JP2001168232A - 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板 - Google Patents

回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板

Info

Publication number
JP2001168232A
JP2001168232A JP35402999A JP35402999A JP2001168232A JP 2001168232 A JP2001168232 A JP 2001168232A JP 35402999 A JP35402999 A JP 35402999A JP 35402999 A JP35402999 A JP 35402999A JP 2001168232 A JP2001168232 A JP 2001168232A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit component
layer
insulating resin
resin layer
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35402999A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Tomura
善広 戸村
Minehiro Itagaki
峰広 板垣
Tsutomu Mitani
力 三谷
Yoshihiro Bessho
芳宏 別所
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP35402999A priority Critical patent/JP2001168232A/ja
Publication of JP2001168232A publication Critical patent/JP2001168232A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】回路部品実装体において、製造効率及び信頼性
の向上と小型軽量化を図る。 【解決手段】導電層１上の所定位置にこの導電層１に当
接して接続する導電部材２を設け、この導電層１上に、
導電層１との間に導電部材２を埋め込む絶縁性樹脂層３
を設けることで回路部品接続材４を形成する。そして、
回路部品２０を、回路部品接続材４の導電層形成面と対
向する当該接続材４の面に当接配置し、回路部品２０の
回路部品接続材当接面に、絶縁性樹脂層３の内部に突出
してその先端が導電部材２に当接して回路部品２０の外
部接続電極２３を導電層１に接続する突起電極１１を設
ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップに代
表される回路部品の接続に用いられる接続材、両面基
板、多層回路基板、これらを用いた回路部品実装体、お
よび回路部品接続材や両面回路基板の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化や薄型化などに
伴い、半導体チップの高速化、高集積化、多ピン化と同
時に、半導体チップを高密度に回路基板に実装するため
の高密度実装技術が進んできている。そのため、例え
ば、日経エレクトロニクス１９９３年８−２号Ｎｏ．５
８７掲載『ＬＳＩパッケージ最前線高密度実装を後押
し』Ｐ９３〜９９）に示されるように、半導体チップの
パッケージもさまざまな形状や構造が提案されている。
【０００３】従来の半導体チップの一次実装体や二次実
装体についてその一例を説明する。
【０００４】半導体チップを実装基板に接続する際に、
予め半導体チップの電極パッド（外部接続電極）上に密
着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキにより
形成した半田層とからなる電極構造を形成しておく。そ
して、このような構造を有する半導体チップをフェース
ダウン、すなわち、蒸着膜や半田層の形成面を下向きに
して実装基板に面着させたうえで、高温に加熱して半田
を実装基板の端子電極に融着している。
【０００５】この構造は例えば、工業調査会、１９８０
年１月１５日発行、日本マイクロエレクトロニクス協会
編、『ＩＣ化実装技術』）に示されており、接続後の機
械的強度が強く、接続が一括にできることなどから有効
な構造とされている。
【０００６】半導体チップ（回路部品）を実装してなる
回路部品一次実装体（半導体装置）と、この回路部品一
次実装体を実装してなる回路部品二次実装体の一例につ
いて、図２１、図２２を参照してその概略を説明する。
【０００７】図２１、図２２において、Ａは回路部品一
次実装体、Ｂは回路部品二次実装体、１０１は端子電
極、１０２Ａは一次基板（キャリア基板ないしはインタ
ーポーザー基板と呼ばれる）、１０２Ｂは二次基板、１
０３は半導体チップ、１０４は封止樹脂、１０５は突起
電極である。
【０００８】まず、回路部品一次実装体Ａについて説明
する。半導体チップ１０３の電極パッド１０３ａ上にＣ
ｒ等の密着金属膜およびＣｕ等の拡散防止金属膜からな
る被覆膜１０３ｂを蒸着等により形成する。その後、電
極部位以外をフォトレジストで覆い、メッキ法により被
覆膜１０３ｂ上に数μｍ〜数十μｍの半田を析出させて
突起電極１０５を形成する。ここで、半田リフローを実
施することにより球状の突起電極１０５を形成すること
もできる。
【０００９】突起電極１０５を形成した半導体チップ１
０３を、一次基板１０２Ａ上の端子電極１０１に位置合
わせを行ってフェースダウンで載置する。そして、２０
０〜３００℃の高温に加熱して突起電極１０５の半田成
分を溶融させて端子電極１０１に融着させることによっ
て、半導体チップ１０３の電極パッド１０３ａを、突起
電極１０５を介して一次基板１０２Ａの端子電極１０１
に電気的に接続する。その後、半導体チップ１０３と一
次基板１０２Ａとの間隙やその周辺部に絶縁性の封止樹
脂１０４を充填して被覆する。これにより、図２１に示
す回路部品一次実装体Ａが得られる。
【００１０】次に、回路部品二次実装体Ｂについて説明
する。図２２に示すように、二次基板１０２Ｂの端子電
極１１０上に印刷等によって半田ペース１１１を形成す
る。次に、二次基板１０２Ｂの端子電極１１０と一次基
板１０２Ａの外部接続電極１０６とを位置合わせしたう
えで、外部接続電極１０６を、端子電極１１０上の半田
ペースト１１１上に搭載する。
【００１１】そして半田ペースト１１１を融点以上に加
熱して外部接続電極１０６と端子電極１１０とを電気
的、機械的に接続する。これにより、回路部品二次実装
体Ｂが得られる。
【００１２】なお、最近では半導体チップ１０３の電極
パッド１０３ａ上に形成した突起電極（Ａｕ）１０５
を、導電性接着剤を介して二次基板１０２Ｂの端子電極
１1０に接続する構造も考案されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路部品一次実装体Ａや回路部品二次実装体Ｂは、次の
ような課題を有している。まず、回路部品一次実装体Ａ
の課題を説明する。 １．半導体チップ１０３は個片分割されてから製造され
るため、製造効率が悪い。 ２．半導体チップ１０３と一次基板１０２Ａとの間隙や
その周辺部に封止樹脂１０４を充填する必要があり、封
止樹脂１０４の充填にかかる時間とその硬化時間が長
く、製造効率が悪い。 ３．封止樹脂１０４を設ける分、その厚みで回路部品一
次実装体Ａの厚みが厚くなってしまうとともに、その
分、重量が増加する。また、半導体チップ１０３の周辺
部にも封止樹脂１０４を形成するため、その分、実装部
品基板１０２Ａの面積サイズが大きくなる。 ４．半導体チップ１０３の電極パッド１０３ａと一次基
板１０２Ａの端子電極１０１とを半田で接続しているた
め、一次基板１０２Ａに熱膨張係数の大きい樹脂基板を
用いると、低温と高温が繰り返される熱衝撃下において
半導体チップ１０３と一次基板１０２Ａとの間の熱膨張
係数差が大きくなり、金属接合部に歪み（ストレス）が
発生して、接続不良の要因となる。 ５．半田によって接続しているために、長期間の高温ま
たは熱サイクル（衝撃）にさらされると、半田接合部が
金属疲労し、もろくなる恐れがある。 ６．半田には一般的にＰｂが含まれているため、地球環
境または人体に悪影響を与える恐れがある。
【００１４】次に、従来の回路部品二次実装体Ｂの課題
を説明する。 １．二次基板１０２Ｂの端子電極１１０と一次基板１０
２Ａの外部接続電極１０６とを半田により接続している
ため、半田接続部の厚みで回路部品二次実装体Ｂの厚み
が厚くなってしまう。逆に半田接続部の厚みを減らすと
実装歩留りが低下する恐れがある。 ２．一次基板１０２Ａの外部接続電極１０６と二次基板
１０２Ｂの端子電極１１０とを半田で金属接続している
ため、これら基板１０２Ａ、１０２Ｂに熱膨張係数の大
きい樹脂基板を用いると、低温と高温が繰り返される熱
衝撃下において回路部品（半導体チップ１０３等）と基
板１０２Ａ、１０２Ｂとの熱膨張係数差が大きくなり、
金属接合部に歪み（ストレス）が発生する。 ３．半田によって接続しているために、長期間の高温ま
たは熱サイクル（衝撃）にさらされると、半田接合部が
金属疲労し、もろくなる恐れがある。
【００１５】本発明は、上記の課題を解決するもので、
回路部品接続材、両面回路基板、多層回路基板、回路部
品実装体において、その製造効率及び電気的、機械的信
頼性の向上、並びに小型化、薄型化、軽量化を図ること
を目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明における回路部品接続材は、導電層と、前記導
電層上の所定位置に設けられてこの導電層に当接して電
気的に接続される導電部材と、前記導電層上に設けられ
てこの導電層との間に前記導電部材を埋め込む絶縁性樹
脂層とを有することに特徴を有している。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、導電層と、前記導電層上の所定位置に設けられてこ
の導電層に当接して電気的に接続される導電部材と、前
記導電層上に設けられてこの導電層との間に前記導電部
材を埋め込む絶縁性樹脂層とを有して回路部品接続材を
構成することに特徴を有しており、これにより次のよう
な作用を有する。すなわち、回路部品の外部接続電極と
して突起状の電極を設けたうえで、導電層配置面と対向
する絶縁性樹脂層のもう一つの面から前記突起状電極を
絶縁性樹脂層に圧入させて、その先端を導電部材に当接
させれば、導電層に前記突起状電極を電気的に接続した
状態で、回路部品を回路部品接続材に実装することがで
きる。このとき、回路部品を回路部品接続材にほとんど
隙間なく密着した状態で実装できるうえ、電気的接続に
半田等の接続補助剤を介在する必要も無くなる。また、
絶縁性樹脂層に層間接続用のバイアホールを形成する手
間も要らなくなる。さらには、導電部材を絶縁性樹脂層
で覆っているため、封止樹脂等を用いることなく、導電
部材を酸化や吸湿から保護することができる。
【００１８】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に係る回路部品接続材であって、前記導電層はパター
ン形成されたものであることに特徴を有しており、これ
により次のような作用を有する。すなわち、回路部品を
実装した状態で、電気装置として機能させることができ
るようになる。
【００１９】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１または２に係る回路部品接続材であって、前記導電層
は、厚み方向に沿ってその一部が前記絶縁層に埋設され
たものであることに特徴を有しており、これにより次の
ような作用を有する。すなわち、絶縁性樹脂層に対する
密着力が増加し、接続信頼性の高いものになる。また、
導電層の一部が絶縁性樹脂層に埋め込まれることによ
り、回路部品接続材の厚みを薄くすることができる。
【００２０】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１ないし３のいずれかに係る回路部品接続材であって、
前記導電部材の弾性率を、前記絶縁性樹脂層の弾性率よ
り大きく設定することに特徴を有しており、これにより
次のような作用を有する。すなわち、特に、絶縁性樹脂
層のガラス転移温度（Ｔｇ）を越える温度において、導
電部材の弾性率を絶縁性樹脂層の弾性率より大きくする
ことにより、導電部材と絶縁性樹脂とを積層して加熱加
圧する際に導電部材を絶縁性樹脂層に埋設することがで
きる。さらには、導電部材の弾性率を絶縁性樹脂層の弾
性率より大きすることでファインピッチで径の小さい導
電部材を形成することが可能になる。
【００２１】本発明の請求項５に係る発明は、請求項１
ないし４のいずれかに係る回路部品接続材であって、前
記絶縁性樹脂層は、ガラス転移点２００℃以上、かつ融
点が２５０℃以上の樹脂から構成されていることに特徴
を有しており、これにより次のような作用を有する。す
なわち、絶縁性樹脂層のガラス転移点を２００℃以上に
することで、高温放置試験での接続信頼性を維持するこ
とができる。また、融点を２５０℃以上にすることで、
耐熱性に優れ、表面実装(ＳＭＴ)部品と混載しリフロー
（一般に最高温度２３５℃）することができる。もちろ
ん、温度が２５０℃以上で誘電部材が絶縁性樹脂層に埋
め込むことができる。
【００２２】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１ないし５のいずれかに係る回路部品接続材であって、
前記絶縁性樹脂層には、その導電層形成面に光反射膜を
形成するとともに、樹脂層の厚み方向に沿って貫通して
前記光反射膜を穴低部に露出させる認識穴を形成するこ
とに特徴を有しており、これにより次のような作用を有
する。すなわち、回路部品接続材に実装される回路部品
に認識マークが無くても、回路部品を、位置決め用認識
穴（光反射膜）を介して回路部品接続材に実装して電気
的に接続することが可能となる。
【００２３】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１ないし６のいずれかに係る回路部品接続材であって、
前記導電部材にイオントラップ剤を含有させることに特
徴を有しており、これにより次のような作用を有する。
すなわち、イオントラップ剤を混合させることで、湿中
放置や湿中バイアス印加時おいて、臭素（Ｂｒ）、塩素
（Ｃｌ）等のハロゲン系の不純物イオンを含む水溶液が
導電部材に侵入してきたときに、イオントラップ剤で陰
イオンを捕獲することができる。
【００２４】本発明の請求項８に記載の発明は、導電層
上の所定位置に、この導電層に当接して電気的に接続す
る導電部材を設けるとともに、前記導電層上に、前記導
電部材を埋め込む絶縁性樹脂層を設けてなる回路部品接
続材の製造方法であって、前記導電層上の所定位置に前
記導電部材を形成する工程と、前記導電層の導電層部材
形成面に前記絶縁性樹脂層を載置する工程と、前記絶縁
性樹脂層と前記導電層とをその厚み方向に沿って加熱加
圧することで、前記導電部材を前記絶縁性樹脂層に埋め
込むと同時に前記導電層を前記絶縁性樹脂層に熱融着す
る工程とを含むことに特徴を有しており、これにより次
のような作用を有する。すなわち、請求項１〜７の回路
部品接続体を容易に製造することが可能となる。
【００２５】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
１ないし７のいずれかに係る回路部品接続材と、前記回
路部品接続材の導電層形成面と対向する当該接続材の面
に設けられたもう一つの導電層と、前記もう一つの導電
層の内面に設けられて前記絶縁性樹脂層の内部に突出し
その先端が前記導電部材に当接して、前記もう一つの導
電層と前記導電層とを電気的に接続する突起電極とを有
することに特徴を有しており、これにより次のような作
用を有する。すなわち、絶縁性樹脂層に層間接続用のバ
イアホールを形成する手間が要らなくなる。
【００２６】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項９に係る両面回路基板であって、前記もう一つの導電
層はパターン形成されたものであることに特徴を有して
おり、これにより次のような作用を有する。すなわち、
両面回路基板に回路部品を実装した状態で電気装置とし
て機能させることができるようになる。
【００２７】本発明の請求項１１に記載の発明は、導電
層を用意したうえで、この導電層上の所定位置にこの導
電層に当接して電気的に接続される導電部材を形成する
工程と、前記導電層の導電部材形成面に絶縁性樹脂層を
載置する工程と、前記絶縁性樹脂層と前記導電層とをそ
の厚み方向に沿って加熱加圧することで、前記導電部材
を前記絶縁性樹脂層に埋め込むと同時に前記導電層を前
記絶縁性樹脂層に熱融着する工程と、もう一つの導電層
を用意したうえで、このもう一つの導電層上に突起電極
を形成する工程と、前記絶縁性樹脂層の導電層形成面に
対向する面と前記もう一つの導電層の突起電極形成面と
を向かい合わせ、かつ前記突起電極と前記導電部材とを
前記絶縁性樹脂層を挟んで対向するように位置合わせし
たうえで、前記絶縁性樹脂層と前記もう一つの導電層と
を積層配置する工程と、前記絶縁性樹脂層と前記もう一
つの導電層とをその厚み方向に沿って加熱加圧すること
で、前記突起電極を前記絶縁性樹脂層に埋め込ませて突
起電極の先端を導電部材に当接させて両者を電気的に接
続するとともに前記もう一つの導電層を前記絶縁性樹脂
層に熱融着する工程とを含んで両面回路基板の製造方法
を構成することに特徴を有しており、これにより次のよ
うな作用を有する。すなわち、請求項９または１０の両
面回路基板を容易に製造することが可能となる。
【００２８】本発明の請求項１２に記載の発明は、請求
項１ないし７のいずれか記載の回路部品接続材と、回路
部品とを備え、前記回路部品を、前記回路部品接続材の
導電層形成面と対向する当該接続材の面に当接配置する
とともに、前記回路部品の回路部品接続材当接面に、前
記絶縁性樹脂層の内部に突出してその先端が前記導電部
材に当接することで、前記回路部品の外部接続電極を前
記導電層に電気的に接続する突起電極を設けて回路部品
実装体を構成することに特徴を有しており、これにより
次のような作用を有する。すなわち、回路部品を回路部
品接続材に搭載して接続材側に押し付けるだけで、回路
部品を回路部品接続材に接続して実装することができる
ようになる。また、回路部品として、半導体チップを用
いる場合には、ウエハ状態で未分割状態の複数の半導体
チップに対して、回路部品接続部材を接続したのち、ダ
イシングにより個片に分割することができる。これによ
って製造効率が上がるうえに、ダイシングした後は半導
体チップサイズと同等に小型化できる。
【００２９】本発明の請求項１３に記載の発明は、請求
項１２に係る回路部品実装体であって、前記導電部材の
厚みを、前記絶縁性樹脂層よりも薄く、かつ前記突起電
極の高さバラツキよりも大きくすることに特徴を有して
おり、これにより次のような作用を有する。すなわち、
突起電極が導電部材に食い込んで突起電極の高さバラツ
キを吸収するので、突起電極と導電部材との間の接続信
頼性が向上する。
【００３０】本発明の請求項１４に記載の発明は、請求
項１２または１３に係る回路部品実装体であって、前記
導電部材の断面積を、前記外部接続電極の断面積よりも
小さく、かつ前記突起電極の断面積よりも大きくしたこ
とに特徴を有しており、これにより次のような作用を有
する。すなわち、突起電極と導電部材とを精度良く位置
合わせすれば、突起電極の全周縁が導電部材に確実に食
い込み、突起電極（特にその側面）と導電部材との接触
面積が増えることになり、接続信頼性が向上する。
【００３１】本発明の請求項１５に記載の発明は、請求
項１２ないし１４のいずれかに係る回路部品実装体であ
って、前記絶縁性樹脂は、その縁部に斜面がついた台錐
形状をしており、前記回路部品接続材の導電層形成面の
面積が、当該接続材の回路部品当接面の面積よりも小さ
いことに特徴を有しており、これにより次のような作用
を有する。すなわち、回路部品の実装面の面積を小さく
することができる。
【００３２】本発明の請求項１６に記載の発明は、請求
項１２ないし１５のいずれかに係る回路部品実装体であ
って、前記回路部品は少なくとも一部が、その厚み方向
に前記絶縁性樹脂層に埋設されていることに特徴を有し
ており、これにより次のような作用を有する。すなわ
ち、回路部品の側面まで絶縁性樹脂層で被覆することが
でき、回路部品側面と絶縁性樹脂層との密着力が大きく
なり、回路部品の信頼性を向上できる。また、その厚み
を薄くすることができる。
【００３３】本発明の請求項１７に記載の発明は、請求
項１２ないし１６のいずれかに係る回路部品実装体であ
って、前記回路部品と前記回路部品接続材との間には、
これらの間を密着、被覆する接着剤層が設けられている
ことに特徴を有しており、これにより次のような作用を
有する。すなわち、回路部品の信頼性を向上させること
ができるようになる。
【００３４】本発明の請求項１８に記載の発明は、突起
電極と、この突起電極上に設けられた導電層と、この導
電層上の所定位置に設けられてこの導電層に当接するこ
とで電気的に接続される導電部材と、前記導電層上に設
けられてこの導電層との間に前記導電部材を埋め込む絶
縁性樹脂層とを有する基材を有するとともに、この基材
の複数枚を積層配置し、対向配置された前記基材の一方
が有する前記突起電極を他方が有する絶縁性樹脂層の内
部に突出させて、前記突起電極の先端を前記導電部材に
当接させ、両基材の導電層どうしを電気的に接続するこ
とに特徴を有しており、これにより次のような作用を有
する。すなわち、回路部品の外部接続電極として突起状
の電極を設けたうえで、多層回路基板の最表層から前記
突起状電極を前記基材の最表層にある絶縁性樹脂層に圧
入させ、さらに、突起状電極の先端を最表層の絶縁性樹
脂層低部にある導電部材に当接させる。そうすれば、こ
の導電部材に当接している導電層に前記突起状電極を電
気的に接続した状態で、回路部品を多層回路基板に実装
することができる。このとき、回路部品を多層回路基板
にほとんど隙間なく密着した状態で実装できるうえ、電
気的接続に半田等の接続補助剤を介在する必要も無くな
る。また、絶縁性樹脂層に層間接続用のバイアホールを
形成する手間も要らなくなる。さらには、導電部材を絶
縁性樹脂層で覆っているため、封止樹脂等を用いること
なく、導電部材を酸化や吸湿から保護することができ
る。
【００３５】本発明の請求項１９に記載の発明は、請求
項１８に係る多層回路基板と回路部品とを備え、前記多
層回路基板の最表層に位置する前記基材に、その厚み方
向に沿って基材低部に位置する前記導電層まで達する貫
通穴を設けるとともに、この貫通穴に電気接合層を充填
し、前記回路部品の外部接続電極を前記貫通穴に位置合
わせしたうえで、この回路部品を前記最表層基材上に載
置し、前記回路部品の表面に設けられたこの回路部品の
外部接続電極と前記貫通穴底部の前記導電層とを前記電
気接合層によって電気的に接続することで回路部品実装
体を構成することに特徴を有しており、これにより次の
ような作用を有する。すなわち、回路部品の外部接続電
極が貫通穴に入り込んで埋設されるため、回路部品実装
体の高さを低くすることができる。また、外部接続電極
の側面と電気接合層との接触面積が大きくなることで密
着力が大きくなり、回路部品と多層回路基板との実装信
頼性が向上する。
【００３６】本発明の請求項２０に記載の発明は、請求
項１９に係る回路部品実装体であって、前記外部接続電
極を前記貫通穴に挿入配置することに特徴を有してお
り、これにより、次のような作用を有する。すなわち、
外部接続電極を前記貫通穴に挿入配置する分、回路部品
実装体の厚みを薄くすることができる。
【００３７】本発明の請求項２１に記載の発明は、請求
項１８ないし２０のいずれかに係る回路部品実装体であ
って、前記回路部品と前記多層回路基板との間に離型樹
脂層を設けることに特徴を有しており、これにより次の
ような作用を有する。すなわち、離型樹脂層の働きによ
り、回路部品を損傷させることなく、多層回路基板から
任意に取り外すことができる。
【００３８】なお、離型樹脂層は、本発明の請求項２２
に記載したように、例えば、前記電気接合層の軟化点よ
りも高温で発泡または密着力が低下する樹脂から構成す
ることができる。
【００３９】以下、本発明の具体的な実施の形態を図面
に基づいて説明する。まずは、回路部品接続材に関する
実施の形態を説明する。
【００４０】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態における回路部品接続材の概略断面図であ
る。この回路部品接続材は、回路部品の一次実装体を構
成する部材、ないしは回路部品の二次実装体を構成する
部材として用いるのに有効な接続材である。図１におい
て、１Ａは導電層の一例である金属箔層、２は導電部
材、３は絶縁性樹脂層、４Ａは回路部品接続材である。
【００４１】金属箔層１Ａはパターン形成されていない
一定の大きさを有する矩形等の平面形状をしている。導
電部材２は金属箔層１Ａの上に設けられている。導電部
材２は、一次基板、二次基板（その一例は図２２、図２
３を参照）等との間で、その端子電極もしくはその層間
で電気的接続を図る位置に選択的にくるようにパターン
形成されている。金属箔層１Ａと導電部材２とは互いに
接することで電気的に接続されている。
【００４２】金属箔層１Ａの上には、さらに絶縁性樹脂
層３が設けられている。絶縁性樹脂層３は、導電部材２
の配置位置を覆う大きさを有し、かつ導電部材２より厚
く形成されている。導電部材２は金属箔層１Ａと絶縁性
樹脂層３との間に挟みこまれて、絶縁性樹脂層３内に埋
設されている。
【００４３】この回路部品接続体４Ａでは、導電部材２
を設けることで、一次基板ないし二次基板に積層する前
工程、あるいは一次基板ないし二次基板に実装する前工
程において、貫通孔（スルーホール）を形成する必要が
ないので、貫通孔（スルーホール）形成にかかる時間が
必要ない分、その製造効率が上がるという特徴がある。
回路部品接続体４Ａを用いた一次基板、二次基板や回路
部品実装体の詳細については後述する。
【００４４】また、導電部材２を絶縁性樹脂層３で覆っ
ているため、酸化や吸湿から導電部材２を保護すること
ができる。
【００４５】この回路部品接続材４は、基板形成用部材
あるいは半導体装置の一次基板であるキャリア基板（イ
ンターポーザー基板）に適している。
【００４６】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態における回路部品接続材４Ｂの概略断面図で
ある。この回路部品接続材４Ｂは、基本的には、第１の
実施形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の
部分には同一の符号を付している。この回路部品接続材
４Ｂが、第１の実施形態と異なるのは、金属箔層１Ｂが
パターン形成されて、導電部材２と電気的に接続されて
いる点である。これにより、回路部品接続材４Ｂに回路
部品を実装することができる。
【００４７】金属箔層１Ｂは格子状にパターン化された
ＬＧＡ（Land Grid Array）またはＢＧＡ(Ball grid al
lay)用の電極が形成された形状にしてもよい。
【００４８】この回路部品接続材４Ｂは、回路基板形成
用部材あるいは半導体装置のキャリア基板（インターポ
ーザー基板）に適している。 （第３の実施形態）図３は、本発明の第３の実施形態に
おける回路部品接続材４Ｃの概略断面図である。この回
路部品接続材４Ｃは、基本的には、第２の実施形態と同
様の構成を備えており、同一ないし同様の部分には同一
の符号を付している。この回路部品接続材４Ｃが、第２
の実施形態と異なるのは、パターン形成された金属箔層
１Ｃが、その厚み方向中途部分まで絶縁性樹脂層３に埋
め込まれている点である。
【００４９】この回路部品接続材１Ｃでは、金属箔層１
Ｃの一部が絶縁性樹脂層３に埋め込まれることによっ
て、絶縁性樹脂層３に対する密着力が増加し、接続信頼
性の高いものになる。また、金属箔層１Ｃの一部が絶縁
性樹脂層３に埋め込まれることにより、回路部品接続材
の厚みを薄くすることができる。
【００５０】金属箔層１Ｃは格子状にパターン化された
ＬＧＡまたはＢＧＡ用の電極が形成された形状にしても
よい。
【００５１】この回路部品接続材４Ｃは回路基板形成用
部材あるいは半導体装置のキャリア基板（インターポー
ザー基板）として適している。
【００５２】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態における回路部品接続材の概略断面図であ
る。この回路部品接続材４Ｄは、基本的には、第２の実
施形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の部
分には同一の符号を付している。この回路部品接続材４
Ｄが、第２の実施形態と異なるのは、導電部材２'の弾
性率を絶縁性樹脂層３の弾性率よりも大きくした点であ
る。
【００５３】第４の実施形態では、導電部材２'の弾性
率を絶縁性樹脂層３の弾性率よりも大きく設定したた
め、特に、導電部材２'と絶縁性樹脂層３とを積層して
加熱加圧する際に、導電部材２'を絶縁性樹脂層３に低
加圧（荷重）で容易に埋設することができる。それは次
のような理由によっている。すなわち、導電部材２'と
絶縁性樹脂層３が加熱されると、絶縁性樹脂層３の方が
導電部材２'よりも弾性率が小さくなるために、低荷重
で導電部材２'を絶縁性樹脂層３に埋め込むことができ
るためである。
【００５４】なお、導電部材２'と絶縁性樹脂層３とを
積層して加熱加圧するときの成形温度（２５０〜３５０
℃）において、絶縁性樹脂層３に液晶ポリマーを使用す
る場合には、液晶ポリマーの曲げ弾性率が１０ＭＰａ以
下であるので、導電部材２'の（貯蔵）弾性率は、１０
ＭＰａ以上、好ましくは５０ＭＰａ以上とするのがよ
い。
【００５５】また、導電部材２'の弾性率は絶縁性樹脂
層３の弾性率より大きくすると、ファインピッチで径の
小さい導電部材２'を形成することが可能になる。それ
は次のような理由によっている。すなわち、導電部材
２'は室温から高温状態において、絶縁性樹脂層３より
も弾性率が大きく維持されるため、ファインピッチ形成
された導電部材２'はその形状を変形させることなく、
絶縁性樹脂層３に埋め込むことができるためである。
【００５６】（第５の実施形態）図５は、本発明の第５
の実施形態における回路部品接続材４Ｅの概略断面図で
ある。この回路部品接続材４Ｅは、基本的には、第２の
実施形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の
部分には同一の符号を付している。この回路部品接続材
４Ｅが、第２の実施形態と異なるのは、位置決め用認識
穴９が少なくとも２箇所以上設けられていることと、光
反射膜となる金属箔層１Ｂの一部分１Ｂ1が設けられて
いることである。
【００５７】位置決め用認識穴９は回路部品接続材４Ｅ
の実装領域を避けて、絶縁性樹脂層３の周辺部位に設け
られている。金属箔層の一部分１Ｂ1は、絶縁性樹脂層
３の平面上において、位置決め用認識穴９と同位置に配
置されている。位置決め用認識穴９は絶縁性樹脂層３を
その厚み方向に貫通して設けられており、前記一部分１
Ｂ1は、絶縁性樹脂層３の上面側からみて位置決め用認
識穴９を介して露出しており、これにより光反射膜とし
て機能している。
【００５８】以上のように、第５の実施形態では、位置
決め用認識穴９を絶縁性樹脂層３に形成し、さらに位置
決め用認識穴９の底部に金属箔層の一部分１Ｂ1を露出
させているので、この回路部品接続材４Ｅに実装される
回路部品に認識マークが無くても、回路部品を、位置決
め用認識穴９を介して回路部品接続材４Ｅに実装して電
気的に接続することが可能となる。また、絶縁性樹脂層
３を１００μｍ以下まで薄くした場合には、マウンター
認識装置等の既存の装置で位置決め用穴９内の金属箔層
１Ｂ1を、認識位置決め用認識穴９を介して認識するこ
とができる。
【００５９】なお、位置決め用認識穴９は断面円形で
も、多角形状でも十字形状でもよいのはいうまでもな
い。
【００６０】この回路部品接続材４Ｅは半導体装置のキ
ャリア基板（インターポーザー基板）として適してい
る。
【００６１】以上説明した第1〜第５の実施形態の回路
部品接続材４Ａ〜４Ｅは、例えば、次のように形成する
ことができる。ここでは、図２に示す第２の実施形態の
回路部品接続材４Ｂを例にしてその製造工程を説明する
が、他の回路部品接続材４Ａ、４Ｃ〜４Ｅについても同
様に形成することができるのはいうまでもない。
【００６２】図６に示すように、まず、絶縁性樹脂層３
を用意する。また、平板状のベース基材１３Ａに金属箔
層１Ｂと導電部材２とをそれぞれパターン形成した状態
で貼り付けた貼付材１４Ａを用意する。そして、金属箔
層１Ｂと導電部材２とを挟んで、絶縁性樹脂層３と貼付
材１４Ａとをその厚み方向に貼り合わせる。さらに、絶
縁性樹脂層３と貼付材１４Ａとに対してその厚み方向に
相対的に所定の圧力をかける。これにより、導電部材２
を絶縁性樹脂層３内に圧入させて金属箔層１Ｂを絶縁性
樹脂層３の表面に配置した状態で導電部材２と金属箔層
１Ｂとを絶縁性樹脂３に一体化させて回路部品接続材４
Ｂとする。そののち、ベース基材１３Ａを回路部品接続
材４Ｂから取り去る。
【００６３】以上説明した第1〜第５の実施形態を実施
する場合には、各特性を次のように設定するのが好まし
い。 ・金属箔層１Ａ〜１ＣとしてＣｕ箔を用いるのが好まし
いが、他の金属箔でもよい。 ・絶縁性樹脂層３としては熱可塑性樹脂である液晶ポリ
マーを用いるのが好ましく、さらには、液晶ポリマーと
しては厚さ５０μｍのシート状またはフィルムを用いる
のが好ましい。 ・絶縁性樹脂層３の物性は次の通りにするのが好まし
い。すなわち、誘電率は３．５以下とし、吸水率は、２
３℃、２４Ｈ後において０．０４％以下とし、溶融点は
８０〜３２５℃とし、Ｔｇ（ガラス転移温度）は２０５
〜３１０℃とするのが好ましい。 ・絶縁性樹脂層３の材質は、エポキシ系、ポリアリルエ
ーテル系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリイミド
系等、熱可塑性を有するか添加されたものであれば材質
は問わない。 ・導電部材２には熱硬化性の導電性接着剤を用いるのが
好ましく、導電性接着剤を構成する樹脂としては熱硬化
性樹脂、光硬化性樹脂、光熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂
の１つ以上からなるものであるのが好ましい。また、導
電性接着剤の材質はエポキシ系、ポリアリルエーテル
系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリイミド系等で
あれば好ましい。導電性接着剤中の導電粒子はＡｕ、Ｐ
ｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種
類以上もしくは２種類以上の合金からなるものであるの
が好ましい。導電粒子の形状はフレーク状のものを用い
るのが好ましく、その粒径は０．１〜２０μｍφで、平
均粒径は１〜３μｍであるのが好ましい。導電部材２の
フィラー含有量値は８５ｗｔ％〜９５ｗｔ％であるのが
好ましい。しかしながら、これら導電粒子の粒径、形状
は特に限定されるものではない。 ・一般に半導体チップやガラスやセラミックの熱膨張係
数は小さいので、絶縁性樹脂層３の平面方向の熱膨張係
数は金属箔層１の熱膨張係数と同等以下であるのが好ま
しい。具体的には、絶縁性樹脂層３の平面方向の熱膨張
係数はＣｕ箔と合わせて１７ｐｐｍとするのが好まし
い。 ・絶縁性樹脂層３の厚み方向の熱膨張係数は、次のよう
に設定するのが好ましい。すなわち、これら回路部品接
続材４Ａ〜４Ｅに実装される回路部品が有する突起電極
と回路部品接続材４Ａ〜４Ｅが有する導電部材２とをあ
わせた熱膨張係数と同等に、絶縁性樹脂層３の厚み方向
の熱膨張係数を設定するのが好ましい。例えば、回路部
品の突起電極としてＡｕ（熱膨張係数１４ｐｐｍ）や、
Ｃｕ（熱膨張係数１７ｐｐｍ）を用い、導電部材２とし
て熱硬化型導電性接着剤（熱膨張係数２０ｐｐｍ）を用
いた場合には、絶縁性樹脂層３の厚み方向の熱膨張係数
を約１７ｐｐｍに設定するのが好ましい。 ・回路部品接続材４Ａ〜４Ｃに、複数の接続材４Ａ〜４
Ｃを積層するための積層用ガイド穴を少なくとも４箇所
以上、回路部品接続材４Ａ〜４の厚み方向に貫通した形
態にして設けるのが好ましい。 ・絶縁性樹脂層3において金属箔層形成面の反対側に位
置する面に、接着剤層を形成してもよい。その接着剤層
は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれかからなるもの
であればよい。 ・導電部材２としては、導電性接着剤を用いるのが好ま
しく、さらには、図７に示すように、導電性接着剤中
に、導電粒子６とイオントラップ剤７とを混合させるの
が好ましい。イオントラップ剤７を混合させることで、
湿中放置や湿中バイアス印加時おいて、臭素（Ｂｒ）、
塩素（Ｃｌ）等のハロゲン系の不純物イオンを含む水溶
液が導電部材２に侵入してきたときに、イオントラッブ
剤７で陰イオンを捕獲することができる。なお、イオン
トラップ剤７としては、無機のハイドロタルサイド系化
合物のものが好ましく、また、その添加量は、０．１〜
１５ｗｔ％が好ましく、さらには、０．０１ｗｔ％〜１
０ｗｔ％がより好ましい。また、イオントラップ剤７の
平均粒度は、無機イオン交換体の粒度、イオン捕獲速度
や、目的とする捕捉イオン交換体との接触を大きくする
ために小さい方が好ましい。具体的には、平均粒度を１
０μｍ以下にするのが好ましく、５μｍ以下にするのが
より好ましい。
【００６４】次に、回路部品接続材４Ａ〜４Ｅを用いた
両面基板や各種回路部品実装体に関する各実施の形態に
ついて説明する。以下の実施の形態においては、回路部
品接続材４Ｂを用いているが、他の回路部品接続材４Ｃ
〜４Ｅを用いてもよいのはいうまでもない。
【００６５】（第６の実施形態）図８は、本発明の第６
の実施形態である両面回路基板８の概略断面図である。
図８に示すように、１Ｂは導電層の一例である金属箔
層、２は導電部材、３は絶縁性樹脂層、１１は突起電
極、１１はもう一つの導電層の一例である他の金属箔層
である。
【００６６】以上のように構成された両面回路基板につ
いて説明する。
【００６７】絶縁樹脂層３の一面（図中の下面）には、
パターン形成された金属箔層１Ｂ１が貼り付けられてい
る。金属箔層１Ｂには導電部材２が取り付けられてい
る。導電部材２は絶縁樹脂層３側に位置する金属箔層１
Ｂの面に設けられている。導電部材２は金属箔層１Ｂと
絶縁性樹脂層３との間に挟まれた状態で絶縁性樹脂層３
に埋設されている。金属箔層１Ｂと導電部材２と絶縁性
樹脂層３とから第２の実施の形態における回路部品接続
材４Ｂに相当する構造が構成されている。
【００６８】一方、絶縁性樹脂層３の他面（図中の上
面）に、パターン形成された他の金属箔層１２が貼り付
けられている。他の金属箔層１２には突起電極１１が取
り付けられている。突起電極１１は絶縁樹脂層３側に位
置する他の金属箔層１２の面に設けられている。突起電
極１１は他の金属箔層１２と絶縁樹脂層３との間に挟ま
れた状態で絶縁性樹脂層３に埋設されている。突起電極
１１は、絶縁樹脂層３を挟んで導電部材２と対向する位
置に設けられている。突起電極１１は絶縁性樹脂層３を
貫通する高さ寸法を備えており、突起電極１１の先端は
導電部材２に当接している。そして、この状態で絶縁性
樹脂層３は厚み方向に圧縮されており、これにより、突
起電極１１の先端は導電部材２に食い込んで強固に当接
し、金属箔層１Ｂと他の金属箔１２とは、突起電極１１
と導電部材２とを介して互いに電気的に接続されてい
る。
【００６９】この両面回路基板８は、例えば、次のよう
にして形成される。すなわち、図９に示すように、絶縁
性樹脂層３の一面側に金属箔層１Ｂと導電部材２とを備
えた回路部品接続材４Ｂを用意する。また、平板状のベ
ース基材１３Ｂの一面側に、他の金属箔層１２と突起電
極１１とをパターン化した状態で貼り付けた貼付材１４
Ｂを用意する。そして、絶縁性樹脂層３を挟んで、突起
電極１１と導電部材２とが互いに対向するように、回路
部品接続材４Ｂと貼付材１４Ｂとを位置合わせして配置
したのち、回路部品接続材４Ｂと貼付材１４Ｂとを貼り
合わせる。そののち、回路部品接続材４Ｂと貼付材１４
Ｂとに対してその厚み方向に相対的に所定の圧力をかけ
る。これにより導電部材２に当接して食い込むまで突起
電極１１を絶縁性樹脂層３内に圧入させて、両者（突起
電極１１、導電部材２）を、絶縁性樹脂層３を介して一
体化するとともに電気的にも接続することで両面回路基
板８とする。突起電極１１と導電部材２とを一体化した
のち、ベース基材１３Ｂを両面回路基板８から取り去
る。
【００７０】以上のように、第６の実施形態では、突起
電極１１が絶縁性樹脂層３を貫通して導電部材２に食い
込んで電気的に接続されるため、回路部品接続材４に対
して貫通穴（スルーホール）を形成する必要がなくな
り、ビア形成時間の製造効率が上がる。
【００７１】また、金属箔層１上に形成された突起電極
１１の高さ寸法の精度を維持することで層間ギャップを
一定に確保することができる。
【００７２】なお、突起電極１１の材質はＡｕ、Ｐｔ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種類以
上もしくは２種類以上の合金からなるものであればよ
い。
【００７３】また、突起電極１１の高さ寸法は導電部材
２の厚みよりも長いことが好ましい。
【００７４】（第７の実施形態）図１０は、本発明の第
７の実施形態における多層回路基板１５の概略断面図で
ある。
【００７５】この多層回路基板１５は、積層配置された
複数層（この例では三層）の絶縁性樹脂層３Ａ、３Ｂ、
３Ｃを備えている。最下層の樹脂層３Ａの下面には、パ
ターン形成された金属箔層１Ｂ1が貼り付けられてい
る。金属箔層１Ｂ1には導電部材２1が取り付けられてい
る。導電部材２1は絶縁樹脂層３Ａ側に位置する金属箔
層面に設けられている。導電部材２1は金属箔層１Ｂ1と
絶縁性樹脂層３Ａとの間に挟まれた状態で絶縁性樹脂層
３Ａに埋設されている。
【００７６】積層方向中間に位置する絶縁樹脂層３Ｂの
下面には、パターン形成された金属箔層１Ｂ2が貼り付
けられている。金属箔層１Ｂ2には導電部材２2が取り付
けられている。導電部材２2は絶縁樹脂層３Ｂ側に位置
する金属箔層面に設けられている。導電部材２2は金属
箔層１Ｂ2と絶縁性樹脂層３Ｂとの間に挟まれた状態で
絶縁性樹脂層３Ｂに埋設されている。金属箔層１Ｂ2に
は突起電極１１1が設けられている。突起電極１１1は、
導電部材２1（下側の絶縁樹脂層３Ａに設けられてい
る）と対向する位置に設けられており、絶縁性樹脂層３
Ａに向けて突出している。突起電極１１1は絶縁性樹脂
層３Ａをその厚み方向に貫通して配置されており、突起
電極１１1の先端は導電部材２1に当接し、さらにその内
部に食い込んでいる。これにより、金属箔層１Ｂ1と金
属箔層１Ｂ2とは電気的に接続されている。
【００７７】積層方向最上層にする絶縁樹脂層３Ｃの下
面には、パターン形成された金属箔層１Ｂ3が貼り付け
られている。金属箔層１Ｂ3には導電部材２3が取り付け
られている。導電部材２3は絶縁樹脂層３Ｃ側に位置す
る金属箔層面に設けられている。導電部材２3は金属箔
層１Ｂ3と絶縁性樹脂層３Ｃとの間に挟まれた状態で絶
縁性樹脂層３Ｃに埋設されている。金属箔層１Ｂ3には
突起電極１１2が設けられている。突起電極１１2は導電
部材２2（中間の絶縁樹脂層３Ｂに設けられている）と
対向する位置に設けられており、絶縁性樹脂層３Ｂに向
けて突出している。突起電極１１2は絶縁性樹脂層３Ｂ
をその厚み方向に貫通して配置されており、突起電極１
１2の先端は導電部材２2に当接し、さらにその内部に食
い込んでおり、これにより、金属箔層１Ｂ2と金属箔層
１Ｂ3とは電気的に接続されている。
【００７８】また、絶縁樹脂層３Ｃの上面には、パター
ン形成された金属箔層１Ｂ4が貼り付けられている。金
属箔層１Ｂ4には突起電極１１3が設けられている。突起
電極１１3は導電部材２3（最上層の絶縁樹脂層３Ｃに設
けられている）と対向する位置に設けられており、絶縁
性樹脂層３Ｃの内部に向けて突出している。突起電極１
１3は絶縁性樹脂層３Ｃをその厚み方向に貫通して配置
されており、突起電極１１3の先端は導電部材２3に当接
し、さらにその内部に食い込んでおり、これにより、金
属箔層１Ｂ3と金属箔層１Ｂ4とは電気的に接続されてい
る。
【００７９】この多層回路基板１５は、例えば、次のよ
うにして形成される。すなわち、図１１に示すように、
絶縁性樹脂層３Ａの一面側に金属箔層１Ｂ1（パターン
化されている）と、導電部材２1（金属薄層１Ｂ1の所定
位置に設けられている）とを備えた回路部品接続材４Ｂ
1を用意する。また、絶縁性樹脂層３Ｂ、３Ｃの一面側
に金属箔層１Ｂ2,１Ｂ3（パターン化されている）と導
電部材２2,２3（金属薄層１Ｂ1の所定位置に設けられて
いる）と突起電極１１1,１１2とを備えた回路部品接続
材４Ｂ2、４Ｂ3を用意する。さらには、平板状のベース
基材１３Ｃの一面側に金属箔層１Ｂ4と突起電極１１3と
を貼り付けた貼付材１４Ｃを用意する。
【００８０】そして、絶縁性樹脂層３Ａ〜３Ｃそれぞれ
を挟んで、突起電極１１1〜3と導電部材２1〜3とが互い
に対向するように、回路部品接続材４Ｂ1〜3と貼付材１
４Ｃとを位置合わせして配置する。さらに回路部品接続
材４Ｂと貼付材１４Ｃとを貼り合わせる。そののち、回
路部品接続材４Ｂ1〜3と貼付材１４Ｃとに対してその厚
み方向に相対的に所定の圧力をかける。これにより、回
路部品接続材４Ｂ1〜3を互いに一体化するともに、導電
部材２1〜3に当接して食い込むまで突起電極１１1〜3を
絶縁性樹脂層３Ａ〜３Ｃ内に圧入させて、対向する突起
電極１１1〜3と導電部材２1〜3とを電気的に接続する。
これにより多層回路基板１５が形成される。回路部品接
続材４Ｂ1〜3を互いに一体化したのち、ベース基材１３
Ｃを多層回路基板１５から取り去る。
【００８１】以上のように、第７の実施形態では、回路
部品接続材４Ｂ1〜3に対して貫通穴（スルーホール）を
形成する必要がなくなり、ビア形成時間の製造効率が上
がる。
【００８２】また、突起電極１１1〜3の高さを調整する
ことにより、各層間のギャップを一定に確保することも
できる。
【００８３】なお、突起電極１１1〜3の材質はＡｕ、Ｐ
ｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種
類以上もしくは２種類以上の合金からなるものであれば
よい。
【００８４】また、突起電極１１1〜3の高さ寸法は導電
部材２1〜3の厚み寸法よりも長いことが好ましい。
【００８５】（第８の実施形態）図１２は、本発明の第
８の実施形態における回路部品実装体である半導体チッ
プの一次実装体（以下、一次実装体と称す）３０Ａの概
略断面図である。なお、一次実装体３０Ａは、通常、半
導体装置と称される。
【００８６】図１２に示すように、１は金属箔層、２は
導電部材、３は絶縁性樹脂層、１１は突起電極、２０は
半導体チップ、２１は再配線、２２は保護膜（パッシベ
ーション）である。以上のように構成された一次実装体
３０Ａについて説明する。
【００８７】半導体チップ２０の素子形成面上の電極パ
ッド２３に突起電極１１が接続固定されている。突起電
極１１は再配線２１等を介して電極パッド２３に接続さ
れている。突起電極１１は、半導体チップ２０の電極パ
ッド形成面から外側に向けて突出配置されている。
【００８８】一方、絶縁性樹脂層３には、金属箔層１Ｂ
と導電部材２とが設けられており、これら絶縁性樹脂層
３、金属箔層１Ｂおよび導電部材２により前述した第２
の実施形態と同等の回路部品接続材４Ｂを構成してい
る。なお、ここでは、回路部品接続材として、第２の実
施形態における回路部品接続材４Ｂを用いているが、他
の実施形態における回路部品接続材４Ｃ〜４Ｅも同様に
用いることができるのはいうまでもない。
【００８９】回路部品接続材４Ｂは、金属箔層１Ｂを外
側にして半導体チップ２０の電極パッド形成面に積層配
置されている。回路部品接続材４Ｂは半導体チップ２０
に対して圧着されており、突起電極１１は絶縁性樹脂層
３を貫通して金属箔層１上に設けられた導電部材２に食
い込んだ状態に当接している。これにより突起電極１１
と金属箔層１Ｂとは導電部材２を介して電気的に接続さ
れ、さらには、半導体チップ２０の電極パッド形成面は
絶縁性樹脂層３で密着、被覆されている。そのため、ア
ンダーフィルする時間と硬化時間とが必要無くなり、そ
の分、製造効率が上がる。また、アンダーフィルスペー
スが無くなる分、薄型、軽量化が図れる。
【００９０】さらには、突起電極１１に加圧力がかかる
ため、より少ない加圧力で突起電極１１と導電部材２と
を電気的に接続することができ、エリアアレイ状の電極
配置を有する半導体チップ２０を実装する場合にも、半
導体チップ２０のアクテイブ素子を破壊することを防止
できる。
【００９１】また、導電部材２の厚みは絶縁性樹脂層３
の厚みと突起電極１１の長さとから調整することが出来
る。
【００９２】なお、突起電極１１は、ボールボンディン
グ法によるものでもよい。ボールボンディング法による
突起電極１１の形状工程は引きちぎりバンプ、ループバ
ンプ、さらにはこれらの形成後にレベリングして高さを
揃えて２段バンプを形成する工程のいずれかであればよ
い。また、メッキによりバンプ工程も採用することがで
きる。
【００９３】本実施形態では突起電極１１を導電部材２
に食い込むように構成しているが、導電部材２に食い込
んでかつ金属箔層１Ｂに接しても良い。この場合、導電
部材２が突起電極１１と金属箔層１Ｂとの間に存在する
場合に比べて、接続抵抗値を低くすることができる。
【００９４】第８の実施形態では、次のような条件で本
発明を実施ている。 ・金属箔層１ＢはＣｕ箔を用いたが、他の金属箔でもよ
い。 ・絶縁性樹脂層３は熱可塑性樹脂である液晶ポリマーを
用い、さらには、液晶ポリマーは厚さ５０μｍのシート
状またはフィルムを用いた。 ・絶縁性樹脂層３の物性は、次の通りである。
【００９５】・曲げ弾性率（２５℃）は３．２〜９．４
ＧＰａである。
【００９６】・誘電率は３．５以下である。
【００９７】・吸水率は２３℃、２４Ｈ後において０．
０４％以下である。
【００９８】この条件では絶縁性樹脂層３の低誘電率と
低吸水率により、回路部品実装体の高速動作にも対応で
きる。 ・溶融点は２８０〜３２５℃である。 ・Ｔｇ（ガラス転移温度）は２０５〜３１０℃である。 ・絶縁性樹脂層３に熱可塑性樹脂を用いた。これは不純
物が少ないことからリサイクルしやすく、また、半田
（鉛）を使用しないため環境汚染を起こしにくい。 ・絶縁性樹脂層３の材質は、エポキシ系、ポリアリルエ
ーテル系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリイミド
系等、熱可塑性を有するか添加されたものであれば材質
は問わない。 ・導電部材２は熱硬化性の導電性接着剤を用いた。 ・導電部材２の厚みは１０μｍである。 ・導電部材２に導電性接着剤を用いた。導電性接着剤を
用いるため、熱歪み（ストレス）を吸収することがで
き、電気的接続部の信頼性の向上が図れる。 ・導電性接着剤の樹脂は熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、
光熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の１種類以上からなるも
のであれば良い。 ・導電性接着剤の材質はエポキシ系、ポリアリルエーテ
ル系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリイミド系等
であれば良い。 ・導電性接着剤中の導電粒子はＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種類以上もしく
は２種類以上の合金からなるものであれば良い。 ・導電粒子はフレーク状のものを用いた。粒径は０．１
〜２０μｍφで、平均粒径は１〜３μｍとした。 ・導電部材２のフィラー含有量を８５ｗｔ％〜９５ｗｔ
％とした。なお、これら導電粒子はその粒径、形状は特
に限定されるものではない。 ・導電部材２の弾性率を絶縁性樹脂層３の弾性率よりも
大きくした。特に、絶縁性樹脂層３のガラス転移温度
（Ｔｇ）を越える温度において、導電部材２の弾性率を
絶縁性樹脂層３の弾性率より大きくすることにより、金
属箔層１上に形成された導電部材２と絶縁性樹脂層３と
を積層して加熱加圧する際に導電部材２を絶縁性樹脂層
３に埋設することができる。さらには、導電部材２の弾
性率を絶縁性樹脂層３の弾性率より大きすることでファ
インピッチで径の小さい導電部材２を形成することが可
能になる。 ・導電部材２の厚みを絶縁性樹脂層３の厚みと半導体チ
ップ２０（回路部品）の突起電極１１の長さとから調整
した。 ・導電部材２にイオントラップ剤を含有させた。さらに
は、導電部材２に導電性接着剤を用い、その導電性接着
剤中に導電粒子６とイオントラップ剤（図７参照）を混
合させた。これにより、湿中放置や湿中バイアス印可時
において、臭素（Ｂｒ）や塩素（Ｃｌ）等のハロゲン系
の不純物イオンを含む水溶液が導電部材２に侵入してき
たときに、イオントラップ剤で陰イオンを捕獲すること
ができる。 ・イオントラップ剤は無機のハイドロタルサイト系化合
物で、その量は０．１〜１５ｗｔ％が好ましく、より好
ましくは０．０１〜１０ｗｔ％である。無機イオン交換
体の粒度、イオン捕捉速度や目的とする捕捉イオン交換
体との接触を大きくするために細かい方が望ましく、好
ましい平均粒度は１０μｍ以下であり、より好ましくは
５μｍ以下である。 ・絶縁性樹脂層３の平面方向の熱膨張係数を金属箔層１
Ｂと合わせて１７ｐｐｍとした。一般に半導体チップや
ガラスやセラミックの熱膨張係数は小さいので、絶縁性
樹脂層３の熱膨張係数は金属箔層１Ｂと同等もしくはそ
れ以下であることが望ましい。 ・絶縁性樹脂層３の厚み方向の熱膨張係数は突起電極１
１と導電部材２とをあわせた熱膨張係数と同等であるこ
とが望ましい。ここでは、突起電極１１として熱膨張係
数１４ｐｐｍの金（Ａｕ）や熱膨張係数１７ｐｐｍの銅
（Ｃｕ）を用い、導電部材２として熱膨張係数２０ｐｐ
ｍの熱硬化型導電性接着剤を用いたので、絶縁性樹脂層
３の厚み方向の熱膨張係数を約１７ｐｐｍに設定した。 ・回路部品接続材４Ｂを積層するための積層用ガイド穴
を少なくとも４箇所以上設け、その積層用ガイド穴は回
路部品接続材４Ｂを厚み方向に貫通して形成した。 ・金属箔層１に相対する絶縁性樹脂層３の面に接着剤層
を形成してもよい。その接着剤層は熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂のいずれか一方であればよい。 ・金属箔層１は格子状にパターン化されたＬＧＡまたは
ＢＧＡ用の電極が形成されてもよい。 ・突起電極１１として、Ａｕバンプを形成し、その高さ
は４５μｍとした。 ・突起電極１１の材質はＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種類以上もしくは２種
類以上の合金からなるものであればよい。 ・突起電極１１の全高は導電部材２の厚みよりも長くし
た。 ・半導体チップ２０としては、電極パッド２３から引き
出し用の配線層によって半導体素子のアクティブ領域上
に配線され、格子状に再配置されていてもよい。 ・半導体チップ２０の電極パッド２３以外に形成した保
護膜２２表面に凹凸を形成してもよい。 ・外部接続用の端子電極となる金属箔層１Ｂの上に金属
ボ−ルを設けてもよい。 ・半導体チップ２０は、ウエハ状態で形成された後に、
個片に分割されており、これによって製造効率が上がる
うえに、ダイシングした後は半導体チップサイズと同等
に小型化できる。 ・半導体チップ２０に相対する回路部品接続材４Ｂの面
積は半導体チップ２０の面積と略同等である。 ・半導体チップ２０の素子形成面は絶縁性樹脂層３で密
着、被覆されているので、半導体チップ１３の周辺部、
上面部を含む少なくとも一部を封止樹脂で被覆していも
よい。
【００９９】第８の実施形態の回路部品実装体は、上述
した一次実装体（半導体装置）３０Ａまたはチップサイ
ズパッケージ（ＣＳＰ）として適している。
【０１００】（第９の実施形態）図１３は、本発明の第
９の実施形態における回路部品実装体である半導体チッ
プ一次実装体３０Ｂの概略断面図である。図１３に示す
ように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は絶縁性樹
脂層、１１は突起電極、２０は半導体チップであって、
本実施形態は、基本的には、上述した第８の実施形態と
同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分には同
一の符号を付し、それらについての説明は省略する。
【０１０１】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、導電部材２の厚みｔ１は絶縁性樹脂層３
の厚みｔ２よりも薄く、かつ突起電極１１の高さバラツ
キｈよりも厚く（ｔ２＞ｔ１＞ｈ）設定されていること
に特徴がある。これにより、突起電極１１が導電部材２
に食い込んで突起電極１１の高さバラツキを吸収するの
で、突起電極１１と導電部材２との間の接続信頼性が向
上する。
【０１０２】（第１０の実施形態）図１４は、本発明の
第１０の実施形態における回路部品実装体である半導体
チップの一次実装体３０Ｃの概略断面図である。図１４
に示すように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は絶
縁性樹脂層、１１は突起電極、２０は半導体チップであ
って、本実施形態は、基本的には、前述した第８の実施
形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分
には同一の符号を付し、それらについての説明は省略す
る。
【０１０３】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、導電部材２の幅方向寸法Ｗ１が金属箔層
１Ｂの幅方向寸法Ｗ２によりも小さく、かつ突起電極１
１の幅方向寸法Ｗ３よりも大きく設定されている（Ｗ３
＜Ｗ１＜Ｗ２）ことに特徴がある。これにより、突起電
極１１と導電部材２とを精度良く位置合わせすれば、突
起電極１１の全周縁が導電部材２に確実に食い込み、突
起電極１１（特にその側面）と導電部材２との接触面積
が増えることで、接続信頼性が向上する。なお、幅方向
寸法Ｗ１〜Ｗ３とは、導電部材２、金属箔層１Ｂおよび
突起電極１１を断面円形形状とした場合にその直径に相
当する寸法であって、その断面積をほぼ一義的に示す指
数として用いている。
【０１０４】（第1１の実施形態）図１５は、本発明の
第１１の実施形態における回路部品の実装体である半導
体チップの一次実装体３０Ｄの概略断面図である。図１
５に示すように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は
絶縁性樹脂層３、１１は突起電極、２０は半導体チップ
であって、本実施形態は、基本的には、前述した第８の
実施形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の
部分には同一の符号を付し、それらについての説明は省
略する。
【０１０５】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、回路部品接続材４Ｂ（絶縁性樹脂層３）
における金属箔層形成面（半導体チップ対向面の反対側
に位置する面）の面積が、半導体チップ２０における電
極パッド形成面の面積よりも小さく設定されており、絶
縁性樹脂層３の側縁部３ａが斜面形状になって、全体と
して台錐形状をしていることである。これにより、本実
施形態では、回路部品実装体（一次実装体３０Ｄ）の実
装面（金属箔層１Ｂ形成面）の面積を小さくすることが
できる。
【０１０６】（実施形態１２）図１６は、本発明の第１
２の実施形態における回路部品の実装体である半導体チ
ップの一次実装体３０Ｅの概略断面図である。図１６に
示すように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は絶縁
性樹脂層、１１は突起電極、２０は半導体チップであっ
て、本実施形態は、基本的には、前述した第８の実施形
態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分に
は同一の符号を付し、それらについての説明は省略す
る。
【０１０７】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、半導体チップ２０の電極パッド形成面と
絶縁性樹脂層３との間の間隙を接着剤層２４によって充
填して、前記隙間を密封したことである。これにより本
実施形態では、より回路部品（半導体チップ２０）の信
頼性を向上させることができる。
【０１０８】（第１３の実施形態）図１７は、本発明の
第１３の実施形態における回路部品実装体である半導体
チップの一次実装体３０Ｆの概略断面図である。図１７
に示すように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は絶
縁性樹脂層、１１は突起電極、２０は半導体チップであ
って、本実施形態は、基本的には、前述した第８の実施
形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分
には同一の符号を付し、それらについての説明は省略す
る。ただし、本実施形態では、再配線２１、保護幕２２
については図示省略している。
【０１０９】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、金属箔層１を厚み方向に少なくとも一
部、絶縁性樹脂層３に埋設していることに特徴がある。
これにより、金属箔層１と絶縁性樹脂層３との密着力を
大きくすることができる。また、一次実装体３０Ｆの厚
みを薄くすることができる。
【０１１０】（第1４の実施形態）図１８は、本発明の
第１４の実施形態における回路部品である半導体チップ
の一次実装体３０Ｇの概略断面図である。図１８に示す
ように、１Ｂは金属箔層、２は導電部材、３は絶縁性樹
脂層、１１は突起電極、２０は半導体チップであって、
本実施形態は、基本的には、前述した第８の実施形態と
同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分には同
一の符号を付し、それらについての説明は省略する。た
だし、本実施形態では、再配線２１、保護幕２２につい
ては図示省略している。
【０１１１】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態では、半導体チップ２０の一部がその厚み方
向に絶縁性樹脂層３に埋設されていることに特徴があ
る。これにより、半導体チップ２０の側面まで絶縁性樹
脂層３で被覆することができ、半導体チップ２０側面と
絶縁性樹脂層３との密着力が大きくなり、半導体装置
（回路部品）の信頼性を向上できる。また、その厚みを
薄くすることができる。
【０１１２】以上、本発明の回路部品接続材４Ａ〜４Ｅ
（図では４Ｂ）を用いた実装体である半導体チップの一
次実装体３０Ａ〜３０Ｇに関する実施形態について説明
したが、次に、このようにして作成した半導体チップの
一次実装体を実装してなる半導体チップの二次実装体に
関する各実施形態を説明する。
【０１１３】（第１５の実施形態）図１９は、本発明の
第１５の実施形態における半導体チップの二次実装体
（以下、二次実装体と称す）３１の概略断面図である。
この実施形態は、基本的には、上述した第８の実施形態
における半導体チップの一次実装体３０Ａ（図１２参
照）を、上述した第７の実施形態における多層回路基板
１５（図１０参照）に積層一体化して実装してなる構成
であって、第７の実施形態ならびに第８の実施形態と同
一ないし同様の部分には同一の符号を付しており、それ
らについての説明は省略する。また、この実施の形態に
おいては、回路部品接続材４Ｂを用いているが、他の回
路部品接続材４Ｃ〜４Ｅを用いてもよいのはいうまでも
ない。
【０１１４】以下、本実施形態の特徴となる構成を説明
する。この二次実装体３１では、一次実装体３０Ａの金
属箔層１Ｂは、多層基板１５'における最上層の絶縁性
樹脂層３Ｃ上に位置する金属箔層１Ｂ4に対して電気的
に接続されるのではなく、中間層の絶縁性樹脂層３Ｂ上
に位置する金属箔層１Ｂ3に電気的に接続されている。
このような接続構造を取るために、絶縁樹脂層３Ｃには
その厚み方向に貫通する貫通穴３２が形成されている。
貫通穴３２は、接続対象である金属箔層１Ｂと金３０Ａ
属箔層１Ｂ3との間に位置する絶縁性樹脂層３Ｃの領域
に設けられている。そして、貫通穴３２には電気接合層
３３が充填されている。電気接合層３３は、導電性接着
剤等の導電材から構成されている。絶縁性樹脂層３Ｂ上
の導電部材２3のうち、一次実装体３０Ａに直接接続さ
れる位置に存在する導電部材２3'（一部、金属箔層１Ｂ
3を含む）は、貫通穴３２の低部に露出している。一
方、一次実装体３０Ａの低部に設けられた金属箔層１Ｂ
は、貫通穴３２の上部開口内に入り込んで収納されてい
る。そして、導電部材２3'と金属箔層１Ｂとは、貫通穴
３２充填された電気接合層３３を介して電気的に接続さ
れており、これにより、一次実装体３０Ａは、多層回路
基板１５'に実装されて接続され、二次実装体３１を構
成している。なお、このような接続構造を有するため、
導電部材２3'上には、突起電極１１3は設けられていな
い。
【０１１５】以上のように、本実施形態では、一次実装
体３０Ａの外部接続電極となる金属箔層１Ｂが多層回路
基板１８の貫通穴３２に入り込んで埋設されるため、二
次実装体３１の高さを低くすることができる。また、金
属箔層１Ｂの側面と接合層３３との接触面積が大きくな
ることで密着力が大きくなり、一次実装体３０Ａと多層
回路基板１５'との実装信頼性が向上する。
【０１１６】なお、接合層３２を構成する導電性接着剤
は、熱硬化型、光硬化型、光熱硬化型、熱可塑型の１種
類以上からなるものであればかまわない。また、導電性
接着剤中の導電粒子６はＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎの１種類以上もしくは２種
類以上の合金からなる。
【０１１７】また、導電部材２は導電性接着剤から構成
し、さらには、この導電性接着剤中の導電粒子として、
イオン化傾向の高い金属粒子の表面にイオン化傾向の低
い金属をポーラスにコーティング処理したものとしても
よい。さらには、導電粒子の形状はフレーク状であって
もよい。
【０１１８】また、接合層１９はイオントラップ剤８を
含有してもよい。
【０１１９】また、貫通穴３２の断面積は一次実装体３
０Ａの金属箔層１Ｂの断面積よりも大きければよい。
【０１２０】また、一次実装体３０Ａと多層回路基板１
５'との間の隙間に接着剤層を充填してもよい。この場
合、接着剤層は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれか
であればよい。
【０１２１】（第１６の実施形態）図２０は、本発明の
第１６の実施形態における実装体３４の概略断面図であ
る。本実施形態は、基本的には、前述した第１５の実施
形態と同様の構成を備えており、同一ないし同様の部分
には同一の符号を付し、それらについての説明は省略す
る。ただし、本実施形態では、再配線２１、保護幕２２
については図示省略している。
【０１２２】本実施形態の特徴となる構成を説明する。
本実施形態は、図２０に示すように、一次実装体３０Ａ
と多層回路基板１５'との間で、かつ多層回路基板１５'
と一次実装体３０Ａとの間との電気的接続箇所以外の隙
間領域に、離型樹脂層の一例である発泡シート層３５が
設けられている。発泡シート層３５は電気接合層３３の
軟化点よりも高温で発泡し、多層回路基板１５'もしく
は一次実装体３０Ａとの接続界面で剥離する特性を有す
るものとする。これにより、一次実装体３０Ａと多層回
路基板１５'との接続信頼性を一層向上させることがで
きる。また、電気接合層３３の軟化点以上の高温に加熱
すると発砲シート層３５が発砲して一次実装体３０Ａと
多層回路基板１５'との接着力が低下するため、簡単に
一次実装体３０Ａを取り外すことができる。そして、一
次実装体３０Ａを新たに実装するときは新しい発砲シー
ト層３５を一次実装体３０Ａと多層回路基板１５'との
間に配置したうえで、一次実装体３０Ａを多層回路基板
１５'に実装すればよい。
【０１２３】
【発明の効果】本発明によれば、回路部品接続材の絶縁
性樹脂層に導電部材を埋設することによって、ビアの形
成が不要になり、ビア形成時間の製造効率が上がる。回
路部品接続材を熱プレスで一括積層する際に、突起電極
が軟化して絶縁性樹脂層を貫通し導電部材に食い込んで
電気的に接続するため、各層間のギャップが一定に確保
される。
【０１２４】また、回路部品接続材を加熱加圧して押圧
する際には、突起電極のみに加圧力がかかるため、より
少ない加圧力で導電部材と突起電極との電気的接続を行
うことができ、エリアアレイ状の電極配置を有する回路
部品（例えば、半導体チップ）を実装する場合にも、回
路部品のアクテイブ素子を破壊することを防止できる。
【０１２５】また、突起電極が形成された導電層と絶縁
性樹脂層とを狭持させて押さえるときも同様に、より少
ない加圧力で突起電極と導電部材とを電気的接続するこ
とができる。
【０１２６】また、半導体ウエハ状態で複数個同時に製
造することもでき、製造効率が上がる。さらにはアンダ
ーフィルする時間と硬化時間が無いため、製造効率が上
がる。
【０１２７】また、アンダーフィルスペースが無い分、
薄型、軽量化が図れる。導電部材に導電性接着剤を用い
ると、熱歪み（ストレス）を吸収することができ、電気
的接続部の信頼性の向上が図れる。さらに絶縁性樹脂層
として、熱可塑性を有し、不純物が少ないものから構成
すれば、リサイクルしやすくなる。さらにまた、半田
（鉛）を使用しないため地球環境にも優しくなる。
【０１２８】さらに絶縁性樹脂層の誘電率が小さく低吸
水率のため、将来の回路部品の高速動作にも対応するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態における回路部品接続
材の概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態における回路部品接続
材の概略断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態における回路部品接続
材の概略断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態における回路部品接続
材の概略拡大図である。
【図５】本発明の第５の実施形態における回路部品接続
材の概略断面図である。
【図６】第１〜５の実施形態における回路部品接続材の
製造途中の状態を示す概略断面図である。
【図７】本発明の回路部品接続材を構成する導電部材の
一例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態における両面回路基板
の概略断面図である。
【図９】本発明の第６の実施形態における両面回路基板
の製造途中の状態を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態における多層回路基
板の概略断面図である。
【図１１】第７の実施形態における多層回路基板の製造
途中の状態を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の第８の実施形態における回路部品実
装体である半導体チップ一次実装体の概略断面図であ
る。
【図１３】本発明の第９の実施形態における回路部品実
装体である半導体チップ一次実装体装置の概略断面図で
ある。
【図１４】本発明の第１０の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ一次実装体のの概略断面図で
ある。
【図１５】本発明の第１１の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ一次実装体の概略断面図であ
る。
【図１６】本発明の第１２の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ一次実装体の概略断面図であ
る。
【図１７】本発明の第１３の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ一次実装体の概略断面図であ
る。
【図１８】本発明の第１４の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ一次実装体の概略断面図であ
る。
【図１９】本発明の第１５の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ二次実装体の概略断面図であ
る。
【図２０】本発明の第１６の実施形態における回路部品
実装体である半導体チップ二次実装体の概略断面図であ
る。
【図２１】回路部品一次実装体の従来例の概略断面図で
ある。
【図２２】回路部品二次実装体の従来例の概略断面図で
ある。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｃ 金属箔層 ２ 導電部材
３ 絶縁性樹脂層 ４Ａ〜４Ｃ 回路部品接続材 ６ 導電粒子
７ イオントラップ剤 ８ 両面回路基板 ９ 位置決め用認識
穴 １１ 突起電極 １２ 他の金属箔層 １５ 多層回路基板 ２０ 半導体チップ ２３ 電極パッド ２４ 接着剤層 ３０Ａ〜３０Ｇ 半導体チップ一次実装体 ３１、３４ 半導体チップニ次実装体 ３２ 貫通穴 ３３ 電気接合層
３５ 発泡シート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 力 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 別所 芳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 KK02 KK17 LL15 QQ01

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電層と、 前記導電層上の所定位置に設けられてこの導電層に当接
    して電気的に接続される導電部材と、 前記導電層上に設けられてこの導電層との間に前記導電
    部材を埋め込む絶縁性樹脂層と、 を有することを特徴とする回路部品接続材。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の回路部品接続材であっ
    て、 前記導電層はパターン形成されたものであることを特徴
    とする回路部品接続材。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の回路部品接続材
    であって、 前記導電層は、厚み方向に沿ってその一部が前記絶縁層
    に埋設されたものであることを特徴とする回路部品接続
    材。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか記載の回路
    部品接続材であって、 前記導電部材の弾性率を、前記絶縁性樹脂層の弾性率よ
    り大きく設定することを特徴とする回路部品接続材。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか記載の回路
    部品接続材であって、 前記絶縁性樹脂層は、ガラス転移点２００℃以上、かつ
    融点が２５０℃以上の樹脂から構成されていることを特
    徴とする回路部品接続材。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか記載の回路
    部品接続材であって、 前記絶縁性樹脂層には、その導電層形成面に光反射膜を
    形成するとともに、樹脂層の厚み方向に沿って貫通して
    前記光反射膜を穴低部に露出させる認識穴を形成するこ
    とを特徴とする回路部品接続材。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか記載の回路
    部品接続材であって、 前記導電部材にイオントラップ剤を含有させることを特
    徴とする回路部品接続材。
  8. 【請求項８】 導電層上の所定位置に、この導電層に当
    接して電気的に接続する導電部材を設けるとともに、前
    記導電層上に、前記導電部材を埋め込む絶縁性樹脂層を
    設けてなる回路部品接続材の製造方法であって、 前記導電層上の所定位置に前記導電部材を形成する工程
    と、 前記導電層の導電層部材形成面に前記絶縁性樹脂層を載
    置する工程と、 前記絶縁性樹脂層と前記導電層とをその厚み方向に沿っ
    て加熱加圧することで、前記導電部材を前記絶縁性樹脂
    層に埋め込むと同時に前記導電層を前記絶縁性樹脂層に
    熱融着する工程と、 を含むことを特徴とする回路部品接続材の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１ないし７のいずれか記載の回路
    部品接続材と、 前記回路部品接続材の導電層形成面と対向する当該接続
    材の面に設けられたもう一つの導電層と、 前記もう一つの導電層の内面に設けられて前記絶縁性樹
    脂層の内部に突出しその先端が前記導電部材に当接し
    て、前記もう一つの導電層と前記導電層とを電気的に接
    続する突起電極と、 を有することを特徴とする両面回路基板。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の両面回路基板であっ
    て、 前記もう一つの導電層はパターン形成されたものである
    ことを特徴とする両面回路基板。
  11. 【請求項１１】 導電層を用意したうえで、この導電層
    上の所定位置にこの導電層に当接して電気的に接続され
    る導電部材を形成する工程と、 前記導電層の導電部材形成面に絶縁性樹脂層を載置する
    工程と、 前記絶縁性樹脂層と前記導電層とをその厚み方向に沿っ
    て加熱加圧することで、前記導電部材を前記絶縁性樹脂
    層に埋め込むと同時に前記導電層を前記絶縁性樹脂層に
    熱融着する工程と、 もう一つの導電層を用意したうえで、このもう一つの導
    電層上に突起電極を形成する工程と、 前記絶縁性樹脂層の導電層形成面に対向する面と前記も
    う一つの導電層の突起電極形成面とを向かい合わせ、か
    つ前記突起電極と前記導電部材とを前記絶縁性樹脂層を
    挟んで対向するように位置合わせしたうえで、前記絶縁
    性樹脂層と前記もう一つの導電層とを積層配置する工程
    と、 前記絶縁性樹脂層と前記もう一つの導電層とをその厚み
    方向に沿って加熱加圧することで、前記突起電極を前記
    絶縁性樹脂層に埋め込ませて突起電極の先端を導電部材
    に当接させて両者を電気的に接続するとともに前記もう
    一つの導電層を前記絶縁性樹脂層に熱融着する工程と、 を含むことを特徴とする両面回路基板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１ないし７のいずれか記載の回
    路部品接続材と、回路部品とを備え、 前記回路部品を、前記回路部品接続材の導電層形成面と
    対向する当該接続材の面に当接配置するとともに、 前記回路部品の回路部品接続材当接面に、前記絶縁性樹
    脂層の内部に突出してその先端が前記導電部材に当接す
    ることで、前記回路部品の外部接続電極を前記導電層に
    電気的に接続する突起電極を設けることを特徴とする回
    路部品実装体。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の回路部品実装体であ
    って、 前記導電部材の厚みを、前記絶縁性樹脂層よりも薄く、
    かつ前記突起電極の高さバラツキよりも大きくしたこと
    を特徴とする回路部品実装体。
  14. 【請求項１４】 請求項１２または１３記載の回路部品
    実装体であって、 前記導電部材の断面積を、前記外部接続電極の断面積よ
    りも小さく、かつ前記突起電極の断面積よりも大きくし
    たことを特徴とする回路部品実装体。
  15. 【請求項１５】 請求項１２ないし１４のいずれか記載
    の回路部品実装体であって、 前記絶縁性樹脂は、その縁部に斜面がついた台錐形状を
    しており、前記回路部品接続材の導電層形成面の面積
    が、当該接続材の回路部品当接面の面積よりも小さいこ
    とを特徴とする回路部品実装体。
  16. 【請求項１６】 請求項１２ないし１５のいずれか記載
    の回路部品実装体であって、 前記回路部品は少なくとも一部が、その厚み方向に前記
    絶縁性樹脂層に埋設されていることを特徴とする回路部
    品実装体。
  17. 【請求項１７】 請求項１２ないし１６のいずれか記載
    の回路部品実装体であって、 前記回路部品と前記回路部品接続材との間には、これら
    の間を密着、被覆する接着剤層が設けられていることを
    特徴とする回路部品実装体。
  18. 【請求項１８】 突起電極と、この突起電極上に設けら
    れた導電層と、この導電層上の所定位置に設けられてこ
    の導電層に当接することで電気的に接続される導電部材
    と、前記導電層上に設けられてこの導電層との間に前記
    導電部材を埋め込む絶縁性樹脂層とを有する基材を有す
    るとともに、この基材の複数枚を積層配置し、 対向配置された前記基材の一方が有する前記突起電極を
    他方が有する絶縁性樹脂層の内部に突出させて、前記突
    起電極の先端を前記導電部材に当接させ、両基材の導電
    層どうしを電気的に接続することを特徴とする多層回路
    基板。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の多層回路基板と回路
    部品とを備え、 前記多層回路基板の最表層に位置する前記基材に、その
    厚み方向に沿って基材低部に位置する前記導電層まで達
    する貫通穴を設けるとともに、この貫通穴に電気接合層
    を充填し、 前記回路部品の外部接続電極を前記貫通穴に位置合わせ
    したうえで、この回路部品を前記最表層基材上に載置
    し、 前記回路部品の表面に設けられたこの回路部品の外部接
    続電極と前記貫通穴底部の前記導電層とを前記電気接合
    層によって電気的に接続することを特徴とする回路部品
    実装体。
  20. 【請求項２０】 請求項１９記載の回路部品実装体であ
    って、 前記外部接続電極を前記貫通穴に挿入配置することを特
    徴とする回路部品実装体。
  21. 【請求項２１】 請求項１９または２０記載の回路部品
    実装体であって、 前記回路部品と前記多層回路基板との間に離型樹脂層を
    設けることを特徴とする回路部品実装体。
  22. 【請求項２２】 請求項２１記載の回路部品実装体であ
    って、 前記離型樹脂層は前記電気接合層の軟化点よりも高温で
    発泡または密着力が低下する樹脂からなることを特徴と
    する回路部品実装体。
JP35402999A 1999-12-14 1999-12-14 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板 Pending JP2001168232A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35402999A JP2001168232A (ja) 1999-12-14 1999-12-14 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35402999A JP2001168232A (ja) 1999-12-14 1999-12-14 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001168232A true JP2001168232A (ja) 2001-06-22

Family

ID=18434841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35402999A Pending JP2001168232A (ja) 1999-12-14 1999-12-14 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001168232A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507115A (ja) * 2000-08-24 2004-03-04 ハイ　コネクション　デンシテイ　インコーポレイテッド 低コストかつ高信頼性適用のための高信頼性インタポーザ
JP2006120716A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2009038409A (ja) * 2000-10-18 2009-02-19 Nec Corp 半導体パッケージの製造方法
JP2015056466A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三菱電機株式会社 電子部品およびその実装方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507115A (ja) * 2000-08-24 2004-03-04 ハイ　コネクション　デンシテイ　インコーポレイテッド 低コストかつ高信頼性適用のための高信頼性インタポーザ
JP2009038409A (ja) * 2000-10-18 2009-02-19 Nec Corp 半導体パッケージの製造方法
JP2006120716A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP4567410B2 (ja) * 2004-10-19 2010-10-20 ローム株式会社 半導体装置
JP2015056466A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三菱電機株式会社 電子部品およびその実装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6555906B2 (en) Microelectronic package having a bumpless laminated interconnection layer
TW569411B (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6515357B2 (en) Semiconductor package and semiconductor package fabrication method
US8642393B1 (en) Package on package devices and methods of forming same
US8390106B2 (en) Circuit board with built-in semiconductor chip and method of manufacturing the same
US7420814B2 (en) Package stack and manufacturing method thereof
US7176561B2 (en) Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
US20080067666A1 (en) Circuit board structure with embedded semiconductor chip and method for fabricating the same
US20080157353A1 (en) Control of Standoff Height Between Packages with a Solder-Embedded Tape
JP2001044641A (ja) 半導体素子内蔵配線基板およびその製造方法
JP2000138313A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2004342988A (ja) 半導体パッケージの製造方法、及び半導体装置の製造方法
US20150162292A1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package
KR20170016550A (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
US20120111616A1 (en) Electronic-component-mounted wiring substrate and method of manufacturing the same
JP2000022040A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006237517A (ja) 回路装置およびその製造方法
US20070196952A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2000277649A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3378171B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2001168232A (ja) 回路部品接続体、回路部品接続体の製造方法、両面回路基板、両面回路基板の製造方法、回路部品実装体、及び多層回路基板
JP2002158307A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2002026244A (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
JP3547270B2 (ja) 実装構造体およびその製造方法
JP7342060B2 (ja) 複合配線基板、半導体装置及び複合配線基板の製造方法