JP2001181757A - 打抜加工性に優れた銅合金およびその製造方法 - Google Patents
打抜加工性に優れた銅合金およびその製造方法Info
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- JP2001181757A JP2001181757A JP2000108580A JP2000108580A JP2001181757A JP 2001181757 A JP2001181757 A JP 2001181757A JP 2000108580 A JP2000108580 A JP 2000108580A JP 2000108580 A JP2000108580 A JP 2000108580A JP 2001181757 A JP2001181757 A JP 2001181757A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームなどに好適な打抜加工性に優
れた銅合金を提供する。 【解決手段】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、
残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金におい
て、Ｃｕ母相中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍの
ＣｒまたはＣｒ化合物からなる析出相Ａが１×１０3 〜
３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の
最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ
化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の
個数密度で存在する。 【効果】 本発明の銅合金は、粗大な析出相Ａが打抜加
工性を、微細な析出相Ｂが強度特性をそれぞれ改善する
ため打抜加工性、強度特性などに優れる。従って微細に
打抜加工される多ピン・狭ピッチのリードフレームなど
に適用して、その生産性が向上する。
れた銅合金を提供する。 【解決手段】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、
残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金におい
て、Ｃｕ母相中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍの
ＣｒまたはＣｒ化合物からなる析出相Ａが１×１０3 〜
３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の
最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ
化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の
個数密度で存在する。 【効果】 本発明の銅合金は、粗大な析出相Ａが打抜加
工性を、微細な析出相Ｂが強度特性をそれぞれ改善する
ため打抜加工性、強度特性などに優れる。従って微細に
打抜加工される多ピン・狭ピッチのリードフレームなど
に適用して、その生産性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、打抜加工を含む工
程により所望の形状に加工されるリードフレーム材、端
子・コネクター材、スイッチ材などに適した銅合金とそ
の製造方法に関する。
程により所望の形状に加工されるリードフレーム材、端
子・コネクター材、スイッチ材などに適した銅合金とそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体のリードフレーム材や
端子材には、鉄系材料の他、電気・熱伝導性に優れた銅
系材料が多く用いられている。銅系材料は、高集積化や
小型化が進み放熱性が重視されるようになった半導体機
器部材にも用いられている。そして、前記銅系材料がリ
ードフレームに使用される場合は、電気・熱伝導性の他
に、貴金属（Ａｇ、Ｐｄなど）や半田のメッキ性および
表面平滑性に優れることが要求される。
端子材には、鉄系材料の他、電気・熱伝導性に優れた銅
系材料が多く用いられている。銅系材料は、高集積化や
小型化が進み放熱性が重視されるようになった半導体機
器部材にも用いられている。そして、前記銅系材料がリ
ードフレームに使用される場合は、電気・熱伝導性の他
に、貴金属（Ａｇ、Ｐｄなど）や半田のメッキ性および
表面平滑性に優れることが要求される。
【０００３】このような要求に応えるため様々なリード
フレーム用銅合金が開発されたが、その多くは淘汰され
現在では数種類が用いられているだけである。その中で
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系合金は高導電性と高強度を兼備する
合金として認知され、最も多く使用されている合金の一
つである。
フレーム用銅合金が開発されたが、その多くは淘汰され
現在では数種類が用いられているだけである。その中で
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系合金は高導電性と高強度を兼備する
合金として認知され、最も多く使用されている合金の一
つである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ームの成形加工には、通常、打抜加工法またはエッチン
グ加工法が適用されるが、生産性の面から打抜加工法が
多用されている。しかし、前記従来のＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ
系合金は打抜加工の際に、バリや加工粉が発生してリー
ド間が短絡したり、リードフレームの寸法精度が低下し
たりする。またバリが発生すると金型のメンテナンスサ
イクルが短くなり製造コストが高くなる。これらの弊害
は特に多ピンリードフレームにおいて大きい。
ームの成形加工には、通常、打抜加工法またはエッチン
グ加工法が適用されるが、生産性の面から打抜加工法が
多用されている。しかし、前記従来のＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ
系合金は打抜加工の際に、バリや加工粉が発生してリー
ド間が短絡したり、リードフレームの寸法精度が低下し
たりする。またバリが発生すると金型のメンテナンスサ
イクルが短くなり製造コストが高くなる。これらの弊害
は特に多ピンリードフレームにおいて大きい。
【０００５】リードフレームを製造する側としては、大
幅な成長を続ける半導体需要に対応するため、より安価
なリ−ドフレ−ムをより早く提供する必要があり、その
ために如何に打抜加工設備の稼働率を上げるか、如何に
打抜不良を減らして製造歩留まりを高めるかが重要な課
題になっている。特に需要の多いＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系合
金では打抜加工性の大幅な改善が強く望まれている。本
発明の目的は、打抜加工性に優れた銅合金およびその製
造方法を提供することにある。
幅な成長を続ける半導体需要に対応するため、より安価
なリ−ドフレ−ムをより早く提供する必要があり、その
ために如何に打抜加工設備の稼働率を上げるか、如何に
打抜不良を減らして製造歩留まりを高めるかが重要な課
題になっている。特に需要の多いＣｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系合
金では打抜加工性の大幅な改善が強く望まれている。本
発明の目的は、打抜加工性に優れた銅合金およびその製
造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt
％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、残部がＣｕおよび
不可避的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリッ
クス中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまた
はＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／
ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．０
０１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相
Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在
することを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金であ
る。
Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt
％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、残部がＣｕおよび
不可避的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリッ
クス中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまた
はＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／
ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．０
０１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相
Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在
することを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金であ
る。
【０００７】請求項２記載の発明は、Ｃｒを０．２〜
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％含み、さらにＰｂ０．００１〜０．０６
wt％、Ｂｉ０．００１〜０．０６wt％、Ｃａ０．００５
〜０．１wt％、Ｓｒ０．００５〜０．１wt％、Ｔｅ０．
００５〜０．１wt％、Ｓｅ０．００５〜０．１wt％、希
土類元素０．００５〜０．１wt％のうちの１種または２
種以上を総量で０．００１〜０．１wt％含み、残部がＣ
ｕおよび不可避的不純物からなる銅合金において、Ｃｕ
マトリックス中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍの
ＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１
０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の最大径
が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物
の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密
度で存在することを特徴とする打抜加工性に優れた銅合
金である。
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％含み、さらにＰｂ０．００１〜０．０６
wt％、Ｂｉ０．００１〜０．０６wt％、Ｃａ０．００５
〜０．１wt％、Ｓｒ０．００５〜０．１wt％、Ｔｅ０．
００５〜０．１wt％、Ｓｅ０．００５〜０．１wt％、希
土類元素０．００５〜０．１wt％のうちの１種または２
種以上を総量で０．００１〜０．１wt％含み、残部がＣ
ｕおよび不可避的不純物からなる銅合金において、Ｃｕ
マトリックス中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍの
ＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１
０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々の最大径
が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物
の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密
度で存在することを特徴とする打抜加工性に優れた銅合
金である。
【０００８】請求項３記載の発明は、Ｃｒを０．２〜
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％、Ｓｉを０．００５〜０．１wt％含み、
残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金におい
て、Ｃｕマトリックス中に、各々の最大径が０．１〜１
０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3
〜３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々
の最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣ
ｒ化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上
の個数密度で存在することを特徴とする打抜加工性に優
れた銅合金である。
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％、Ｓｉを０．００５〜０．１wt％含み、
残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金におい
て、Ｃｕマトリックス中に、各々の最大径が０．１〜１
０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3
〜３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々
の最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣ
ｒ化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上
の個数密度で存在することを特徴とする打抜加工性に優
れた銅合金である。
【０００９】請求項４記載の発明は、Ｃｒを０．２〜
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％、Ｓｉを０．００５〜０．１wt％含み、
さらにＰｂ０．００１〜０．０６wt％、Ｂｉ０．００１
〜０．０６wt％、Ｃａ０．００５〜０．１wt％、Ｓｒ
０．００５〜０．１wt％、Ｔｅ０．００５〜０．１wt
％、Ｓｅ０．００５〜０．１wt％、希土類元素０．００
５〜０．１wt％のうちの１種または２種以上を総量で
０．００１〜０．１wt％含み、残部がＣｕおよび不可避
的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリックス中
に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ
化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2
の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．００１〜
０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ｂが析
出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在するこ
とを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金である。
０．３５wt％、Ｓｎを０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．
１〜０．５wt％、Ｓｉを０．００５〜０．１wt％含み、
さらにＰｂ０．００１〜０．０６wt％、Ｂｉ０．００１
〜０．０６wt％、Ｃａ０．００５〜０．１wt％、Ｓｒ
０．００５〜０．１wt％、Ｔｅ０．００５〜０．１wt
％、Ｓｅ０．００５〜０．１wt％、希土類元素０．００
５〜０．１wt％のうちの１種または２種以上を総量で
０．００１〜０．１wt％含み、残部がＣｕおよび不可避
的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリックス中
に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ
化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2
の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．００１〜
０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ｂが析
出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在するこ
とを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金である。
【００１０】請求項５記載の発明は、少なくとも熱間加
工および冷間加工を施す、打抜加工性に優れた銅合金の
製造方法であって、前記熱間加工前に８８０〜９８０℃
の温度で熱処理を施し、前記冷間加工前または後に３６
０〜４７０℃の温度で時効処理を施すことを特徴とする
請求項１、２、３、４のいずれかに記載の打抜加工性に
優れた銅合金の製造方法である。
工および冷間加工を施す、打抜加工性に優れた銅合金の
製造方法であって、前記熱間加工前に８８０〜９８０℃
の温度で熱処理を施し、前記冷間加工前または後に３６
０〜４７０℃の温度で時効処理を施すことを特徴とする
請求項１、２、３、４のいずれかに記載の打抜加工性に
優れた銅合金の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、特にリードフレーム材
に好適な銅合金であるが、打抜加工を含む工程で製造さ
れる部材全般、例えば自動車に使用される端子材、民生
機器に使用されるコネクター材などにも適用可能であ
る。
に好適な銅合金であるが、打抜加工を含む工程で製造さ
れる部材全般、例えば自動車に使用される端子材、民生
機器に使用されるコネクター材などにも適用可能であ
る。
【００１２】本発明の銅合金は、Ｃｕマトリックス中
に、打抜加工性を改善するための各々の最大径が０．１
〜１０μｍの粗大なＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａ
と、強度を確保するための各々の最大径が０．００１〜
０．０３０μｍ（１ｎｍ〜３０ｎｍ）の微細なＣｒまた
はＣｒ化合物の析出相Ｂを共存させることを骨子として
構成されている。ここで、最大径とは、析出相が球状の
場合はその径、楕円状の場合は長径、棒状の場合は最大
長さである。本発明者らはこのＣｒを含む銅合金系につ
いて研究を行い、成分の子細な限定と製造条件の最適化
により理想的なＣｒまたはＣｒ化合物の析出状態を達成
できることを知見し、実用性に優れた銅合金を得たもの
である。本発明の銅合金は、粗大なＣｒまたはＣｒ化合
物を析出させるために熱間加工前に８８０〜９８０℃で
熱処理を施し、さらに微細なＣｒまたはＣｒ化合物を析
出させるために３６０〜４７０℃での時効処理を施すこ
とにより最適に製造される。
に、打抜加工性を改善するための各々の最大径が０．１
〜１０μｍの粗大なＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａ
と、強度を確保するための各々の最大径が０．００１〜
０．０３０μｍ（１ｎｍ〜３０ｎｍ）の微細なＣｒまた
はＣｒ化合物の析出相Ｂを共存させることを骨子として
構成されている。ここで、最大径とは、析出相が球状の
場合はその径、楕円状の場合は長径、棒状の場合は最大
長さである。本発明者らはこのＣｒを含む銅合金系につ
いて研究を行い、成分の子細な限定と製造条件の最適化
により理想的なＣｒまたはＣｒ化合物の析出状態を達成
できることを知見し、実用性に優れた銅合金を得たもの
である。本発明の銅合金は、粗大なＣｒまたはＣｒ化合
物を析出させるために熱間加工前に８８０〜９８０℃で
熱処理を施し、さらに微細なＣｒまたはＣｒ化合物を析
出させるために３６０〜４７０℃での時効処理を施すこ
とにより最適に製造される。
【００１３】以下に本発明銅合金の合金成分の限定理由
について説明する。従来、Ｃｕ中にＣｒを添加する場合
は、Ｃｒの析出硬化のみを期待しており、Ｃｕマトリッ
クス中に分散するＣｒまたはＣｒ化合物の析出相の各々
の大きさは最大径が０．００１〜０．０３０μｍであ
り、最大径が０．１〜１０μｍの粗大な析出相は殆ど存
在していなかった。本発明は、添加したＣｒは析出硬化
のみならず、打抜加工性の改善効果も有するため、その
成分範囲を子細に限定する必要があることを見出してな
されたものである。本発明において、Ｃｒ量が０．２wt
％未満では、熱間加工前の熱処理を９８０℃で行って
も、粗大な析出相Ａは殆ど析出せず打抜加工性は改善さ
れない。逆にＣｒ量が０．３５wt％を超えると鋳造の凝
固時にＣｒが晶出物として生成する。この晶出Ｃｒも打
抜加工の際に破壊の起点になり得るため、打抜加工に有
効と言えなくもないが、晶出物故に疎に分散し、その大
きさも粗大に（１０μｍより大きく）なりがちである。
即ち、０．３５wt％を超えてＣｒを添加しても、添加量
に見合った効果が得られないばかりでなく、１０μｍを
超える大きさのＣｒ晶出物は、工具の磨耗を早め金型の
寿命を短くする点でも不適当である。以上の観点からＣ
ｒの含有量は０．２〜０．３５wt％とした。
について説明する。従来、Ｃｕ中にＣｒを添加する場合
は、Ｃｒの析出硬化のみを期待しており、Ｃｕマトリッ
クス中に分散するＣｒまたはＣｒ化合物の析出相の各々
の大きさは最大径が０．００１〜０．０３０μｍであ
り、最大径が０．１〜１０μｍの粗大な析出相は殆ど存
在していなかった。本発明は、添加したＣｒは析出硬化
のみならず、打抜加工性の改善効果も有するため、その
成分範囲を子細に限定する必要があることを見出してな
されたものである。本発明において、Ｃｒ量が０．２wt
％未満では、熱間加工前の熱処理を９８０℃で行って
も、粗大な析出相Ａは殆ど析出せず打抜加工性は改善さ
れない。逆にＣｒ量が０．３５wt％を超えると鋳造の凝
固時にＣｒが晶出物として生成する。この晶出Ｃｒも打
抜加工の際に破壊の起点になり得るため、打抜加工に有
効と言えなくもないが、晶出物故に疎に分散し、その大
きさも粗大に（１０μｍより大きく）なりがちである。
即ち、０．３５wt％を超えてＣｒを添加しても、添加量
に見合った効果が得られないばかりでなく、１０μｍを
超える大きさのＣｒ晶出物は、工具の磨耗を早め金型の
寿命を短くする点でも不適当である。以上の観点からＣ
ｒの含有量は０．２〜０．３５wt％とした。
【００１４】本発明は、前述のように、ＣｒまたはＣｒ
化合物の粗大な析出相Ａと微細な析出相Ｂを共存させる
ことを骨子としている。前記粗大な析出相Ａは破壊の起
点となって打抜加工性を改善するが、その最大径が０．
１μｍに満たない析出相は破壊の起点になり得ないた
め、本発明の目的とする打抜加工性を改善することがで
きない。逆に最大径が１０μｍを超える析出相は、打抜
用金型の寿命を縮めるため好ましくない。従って各々の
最大径が０．１〜１０μｍの析出相Ａが適量分散してい
る状態が理想的である。
化合物の粗大な析出相Ａと微細な析出相Ｂを共存させる
ことを骨子としている。前記粗大な析出相Ａは破壊の起
点となって打抜加工性を改善するが、その最大径が０．
１μｍに満たない析出相は破壊の起点になり得ないた
め、本発明の目的とする打抜加工性を改善することがで
きない。逆に最大径が１０μｍを超える析出相は、打抜
用金型の寿命を縮めるため好ましくない。従って各々の
最大径が０．１〜１０μｍの析出相Ａが適量分散してい
る状態が理想的である。
【００１５】前記粗大な析出相Ａの個数密度が１×１０
3 個／ｍｍ2 未満では、前記打抜加工性が改善されず、
３×１０5 個／ｍｍ2 を超えると析出相Ａが増加した
分、析出相Ｂが減少して強度特性が低下する。従って、
析出相Ａの個数密度は１×１０ 3 〜３×１０5 個／ｍｍ
2 に規定する。一方、ナノメートルレベルで析出する微
細な析出相Ｂは強度特性を改善する。その個数密度は、
析出相Ａの個数密度の少なくとも１０倍以上でないと必
要な強度特性が得られない。逆に、微細な析出相Ｂが多
くなると、打抜加工性を改善する粗大な析出相Ａの個数
密度が低下し、充分な打抜加工性が得られなくなる。本
発明は、Ｃｒの含有量のみならず、ＣｒまたはＣｒ化合
物の析出相Ａと析出相Ｂのそれぞれの大きさと個数密度
を限定することにより、打抜加工性を改善した銅合金で
ある。
3 個／ｍｍ2 未満では、前記打抜加工性が改善されず、
３×１０5 個／ｍｍ2 を超えると析出相Ａが増加した
分、析出相Ｂが減少して強度特性が低下する。従って、
析出相Ａの個数密度は１×１０ 3 〜３×１０5 個／ｍｍ
2 に規定する。一方、ナノメートルレベルで析出する微
細な析出相Ｂは強度特性を改善する。その個数密度は、
析出相Ａの個数密度の少なくとも１０倍以上でないと必
要な強度特性が得られない。逆に、微細な析出相Ｂが多
くなると、打抜加工性を改善する粗大な析出相Ａの個数
密度が低下し、充分な打抜加工性が得られなくなる。本
発明は、Ｃｒの含有量のみならず、ＣｒまたはＣｒ化合
物の析出相Ａと析出相Ｂのそれぞれの大きさと個数密度
を限定することにより、打抜加工性を改善した銅合金で
ある。
【００１６】Ｓｎは材料の強度特性を高める効果を有す
る。その含有量が０．１wt％未満ではその効果が充分に
得られず、０．５wt％を超えると導電率が大幅に低下す
る。従ってＳｎの含有量は０．１〜０．５wt％とする。
る。その含有量が０．１wt％未満ではその効果が充分に
得られず、０．５wt％を超えると導電率が大幅に低下す
る。従ってＳｎの含有量は０．１〜０．５wt％とする。
【００１７】ＺｎはＳｎメッキやハンダメッキの耐熱剥
離性、耐マイグレーション性を改善する効果を有する。
特にリードフレームや端子として使用する場合は、実装
後の半田付部の経時劣化が重視されるため、Ｚｎの添加
は不可欠である。その含有量が０．１wt％未満では充分
な効果が得られず、０．５wt％を超えて含有させてもそ
の量に見合った効果が得られないばかりか、導電率が低
下する。従ってＺｎの含有量は０．１〜０．５wt％とす
る。
離性、耐マイグレーション性を改善する効果を有する。
特にリードフレームや端子として使用する場合は、実装
後の半田付部の経時劣化が重視されるため、Ｚｎの添加
は不可欠である。その含有量が０．１wt％未満では充分
な効果が得られず、０．５wt％を超えて含有させてもそ
の量に見合った効果が得られないばかりか、導電率が低
下する。従ってＺｎの含有量は０．１〜０．５wt％とす
る。
【００１８】Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｅ、Ｓｅ、希
土類元素も打抜加工性を改善する添加元素である。これ
ら元素は、Ｃｕマトリックス中への固溶量が小さく、Ｃ
ｕマトリックス中に分散し、ＣｒまたはＣｒ化合物と同
じように破壊の起点になって打抜加工性を改善する。し
かしながら、これら元素は鋳造性や熱間加工性などの製
造性を損なう元素であり、その添加量は厳密に管理する
必要がある。Ｐｂ、ＢｉはＣｕマトリックス中に殆ど固
溶せず、従って打ち抜き加工性の改善効果は大きい。Ｐ
ｂ、Ｂｉはそれぞれ０．００１wt％以上の添加量から打
ち抜き加工性の改善効果が認められるが、反面、製造性
への悪影響も大きく、０．０６wt％を超えて添加する
と、正常に製造することができなくなる。Ｃａ、Ｓｒ、
Ｔｅ、Ｓｅ、希土類元素は、それぞれ０．００５wt％以
上の添加量から打ち抜き加工性の改善効果が現れ、０．
１wt％を超えて添加すると、鋳造加工性や熱間加工性が
損なわれる。依って、これら元素を各々１種添加する場
合の添加量は上述の通りとし、２種以上添加する場合の
総量は０．００１〜０．１wt％とした。
土類元素も打抜加工性を改善する添加元素である。これ
ら元素は、Ｃｕマトリックス中への固溶量が小さく、Ｃ
ｕマトリックス中に分散し、ＣｒまたはＣｒ化合物と同
じように破壊の起点になって打抜加工性を改善する。し
かしながら、これら元素は鋳造性や熱間加工性などの製
造性を損なう元素であり、その添加量は厳密に管理する
必要がある。Ｐｂ、ＢｉはＣｕマトリックス中に殆ど固
溶せず、従って打ち抜き加工性の改善効果は大きい。Ｐ
ｂ、Ｂｉはそれぞれ０．００１wt％以上の添加量から打
ち抜き加工性の改善効果が認められるが、反面、製造性
への悪影響も大きく、０．０６wt％を超えて添加する
と、正常に製造することができなくなる。Ｃａ、Ｓｒ、
Ｔｅ、Ｓｅ、希土類元素は、それぞれ０．００５wt％以
上の添加量から打ち抜き加工性の改善効果が現れ、０．
１wt％を超えて添加すると、鋳造加工性や熱間加工性が
損なわれる。依って、これら元素を各々１種添加する場
合の添加量は上述の通りとし、２種以上添加する場合の
総量は０．００１〜０．１wt％とした。
【００１９】次に請求項３、４記載の銅合金に含まれる
Ｓｉについて説明する。Ｓｉは、その微量添加によりＣ
ｒ−Ｓｉ化合物を形成してＣｒを析出し易くする。その
結果析出相Ａの個数密度が増加し、打抜加工性が大幅に
改善される。その含有量が０．００５wt％未満ではＣｒ
−Ｓｉ化合物が殆ど形成されず、０．１wt％を超えると
析出相Ａが増加しすぎ、その分、析出相Ｂが減少して強
度特性が低下する。またＳｉの固溶量が増えて導電率が
低下する。Ｓｉは、Ｃｒ3 Ｓｉとして存在するように、
原子比でＣｒ：Ｓｉ＝３：１になるように添加するのが
好ましい。
Ｓｉについて説明する。Ｓｉは、その微量添加によりＣ
ｒ−Ｓｉ化合物を形成してＣｒを析出し易くする。その
結果析出相Ａの個数密度が増加し、打抜加工性が大幅に
改善される。その含有量が０．００５wt％未満ではＣｒ
−Ｓｉ化合物が殆ど形成されず、０．１wt％を超えると
析出相Ａが増加しすぎ、その分、析出相Ｂが減少して強
度特性が低下する。またＳｉの固溶量が増えて導電率が
低下する。Ｓｉは、Ｃｒ3 Ｓｉとして存在するように、
原子比でＣｒ：Ｓｉ＝３：１になるように添加するのが
好ましい。
【００２０】次に、数有る元素の中から、特にＳｉを選
定した理由について述べる。先ず、本願発明の目的から
して、Ｃｒと化合物を作ることが必要条件であり、Ｃｒ
と化合物を作る元素としては、Ｓｉの他に、Ｐ、Ｓ、
Ｏ、Ｇｅ、Ｐt が挙げられる。このうちＰ、Ｓ、Ｏは非
金属元素のためＣｒとの結合力が非常に強く、溶解鋳造
中に化合物が生成してしまうため、その分散状態は実質
上制御不可能である。またＧｅおよびＰt は溶解し難い
うえ、高価なため実用的でない。このようなことから、
あらゆる面で最も効果的なＳｉを選定した。
定した理由について述べる。先ず、本願発明の目的から
して、Ｃｒと化合物を作ることが必要条件であり、Ｃｒ
と化合物を作る元素としては、Ｓｉの他に、Ｐ、Ｓ、
Ｏ、Ｇｅ、Ｐt が挙げられる。このうちＰ、Ｓ、Ｏは非
金属元素のためＣｒとの結合力が非常に強く、溶解鋳造
中に化合物が生成してしまうため、その分散状態は実質
上制御不可能である。またＧｅおよびＰt は溶解し難い
うえ、高価なため実用的でない。このようなことから、
あらゆる面で最も効果的なＳｉを選定した。
【００２１】上述した本発明の構成において、所要の特
性を好適に発現するためには、その製造方法が重要であ
る。本発明では、打抜加工性を改善する粗大な析出相Ａ
の個数密度は、熱間加工前の熱処理温度を８８０〜９８
０℃に限定することにより、１×１０3 〜３×１０ 5 個
／ｍｍ2 に制御している。従来、Ｃｕ−Ｃｒ系合金の場
合の前記熱間加工前の熱処理温度は９８０℃を超える高
温であった。これはＣｒを完全に固溶させることを目的
としたためであり、Ｃｒが析出する９８０℃以下の温度
で熱処理することはなかった。
性を好適に発現するためには、その製造方法が重要であ
る。本発明では、打抜加工性を改善する粗大な析出相Ａ
の個数密度は、熱間加工前の熱処理温度を８８０〜９８
０℃に限定することにより、１×１０3 〜３×１０ 5 個
／ｍｍ2 に制御している。従来、Ｃｕ−Ｃｒ系合金の場
合の前記熱間加工前の熱処理温度は９８０℃を超える高
温であった。これはＣｒを完全に固溶させることを目的
としたためであり、Ｃｒが析出する９８０℃以下の温度
で熱処理することはなかった。
【００２２】前記熱処理温度が９８０℃より高いと、最
大径０．１〜１０μｍの粗大なＣｒまたはＣｒ化合物の
析出相Ａの個数密度が低くなり打抜加工性が改善されな
い。逆に前記熱処理温度が８８０℃未満では、析出相Ａ
の個数密度が高くなりすき、その後の工程で析出する
０．００１〜０．０３０μｍの析出相Ｂの個数密度が低
くなり所要の強度特性が得られなくなる。このような観
点から、熱間加工前の熱処理温度は８８０〜９８０℃と
する。特には９１０〜９４０℃が好ましい。
大径０．１〜１０μｍの粗大なＣｒまたはＣｒ化合物の
析出相Ａの個数密度が低くなり打抜加工性が改善されな
い。逆に前記熱処理温度が８８０℃未満では、析出相Ａ
の個数密度が高くなりすき、その後の工程で析出する
０．００１〜０．０３０μｍの析出相Ｂの個数密度が低
くなり所要の強度特性が得られなくなる。このような観
点から、熱間加工前の熱処理温度は８８０〜９８０℃と
する。特には９１０〜９４０℃が好ましい。
【００２３】本発明において、強度特性の改善に寄与す
る微細な析出相Ｂの個数密度は、時効処理温度を３６０
〜４７０℃に限定することにより、析出相Ａの個数密度
の１０倍以上に制御する。前記時効処理温度が３６０℃
未満では析出相Ｂが充分に析出せず、４７０℃を超える
と析出相Ｂが粗大化して、いずれの場合も所要の強度特
性が得られない。
る微細な析出相Ｂの個数密度は、時効処理温度を３６０
〜４７０℃に限定することにより、析出相Ａの個数密度
の１０倍以上に制御する。前記時効処理温度が３６０℃
未満では析出相Ｂが充分に析出せず、４７０℃を超える
と析出相Ｂが粗大化して、いずれの場合も所要の強度特
性が得られない。
【００２４】この時効処理は、熱間加工し、次いで冷間
加工したのち施すが、冷間加工中に施しても構わない。
この場合は冷間加工後に比較的低温での焼鈍を施して加
工歪みを減じておくことが推奨される。前記低温焼鈍を
バッチ式焼鈍により施す場合は２００〜４００℃の温度
で０．５〜５ｈｒ、走間焼鈍で施す場合は６００〜８０
０℃の温度で５〜６０秒施すことが好ましい。必要に応
じて最終熱処理（時効処理または低温焼鈍）の前または
後にテンションレベラーやローラーレベラーなどで矯正
加工を行っても差し支えない。
加工したのち施すが、冷間加工中に施しても構わない。
この場合は冷間加工後に比較的低温での焼鈍を施して加
工歪みを減じておくことが推奨される。前記低温焼鈍を
バッチ式焼鈍により施す場合は２００〜４００℃の温度
で０．５〜５ｈｒ、走間焼鈍で施す場合は６００〜８０
０℃の温度で５〜６０秒施すことが好ましい。必要に応
じて最終熱処理（時効処理または低温焼鈍）の前または
後にテンションレベラーやローラーレベラーなどで矯正
加工を行っても差し支えない。
【００２５】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）表１に示す本発明規定値内組成の合金を高
周波溶解炉にて溶解し、これを厚さ３０ｍｍ、幅１００
ｍｍ、長さ１５０ｍｍの鋳塊に鋳造し、この鋳塊を９３
０℃で２時間熱処理後、厚さ１１ｍｍまで熱間圧延し、
熱間圧延後、直ちに水中に浸漬して速やかに冷却した。
次に両面を各１ｍｍづつ面削したのち厚さ０．２５ｍｍ
に冷間圧延し、この冷間圧延材を不活性ガス雰囲気中で
４２５℃で２ｈｒ時効処理した。次いで０．１５ｍｍま
で仕上冷間圧延したのち、３００℃で２ｈｒ低温焼鈍処
理を施し銅合金板を製造した。
る。 （実施例１）表１に示す本発明規定値内組成の合金を高
周波溶解炉にて溶解し、これを厚さ３０ｍｍ、幅１００
ｍｍ、長さ１５０ｍｍの鋳塊に鋳造し、この鋳塊を９３
０℃で２時間熱処理後、厚さ１１ｍｍまで熱間圧延し、
熱間圧延後、直ちに水中に浸漬して速やかに冷却した。
次に両面を各１ｍｍづつ面削したのち厚さ０．２５ｍｍ
に冷間圧延し、この冷間圧延材を不活性ガス雰囲気中で
４２５℃で２ｈｒ時効処理した。次いで０．１５ｍｍま
で仕上冷間圧延したのち、３００℃で２ｈｒ低温焼鈍処
理を施し銅合金板を製造した。
【００２６】（比較例１）表１に示す本発明規定値外組
成の合金を用いた他は、実施例１と同じ方法により銅合
金板を製造した。
成の合金を用いた他は、実施例１と同じ方法により銅合
金板を製造した。
【００２７】実施例１および比較例１で製造した各々の
銅合金板から試験片を切り出して、析出相Ａ、Ｂの各個
数密度、引張強さ、伸び、導電率、打抜加工性、半田め
っき耐熱剥離性を調べた。結果を表２に示す。
銅合金板から試験片を切り出して、析出相Ａ、Ｂの各個
数密度、引張強さ、伸び、導電率、打抜加工性、半田め
っき耐熱剥離性を調べた。結果を表２に示す。
【００２８】前記析出相Ａの個数密度は、試験片を酸性
水溶液（６体積％Ｈ2 ＳＯ4 ＋７体積％Ｈ2 Ｏ2 ）中に
３０秒間浸漬してエッチングし、その表面を走査型電子
顕微鏡（５００倍）により写真撮影して測定した。析出
相Ｂの個数密度は透過型電子顕微鏡を用いて測定した。
加速電圧は３００ｋＶに設定した。透過型電子顕微鏡で
は、試料の厚さにより析出相Ｂの個数が異なって見える
ことがあるため、各試料毎に厚さの異なる３箇所で測定
し、３箇所とも、析出相Ｂの個数密度が析出相Ａの個数
密度の１０倍以上の場合のみを「析出相Ｂの個数密度が
析出相Ａの個数密度の１０倍以上」とした。それ以外は
１０倍未満とした。
水溶液（６体積％Ｈ2 ＳＯ4 ＋７体積％Ｈ2 Ｏ2 ）中に
３０秒間浸漬してエッチングし、その表面を走査型電子
顕微鏡（５００倍）により写真撮影して測定した。析出
相Ｂの個数密度は透過型電子顕微鏡を用いて測定した。
加速電圧は３００ｋＶに設定した。透過型電子顕微鏡で
は、試料の厚さにより析出相Ｂの個数が異なって見える
ことがあるため、各試料毎に厚さの異なる３箇所で測定
し、３箇所とも、析出相Ｂの個数密度が析出相Ａの個数
密度の１０倍以上の場合のみを「析出相Ｂの個数密度が
析出相Ａの個数密度の１０倍以上」とした。それ以外は
１０倍未満とした。
【００２９】引張強さ（ＴＳ）および伸び（Ｅｌ）はＪ
ＩＳＺ２２４１に準じて、また熱・電気の伝導性を示す
導電率はＪＩＳＨ００５に準じてそれぞれ測定した。打
抜加工性は、金型で角孔（１ｍｍ×５ｍｍ）を多数打抜
き、ＦＡＲ（Ｆｒａｃｔｕｒｅ Ａｒｅａ Ｒａｔｉ
ｏ：脆性破断部厚さ比）、バリの高さ、金型磨耗量につ
いて調べた。前記金型のダイおよびパンチは超硬合金製
で、両者のクリアランスは９μｍ（対板厚比６％）とし
た。前記ＦＡＲは角孔加工面を観察して脆性破断部の厚
さｔを測定し、これを打抜加工前の試験片の厚さＴで除
した値（ｔ／Ｔ）を各２０箇所につき求め、その平均値
（百分率）で評価した。ＦＡＲは大きいほど打抜加工性
に優れる。バリの高さは、角孔縁部のバリの高さを接触
式形状測定器で各２０箇所測定し、その平均値で示し
た。金型摩耗量は触針式輪郭形状測定器を使用してパン
チの先端面の初期断面積Ｓと１００万回打抜加工後の断
面積ｓの差（Ｓ−ｓ）を求め評価した。半田めっき耐熱
剥離性は、試験片にロジン系フラックスを塗布し、２３
０℃の共晶半田（Ｐｂ−６３wt％Ｓｎ合金）浴中に５秒
間浸漬して半田を付着させ、これを１５０℃で１０００
時間大気加熱したのち、１８０度に密着曲げし、次いで
曲げ戻し、曲げ戻し部分の半田の剥離有無を目視観察し
て評価した。
ＩＳＺ２２４１に準じて、また熱・電気の伝導性を示す
導電率はＪＩＳＨ００５に準じてそれぞれ測定した。打
抜加工性は、金型で角孔（１ｍｍ×５ｍｍ）を多数打抜
き、ＦＡＲ（Ｆｒａｃｔｕｒｅ Ａｒｅａ Ｒａｔｉ
ｏ：脆性破断部厚さ比）、バリの高さ、金型磨耗量につ
いて調べた。前記金型のダイおよびパンチは超硬合金製
で、両者のクリアランスは９μｍ（対板厚比６％）とし
た。前記ＦＡＲは角孔加工面を観察して脆性破断部の厚
さｔを測定し、これを打抜加工前の試験片の厚さＴで除
した値（ｔ／Ｔ）を各２０箇所につき求め、その平均値
（百分率）で評価した。ＦＡＲは大きいほど打抜加工性
に優れる。バリの高さは、角孔縁部のバリの高さを接触
式形状測定器で各２０箇所測定し、その平均値で示し
た。金型摩耗量は触針式輪郭形状測定器を使用してパン
チの先端面の初期断面積Ｓと１００万回打抜加工後の断
面積ｓの差（Ｓ−ｓ）を求め評価した。半田めっき耐熱
剥離性は、試験片にロジン系フラックスを塗布し、２３
０℃の共晶半田（Ｐｂ−６３wt％Ｓｎ合金）浴中に５秒
間浸漬して半田を付着させ、これを１５０℃で１０００
時間大気加熱したのち、１８０度に密着曲げし、次いで
曲げ戻し、曲げ戻し部分の半田の剥離有無を目視観察し
て評価した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】表２より明らかなように、本発明例のＮ
ｏ．１〜１２、４１はいずれも優れた打抜加工性を示
し、また半田めっき耐熱剥離性も良好に維持された。こ
れに対し、Ｃｒ量が少ない比較例のＮｏ．１３、１４は
析出相Ａが少ないため打抜加工性が劣った。Ｓｎ量の多
いＮｏ．１５は導電率が低く、Ｚｎが添加されていない
Ｎｏ．１６は半田めっき耐熱剥離性が劣った。Ｃｒ量の
多いＮｏ．１７はパンチが著しく磨耗した。Ｓｉ量の多
いＮｏ．１８は析出相Ａの個数密度が高くなり、その
分、析出相Ｂの個数密度が低下して強度特性が劣り、導
電率も低下した。Ｔｅ、Ｐｂの多いＮｏ．１９およびＢ
ｉの多いＮｏ．４２はいずれも熱間圧延中に割れが生じ
正常に製造できなかった。
ｏ．１〜１２、４１はいずれも優れた打抜加工性を示
し、また半田めっき耐熱剥離性も良好に維持された。こ
れに対し、Ｃｒ量が少ない比較例のＮｏ．１３、１４は
析出相Ａが少ないため打抜加工性が劣った。Ｓｎ量の多
いＮｏ．１５は導電率が低く、Ｚｎが添加されていない
Ｎｏ．１６は半田めっき耐熱剥離性が劣った。Ｃｒ量の
多いＮｏ．１７はパンチが著しく磨耗した。Ｓｉ量の多
いＮｏ．１８は析出相Ａの個数密度が高くなり、その
分、析出相Ｂの個数密度が低下して強度特性が劣り、導
電率も低下した。Ｔｅ、Ｐｂの多いＮｏ．１９およびＢ
ｉの多いＮｏ．４２はいずれも熱間圧延中に割れが生じ
正常に製造できなかった。
【００３３】（実施例２）表１に示した本発明規定値内
組成のＮｏ．５の合金を用い、熱間圧延前の熱処理およ
び冷間圧延後の時効処理を請求項５記載の本発明規定値
内の条件で種々に変化させた他は、実施例１と同じ方法
により銅合金板を製造した。
組成のＮｏ．５の合金を用い、熱間圧延前の熱処理およ
び冷間圧延後の時効処理を請求項５記載の本発明規定値
内の条件で種々に変化させた他は、実施例１と同じ方法
により銅合金板を製造した。
【００３４】（比較例２）熱間圧延前の熱処理または冷
間圧延後の時効処理を請求項５記載の本発明規定値外の
条件とした他は、実施例２と同じ方法により銅合金板を
製造した。
間圧延後の時効処理を請求項５記載の本発明規定値外の
条件とした他は、実施例２と同じ方法により銅合金板を
製造した。
【００３５】（比較例３）表１に示した本発明規定値内
組成のＮｏ．１の合金を用いた他は、比較例２と同じ方
法により銅合金板を製造した。
組成のＮｏ．１の合金を用いた他は、比較例２と同じ方
法により銅合金板を製造した。
【００３６】実施例２および比較例２、３で製造した各
々の銅合金板から試験片を切り出し、実施例１と同じ方
法により種々特性を調査した。製造条件を表３に、調査
結果を表３、４に示す。
々の銅合金板から試験片を切り出し、実施例１と同じ方
法により種々特性を調査した。製造条件を表３に、調査
結果を表３、４に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】
【表４】
【００３９】表３、４より明らかなように、本発明例の
Ｎｏ．２１〜２８はいずれも優れた打抜加工性を示し、
また半田めっき耐熱剥離性も良好に維持された。これに
対し、比較例のＮｏ．２９、３３は熱間圧延前の熱処理
温度が高いため析出相Ａが殆ど存在せず、打抜加工性が
劣った。比較例のＮｏ．３０は熱間圧延前の熱処理温度
が低いため析出相Ａの個数密度が高くなりすぎ、その
分、析出相Ｂの個数密度が低くなり強度特性が低下し
た。粗大な析出相Ａが多い割りには打抜加工性が劣っ
た。これは打抜加工性の改善にはある程度の強度が必要
なためである。比較例のＮｏ．３１は時効処理温度が低
いため、固溶元素が多くなり導電率が低下した。比較例
のＮｏ．３２は時効処理温度が６３０℃と高かったため
析出相Ｂが殆ど確認されず、そのため強度が低く、打抜
加工性にも劣った。また固溶元素が多いため導電率も低
めであった。この試験片では微細な析出相Ｂに代わっ
て、やや成長した最大径が０．０４〜０．０７μｍの析
出相が多数観察された。
Ｎｏ．２１〜２８はいずれも優れた打抜加工性を示し、
また半田めっき耐熱剥離性も良好に維持された。これに
対し、比較例のＮｏ．２９、３３は熱間圧延前の熱処理
温度が高いため析出相Ａが殆ど存在せず、打抜加工性が
劣った。比較例のＮｏ．３０は熱間圧延前の熱処理温度
が低いため析出相Ａの個数密度が高くなりすぎ、その
分、析出相Ｂの個数密度が低くなり強度特性が低下し
た。粗大な析出相Ａが多い割りには打抜加工性が劣っ
た。これは打抜加工性の改善にはある程度の強度が必要
なためである。比較例のＮｏ．３１は時効処理温度が低
いため、固溶元素が多くなり導電率が低下した。比較例
のＮｏ．３２は時効処理温度が６３０℃と高かったため
析出相Ｂが殆ど確認されず、そのため強度が低く、打抜
加工性にも劣った。また固溶元素が多いため導電率も低
めであった。この試験片では微細な析出相Ｂに代わっ
て、やや成長した最大径が０．０４〜０．０７μｍの析
出相が多数観察された。
【００４０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の銅合金
は、Ｃｕ−Ｃｒ系合金のＣｕマトリックス中に、各々の
最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析
出相Ａを１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度
で存在させて打抜加工性を改善し、また各々の最大径が
０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の
析出相Ｂを析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度
で存在させて強度特性を改善したもので、微細に打抜加
工される多ピン・狭ピッチのリードフレームを始め、プ
レスにより打抜加工される端子・コネクター、スイッ
チ、リレー材など導電材料全般に適用して生産性の向上
が図れる。また本発明の銅合金は熱間加工前に８８０〜
９８０℃の温度で熱処理し、冷間加工前または後に３６
０〜４７０℃の温度で時効処理することにより容易に製
造できる。依って、工業上顕著な効果を奏する。
は、Ｃｕ−Ｃｒ系合金のＣｕマトリックス中に、各々の
最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析
出相Ａを１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度
で存在させて打抜加工性を改善し、また各々の最大径が
０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の
析出相Ｂを析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度
で存在させて強度特性を改善したもので、微細に打抜加
工される多ピン・狭ピッチのリードフレームを始め、プ
レスにより打抜加工される端子・コネクター、スイッ
チ、リレー材など導電材料全般に適用して生産性の向上
が図れる。また本発明の銅合金は熱間加工前に８８０〜
９８０℃の温度で熱処理し、冷間加工前または後に３６
０〜４７０℃の温度で時効処理することにより容易に製
造できる。依って、工業上顕著な効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｈ 1/02 Ｈ０１Ｈ 1/02 Ｃ Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｖ // Ｃ２２Ｆ 1/00 ６０１ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６０１ ６０３ ６０３ ６３０ ６３０Ｋ ６６１ ６６１Ａ ６８３ ６８３ ６８５ ６８５Ｚ ６９１ ６９１Ｂ Ｆターム(参考） 5G050 AA08 AA12 AA13 AA33 AA42 AA43 AA45 AA47 AA53 AA60 BA10 CA01 DA01 DA02 DA07 EA06 EA14
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、
残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金におい
て、Ｃｕマトリックス中に、各々の最大径が０．１〜１
０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×１０3
〜３×１０5 個／ｍｍ2 の個数密度で存在し、且つ各々
の最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣ
ｒ化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０倍以上
の個数密度で存在することを特徴とする打抜加工性に優
れた銅合金。 - 【請求項２】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％含み、
さらにＰｂ０．００１〜０．０６wt％、Ｂｉ０．００１
〜０．０６wt％、Ｃａ０．００５〜０．１wt％、Ｓｒ
０．００５〜０．１wt％、Ｔｅ０．００５〜０．１wt
％、Ｓｅ０．００５〜０．１wt％、希土類元素０．００
５〜０．１wt％のうちの１種または２種以上を総量で
０．００１〜０．１wt％含み、残部がＣｕおよび不可避
的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリックス中
に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ
化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2
の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．００１〜
０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ｂが析
出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在するこ
とを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金。 - 【請求項３】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％、Ｓｉ
を０．００５〜０．１wt％含み、残部がＣｕおよび不可
避的不純物からなる銅合金において、Ｃｕマトリックス
中に、各々の最大径が０．１〜１０μｍのＣｒまたはＣ
ｒ化合物の析出相Ａが１×１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ
2 の個数密度で存在し、且つ各々の最大径が０．００１
〜０．０３０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ｂが
析出相Ａの個数密度の１０倍以上の個数密度で存在する
ことを特徴とする打抜加工性に優れた銅合金。 - 【請求項４】 Ｃｒを０．２〜０．３５wt％、Ｓｎを
０．１〜０．５wt％、Ｚｎを０．１〜０．５wt％、Ｓｉ
を０．００５〜０．１wt％含み、さらにＰｂ０．００１
〜０．０６wt％、Ｂｉ０．００１〜０．０６wt％、Ｃａ
０．００５〜０．１wt％、Ｓｒ０．００５〜０．１wt
％、Ｔｅ０．００５〜０．１wt％、Ｓｅ０．００５〜
０．１wt％、希土類元素０．００５〜０．１wt％のうち
の１種または２種以上を総量で０．００１〜０．１wt％
含み、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金
において、Ｃｕマトリックス中に、各々の最大径が０．
１〜１０μｍのＣｒまたはＣｒ化合物の析出相Ａが１×
１０3 〜３×１０5 個／ｍｍ2の個数密度で存在し、且
つ各々の最大径が０．００１〜０．０３０μｍのＣｒま
たはＣｒ化合物の析出相Ｂが析出相Ａの個数密度の１０
倍以上の個数密度で存在することを特徴とする打抜加工
性に優れた銅合金。 - 【請求項５】 少なくとも熱間加工および冷間加工を施
す、打抜加工性に優れた銅合金の製造方法であって、前
記熱間加工前に８８０〜９８０℃の温度で熱処理を施
し、前記冷間加工前または後に３６０〜４７０℃の温度
で時効処理を施すことを特徴とする請求項１、２、３、
４のいずれかに記載の打抜加工性に優れた銅合金の製造
方法。
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