本の吸着ピン64による真空吸着動作は維持されており、従って、基板1は吸着テーブル60のテーブル面62に密着されることになる。
【0047】
このテーブル面62に密着された基板1は、吸着テーブル60の矢印F方向及びその後の矢印D方向の移動により、図5に示すように、処理室32の開口32aを閉鎖する位置に設定される。このとき、基板1の被処理面1aが電極34と対向して配置される。
【0048】
図5に示すように、電極34と吸着テーブル60とで、プラズマ生成用の一対の平行平板電極が構成される。この一対の平行平板電極に、RF電源36から高周波電力が供給される。
【0049】
さらに、電極36及び吸着テーブル60の間には、ガス供給管38aを介して、各種の大気圧プラズマ処理に応じたガスが供給される。大気圧プラズマ励起用ガスとしてヘリュウムHeが代表的なガスである。これに添加される処理用ガスとして、例えばアッシング処理であれば酸素O2が、エッチング処理であればエッチングガス例えばCF4などが添加される。この他、基板1上の導電部のハンダの濡れ性を高める処理、あるいはモールド樹脂に対する密着性を高める処理などを行うことができる。
【0050】
これらの処理はいずれも、一対の電極36、60間に生成されるプラズマにより活性化された気体を用い、基板1上の表面を化学的に処理する。また、この各種の処理は、大気圧またはその近傍の圧力下にて実施される。従って、大気圧プラズマ処理部30の処理室32の開口32aは、吸着テーブル60により、内部のガスが漏出しない程度の密着性があれば十分である。これにより、反応生成物を含む排気ガスは、ガス排出管38bを介して排出される。
【0051】
大気圧プラズマ処理部30にて処理された基板1は、図3及び図4、図6〜図8の搬送動作の逆工程をたどることで、キャリア20内に戻し搬送されることになる。
【0052】
この後は、キャリア20の図1に示す矢印B方向の移動を、キャリア20内に収納された基板1の配列ピッチずつで行うことで、キャリア20内に収納された全ての基板1についての処理が実施される。
【0053】
ここで、この第1実施例装置では、キャリア20と大気圧プラズマ処理部30とが、縦方向の異なる位置にて上下に配置されている。また、これらキャリア20及び大気圧プラズマ処理部30の側方に、基板1の縦方向の移動経路が確保されている。従って、この大気圧プラズマ処理装置の全体の設置面積としては、キャリア20及び大気圧プラズマ処理部30が共有する設置面積と、基板1の縦方向搬送経路に占有される設置面積との加算した面積で済む。従って、従来装置と比較すれば、その設置面積が大幅に縮小され、特にこの種の大気圧プラズマ処理装置を単位面積当たりのコストの高いクリーンルーム内に配置したとすれば、 ランニングコストを大幅に低減することができる。
【0054】
また、筐体10内部には、上部より下方に向けてクリーエアによるダンフローが実施される。従って、吸着テーブル60にて吸着された垂直状態の基板1は、搬送時には常にその被処理面1aがダンフローによりさらされている。従って、処理の前後の搬送時に、基板1の被処理面1aに不純物が付着する虞がない。しかも、基板1の縦方向搬送経路の上方には何等の発塵部が存在していないため、基板1に対する不純物の付着を大幅に低減でき、歩留まりの向上を期待できる。
【0055】
この第1実施例装置にて、キャリア20より最初に取り出される基板1を、基板1の縦方向搬送経路から最も離れた位置、すなわち図3の左端の基板1から取り出した理由は下記の通りである。この第1実施例装置では、キャリア20の上方にガイド部50が存在するが、上記の通り実施すれば、このガイド部50が処理済みの基板1の上方位置に再設定されることはない。このため、たとえガイド部50から発塵があったとしも、処理直後の熱を保有する基板1の被処理面1aに、このゴミが付着する虞が低減する。
【0056】
この発塵の問題に関しては、第1実施例装置にあっては、駆動部分のほとんどが、基板1の搬送空間である筐体10とは仕切られた駆動部収納室12に収納されているため、駆動部によって生ずる発塵の悪影響を防止することができる。
【0057】
なお、この第1実施例装置は、大気圧プラズマ処理装置であるため、筐体10内部を大気圧又はその近傍の圧力とすることができ、このために基板1の搬送手段として真空吸着を利用した吸着テーブル60を採用することができる。特に、第1実施例装置のように基板1を垂直状態で搬送する場合、真空雰囲気ではメカニカルチャックなどに頼らざるを得ないが、それと比較すると本実施例装置の構成は極めて簡易となる。
【0058】
また、この第1実施例装置では、基板1を垂直状態に立てた状態で搬送できるので、例えばクリーエアによるダンフローがない場合にあっても、基板1の被処理面1aにゴミ等が付着する恐れを低減できる。
【0059】
さらに、吸着テーブル60は基板1の搬送手段と共に、処理用電極として兼用できるので、構成部材の点数を減少させることができる。
【0060】
このように、この第1実施例装置によれば、キャリア、大気圧処理部等のレイアウトの変更により設置面積が縮小することに加えて、大気圧プラズマ処理装置特有の効果として、真空ポンプ、ロードロックチャンバなどを必要としないため、従来の真空プラズマ処理装置に比較して大幅にその設置面積を縮小できる。従って、単位面積当たりのコストの高いクリーンルーム内に本実施例装置を設置する場合に特に有利となる。
【0061】
(第2実施例)
この第2実施例装置が第1実施例装置と異なる点は、図9に示す通り、キャリア20を固定とし、その下方及び上方に位置する突き上げ駆動部42とガイド部50とを、矢印B方向に移動可能とした点である。
【0062】
この突き上げ駆動部42及びガイド部50を共に矢印B方向に移動させることで、固定であるキャリア20内に搭載された全ての基板1を順次取り出すことができる。
【0063】
しかも、キャリア20は、常時大気圧プラズマ処理部30の下方に存在し、基板1の縦方向Fの搬送経路の下方位置に突出して配置されることない。これにより、基板1の縦方向搬送時に発塵が生じたとしても、キャリア20内の処理済みの基板1に不純物を付着させるという悪影響を低減できる。
【0064】
この第2実施例装置においても、筐体10内部にてクリーエアによるダンフローを実施しておけば、基板1の縦方向搬送時に生じたゴミは、ダンフローに沿って真っ直ぐ下方に導かれ、キャリア20に向けて拡散することを防止できる。
【0065】
(第3実施例)
この第3実施例装置は、図10に示すように、筐体100内に、第1,第2のキャリア110,120と、大気圧プラズマ処理部130と、基板1の搬送駆動部とを配置している。
【0066】
第1のキャリア110は、処理前の基板1を複数枚収容するものである。この第1のキャリア110は、図11に示すように、複数枚の基板1を、その被処理面1aを上向きで水平に収容するための横溝112を有する。この第1のキャリア110の下方には、複数の駆動ローラ114が、回転可能に設けられている。第1のキャリア110は、図11の縦方向である矢印G方向に移動可能である。従って、この第1のキャリア110が下降した場合には、第1のキャリア110内に収容された最下端の一枚の基板1の裏面1bが、駆動ローラ114と当接することになる。この駆動ローラ114を、図11の矢印方向に回転することで、1枚の基板1を取出駆動することができる。
【0067】
第2のキャリア120は、図10に示すように、第1のキャリア110の上方に配置されている。この第2のキャリア120も、図示してはいないが、第1のキャリア110と同様な駆動ローラを有し、矢印G方向に移動可能となっている。
【0068】
次に、この第1,第2キャリア110,120と、大気圧プラズマ処理部130との間で、基板1の搬送を行う搬送部について説明する。
【0069】
まず、第1のキャリア110の側方には、駆動ローラ114とほぼ同じ高さ位置に第1の受渡部140が設けられている。この第1の受渡部140が設けられている。この第1の受渡部140は、一対の支持プレート142を有し、この各支持プレートには複数の回転ローラ144が回転可能に支持されている。
【0070】
第1のキャリア110の駆動ローラ114を駆動することで、第1キャリア110より取り出された1枚の基板1は、第1の受渡部140の回転ローラ144によりさらに先方に送られ、図10の実線で示す位置まで搬出される。この第1の受渡部140は、後述する吸着テーブル160との間で、基板1の受け渡しを行うものである。
【0071】
同様に、第2のキャリア120の側方にも、第2の受渡部150が設けられている。この第2の受渡部150も、回転ローラ154を有する一対の支持プレート152を有している。
【0072】
なお、第1,第2の受渡部140,150の一対の支持プレート142,152は、それぞれ図10に示す矢印H方向に開閉可能となっている。
【0073】
吸着テーブル160は、図10の状態を側方から見た図12に示すように、基板1よりも大きい面積を有するテーブル面162と、このテーブル面162より突出可能な例えば3本の吸着ピン164とを有する。第1の受渡部140との間で、基板1の受け渡しを行う場合には、図12に示すように、回転ローラ144にて支持された基板1の裏面1bに向けて、3本の吸着ピン164を突出駆動させる。この後、図13に示すように、一対の支持プレート142の対向間距離を広げるように矢印H方向に開放駆動し、基板1を3本の吸着ピン164上に支持する。
【0074】
さらにその後、3本の吸着ピン164により、基板1を真空吸着し、図14に示すように、吸着ピン164を下降駆動することで、基板1は吸着テーブル160のテーブル面162に密着支持される。
【0075】
第2の受渡部150と吸着テーブル160との間で基板1の受け渡しを行うには、図12〜図14に示す工程の逆工程を辿ればよい。
【0076】
吸着テーブル160は、図10に示す通り、縦方向であるI方向にのみ昇降可能となっている。この吸着テーブル160を駆動するテーブル駆動部170は、図10に示すように、縦方向に伸びるレール172と、このレール172に沿って移動するリニアベアリング174と、このリニアベアリング174と吸着テーブル160とを連結するロッド176とを有する。
【0077】
大気圧プラズマ処理部130は、下方に開口130aを有する処理室132の内部には、RF電源136に接続された電極134を有する。
【0078】
この処理室132を開口130aは、後述する吸着テーブル160により閉鎖される。ここで、吸着テーブル160はグランド電位に設定されており、処理室132内部の電極134と、吸着テーブル160とで一対の平行平板電極が構成される。電極134は例えば多孔質金属にて形成され、この電極134を介してガスを供給するガス供給管138aが設けられている。また、処理室132にはガス排気管138bが接続されている。
【0079】
この基板1を真空吸着した吸着テーブル160は、上昇移動されて、図15に示すように、処理室132の開口130aを閉鎖する。この後の大気圧プラズマ処理装置工程は、第1実施例と同様にして行われる。
【0080】
この第3実施例装置においても、第1,第2のキャリア110,120と、大気圧プラズマ処理部130とを横並びに配置したレイアウトの場合と比較して、設置面積を大幅に縮小することができる。しかも、この第3実施例装置では、第1実施例装置と比較して、吸着テーブル160はその縦方向Iにのみ搬送するだけでよいため、搬送駆動機構を簡略化することができる。
【0081】
この第3実施例装置では、大気圧プラズマ処理済みの基板1を収納する第2のキャリア120の上方には、なんらの部材も配置されていないため、第2のキャリア120の上方にてゴミ等が発生する虞れがなく、処理の歩留まりをより向上させることができる。また、大気圧プラズマ処理部130を、第2のキャリア120の上方ではなく、吸着テーブル160の移動方向Iの上端に設けることで、上述した発塵による悪影響を防止できるほか、吸着テーブル160を横方向に移動させる必要が無くなる。
【0082】
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。上述した各実施例では、搬送用の吸着テーブル60,160を一対の平行平板電極の一方を構成する電極として兼用したが、これに限定されるものではない。例えば、いわゆる間接プラズマ処理方式に本発明を適用することもできる。この場合、被処理体である基板1は直接プラズマにさらされることがない。すなわち、電極間で生成されたプラズマにより活性化されたガスが、基板1の表面に曝露されるのみで済む。この場合には、基板1を搭載する支持プレートは電極である必要がない。
【0083】
さらに、上述の間接プラズマ処理方式にあっては、吸着テーブル60,160を、活性化ガスの流路に対して基板1を走査させる走査手段として兼用することができる。
【0084】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例装置を示す概略斜視図である。
【図2】図1に示す吸着テーブルの概略斜視図である。
【図3】図1に示すキャリアからの基板取出駆動を説明する動作説明図である。
【図4】図1に示すガイド部と吸着テーブルとの間の基板の受渡動作を示す動作説明図である。
【図5】図1に示す大気圧プラズマ処理部の概略断面図である。
【図6】ガイド部と吸着テーブルとの間の基板受渡工程の第1段階を示す動作説明図である。
【図7】ガイド部と吸着テーブルとの間の基板受渡工程の第2段階を示す動作説明図である。
【図8】ガイド部と吸着テーブルとの間の基板受渡の第3段階を示す動作説明図である。
【図9】本発明の第2実施例装置の概略説明図である。
【図10】本発明の第3実施例装置の概略斜視図である。
【図11】図10に示す第1,第2のキャリアの基板搬送駆動部を示す概略説明図である。
【図12】図10に示す第1,第2の受渡部と吸着テーブルとの間の基板受渡工程の第1段階を示す動作説明図である。
【図13】図10に示す第1,第2の受渡部と吸着テーブルとの間の基板受渡工程の第2段階を示す動作説明図である。
【図14】図10に示す第1,第2の受渡部と吸着テーブルとの間の基板受渡工程の第3段階を示す動作説明図である。
【図15】図10に示す大気圧プラズマ処理部の概略断面図である。
【図16】従来の真空プラズマ処理装置の概略説明図である。
【図17】従来のマルチチャンバ方式の真空プラズマ処理装置の概略説明図である。
【符号の説明】
1 被処理体
1a 被処理面
10,100 筐体
20 キャリア
24 縦溝
30,130 大気圧プラズマ処理部
40 取出機構
42 突き上げ駆動部
50 ガイド部
60,160 吸着テーブル
70,170 テーブル駆動部
110 第1のキャリア
112 横溝
120 第2のキャリア
Claims (7)
- 被処理体を複数枚収容したキャリアと、
前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記キャリアより一枚ずつ前記被処理体を取り出す取出手段と、
取り出された前記被処理体を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記被処理体が前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置に設定する移動機構と、
を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 複数の被処理体を、その被処理面を垂直にして支持する縦溝を有するキャリアと、
前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理面を垂直にして前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記キャリアより上方に一枚ずつ前記被処理体を取り出す取出手段と、
取り出された前記被処理体を、前記被処理面を垂直にしたままその裏面を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記被処理体が前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置に設定する移動機構と、
を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記取出手段は、
前記キャリアの下方より一枚の前記被処理体を突き上げる突き上げ手段と、
突き上げられた前記被処理体の縦方向移動を案内する案内手段と、
を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 複数の被処理体を、その被処理面を上向きで水平に収容した第1のキャリアと、
前記第1のキャリアとは縦方向にて異なる位置に配置され、前記被処理面を上向き水平にして前記被処理体を大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ処理する大気圧プラズマ処理部と、
前記第1のキャリア及び前記大気圧プラズマ処理部とは縦方向にて異なる位置に配置され、前記大気圧プラズマ処理部にて処理された被処理体を、その被処理面を上向き水平にして収容する第2のキャリアと、
前記第1のキャリアより水平に一枚ずつ前記被処理体を搬出する搬出手段と、
取り出された前記被処理体を、前記被処理面を水平にしたままその裏面を真空吸着する吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを少なくとも縦方向に移動させて、前記第1のキャリアからの搬出位置と、前記大気圧プラズマ処理部と対面する処理位置と、前記第2のキャリアへの搬入位置とに、前記吸着テーブルを設定する移動機構と、
前記搬入位置に設定された前記被処理体を、前記第2のキャリアに搬入させる搬入手段と、
を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 請求項4において、
前記第2のキャリアを、前記第1のキャリアよりも上方位置に配置したことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 請求項4又は5において、
前記大気圧プラズマ処理部は、前記吸着テーブルの縦方向移動経路の上部に配置されていることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。 - 被処理体を複数枚収容したキャリアより、一枚の前記被処理体を取り出す工程と、
取り出された前記被処理体を真空吸着する吸着テーブルにより、前記キャリアとは縦方向にて異なる位置に配置された大気圧プラズマ処理部に向けて、縦方向に移動させる工程と、
前記吸着テーブルにて前記被処理体を支持したまま、前記大気圧プラズマ処理部にて、大気圧又はその近傍の圧力下にて、前記被処理体をプラズマ処理する工程と、
を有することを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09272975A JPH09272975A (ja) | 1997-10-21 |
JP3758740B2 true JP3758740B2 (ja) | 2006-03-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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