JP2001167890A - 有機発光素子と有機発光ディスプレイパネル及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、陽極の一部とした炭素膜の最適化
を図ること及び隔壁によって電極を分離する構成を取る
有機発光ディスプレイパネルにおいて、性能を損なうこ
となく、より高い特性を維持したままでその製造過程の
簡略化を図ることにあり、発光特性が向上した有機発光
素子と有機ディスプレイパネル及びそれらの製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、陰極と、有機膜と、陽極と、
前記有機膜と前記陽極間に形成された炭素膜によって構
成された有機発光素子であって、前記炭素膜のラマン分
光分析による測定結果が、１５５０ｃｍ^-1付近と１３５
０ｃｍ^-1付近にピークを持つラマンスペクトルを示し、
このラマンスペクトルを２成分のガウス関数を用いて近
似を行った場合、高波数側の面積強度に対する低波数側
の面積強度の相対強度の比が１．０以上３．０以下であ
る構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料に電流を
注入して発光を得る現象（有機エレクトロルミネッセン
ス）を利用して、種々のディスプレイ装置、バックライ
トやセンサ等の光源、若しくは光通信機器に使用される
有機発光素子等に係り、特にマトリックス状に配置した
画素によって表示を行う有機発光ディスプレイパネル及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】１９８７年にコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａ
ｎｇらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層の２層に
分けた機能分離型の積層構造を有する有機発光素子が提
案され、１０Ｖ以下の低電圧にもかかわらず１０００ｃ
ｄ／ｍ²以上の高い発光輝度が得られることが明らかと
なった〔Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ ａｎｄ Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓ
ｌｙｋｅ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，５１（１９
８７）９１３等参照〕。これ以降、有機発光素子が俄然
注目され始め、現在も同様な機能分離型の積層構造を有
する有機発光素子についての研究が盛んに行われて、一
部実用化され始めてきた。

【０００３】ここで、従来の有機発光素子について図７
を用いて説明する。図７は従来の有機発光素子の構造を
示す要部断面図である。図７において、１は基板、２は
ＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる陽極（以下、ＩＴＯ
膜と言うことがある。）、４は正孔輸送層、５は発光
層、７は陰極である。

【０００４】図７に示したように従来の有機発光素子
は、ガラス等の透明又は半透明な基板１と、基板１上に
スパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成された
ＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる陽極２と、陽極２上
に抵抗加熱蒸着法等により形成されたＮ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤ
と略称する。）等からなる正孔輸送層４と、正孔輸送層
４上に抵抗加熱蒸着法等により形成された８−Ｈｙｄｒ
ｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ Ａｌｕｍｉｎｕｍ（以下、
Ａｌｑ₃と略称する。）等からなる発光層５と、発光層
５上に抵抗加熱蒸着法等により形成されたＡｌＬｉ等の
金属膜からなる陰極７とを備えている。

【０００５】また、図７に示した有機発光素子において
は、有機層６が正孔輸送層４と発光層５から構成されて
いる。

【０００６】上記構成を有する有機発光素子の陽極２を
プラス極として、また陰極７をマイナス極として直流電
圧又は直流電流を印加すると、陽極２から正孔輸送層４
を介して発光層５に正孔が注入され、陰極７から発光層
５に電子が注入される。発光層５では正孔と電子の再結
合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態か
ら基底状態へ移行する際に発光現象が起こる。また、有
機層６を構成する層構造や発光層５に用いる材料を変え
ることによって発光波長を変え、ＲＧＢの３色を表現す
ることができる。

【０００７】このような構造を有した有機発光素子の発
光特性や信頼性を向上させるため、これまで主に以下の
改善が行われてきた。

【０００８】１）発光層や正孔輸送層等の有機薄膜層の
構成やこれに用いる有機材料の改良。

【０００９】２）正孔注入電極、電子注入電極に用いる
材料の改良。

【００１０】例えば、１）については、第４１回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集記載のＢｅ−ベンゾキノ
リノール錯体を発光材料に用いての高効率化、第４７回
高分子学会年次大会講演予稿集に記載のトリフェニルア
ミンを多量体化することでの高寿命化等が挙げられる。

【００１１】２）については、発光層へ電子の注入が容
易となるように電子注入電極と発光層との障壁を低くす
ることを目的としたＬｉＦの提案（Ｌ．Ｓ．Ｈｕｎｇ
他、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０、１５２、
１９９７）、また、陽極側からの正孔注入を改善する試
みとして、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）やスターバー
スト型アミン系材料を陽極上にバッファー層として導入
することで、駆動電圧を低減し効率を向上させている。
銅フタロシアニンやスターバースト型アミン材料につい
ての詳細はそれぞれ、Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ他、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６９、２１６０（１９
９６）、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａ他、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．，６５、８０７（１９９４）に記載されてい
る。

【００１２】この様に、効率や信頼性等の諸特性の改善
を目的としたこれまでの有機発光素子の開発は、主とし
て、材料の視点から行われてきた。本願発明者らは、こ
の流れに沿った開発以外にも様々な観点、特に陽極界面
に着目した開発を行った結果、陽極と有機膜のと界面で
起きる劣化がダークスポットと呼ばれる未発光部の発生
や発光効率、更には半減期寿命等に著しい影響を与える
ことを見出し、その対策として、炭素膜を陽極の一部と
した構成が非常に効果的であることを見つけ出した。特
開平８−３１５７３号公報、第４３回応用物理学会学術
講演会講演予稿集Ｐ１１２２等で開示してきたように、
炭素膜によってこれらダークスポットや発光効率、半減
期寿命等の問題を改善することができ、有機発光素子の
品質を著しく向上させることが可能となった。また、炭
素膜を用いた同様な効果については特開平７−１３０４
６８号公報にも開示されている。この様に、陽極の一部
を炭素膜とすることで有機発光素子の特性を向上させる
ことが明らかとなったが、炭素膜の効果については不明
な点も多く、最適な炭素膜についても明らかにされてい
なかった。我々は、炭素膜について更に詳細に検討した
結果、有機発光素子おける炭素膜の要求性能を把握し、
最適な炭素膜とはどのようなものであるのかを見つけ出
すと共に、有機発光素子を用いたディスプレイパネルに
て、炭素膜を適用させるために必要な実用上の構成につ
いても様々な新たな知見を得ることができた。

【００１３】以下、炭素膜を用いた有機発光ディスプレ
イパネルを作製する上での具体的課題について、図８を
参照しながら説明する。

【００１４】図８（ａ）は隔壁を用いて陰極を分離し、
ドットマトリックスを形成した有機発光ディスプレイパ
ネルの概略部分の斜視図を示しており、同図（ｂ）がＡ
−Ａ’部分に沿って切断した場合の断面図、同図（ｃ）
がＢ−Ｂ’部分に沿って切断した場合の断面図である。
１は基板、２はＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる陽
極、４は正孔輸送層、５は発光層、７は陰極、８は隔壁
である。

【００１５】図８（ｂ）で示すパターニングされたＩＴ
Ｏ膜２上に炭素膜を配し陽極として構成するには、パタ
ーニングされたＩＴＯ膜２上にのみ炭素膜を形成する構
成と、ＩＴＯ膜２上だけでなく、パターニングされたＩ
ＴＯ膜２の間隙を含めた全面に炭素膜を形成する構成の
二つがある。

【００１６】しかしながら、前者の構成を得るための方
法としては、パターニングする前のＩＴＯ膜２上の全面
に炭素膜を形成し、フォトリソグラフィーを用いてＩＴ
Ｏ膜及び炭素膜を同時にパターニングする方法や、炭素
膜を形成する時にメタルマスクを用いて、パターニング
されたＩＴＯ膜２上にのみ膜を形成する方法がある。有
機発光素子は半導体接合に基づいた発光機構を取るので
接合界面の清浄度は強く求められ、従って、炭素膜を形
成した後にフォトリソグラフィーの工程を取ることは特
性面からも好ましくなく、しかも炭素膜の付着力は一般
に強くないため、炭素膜を形成した後にフォトリソグラ
フィー工程を通せば、剥離等の問題を引き起こす。ま
た、数百μｍ程度の微細パターニングされたＩＴＯ膜２
上にのみ炭素膜を形成するために、メタルマスクを用
い、これを微細パターニングされたＩＴＯ膜２と真空プ
ロセス装置内で位置合わせする事は工程的にも煩雑とな
り、更にＩＴＯ膜は透明であるので、位置合わせはなお
のこと困難となる。

【００１７】従って、ＩＴＯ膜２上だけでなく、パター
ニングされたＩＴＯ膜２の間隙を含めた全面に炭素膜を
形成する構成にした方が工程的にも簡単で、特性的にも
好ましいが、その場合、陽極間の絶縁性を保たなければ
ならない。

【００１８】一方、図８（ｃ）で示す隔壁８で挟まれた
個々の画素となる有機発光素子は、陰極７よりも有機膜
６の幅を広くし、この有機膜６を介することで陰極７と
陽極（ＩＴＯ膜）２との絶縁を取らなければ、有機膜６
に電流が流れず発光しない。ところが、有機発光素子を
作製するために用いる蒸着法は、高真空で作製するため
にミーンフリーパスが長く、斜め蒸着成分が少ない。ま
た、スパッタリング法等と異なり、成膜条件による斜め
蒸着成分の制御は困難である。従って、有機膜６を隔壁
８の根元近くまで形成させ、絶縁が取れるほど陰極７の
幅よりも広くすることは困難であり、陽極（ＩＴＯ膜）
２と陰極７の絶縁性を確保することは難しい。これを改
善する方法としては、特開平９−３３０７９２号公報に
開示されているように、幅の広いポリイミドやＳｉＯ₂
等の絶縁膜上に隔壁を形成する方法が取られているが、
パターニングが２回以上必要となり工数的にも多く、歩
留まりも低下してしまう。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】上述した様に、従来の
有機発光素子や有機発光ディスプレイパネルにおける様
々な課題・問題点をまとめると以下に示す３つの内容と
なる。

【００２０】１）炭素膜を陽極の一部とした有機発光素
子及び有機発光ディスプレイパネルの場合。

【００２１】有機発光素子の特性を最も高める炭素膜
の構造は不明。

【００２２】陽極間の絶縁性を確保すると共に、工数
的にも簡単で優れた素子性能を有する有機発光ディスプ
レイパネルを得るために必要な炭素膜の特性は不明。

【００２３】２）隔壁によって電極を分離した構造を取
る有機発光ディスプレイパネルの場合。

【００２４】陽極と陰極間の絶縁性が高く優れた性能
を持ち、工数も少なく簡単な構造を有した有機発光ディ
スプレイパネルは未だ提案されていない。

【００２５】本発明において解決すべき課題は、陽極の
一部とした炭素膜の最適化を図ること及び隔壁によって
電極を分離する構成を取る有機発光ディスプレイパネル
において、性能を損なうことなく、より高い特性を維持
したままでその製造過程の簡略化を図ることにあり、発
光特性が向上した有機発光素子と有機ディスプレイパネ
ル及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する
ために本発明は、基板と、基板上に陽極と有機層と陰極
とを備えた積層構造体であって、陽極の少なくとも一部
分が炭素膜によって構成され、炭素膜のラマン分光分析
による測定結果が、１５５０ｃｍ^-1付近と１３５０ｃｍ
^-1付近にピークを持つラマンスペクトルを示し、このラ
マンスペクトルを２成分のガウス関数を用いて近似を行
った場合、高波側の面積強度に対する低波側の面積強度
の相対強度の比が１．０以上３．０以下であることを特
徴とする。

【００２７】このような特性を有した炭素膜を陽極の一
部に用いることで、有機発光素子にとっての炭素膜が好
ましい特性となり、信頼性が高く、発光効率の高い有機
発光素子を得ることができる。

【００２８】また、その製造方法は、炭素膜を形成する
に当ってＤＣスパッタリング法又はＤＣマグネトロンス
パッタリング法を用いて形成する工程を含むことを特徴
とする。このような方法で炭素膜を作製することは、有
機発光素子にとって好ましい表面状態、比抵抗となり、
特性向上が図られる。

【００２９】上記の課題を解決するために本発明は、
基板と、基板上に個々電気的に分離されたストライプ状
の陰極と有機膜と個々電気的に分離されたストライプ状
の陽極によって構成された画像表示配列を有している有
機発光ディスプレイパネルであって、陽極の少なくとも
一部分が炭素膜により構成され、その炭素膜の比抵抗値
が、１００Ω・ｃｍより高い絶縁性を有することを特徴
とする。

【００３０】このような特性を有した炭素膜を用いるこ
とで、基板全面に炭素膜を形成しても、電気的に分離さ
れた陽極間の絶縁性を損なうことなく優れた性能を得る
ことができ、陽極上にのみ炭素膜を形成する場合と比べ
て製造過程を非常に簡略化できる。

【００３１】また、その製造方法は、炭素膜を形成する
に当ってＤＣスパッタリング又はＤＣマグネトロンスパ
ッタリングを用いて形成する工程を含むことを特徴とす
る。このような方法で炭素膜を作製することは、ＲＦス
パッタリング法やＲＦマグネトロンスパッタリング法で
形成する場合に比べて簡単に膜の比抵抗を制御すること
ができ、容易に特性向上が図られる。

【００３２】上記の課題を解決するために本発明は、
光透過性の基板の上に、光透過性の第１の電極を形成す
るとともにこの第１の電極の一部を露出させる絶縁性の
隔壁を第１の電極よりも上に突き出る層厚として形成
し、第１の電極及び隔壁の上に、有機膜を形成するとと
もにこの有機膜の上に第２の電極を形成する有機発光デ
ィスプレイパネルであって、前記第１電極と前記有機膜
の間に炭素膜を配した構造を持つとともにこの炭素膜が
有機膜を介してその上に形成される前記第２の電極膜よ
りもこの絶縁性の隔壁側に伸長して、隔壁によって規制
される方向の幅が第２電極よりも広くなることを特徴と
する。

【００３３】このような構成であれば、例え、有機膜の
幅が陰極より狭くても、炭素膜によって陰極と陽極の短
絡を防ぐことができ、しかも、炭素膜を形成するために
用いるスパッタリング法は、有機膜や陰極を形成するた
めに用いる蒸着法に比べて根本的なミーンフリーパスが
短いため、成膜時のガス圧を制御するだけで隔壁の根元
近くまで容易に形成できる。そのため、隔壁に何らかの
工夫をすること無く簡単な製造過程によって、陰極と陽
極間に高い絶縁性を得ることができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、陰極と有機膜と少なくとも一部分が炭素膜よりなる
陽極によって構成された有機発光素子において、前記炭
素膜のラマン分光分析による測定結果が、１５５０ｃｍ
^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付近にピークを持つラマンスペ
クトルを示し、このラマンスペクトルを２成分のガウス
関数を用いて近似を行った場合、高波側の面積強度に対
する低波側の面積強度の相対強度の比が１．０以上３．
０以下であることで、高い発光効率が得られるという作
用を有する。

【００３５】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の有機発光素子の製造方法であって、陽極の一
部分となる炭素膜を形成する方法として、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法又はＤＣスパッタ法用いることで、目的
のラマンスペクトルを有した構造を容易に得ることがで
きるという作用を有する。

【００３６】本発明の請求項３に記載の発明は、個々電
気的に分離されたストライプ状の陰極と有機膜と個々電
気的に分離されたストライプ状の陽極によって構成され
た画像表示配列を有している有機発光ディスプレイパネ
ルであって、前記陽極の少なくとも一部分が炭素膜によ
り構成され、その炭素膜の比抵抗値が、１００Ω・ｃｍ
より高い絶縁性を有することで、簡単な構成で陽極間の
絶縁性が高いという作用を有する。

【００３７】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
３記載の有機発光ディスプレイパネルを製造する方法で
あって、陽極の一部分となる炭素膜を形成する方法とし
て、ＤＣマグネトロンスパッタ法又はＤＣスパッタ法用
いることで、目的の比抵抗値を容易に得ることができる
という作用を有する。

【００３８】本発明の請求項５に記載の発明は、光透過
性の基板の上に、光透過性の第１の電極を形成するとと
もにこの第１の電極の一部を露出させる絶縁性の隔壁を
第１の電極よりも上に突き出る層厚として形成し、第１
の電極及び隔壁の上に、有機膜を形成するとともにこの
有機膜の上に第２の電極を形成する有機発光ディスプレ
イパネルであって、前記第１電極と前記有機膜の間に炭
素膜を配した構造を持つとともにこの炭素膜が有機膜を
介してその上に形成される前記第２の電極膜よりもこの
絶縁性の隔壁側に伸長して、隔壁によって規制される方
向の幅が第２電極よりも広くすることで、第１電極と第
２電極間の絶縁性を高めるという作用を有する。

【００３９】本発明の請求項６記載の発明は、前記請求
項５記載の有機発光ディスプレイパネルであって、第１
電極と有機膜との間の炭素膜が、ラマン分光分析による
測定結果が、１５５０ｃｍ^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付近
にピークを持つラマンスペクトルを示し、このラマンス
ペクトルを２成分のガウス関数を用いて近似を行った場
合、高波側の面積強度に対する低波側の面積強度の相対
強度の比が１．０以上３．０以下である及び／又は比抵
抗値が、１００Ω・ｃｍより高い絶縁性を有すること
で、発光効率と陽極と陰極間の絶縁性を高めるという作
用を有する。

【００４０】本発明の請求項７記載の発明は、請求項５
または６記載の有機発光ディスプレイパネルを製造する
方法であって、第１電極上に形成する炭素膜を形成する
方法として、ＤＣマグネトロンスパッタ法又はＤＣスパ
ッタ法を用いることで、目的のラマンスペクトル及び／
又は比抵抗値を容易に得ることができるという作用を有
する。

【００４１】請求項８記載の発明は、陰極と、有機膜
と、陽極と、前記有機膜と前記陽極間に形成された炭素
膜によって構成された有機発光素子であって、前記炭素
膜のラマン分光分析による測定結果が、１５５０ｃｍ^-1
付近と１３５０ｃｍ^-1付近にピークを持つラマンスペク
トルを示し、このラマンスペクトルを２成分のガウス関
数を用いて近似を行った場合、高波数側の面積強度に対
する低波数側の面積強度の相対強度の比が１．０以上
３．０以下であることを特徴とする有機発光素子であっ
て、高い発光効率が得られるという作用を有する。

【００４２】上記請求項に記載の基板としては、透明又
は半透明なガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィン等が用
いられる。また、基板はこれらの材料を薄膜とした可撓
性を有するフレキシブル基板であっても良い。

【００４３】陽極としては、アルミニウム、バナジウ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、金、銀、
白金、パラジウム、炭素等、または、それらの合金が挙
げられ、さらに、ＩＴＯ、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳ
ｎＯ₂）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）に代表さ
れる酸化インジウム、酸化スズ等の酸化金属も挙げられ
る、このように、正孔を容易に注入できるような大きな
仕事関数を持つ導電性材料が用いられ、さらに、これに
積層される炭素膜で構成される。

【００４４】また、炭素としては、その純度が、好まし
くは９０％以上であり、より好ましくは９９％以上であ
る。そして、陽極を構成する正孔を容易に注入できるよ
うな大きな仕事関数を持つ導電性材料と、これに積層さ
れる炭素の組み合わせとしては、透明又は半透明である
機能と正孔を容易に注入できる機能を併せ持つと言う理
由で、ＩＴＯと炭素、ＡＴＯと炭素等に代表される、酸
化インジウム、酸化スズ等の酸化金属と炭素の組み合わ
せが好ましい。

【００４５】陽極は、少なくとも一部分が、このような
炭素で成膜された炭素膜よりなるものであり、この炭素
膜がラマン分光分析によって測定した結果、１５５０ｃ
ｍ^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付近にピークを持つラマンス
ペクトルを示し、このラマンスペクトルを２成分のガウ
ス関数を用いて近似を行った場合、高波側の面積強度に
対する低波側の面積強度の相対強度の比が１．０以上
３．０以下になっていることである。

【００４６】なお、本発明においては、構成の説明を簡
単にする上で、炭素膜を陽極の一部と扱う事が多いが、
炭素膜の定義はこれに限定されるものではなく、その定
義は、上述した正孔を容易に注入できるような大きな仕
事関数を持つ導電性材料を陽極とし、これに積層される
炭素膜をバッファ層、或いは、中間層としても、何ら差
し支えない。

【００４７】また、有機薄膜層は、発光層のみの単層構
造の他に、正孔輸送層と発光層又は発光層と電子輸送層
の２層構造や、正孔輸送層と発光層と電子輸送層の３層
構造のいずれの構造でもよい。但し、このような２層構
造又は３層構造の場合には、正孔輸送層と陽極が、又は
電子輸送層と陰極が接するように積層して形成される。

【００４８】また、発光層としては、可視領域で蛍光特
性を有し、かつ成膜性の良い蛍光体からなるものが好ま
しく、Ａｌｑ₃やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢ
ｑ₂）の他に、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチ
ル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジア
ゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベン
ゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７
−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサ
ゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−
ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，
５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベ
ンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７
−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサ
ゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビ
ス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェ
ン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフ
ェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−
２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾ
オキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビ
ニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオ
キサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレ
ン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、
２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニ
ル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カ
ルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベ
ンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）
マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノー
ル）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）イン
ジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アル
ミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−ク
ロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ
−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛（「）−
ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等
の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピ
ンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物
や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、
１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビ
ス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼ
ン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、
１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４
−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等の
スチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチ
ルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチ
リル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）
ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリ
ル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）
ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニ
ル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、
ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジ
アゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタ
ジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系
誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられ
る。さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コ
ロネン等も用いられる。

【００４９】また、正孔輸送層としては、正孔移動度が
高く、透明で成膜性の良いものが好ましくＴＰＤの他
に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロ
シアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニ
ンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス
｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキ
サン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−
Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリ
ルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミ
ノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノ
ビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ
−トリル−４，Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−１，１’−４，４’−ジアミ
ン、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルア
ミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’
−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベ
ン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オ
キサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリ
アリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラ
ゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニー
ルアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキ
サゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フ
ルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘
導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オ
リゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリ
ディン系化合物や、ポリ３−メチルチオフェン等の有機
材料が用いられる。

【００５０】また、ポリカーボネート等の高分子中に低
分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分
散系の正孔輸送層も用いられる。

【００５１】また、電子輸送層としては、１，３−ビス
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサ
ジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のジョキサジ
アゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェ
ニルキノン誘導体等が用いられる。

【００５２】また、陰極としては、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、
Ｔｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等の
Ｍｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−
Ｂａ合金等のＡｌ合金、ＬｉＯ₂／ＡｌやＬｉＦ／Ａｌ
等の積層膜が用いられる。

【００５３】以下、本発明の実施の一形態について図面
に基づいて説明する。

【００５４】（実施の形態１）図１は、本発明の一実施
の形態における有機発光素子の構造を示す要部断面図で
ある。図１において、基板１、ＩＴＯ膜２、陽極３、正
孔輸送層４、発光層５、有機膜６、及び陰極７は図７で
示した従来の技術と同様のものであるので、同一の符号
を付して説明を省略する。

【００５５】本実施の形態における有機発光素子が従来
の技術と異なっているのは、陽極３の一部分が炭素膜９
を備え、しかもこの炭素膜９がラマン分光分析によって
測定した結果、１５５０ｃｍ^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付
近にピークを持つラマンスペクトルを示し、このラマン
スペクトルを２成分のガウス関数を用いて近似を行った
場合、高波側の面積強度に対する低波側の面積強度の相
対強度の比が１．０以上３．０以下になっていることで
ある。

【００５６】上記構成を有する本実施の形態における有
機発光素子の動作は、正孔がＩＴＯ膜２から炭素膜９を
介してから正孔輸送層４に注入されること以外は従来の
技術と同様のものであるので説明については省略する。

【００５７】以上のように本実施の形態によれば、陽極
３から有機膜６への正孔の注入が従来と比べて効率良く
行われることにより、有機発光素子の発光効率を向上さ
せることが可能になる。

【００５８】（実施の形態２）図２は、本発明の一実施
の形態における有機発光ディスプレイパネルの構造を示
す要部断面図である。図２において、基板１、ＩＴＯ膜
２、陽極３、正孔輸送層４、発光層５、有機膜６及び陰
極７は図８で示した従来の技術と同様のものであるの
で、同一の符号を付して説明を省略する。

【００５９】本実施の形態における有機発光ディスプレ
イパネルが従来の技術と異なっているのは、陽極３の一
部分が炭素膜９を備え、しかもこの炭素膜９が比抵抗値
で１００Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有していることであ
る。

【００６０】上記構成を有する本実施の形態における有
機発光ディスプレイパネルの動作原理としては、供給さ
れた電流は、１００Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する炭
素膜９を介してＩＴＯ膜２間で流れることはないが、正
孔はＩＴＯ膜２から炭素膜９を介して正孔輸送層４に注
入されることで電流は流れ、その後は従来と同様の発光
過程を経て発光に達する。

【００６１】炭素膜９から有機膜６への電流注入、つま
り半導体結合によって電気を流そうとした場合、炭素膜
９は絶縁性が高くても導体とした振る舞いを行い、高電
圧を印加しなくても電流が流れるのに対し、炭素膜を通
してＩＴＯ膜間に電流が流れる場合を想定する、つま
り、オーミック接合を介して電流が流れる場合を想定す
ると、炭素膜９の絶縁性が高いため、極微小の電流しか
流れず、有機発光素子としての挙動にはほとんど影響無
い。これは、有機発光素子のような半導体結合で電流を
流す場合、閾値電圧に相当する抵抗が存在するため、炭
素膜９がその分の抵抗となっても電圧を高めることも無
く電流をスムーズに流すことができ、逆に炭素膜９によ
る有機膜６とＩＴＯ膜２との仕事関数の差を改善するこ
とができるため、効率良く電流注入が可能となると考え
られる。

【００６２】この新たな知見によって、ＩＴＯ膜２上に
のみ炭素膜９を形成しなければならないという複雑な製
造過程を経ることなく、簡単な構造で性能の高い有機発
光ディスプレイパネルを得ることが可能になった。

【００６３】この効果を達成するために必要な炭素膜の
絶縁性を以下の計算により求めた。

【００６４】炭素膜を全面に配した場合に生じる隣接す
るＩＴＯ膜間の抵抗をＲ１（Ω）、隣のドットがある明
るさを持って発光するしたときの漏れ電流Ｉ１（ｍ
Ａ）、パネルとして最も明るく発光させるときの電圧を
Ｖ１とすると、 Ｒ１≧Ｖ１／Ｉ１ （１） でなければならない。ここで、カーボン膜の比抵抗をρ
（Ω・ｃｍ）、カーボンの膜厚をｔ（ｃｍ）、ドット幅
をＤ（ｃｍ）、ＩＴＯ間の幅をＬ（ｃｍ）とすると、抵
抗Ｒ＝比抵抗・長さ／断面積より、 Ｒ１＝ρ・Ｌ／ｔ・Ｄ （２） となる。（１）、（２）式より、 ρ≧Ｖ１・ｔ・Ｄ／Ｉ１・Ｌ （３） 発光輝度１００（ｃｄ／ｍ²）、発光エリア３００μｍ
×３００μｍ、パネル大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍとする
と、駆動デューティーは約３００となりそのため瞬時に
発光させなければならない輝度は３００００（ｃｄ／ｍ
²）となる。また、その時に必要な駆動電圧Ｖ１は、一
般的な有機発光素子の電圧−輝度の関係からおよそ１５
Ｖである。

【００６５】人間の目で認識できる輝度は１（ｃｄ／ｍ
²）程度であり、有機発光素子の効率を１０ｃｄ／Ａと
見積もると、許される漏れ電流密度は０．０１（ｍＡ／
ｃｍ ²）以下となる。駆動デューティー３００を考慮す
れば、許容漏れ電流密度は３（ｍＡ／ｃｍ²）となり、
１００μｍ×１００μｍドットに流れる電流Ｉ１は３×
１０^-4ｍＡとなる。（３）式にこれらＶ１とＩ１の値及
びＬ＝１０μｍ、Ｄ＝１００μｍ、炭素膜は２ｎｍ以上
の膜厚があれば効果があることを考えてｔ＝０．００２
μｍを代入すると、ρ≧１００（Ω・ｃｍ）となる。

【００６６】今回の計算は、ある一定の条件下で算出さ
れた炭素膜の比抵抗値であり、パネルサイズ、ドットの
大きさ、有機発光素子の特性及び炭素膜の膜厚等によっ
て必要とされる炭素膜の比抵抗値は変わってくる。従っ
て、比抵抗値１００Ω・ｃｍという値が特に重要な意味
があるのではなく、要は、この考え方に基づいた算出方
法で、漏れ電流を流さないためのある値以上の比抵抗値
が重要である。

【００６７】（実施の形態３）図３は、本発明の一実施
の形態における有機発光ディスプレイパネルの構造を示
す要部断面図である。図３において、基板１、ＩＴＯ膜
２、有機膜６、陰極７及び隔壁８は図８（ｃ）で示した
従来の技術と同様のものであるので、同一の符号を付し
て説明を省略する。

【００６８】本実施の形態における有機発光ディスプレ
イパネルが従来の技術と異なっているのは、ＩＴＯ膜２
と有機膜６の間に炭素膜８を配した構造を持つととも
に、この炭素膜８が有機膜６を介してその上に形成され
る陰極７よりも隔壁８側に伸長して、炭素膜８の幅が陰
極７よりも広くなった構造を有していることである。

【００６９】上記構成を有する本実施の形態における有
機発光ディスプレイパネルの動作原理としては、ＩＴＯ
膜２と陰極７に印可された電圧によって、ＩＴＯ膜２か
ら炭素膜８を介して正孔が有機膜６注入され、一方電子
は陰極７から有機膜６に注入され、その後は従来と同様
の発光過程を経て発光に達する。

【００７０】以上のように本実施の形態によれば、例え
有機膜の幅が陰極より狭くても、炭素膜が介在すること
で画素端部での陰極と陽極の短絡を防ぐことができ、未
発光や漏れ電流による効率低下の問題を防ぐことが可能
になる。

【００７１】以上に述べた実施の形態では、有機発光素
子の層構成が、陽極／正孔注入層／発光層／陰極の場合
について説明したが、特にこれに限定するものではな
く、例えば、陽極／発光層／陰極としてもよく、或い
は、陽極／発光層／電子注入層／陰極としてもよく、更
には、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極と
してもよい。また、上記構成の様に、基板側から陽極を
形成したような構成ではなくても陰極から形成した様な
反転構成であってもよい。また、これらの層を覆うよう
に例えば、ＳｉＯ₂やＧｅＯ等の保護膜があってもよ
い。

【００７２】

【実施例】次に、本発明の効果を具体的な実施例に基づ
いて説明する。

【００７３】（実施例１）市販のＩＴＯ付きガラス基板
（三容真空工業製、シート抵抗８Ω）を中性洗剤による
手洗い洗浄した後、濃度３％、温度６０℃のＫＯＨ水溶
液で５分間超音波洗浄、続いて８０℃の純水による５分
間超音波洗浄した後、エアーブローによる乾燥を行う。
この洗浄後の基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ製、ターゲットサイズ８インチ）内の基板ホルダ
ーにセット、チャンバー内を６×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の
真空度まで排気した後、スパッタリングを行い基板に炭
素膜を成膜した。ターゲットには、巴工業製のグラファ
イトカーボンを用い、投入電力５００Ｗ、スパッタガス
圧は１〜１０ｍＴｏｒｒの成膜条件で行った。導入ガス
にはアルゴンガスと水素ガス又はアルゴンガスと窒素ガ
スの混合ガスを用い、これが混合ガスの割合を変えるこ
とで得られる炭素膜の構造を制御した。このような方法
で作製した炭素膜をラマン分光分析による構造解析を行
った。

【００７４】図４にアルゴンガスと窒素ガスの割合が
１：１の混合ガスを用いて、スパッタガス圧５ｍＴｏｒ
ｒで作製した炭素膜のラマン分光分析結果のグラフを示
す。横軸はラマンシフトの波数で、縦軸はピーク強度で
ある。図４において、１０は分析によって測定されたラ
マン分光分析測定波形であり、１１はその測定波形を近
似してスムージングしたラマン分光分析測定曲線、１２
は測定曲線１１の第１ピークである波数１５５０ｃｍ^-1
地点の２成分のガウス関数で近似した近似曲線、１３は
測定曲線１１の第２ピークである波数１３５０ｃｍ^-1地
点の２成分のガウス関数で近似した近似曲線である。曲
線１２と横軸で囲まれた面積（面積強度）で、曲線１３
と横軸で囲まれた面積（面積強度）を割った相対強度の
値が２．４７である。

【００７５】（実施例２）上記実施例１で示した方法で
構造を制御した炭素膜を陽極の一部とした有機発光素子
を作製、その素子の発光特性を評価した。以下に具体的
実施方法について説明する。

【００７６】市販のＩＴＯ付きガラス基板（三容真空工
業製、シート抵抗８Ω）にレジスト材（東京応化社製、
ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布して厚
さ約１０μｍのレジスト膜を形成、露光、現像してレジ
スト膜を所定の形状にパターニングした。次に、この基
板を６０℃で５０％の塩酸中に浸漬して、レジスト膜が
形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングした後、
レジスト膜も除去、所定のパターン形状を有したＩＴＯ
膜基板を得た。この基板を上記実施例１で示した方法で
洗浄後、導入ガスの混合比を制御することで種々の構造
を有した５０ｎｍの炭素膜を基板上に形成する。これら
炭素膜のラマン分光分析による高波数側の面積強度に対
する低波数側の面積強度の相対強度の比は、０．９３、
１．１５、２．９８、３．０５である。具体的成膜条件
は、上記実施例１に準じる。この様にして得られた炭素
膜付きＩＴＯ基板に、２×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度
まで排気した抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層とし
てＴＰＤを約５０ｎｍ、発光層としてＡｌｑ₃を約７５
ｎｍ、陰極としてＡｌＬｉを１００ｎｍ形成、有機発光
素子を完成させる。

【００７７】なお、ＴＰＤとＡｌｑ₃の蒸着速度は、共
に約０．２ｎｍ／ｓ、ＡｌＬｉの蒸着速度は約１ｎｍ／
ｓである。

【００７８】以上の方法により、ＩＴＯ膜、炭素膜、正
孔輸送層、発光層、陰極で構成された有機発光素子の電
圧−輝度特性を調べた結果を図５に示す。尚、図には炭
素膜を形成せずにＩＴＯ膜、正孔輸送層、発光層、陰極
で構成された有機発光素子の特性も比較のために併せて
記載している。

【００７９】図５に示した電圧−輝度特性の関係から、
有機発光素子の発光特性は、陽極の一部分となる炭素膜
の構造に強く影響され、好ましい特性を得るには、高波
数側の面積強度に対する低波数側の面積強度の相対強度
の比が１．０以上３．０以下でなければならない。

【００８０】（実施例３）炭素膜を作製する装置として
ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いる以外は、第２実
施例と同様の方法、構成を有した有機発光素子を作製、
その素子の電圧−輝度特性の測定結果を図６に示す。タ
ーゲット、スパッタガス圧及び混合ガス比等、ＲＦとＤ
Ｃという投入電力方法以外の条件は全て同じにしてい
る。

【００８１】同一構成、同一ディメンジョンにもかかわ
らず、炭素膜を形成する方法の違いによって、有機発光
素子の特性が強く影響される。有機発光素子の電極の一
部として炭素膜を用いる場合には、ＤＣマグネトロンス
パッタ法がＲＦマグネトロンスパッタ法より適してい
る。

【００８２】この原因は明らかではないが、成膜法の違
いによる膜構造、表面粗さ等が影響していると思われ
る。

【００８３】なお、本実施例では、ＤＣマグネトロンス
パッタ法とＲＦマグネトロンスパッタ法の違いについて
のみ記載したが、磁界によるプラズマの封じこめ効果の
無いＤＣスパッタ法やＲＦスパッタ法についても調べた
結果、ほぼ同様の傾向、つまりＤＣスパッタの方がＲＦ
スパッタよりも特性が優れる傾向にあることを確認して
いる。

【００８４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、炭素膜の
特性を最適化することで、それを用いた有機発光素子の
発光特性を向上させることができる。

【００８５】また、有機発光素子を用いてディスプレイ
パネルを構成する場合、陽極間同士の短絡による電流漏
れや陽極と陰極間の短絡による電流漏れを起こすことな
く良好な発光特性を維持したまま、しかも、複雑な製造
プロセスを用いることなく非常に簡単な製造プロセスで
ディスプレイパネルを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における有機発光素子の
構造を示す要部断面図

【図２】本発明の一実施の形態における有機発光ディス
プレイパネルの構造を示す要部断面図

【図３】本発明の一実施の形態における有機発光ディス
プレイパネルの構造を示す要部断面図

【図４】実施例１の炭素膜のラマン分光分析結果を示す
グラフ

【図５】実施例２の有機発光素子の印可電圧と発光輝度
の関係を示すグラフ

【図６】実施例３の有機発光素子の印可電圧と発光輝度
の関係を示すグラフ

【図７】従来の有機発光素子の構造を示す要部断面図

【図８】（ａ）従来の有機発光ディスプレイパネルの概
略部分の斜視図 （ｂ）Ａ−Ａ’断面図 （ｃ）Ｂ−Ｂ’断面図

【符号の説明】

１ 基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ 陽極 ４ 正孔輸送層 ５ 発光層 ６ 有機膜 ７ 陰極 ８ 隔壁 ９ 炭素膜 １０ ラマン分光分析測定波形 １１ ラマン分光分析測定曲線 １２ 波数１５５０ｃｍ^-1地点の２成分のガウス関数で
近似した近似曲線 １３ 波数１３５０ｃｍ^-1地点の２成分のガウス関数で
近似した近似曲線

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陰極と、有機膜と、少なくとも一部分が炭
   素膜よりなる陽極によって構成された有機発光素子であ
   って、前記炭素膜のラマン分光分析による測定結果が、
   １５５０ｃｍ^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付近にピークを持
   つラマンスペクトルを示し、このラマンスペクトルを２
   成分のガウス関数を用いて近似を行った場合、高波数側
   の面積強度に対する低波数側の面積強度の相対強度の比
   が１．０以上３．０以下であることを特徴とする有機発
   光素子。
2. 【請求項２】請求項１記載の有機発光素子を製造する方
   法であって、陽極の少なくとも一部分となる炭素膜が、
   ＤＣマグネトロンスパッタ法またはＤＣスパッタ法によ
   って形成されたことを特徴とする有機発光素子の製造方
   法。
3. 【請求項３】個々電気的に分離されたストライプ状の陰
   極と、有機膜と、個々電気的に分離されたストライプ状
   の陽極によって構成された画像表示配列を有している有
   機発光ディスプレイパネルであって、前記陽極の少なく
   とも一部分が炭素膜により構成され、その炭素膜の比抵
   抗値が、１００Ω・ｃｍより高い絶縁性を有することを
   特徴とする有機発光ディスプレイパネル。
4. 【請求項４】請求項３記載の有機発光ディスプレイパネ
   ルを製造する方法であって、陽極の少なくとも一部分と
   なる炭素膜が、ＤＣマグネトロンスパッタ法またはＤＣ
   スパッタ法によって形成されたことを特徴とする有機発
   光ディスプレイパネルの製造方法。
5. 【請求項５】光透過性の基板の上に、光透過性の第１の
   電極を形成するとともに、この第１の電極の一部を露出
   させる絶縁性の隔壁を第１の電極よりも上に突き出る層
   厚として形成し、第１の電極及び隔壁の上に、有機膜を
   形成するとともにこの有機膜の上に第２の電極を形成す
   る有機発光ディスプレイパネルであって、前記第１電極
   と前記有機膜の間に炭素膜を配した構造を持つとともに
   この炭素膜が有機膜を介してその上に形成される前記第
   ２の電極膜よりもこの絶縁性の隔壁側に伸長して、隔壁
   によって規制される方向の幅が第２電極よりも広くなる
   ことを特徴とした有機発光ディスプレイパネル。
6. 【請求項６】前記請求項５記載の有機発光ディスプレイ
   パネルであって、第１電極と有機膜との間の炭素膜が、
   ラマン分光分析による測定結果が、１５５０ｃｍ^-1付近
   と１３５０ｃｍ^-1付近にピークを持つラマンスペクトル
   を示し、このラマンスペクトルを２成分のガウス関数を
   用いて近似を行った場合、高波側の面積強度に対する低
   波側の面積強度の相対強度の比が１．０以上３．０以下
   である及び／又は比抵抗値が、１００Ω・ｃｍより高い
   絶縁性を有することを特徴とする有機発光ディスプレイ
   パネル。
7. 【請求項７】請求項５，６いずれか１記載の有機発光デ
   ィスプレイパネルを製造する方法であって、第１電極上
   に形成する炭素膜が、ＤＣマグネトロンスパッタ法また
   はＤＣスパッタ法によって形成されたことを特徴とする
   有機発光ディスプレイパネルの製造方法。
8. 【請求項８】陰極と、有機膜と、陽極と、前記有機膜と
   前記陽極間に形成された炭素膜によって構成された有機
   発光素子であって、前記炭素膜のラマン分光分析による
   測定結果が、１５５０ｃｍ^-1付近と１３５０ｃｍ^-1付近
   にピークを持つラマンスペクトルを示し、このラマンス
   ペクトルを２成分のガウス関数を用いて近似を行った場
   合、高波数側の面積強度に対する低波数側の面積強度の
   相対強度の比が１．０以上３．０以下であることを特徴
   とする有機発光素子。