JP2001168535A - ビルドアップ配線基板及びその製造方法 - Google Patents
ビルドアップ配線基板及びその製造方法Info
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- JP2001168535A JP2001168535A JP2000338180A JP2000338180A JP2001168535A JP 2001168535 A JP2001168535 A JP 2001168535A JP 2000338180 A JP2000338180 A JP 2000338180A JP 2000338180 A JP2000338180 A JP 2000338180A JP 2001168535 A JP2001168535 A JP 2001168535A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁体との密着性に優れた配線を有するビル
ドアップ配線基板の提供。 【解決手段】 電極あるいは配線が窒化チタン薄膜から
なる下地を有するビルドアップ配線基板であり、かつ、
前記配線を、電気銅メッキとするとともに、ビルドアッ
プ絶縁層を、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレ
ートで構成する。
ドアップ配線基板の提供。 【解決手段】 電極あるいは配線が窒化チタン薄膜から
なる下地を有するビルドアップ配線基板であり、かつ、
前記配線を、電気銅メッキとするとともに、ビルドアッ
プ絶縁層を、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレ
ートで構成する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ配線
基板及びその製造方法に関する。
基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、実装基板の小型化の要求から、ビ
ルドアップ基板等の多層配線構造の微細配線を有する基
板の需要が高まっている。ビルドアップ基板等のフォト
リソグラフィーの技術を用いて製造している電極あるい
は配線は、基板を粗化することにより密着を得ている
が、基板の粗化は微細配線には適していない問題があっ
た。
ルドアップ基板等の多層配線構造の微細配線を有する基
板の需要が高まっている。ビルドアップ基板等のフォト
リソグラフィーの技術を用いて製造している電極あるい
は配線は、基板を粗化することにより密着を得ている
が、基板の粗化は微細配線には適していない問題があっ
た。
【０００３】微細な配線を有する基板はスパッタリング
を使用した工程により作製されるが、この場合には電極
あるいは配線の密着下地金属としてＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，
Ｚｒ等が一般的に用いられている。例えば、特開昭５５
−１５８６９７号公報にはＴｉを配線の下地とした基板
が報告されている。
を使用した工程により作製されるが、この場合には電極
あるいは配線の密着下地金属としてＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，
Ｚｒ等が一般的に用いられている。例えば、特開昭５５
−１５８６９７号公報にはＴｉを配線の下地とした基板
が報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線と
絶縁体との密着性を改良するために従来提案されている
下地金属では、エッチング性と密着性の両方に優れてい
るものがなかった。
絶縁体との密着性を改良するために従来提案されている
下地金属では、エッチング性と密着性の両方に優れてい
るものがなかった。
【０００５】そのため、従来のビルドアップ基板では、
電極あるいは配線の下地金属としてエッチング性と密着
性の両方に優れているものがないといった問題の解決が
要望されている。
電極あるいは配線の下地金属としてエッチング性と密着
性の両方に優れているものがないといった問題の解決が
要望されている。
【０００６】本発明は、上記要望に鑑みてなされたもの
であり、第１に、絶縁体との密着性に優れた配線を有す
るビルドアップ配線基板を提供することを目的としてい
る。
であり、第１に、絶縁体との密着性に優れた配線を有す
るビルドアップ配線基板を提供することを目的としてい
る。
【０００７】第２に、本発明は、絶縁体との密着性に優
れた配線を有するビルドアップ配線基板の製造方法を提
供することを目的としている。
れた配線を有するビルドアップ配線基板の製造方法を提
供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のビルドアップ配線基板の発明は、電極ある
いは配線が窒化チタン薄膜からなる下地を有する構成と
してあり、好ましくは、前記配線が、電気銅メッキから
なる構成とし、また、前記ビルドアップ絶縁層を、フル
オレン骨格を有するエポキシアクリレートで構成してあ
る。
め、本発明のビルドアップ配線基板の発明は、電極ある
いは配線が窒化チタン薄膜からなる下地を有する構成と
してあり、好ましくは、前記配線が、電気銅メッキから
なる構成とし、また、前記ビルドアップ絶縁層を、フル
オレン骨格を有するエポキシアクリレートで構成してあ
る。
【０００９】このような構成の発明によれば、窒化チタ
ン薄膜は絶縁基板との密着性が良好であると共に、成膜
条件で膜応力を低下させることが可能であるため、配線
の下地として好適である。また、寸法精度良くウエット
エッチングパターン形成が可能であるため、微細配線形
成が可能であり、しかも、アンモニアを含む水溶液でウ
エットエッチングされるため、エッチング時に基板や配
線を劣化させることがない。そのため、窒化チタン薄膜
を配線の下地として用いることにより、信頼性の高い微
細配線のビルドアップ配線基板となる。
ン薄膜は絶縁基板との密着性が良好であると共に、成膜
条件で膜応力を低下させることが可能であるため、配線
の下地として好適である。また、寸法精度良くウエット
エッチングパターン形成が可能であるため、微細配線形
成が可能であり、しかも、アンモニアを含む水溶液でウ
エットエッチングされるため、エッチング時に基板や配
線を劣化させることがない。そのため、窒化チタン薄膜
を配線の下地として用いることにより、信頼性の高い微
細配線のビルドアップ配線基板となる。
【００１０】また、上記目的を達成するため、本発明の
ビルドアップ配線基板の製造方法は、絶縁体上に窒化チ
タン薄膜を形成する工程と、この窒化チタン薄膜の上に
配線を形成する工程とを有す方法としてある。
ビルドアップ配線基板の製造方法は、絶縁体上に窒化チ
タン薄膜を形成する工程と、この窒化チタン薄膜の上に
配線を形成する工程とを有す方法としてある。
【００１１】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜上に銅薄
膜を形成する工程と、この銅薄膜上に銅の配線を形成す
る工程と、前記銅薄膜の一部と前記窒化チタン薄膜の一
部を除去する工程とを有する方法としてある。
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜上に銅薄
膜を形成する工程と、この銅薄膜上に銅の配線を形成す
る工程と、前記銅薄膜の一部と前記窒化チタン薄膜の一
部を除去する工程とを有する方法としてある。
【００１２】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜と銅薄膜
を、ともにスパッタリングにより形成する方法としてあ
る。
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜と銅薄膜
を、ともにスパッタリングにより形成する方法としてあ
る。
【００１３】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記銅の配線を電気メッキで
形成する方法としてある。
基板の製造方法において、前記銅の配線を電気メッキで
形成する方法としてある。
【００１４】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記銅の配線を形成する前
に、レジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニン
グする工程を有する方法としてある。
基板の製造方法において、前記銅の配線を形成する前
に、レジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニン
グする工程を有する方法としてある。
【００１５】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜を除去す
る際に、アンモニアと過酸化水素を含む水溶液で該窒化
チタン薄膜をエッチングする方法としてある。
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜を除去す
る際に、アンモニアと過酸化水素を含む水溶液で該窒化
チタン薄膜をエッチングする方法としてある。
【００１６】また、好ましくは、前記ビルドアップ配線
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜形成がス
パッタリングによるものであり、かつ、そのときの基板
温度を１５０℃以上とする絶縁体上に窒化チタン薄膜を
形成する工程と、前記窒化チタン薄膜の上に配線を形成
する工程と、前記窒化チタン薄膜をパターニングする工
程とを有する方法としてある。
基板の製造方法において、前記窒化チタン薄膜形成がス
パッタリングによるものであり、かつ、そのときの基板
温度を１５０℃以上とする絶縁体上に窒化チタン薄膜を
形成する工程と、前記窒化チタン薄膜の上に配線を形成
する工程と、前記窒化チタン薄膜をパターニングする工
程とを有する方法としてある。
【００１７】このような発明によれば、配線が、絶縁体
上に設けられている窒化チタン薄膜を介して絶縁体上に
配置されている構造のビルドアップ配線基板を製造する
ことができる。
上に設けられている窒化チタン薄膜を介して絶縁体上に
配置されている構造のビルドアップ配線基板を製造する
ことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１９】図１に本発明の実施形態にかかるビルドア
ップ配線基板の構造を示す。図１において、このビルド
アップ配線基板は、ベース基板２０やビルドアップ層２
１等の絶縁体上に配線されている金属あるいは合金から
なる配線の下地が窒化チタン薄膜からなり、配線２３が
窒化チタン薄膜１１との積層構造であることに特徴があ
る。
ップ配線基板の構造を示す。図１において、このビルド
アップ配線基板は、ベース基板２０やビルドアップ層２
１等の絶縁体上に配線されている金属あるいは合金から
なる配線の下地が窒化チタン薄膜からなり、配線２３が
窒化チタン薄膜１１との積層構造であることに特徴があ
る。
【００２０】基板としては、抵抗内蔵基板と同様に、絶
縁基板としてはビルドアップ基板，プリント基板，絶縁
層付きＳｉ基板，セラミック基板，有機フィルム，ガラ
ス板，絶縁層付き金属板あるいは絶縁層付き金属箔等が
用いられ、それぞれ内部配線，ビア，スルーホール等を
有していても、有していなくても良い。ここで、絶縁層
としては、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレー
トなどを用いることができる。また、窒化チタンはＰＶ
Ｄ、ＣＶＤ等により形成された薄膜が好適であるが、限
定されるものではなく、その形状や組成についても限定
されるものではない。
縁基板としてはビルドアップ基板，プリント基板，絶縁
層付きＳｉ基板，セラミック基板，有機フィルム，ガラ
ス板，絶縁層付き金属板あるいは絶縁層付き金属箔等が
用いられ、それぞれ内部配線，ビア，スルーホール等を
有していても、有していなくても良い。ここで、絶縁層
としては、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレー
トなどを用いることができる。また、窒化チタンはＰＶ
Ｄ、ＣＶＤ等により形成された薄膜が好適であるが、限
定されるものではなく、その形状や組成についても限定
されるものではない。
【００２１】配線に使用される金属あるいは合金は、め
っきにより形成できるものが好適であるが、その種類，
組成は限定されるものではない。また、配線に使用され
る金属あるいは合金は、複数の金属あるいは合金層から
なっていても良い。特に、最表層の電極として用いる場
合には、配線に用いられる金属上にバリア金属，酸化防
止あるいは濡れ性向上金属を設けることは有効である。
っきにより形成できるものが好適であるが、その種類，
組成は限定されるものではない。また、配線に使用され
る金属あるいは合金は、複数の金属あるいは合金層から
なっていても良い。特に、最表層の電極として用いる場
合には、配線に用いられる金属上にバリア金属，酸化防
止あるいは濡れ性向上金属を設けることは有効である。
【００２２】図１に示したビルドアップ配線基板の構造
によれば、配線の下地を窒化チタンとすることで、ウエ
ットエッチングが容易に可能となり密着性に優れた配線
を得ることができる。
によれば、配線の下地を窒化チタンとすることで、ウエ
ットエッチングが容易に可能となり密着性に優れた配線
を得ることができる。
【００２３】窒化チタンのウエットエッチング方法は、
限定されるものではないが、アンモニアと過酸化水素を
含む水溶液をエッチャントとするのが好適であり、この
エッチャントの使用により基板の劣化を防止することが
できる。Ｔｉを下地とした基板では、同様のエッチャン
トを使用できるが、本発明の窒化チタンは成膜条件を変
化させることにより、その組成や結晶膜のモフォロジー
を変化させることが可能であり、それに伴い薄膜の応力
を調整できる特徴がある。この応力の調整により、どの
様な基板に対しても、良好な密着を得ることができる。
限定されるものではないが、アンモニアと過酸化水素を
含む水溶液をエッチャントとするのが好適であり、この
エッチャントの使用により基板の劣化を防止することが
できる。Ｔｉを下地とした基板では、同様のエッチャン
トを使用できるが、本発明の窒化チタンは成膜条件を変
化させることにより、その組成や結晶膜のモフォロジー
を変化させることが可能であり、それに伴い薄膜の応力
を調整できる特徴がある。この応力の調整により、どの
様な基板に対しても、良好な密着を得ることができる。
【００２４】この応力の調整は、特にチタンターゲット
を使用し窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを
導入した反応性スパッタにおいて、スパッタ時圧力や基
板温度の制御により容易に行うことができる。また、窒
化チタンはバリア性に優れているため、本発明の構造に
より配線に使用される金属あるいは合金が基板へ拡散し
にくいため、信頼性も優れている特徴がある。
を使用し窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを
導入した反応性スパッタにおいて、スパッタ時圧力や基
板温度の制御により容易に行うことができる。また、窒
化チタンはバリア性に優れているため、本発明の構造に
より配線に使用される金属あるいは合金が基板へ拡散し
にくいため、信頼性も優れている特徴がある。
【００２５】また、窒化チタンはバリア性に優れている
ので、配線に使用される金属あるいは合金が基板へ拡散
しにくい特性を有する。そのため、配線及び電極の絶縁
基板に対する下地層として窒化チタン薄膜を用いたこと
により、信頼性に優れた微細配線のビルドアップ配線基
板を与えることができる。
ので、配線に使用される金属あるいは合金が基板へ拡散
しにくい特性を有する。そのため、配線及び電極の絶縁
基板に対する下地層として窒化チタン薄膜を用いたこと
により、信頼性に優れた微細配線のビルドアップ配線基
板を与えることができる。
【００２６】図１に示したビルドアップ配線基板は、窒
化チタン薄膜が絶縁基板上に形成されている構造である
が、本発明の窒化チタン薄膜を抵抗体及び配線の下地層
として用いることもできる。
化チタン薄膜が絶縁基板上に形成されている構造である
が、本発明の窒化チタン薄膜を抵抗体及び配線の下地層
として用いることもできる。
【００２７】図２〜図６は、ビルドアップ基板に抵抗体
を内蔵させた実施形態を示すもので、図２は、抵抗体が
ビルドアップ層内にある場合を示している。このビルド
アップ層２１は、ベース基板２０上に複数のビルドアッ
プ樹脂層２１ａが積層され、それぞれのビルドアップ樹
脂層の表面には、配線２３が設けられ、ビルドアップ樹
脂層２１ａ間の配線の接続は、ビルドアップ樹脂層２１
ａに設けられたビアホール２４を介して行われる。窒化
チタン薄膜１１が抵抗体１１ａとして設けられている配
線層２３はその窒化チタン薄膜１１との積層膜になって
おり、そのため、下層のビルドアップ層の配線とも窒化
チタン薄膜１１を介して接続され、窒化チタン薄膜１１
がバリア層として機能している。ビルドアップ樹脂層２
１ａは、例えばポリイミド前駆体含有溶液をスピンコー
トで塗布後、約４００℃で熱処理したポリイミド系樹脂
で構成されている。
を内蔵させた実施形態を示すもので、図２は、抵抗体が
ビルドアップ層内にある場合を示している。このビルド
アップ層２１は、ベース基板２０上に複数のビルドアッ
プ樹脂層２１ａが積層され、それぞれのビルドアップ樹
脂層の表面には、配線２３が設けられ、ビルドアップ樹
脂層２１ａ間の配線の接続は、ビルドアップ樹脂層２１
ａに設けられたビアホール２４を介して行われる。窒化
チタン薄膜１１が抵抗体１１ａとして設けられている配
線層２３はその窒化チタン薄膜１１との積層膜になって
おり、そのため、下層のビルドアップ層の配線とも窒化
チタン薄膜１１を介して接続され、窒化チタン薄膜１１
がバリア層として機能している。ビルドアップ樹脂層２
１ａは、例えばポリイミド前駆体含有溶液をスピンコー
トで塗布後、約４００℃で熱処理したポリイミド系樹脂
で構成されている。
【００２８】また、図３は、抵抗体をベース基板とビル
ドアップ層の界面に配置した形態、図４は、抵抗体をビ
ルドアップ層に表面に配置した形態、図５は、抵抗体を
ビルドアップ層の裏面のベース基板表面に配置した形
態、図６は、抵抗体をビルドアップ層が設けられていな
いベース基板表面に配置した形態をそれぞれ示す。これ
らの図からも明らかなように、抵抗体を形成する場所は
限定されない。また、抵抗体を複数の層に形成しても良
い。更に、抵抗体を形成していない層の電極あるいは配
線の下地は、窒化チタン薄膜であっても、別の薄膜であ
っても、あるいは下地が無くても良い。ただし、配線の
下地を窒化チタンとすることは、基板との密着性を保
ち、銅等の配線に使われる金属イオンの基板への拡散を
抑制できるため、信頼性上有効である。
ドアップ層の界面に配置した形態、図４は、抵抗体をビ
ルドアップ層に表面に配置した形態、図５は、抵抗体を
ビルドアップ層の裏面のベース基板表面に配置した形
態、図６は、抵抗体をビルドアップ層が設けられていな
いベース基板表面に配置した形態をそれぞれ示す。これ
らの図からも明らかなように、抵抗体を形成する場所は
限定されない。また、抵抗体を複数の層に形成しても良
い。更に、抵抗体を形成していない層の電極あるいは配
線の下地は、窒化チタン薄膜であっても、別の薄膜であ
っても、あるいは下地が無くても良い。ただし、配線の
下地を窒化チタンとすることは、基板との密着性を保
ち、銅等の配線に使われる金属イオンの基板への拡散を
抑制できるため、信頼性上有効である。
【００２９】次に、実施形態のビルドアップ配線基板を
製造する方法について説明する。はじめに、製造方法の
第一実施形態について図７のフローチャートを参照しな
がら説明する。なお、この実施形態は、抵抗体を配線基
板に内蔵したものを対象としている。
製造する方法について説明する。はじめに、製造方法の
第一実施形態について図７のフローチャートを参照しな
がら説明する。なお、この実施形態は、抵抗体を配線基
板に内蔵したものを対象としている。
【００３０】まず、絶縁基板１０上に窒化チタン、銅の
順序で連続的にスパッタリングを行って、窒化チタンス
パッタ膜１１及び銅スパッタ膜を形成する。この工程に
おける窒化チタンスパッタリングの方法は、チタンター
ゲットを使用し、窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混
合ガスを導入した反応性ＤＣスパッタが好適であるが、
ＲＦスパッタリング等のその他の方法でも良く、限定は
されない。
順序で連続的にスパッタリングを行って、窒化チタンス
パッタ膜１１及び銅スパッタ膜を形成する。この工程に
おける窒化チタンスパッタリングの方法は、チタンター
ゲットを使用し、窒素ガスあるいは窒素とアルゴンの混
合ガスを導入した反応性ＤＣスパッタが好適であるが、
ＲＦスパッタリング等のその他の方法でも良く、限定は
されない。
【００３１】次に、フォトレジスト膜をスピンコートな
どによって成膜し、その後、フォトレジスト膜をパター
ニングし、電極及び配線のパターンをフォトレジスト膜
から除去する。このとき、薄膜抵抗体内蔵型とする場合
は、抵抗体配置箇所に電極を形成して、配線に断線部分
を形成しておく。
どによって成膜し、その後、フォトレジスト膜をパター
ニングし、電極及び配線のパターンをフォトレジスト膜
から除去する。このとき、薄膜抵抗体内蔵型とする場合
は、抵抗体配置箇所に電極を形成して、配線に断線部分
を形成しておく。
【００３２】次に、銅薄膜を電極として電気メッキ法に
よりメッキを行い、例えば銅膜を形成する。次に、フォ
トレジスト膜をアッシュ法などによりフォトレジスト膜
を剥離することにより、いわゆるセミアディティブ法で
銅膜を電極及び配線のパターンに残す。
よりメッキを行い、例えば銅膜を形成する。次に、フォ
トレジスト膜をアッシュ法などによりフォトレジスト膜
を剥離することにより、いわゆるセミアディティブ法で
銅膜を電極及び配線のパターンに残す。
【００３３】その後、銅スパッタ膜を、例えば、硫酸、
過酸化水素及び水の混合水溶液でエッチングして除去す
る。次に、フォトレジスト膜を成膜した後、抵抗体のパ
ターンにパターニングする。
過酸化水素及び水の混合水溶液でエッチングして除去す
る。次に、フォトレジスト膜を成膜した後、抵抗体のパ
ターンにパターニングする。
【００３４】そして、窒化チタンスパッタ膜１１をアン
モニア、過酸化水素及び水の混合水溶液でエッチングす
る。このとき、フォトレジスト膜、配線及び電極がエッ
チングのマスクとして機能する。最後に、フォトレジス
ト膜をアッシュ法により剥離することにより、図１に示
したようなビルドアップ配線基板を製造することができ
る。
モニア、過酸化水素及び水の混合水溶液でエッチングす
る。このとき、フォトレジスト膜、配線及び電極がエッ
チングのマスクとして機能する。最後に、フォトレジス
ト膜をアッシュ法により剥離することにより、図１に示
したようなビルドアップ配線基板を製造することができ
る。
【００３５】また、配線基板を製造する方法の第二実施
形態について図８のフローチャートを参照しながら説明
する。まず、窒化チタン薄膜をスパッタリング法により
成膜して窒化チタンスパッタ膜を形成する。
形態について図８のフローチャートを参照しながら説明
する。まず、窒化チタン薄膜をスパッタリング法により
成膜して窒化チタンスパッタ膜を形成する。
【００３６】次に、フォトレジスト膜をスピンコートな
どによって成膜し、その後、フォトレジスト膜をパター
ニングし、電極及び配線のパターンが開口したフォトレ
ジスト膜を形成する。次に、例えば無電解メッキ法によ
りメッキを行い、例えば銅膜を形成する。次に、フォト
レジスト膜をアッシュ法などによりフォトレジスト膜を
剥離することにより、いわゆるリフト法で銅膜を電極及
び配線のパターンに残す。
どによって成膜し、その後、フォトレジスト膜をパター
ニングし、電極及び配線のパターンが開口したフォトレ
ジスト膜を形成する。次に、例えば無電解メッキ法によ
りメッキを行い、例えば銅膜を形成する。次に、フォト
レジスト膜をアッシュ法などによりフォトレジスト膜を
剥離することにより、いわゆるリフト法で銅膜を電極及
び配線のパターンに残す。
【００３７】次に、フォトレジスト膜を成膜した後、抵
抗体のパターンにパターニングする。そして、窒化チタ
ンスパッタ膜をアンモニア、過酸化水素及び水の混合水
溶液でエッチングする。
抗体のパターンにパターニングする。そして、窒化チタ
ンスパッタ膜をアンモニア、過酸化水素及び水の混合水
溶液でエッチングする。
【００３８】最後に、フォトレジスト膜をアッシュ法な
どにより剥離することにより、図１に示したようなビル
ドアップ配線基板を製造することができる。
どにより剥離することにより、図１に示したようなビル
ドアップ配線基板を製造することができる。
【００３９】上記の製造方法では、配線を形成するため
の導電体膜の形成前にフォトレジスト膜を形成している
が、導電体膜を形成後にフォトレジスト膜を形成し、そ
の後、導電体膜をエッチングして配線を形成しても良
い。
の導電体膜の形成前にフォトレジスト膜を形成している
が、導電体膜を形成後にフォトレジスト膜を形成し、そ
の後、導電体膜をエッチングして配線を形成しても良
い。
【００４０】このようなビルドアップ配線基板の製造方
法によれば、第一実施形態では、窒化チタン薄膜と銅薄
膜とを連続スパッタリングで形成しているので、スパッ
タリング工程は１回であり、第二実施形態においてもス
パッタリング工程は１回である。
法によれば、第一実施形態では、窒化チタン薄膜と銅薄
膜とを連続スパッタリングで形成しているので、スパッ
タリング工程は１回であり、第二実施形態においてもス
パッタリング工程は１回である。
【００４１】なお、窒化チタンはアンモニアと過酸化水
素を含む水溶液でエッチングされ、酸に侵され難い特性
を有する。そのため、金属銅などの導電性材料で構成さ
れる配線や電極と選択エッチングが可能であり、窒化チ
タン薄膜をエッチングによりパターニングする際に、配
線や電極を劣化させることがなく、微細配線を損なわな
いので、近年のビルドアップ基板のような微細配線を有
するビルドアップ配線基板に好適である。しかも、窒化
チタンは、バリア性が高く、金属や絶縁基板に使用され
る絶縁材料の拡散が少ないため、不動態膜などを設けな
くても抵抗値の径時変化が少なく、安定な抵抗値を維持
する。
素を含む水溶液でエッチングされ、酸に侵され難い特性
を有する。そのため、金属銅などの導電性材料で構成さ
れる配線や電極と選択エッチングが可能であり、窒化チ
タン薄膜をエッチングによりパターニングする際に、配
線や電極を劣化させることがなく、微細配線を損なわな
いので、近年のビルドアップ基板のような微細配線を有
するビルドアップ配線基板に好適である。しかも、窒化
チタンは、バリア性が高く、金属や絶縁基板に使用され
る絶縁材料の拡散が少ないため、不動態膜などを設けな
くても抵抗値の径時変化が少なく、安定な抵抗値を維持
する。
【００４２】また、窒化チタン薄膜は、成膜条件を変化
させることにより、その組成や結晶膜のモフォロジーを
変化させることが可能であり、それに伴い薄膜の応力を
調整できる特徴がある。この応力の調整により、どの様
な基板に対しても、良好な密着を得ることができる。こ
の応力の調整は、特にチタンターゲットを使用し窒素ガ
スあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを導入した反応性
スパッタにおいて、スパッタ時圧力や基板温度の制御に
より容易に行うことができる。
させることにより、その組成や結晶膜のモフォロジーを
変化させることが可能であり、それに伴い薄膜の応力を
調整できる特徴がある。この応力の調整により、どの様
な基板に対しても、良好な密着を得ることができる。こ
の応力の調整は、特にチタンターゲットを使用し窒素ガ
スあるいは窒素とアルゴンの混合ガスを導入した反応性
スパッタにおいて、スパッタ時圧力や基板温度の制御に
より容易に行うことができる。
【００４３】次に、配線基板の製造例の、より具体的な
例を示す。特開平９−２１４１４１号公報に記載のフル
オレン骨格を有するエポキシアクリレートをコーティン
グした１００ｍｍ□プリント基板ＦＲ−４および表面に
酸化膜を形成した５インチ径Ｓｉウエハへ、スパッタア
ップタイプインラインＤＣスパッタ装置で窒化チタン，
銅の順で連続に薄膜を形成した。スパッタ装置のチャン
バー内圧力は９．９×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気の
後、窒化チタン成膜時はチャンバー内に窒素を５０ｓｃ
ｃｍで導入しながらオリフィス絞りを制御して、０．５
〜１０ｍＴｏｒｒの圧力とした。基板温度は２５〜２０
０℃、ターゲット上の基板移動速度は１００〜５００ｍ
ｍ／ｍｉｎ、スパッタ電流は２．５〜８Ａにした。銅成
膜時はアルゴンを５０ｓｃｃｍで導入しながらオリフィ
ス絞りを制御して、３ｍＴｏｒｒの圧力とした。基板温
度は６０℃、ターゲット上の基板移動速度は３００ｍｍ
／ｍｉｎ、スパッタ電流は４Ａにした。
例を示す。特開平９−２１４１４１号公報に記載のフル
オレン骨格を有するエポキシアクリレートをコーティン
グした１００ｍｍ□プリント基板ＦＲ−４および表面に
酸化膜を形成した５インチ径Ｓｉウエハへ、スパッタア
ップタイプインラインＤＣスパッタ装置で窒化チタン，
銅の順で連続に薄膜を形成した。スパッタ装置のチャン
バー内圧力は９．９×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気の
後、窒化チタン成膜時はチャンバー内に窒素を５０ｓｃ
ｃｍで導入しながらオリフィス絞りを制御して、０．５
〜１０ｍＴｏｒｒの圧力とした。基板温度は２５〜２０
０℃、ターゲット上の基板移動速度は１００〜５００ｍ
ｍ／ｍｉｎ、スパッタ電流は２．５〜８Ａにした。銅成
膜時はアルゴンを５０ｓｃｃｍで導入しながらオリフィ
ス絞りを制御して、３ｍＴｏｒｒの圧力とした。基板温
度は６０℃、ターゲット上の基板移動速度は３００ｍｍ
／ｍｉｎ、スパッタ電流は４Ａにした。
【００４４】次に、これらの基板にフォトレジストのコ
ーティング，パターニング後、電気銅めっきを行い電極
および配線を形成後、レジストを剥離、銅スパッタ膜を
硫酸，過酸化水素，水の混合水溶液でエッチングした。
ーティング，パターニング後、電気銅めっきを行い電極
および配線を形成後、レジストを剥離、銅スパッタ膜を
硫酸，過酸化水素，水の混合水溶液でエッチングした。
【００４５】次に、フォトレジストをコーティングおよ
びパターニング、窒化チタン膜をアンモニア，過酸化水
素，水の混合水溶液でエッチング後、レジストを剥離し
て窒化チタン抵抗体パターンを得た。
びパターニング、窒化チタン膜をアンモニア，過酸化水
素，水の混合水溶液でエッチング後、レジストを剥離し
て窒化チタン抵抗体パターンを得た。
【００４６】最後に測定パッドのみ開口して上記フルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレートをコーティング
した。
レン骨格を有するエポキシアクリレートをコーティング
した。
【００４７】
【発明の効果】本発明のビルドアップ配線基板によれ
ば、配線を窒化チタン薄膜との積層構造としたことによ
り、密着性、バリヤ性に優れた窒化チタン薄膜が有効な
下地層として機能し、製造工程の減少、信頼性を有する
ビルドアップ配線基板を達成することができる。
ば、配線を窒化チタン薄膜との積層構造としたことによ
り、密着性、バリヤ性に優れた窒化チタン薄膜が有効な
下地層として機能し、製造工程の減少、信頼性を有する
ビルドアップ配線基板を達成することができる。
【００４８】また、本発明のビルドアップ配線基板の製
造方法によれば、信頼性の高いビルドアップ配線基板を
少ない工程で製造することができる。
造方法によれば、信頼性の高いビルドアップ配線基板を
少ない工程で製造することができる。
【図１】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層内に窒化チタ
ン抵抗がある場合を示す断面図である。
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層内に窒化チタ
ン抵抗がある場合を示す断面図である。
【図３】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示し、ビルドアップ基板のベース基板とビルドアップ層
の界面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
示し、ビルドアップ基板のベース基板とビルドアップ層
の界面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
【図４】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層表面に窒化チ
タン抵抗がある場合を示す断面図である。
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層表面に窒化チ
タン抵抗がある場合を示す断面図である。
【図５】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層裏面のベース
基板表面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層裏面のベース
基板表面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
【図６】本発明のビルドアップ配線基板の一実施形態を
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層の無いベース
基板表面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
示し、ビルドアップ基板のビルドアップ層の無いベース
基板表面に窒化チタン抵抗がある場合を示す断面図であ
る。
【図７】本発明のビルドアップ配線基板にかかる抵抗体
を内蔵するビルドアップ配線基板の第一実施形態の製造
方法を説明するフローチャートである。
を内蔵するビルドアップ配線基板の第一実施形態の製造
方法を説明するフローチャートである。
【図８】本発明のビルドアップ配線基板にかかる抵抗体
を内蔵するビルドアップ配線基板の第二実施形態の製造
方法を説明するフローチャートである。
を内蔵するビルドアップ配線基板の第二実施形態の製造
方法を説明するフローチャートである。
１ ビルドアップ配線基板 １０ 絶縁基板 １１ 窒化チタン薄膜 １１ａ 抵抗 １２ 電極 １３ 配線 ２１ ビルドアップ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ 3/38 3/38 Ｂ
Claims (10)
- 【請求項１】 ビルドアップ配線基板であって、 電極あるいは配線が窒化チタン薄膜からなる下地を有す
ることを特徴とするビルドアップ配線基板。 - 【請求項２】 請求項１記載のビルドアップ配線基板に
おいて、 前記配線が、電気銅メッキからなることを特徴とするビ
ルドアップ配線基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のビルドアップ配線
基板において、 ビルドアップ絶縁層を、フルオレン骨格を有するエポキ
シアクリレートで構成したことを特徴とするビルドアッ
プ配線基板。 - 【請求項４】 絶縁体上に窒化チタン薄膜を形成する工
程と、 この窒化チタン薄膜の上に配線を形成する工程と、 を有することを特徴とするビルドアップ配線基板の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のビルドアップ配線基板の
製造方法において、 前記窒化チタン薄膜上に銅薄膜を形成する工程と、 この銅薄膜上に銅の配線を形成する工程と、 前記銅薄膜の一部と前記窒化チタン薄膜の一部を除去す
る工程とを有することを特徴とするビルドアップ配線基
板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載のビルドアップ配線基板の
製造方法において、 前記窒化チタン薄膜と銅薄膜を、ともにスパッタリング
により形成することを特徴とするビルドアップ配線基板
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載のビルドアップ配線
基板の製造方法において、 前記銅の配線を形成する工程が電気メッキ法であること
を特徴とするビルドアップ配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれかに記載のビルド
アップ配線基板の製造方法において、 前記銅の配線を形成する前に、レジスト膜を形成し、こ
のレジスト膜をパターニングする工程を有することを特
徴とするビルドアップ配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 請求項４〜８のいずれかに記載のビルド
アップ配線基板の製造方法において、 前記窒化チタン薄膜を除去する際に、アンモニアと過酸
化水素を含む水溶液で該窒化チタン薄膜をエッチングす
ることを特徴とするビルドアップ配線基板の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項４〜９のいずれかに記載のビル
ドアップ配線基板の製造方法において、 前記窒化チタン薄膜形成がスパッタリングによるもので
あり、かつ、そのときの基板温度を１５０℃以上とする
ことを特徴とするビルドアップ配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338180A JP2001168535A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ビルドアップ配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338180A JP2001168535A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ビルドアップ配線基板及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17031398A Division JP3255112B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-17 | 抵抗内蔵型の配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168535A true JP2001168535A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18813432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338180A Pending JP2001168535A (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | ビルドアップ配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011002022A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | イビデン株式会社 | プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000338180A patent/JP2001168535A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011002022A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | イビデン株式会社 | プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法 |
| US8436252B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-05-07 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
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