JP2001153140A - 気体軸受 - Google Patents
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- F16C29/025—Hydrostatic or aerostatic
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- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C32/00—Bearings not otherwise provided for
- F16C32/06—Bearings not otherwise provided for with moving member supported by a fluid cushion formed, at least to a large extent, otherwise than by movement of the shaft, e.g. hydrostatic air-cushion bearings
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- F16C2300/40—Application independent of particular apparatuses related to environment, i.e. operating conditions
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 気体軸受に関し、空気軸受の移動に伴う真空
チャンバー内の圧力上昇を抑制する。 【解決手段】 真空中で用いる差動排気部を有する気体
軸受３をガイドするガイド軸１の表面にコーティング層
２を設ける。
チャンバー内の圧力上昇を抑制する。 【解決手段】 真空中で用いる差動排気部を有する気体
軸受３をガイドするガイド軸１の表面にコーティング層
２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気体軸受に関するも
のであり、特に、ステッパや電子ビーム露光装置等の高
い真空度が要求される半導体製造装置等に用いられる気
体軸受の高速移動に伴う真空度の低下を防止するための
手段に特徴のある気体軸受に関するものである。
のであり、特に、ステッパや電子ビーム露光装置等の高
い真空度が要求される半導体製造装置等に用いられる気
体軸受の高速移動に伴う真空度の低下を防止するための
手段に特徴のある気体軸受に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ステッパや電子ビーム露光装置等
の半導体製造装置においては、必要とするステージの高
精度化、粉塵対策、或いは、摩耗による寿命の低下対策
から、その軸受に気体軸受の使用が試みられるようにな
ってきた（必要ならば、特願平１０−３１９１８２号、
或いは、特公昭６２−６３２１８号公報参照）。
の半導体製造装置においては、必要とするステージの高
精度化、粉塵対策、或いは、摩耗による寿命の低下対策
から、その軸受に気体軸受の使用が試みられるようにな
ってきた（必要ならば、特願平１０−３１９１８２号、
或いは、特公昭６２−６３２１８号公報参照）。
【０００３】その中でも、特に、電子ビーム露光装置な
ど１０-1〜１０-5Ｐａ程度の高真空、もしくは、それ以
上の高真空が要求される製造装置に気体軸受を用いる場
合には、その気体軸受から製造装置を内在する真空チャ
ンバー内へのリーク量を極力抑える工夫が必要になり、
そのために、気体軸受内で差動排気を行うことがなされ
ている。
ど１０-1〜１０-5Ｐａ程度の高真空、もしくは、それ以
上の高真空が要求される製造装置に気体軸受を用いる場
合には、その気体軸受から製造装置を内在する真空チャ
ンバー内へのリーク量を極力抑える工夫が必要になり、
そのために、気体軸受内で差動排気を行うことがなされ
ている。
【０００４】ここで、図３を参照して、従来の差動排気
機構を有する空気軸受を説明する。 図３参照 図３は従来の差動排気機構を有する空気軸受のガイド軸
に沿った横断面図であり、ガイド軸２１に取り付けられ
た空気軸受２２は、その上に設けたスライダー（図示せ
ず）の動作とともにガイド軸に沿って移動するものであ
る。
機構を有する空気軸受を説明する。 図３参照 図３は従来の差動排気機構を有する空気軸受のガイド軸
に沿った横断面図であり、ガイド軸２１に取り付けられ
た空気軸受２２は、その上に設けたスライダー（図示せ
ず）の動作とともにガイド軸に沿って移動するものであ
る。
【０００５】この空気軸受２２は、主排気口２３及び主
排気口ポケット２４を備えた主排気部と、予備排気口２
６及び予備排気口ポケット２７を備えた予備排気部によ
って差動排気部を構成するとともに、圧気口２９、圧気
ポケット３０、及び、空気軸受ノズル３１を備えた圧気
部によって構成され、圧気部の両側に差動排気部が配置
される。
排気口ポケット２４を備えた主排気部と、予備排気口２
６及び予備排気口ポケット２７を備えた予備排気部によ
って差動排気部を構成するとともに、圧気口２９、圧気
ポケット３０、及び、空気軸受ノズル３１を備えた圧気
部によって構成され、圧気部の両側に差動排気部が配置
される。
【０００６】この様な空気軸受２２においては、圧気部
においては圧気口への流入気体３２を圧気口２９を介し
て圧気口ポケット３０へ導入し、空気軸受ノズル３１か
らガイド軸２１の周囲に圧気を噴射することによって空
気軸受２２を浮かせる。噴射された圧気はまず予備排気
部において、予備排気ポケット２７及び予備排気口２６
を介して予備排気口からの流出気体２８として真空チャ
ンバー外へ排気され、予備排気部近傍はほぼ大気圧とな
る。
においては圧気口への流入気体３２を圧気口２９を介し
て圧気口ポケット３０へ導入し、空気軸受ノズル３１か
らガイド軸２１の周囲に圧気を噴射することによって空
気軸受２２を浮かせる。噴射された圧気はまず予備排気
部において、予備排気ポケット２７及び予備排気口２６
を介して予備排気口からの流出気体２８として真空チャ
ンバー外へ排気され、予備排気部近傍はほぼ大気圧とな
る。
【０００７】次いで、主排気部において、大気圧程度に
なった空気は、主排気口ポケット２４及び主排気口２３
を介して主排気口からの流出気体２５として真空チャン
バー外へ排気され、主排気部近傍は、例えば、１０2 Ｐ
ａ程度の減圧状態となり、排気しきれなかった空気は真
空中への流出気体３３として真空チャンバー内にリーク
することになる。
なった空気は、主排気口ポケット２４及び主排気口２３
を介して主排気口からの流出気体２５として真空チャン
バー外へ排気され、主排気部近傍は、例えば、１０2 Ｐ
ａ程度の減圧状態となり、排気しきれなかった空気は真
空中への流出気体３３として真空チャンバー内にリーク
することになる。
【０００８】次に、図４を参照して、空気軸受の移動に
伴うＡ点における圧力変化を説明する。図４は、空気軸
受２２の移動の状態を上から順次図示したものであり、
空気軸受２２が製造装置の基台３４に固定された側板３
５に取り付けられたガイド軸２１に沿って右側の方向へ
移動する状態を示している。まず、ガイド軸２１のある
一点、即ち、Ａ点は最初の状態においては圧気部４１に
対向する位置に位置しているので圧気圧の状態になって
おり、次いで、Ａ点が予備排気部４２に対向する位置に
位置した状態においては予備排気部４２において予備排
気が行われるので大気圧の状態となる。
伴うＡ点における圧力変化を説明する。図４は、空気軸
受２２の移動の状態を上から順次図示したものであり、
空気軸受２２が製造装置の基台３４に固定された側板３
５に取り付けられたガイド軸２１に沿って右側の方向へ
移動する状態を示している。まず、ガイド軸２１のある
一点、即ち、Ａ点は最初の状態においては圧気部４１に
対向する位置に位置しているので圧気圧の状態になって
おり、次いで、Ａ点が予備排気部４２に対向する位置に
位置した状態においては予備排気部４２において予備排
気が行われるので大気圧の状態となる。
【０００９】次いで、Ａ点が主排気部４３に対向する位
置に位置した状態においては主排気部４３において排気
が行われるので低真空状態となり、さらに、空気軸受２
２の移動に伴って中真空状態になり、最終的には真空チ
ャンバーの高真空に晒されることになる。したがって、
Ａ点における気圧履歴は、圧気圧→大気圧→低真空→中
真空→高真空となる。
置に位置した状態においては主排気部４３において排気
が行われるので低真空状態となり、さらに、空気軸受２
２の移動に伴って中真空状態になり、最終的には真空チ
ャンバーの高真空に晒されることになる。したがって、
Ａ点における気圧履歴は、圧気圧→大気圧→低真空→中
真空→高真空となる。
【００１０】この様な空気軸受を用いることにより、摩
耗に伴う寿命の低下を抑制することができ、また、差動
排気機構を設けているので、真空チャンバー内は高真空
に保たれることになる。
耗に伴う寿命の低下を抑制することができ、また、差動
排気機構を設けているので、真空チャンバー内は高真空
に保たれることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、製造装置の処
理速度の向上とともに、空気軸受の移動速度を速くする
必要があるが、そうすると、真空チャンバー内の真空度
が大きく変化するという問題が生じ、例えば、電子ビー
ム露光装置等の電子ビームを扱う製造装置においては電
子源の寿命を縮める要因となる。
理速度の向上とともに、空気軸受の移動速度を速くする
必要があるが、そうすると、真空チャンバー内の真空度
が大きく変化するという問題が生じ、例えば、電子ビー
ム露光装置等の電子ビームを扱う製造装置においては電
子源の寿命を縮める要因となる。
【００１２】ここで、図５を参照して、空気軸受の移動
に伴う真空チャンバー内の圧力変化を説明する。 図５参照 空気軸受を移動させない状態においては、差動排気機構
の作用により真空チャンバー内の圧力ＰはほぼＰ0 の高
真空に保たれているが、空気軸受の高速移動とともに真
空チャンバー内の圧力Ｐは急激に上昇し、空気軸受の移
動停止とともに圧力はＰは再び低くなって次第にＰ0 に
なっていく。
に伴う真空チャンバー内の圧力変化を説明する。 図５参照 空気軸受を移動させない状態においては、差動排気機構
の作用により真空チャンバー内の圧力ＰはほぼＰ0 の高
真空に保たれているが、空気軸受の高速移動とともに真
空チャンバー内の圧力Ｐは急激に上昇し、空気軸受の移
動停止とともに圧力はＰは再び低くなって次第にＰ0 に
なっていく。
【００１３】この様な真空チャンバー内の圧力の急激な
上昇に対応するためには、真空チャンバー内の排気を行
うポンプの排気速度を上げることによって対処すること
ができるが、そうすると、排気システム全体の排気能力
を本来必要とする能力より大きくする必要があり、排気
システム全体が複雑化或いは大型化するという問題があ
る。
上昇に対応するためには、真空チャンバー内の排気を行
うポンプの排気速度を上げることによって対処すること
ができるが、そうすると、排気システム全体の排気能力
を本来必要とする能力より大きくする必要があり、排気
システム全体が複雑化或いは大型化するという問題があ
る。
【００１４】本発明者等の鋭意研究の結果、この様な急
激な圧力の変化は、図４に示したような気圧履歴をへた
ガイド軸部分が短時間に大量に高真空環境にさらされ、
ガイド軸の表面に付着しているガスが脱ガスして真空度
を急激に低下させるためであるとの結論に至った。な
お、空気軸受の移動速度が遅い場合には、脱ガスが生じ
ても直ぐに平衡状態になるので、この様な急激な圧力変
化は生じない。
激な圧力の変化は、図４に示したような気圧履歴をへた
ガイド軸部分が短時間に大量に高真空環境にさらされ、
ガイド軸の表面に付着しているガスが脱ガスして真空度
を急激に低下させるためであるとの結論に至った。な
お、空気軸受の移動速度が遅い場合には、脱ガスが生じ
ても直ぐに平衡状態になるので、この様な急激な圧力変
化は生じない。
【００１５】そこで、ガイド軸の表面の状態を調べてみ
たので、図６を参照して説明する。 図６（ａ）及び（ｂ）参照 図６（ａ）及び（ｂ）は、従来の研削加工或いはラップ
加工処理等で機械加工したガイド軸２１の表面状態を概
念的に説明する断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）
の点線に示した円内の拡大図であり、図６（ｂ）に示す
ように、ガイド軸２１の表面には微小凹凸４４が形成さ
れており、中心線平均粗さ（Ｒa ）で０．３μｍ以上、
十点平均粗さ（Ｒz ）で２μｍ以上であった。したがっ
て、この程度の表面粗さでは、ミクロな表面積が非常に
大きくなり、脱ガスが非常に問題となるとの結論に至っ
た。
たので、図６を参照して説明する。 図６（ａ）及び（ｂ）参照 図６（ａ）及び（ｂ）は、従来の研削加工或いはラップ
加工処理等で機械加工したガイド軸２１の表面状態を概
念的に説明する断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）
の点線に示した円内の拡大図であり、図６（ｂ）に示す
ように、ガイド軸２１の表面には微小凹凸４４が形成さ
れており、中心線平均粗さ（Ｒa ）で０．３μｍ以上、
十点平均粗さ（Ｒz ）で２μｍ以上であった。したがっ
て、この程度の表面粗さでは、ミクロな表面積が非常に
大きくなり、脱ガスが非常に問題となるとの結論に至っ
た。
【００１６】したがって、本発明は、空気軸受の移動に
伴う真空チャンバー内の圧力上昇を抑制することを目的
とする。
伴う真空チャンバー内の圧力上昇を抑制することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は気
体軸受のガイド軸方向に沿った概略的な横断面図であ
る。 図１参照 （１）本発明は、真空中で用いる差動排気部を有する気
体軸受３において、気体軸受３をガイドするガイド軸１
の表面にコーティング層２を設けたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は気
体軸受のガイド軸方向に沿った概略的な横断面図であ
る。 図１参照 （１）本発明は、真空中で用いる差動排気部を有する気
体軸受３において、気体軸受３をガイドするガイド軸１
の表面にコーティング層２を設けたことを特徴とする。
【００１８】この様に、ガイド軸１の表面にコーティン
グ層２を設けることによって表面の微小凹凸を被覆して
表面をより滑らかにすることができ、それによって、ミ
クロな表面積を小さくすることができるので、脱ガス量
を少なくすることができ、それによって、真空チャンバ
ー内を排気する排気系の排気能力を高めることなく圧力
変化を抑制することができる。なお、差動排気部は予備
排気部５と主排気部６によって構成され、軸受部は圧気
部４によって構成される。
グ層２を設けることによって表面の微小凹凸を被覆して
表面をより滑らかにすることができ、それによって、ミ
クロな表面積を小さくすることができるので、脱ガス量
を少なくすることができ、それによって、真空チャンバ
ー内を排気する排気系の排気能力を高めることなく圧力
変化を抑制することができる。なお、差動排気部は予備
排気部５と主排気部６によって構成され、軸受部は圧気
部４によって構成される。
【００１９】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、コーティング層２が、気相化学蒸着法或いは気相物
理蒸着法のいずれかによって成膜したコーティング層２
であることを特徴とする。
て、コーティング層２が、気相化学蒸着法或いは気相物
理蒸着法のいずれかによって成膜したコーティング層２
であることを特徴とする。
【００２０】この様な、コーティング層２は、ＴｉＮ、
ＴｉＣ、或いは、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）等の硬質膜の形成が可能な気相化学蒸着法（ＣＶＤ
法）或いは気相物理蒸着法（ＰＶＤ法）のいずれかの気
相蒸着法によって形成することが望ましい。
ＴｉＣ、或いは、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）等の硬質膜の形成が可能な気相化学蒸着法（ＣＶＤ
法）或いは気相物理蒸着法（ＰＶＤ法）のいずれかの気
相蒸着法によって形成することが望ましい。
【００２１】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、コーティング層２が、非磁性且つ電気
的絶縁性を有する材料からなることを特徴とする。
（２）において、コーティング層２が、非磁性且つ電気
的絶縁性を有する材料からなることを特徴とする。
【００２２】コーティング層２としては、金属や半導体
等の導電性を有するものでも良いが、磁場の影響を受け
る電子ビーム露光装置等に用いるためには、コーティン
グ層２は、非磁性且つ電気的絶縁性を有する材料によっ
て形成する必要がある。
等の導電性を有するものでも良いが、磁場の影響を受け
る電子ビーム露光装置等に用いるためには、コーティン
グ層２は、非磁性且つ電気的絶縁性を有する材料によっ
て形成する必要がある。
【００２３】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、コーティング層２またはガ
イド軸１の少なくとも一方の表面が鏡面状であることを
特徴とする。
（３）のいずれかにおいて、コーティング層２またはガ
イド軸１の少なくとも一方の表面が鏡面状であることを
特徴とする。
【００２４】この様に、コーティング層２の表面を鏡面
研磨により鏡面状にすることによって、ガスの吸着を少
なくして脱ガス量を低減することができ、また、ガイド
軸１の表面を鏡面研磨により鏡面状にすることによって
コーティング層２の乗りを良くすることができる。な
お、ガイド軸１とコーティング層２の両方の表面を鏡面
状にしても良いものであり、それによって、相乗的な効
果が得られる。
研磨により鏡面状にすることによって、ガスの吸着を少
なくして脱ガス量を低減することができ、また、ガイド
軸１の表面を鏡面研磨により鏡面状にすることによって
コーティング層２の乗りを良くすることができる。な
お、ガイド軸１とコーティング層２の両方の表面を鏡面
状にしても良いものであり、それによって、相乗的な効
果が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の実施の形態のガイド軸を説明する。図２（ａ）は、ガ
イド軸の軸方向に沿った断面図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）において点線で示した円内の拡大図であり、微
小凹凸の状況を概念的に示したものである。 図２（ａ）参照 まず、セラミックスからなる基材を焼成したのち、研削
或いはラップ加工処理等の機械加工されたガイド軸１１
の表面にＣＶＤ法を施すことにより、厚さが５μｍ以
下、例えば、１μｍのＴｉＮ膜１２を設けてコーティン
グ層とする。
の実施の形態のガイド軸を説明する。図２（ａ）は、ガ
イド軸の軸方向に沿った断面図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）において点線で示した円内の拡大図であり、微
小凹凸の状況を概念的に示したものである。 図２（ａ）参照 まず、セラミックスからなる基材を焼成したのち、研削
或いはラップ加工処理等の機械加工されたガイド軸１１
の表面にＣＶＤ法を施すことにより、厚さが５μｍ以
下、例えば、１μｍのＴｉＮ膜１２を設けてコーティン
グ層とする。
【００２６】図２（ｂ）参照 この様にＴｉＮ膜１２からなるコーティング層を設ける
ことによって、十点平均粗さ（Ｒz ）で２μｍ以上の微
小凹凸１３を埋めて表面を滑らかにすることができる。
ことによって、十点平均粗さ（Ｒz ）で２μｍ以上の微
小凹凸１３を埋めて表面を滑らかにすることができる。
【００２７】この様に、本発明においては、ガイド軸１
１の表面にコーティング層を設けているので、表面を滑
らかにしてミクロな表面積を小さくすることができ、そ
れによって脱ガス量を低減することができるので、空気
軸受の高速移動に伴う急激な圧力変化を抑制することが
できる。
１の表面にコーティング層を設けているので、表面を滑
らかにしてミクロな表面積を小さくすることができ、そ
れによって脱ガス量を低減することができるので、空気
軸受の高速移動に伴う急激な圧力変化を抑制することが
できる。
【００２８】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は、実施の形態に記載した構成・条件に限ら
れるものではなく、各種の変更が可能になる。例えば、
コーティング層としてＴｉＮ膜を設けているが、ＴｉＮ
膜に限られるものではなく、ＳｉＮ等の他の窒化膜を用
いても良いものである。
が、本発明は、実施の形態に記載した構成・条件に限ら
れるものではなく、各種の変更が可能になる。例えば、
コーティング層としてＴｉＮ膜を設けているが、ＴｉＮ
膜に限られるものではなく、ＳｉＮ等の他の窒化膜を用
いても良いものである。
【００２９】また、窒化膜に限られるものではなく、Ｔ
ｉＣ等の炭化膜、或いは、ＤＬＣ（ダイヤモンドライク
カーボン）膜等をＣＶＤ法によって成膜しても良く、さ
らには、ＳｉＯ2 膜等の酸化膜、或いは、セラミック材
料を用いても良いものである。
ｉＣ等の炭化膜、或いは、ＤＬＣ（ダイヤモンドライク
カーボン）膜等をＣＶＤ法によって成膜しても良く、さ
らには、ＳｉＯ2 膜等の酸化膜、或いは、セラミック材
料を用いても良いものである。
【００３０】また、電子ビーム露光装置等の装置におい
ては磁場の影響を受けるので、コーティング層として
は、非磁性且つ電気的絶縁性材料が望ましいが、制御精
度の要求が厳しくない場合、或いは、磁場の影響を受け
ない製造装置においては、必ずしも非磁性且つ電気的絶
縁性材料である必要はなく、コーティング層として金属
や半導体を用いても良いものである。
ては磁場の影響を受けるので、コーティング層として
は、非磁性且つ電気的絶縁性材料が望ましいが、制御精
度の要求が厳しくない場合、或いは、磁場の影響を受け
ない製造装置においては、必ずしも非磁性且つ電気的絶
縁性材料である必要はなく、コーティング層として金属
や半導体を用いても良いものである。
【００３１】また、コーティング層の成膜方法はＣＶＤ
法に限られるものではなく、蒸着法やスパッタリング法
等のＰＶＤ法によって成膜しても良いものである。
法に限られるものではなく、蒸着法やスパッタリング法
等のＰＶＤ法によって成膜しても良いものである。
【００３２】また、コーティング層の種類にもよるが、
コーティング層の形成後に、コーティング層の表面を化
学的或いは物理的な方法によって研磨処理、特に、鏡面
状に研磨処理を行っても良いものであり、それによって
ミクロな表面積をより小さくすることができるので、脱
ガス量を低減することができる。
コーティング層の形成後に、コーティング層の表面を化
学的或いは物理的な方法によって研磨処理、特に、鏡面
状に研磨処理を行っても良いものであり、それによって
ミクロな表面積をより小さくすることができるので、脱
ガス量を低減することができる。
【００３３】さらには、堆積するコーティング層の表面
をより滑らかにするために、コーティング前に研削処理
やラップ加工処理等により機械加工したガイド軸の表面
をさらに鏡面研磨しても良いものであり、それによっ
て、コーティング層の乗りを良くすることができる。
をより滑らかにするために、コーティング前に研削処理
やラップ加工処理等により機械加工したガイド軸の表面
をさらに鏡面研磨しても良いものであり、それによっ
て、コーティング層の乗りを良くすることができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、気体軸受をガイドする
ガイド軸の表面にコーティング層を設けているので、ガ
イド軸の表面のミクロな表面積を小さくすることがで
き、それによって、脱ガス量を低減することができるの
で、空気軸受の移動に伴う真空チャンバー内の圧力の急
上昇を抑制することができる。したがって、真空チャン
バーを排気する排気系の排気速度を小さくすることがで
きるので、製造装置全体を小型化することができる。
ガイド軸の表面にコーティング層を設けているので、ガ
イド軸の表面のミクロな表面積を小さくすることがで
き、それによって、脱ガス量を低減することができるの
で、空気軸受の移動に伴う真空チャンバー内の圧力の急
上昇を抑制することができる。したがって、真空チャン
バーを排気する排気系の排気速度を小さくすることがで
きるので、製造装置全体を小型化することができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態のガイド軸の横断面図であ
る。
る。
【図３】差動排気機構を有する空気軸受の断面図であ
る。
る。
【図４】空気軸受の移動に伴うＡ点における圧力変化の
説明図である。
説明図である。
【図５】空気軸受の移動に伴う真空チャンバー内の圧力
変化の説明図である。
変化の説明図である。
【図６】従来のガイド軸における問題点の説明図であ
る。
る。
１ ガイド軸 ２ コーティング層 ３ 気体軸受 ４ 圧気部 ５ 予備排気部 ６ 主排気部 １１ ガイド軸 １２ ＴｉＮ膜 １３ 微小凹凸 ２１ ガイド軸 ２２ 空気軸受 ２３ 主排気口 ２４ 主排気口ポケット ２５ 主排気口からの流出気体 ２６ 予備排気口 ２７ 予備排気口ポケット ２８ 予備排気口からの流出気体 ２９ 圧気口 ３０ 圧気口ポケット ３１ 空気軸受ノズル ３２ 圧気口への流入気体 ３３ 真空中への流出気体 ３４ 基台 ３５ 側板 ４１ 圧気部 ４２ 予備排気部 ４３ 主排気部 ４４ 微小凹凸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本荘 一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 石田 和司 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 津田 章義 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 Ｆターム(参考） 3J102 AA02 BA06 CA36 EA02 EA07 EA22 FA12 GA01 GA19 5F046 CC03 CC17 CC20 5F056 EA14
Claims (4)
- 【請求項１】 真空中で用いる差動排気部を有する気体
軸受において、前記気体軸受をガイドするガイド軸の表
面にコーティング層を設けたことを特徴とする気体軸
受。 - 【請求項２】 上記コーティング層が、気相化学蒸着法
或いは気相物理蒸着法のいずれかによって成膜したコー
ティング層であることを特徴とする請求項１記載の気体
軸受。 - 【請求項３】 上記コーティング層が、非磁性且つ電気
的絶縁性を有する材料からなることを特徴とする請求項
１または２に記載の気体軸受。 - 【請求項４】 上記コーティング層または上記ガイド軸
の少なくとも一方の表面が鏡面状であることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気体軸受。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP33551499A JP2001153140A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 気体軸受 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33551499A JP2001153140A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 気体軸受 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153140A true JP2001153140A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18289433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33551499A Pending JP2001153140A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 気体軸受 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001153140A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1475668A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Method of preparing components for a lithographic apparatus |
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| WO2010109574A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置及びステージクリーニング方法 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33551499A patent/JP2001153140A/ja active Pending
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| JP5166510B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-03-21 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置及びステージクリーニング方法 |
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