JP2001185334A - シースヒータ、加熱装置及び真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】真空処理装置内で基板を加熱するヒータの寿命
を長くする技術を提供する。 【解決手段】本発明のヒータ１８は、二枚の絶縁板５
３、５４と、その間に配置されたシースヒータ５５とを
有しており、二枚の絶縁板５３、５４は、その縁近傍に
形成されたシール材７１によって固定されている。この
シール材７１は、結果としてリング状になり、シースヒ
ータ５５はそのリング中に位置するようにされているの
で、シール材７１で取り囲まれた空間は外気と遮断され
ている。このため、ヒータ１８がクリーニングガスに晒
されても、シースヒータ５５は直接クリーニングガスに
晒されないので、従来に比してシースヒータ５５が腐食
しにくくなり、寿命が長くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシースヒータ、加熱
装置及び真空処理装置に関し、特に、真空処理装置内で
被処理対象である基板を加熱するシースヒータ、加熱装
置及び、それらを備えた真空処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】低温プロセスで絶縁膜を製造する代表的
な方法には、プラズマＣＶＤ法がある。図６の符号１１
０は、プラズマＣＶＤ法を実施するプラズマＣＶＤ装置
の従来技術のものを示しており、真空槽１１２を有して
いる。真空槽１１２の天井側には、真空槽１１２と電気
的に絶縁された状態で電極１１３が設けられている。

【０００３】他方、真空槽１１２外には電圧源１２２が
配置されており、真空槽１１２を接地電位に置いた状態
で電極１１３に高周波電圧を印加できるように構成され
ている。真空槽１１２底壁上には載置台１１７が配置さ
れ、その表面に加熱装置１１８が取り付けられている。

【０００４】加熱装置１１８の表面は平坦にされてお
り、その部分に基板１２１を水平に載置できるように構
成されている。その状態の基板１２１表面は、電極１１
３表面とが並行に対向するようになっている。

【０００５】加熱装置１１８の断面図を図７(ａ)に示
す。この加熱装置１１８は、カーボンで構成された２枚
の絶縁板１５３、１５４とシースヒータ１５５とを有し
ている。各絶縁板１５３、１５４の表面には、所定パタ
ーンの溝(図示せず)が形成されており、絶縁板１５３、
１５４は、それぞれの溝が互いに対向するように密着し
て配置される。線状のシースヒータ１５５は、図７(ｂ)
に示すように溝と同じパターンに成形されており、溝内
にはめ込まれることにより、２枚の絶縁板１５３、１５
４の両方と密着している。２枚の絶縁板１５３、１５４
に密着するように取り付けられている。２枚の絶縁板１
５３、１５４は、ボルト１９０でねじ止めされている。

【０００６】このシースヒータ１５５は、図７(ｃ)に示
すように、クロム１６％,鉄７％を含むニッケル系合金
(商標名インコネル)からなるチューブ１５８内に、線状
の抵抗発熱体(ＮｉＣｒ)１５６が挿通され、絶縁物(Ｍ
ｇＯ)１５７が充填されており、絶縁物１５７によっ
て、抵抗発熱体１５６とチューブ１５８とが互いに絶縁
されるように構成されている。

【０００７】シースヒータ１５５内の抵抗発熱体１５６
は、真空槽１１２外に配置された電源に接続されてお
り、絶縁板１５３に基板１２１を載置した状態で、その
電源を起動してシースヒータ１５５に通電すると、抵抗
発熱体１５６が発熱し、絶縁板１５３、１５４全体が均
一に加熱され、基板１２１を加熱できるようになってい
る。

【０００８】電極１１３には、パイプから成るガス導入
手段１１９が接続されている。電極１１３内にはガス貯
留室１１４が設けられており、ガス導入手段１１９の先
端部分はガス貯留室１１４に接続されている。

【０００９】ガス導入手段１１９の他端部には、図示し
ないガスボンベが接続されており、ガスボンベ内に充填
された反応性ガスや希釈ガス等を貯留室１１４内に導入
できるように構成されている。

【００１０】電極１１３の基板１２１に対向する壁面に
は、複数の孔１１５が形成されており、各孔１１５によ
ってガス貯留室１１４内部と真空槽１１２内部とが連通
するように構成されている。この孔１１５とガス貯留室
１１４とによって、シャワーノズル１１６が構成されて
いる。

【００１１】このようなプラズマＣＶＤ装置１１０を用
い、絶縁膜を形成する場合、先ず、真空排気系１２３に
よって真空槽１１２内を真空排気するとともに、シース
ヒータ１５５に通電して、加熱装置１１８を加熱して昇
温させる。真空槽１１２内の圧力が所定圧力になるとと
もに、加熱装置１１８が所定温度まで昇温されたら、真
空状態を維持しながら、真空槽１１２内に基板１２１を
搬入し、加熱装置１１８上に載置する。

【００１２】基板１２１が所定温度まで昇温されたら、
ガス貯留室１１４内に反応性ガスを導入し、シャワーノ
ズル１１６から基板１２１表面に対して吹き付ける。そ
の状態で電圧源１２２を起動し、電極１１３に高周波の
交流電圧を印加すると、反応性ガスが電離し、基板１２
１表面近傍に、そのガスのプラズマが形成される。プラ
ズマ中では反応性ガスは活性化するので、基板１２１表
面には活性なラジカルが入射し、基板１２１表面で化学
反応が進行し薄膜が形成される。

【００１３】このようなプラズマＣＶＤ法では、反応性
ガスがプラズマ中で活性化されるので、基板１２１が比
較的低温でも薄膜を形成することが可能になっている。
そして、真空槽１１２の容量を大きくし、大面積の基板
を収容できるようにすると、比較的大きな基板表面に
も、プラズマＣＶＤ法によって比較的均一な薄膜を形成
することもできる。

【００１４】上述のプラズマＣＶＤ装置１１０では、使
用を開始してから１ヶ月経過すると、シースヒータ１５
５が断線してしまい、これを交換しなければならなかっ
た。このように、シースヒータ１５５を１ヶ月程度で交
換しなければならなかったので、メンテナンスが容易で
はなかった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、寿命が長く、メンテナンスが容易なヒータを提
供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】従来のシースヒータ１５
５が１ヶ月程度で断線してしまう原因について、本発明
の発明者等が調査研究した。上述したように加熱装置１
１８では、絶縁板１５５、１５６はねじ止めされて固定
されており、シースヒータ１５５は、絶縁板１５５、１
５６間の隙間を介して加熱装置１１８の外気と通じてい
る。

【００１７】プラズマＣＶＤ装置では、プロセス終了後
に、例えばＣＦ₄やＮＦ₃等のフッ素系のクリーニングガ
スを導入して、真空槽１１２内をクリーニングしている
が、本発明の発明者等は、このクリーニングの際に、絶
縁板１５５、１５６の隙間からクリーニングガスが侵入
してシースヒータ１５５がクリーニングガスに曝される
ことにより、チューブ１５８が腐食し、内部の抵抗発熱
体１５６が断線してしまうと考えた。

【００１８】本発明は上記調査研究の結果創作されたも
のであり、請求項１記載の発明は、金属管と、前記金属
管に挿通された線状の発熱体と、前記金属管内に充填さ
れ、前記発熱体と前記金属管とを絶縁する絶縁体とを有
するシースヒータであって、前記金属管表面には、アル
ミニウム酸化物膜が形成されたことを特徴とする。請求
項２記載の発明は、加熱装置であって、二枚の絶縁板が
互いに貼り合わされて構成されたヒータ本体と、前記ヒ
ータ本体内部の前記各絶縁板間に配置されたシースヒー
タと、前記二枚の絶縁板の境界に配置され、前記シース
ヒータが配置された領域の周囲に設けられたシール材と
を有することを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項２記載の加熱装置であって、前記二枚の絶縁板の、
互いに貼り合わされる面のいずれか一方又は両方には溝
が形成されており、前記溝内に、前記シースヒータが配
置され、前記二枚の絶縁板は互いに密着されたことを特
徴とする。請求項４記載の発明は、請求項２又は請求項
３記載の加熱装置であって、前記シースヒータは、請求
項１記載のシースヒータで構成されたことを特徴とす
る。請求項５記載の発明は、真空槽と、基板加熱装置と
を有する真空処理装置であって、前記基板加熱装置は、
請求項２乃至請求項４のいずれか１項記載の加熱装置で
構成されたことを特徴とする。

【００１９】本発明は上記のように構成されており、そ
のシースヒータでは、金属管表面に、溶射法によってア
ルミニウム酸化物膜を形成している。アルミニウム酸化
物は、フッ素系のガスに対する耐食性が高いので、クリ
ーニングガスに多用されるフッ素系のガス雰囲気に曝さ
れても断線しにくく、寿命が長くなる。

【００２０】また、本発明において、特にアルミ酸化物
膜を溶着法で形成した場合には、その表面に多数の凹凸
が形成され、表面積が大きくなるので、シースヒータの
熱容量が大きくなり、またアルミ酸化物膜は、熱輻射率
が高いので、シースヒータは、その熱効率が高くなる。

【００２１】なお、本発明の加熱装置は、シール材を有
しており、このシール材は、二枚の絶縁板の境界に配置
され、シースヒータが配置された領域の周囲に設けられ
ている。

【００２２】このため、シースヒータは、シール材によ
り、加熱装置外部の雰囲気と遮断されるので、加熱装置
が、シースヒータを腐食させやすいガス雰囲気に曝され
た場合であっても、シースヒータはそのガスには直接曝
されない。従って、シースヒータが外気に通じていた従
来に比してシースヒータが腐食しにくくなるので、加熱
装置の寿命が長くなる。

【００２３】さらに、本発明の加熱装置は、上述した本
発明のシースヒータで構成されるようにしてもよい。こ
のように構成することにより、仮にシール材を介してシ
ースヒータがフッ素系のガスに曝されるようなことがあ
っても、本発明のシースヒータはフッ素系ガスに対して
耐食性が高いので、腐食しにくく、さらに寿命が長くな
る。また、上述したように本発明のシースヒータは熱効
率が高いので、加熱装置全体としての熱効率が高くな
る。

【００２４】さらにまた、本発明の真空処理装置では、
上述したように寿命の長い本発明の加熱装置を基板加熱
装置として用いているので、従来に比して加熱装置を交
換する間隔が長くなり、装置のメンテナンス作業を軽減
することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１０に、本発明の
実施形態のプラズマＣＶＤ装置を示す。このプラズマＣ
ＶＤ装置１０は真空槽１２を有している。真空槽１２の
天井側には、真空槽１２と電気的に絶縁された状態で電
極１３が設けられている。他方、真空槽１２外には電圧
源２２が配置されており、真空槽１２を接地電位に置い
た状態で電極１３に高周波電圧を印加できるように構成
されている。

【００２６】真空槽１２底壁上には載置台１７が配置さ
れ、その表面に、本発明の加熱装置の一例であり、後に
詳述する加熱装置１８が取り付けられている。加熱装置
１８の表面は平坦にされており、その部分に基板２１を
水平に載置できるように構成されている。その状態の基
板２１表面は、電極１３表面と並行に対向するようにな
っている。

【００２７】電極１３には、パイプから成るガス導入手
段１９が接続されている。電極１３内にはガス貯留室１
４が設けられており、ガス導入手段１９の先端部分はガ
ス貯留室１４に接続されている。

【００２８】ガス導入手段１９の他端部には、図示しな
いガスボンベが接続されており、ガスボンベ内に充填さ
れた反応性ガスや希釈ガス等を貯留室１４内に導入でき
るように構成されている。

【００２９】電極１３の基板２１に対向する壁面には、
複数の孔１５が形成されており、各孔１５によってガス
貯留室１４内部と真空槽１２内部とが連通するように構
成されている。この孔１５とガス貯留室１４とによっ
て、シャワーノズル１６が構成されている。

【００３０】上述した加熱装置１８の断面図を図２(ａ)
に示す。この加熱装置１８は、カーボンで構成され、本
発明のヒータ本体を構成する２枚の絶縁板５３、５４
と、後に詳述する線状のシースヒータ５５とを有してい
る。

【００３１】２枚の絶縁板５３、５４は、互いに密着し
て上下に配置されている。２枚の絶縁板５３、５４のう
ち、上側の絶縁板５３の周囲には、庇部９５が設けられ
ており、この庇部９５は、絶縁板５３、５４が密着した
状態で、庇部９５が設けられていない下側の絶縁板５４
の側面と密着している。

【００３２】絶縁板５３、５４の互いに対向する面の、
絶縁板５３、５４には、絶縁板５３、５４の外周より内
側の領域に、折れ曲がりながら引き回された溝(図示せ
ず)がそれぞれ形成されている。これらの溝は絶縁板５
３、５４の側面からは見えないようになっており、溝の
一部には、下側の絶縁板５４を貫通して設けられた貫通
孔(図示せず)が設けられている。

【００３３】これらの溝には、溝と同じパターンに成形
された線状のシースヒータ５５がはめ込まれており、２
枚の絶縁板５３、５４の両方と密着している。シースヒ
ータ５５の両端７４は、上述した溝の一部に設けられた
貫通孔を介して下側の絶縁板５４の裏面に引き出され
る。載置台１７には、絶縁板５４の貫通孔と連通して配
置された孔(図示せず)が設けられており、下側の絶縁板
５４の裏面に引き出されたシースヒータ５５の両端７４
は、載置台１７の孔と真空槽１２の壁面とを介して、真
空槽１２と絶縁された状態で真空槽１２の外部に引き出
されている。こうして引き出されたシースヒータ５５の
両端７４は、真空槽１２外に配置された図示しない電源
に接続されており、電源を起動してシースヒータ５５に
通電すると、シースヒータ５５が発熱し、絶縁板５３、
５４全体が昇温する。

【００３４】２枚の絶縁板５３、５４は、その四隅がボ
ルト９０でねじ止めされているとともに、絶縁板５３、
５４の間に設けられたシール材７１で固定されている。
このシール材７１は、絶縁板５３、５４の縁近傍に配置
されている。

【００３５】本実施形態のシースヒータ５５の平面図
と、断面図を図３(ａ)、(ｂ)にそれぞれ示す。このシー
スヒータ５５は、クロム１６％,鉄７％を含むニッケル
系合金(商標名インコネル)からなるチューブ５８を有し
ている。チューブ５８内には、線状の抵抗発熱体(Ｎｉ
Ｃｒ)５６が挿通され、絶縁物(ＭｇＯ)５７が充填され
ており、絶縁物５７によってチューブ５８と抵抗発熱体
５６が絶縁されている。さらに、チューブ５８の周囲に
は、アルミナ膜５９が形成されている。

【００３６】本実施形態の加熱装置１８を製造するに
は、最初に絶縁物５７と抵抗発熱体５６とが挿通された
線状のチューブ５８を折り曲げ、複数の折り曲げ部を有
する所定パターンに成形しておく。

【００３７】その後、所定パターンに成形されたチュー
ブ５８を、図４に示すように溶射ガン６０近傍に配置す
る。溶射ガン６０は、その内部にアルゴンガスを導入し
て外部に噴出するとともに、内部で放電を生じさせるこ
とができるように構成されており、溶射ガン６０をチュ
ーブ５８に向け、アルゴンガスを溶射ガン６０内部に導
入して噴出させた状態で放電を生じさせると、放電によ
りアルゴンガスがプラズマ化し、外部に噴出され(以下
でプラズマジェットと称する)、チューブ５８に向けて
吹き付けられる。

【００３８】溶射ガン６０には、プラズマジェット中に
アルミナの粉末を供給できる機構(図示せず)が設けられ
ており、プラズマジェットをチューブ５８に向けて噴出
させた状態で、プラズマジェット中にアルミナの粉末を
供給すると、アルミナ粉末はプラズマジェット中で溶融
しつつ加速されながら飛行して、チューブ５８表面に衝
突する。溶融したアルミナ粉末はチューブ５８に濡れな
がら熱を奪われ固化し、チューブ５８表面にアルミナ膜
５９が成膜される。以上の工程を経て、シースヒータ５
５が形成される。

【００３９】こうして形成されたシースヒータ５５を、
図５(ａ)に示すように、下側の絶縁板５４上に配置し、
下側の絶縁板５４の表面に形成された溝６１にはめ込
み、絶縁板５４に密着させるとともに、シースヒータ５
５の端部７４を、上述した不図示の貫通孔を挿通させ、
下側の絶縁板５４の裏面に引き出しておく。

【００４０】次に、図５(ｂ)に示すように、下側の絶縁
板５４表面に、カーボン粒子を含有するシール材の原料
液を塗布し、下側の絶縁板５４上に、上側の絶縁板５３
を対向させる。塗布されたシール材の原料液を符号７
６、７７に示す。上側の絶縁板５３の表面には溝６２が
形成されており、この溝６２と、シースヒータ５５とが
対向するように上下の絶縁板５３、５４を相対的に位置
合わせした後に、上側の絶縁板５３を下側の絶縁板５４
上に圧着する。すると、図５(ｃ)に示すように、シース
ヒータ５５が上側の絶縁板５３の溝６２にはめ込まれる
とともに、上下の絶縁板５３、５４が、塗布されたシー
ル材の原料液７６、７７と密着し、上側の絶縁板５３の
庇部９５が、下側の絶縁板５４の側面と密着する。絶縁
板５３、５４が圧着されて、シール材の原料液７６が絶
縁板５３、５４の境界から側面へ浸み出しても、シール
材７１は庇部９５と絶縁板５３、５４の側面との間で止
まり、はみ出さないようになっている。

【００４１】上下の絶縁板５３、５４には、それぞれね
じ孔８０、８１が設けられており、各ねじ孔８０、８１
は、絶縁板５３、５４が相対的に位置合わせされた状態
で互いに連通するように配置されている。このねじ孔８
０、８１を、図５(ｄ)に示すようにボルト９０でねじ止
めする。

【００４２】その後、窒素ガス雰囲気において、１００
０度程度の温度でシール材の原料液７６、７７を焼成
し、シール材７１、７２を形成する。こうして形成され
たシール材７１、７２で二枚の絶縁板５３、５４が固定
され、図２に示した本実施形態の加熱装置１８が完成す
る。

【００４３】以上説明した加熱装置１８を有するプラズ
マＣＶＤ装置１０を用い、絶縁膜を形成する場合、先
ず、真空排気系２３によって真空槽１２内を真空排気す
るとともに、シースヒータ５５に通電して、加熱装置１
８を加熱して昇温させる。真空槽１２内の圧力が所定圧
力になるとともに、加熱装置１８が所定温度まで昇温さ
れたら、真空状態を維持しながら、真空槽１２内に基板
２１を搬入し、加熱装置１８上に載置する。すると、加
熱装置１８で基板２１が加熱され、基板２１が昇温する 基板２１が所定温度まで昇温されたら、ガス貯留室１４
内に反応性ガスを導入し、シャワーノズル１６から基板
２１表面に対して吹き付ける。

【００４４】その状態で電圧源２２を起動し、電極１３
に高周波の交流電圧を印加すると、反応性ガスが電離
し、基板２１表面近傍に、そのガスのプラズマが形成さ
れる。プラズマ中では反応性ガスは活性化するので、基
板２１表面には活性なラジカルが入射し、基板２１表面
で化学反応が進行して薄膜が形成される。

【００４５】その後、成膜済みの基板２１を真空槽１２
外へと搬出した後に、未処理の基板２１を真空槽１２内
へと搬入して、上述の成膜処理を行う。この動作を繰り
返して、所定枚数の基板２１表面に成膜処理を行う。

【００４６】こうして、所定枚数の成膜処理が終わり、
一連の成膜プロセスが終了したら、真空槽１２内に、例
えばＣＦ₄ガスやＮＦ₃ガス等のようなフッ素系のクリー
ニングガスを導入して、真空槽１２内をクリーニングす
る。

【００４７】図２(ａ)、(ｂ)に示すように、シースヒー
タ５５は、絶縁板５３、５４上で巻回され、その端部７
４は、下側の絶縁板５４に設けられた貫通孔を挿通し
て、下側の絶縁板５４の裏面に引き出されている。従っ
て、シースヒータ５５は、絶縁板５３、５４の縁よりも
内側の位置に収められている。

【００４８】シースヒータ５５が巻回された領域の周囲
には、シール材７１が設けられており、結果として、シ
ール材７１はリング状になり、シースヒータ５５はリン
グの内側に配置される。また、シール材７１で囲まれた
空間には、下側の絶縁板５４の貫通孔が通じているが、
下側の絶縁板５４は載置台１７と密着しており、絶縁板
５４の貫通孔にはガスが入り込まないようにされている
ので、シール材７１で囲まれた空間は外気と遮断され、
その空間内にはクリーニングガスが侵入せず、シースヒ
ータ５５がクリーニングガスに曝されないようになって
いる。

【００４９】従って、シースヒータ５５は腐食しにく
く、その寿命が長くなる。これにより、加熱装置１８の
交換を頻繁に行う必要がないので、従来に比してプラズ
マＣＶＤ装置１０のメンテナンス作業を軽減できる。

【００５０】また、本実施形態のシースヒータ５５で
は、その表面にアルミナ膜５９が形成されているので、
従来のシースヒータ１５５に比して、フッ素系のクリー
ニングガスに曝されても腐食しにくくなっている。

【００５１】従って、何らかの原因で、シール材７１で
囲まれた空間内にクリーニングガスが侵入し、シースヒ
ータ５５がクリーニングガスに曝されるようなことがあ
っても、本実施形態のシースヒータ５５は腐食しにくい
ので、従来構造のシースヒータを用いた場合に比して、
加熱装置１８の寿命がさらに長くなる。従来構造の加熱
装置１１８の寿命は１ヶ月程度であったが、本実施形態
の加熱装置１８では、その寿命が６ヶ月以上まで達し
た。

【００５２】また、アルミナ膜５９は溶射法でチューブ
５８上に成膜されている。この場合、アルミナ膜５９の
表面には多数の凹凸が形成され、表面積が大きくなるの
で熱容量が大きくなり、加えてアルミナ膜５９は熱輻射
率が高いので、シースヒータ５５の熱効率は高くなる。

【００５３】このように熱効率の高いシースヒータ５５
を用いることにより、本実施形態の加熱装置１８の熱効
率も、従来の加熱装置に比して高くなるので、昇温に要
する時間を従来に比して短縮できる。

【００５４】なお、上述の加熱装置１８では、シースヒ
ータ５５の周囲にリング状に配置されたシール材７１の
他に、そのシースヒータ７１の内側の領域内に、シース
ヒータ５５の折り曲げ部近傍に点在して配置されたシー
ル材７２を設けており、このシール材７２により、絶縁
板５３、５４間の接着強度を高めている。これらのシー
ル材７２は、必ずしも必要なものではないので、設けな
くともよい。

【００５５】また、本実施形態の加熱装置１８では、図
２(ｂ)に示すように、表面にアルミナ膜５９が形成され
たシースヒータ５５を用いたが、本発明はこれに限られ
るものではなく、図７(ｃ)に示した従来構造のシースヒ
ータ１５５を用いても、従来のヒータに比して加熱装置
１８の寿命は長くなる。ただし、何らかの原因で、シー
スヒータがクリーニングガスに曝されてしまった場合に
は、従来構造のシースヒータでは、腐食の進行が速く、
寿命が短くなるので、本実施形態のシースヒータ５５を
用いることが好ましい。

【００５６】さらに、本実施形態では、ヒータ本体を構
成する絶縁板５３、５４の両方に、シースヒータ５５を
はめ込む溝６１、６２を設けたが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、溝が絶縁板５３、５４のいずれか一
方に設けられるように構成してもよい。

【００５７】また、本実施形態では、ボルト９０で二枚
の絶縁板５３、５４をねじ止めしているが、シール材７
１、７２によって絶縁板５３、５４が確実に固定されて
いれば、必ずしもボルト９０を用いてねじ止めしなくと
もよい。さらに、本実施形態では、プラズマＣＶＤ装置
について説明しているが、本発明の真空処理装置はこれ
に限られるものではない。

【００５８】

【発明の効果】本発明のシースヒータでは、シースヒー
タ自身の寿命が長くなる。また、本発明の加熱装置によ
れば、加熱装置自身の寿命が長くなるとともに、熱効率
が高まり、基板を所定温度まで昇温させるのに要する時
間を短縮することができる。さらに、本発明の真空処理
装置によれば、加熱装置の交換を頻繁にする必要がなく
なるため、メンテナンス作業を軽減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面
図

【図２】(ａ)：本発明の加熱装置の一例を示す断面図 (ｂ)：本発明の加熱装置内の各部材の配置を説明する平
面図

【図３】(ａ)：本発明のシースヒータを説明する平面図 (ｂ)：本発明のシースヒータを説明する断面図

【図４】本発明のシースヒータの製造工程を説明する図

【図５】(ａ)：本発明の加熱装置の製造工程を説明する
第１の断面図 (ｂ)：本発明の加熱装置の製造工程を説明する第２の断
面図 (ｃ)：本発明の加熱装置の製造工程を説明する第３の断
面図 (ｄ)：本発明の加熱装置の製造工程を説明する第４の断
面図

【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面図

【図７】(ａ)：従来の加熱装置を説明する断面図 (ｂ)：従来の加熱装置内の各部材の配置を説明する平面
図 (ｃ)：従来のシースヒータを説明する断面図

【符号の説明】

１０……プラズマＣＶＤ装置(真空処理装置) １８…
…加熱装置 ５３、５４……絶縁板 ５５……シー
スヒータ ５６……抵抗発熱体 ５７……絶縁体
５８……金属管 ５９……アルミナ膜(アルミニウ
ム酸化物膜) ７１、７２……シール材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 一也 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 3K092 PP20 QA01 QA05 QB02 QB26 RD02 RD26 RF03 RF18 RF27 UB01 VV40 4K029 DA08 4K030 KA10 KA24 5F045 BB10 EB06 EB10 EF05 EH05 EH14 EK09

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属管と、 前記金属管に挿通された線状の発熱体と、 前記金属管内に充填され、前記発熱体と前記金属管とを
   絶縁する絶縁体とを有するシースヒータであって、 前記金属管表面には、アルミニウム酸化物膜が形成され
   たことを特徴とするシースヒータ。
2. 【請求項２】二枚の絶縁板が互いに貼り合わされて構成
   されたヒータ本体と、 前記ヒータ本体内部の前記各絶縁板間に配置されたシー
   スヒータと、 前記二枚の絶縁板の境界に配置され、前記シースヒータ
   が配置された領域の周囲に設けられたシール材とを有す
   ることを特徴とする加熱装置。
3. 【請求項３】前記二枚の絶縁板の、互いに貼り合わされ
   る面のいずれか一方又は両方には溝が形成されており、
   前記溝内に前記シースヒータが配置され、前記二枚の絶
   縁板は互いに密着されたことを特徴とする請求項２記載
   の加熱装置。
4. 【請求項４】請求項２又は請求項３記載の加熱装置であ
   って、 前記シースヒータは、請求項１記載のシースヒータで構
   成されたことを特徴とする加熱装置。
5. 【請求項５】真空槽と、 基板加熱装置とを有する真空処理装置であって、 前記基板加熱装置は、請求項２乃至請求項４のいずれか
   １項記載の加熱装置で構成されたことを特徴とする真空
   処理装置。