JP2000286094A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法Info
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Abstract
波ノイズを低減することができるプラズマ処理装置を提
供する。 【解決手段】 外側電極1を備えた筒状の反応管2、及
び反応管2の内部に配置される内側電極3を具備して構
成される。反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反
応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と内側電
極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反
応管2の内部にグロー放電を発生させる。反応管2から
プラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装
置に関する。高周波電流が流れるループの大きさを小さ
くすることができる。
Description
存在する有機物等の異物のクリーニング、レジストの剥
離、有機フィルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、
製膜、表面改質などのプラズマ処理に利用されるプラズ
マを発生させるためのプラズマ処理装置、及びこれを用
いたプラズマ処理方法に関するものであり、特に、精密
な接合が要求される電子部品の表面のクリーニングに好
適に応用されるものである。
うことが試みられている。例えば、特開平2−1517
1号公報や特開平3−241739号公報や特開平1−
306569号公報には、反応容器内の放電空間に一対
の電極を配置すると共に電極の間に誘電体を設け、放電
空間をHe(ヘリウム)やAr(アルゴン)などの希ガ
スを主成分とするプラズマ生成用ガスで充満し、反応容
器に被処理物を入れると共に電極の間に交流電界を印加
するようにしたプラズマ処理方法が開示されており、誘
電体が配置された電極の間に交流電界を印加することに
より安定的にグロー放電を発生させ、このグロー放電に
よりプラズマ生成用ガスを励起して反応容器内にプラズ
マを生成し、このプラズマにより被処理物の処理を行う
ようにしたものである。
にのみプラズマ処理を行いにくく、また処理時間も長く
かかるという問題があった。そこで上記方法を発展させ
て、大気圧下でグロー放電により生成したプラズマ(特
にプラズマの活性種)を被処理物にジェット状に吹き出
してプラズマ処理を行うことが提案されている(例え
ば、特開平4−358076号公報、特開平3−219
082号公報、特開平4−212253号公報、特開平
6−108257号公報)。
う方法において、使用する交流の周波数が10kHz未
満であれば、生成されるラジカル量が少なくなってプラ
ズマ処理の効果が小さくなる。従って、10〜数十MH
zの周波数の交流を用いるようにしているが、このよう
に10〜数十MHzの周波数の交流を用いると、プラズ
マの温度(ガス温度)が非常に高くなって被処理物が空
気中で酸化したり炭化したりして熱的な損傷を受けると
いう問題があった。
を行う方法においては、ストリーマー放電が被処理物に
向かって生成しやすく、このストリーマー放電により被
処理物の表面が損傷を受けるという問題があった。
ことができると共に被処理物のストリーマー放電による
損傷を少なくすることができるプラズマ処理装置が本発
明者らによって出願されている(特願平10−3447
35号)。このプラズマ処理装置Aは、図13に示すよ
うに、外側電極1を備えた筒状の反応管2、及び反応管
2の内部に配置される内側電極3を具備して構成され、
反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混
合気体を導入すると共に外側電極1と内側電極3の間に
高周波電源15で発生させた交流電界を印加することに
より大気圧下で反応管2の内部にグロー放電を発生さ
せ、反応管2の吹き出し口21からプラズマジェット6
5を吹き出すようにするプラズマ処理装置であって、外
側電極1と内側電極3に冷却手段を設けるようにしたも
のであり、冷却手段で外側電極1と内側電極3を冷却手
段で冷却することによって、大気圧下で周波数及び出力
の高い交流でプラズマを生成しても、外側電極1と内側
電極3の両方の温度上昇を抑えることができ、プラズマ
の温度が高くならないようにすることができて被処理物
7の熱的損傷を少なくすることができるものであり、ま
た均質なグロー放電を生成してストリーマー放電の生成
を抑えることができて被処理物7のストリーマー放電に
よる損傷を少なくすることができるようにしたものであ
る。
置Aにおいて、外側電極1と内側電極3の間に印加する
交流電界は高周波交流電界であり、外側電極1と内側電
極3の周辺近傍にはこの高周波電界に起因する高周波ノ
イズが放射されており、この高周波ノイズによりプラズ
マ処理装置Aの周辺に設置された機器が誤動作や動作不
能に陥るという問題があった。例えば、上記のプラズマ
処理装置Aはプラズマジェット65でスポット的な処理
を行うために、被処理物7はX−Yテーブルのような可
動台の上に置かれ、外部からの制御により可動台を移動
させることによって被処理物7の特定の個所をプラズマ
で処理するようにしている。可動台はモータ制御により
その位置が制御されるが、制御用のモータは可動台の近
傍に配置されており、従って、モータはプラズマ処理装
置Aにも近づいて配置されることになり、上記の高周波
ノイズによって、誤動作や動作不能に陥ることがあっ
た。
の外部に漏洩するのを防止するためには、プラズマ処理
装置Aの全体を厳重にシールドすることが考えられる
が、プラズマ処理装置Aの全体が大型化し、また重量が
増加し、さらにノイズを低減するために多くの部材が必
要になるという問題があった。
あり、外側電極と内側電極の周辺近傍における高周波ノ
イズを低減することができるプラズマ処理装置を提供す
ることを目的とするものであり、また本発明は、外側電
極と内側電極の周辺近傍における高周波ノイズが少ない
プラズマ処理方法を提供することを目的とするものであ
る。
プラズマ処理装置Aは、外側電極1を備えた筒状の反応
管2、及び反応管2の内部に配置される内側電極3を具
備して構成され、反応管2に不活性ガスまたは不活性ガ
スと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と
内側電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧
下で反応管2の内部にグロー放電を発生させ、反応管2
からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処
理装置において、外側電極1と内側電極3の間に交流電
界を印加するための高周波電力の高電圧側を外側電極1
に接続し、内側電極3と接続される接地電極80を外側
電極1の近傍に設けて成ることを特徴とするものであ
る。
装置Aは、請求項1の構成に加えて、外側電極1と接地
電極80の間隔を15〜30mmに形成して成ることを
特徴とするものである。
装置Aは、請求項1又は2の構成に加えて、接地電極8
0に筒状の接地電極本体71を形成し、接地電極本体7
1内に反応管2を挿着して成ることを特徴とするもので
ある。
装置Aは、請求項1乃至3のいずれかの構成に加えて、
接地電極80に高周波電力供給用の同軸ケーブルが接続
されるコネクタ74を設けて成ることを特徴とするもの
である。
装置Aは、請求項3又は4の構成に加えて、接地電極本
体71の内周面と反応管2の外周面の間に隙間89を設
けて成ることを特徴とするものである。
装置Aは、請求項2乃至5のいずれかの構成に加えて、
接地電極本体71の内径と反応管2の外径の差を4〜2
0mmに形成して成ることを特徴とするものである。
は、請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装
置Aで発生させたプラズマジェットを被処理物に供給し
てプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
する。
円筒状に形成されるものであって、図8に示すように、
その上端はガス導入口90として開放されている。ま
た、反応管2の下部には直径が下側ほど小さくなるよう
な先細り形状に絞り込まれたテーパー構造の集束部20
が形成されていると共に、反応管2の下端面である集束
部20の下面には吹き出し口21が設けられている。こ
のように集束部20を設けないで吹き出し口21の口径
を反応管2の直径とほぼ同じに形成した場合、吹き出し
口21から吹き出されるプラズマジェットの流速を加速
しようとすると、後述の外側電極1と内側電極3の間隔
を小さくして放電空間22の体積を小さくしなければな
らず、このために外側電極1と内側電極3の冷却が難し
くなるが、本発明のように反応管2よりも直径が絞り込
まれた集束部20を設けることによって、放電空間22
の体積を小さくすることなくプラズマジェットの流速を
加速することができ、短寿命のラジカルなどの反応性ガ
ス活性粒子が消滅する前に被処理物にプラズマジェット
を到達させることができて被処理物のプラズマ処理を効
率よく行うことができる。被処理物の表面のクリーニン
グに適したプラズマジェットの流速を得るためには、集
束部20の外周面と集束部20以外の反応管2の外周面
との間に形成されるテーパー角αが10〜30°である
ことが好ましい。
が0.1〜5mmの真円の面積に相当する大きさに形成
されている。吹き出し口21の開口面積が上記の範囲よ
りも小さすぎると、吹き出されるプラズマジェットの処
理範囲が小さくなりすぎて、被処理物のプラズマ処理に
長時間を要することになり、逆に、吹き出し口21の開
口面積が上記の範囲よりも大きすぎると、吹き出される
プラズマジェットの処理範囲が大きくなりすぎて、被処
理物に局所的なプラズマ処理を施すことができなくなる
恐れがある。
は、外側電極1と内側電極3の間の放電空間22におけ
る低温化の重要な要素であって、誘電率が2000以下
の誘電体材料を用いるのが好ましい。反応管2の誘電体
材料の誘電率が2000を超えると、外側電極1と内側
電極3の空間に印加される電圧が大きくなる代わりに、
放電空間22でのプラズマの温度(ガス温度)が上昇す
る恐れがある。反応管2を形成する誘電体材料の誘電率
の下限値は特に限定されないが、2であり、これよりも
小さいと、放電を維持するために、外側電極1と内側電
極3の間に印加する交流の電圧を大きくしなければなら
ず、このため、外側電極1と内側電極3の間の放電空間
22での電力消費量が大きくなって放電空間22でのプ
ラズマの温度が上昇する恐れがある。
的には、石英、アルミナ、イットリア部分安定化ジルコ
ニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などを例示
することができる。またマグネシア(MgO)単体ある
いはマグネシアを含む誘電体材料で反応管2を形成する
こともでき、このことでグロー放電の安定化を図ること
ができる。これは、マグネシアは二次電子放出係数が高
いので、プラズマ中のイオンが反応管2の表面(内面)
に衝突した場合、反応管2の表面から二次電子が多量に
放出されることになり、この二次電子が反応管2の表面
に形成されたシースで加速されてプラズマ生成用ガスを
電離することになり、この結果、放電の安定化が保たれ
ると推察される。
50と外電極管51からなるジャケット構造に形成され
ている。内電極管50と外電極管51は熱伝導性の高い
金属材料、例えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の
高いステンレス(SUS304など)などで形成するこ
とができる。内電極管50の外周面には冷媒流通溝49
が下端から上端に亘って螺旋状に形成されている。外電
極管51の上部には外電極管51の内周面に開口する流
入孔52が形成されていると共に、外電極管51の上部
の外周面には流入孔52と連通する流入管34が溶接に
より固着されて突設されている。また外電極管51の下
部には外電極管51の内周面に開口する流出孔53が形
成されていると共に、外電極管51の下部の外周面には
流出孔53と連通する流出管35が溶接により固着され
て突設されている。
0を嵌め込んで内電極管50の周囲を囲うように外電極
管51を取り付けると共に外電極管51と内電極管50
を溶接により固着し、さらに、外面全体に金メッキを施
すことによって外側電極1が形成されている。金メッキ
を施す理由は、外電極管51と内電極管50を銅で形成
した場合の耐食性の向上と、放電用の高周波電力を供給
する際に使用する金属製の端子55との接触抵抗を低下
させるためである。この外側電極1にあっては、冷媒流
通溝49の上端の位置に流入孔52の開口を合致させる
と共に冷媒流通溝49の下端の位置に流出孔53の開口
を合致させている。また、内電極管50の内側が上下に
開口する挿着孔31として形成されている。また、挿着
孔31の上側開口縁部及び下側開口縁部には、外側電極
1を反応管2に密着性させてがたつきなく取り付けるた
めのブッシュ54が設けられている。そして、挿着孔3
1に反応管2を差し込んで外側電極1の内周面を反応管
2の外周面に接触させることによって、外側電極1を反
応管2の集束部20の上側に取り付けることができる。
応管2を介してプラズマの発熱の影響を受けることにな
り、外側電極1が長期にわたってプラズマで加熱される
ことによって、外側電極1を構成する金属材料の酸化劣
化を招き、給電不良(導通不良)を引き起こす恐れがあ
る。従って、上記の外側電極1では異常な発熱を防止す
るために簡易な構造で冷却系を形成するようにしてい
る。つまり、上記の外側電極1を冷却するにあたって
は、流入管34を通じて冷媒を冷媒流通溝49に供給し
て(矢印)、冷媒を冷媒流通溝49に充満させるよう
にして外側電極1の冷却を行うようにしている。また、
冷媒流通溝49に充満させた冷媒は外側電極1の温度上
昇により温度が高くなり冷却能力が低下してくるが、こ
の冷却能力が低下した冷媒は流出管35を通じて冷媒流
通溝49から排出し(矢印)、これと同時に流入管3
4を通じて冷却能力の高い冷媒を新たに冷媒流通溝49
に導入する。冷媒流通溝49から排出された冷却能力の
低下した冷媒は冷凍機に導入され、ここで冷却されて冷
却能力の高い冷媒に戻される。冷却能力が向上した冷媒
は、上記のように流入管34を通じて冷媒流通溝49に
導入される。このように冷媒を循環させることによっ
て、外側電極1を常に冷却して所望の温度に保つことが
できる。上記のように外側電極1の流通路32と冷凍機
の間で循環させる循環手段としては内側電極3の循環手
段と同様にポンプを用いることができる。
使用することができるが、0℃で不凍性を有し、且つ電
気絶縁性及び不燃性や化学安定性を有する液体であるこ
とが好ましく、冷媒の電気絶縁性能は0.1mm間隔で
の耐電圧が10kV以上であることが好ましい。この範
囲の絶縁性を有する冷媒を用いる理由は、高電圧が印加
される電極からの漏電を防止するためである。このよう
な性質を有する冷媒としては、パーフルオロカーボン、
ハイドロフルオロエーテル等を例示することができ、ま
た純水にエチレングリコールを5〜60重量%添加した
混合液であってもよい。
3は電極本体管25と冷媒供給管26から構成される二
重管で形成されていおり、内側電極3の内部において電
極本体管25と冷媒供給管26の間には流路部29とし
て形成されている。電極本体管25と冷媒供給管26は
外側電極1と同様の金属材料で形成されることが好まし
い。電極本体管25は上面が閉口する断面略円形で中空
の棒状に形成されるものであって、その直径(外径)は
1〜20mmに設定するのが好ましい。電極管本体25
の直径が1mm未満であれば、放電空間22の面する内
側電極3の表面積が小さくなり過ぎて放電が起こりにく
くなり、プラズマを充分に生成することができなくなる
恐れがあり、電極管本体25の直径が20mmを超える
と、相対的に反応管2や外側電極1を大きくしなければ
ならず、装置が大型化する恐れがある。また、反応管2
よりも上側に突出する箇所には流路部29と連通する排
出管部27が設けられている。冷媒供給管26は電極本
体管25よりも小径の管状に形成されており、電極本体
管25の中心部を貫くように電極本体管25の下部から
電極本体管25の上側に突出するまでに設けられてい
る。また、冷媒供給管26の下端面は供給口28として
開口されている。供給口28の周囲には複数個(図4
(b)では6個)の振れ防止爪42を放射状に突出させ
て設けられている。
に冷媒供給管26の長手方向(上下方向)に長い複数本
の切り込みを冷媒供給管26の周方向に略等間隔で設け
ると共に切り込みで分割された部分を流路部29側に折
り曲げることによって形成することができる。
ラズマの発熱の影響を受けることになり、内側電極3が
長期にわたってプラズマで加熱されることによって、内
側電極3を構成する金属材料の酸化劣化を招き、給電不
良(導通不良)を引き起こす恐れがある。従って、上記
の内側電極3では異常な発熱を防止するために簡易な構
造で冷却系を形成するようにしている。つまり、内側電
極3を冷媒によって冷却するにあたっては、冷媒供給管
26にその上端の開口から冷媒を供給する(矢印)と
共に冷媒供給管26の供給口28から冷媒を内側電極3
の内部の流路部29に流入し、冷媒を流路部29に充満
させるようにして行うことができる。また流路部29に
充満させた冷媒は内側電極3の温度上昇により温度が高
くなり冷却能力が低下してくるが、この冷却能力が低下
した冷媒は排出管部27を通じて流路部29から排出し
(矢印)、これと同時に冷媒供給管26を通じて冷却
能力の高い冷媒を新たに流路部29に導入する。流路部
29から排出された冷却能力の低下した冷媒は冷凍機に
導入され、ここで冷却されて冷却能力の高い冷媒に戻さ
れる。冷却能力が向上した冷媒は、上記のように冷媒供
給管26を通じて流路部29に導入される。このように
冷媒を循環させることによって、内側電極3を常に冷却
して所望の温度に保つことができる。上記のように内側
電極3の流路部29と冷凍機の間で循環させる循環手段
としてはポンプを用いることができ、また、冷媒として
は上記と同様のものを用いることができる。さらに、冷
媒の流れは上記と逆であっても良い。
あたって、振れ防止爪42が無い場合、冷媒供給管26
が冷媒の圧力等により電極管本体25に対して振れて電
極管本体25の上下方向の中心位置と冷媒供給管26の
上下方向の中心位置がずれると、流路部29に狭い部分
ができて冷媒の流れが不均一になることがある。最悪の
場合、電極管本体25の内周面と冷媒供給管26の外周
面が接触して流路部29が無くなり、冷媒が流れなくな
って、内側電極3の外面の冷却能力が著しく阻害される
ことになる。そして、内側電極3が冷却されないと、内
側電極3の外面(界面)から水分等の付着ガスの脱離が
生じ、プラズマの成分ガスの組成変化を生まれ、結果と
してプラズマのクリーニング性能を劣化させてしまう。
また、内側電極3の温度上昇により2次電子の放出を促
進するために、プラズマ放電(グロー放電)がアーク放
電(ストリーマ放電)に移行して内側電極3の寿命が短
くなる恐れがある。さらに、内側電極3の温度上昇によ
り内側電極3を構成する金属の溶融の原因になることも
容易に類推することができる。
記の内側電極3では複数本の振れ防止爪42を冷媒供給
管26の外周に放射状に突設したものであり、このこと
で振れ防止爪42の先端が電極管本体25の内周面に当
接して冷媒供給管26が振れないようにすることがで
き、電極管本体25の中心位置と冷媒供給管26の中心
位置がほぼ合致した状態で同心円上に配置された状態に
保つことができるものである。従って、流路部29の狭
い部分が形成されなくなって冷媒の流れ(図5(a)に
矢印で冷媒の流れを示す)が均一になり、内側電極3を
均一に冷却して温度を均一化することができるものであ
る。
部29に突出させると、冷媒供給管26の下端付近にお
いて冷媒の圧力損失が大きくなって冷媒が流れにくくな
り、しかも、隣接する振れ防止爪42の間が狭くてここ
にスケール(不純物)等が溜まって流路部29が詰まっ
てしまう恐れがある。そこで図6に示すように、一部の
振れ防止爪42を内側(供給口28側)に少し折り曲げ
るようにする。この場合、対向する一対の振れ防止爪4
2を互いに近づく方向に折り曲げるのが好ましい。そし
て、このように一部の振れ防止爪42を内側に折り曲げ
て流路部29に突出させないようにすることによって、
冷媒の圧力損失を小さくすることができ、冷媒が流れ易
くなるものであり(図6に冷媒の流れを矢印で示す)、
しかも、スケール等が溜まりにくくなって流路部29の
目詰まりを防止することができるものである。
め、及びプラズマの熱照射による消耗を低減して産業レ
ベルでの実用的な寿命を確保するために、内側電極3の
電極本体管25の表面は誘電体材料で形成される誘電体
膜でコーティングされていることが好ましい。誘電体材
料の誘電率は2000以下であることが好ましく、誘電
体材料の誘電率が2000を超えると、外側電極1と内
側電極3の空間に印加される電圧が大きくなる代わり
に、外側電極1と内側電極3の間の放電空間22でのプ
ラズマの温度(ガス温度)が上昇する恐れがある。絶縁
性材料の誘電率の下限値は特に限定されないが、2であ
り、これよりも小さいと、放電を維持するために、外側
電極1と内側電極3の間に印加する交流の電圧を大きく
しなければならず、このため、外側電極1と内側電極3
の間の放電空間22での電力消費量が大きくなって放電
空間22でのプラズマの温度が上昇する恐れがある。
的には、石英、アルミナ、イットリア部分安定化ジルコ
ニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などを例示
することができる。さらに、アルミナ(Al2O3)、酸
化チタン(チタニアでTiO 2)、SiO2、AlN、S
i3N、SiC、DLC(ダイヤモンド様炭素被膜)、
チタン酸バリウム、PZT(チタン酸鉛ジルコネート)
などの誘電体材質のものを例示することができる。また
マグネシア(MgO)単体あるいはマグネシアを含む誘
電体材料を用いることもでき、このことでグロー放電の
安定化を図ることができる。これは、マグネシアは二次
電子放出係数が高いので、プラズマ中のイオンが内側電
極3の表面のコーティングに衝突した場合、誘電体膜の
表面から二次電子が多量に放出されることになり、この
二次電子がコーティングの表面に形成されたシースで加
速されてプラズマ生成用ガスを電離することになり、こ
の結果、放電の安定化が保たれると推察される。このよ
うなマグネシアを含む絶縁性材料としては、例えば、ア
ルミナ等のセラミック粉末の中に微量(0.01〜5v
ol%)のマグネシアを添加して焼結した焼結体、及び
石英などのガラス質の表面にCVD等でMgO膜を形成
したものなどを挙げることができる。
誘電体材料で円筒体(セラミック管やガラス管)を形成
し、これの内側に内側電極3を挿着して密着させる方
法、及びアルミナ、チタン酸バリウム、酸化チタン、P
ZTなどの粉末をプラズマ中で分散させ、内側電極3の
電極本体管25の表面に吹き付けるようにするプラズマ
溶射法、及びシリカ、酸化スズ、チタニア、ジルコニ
ア、アルミナなどの無機質粉末を溶剤などにより分散
し、内側電極3の電極本体管25の表面にスプレーなど
で吹き付けて被覆した後、600℃以上の温度で溶融さ
せるいわゆる琺瑯被覆方法、及びゾルゲル法によるガラ
ス質膜の形成方法などを採用することができる。さらに
気相蒸着法(CVD)もしくは物理蒸着法(PVD)に
より内側電極3の電極本体管25の表面を誘電体膜でコ
ーティングすることもでき、これらの方法を採用するこ
とによって、極めて緻密で平滑な吸着性の乏しい誘電体
膜で内側電極3の表面をコーティングすることができ、
放電の安定化をより促進することができる。現実的な処
理時間及びコストを考慮すると、上記の溶射法を用いる
のが好ましい。
に設定するのが好ましい。誘電体膜の厚みが10μm未
満であれば、内側電極3の劣化防止の効果が小さく、内
側電極3の長寿命化を図りにくくなる恐れがあり、誘電
体膜の厚みが500μmを超えると、グロー放電が起こ
りにくくなってプラズマの発生の効率が低下する恐れが
ある。
体膜の間には、ニッケル、クロム、アルミニウム、イッ
トリウムを含む合金膜で形成されるアンダーコートを介
在させるのが好ましい。アンダーコートは合金の溶射に
より形成することができ、具体的な合金としては、Ni
−Cr、Ni−Al、Ni−Cr−Al−Yなどを例示
することができる。内側電極3は室温と高温のプラズマ
下の繰り返しによる熱応力負荷環境に置かれることにな
り、この熱応力で誘電体膜が剥離してしまう恐れがあ
る。そこで、誘電体膜にかかる熱応力負荷の衝撃を緩和
させるためにアンダーコートを設けるようにする。金属
である電極本体管25と合金であるアンダーコートと誘
電体である誘電体膜の熱膨張率の関係は、金属の膨張率
>合金の膨張率>誘電体の膨張率となり、電極管本体2
5の熱による伸縮がアンダーコートの介在によって誘電
体膜に伝わりにくくなり、このことで、誘電体膜が剥離
しにくくなって誘電体膜の長寿命化を図ることができる
ものである。
ましい。封孔処理は誘電体膜の欠陥部分を埋める処理で
あって、SiO2、TiO2、Al2O3などの誘電体を含
む溶液に浸漬して行う。この封孔処理を行うことによっ
て、アーク放電を起こりにくくすることができ、プラズ
マの加熱による内側電極3の劣化を防止して長寿命化を
図ることができるものである。
表面のクリーニングに用いる場合は、開口面積比を5〜
60%に形成するのが好ましい。開口面積比は、次式
(1)で示される。 R=(D2−d2)/D0 2×100 …(1) 但し、Rは開口面積比、Dは集束部以外の反応管の内
径、D0は吹き出し口の内径、dは内側電極の外径をそ
れぞれ示す。
であって、放電空間22の位置における反応管2の内径
である。開口面積比が5%未満であれば、プラズマジェ
ットの流速が大きすぎて被処理物に損傷が発生する恐れ
があり、開口面積比が60%を超えると、プラズマジェ
ットの流速が小さすぎて被処理物のクリーニングが十分
に行うことができない恐れがある。
04など)やアルミニウムやアルミニウム系合金で形成
されるものであって、図7に示すように、円筒状の反応
管保持部60の上面に反応管保持部60よりも小径の円
筒状の内側電極保持部61を設けて形成されている。ア
ルミニウムやアルミニウム合金を用いると、サポーター
41の軽量化を図ることができる。また、サポーター4
1を金属材料で形成すると、内側電極3の接地をサポー
ター41から容易に行うことができて好都合である。
りも大きい孔径の反応管差し込み孔62が反応管保持部
60の下面に開口させて形成されており、反応管差し込
み孔62の内周には反応管2の軸出し用のブッシュ63
が設けられている。また、反応管差し込み孔62の上側
には反応管装着孔43が反応管差し込み孔62と連通し
て形成されている。この反応管装着孔43は反応管2の
外径とほぼ同じ孔径に形成されている。さらに、反応管
装着孔43の上側には内側電極装着孔45が反応管装着
孔43と連通して形成されている。内側電極装着孔45
は内側電極保持部61の上面に開口されており、内側電
極装着孔45は反応管2の内径とほぼ同じ孔径で、内側
電極3の外径よりも大きい孔径に形成されている。ま
た、内側電極装着孔45の外側には内側電極3の軸出し
用のブッシュ64が設けられている。
孔45の接続部分において、内側電極装着孔45の外周
には段部分が形成されることになり、この段部分が反応
管位置決め部44として形成されている。また、反応管
差し込み孔62と反応管装着孔43と内側電極装着孔4
5は上下方向の中心位置がほぼ合致するように同心円状
に形成されている。また、内側電極保持部61の外周面
にはガス導入管65が溶接により固着されて突設されて
いる。反応管保持部60には反応管差し込み孔62の孔
径の大きさを調整するために反応管締め付け具66が設
けられている。反応管締め付け具66は輪ネジで形成さ
れており、反応管差し込み孔62を囲うように螺着され
ている。また、内側電極保持部61には内側電極装着孔
45の孔径の大きさを調整するために内側電極締め付け
具67が設けられている。内側電極締め付け具67は輪
ネジで形成されており、内側電極装着孔45を囲うよう
に螺着されている。この内側電極締め付け具67は内側
電極位置決め機構46として形成されている。
極1や内側電極3と同様の材料で形成されており、円筒
状の接地電極本体71の外周に一対の内側電極接続部7
2を突設し、一方の内側電極接続部72にコネクタ取り
付け部73を延設し、コネクタ取り付け部73に高周波
用のコネクタ74を設けて形成されている。
は次のようにして行う。図8に示すように、まず、サポ
ーター41の内側電極装着孔45に上側から内側電極3
を差し込むと共に内側電極3を反応管差し込み孔62か
ら突出させる。次に、内側電極締め付け具67を回転さ
せて内側電極装着孔45の孔径を小さくすることによっ
て、内側電極3の軸出し用のブッシュ64の内周面を内
側電極3の外周面に当接させて内側電極3をブッシュ6
4で挟持する。このようにしてサポーター41に内側電
極3を取り付ける。
内側電極3の外側に振れ防止スペーサ40を設ける。振
れ防止スペーサ40はポリアセタール樹脂(ジュラコ
ン)や四フッ化エチレン樹脂(テフロン)などの樹脂製
でリング状に形成されるものであって、その外径は反応
管2の内径とほぼ同じ形成されている。また、振れ防止
スペーサ40の略中央部には差し込み開口部75が設け
られており、この差し込み開口部75に内側電極3を差
し込んで取り付けるようにする。
づけて反応管2のガス導入口90から内側電極3を反応
管2の内部に差し込むと共に反応管2の上部をサポータ
ー41に反応管差し込み孔62から差し込み、さらに、
反応管2の上部を反応管装着孔43に差し込むと共に反
応管2の上端のガス導入口90の開口縁部を反応管位置
決め部44に当接させる。次に、反応管締め付け具66
を回転させて反応管差し込み孔62の孔径を小さくする
ことによって、反応管2の軸出し用のブッシュ63の内
周面を反応管2の外周面に当接させて反応管2をブッシ
ュ63で挟持する。このようにしてサポーター41に反
応管2を取り付ける。この時、振れ防止スペーサ40の
外周面が反応管2の内周面に当接される。
本体71内に差し込んで反応管2の外側に全周に亘って
接地電極80を取り付ける。この後、サポーター41よ
りも上側に突出する内側電極3の上部に設けた端子部9
5と接地電極80の内側電極接続部72を電線77で接
続する。次に、反応管2を外側電極1の挿着孔31に差
し込んで反応管2の外側で集束部20の上側に外側電極
1を取り付ける。この後、外側電極1の流入管34と流
出管35の間に架設した接続板78とコネクタ74を電
線79で接続し、コネクタ74と外側電極1を電気的に
接続する。このようにしてプラズマ処理装置Aが形成さ
れ、反応管2の内部において、外側電極1と内側電極3
の間の空間が放電空間22として内側電極3を囲うよう
に形成される。
装置Aはケース内に設置されるが、この際、ケースに突
設された保持板81に反応管2の集束部20を差し込
み、取り付け板82でサポーター41の箇所をケースの
内面に固定するようにする。このように金属製のサポー
ター41の部分を取り付け板82で押さえて固定するこ
とによって、反応管2に無理な力をかけることなく取り
付けることができるものである。また、ガス導入管65
にガスコネクタ84を介してガス供給ホース83を接続
すると共に、接地電極80のコネクタ74に高周波電源
と接続される同軸ケーブルを接続する。同軸ケーブルの
略中心に設けられた芯電線は電線79を介して外側電極
1と電気的に接続され、また、芯電線の外側に絶縁層を
介して設けられた網電線は接地電極80及び電線77を
介して内側電極3に電気的に接続される。
間隔Lは15〜30mmに設定するのが好ましい。この
間隔Lが15mm未満であれば、外側電極1と接地電極
80が接近しすぎて空気の絶縁破壊が生じて外側電極1
と内側電極3が短絡する恐れがあり、間隔Lが30mm
を超えると、外側電極1と接地電極80が離れすぎて高
周波ノイズの輻射の抑制が低下する恐れがある。従っ
て、外側電極1と接地電極80の間隔Lは15〜30m
mに設定することによって、絶縁破壊がなく、且つ高周
波ノイズの輻射を抑制することができる。
と接地電極80の接地電極本体71の内周面には隙間8
9が形成されている。この隙間89は2〜10mmに設
定するのが好ましく、反応管2の外径Eと接地電極本体
71の内径eの差(e−E)を4〜20mmとなるよう
に反応管2と接地電極本体71を形成することによっ
て、上記寸法の隙間89を形成することができる。反応
管2の外径Eと接地電極本体71の内径eの差が4mm
未満であれば、図10(a)のように、反応管2の外周
面に接地電極80の接地電極本体71の内周面が密着あ
るいは近接し、接地電極80と反応管2内に設けた内側
電極3の間に静電容量が生じ易くなり、図10(b)に
示すように、接地電極80と内側電極3の間にコンデン
サー88が等価的に形成された状態と同等になる。従っ
て、高周波電力の一部がこのコンデンサー88で消費さ
れてしまい、外側電力1への高周波電力の供給量が減少
してプラズマの生成能力が低下する恐れがある。また、
反応管2の外径Eと接地電極本体71の内径eの差が2
0mmを超えると、事実上、高周波電流のループが大き
くなり、高周波ノイズが強くなると同時にプラズマ処理
装置全体が大型化する恐れがある。よって、反応管2の
外径Eと接地電極本体71の内径eの差を4〜20mm
にすることで、不要な静電容量を防止しつつ、高周波ノ
イズの輻射を抑制することができる。
理装置Aを用いたプラズマ処理方法を説明する。まず、
ガス供給ホース83を通じてガス導入管65にプラズマ
生成用ガスを導入する(矢印)と共にガス導入口90
を介してガス導入管65から反応管2の内部にプラズマ
生成用ガスを導入し、外側電極1と内側電極3に高周波
を印加し、さらにこれと同時に外側電極1及び内側電極
3を冷媒によって冷却する。この時、外側電極1が内側
電極3よりも高電圧側となるように、外側電極1には同
軸ケーブルの芯電線を介して高周波電力の高電圧側を接
続して高周波電力を供給し、内側電極3は接地電極80
により接地された状態とする。この後、外側電極1と内
側電極3の間に印加された交流電界により大気圧下で反
応管2の放電空間22でグロー放電を発生させ、グロー
放電で反応管2の内部に導入されたプラズマ生成用ガス
をプラズマ化し、プラズマ活性種を含むこのプラズマを
吹き出し口21からプラズマジェットとして吹き出して
被処理物の表面に吹きつけることによって、エッチング
やクリーニング等のプラズマ処理(改質処理)を行うこ
とができる。
は、不活性ガス(希ガス)あるいは不活性ガスと反応ガ
スの混合気体を用いることができる。不活性ガスとして
は、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどを使
用することができるが、放電の安定性や経済性を考慮す
ると、アルゴンやヘリウムを用いるのが好ましい。また
反応ガスの種類は処理の内容によって任意に選択するこ
とができる。例えば、被処理物の表面に存在する有機物
のクリーニング、レジストの剥離、有機フィルムのエッ
チングなどを行う場合は、酸素、空気、CO2、N2Oな
どの酸化性ガスを用いるのが好ましい。また反応ガスと
してCF4などのフッ素系ガスも適宜用いることがで
き、シリコンなどのエッチングを行う場合にはこのフッ
素系ガスを用いるのが効果的である。また金属酸化物の
還元を行う場合は、水素、アンモニアなどの還元性ガス
を用いることができ、その添加量は不活性ガスに対して
10重量%以下、好ましくは0.1〜5重量%の範囲で
ある。反応ガスの添加量が0.1重量%未満であれば、
処理効果が低くなる恐れがあり、反応ガスの添加量が1
0重量%を超えると、放電が不安定になる恐れがある。
3の間の放電空間22に印加される印加電力は20〜3
500W/cm3に設定するのが好ましい。放電空間2
2に印加される印加電力が20W/cm3未満であれ
ば、プラズマを充分に発生させることができなくなり、
逆に、放電空間22に印加される印加電力が3500W
/cm3を超えると、安定した放電を得ることができな
くなる恐れがある。尚、印加電力の密度(W/cm3)
は、(印加電力/放電空間体積)で定義される。
印加される交流の周波数は、1kHz〜50GHz、好
ましくは10kHz〜200MHzに設定される。交流
の周波数が1kHz未満であれば、放電空間22での放
電を安定化させることができなくなる恐れがあり、交流
の周波数が50GHzを超えると、放電空間22でのプ
ラズマの温度上昇が著しくなる恐れがある。また外側電
極1と内側電極3に交流を印加する場合、外側電極1と
電源15を接続し、内側電極3を接地するのが好まし
く、このことで内側電極3と被処理物の間のストリーマ
ー放電を抑制することができる。これは、内側電極3と
被処理物の間の電位差がほとんど0になり、ストリーマ
ー放電が生成されにくくなるためであり、特に、被処理
物に金属部分が含まれている場合はストリーマー放電の
生成が著しくなるので、内側電極3を接地するのが好ま
しい。
の両方を冷媒により冷却するので、大気圧下で周波数の
高い交流でプラズマを生成しても、外側電極1と内側電
極3の両方の温度上昇をより抑えることができ、よって
プラズマの温度(ガス温度)がより高くならないように
することができて被処理物の熱的損傷をより少なくする
ことができるものである。また外側電極1と内側電極3
の両方を冷却することによって、放電空間22の局所的
な加熱をより防ぐことができ、より均質なグロー放電を
生成してストリーマー放電の生成を抑えることができて
被処理物のストリーマー放電による損傷をより少なくす
ることができるものである。これは、外側電極1と内側
電極3の両方を冷却することによって、外側電極1と内
側電極3の両方からの部分的な電子の放出が抑えられる
ためであると考えられる。
の間に交流電界を印加するための高周波電力の高電圧側
を外側電極1に接続し、内側電極3と接続される接地電
極80を外側電極1の近傍に設けたので、高周波電力を
供給する高周波電源と外側電極1と接地電極80とから
なる高周波電流が流れるループを小さくすることがで
き、高周波ノイズの輻射を抑制することができる。一般
的に、高周波ノイズの輻射量は、図11に示すような回
路100において、高周波電流が流れるループ87の大
きさによって変化し、ループ87が大きくなるほど強い
ノイズが放射される(高周波ノイズの放射を矢印で示
す)。従って、図13に示す従来例では、高周波電源1
5と外側電極1の接続位置Fと高周波電源15と内側電
極3の接続位置Gが離れているために、高周波電源15
と外側電極1と内側電極3からなるループが大きくなっ
て強いノイズが放射される。しかしながら、本発明で
は、外側電極と内側電極の間に接地電極80を設けると
共にコネクタ74を用いて内側電極3と接続される接地
電極80と高周波電源の接続、及び外側電極1と高周波
電源の接続を行って、接地電極80と高周波電源の接続
位置と、外側電極1と高周波電源の接続位置とを近接さ
せたので、高周波電流が流れるループを小さくすること
ができ、高周波ノイズの輻射を抑制することができるの
である。
地電極本体71を形成し、接地電極本体71内に反応管
2を挿着したので、事実上、高周波電流のループが無く
なり、しかも反応管2内に配置される内側電極3の周囲
を接地電極80の接地電極本体71で全周に亘って囲っ
てシールドすることができ、高周波ノイズの輻射を非常
に小さく抑制することができる。特に、本発明では内側
電極3を冷却等の必要性からステンレス鋼で形成するこ
とが多いが、ステンレス鋼は銅などに比べて抵抗率が大
きいため、内側電極3に高周波電流が流れると、電圧降
下が銅などに比べて大きく起こる。そして、内側電極3
における電圧降下でノイズが放射されるが、このノイズ
の輻射を接地電極80の接地電極本体71のシールドに
より防止することができる。
電力を供給するが、プラズマ処理装置の始動時には比較
的高電圧が必要であり、実際の測定では1kV以上の電
圧が必要であった。そして、1kV以上もの高電圧に対
して絶縁破壊を起こさない同軸ケーブルを用いないと、
本発明のプラズマ処理装置では安定なプラズマを生成す
るのが難しいものである。そこで絶縁物の厚みが比較的
大きい同軸ケーブルを用いることになるが、絶縁物の厚
みが大きい同軸ケーブルは太さ及び重さが大きく、同軸
ケーブルを直線的に配置する場合は問題とならないが、
同軸ケーブルの配置の関係上、曲げ部分が存在する場合
は直線状に戻ろうとする応力が発生する。そしてこの応
力が反応管2内に配置された内側電極3に加わると、反
応管2の中心位置と内側電極3の中心位置がずれる恐れ
があって、均一な密度のプラズマを安定して生成するこ
とが難しくなり、また、内側電極3にかかる応力がガラ
ス製等の反応管2に加わりやすく、反応管2が破損する
恐れがあった。
タ74を設け、コネクタ74に同軸ケーブルを接続する
ようにしたものであり、内側電極3に同軸ケーブルの応
力が加わることが無くなって、この応力によって反応管
2の中心位置と内側電極3の中心位置にずれが発生する
ことがなくなり、均一な密度のプラズマを安定して生成
することができるものであり、また、反応管2と接地電
極80は直接接続されていないので、同軸ケーブルの応
力が反応管2に加わりにくくなって、同軸ケーブルの応
力による反応管2の破損を防止することができるもので
ある。
る。
マ処理装置Aを形成した。反応管2としては石英ガラス
管を用い、外径を15.4mm、内径を13mmに形成
した。またテーパー角は20°とし、開口面積比は1
1.7とした。振れ防止スペーサ40としてはジュラコ
ン樹脂製のものを用い、放電空間22の上側20mmの
位置に設けた。内部電極3としては外径が8mmのもの
を用い、酸化チタンの溶射により形成される厚さ50μ
mの誘電体膜と、Ni−Cr合金の溶射により形成され
る厚さ30μmのアンダーコートとを有し、誘電体膜は
SiO2にて封孔処理がなされているものを用いた。外
側電極1としては金メッキを施した銅製のものを用い、
外径を35mm、高さ30mmに形成した。接地電極8
0としては、反応管2の外径よりも4mm大きい内径の
接地電極本体71を有するものを用いた。
ル/min、ヘリウムが1リットル/min、酸素0.
03リットル/minの流量で反応管2に供給して混合
調製した。そして、外側電極1と内側電極3に印加され
る高周波の周波数を13.56MHz、印加電力は25
0Wとしてプラズマを発生させた。
外は実施例と同様にしてプラズマ処理装置を形成し、図
13と同様に内側電極3の上端と外側電極1に高周波電
源15を電気的に接続し、実施例と同様の条件でプラズ
マを発生させた。
ノイズの周波数毎のノイズレベルを測定した。結果を図
12のグラフに示す。グラフから判るように、各周波数
において実施例の方が比較例よりもノイズレベルが10
〜20dBμV/m低下していた。また、実施例ではX
−Yテーブルなどの周辺の機器に誤動作が生じなかっ
た。
は、外側電極を備えた筒状の反応管、及び反応管の内部
に配置される内側電極を具備して構成され、反応管に不
活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入
すると共に外側電極と内側電極の間に交流電界を印加す
ることにより大気圧下で反応管の内部にグロー放電を発
生させ、反応管からプラズマジェットを吹き出すように
するプラズマ処理装置において、外側電極と内側電極の
間に交流電界を印加するための高周波電力の高電圧側を
外側電極に接続し、内側電極と接続される接地電極を外
側電極の近傍に設けたので、高周波電流が流れるループ
の大きさを小さくすることができ、外側電極と内側電極
の周辺近傍における高周波ノイズを低減することができ
るものである。
と接地電極の間隔を15〜30mmに形成したので、外
側電極と接地電極の絶縁破壊が生じること無く、高周波
電流が流れるループの大きさを確実に小さくすることが
でき、外側電極と内側電極の周辺近傍における高周波ノ
イズを確実に低減することができるものである。
に筒状の接地電極本体を形成し、接地電極本体内に反応
管を挿着したので、反応管内に配設される内側電極を接
地電極本体で囲ってシールドすることができ、外側電極
と内側電極の周辺近傍における高周波ノイズを確実に低
減することができるものである。
に高周波電力供給用の同軸ケーブルが接続されるコネク
タを設けたので、同軸ケーブルを曲げて配置した場合に
生じる同軸ケーブルの応力が反応管や内側電極に直接加
わらないようにすることができ、応力による反応管の破
損を防止することができると共に応力による内側電極の
傾きを防止して均一な密度のプラズマを安定して生成す
ることができるものである。
本体の内周面と反応管の外周面の間に隙間を設けたの
で、内側電極と接地電極で静電容量が生じるのを防止す
ることができ、高周波電力の消費を低減してプラズマの
生成効率を高く維持することができるものである。
本体の内径と反応管の外径の差を4〜20mmに形成し
たので、内側電極と接地電極で静電容量が生じるのを確
実に防止することができ、高周波電力の消費を低減して
プラズマの生成効率を非常に高く維持することができる
ものである。
乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装置Aで発生さ
せたプラズマジェットを被処理物に供給してプラズマ処
理を行うので、外側電極と内側電極の周辺近傍における
高周波ノイズを少なくすることができ、プラズマ処理装
置の周辺に設置される機器に高周波ノイズによる誤動作
が起こらないようにすることができるものである。
る。
(b)は(a)のA−A’断面図である。
図、(b)は斜視図である。
る。
は説明図である。
回路図である。
ルを示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項1】 外側電極を備えた筒状の反応管、及び反
応管の内部に配置される内側電極を具備して構成され、
反応管に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合
気体を導入すると共に外側電極と内側電極の間に交流電
界を印加することにより大気圧下で反応管の内部にグロ
ー放電を発生させ、反応管からプラズマジェットを吹き
出すようにするプラズマ処理装置において、外側電極と
内側電極の間に交流電界を印加するための高周波電力の
高電圧側を外側電極に接続し、内側電極と接続される接
地電極を外側電極の近傍に設けて成ることを特徴とする
プラズマ処理装置。 - 【請求項2】 外側電極と接地電極の間隔を15〜30
mmに形成して成ることを特徴とする請求項1に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項3】 接地電極に筒状の接地電極本体を形成
し、接地電極本体内に反応管を挿着して成ることを特徴
とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】 接地電極に高周波電力供給用の同軸ケー
ブルが接続されるコネクタを設けて成ることを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項5】 接地電極本体の内周面と反応管の外周面
の間に隙間を設けて成ることを特徴とする請求項3又は
4に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項6】 接地電極本体の内径と反応管の外径の差
を4〜20mmに形成して成ることを特徴とする請求項
2乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置で発生させたプラズマジェットを被処理物
に供給してプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズ
マ処理方法。
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