JP2001166486A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体デバイスの製造において高感度且つ0.
15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジス
トパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層
レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下
層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フ
ォトレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式（Ｉ）のシリコン含有繰り返し単位と
式（II）の特定の構造の繰り返し単位を含有する、酸の
作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸
分解性ポリマーを含有するポジ型フォトレジスト組成
物。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子、集積回路製造用マスク、プリント配線板、液晶パネ
ル等の製造に用いるポジ型フォトレジスト組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、磁気バブルメモリ、集積回
路等の電子部品を製造するためのパターン形成法として
は、従来より、紫外線又は可視光線に感光するフォトレ
ジストを利用する方法が幅広く実用に供されている。フ
ォトレジストには、光照射により被照射部が現像液に不
溶化するネガ型と、反対に可溶化するポジ型とがある
が、ネガ型はポジ型に比べて感度が良く、湿式エッチン
グに必要な基板との接着性及び耐薬品性にも優れている
ことから、近年までフォトレジストの主流を占めてい
た。

【０００３】しかし、半導体素子等の高密度化・高集積
化に伴い、パターンの線幅や間隔が極めて小さくなり、
また、基板のエッチングにはドライエッチングが採用さ
れるようになったことから、フォトレジストには高解像
度及び高ドライエッチング耐性が望まれるようになり、
現在ではポジ型フォトレジストが大部分を占めるように
なった。特に、ポジ型フォトレジストの中でも、感度、
解像度、ドライエッチング耐性に優れることから、例え
ばジェー・シー・ストリエータ著、コダック・マイクロ
エレクトロニクス・セミナー・プロシーディングス、第
１１６頁（１９７６年）（J.C. Strieter, Kodak Micro
electronics Seminar Proceedings、１１６（１９７６
年）等に記載されているアルカリ可溶性のノボラック樹
脂をベースにしたアルカリ現像型のポジ型フォトレジス
トが現行プロセスの主流となっている。

【０００４】しかしながら、近年電子機器の多機能化、
高度化に伴ない、さらに高密度化及び高集積化を図るべ
くパターンの微細化が強く要請されている。即ち、集積
回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方向の寸法は
あまり縮小されていかないために、レジストパターンの
幅に対する高さの比は大きくならざるを得なかった。こ
のため、複雑な段差構造を有するウエハー上でレジスト
パターンの寸法変化を押さえていくことは、パターンの
微細化が進むにつれてより困難になってきた。さらに、
各種の露光方式においても、最小寸法の縮小に伴ない問
題が生じてきている。例えば、光による露光では、基板
の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精度に大きな
影響を与えるようになり、一方電子ビーム露光において
は、電子の後方散乱によって生ずる近接効果により、微
細なレジストパターンの高さと幅の比を大きくすること
ができなくなった。

【０００５】これらの多くの問題は多層レジストシステ
ムを用いることにより解消されることが見出された。多
層レジストシステムについては、ソリッドステート・テ
クノロジー、７４（１９８１）[Solid State Technolog
y, 74 (1981)］に概説が掲載されているが、この他にも
このシステムに関する多くの研究が発表されている。一
般的に多層レジスト法には３層レジスト法と２層レジス
ト法がある。３層レジスト法は、段差基板上に有機平坦
化膜を塗布し、その上に、無機中間層、レジストを重
ね、レジストをパターニングした後、これをマスクとし
て無機中間層をドライエッチングし、さらに、無機中間
層をマスクとして有機平坦化膜をＯ₂ ＲＩＥ（リアクテ
ィブイオンエッチング）によりパターニングする方法で
ある。この方法は、基本的には、従来からの技術が使用
できるために、早くから検討が開始されたが、工程が非
常に複雑である、あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三
層物性の異なるものが重なるために中間層にクラックや
ピンホールが発生しやすいといったことが問題点になっ
ている。

【０００６】この３層レジスト法に対して、２層レジス
ト法では、３層レジスト法でのレジストと無機中間層の
両方の性質を兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラ
ズマ耐性のあるレジストを用いるために、クラックやピ
ンホールの発生が抑えられ、また、３層から２層になる
ので工程が簡略化される。しかし、３層レジスト法で
は、上層レジストに従来のレジストが使用できるのに対
して、２層レジスト法では、新たに酸素プラズマ耐性の
あるレジストを開発しなければならないという課題があ
った。

【０００７】以上の背景から、２層レジスト法等の上層
レジストとして使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、
高感度、高解像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行
プロセスを変えることなく使用できるアルカリ現像方式
のレジストの開発が望まれていた。

【０００８】さらに、ハーフミクロン以下の線幅からな
る超微細パターンの加工が必要な超ＬＳＩの製造等にお
いては、リソグラフィーに用いられる露光装置の使用波
長の短波化が進行し、今やＫｒＦエキシマーレーザー
光、ＡｒＦエキシマーレーザー光を用いる事が検討され
るまでになってきている。この様な短波長の光リソグラ
フィーでは、レジストは化学増幅型と呼ばれるものを用
いるのが一般的である。なかでもＡｒＦエキシマーレー
ザー光を利用する場合は、膜の光学的透明性の観点から
レジストの主成分となるバインダー樹脂中にフェノール
構造を導入する事は適当ではなく、ｔ−ブチルエステル
等の３級エステル、１−アルキルアダマンチルエステ
ル、カルボン酸のＴＨＰ保護体など、酸で分解してカル
ボン酸を発生する構造を画像形成性部位として含有する
樹脂ポリマーをバインダーとして用いるのが一般的であ
る。ＡｒＦエキシマーレーザー光に透明な画像形成性部
位を含有するＳｉ含有ポリマーは、例えば特開平８−１
６０６２３号、特開平１０−３２４７４８号、特開平１
１−６０７３３号、特開平１１−６０７３４号に開示さ
れている。しかしパターン表面の膜べりが大きくパター
ンが矩形形状にならず、次の酸素プラズマ工程において
下層へのパターン転写時に寸法シフトが大きくなるとい
う問題点を有していた。

【０００９】ＳＰＩＥ、第３６７８巻、２４１項には、
酸分解性エステル末端にトリス（トリメチルシリル）シ
リルエチル基を含有するビニルポリマーを用いた化学増
幅型レジストが開示されている。また、ＳＰＩＥ、第３
６７８巻、２１４項及び５６２項には、酸分解性エステ
ル末端にトリメチル−ビス（トリメチルシリル）ジシラ
ヘプチルメチルプロピルエステルを含有するビニルポリ
マーを用いた化学増幅型レジストが開示されている。し
かしながら、これらの技術でもラインボトム部のすそ引
き等やライントップ部のラウンド化という問題点が存在
した。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、半導体デバイスの製造において、高感度であって、
０．１５μｍ以下の高解像力を有し、しかも矩形形状を
有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト
組成物を提供することである。本発明のさらなる他の目
的は、２層レジスト法において、酸素プラズマエッチン
グ工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小
さいポジ型フォトレジスト組成物を提供することであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ポジ型化
学増幅系におけるレジスト組成物について鋭意検討した
結果、特定の繰り返し単位を共重合した酸分解性ポリマ
ーを用いることにより、本発明の目的が達せられること
を見出した。即ち、上記目的は、下記構成を有するポジ
型フォトレジスト組成物を用いることにより達成され
る。 (1) 少なくとも一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位
と、一般式（II）で表される繰り返し単位とを含有す
る、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増
大する酸分解性ポリマーを含有することを特徴とするポ
ジ型フォトレジスト組成物。

【００１２】

【化５】

【００１３】一般式（Ｉ）中、Ｙは水素原子、メチル
基、シアノ基又は塩素原子を表す。Ｌは単結合または２
価の連結基を表す。Ｒ'、Ｒ''及びＲ'''はそれぞれ独立
に直鎖もしくは分岐のアルキル基、フェニル基、トリア
ルキルシリル基またはトリアルキルシリルオキシ基を表
す。

【００１４】

【化６】

【００１５】式（II）中、Ｙは水素原子、メチル基、シ
アノ基または塩素原子を表す。Ｍ¹は単結合又はアルキ
レン基、置換アルキレン基、アリーレン基、置換アリー
レン基、エステル基、カルボニル基、アミド基、エーテ
ル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレア基からな
る群から選択される単独もしくは２つ以上の基の組み合
わせからなる２価の連結基を表す。Ｑは下記一般式（ｐ
Ｉ）〜（ｐVI）で表される脂環式炭化水素構造を含む基
を表す。

【００１６】

【化７】

【００１７】一般式（ｐＩ）〜（ｐVI）中、Ｒ₁₁は、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を
表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成
するのに必要な原子団を表す。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立
に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基
または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のう
ち少なくとも１つ、あるいはＲ₁₅及びＲ₁₆のうちの少な
くともいずれか一方は脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇〜
Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の直鎖
もしくは分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を
表す。但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式
炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉及び₂₁のうちの少なくと
もいずれか一方は炭素数１〜４個の直鎖もしくは分岐の
アルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₂₂〜Ｒ
₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の直鎖もしくは分岐
のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、
Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を
表す。

【００１８】(2) 該酸によりアルカリ現像液に対する
溶解度が増大する酸分解性ポリマーが、更に一般式（II
I）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とす
る上記(1)に記載のポジ型フォトレジスト組成物。

【００１９】

【化８】

【００２０】一般式(III）中、Ｙは水素原子、メチル
基、シアノ基又は塩素原子を表す。Ｍ ²は、単結合又は
アルキレン基、置換アルキレン基、橋かけ構造を有して
いてもよいシクロアルキレン基、アリーレン基、置換ア
リーレン基、エステル基、カルボニル基、アミド基、エ
ーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレア基か
らなる群から選択される単独もしくは２つ以上の基の組
み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｒaは、水素原
子、または置換基を有していてもよい、直鎖もしくは分
岐のアルキル基を表す。Ｗは、結合する炭素原子と共に
ラクトン構造を形成するのに必要な原子群を表す。

【００２１】(3)（Ａ）活性光線または放射線の照射に
より酸を発生する化合物、（Ｂ）上記(1)または(2)に記
載の酸分解性ポリマー、並びに（Ｃ）上記（Ａ）および
（Ｂ）を溶解する少なくとも１種の溶剤を含有すること
を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。本発明のポジ型フォトレジスト
組成物には、感光性化合物として活性光線または放射線
の照射により酸を発生する化合物（光酸発生剤ともい
う）、ナフトキノンジアジド−４（５）−スルホン酸エ
ステル化合物等を含有することができる。本発明におい
ては、光酸発生剤が好ましい。本発明で使用される活性
光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化
合物としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル
重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるい
はマイクロレジスト等に使用されている公知の光（４０
０〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、
ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、Ａｒ
Ｆエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオ
ンビームにより酸を発生する化合物およびそれらの混合
物を適宜に選択して使用することができる。

【００２３】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. En
g., 18,387(1974)、T. S. Bal et al, Polymer, 21, 42
3(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,0
55号、同4,069,056号、同 Re27,992号、特開平3-140140
号等に記載のアンモニウム塩、D. C. Necker et al, Ma
cromolecules, 17, 2468(1984)、C. S. Wen et al, Te
h, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(19
88)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載
のホスホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorec
ules, 10(6), 1307(1977)、Chem. & Eng.News, Nov. 2
8, p31(1988)、欧州特許第104,143号、米国特許第339,0
49号、同第410,201号、特開平2-150848号、特開平2-296
514 号等に記載のヨードニウム塩、J. V. Crivello et
al, Polymer J. 17, 73(1985)、J. V. Crivello et al,
J.Org. Chem., 43, 3055(1978)、W. R. Watt et al,
J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789(198
4)、J. V. Crivello et al, Polymer Bull., 14, 279(1
985)、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 14(5),
1141(1981)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sc
i., Polymer Chem. Ed., 17, 2877(1979)、欧州特許第3
70,693号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第
3,902,114号、同4,933,377号、同4,760,013号、同4,73
4,444号、同2,833,827号、獨国特許第2,904,626号、同
3,604,580号、同3,604,581号、特開平7-28237号、同8-2
7102号等に記載のスルホニウム塩、J. V.Crivello et a
l, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、J. V. Crivel
lo et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17,
1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C. S. Wen et a
l, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,
Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、
米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、特開昭48-3
6281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736号、特開
昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭62-58241
号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特開昭63-
298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Meier et
al, J. Rad. Curing, 13(4), 26(1986)、T. P. Gill et
al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D. Astruc, Acc.
Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S. Hayase et a
l, J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E. Reichmanis et
al, J. Pholymer Sci., PolymerChem. Ed., 23, 1(198
5)、Q. Q. Zhu et al, J. Photochem., 36, 85, 39, 317
(1987)、 B. Amit et al, Tetrahedron Lett., (24) 220
5(1973)、D. H. R. Bartonet al, J. Chem Soc., 3571(1
965)、P. M. Collins et al, J. Chem. Soc., PerkinI,
1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahedron Lett.,
(17), 1445(1975)、J. W. Walker et al, J. Am. Chem.
Soc., 110, 7170(1988)、S. C. Busman etal, J. Imagi
ng Technol., 11(4), 191(1985)、H. M. Houlihan et a
l, Macormolecules, 21, 2001(1988)、 P. M. Collins e
t al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532(1972)、S. H
ayase et al, Macromolecules, 18, 1799(1985)、E. Rei
chman et al, J. Electrochem. Soc., Solid State Sc
i. Technol., 130(6)、F. M. Houlihan et al, Macromol
cules, 21, 2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,
083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343号、 米
国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60-19853
8号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニトロベンジル
型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA et al, Polym
er Preprints Japan, 35(8)、G. Berner et al, J. Rad.
Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et al, Coating Techno
l., 55(697), 45(1983), Akzo、H. Adachi et al, Polym
er Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0199,672号、
同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,122
号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774号、特開昭64
-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に記
載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してス
ルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号、特開
平2-71270号等に記載のジスルホン化合物、特開平3-103
854号、同3-103856号、同4-210960号等に記載のジアゾ
ケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物を挙げることが
できる。

【００２４】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、たとえば、M. E. Woodhouse et al, J. Am. Ch
em.Soc., 104, 5586(1982)、S. P. Pappas et al, J. I
maging Sci., 30(5), 218(1986)、S. Kondo et al, Mak
romol. Chem., Rapid Commun., 9, 625(1988)、Y. Yama
da et al, Makromol. Chem., 152, 153, 163(1972)、J.
V. Crivello et al,J. Polymer Sci., Polymer Chem.
Ed., 17, 3845(1979)、米国特許第3,849,137号、獨国特
許第3914407、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、
特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-1634
52号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載
の化合物を用いることができる。

【００２５】さらにV. N. R. Pillai, Synthesis, (1),
1(1980)、A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47)45
55(1971)、D. H. R. Barton et al, J. Chem. Soc.,
(C), 329(1970)、米国特許第3,779,778号、欧州特許第1
26,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用
することができる。

【００２６】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００２７】

【化９】

【００２８】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００２９】

【化１０】

【００３０】

【化１１】

【００３１】

【化１２】

【００３２】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００３３】

【化１３】

【００３４】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００３５】Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は各々独立に、置換
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ま
しくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８の
アルキル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８の
アルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、
カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子であ
り、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ
基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。

【００３６】Ｚーは対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ー、
ＡｓＦ₆ー、ＰＦ₆ー、ＳｂＦ₆ー、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ー、
ＣＦ₃ＳＯ₃ー等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００３７】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つお
よびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を介
して結合してもよい。

【００３８】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００３９】

【化１４】

【００４０】

【化１５】

【００４１】

【化１６】

【００４２】

【化１７】

【００４３】

【化１８】

【００４４】

【化１９】

【００４５】

【化２０】

【００４６】

【化２１】

【００４７】

【化２２】

【００４８】

【化２３】

【００４９】

【化２４】

【００５０】

【化２５】

【００５１】

【化２６】

【００５２】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ. W. Knapcz
yk et al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145(1969)、A. L.
Maycok et al, J. Org. Chem., 35, 2532, (1970)、E.
Goethas et al, Bull. Soc.Chem. Belg., 73, 546, (19
64)、H. M. Leicester、J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587
(1929)、J. V. Crivello et al, J. Polym. Chem. Ed.,
18, 2677(1980)、米国特許第2,807,648号および同4,24
7,473号、特開昭53-101331号等に記載の方法により合成
することができる。

【００５３】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【００５４】

【化２７】

【００５５】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例として以下に示す化合物が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。

【００５６】

【化２８】

【００５７】

【化２９】

【００５８】

【化３０】

【００５９】

【化３１】

【００６０】

【化３２】

【００６１】

【化３３】

【００６２】上記光酸発生剤において特に好ましいもの
は、（ＰＡＧ３）〜（ＰＡＧ６）で示され、且つ活性光
線または放射線の照射により発生する酸が有機スルホン
酸である化合物である。これらの光酸発生剤を用いるこ
とで、高感度且つ矩形なパターン形状のポジ画像を得る
ことができる。

【００６３】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、レジスト組
成物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．
００１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．
０１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の
範囲で使用される。活性光線または放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重
量％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重
量％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロ
ファイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが
狭くなり好ましくない。

【００６４】次に（Ｂ）上記酸分解性ポリマー（酸分解
性樹脂ともいう）について説明する。式（Ｉ）におい
て、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から
選ばれる基を表す。Ｌは単結合または２価の連結基を表
す。Ｒ'、Ｒ''、Ｒ'''はそれぞれ独立に直鎖または分岐
を有するアルキル基、フェニル基、トリアルキルシリル
基、トリアルキルシリルオキシ基を表す。上記Ｌにおけ
る２価の連結基としては、アルキレン基、置換アルキレ
ン基、橋かけ構造を有していてもよいシクロアルキレン
基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エス
テル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、
ウレア基よりる群から選択される単独あるいは２つ以上
の基の組み合わせが挙げられる。

【００６５】上記Ｌにおけるアルキレン基、置換アルキ
レン基としては、下記式で表される基を挙げることがで
きる。 −〔Ｃ（Ｒα)(Ｒβ）〕_r− 式中、Ｒα、Ｒβは、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基である。置換アルキル基の置換基としては、水酸基、
ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。ア
ルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げる
ことができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素
原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。
ｒは１〜１０の整数を表す。橋かけ構造を有していても
よいシクロアルキレン基としては、炭素数５〜８個のも
のが挙げられ、具体的には、シクロペンチレン基、シク
ロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、ノルボルニレン
基等が挙げられる。

【００６６】Ｒ'、Ｒ''、Ｒ'''において、上記アルキル
基としては、炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６の直鎖ま
たは分岐のアルキル基であり、更に好ましくはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基
である。トリアルキルシリル基のアルキル基としては炭
素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基であり、更に
好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、中でも最も好ましいのはメチル基で
ある。トリアルキルシリルオキシ基のアルキル基として
は、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基であ
り、更に好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ
−ブチル基、ｔ−ブチル基であり、中でも最も好ましい
のはメチル基である。上記一般式（Ｉ）で表される繰り
返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる
が、本発明はこれらの具体例に限定されるものではな
い。

【００６７】

【化３４】

【００６８】

【化３５】

【００６９】

【化３６】

【００７０】一般式（II）において、Ｙは水素原子、メ
チル基、シアノ基または塩素原子を表す。Ｍ¹は単結合
又はアルキレン基、置換アルキレン基、アリーレン基、
置換アリーレン基、エステル基、カルボニル基、アミド
基、エーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及びウレ
ア基からなる群から選択される単独もしくは２つ以上の
基の組み合わせからなる２価の連結基を表す。

【００７１】上記Ｍ¹におけるアルキレン基、置換アル
キレン基としては、下記式で表される基を挙げることが
できる。 −〔Ｃ（Ｒγ）（Ｒδ）〕ｓ− 式中、Ｒγ、Ｒδは水素原子、アルキル基、置換アルキ
ル基、ハロゲン原子、水酸基またはアルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基などの低級アルキル基が好ましく、さら
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基である。置換アルキル基の置換基としては、水
酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基等を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のもの
を挙げることができる、。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子を挙げることが
できる。ｓは１〜１０の整数を表す。

【００７２】アリーレン基としては、炭素数６〜１０の
芳香環基が好ましく、例えばフェニレン基、ナフチレン
基が挙げられる。置換アリーレン基の置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル等の炭素数１
〜４のアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数
１〜４のアルコキシ基が挙げられる。中でも好ましいＭ
¹の構造として挙げられるのは、単結合及び酸の作用に
よりエステル基とＭ¹の間が解裂できる様な構造であ
る。この様な構造としては、例えば−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、
−Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₃）
−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＯ₂−、−Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₂ＣＯ
₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₃）ＣＯ₂−が挙げられ
る。中でも単結合、−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂
ＣＯ₂−が好ましい。

【００７３】Ｑは上記一般式（ｐＩ）〜（ｐVI）で表さ
れる脂環式炭化水素構造を含む基を表す。一般式（ｐ
Ｉ）〜（ｐVI）において、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₅におけるアルキル
基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよ
い、１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のア
ルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基等が挙げられる。また、上記アルキル基の更なる
置換基としては、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロ
ゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子）、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カ
ルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙
げることができる。

【００７４】Ｒ₁₁〜Ｒ₂₅における脂環式炭化水素基ある
いはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素構造を含む基のう
ち、脂環式部分の構造例を示す。

【００７５】

【化３７】

【００７６】

【化３８】

【００７７】

【化３９】

【００７８】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。

【００７９】これらの脂環式炭化水素基の置換基として
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基である。置換アル
キル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アル
コキシ基を挙げることができる。該アルコキシ基として
はメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。

【００８０】上記一般式（II）で表される繰り返し単位
の具体例としては、以下のものが挙げられるが、本発明
はこれらの具体例に限定されるものではない。

【００８１】

【化４０】

【００８２】

【化４１】

【００８３】

【化４２】

【００８４】

【化４３】

【００８５】

【化４４】

【００８６】

【化４５】

【００８７】本発明の酸分解性樹脂は、更に上記一般式
（III）で表される繰り返し単位を共重合成分として含
有することが好ましい。これにより、下地層との密着性
の向上効果や現像欠陥数の低減効果が得られる。

【００８８】一般式（III）において、Ｙは水素原子、
メチル基、シアノ基または塩素原子を表す。Ｍ²は、単
結合又はアルキレン基、置換アルキレン基、橋かけ構造
を有していてもよいシクロアルキレン基、アリーレン
基、置換アリーレン基、エステル基、カルボニル基、ア
ミド基、エーテル基、チオエーテル基、ウレタン基及び
ウレア基からなる群から選択される単独もしくは２つ以
上の基の組み合わせからなる２価の連結基を表す。

【００８９】上記Ｍ²におけるアルキレン基、置換アル
キレン基としては、下記式で表される基を挙げることが
できる。 −〔Ｃ（Ｒε）（Ｒζ）〕ｔ− 式中、Ｒε、Ｒζは水素原子、アルキル基、置換アルキ
ル基、ハロゲン原子、水酸基またはアルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基などの低級アルキル基が好ましく、さら
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基である。置換アルキル基の置換基としては、水
酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基等を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のもの
を挙げることができる、。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子を挙げることが
できる。ｔは１〜１０の整数を表す。

【００９０】橋かけ構造を有していてもよいシクロアル
キレン基としては、炭素数５〜８個のものが挙げられ、
具体的には、シクロペンチレン基、シクロへキシレン
基、シクロヘプチレン基、ノルボルニレン基等が挙げら
れる。アリーレン基としては、炭素数６〜１０の芳香環
基が好ましく、例えばフェニレン基、ナフチレン基が挙
げられる。置換アリーレン基の置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル等の炭素数１〜４の
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４の
アルコキシ基が挙げられる。中でも好ましいＭ²の構造
として挙げられるのは、単結合及び酸の作用によりエス
テル基とＭ²の間が解裂できる様な構造である。この様
な構造としては、例えば−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ
₂ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₃）−、−Ｃ
（ＣＨ₃）₂ＣＯ₂−、−Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₂ＣＯ₂−、−
Ｃ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₃）ＣＯ₂−が挙げられる。中で
も単結合、−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＯ₂−
が好ましい。

【００９１】Ｒａは水素原子または置換基を有していて
もよい、直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。好まし
くは炭素数１〜４のアルキル基であり、具体的にはメチ
ル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチ
ル基、i-ブチル基、t-ブチル基、s-ブチル基等が挙げら
れる。ここで直鎖または分岐のアルキル基の置換基とし
ては、炭素数１〜４のアルコキシ基、置換基を有してい
てもよいフェノキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシ
ロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、アルコ
キシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。

【００９２】Ｗは、結合する炭素原子と共にラクトン構
造を形成するに必要な原子群を表す。上記ラクトン構造
は、５又は６員環のラクトンであることが好ましく、よ
り好ましくは下記構造のラクトンである。

【００９３】

【化４６】

【００９４】一般式（III）において、好ましい構造と
しては下記一般式（IIIａ）〜（IIIｃ）が挙げられる。

【００９５】

【化４７】

【００９６】一般式（IIIa)〜（IIIc）において、Ｙ、
Ｒａは前記一般式（III）のＹ、Ｒａと同義である。一
般式（IIIa）において、Ｒｂ、Ｒｃは水素原子または置
換基を有していてもよい、直鎖または分岐のアルキル基
を表す。具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル
基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル
基、s-ブチル基等が挙げられる。ここで直鎖または分岐
のアルキル基の置換基としては、炭素数１〜４のアルコ
キシ基、置換基を有していてもよいフェノキシ基、ハロ
ゲン原子等が挙げられる。一般式（IIIc)において、ｎ
は２〜４の整数を表す。以下に一般式（III）の具体例
を挙げる。

【００９７】

【化４８】

【００９８】本発明に係る樹脂は、本発明の効果が有効
に得られる範囲内で、更に以下のような単量体が該樹脂
を構成する繰り返し単位を与えるものとして共重合され
ていてもよいが、下記単量体に限定されるものではな
い。これにより、前記樹脂に要求される性能、特に
（１）塗布溶剤に対する溶解性、（２）製膜性（ガラス
転移点）、（３）アルカリ現像性、（４）膜べり（親疎
水性、アルカリ可溶性基選択）、（５）未露光部の基板
への密着性、（６）ドライエッチング耐性、の微調整が
可能となる。このような共重合単量体としては、例え
ば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、
アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合
物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれ
る付加重合性不飽和結合を１個有する化合物などを挙げ
ることができる。

【００９９】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−
ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシプ
ロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレ
ート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペン
タエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートな
ど）；

【０１００】メタクリル酸エステル類、例えばアルキル
（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い。）メタクリレート（例えばメチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメ
チル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）；

【０１０１】アクリルアミド類、例えばアクリルアミ
ド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基として
は炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル
基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル
基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド
（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例え
ばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ−
ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２
−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドな
ど；

【０１０２】メタクリルアミド類、例えばメタクリルア
ミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチ
ル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエ
チル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルメタクリルアミド（アルキル基としてはエチル
基、プロピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミドなど；

【０１０３】アリル化合物、例えばアリルエステル類
（例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸ア
リル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステア
リン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳
酸アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【０１０４】ビニルエーテル類、例えばアルキルビニル
エーテル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビ
ニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシル
ビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エト
キシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテ
ル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエー
テル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエ
チルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエー
テル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチル
アミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフ
ルフリルビニルエーテルなど）；

【０１０５】ビニルエステル類、例えばビニルブチレー
ト、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテー
ト、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニ
ルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラ
クテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシ
クロヘキシルカルボキシレートなど；

【０１０６】イタコン酸ジアルキル類（例えばイタコン
酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル
など）；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタ
コン酸、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等があ
る。

【０１０７】本発明に係る樹脂において、一般式（Ｉ）
で表される繰り返し単位、並びに一般式（II）で表され
る繰り返し単位の含有量は、所望のレジストのＯ₂プラ
ズマエッチング耐性、感度、パターンのクラッキング防
止、基板密着性、レジストプロファイル、さらには一般
的なレジストの必要要件である解像力、耐熱性、等を勘
案して適宜設定することができる。一般的に、本発明に
係る樹脂における一般式（Ｉ）で表される繰り返し単
位、並びに一般式（II）で表される繰り返し単位の含有
量は、各々、樹脂の全単量体繰り返し単位中１０モル％
以上が適当であり、好ましくは２０モル％以上、更に好
ましくは２５モル％以上である。また、一般式（Ｉ）で
表される繰り返し単位と一般式（II）で表される繰り返
し単位に更に一般式（III）で表される繰り返し単位を
含有する酸分解性樹脂においては、その全単量体繰り返
し単位中において、一般式（III）で表される繰り返し
単位が５モル％以上含有されることが好ましく、より好
ましくは１０モル％以上、さらに好ましくは ２０モル
％以上である。

【０１０８】また、上記以外の更なる共重合成分の単量
体に基づく繰り返し単位の樹脂中の含有率も所望のレジ
ストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般
に、本発明の酸分解性樹脂の全単量体繰り返し単位中に
おいて、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返
し単位は２〜５０モル％含有することが適当であり、好
ましくは３〜４０モル％、さらに好ましくは５〜３０モ
ル％である。この更なる共重合成分の単量体に基づく繰
り返し単位の量がこの範囲内において、本発明の効果を
十分に発揮しつつ、該共重合成分による改良効果を良好
に発現することができる。

【０１０９】本発明の酸分解性樹脂は、一般式（Ｉ）及
び一般式（II）で表される繰り返し単位に相当するする
各単量体、あるいは一般式（Ｉ）、一般式（II）及び一
般式（III）で表される繰り返し単位に相当するする各
単量体を、ラジカル重合開始剤の存在下で共重合して合
成することができる。また、本発明の酸分解性樹脂にお
いて、上記更なる共重合成分を含有する場合には、一般
式（Ｉ）及び一般式（II）で表される繰り返し単位に相
当する各単量体、あるいは一般式（Ｉ）、（II）及び
（III）で表される繰り返し単位に相当する各単量体
に、該共重合成分に相当する単量体を加えてラジカル重
合することで合成することができる。

【０１１０】本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、Ｇ
ＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは
１，０００〜２００，０００である。重量平均分子量が
１，０００未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣
化が見られるため余り好ましくなく、２００，０００を
越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるた
め製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じ
る。

【０１１１】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いて、本発明に係わる樹脂（ポリマー）の組成物全体中
の配合量は、全レジスト固形分中４０〜９９．９９重量
％が好ましく、より好ましくは５０〜９９．９７重量％
である。

【０１１２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
有機塩基性化合物を含有することが好ましい。有機塩基
性化合物としては、以下のものが挙げられる。

【０１１３】

【化４９】

【０１１４】ここで、Ｒ²⁵⁰、Ｒ²⁵¹およびＲ²⁵²は、同
一または異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６の
ヒドロキシアルキル基または炭素数６〜２０の置換もし
くは非置換のアリール基であり、ここでＲ²⁵¹とＲ²⁵²は
互いに結合して環を形成してもよい。

【０１１５】

【化５０】

【０１１６】（式中、Ｒ²⁵³、Ｒ²⁵⁴、Ｒ²⁵⁵およびＲ²⁵⁶
は、同一または異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示
す）

【０１１７】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。

【０１１８】好ましい具体的化合物として、グアニジ
ン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−
テトラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−ア
ミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミ
ノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチ
ルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２
−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチ
ルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−ア
ミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジ
ン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジ
ン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ
−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペ
リジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−
アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−
５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−
ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチ
ル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジア
ミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２
−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリン、１，５−
ジアザビシクロ〔４，３，０〕ノナ−５−エン、１，８
−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデカ−７−エン、
２，４，５−トリフェニルイミダゾール、Ｎ−メチルモ
ルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−ヒドロキシエチ
ルモルホリン、Ｎ−ベンジルモルホリン、シクロヘキシ
ルモルホリノエチルチオウレア（ＣＨＭＥＴＵ）等の３
級モルホリン誘導体、特開平１１−５２５７５号公報に
記載のヒンダードアミン類（例えば該公報〔０００５〕
に記載のもの）等が挙げられるがこれに限定されるもの
ではない。

【０１１９】特に好ましい具体例は、１,５−ジアザビ
シクロ[４.３.０]−５−ノネン、１,８−ジアザビシク
ロ[５.４.０]−７−ウンデセン、１,４−ジアザビシク
ロ[２.２.２]オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、
ヘキサメチレンテトラミン、４,４−ジメチルイミダゾ
リン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾール類、ピ
リダジン類、ピリミジン類、ＣＨＭＥＴＵ等の３級モル
ホリン類、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−
４−ピペリジル）セバゲート等のヒンダードアミン類等
を挙げることができる。

【０１２０】中でも、１，５−ジアザビシクロ〔４，
３，０〕ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ
〔５，４，０〕ウンデカ−７−エン、１，４−ジアザビ
シクロ〔２，２，２〕オクタン、４−ジメチルアミノピ
リジン、ヘキサメチレンテトラミン、ＣＨＭＥＴＵ、ビ
ス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジ
ル）セバゲートが好ましい。

【０１２１】これらの有機塩基性化合物は、単独である
いは２種以上組み合わせて用いられる。有機塩基性化合
物の使用量は、レジスト組成物の全固形分に対し、通
常、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５
重量％である。０．００１重量％未満では上記有機塩基
性化合物の添加の効果が得られない。一方、１０重量％
を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾
向がある。

【０１２２】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
界面活性剤を含有することが好ましく、特にフッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤、ノニオン系界面活性
剤の少なくとも１種の界面活性剤を含有することが好ま
しい。中でもフッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性
剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性
剤が特に好ましい。これらの界面活性剤として、例えば
特開昭62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-2267
45号、特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7
-230165号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開
平9-5988号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記
市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。

【０１２３】使用できる市販の界面活性剤として、例え
ばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロ
ラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08（大日本インキ（株）
製）、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、10
5、106（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤又は
シリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリ
シロキサンポリマーKP−341（信越化学工業（株）製）
もシリコン系界面活性剤として用いることができる。

【０１２４】他の界面活性剤としては、具体的には、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエー
テル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオ
キシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレン
オクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニ
ルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキル
アリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプ
ロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレ
ート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノス
テアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタント
リオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビ
タン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン
モノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパ
ルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステア
レート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエー
ト、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等
のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等の
ノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。界面活
性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分を基準とし
て、通常０．００１重量％〜２重量％、好ましくは０．
０１重量％〜１重量％である。これらの界面活性剤は単
独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで
添加することもできる。

【０１２５】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
塗布溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸
アルキルエステル類、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等
のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアル
キルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類、２−ヘプタノン、γ−プチロラクト
ン、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン
酸エチル等のアルコキシプロピオン酸アルキル類、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル等のピルビン酸アルキ
ルエステル類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルフォキシド等から選ばれ
る少なくとも１種の溶剤を用いて塗布される。

【０１２６】好ましくは、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチルが挙
げられる。これらの溶剤は単独あるいは混合して用いら
れるが、現像欠陥数が低減される事からプロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸アルキ
ルエステル類それぞれから１種以上の溶剤を選択して混
合して用いることが特に好ましい。ここで、これらの混
合比は、重量比で９５／５〜３０／７０が好ましい。本
発明のポジ型フォトレジスト組成物には、必要に応じて
更に酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、上記以外
の界面活性剤、光増感剤、および現像液に対する溶解性
を促進させる化合物等を含有させることができる。

【０１２７】本発明のこのようなポジ型フォトレジスト
組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜
の膜厚は０．４〜１．５μｍが好ましい。上記組成物を
精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：
シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コータ
ー等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通
して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレ
ジストパターンを得ることができる。ここで露光光とし
ては、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２
０ｎｍ以下の波長の遠紫外線である。具体的には、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレ
ーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー（１５７
ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられ、特にＡｒＦエ
キシマレーザー（１９３ｎｍ）が好ましい。

【０１２８】本発明の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジ
スト組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、
ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン
類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三
アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン
等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用すること
ができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。

【０１２９】本発明のポジ型フォトレジスト組成物によ
るレジストを２層レジストの上層レジストとして使用す
る場合、上層レジストパターンを保護マスクとして下層
の有機高分子膜の酸素プラズマによるエッチングが行な
われるが、この上層レジストは酸素プラズマに対する十
分な耐性を有する。本発明のポジ型フォトレジスト組成
物の酸素プラズマ耐性は上層レジストのシリコン含有量
や、エッチング装置、及びエッチング条件にも依存する
が、エッチング選択比（下層と上層レジストとのエッチ
ング速度比）は１０〜１００と充分大きく取ることがで
きる。

【０１３０】また、本発明のポジ型フォトレジスト組成
物によるパターン形成方法においては、まず、被加工基
板上に有機高分子膜を形成する。この有機高分子膜は各
種公知のフォトレジストでよく、たとえば、フジフィル
ムオーリン社製ＦＨシリーズ、ＦＨｉシリーズあるいは
オーリン社製ＯｉＲシリーズ、住友化学社製ＰＦＩシリ
ーズの各シリーズを例示することができる。この有機高
分子膜の形成は、これらを適当な溶剤に溶解させ、得ら
れる溶液をスピンコ一ト法、スプレイ法等により塗布す
ることにより行なわれる。次いで、上記有機高分子膜の
第１層上に、本発明のポジ型フォトレジスト組成物の膜
を形成する。これは第１層と同様にレジスト材料を適当
な溶剤に溶解させ、得られる溶液をスピンコート法、ス
プレイ法等により塗布することにより行なわれる。得ら
れた２層レジストは次にパターン形成工程に付される
が、その第１段階として、まず第２層、すなわち上層の
フォトレジスト組成物の膜にパターン形成処理を行な
う。必要に応じてマスク合わせを行ない、このマスクを
通して高エネルギー線を照射することにより、照射部分
のフォトレジスト組成物をアルカリ水溶液に可溶とし、
アルカリ水溶液で現像してパターンを形成する。

【０１３１】次いで、第２段階として有機高分子膜のエ
ッチングを行なうが、この操作は上記のレジスト組成物
の膜のパターンをマスクとして酸素プラズマエッチング
により実施し、アスペクト比の高い微細なパターンを形
成する。この酸素プラズマエッチングによる有機高分子
膜のエッチングは、従来のホトエッチング操作による基
板のエッチング加工の終了後に行なわれるレジスト膜の
剥離の際に利用されるプラズマアッシングとまったく同
一の技術である。この操作は、例えば円筒形プラズマエ
ッチング装置、平行平坂形プラズマエッチング装置によ
り、反応性ガス、すなわちエッチングガスとして酸素を
使用して実施することができる。さらに、このレジスト
パターンをマスクとして基板の加工が行なわれるが、加
工法としてはスパッタエッチング、ガスプラズマエッチ
ング、イオンビームエッチング等のドライエッチング法
を利用することができる。

【０１３２】本発明のレジスト膜を含む２層膜レジスト
法によるエッチング処理は、レジスト膜の剥離操作によ
って完了する。このレジスト層の剥離は単に第１層の有
機高分子材料の溶解処理によって実施することができ
る。この有機高分子材料は任意のフォトレジストであ
り、かつ、上記フォトエッチング操作においてなんら変
質（硬化等）されていないので、各公知のフォトレジス
ト自体の有機溶媒を使用することができる。あるいは、
プラズマエッチング等の処理により、溶媒を使用するこ
となく剥離することも可能である。

【０１３３】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。

【０１３４】合成例１（樹脂（１）の合成） トリス（トリメチルシリル）−２−ヒドロキシエチルシ
ラン２９．１ｇを乾燥ＴＨＦ２００ｍｌに加え、そこへ
４−ジメチルアミノピリジン１１．２ｇを添加した。反
応液を０℃に冷却した後、そこへアクリル酸クロリド１
４．０ｇを１時間かけて滴下した。反応液を室温に戻し
ながらさらに５時間反応させた。反応液を減圧下濃縮し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによりアク
リレートモノマーを得た。このアクリレートモノマー１
７．３ｇにメタクリル酸アダマンチルエステル１１．１
ｇと、特開平９−９０６３７号に記載の方法で合成した
メタクリル酸メバロニックラクトンエステル１８．８ｇ
をＴＨＦ／ＤＭＡｃ（４／１）に溶解させ、固形分３５
％の溶液を調製した。これを三つ口フラスコに仕込み、
窒素気流下６０℃に加熱した。反応温度が安定したとこ
ろで和光純薬（株）製開始剤Ｖ−６０を１モル％加え反
応を開始させた。６時間反応させた後、反応混合物をＴ
ＨＦで２倍に希釈した後、大量のヘキサン中に投入し、
白色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出し
し、乾燥して樹脂（１）を得た。得られた樹脂（１）の
分子量はＧＰＣ測定の結果、ポリスチレンを標準サンプ
ルとして重量平均で１２６００であった。上記と同様な
方法で、樹脂（２）〜（７）を得た。上記樹脂（１）〜
（７）の各繰り返し単位のモル比率と重量平均分子量を
以下に示す。

【０１３５】

【化５１】

【０１３６】

【化５２】

【０１３７】実施例１ 酸分解性ポリマー成分として樹脂（１）２ｇ、露光によ
り酸を発生する化合物としてトリフェニルスルホニウム
パーフルオロオクタンスルホネート０．１２ｇ及びＤＢ
Ｕ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウン
デセン）０．１２ｇ、界面活性剤（Ｗ−１）０．０１ｇ
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ）１９．２ｇに溶解し、０．１μｍのメン
ブレンフィルターで精密ろ過し、レジスト液を得た。

【０１３８】シリコンウエハーにＦＨｉ−０２８Ｄレジ
スト（フジフイルムオーリン社製、ｉ線用レジスト）を
キャノン製コーターＣＤＳ−６５０を用いて塗布し、９
０℃、９０秒ベークして膜厚０．８３μｍの均一膜を得
た。これをさらに２００℃、３分加熱したところ膜厚は
０．７１μｍとなった。この上に上記で調整したレジス
ト液を塗布、９０℃、９０秒ベークして０．２０μｍの
膜厚で塗設した。

【０１３９】こうして得られたウェハーをＡｒＦエキシ
マレーザーステッパーに解像力マスクを装填して露光量
と焦点を変化させながら露光した。その後クリーンルー
ム内で１２０℃、９０秒加熱した後、テトラメチルアン
モニウムヒドロオキサイド現像液（２．３８％）で６０
秒間現像し、蒸留水でリンス、乾燥してパターンを得
た。走査型電子顕微鏡で観察したところ、感度２１ｍＪ
／ｃｍ²で０．１３μｍのライン／スペースが解像して
いた。断面の矩形性は評価Ａであった。

【０１４０】なお、断面の矩形性は次のようにして３段
階評価にて比較した。すなわち、基板とレジストパター
ンの側壁との角度を測定し、８０°以上９０°以下をＡ
評価、７０°以上８０°未満のものをＢ評価、７０°未
満のものをＣ評価とした。さらに上記ウエハーをアルバ
ック製平行平板型リアクティブイオンエッチング装置を
用い、エッチングガスを酸素とし、圧力２０ミリトー
ル、印加パワー１００ｍＷ／ｃｍ²の条件で１５分間エ
ッチング処理した。その結果を走査型電子顕微鏡で観察
した。０．１２μｍパターンの寸法シフトは０．００６
μｍであった。

【０１４１】実施例２〜１１及び比較例１ 実施例１における酸分解性ポリマー（樹脂）、酸発生
剤、溶剤、有機塩基化合物、界面活性剤の代わりに、そ
れぞれ表１に示した酸分解性ポリマー、酸発生剤、溶
剤、有機塩基化合物、界面活性剤を用いた以外は、実施
例１と全く同じにしてポジ型フォトレジストを調整し、
実施例１と同様にして露光、現像、エッチング処理を行
った。得られた性能については表２に示した。

【０１４２】

【表１】

【０１４３】表１において、比較例に用いた樹脂Ｒ１
は、下記構造のものである。

【０１４４】

【化５３】

【０１４５】この化合物は、合成例１において、メバロ
ニックラクトンメタクリレートの代わりに４−アセトキ
シスチレン１８．０ｇを用いて重合を行った後、メタノ
ール中、４−ジメチルアミノピリジンを触媒として、脱
アセチル化を実施することにより合成した。

【０１４６】また、界面活性剤としては、 Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）
製）（フッ素系） Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）
（フッ素及びシリコーン系） Ｗ−３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化
学工業（株）製） Ｗ−４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル 溶剤であるＥＬは、乳酸エチルを表し、混合溶剤は、重
量比を表す。

【０１４７】

【表２】

【０１４８】上記表２に示すように、本発明のポジ型フ
ォトレジスト組成物は、優れた感度、解像力を有し、且
つパターンの矩形性が良好で、寸法シフト及び現像欠陥
数が著しく軽減されているのが判る。

【０１４９】実施例１２〜１５及び比較例２ 上記実施例１〜４及び比較例１の組成物について、露光
装置ＡｒＦステッパーの代りに、ＫｒＦステッパー（キ
ャノン（株）製ＦＰＡ−３０００ＥＸ３）を用いて露光
した以外は、上記と同様にして実験を行い、その結果を
実施例１２〜１５及び比較例２として下記表３に示す。

【０１５０】

【表３】

【０１５１】上記表３に示すように、本発明のポジ型フ
ォトレジスト組成物は、優れた感度、解像力を有し、且
つパターンの矩形性が良好で、寸法シフトが著しく軽減
されているのが判る。

【０１５２】

【発明の効果】本発明は、半導体デバイスの製造におい
て、高感度であって、０．１５μｍ以下の高解像力を有
し、しかも矩形形状を有するレジストパターンを与える
ポジ型フォトレジスト組成物を提供できる。また、２層
レジスト法において、酸素プラズマエッチング工程での
下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型
フォトレジスト組成物を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AA09 AB15 AB16 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB34 CB41 CC03 DA29 FA17 FA41

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一般式（Ｉ）で表される繰り
   返し単位と、一般式（II）で表される繰り返し単位とを
   含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解
   度が増大する酸分解性ポリマーを含有することを特徴と
   するポジ型フォトレジスト組成物。 【化１】 一般式（Ｉ）中、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基又
   は塩素原子を表す。Ｌは単結合または２価の連結基を表
   す。Ｒ'、Ｒ''及びＲ'''はそれぞれ独立に直鎖もしくは
   分岐のアルキル基、フェニル基、トリアルキルシリル基
   またはトリアルキルシリルオキシ基を表す。 【化２】 式（II）中、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基または
   塩素原子を表す。Ｍ¹は単結合又はアルキレン基、置換
   アルキレン基、アリーレン基、置換アリーレン基、エス
   テル基、カルボニル基、アミド基、エーテル基、チオエ
   ーテル基、ウレタン基及びウレア基からなる群から選択
   される単独もしくは２つ以上の基の組み合わせからなる
   ２価の連結基を表す。Ｑは下記一般式（ｐＩ）〜（ｐV
   I）で表される脂環式炭化水素構造を含む基を表す。 【化３】 一般式（ｐＩ）〜（ｐVI）中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチ
   ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
   基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚ
   は、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに
   必要な原子団を表す。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素
   数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂
   環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なく
   とも１つ、あるいはＲ₁₅及びＲ₁₆のうちの少なくともい
   ずれか一方は脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、
   各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の直鎖もしくは
   分岐のアルキル基、または脂環式炭化水素基を表す。但
   し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素
   基を表す。また、Ｒ₁₉及び₂₁のうちの少なくともいずれ
   か一方は炭素数１〜４個の直鎖もしくは分岐のアルキル
   基、または脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各
   々独立に、炭素数１〜４個の直鎖もしくは分岐のアルキ
   ル基、または脂環式炭化水素基を表す。但し、Ｒ₂₂〜Ｒ
   ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
2. 【請求項２】 該酸によりアルカリ現像液に対する溶解
   度が増大する酸分解性ポリマーが、更に一般式（III）
   で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請
   求項１記載のポジ型フォトレジスト組成物。 【化４】 一般式(III）中、Ｙは水素原子、メチル基、シアノ基又
   は塩素原子を表す。Ｍ ²は、単結合又はアルキレン基、
   置換アルキレン基、橋かけ構造を有していてもよいシク
   ロアルキレン基、アリーレン基、置換アリーレン基、エ
   ステル基、カルボニル基、アミド基、エーテル基、チオ
   エーテル基、ウレタン基及びウレア基からなる群から選
   択される単独もしくは２つ以上の基の組み合わせからな
   る２価の連結基を表す。Ｒaは、水素原子、または置換
   基を有していてもよい、直鎖もしくは分岐のアルキル基
   を表す。Ｗは、結合する炭素原子と共にラクトン構造を
   形成するのに必要な原子群を表す。
3. 【請求項３】 （Ａ）活性光線または放射線の照射によ
   り酸を発生する化合物、 （Ｂ）請求項１または２記載の酸分解性ポリマー、並び
   に （Ｃ）上記（Ａ）および（Ｂ）を溶解する少なくとも１
   種の溶剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジ
   スト組成物。