JP2001150345A - ケミカルメカニカルポリシング装置で使用するための洗浄／スラリー散布システムアセンブリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリシングパッドを洗浄するとともに、ポリ
シングプロセスにおけるスラリー消費量を低減するポリ
シング装置を提供する。 【解決手段】 ケミカルメカニカルポリシング装置で使
用するための洗浄／スラリー散布アームアセンブリであ
る。この洗浄アセンブリは、ポリシングパッドにに洗浄
流体を送る複数のノズルを含む。この洗浄アセンブリ
は、残渣の液滴、スラリーおよび汚染物質を閉じ込める
ためのハウジングを更に含む。スラリー散布アセンブリ
は、ポリシングパッド上にスラリーを最適に散布するた
めのリングを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板のケミカルメ
カニカルポリシングに関し、特に、ポリシングパッド上
へのスラリーの供給とポリシングパッドの洗浄に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭ
Ｐ）は、基板表面が均一なレベルに平坦化されるプロセ
スである。従来のＣＭＰ装置では、基板は、回転可能な
キャリアヘッド上に載置され、回転するポリシングパッ
ドに対して押し付けられる。研磨性の化学溶液（スラリ
ー）が、基板の研磨を補助するためにポリシングパッド
上に供給され、所望の表面仕上を達成する。時間の経過
とともに、ポリシングプロセスは、ポリシングパッドを
グレージングし、基板表面の仕上に悪影響を及ぼすこと
がある凹凸をポリシングパッド表面に生成する。ポリシ
ングパッドの表面は、通常、コンディショニングディス
クとして知られる研磨装置でポリシングパッド表面を削
ることにより「コンディショニング」され、ポリシング
パッド表面をデグレージングして粗面化する。定期的に
パッドをコンディショニングすることにより、パッド表
面が一貫した粗さ状態に維持され、一貫した研磨均一性
が達成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ＣＭＰで遭遇する一つ
の問題は、研磨およびコンディショニングの過程中にポ
リシングパッド表面上に汚染物質が発生することであ
る。この汚染物質は、ポリシングプロセスに悪影響を及
ぼす材料を有する。例えば、汚染物質には、削り取られ
たポリシングパッド材料、乾いたスラリー粒子、コンデ
ィショニングディスク材料、および空気によって運ばれ
た汚染物質が含まれる（ただし、これらに限定はされな
い）。材料による悪影響には、基板のスクラッチや、ポ
リシングパッドまたは基板へのパーティクルの埋込みが
含まれる（ただし、これらには限定されない）。ポリシ
ング装置がポリシングパッドを洗浄して実質的に汚染物
質のないポリシングパッドを提供するのであれば有利で
あろう。

【０００４】ＣＭＰの別の問題は、スラリーが高価な消
耗資材であることである。ＣＭＰシステムは、毎分２０
０ミリリットルを超えるスラリーを使用することがあ
る。一般に、基板は、研磨するのに２〜３分かかる。従
って、ＣＭＰシステムは、一枚の基板あたり１／６ガロ
ンまでのスラリーを使用する可能性がある。ＣＭＰの基
板当りコストは、使用されるスラリーの量を低減するこ
とにより大きく削減することができるであろう。加え
て、過剰なスラリーが供給されると、基板がポリシング
パッドの表面上を滑走し、それによって研磨レートが下
がる可能性がある。ＣＭＰ装置がポリシングプロセスに
おけるスラリー消費量を低減するのであれば有利であろ
う。

【０００５】

【課題を解決するための手段】一つの態様において、本
発明は、ケミカルメカニカルポリシングシステムで使用
される装置に関する。この装置は、ポリシングパッドの
上に位置決め可能なハウジングと、ハウジングにより覆
われ、ポリシングパッドに対して洗浄流体を噴射する少
なくとも一つのノズルとを備える。

【０００６】本発明の実施例は、以下の事項を含むこと
ができる。洗浄流体は、純水であってもよく、液圧下で
ノズルにより噴射されてもよい。ハウジングは、ポリシ
ングパッドの中心に向かって延在していてもよく、ポリ
シングパッドのある区域の上で昇降されるように構成さ
れていてもよい。リテーナをハウジングの下面に接合し
てもよく、リテーナは、ポリシングパッドの表面に例え
ば約５ｐｓｉ未満の圧力で接触することができる。第１
供給管路が、洗浄流体をこのアセンブリに供給してもよ
く、第２供給管路が、腐食防止剤、洗浄剤、酸化剤、ｐ
Ｈ調節剤、希釈流体、および表面浸潤剤からなる群から
選択された一つの薬剤と純水との溶液を供給してもよ
く、第３供給管路が研磨溶液を供給してもよい。

【０００７】別の態様では、本発明は、ケミカルメカニ
カルポリシングシステムにおいてポリシングパッドの表
面を洗浄する方法に関する。洗浄流体は、洗浄アセンブ
リから残留汚染物質を有するポリシングパッドに対して
向けられ、この洗浄流体は、洗浄アセンブリのハウジン
グ内に実質的に閉じ込められる。

【０００８】本発明の実施例は、以下の特長を含むこと
ができる。洗浄流体は、純水であってもよく、洗浄流体
の液滴は、約６０ｐｓｉ未満（例えば、約１０ｐｓｉ未
満）の液圧を純水に加えることにより生成することがで
きる。

【０００９】別の態様では、本発明は、研磨面上へスラ
リーを散布する装置に関する。この装置は、研磨面の近
傍に位置する下面を有し、ある区域を包囲するリテーナ
と、この包囲された区域へスラリーを散布して、この包
囲区域にスラリーのリザーバを形成する流出口とを有す
る。スラリーは、研磨面とリテーナの下面との間を移動
することにより、リテーナによって包囲されていない区
域に散布される。

【００１０】別の態様では、本発明は、基板をポリシン
グするケミカルメカニカルポリシングシステムにおいて
ポリシングパッドの表面を調整する方法に関する。この
方法では、洗浄流体が、残留研磨スラリー、汚染物質お
よび流体の少なくとも一つを有するポリシングパッドに
当てられる。洗浄流体、残留研磨スラリー、汚染物質お
よび流体は、ハウジングによって実質的に閉じ込められ
る。ハウジングは、残留研磨スラリー、汚染物質および
流体の少なくとも一部をポリシングパッドから排除する
ように持ち上げられる。研磨スラリーはポリシングパッ
ドへ供給され、また、研磨スラリーは、ハウジングの下
面を用いてポリシングパッドの上に広げられる。

【００１１】本発明は、ポリシングパッドを好適に洗浄
し、実質的に汚染物質のないポリシングパッドを提供す
る。また、本発明は、研磨スラリーの均一な層をポリシ
ングパッドに供給して、基板のポリシングおよび平坦化
を改善する一方で、使用されるスラリーの量を最小限に
抑え、または最適化することができる。

【００１２】他の特長および利点は、図面と特許請求の
範囲を併せた以下の説明から明白になるであろう。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１を参照すると、ケミカルメカ
ニカルポリシング装置１０は、独立動作する３つの研磨
ステーション１４と、基板搬送ステーション１６と、４
つの独立して回転可能なキャリアヘッド２０の操作を編
成する回転可能なカルーセル１８とを含む。同様のポリ
シング装置は、米国特許第５，７３８，５７４号に記載
されており、その全体が本明細書に援用されている。

【００１４】カルーセル１８は、キャリアヘッド２０用
の駆動シャフト４６が貫通して延在するスロット４４を
持つ支持プレート４２を有する。キャリアヘッド２０
は、独立して回転し、スロット４４内で前後に振動す
る。これらのキャリアヘッド２０は、対応するモータ４
８によって回転させられる。これらのモータは、通常、
カルーセル１８の着脱自在の側壁５０の背後に隠れてい
る。運転時には、基板が搬送ステーション１６からキャ
リアヘッド２０へ搬送される。この後、カルーセル１８
は、キャリアヘッドおよび基板を一連の一つ以上の研磨
ステーション１４を通して搬送し、最後に基板を搬送ス
テーション１６へ戻す。

【００１５】各研磨ステーション１４は、ポリシングパ
ッド５４が固定された回転プラテン５２を含む。研磨ス
テーション１４は、任意で、ポリシング装置１０のテー
ブルトップ５７に設置されたパッドコンディショナ５６
を含む。各パッドコンディショナ５６は、コンディショ
ナヘッド３０と、アーム３２と、コンディショニングさ
れるポリシングパッドの表面の上方にコンディショナヘ
ッド３０を位置決めするベース３４を含む。各研磨ステ
ーション１４は、コンディショナヘッド３０をリンスす
るための流体を収容するカップ３６も含む。

【００１６】図２を参照すると、ポリシングパッド５４
がキャリアヘッド２０上に装着された基板５（想像線で
示す）を研磨する間、ポリシングパッド５４はパッドコ
ンディショナ５６によってコンディショニングされる。
コンディショナヘッド３０は、衝突を回避するために、
キャリアヘッド２０の動きと同期した動きでポリシング
パッド５４を横断して掃引する。このような同期は、例
えば、汎用コンピュータにより制御できる。例えば、キ
ャリアヘッド２０は、ポリシングパッド５４の中心に位
置決めすることができ、コンディショナヘッド３０は、
カップ３６内に収容されたリンス流体に浸漬することが
できる。ポリシング中、カップ３６は邪魔にならない所
へ旋回することができ、キャリアヘッド２０およびコン
ディショナヘッド３０は、それぞれ矢印２８および３８
で示すように、（例えば、実線と想像線とで示す位置の
間で）ポリシングパッド５４を横切って前後に掃引させ
てもよい。

【００１７】各研磨ステーション１４は、支持支柱６２
によりテーブルトップ５７に設置された、対応するスラ
リー送出／洗浄アームアセンブリ６０も含む。アームア
センブリ６０は、２つの主要な目的、すなわち、パッド
の表面上にスラリーを薄い層に広げる目的と、残渣およ
び汚染物質（例えば、残留スラリー、ほこり、ちり、削
り取られた基板材料、削り取られたポリシングパッド材
料、ポリシングプロセスに悪影響を与える材料を有する
他の汚染物質）をポリシングパッド表面から除去する目
的を果たす。アームアセンブリ６０は、ポリシングパッ
ドの上をパッド縁部からパッド中心まで延在する。アー
ムアセンブリ６０は、支持支柱６２の周りを旋回し、ポ
リシングパッド５４の表面上を横切って掃引するように
設計および構成することができる。特に、アームアセン
ブリ６０の動きをキャリアヘッド２０およびコンディシ
ョナヘッド３０の動きと同期させて、両者の衝突を回避
させることができる。このほかに、キャリアヘッドがパ
ッド中心の上方に移動しない場合、アームアセンブリ６
０は研磨中に静止した状態を保つことができる。

【００１８】図２、３、および４に示すように、スラリ
ー送出／洗浄アームアセンブリ６０は、プラテン縁部か
らプラテン中心付近まで延在する細長いハウジング６４
を含む。ハウジング６４は、支持支柱６２により支持さ
れており、ポリシングパッド５４に面するハウジング側
面に開口を持った凹部を有する。ポリシングパッド５４
とハウジング６４との間の空間はチャンバ６６を画成す
る。チャンバ６６は、洗浄流体のストリームを閉じ込
め、スラリー用の容器として機能する。

【００１９】ポリシングパッドを洗浄するために、洗浄
流体のスプレーがアームアセンブリ６０からポリシング
パッド表面上へ向けられる。具体的には、一組の流体分
配ノズル７２がチャンバ６６の内側に配置され、純水等
の洗浄流体のスプレー流７６をポリシングパッド５４の
上面に向けて噴射する。４個のノズルが図示されている
が、アセンブリ６０のノズルは、それより多くても少な
くてもよい。アセンブリは、４〜６個のノズルを含んで
もよい。各ノズル７２からのストリーム７６は、残渣お
よび汚染物質（残留液体スラリー、ほこり、乾燥したス
ラリー、削り取られたポリシングパッド材料、削り取ら
れた基板など）をポリシングパッド５４から、特にポリ
シングパッド５４の溝または孔から洗浄および剥離させ
る。このような洗浄は、研磨のためのポリシングパッド
５４を好適に調整する。洗浄流体は、供給管路８０によ
ってノズルに供給される。供給管路８０は、ハウジング
６４を通る通路として図示されているが、チャンバ６６
の内側または外側のチューブとして実施してもよい。

【００２０】ノズル７２は、洗浄流体を霧化する能力を
有する任意の従来ノズルとすることができる。例えば、
各ノズルは、エアレス(airless)ノズルであってもよ
い。このノズルでは、洗浄流体が、約６０ｐｓｉ未満、
例えば約１０〜６０ｐｓｉの液圧下で小さなオリフィス
から押し出される。ノズルは、エアアシストノズルであ
ってもよい。このノズルでは、洗浄流体が（例えば、約
６０ｐｓｉの）圧力下で小さなオリフィスから押し出さ
れ、得られた流体流が、圧縮空気などの圧縮ガスにより
更に霧化されて推進される。圧縮空気は、例えば１０ｐ
ｓｉまでの圧力、または約５ｐｓｉまでの圧力に加圧す
ることができる。このため、洗浄液は約０．２から１．
０ガロン／分の範囲のレートで噴射することができる。
ノズル７２は、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）熱可
塑性プラスチック等の耐薬品性および耐蝕性の材料から
構成することができる。例えば、各ノズルは、KYNAR
（商標）シリーズスプレーノズルのモデルHVV-KYとする
ことができる。

【００２１】アセンブリは、下部リテーナ７８も含んで
おり、それはハウジング６４から下方向に突出し、ポリ
シングパッド５４に接触するように下降することができ
る。ハウジング６４とリテーナ７８とは一体であっても
よく、あるいはリテーナ７８を（例えば、接着剤によ
り、あるいはねじまたはボルトにより）ハウジング６４
へ固定することができる。下部リテーナ７８がポリシン
グパッドに接触すると、それは、スラリーとリンス水を
リテーナおよびパッドによって形成されたリザーバ内に
保持するダムを形成する。下部リテーナ７８は、パッド
５４に約１ｐｓｉの圧力で接触することができる。リテ
ーナ７８およびハウジング６４は、ポリフェニルスルフ
ィド（ＰＰＳ）、ポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、
DELRIN（商標）等の耐薬品性および耐磨耗性の材料から
構成することができる。

【００２２】アームアセンブリ６０は、空気圧式アクチ
ュエータまたは機械式アクチュエータ７０により上下に
移動する（すなわち、ポリシングパッド５４に対して昇
降する）ようになっている。アームアセンブリ６０はポ
リシングパッド５４に接触するように下降して、純水の
ストリーム７６を包囲し、発生した廃棄材料（例えば、
研磨スラリー、残渣、汚染物質、廃水など）がポリシン
グ装置１０の外面上へ撥ね飛んでそこへ集積することを
防止する。このようにしないと、これらの材料は乾いた
堆積物を形成するかもしれず、この乾燥堆積物は、剥げ
落ちてポリシングパッド５４上に着地し、基板に欠陥を
生じさせる可能性がある。飛散した液体は、ポリシング
装置１０の内部機構に侵入して、腐食や他のダメージを
引き起こす可能性もある。洗浄が完了すると、アームア
センブリ６０が上昇し、閉じ込めた液体と残渣材料をパ
ッドの回転とともにポリシングパッド５４から遠心力で
排除することが可能になる。水、希釈スラリー、残渣お
よび汚染物質をアームアセンブリ６０から排除すること
により、基板が希釈スラリーによって研磨されないよう
になる。

【００２３】アームアセンブリ６０は、研磨スラリーを
ポリシングパッド５４へ分散させることにも使用され
る。スラリー送出管路８２は、一つ以上のスラリー流出
口８４を研磨スラリー用のスラリー供給源へ接続するこ
とができる。図５に示すように、パッドが洗浄された
後、アセンブリ６０は、リテーナ７８がポリシングパッ
ド５４に接触するように下降させられる。次に、研磨ス
ラリーがスラリー送出管路８２からスラリー流出口８４
を通して供給され、それにより、研磨スラリーは、リテ
ーナ７８およびハウジング６４によって閉じ込められる
リザーバ８６で蓄積する。次に、リザーバ内の研磨スラ
リーは、リテーナ７８とポリシングパッド５４との間の
狭い間隙からしみ出るか、あるいはポリシングパッド５
４にある溝または穿孔によって下部リテーナ７８の下に
運ばれる。いずれの場合でも、このアームアセンブリ６
０は、スラリーの薄層８８をポリシングパッド５４上に
残す。また、アセンブリハウジング６４は、研磨スラリ
ーがポリシング装置１０の外面に飛散して外面を覆った
り、ポリシング装置１０の内面へ侵入することを防止す
る。

【００２４】図６を参照すると、アームアセンブリ６０
を用いて実行される方法１００は、アセンブリ６０が下
降してポリシングパッド５４と接触するときの研磨作業
から始まる（ステップ１０２）。研磨スラリーは、スラ
リー送出管路８２を介して送られ、ハウジング６４の内
側のポリシングパッド上にスラリーのリザーバ８６を生
成する（ステップ１０４）。ポリシングは、例えば約１
５秒から２分間続けられ、その間にリザーバ８６は、定
期的に、あるいは間欠的に補充される。具体的には、ス
ラリーは、所定の一組の研磨パラメータに対するスラリ
ーの消費速度と等しいかわずかに大きい流量で供給され
る。例えば、スラリーは、スラリー流出口８４を介して
約５０から２００ｍｌ／分の範囲の流量でディスペンス
することができる。良好に分散した均一な薄層のスラリ
ーが、リテーナ７８の拭い作用によってパッド５４に堆
積する。スラリー薄層を堆積させることにより、過剰な
スラリー使用を大きく低下させることができる。

【００２５】研磨が完了した後、アームアセンブリ６０
が持ち上げられ、残存するスラリーが遠心力で排除され
る（ステップ１０６）。洗浄作業中は、アームアセンブ
リ６０が再度下降させられてポリシングパッドと接触す
る（ステップ１０８）。次に、洗浄流体（例えば、純
水）がノズルを介して押し出され、ハウジング６４の内
側のポリシングパッド５４上へ洗浄流体のスプレーが向
けられる（ステップ１１０）。洗浄流体は、約０．５ガ
ロン／分のレートで噴射できる。アームアセンブリ６０
は、水平位置に保持してもよいし、あるいはコンディシ
ョナヘッド３２によりコンディショニングされた区域に
隣接するポリシングパッド５４の部分を横断して水平に
掃引してもよい。後者の例では、アームアセンブリ６０
は、ポリシングパッド５４の上方の固定領域にわたって
旋回することができる。この固定領域が、コンディショ
ナアーム３２およびヘッド３０によって掃引される領域
と重複しない場合、プロセスコントローラが、アセンブ
リ６０、キャリアヘッド２０、およびパッドコンディシ
ョナ５６の移動を制御する必要はない。洗浄モードは、
基板を研磨する準備の際にパッドを適切に洗浄するため
に充分な時間、例えば、１０秒間にわたって実行され
る。洗浄作業が完了すると、アームアセンブリ６０は、
回転するポリシングパッド５４からハウジング６４の内
側の廃水を遠心力で除去することができるようにポリシ
ングパッドから持ち上げられる（ステップ１１２）。こ
のような流体および材料をパッドから除去することは、
基板の研磨の前にパッドを汚染物質のない状態に確実に
するために重要である。

【００２６】図７は、スラリー送出／リンスアームアセ
ンブリの別の実施形態を示しており、これは二重スラリ
ー送出管路を含んでいる。第１スラリー送出管路８２′
は、第１スラリー成分を一つ以上のスラリー流出口８
４′を介してポリシングパッド５４へ送出する。第２ス
ラリー送出管路９０は、第２スラリー成分を一つ以上の
スラリー流出口９２を介してポリシングパッド５４へ送
出する。第１および第２スラリー成分は、リテーナ７８
により形成されたリザーバ内で一つに混合される。これ
らのスラリー送出管路は、双方とも研磨溶液を送出する
ことができる。あるいは、第２スラリー送出管路は、ポ
リシングプロセスを制御する化学薬品、例えば腐食防止
剤、酸化剤、希釈流体、ｐＨ調節剤、および表面浸潤剤
などを供給するために使用してもよい。

【００２７】例えば、タングステン膜層を研磨するＣＭ
Ｐ用途では、第１スラリー成分は、硝酸第二鉄と添加剤
（緩衝剤など）の溶液を含んでいてもよい。第２スラリ
ー成分は、研磨溶液、たとえばヒュームドシリカもしく
はコロイダルシリカ、またはアルミナを含んでいてもよ
い。化学反応が第１および第２スラリー成分の構成要素
間に生じ、これが得られる混合物を経時劣化させる可能
性がある。従って、第１および第２スラリー成分は、タ
ングステンをポリシングするための研磨媒質として利用
される直前に混合される。

【００２８】リテーナ７８の下側表面は粗面化してもよ
いし、あるいは研磨材料をリテーナ７８の下面上に被覆
してもよい。アームアセンブリ６０が下降してポリシン
グパッド５４と接触すると、リテーナ７８の研磨性下面
は、ポリシングパッドを粗面化してデグレージングす
る。従って、アームアセンブリ６０を用いてポリシング
パッドをコンディショニングすることができる。この実
施例では、ポリシング装置１０が独立したパッドコンデ
ィショナ５６を含む必要はない。

【００２９】以上、種々の図面、態様、および好ましい
実施形態を参照して本発明を説明した。上記の説明は、
例示のためになされたものであり、本発明は、本明細書
に記載された構造および方法の趣旨の範囲内で他の形態
を取ることができる。本発明は、特許請求の範囲に定義
されるように、その変形例を含んでいる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ケミカルメカニカルポリシングシステムの概略
分解図である。

【図２】図１のＣＭＰシステムの概略平面図であり、キ
ャリアヘッド、コンディショニング装置、および洗浄／
スラリー散布アームアセンブリを示す。

【図３】図２の洗浄／スラリー散布アームアセンブリの
３−３線に沿った断面図である。

【図４】図２の洗浄／スラリー散布アームアセンブリの
４−４線に沿った断面図である。

【図５】ポリシングパッド上にスラリーを散布するため
に使用される洗浄／スラリー散布アームアセンブリの断
面図である。

【図６】洗浄／スラリー散布アームアセンブリで実行さ
れるプロセスを示すフローチャートである。

【図７】複数のスラリー送出管路を含む洗浄／スラリー
散布アームアセンブリの断面図である。

【符号の説明】

５…基板、１０…ケミカルメカニカルポリシング装置、
１４…研磨ステーション、１６…基板搬送ステーショ
ン、１８…カルーセル、２０…キャリアヘッド、３０…
コンディショナヘッド、３２…アーム、３４…ベース
部、３６…カップ、４２…プレート、４４…スロット、
４６…駆動シャフト、４８…モータ、５０…側壁、５４
…ポリシングパッド、５６…パッドコンディショナ、５
７…テーブルトップ、６０…スラリー送出／洗浄アーム
アセンブリ、６２…支持支柱、６４…ハウジング、６６
…チャンバ、７０…アクチュエータ、７２…ノズル、７
８…リテーナ、８０…供給管路、８２…スラリー送出管
路、８４…スラリー流出口、８６…リザーバ、８８…ス
ラリー薄層。

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ケミカルメカニカルポリシングシステム
   で使用される装置であって、 ポリシングパッドの上に位置決め可能なハウジングと、 前記ハウジングにより覆われ、洗浄流体を前記ポリシン
   グパッドに対して噴射する少なくとも一つのノズルと、
   を備える装置。
2. 【請求項２】 前記洗浄流体が純水である、請求項１記
   載の装置。
3. 【請求項３】 前記ハウジングが、前記ポリシングパッ
   ドのある区域の上で昇降されるように構成されている、
   請求項１記載の装置。
4. 【請求項４】 前記少なくとも一つのノズルが、前記洗
   浄流体を液圧下で噴射する、請求項１記載の装置。
5. 【請求項５】 前記ハウジングが、前記ポリシングパッ
   ドの中心に向かって延在している、請求項１記載の装
   置。
6. 【請求項６】 前記ハウジングの下面に接合されたリテ
   ーナを更に備える請求項１記載の装置。
7. 【請求項７】 前記リテーナが、前記ポリシングパッド
   の表面に接触する、請求項６記載の装置。
8. 【請求項８】 前記リテーナが、前記ポリシングパッド
   表面に約５ｐｓｉ未満の圧力で接触する、請求項７記載
   の装置。
9. 【請求項９】 前記洗浄流体を供給する第１供給管路を
   更に備える請求項１記載の装置。
10. 【請求項１０】 腐食防止剤、酸化剤、洗浄剤、ｐＨ調
    節剤、希釈流体、および表面浸潤剤からなる群から選択
    された一つの薬剤と純水との水溶液を供給する第２供給
    管路を更に備える請求項９記載の装置。
11. 【請求項１１】 研磨溶液を供給する第３供給管路を更
    に備える請求項１０記載の装置。
12. 【請求項１２】 ケミカルメカニカルポリシングシステ
    ムにおいてポリシングパッドの表面を洗浄する方法であ
    って、 洗浄アセンブリから残留汚染物質を有するポリシングパ
    ッドに対して洗浄流体を向けるステップと、 前記洗浄流体を前記洗浄アセンブリのハウジング内に実
    質的に閉じ込めるステップと、を備える方法。
13. 【請求項１３】 前記洗浄流体が純水であり、前記洗浄
    流体の液滴が、前記純水に液圧を加えることにより生成
    される、請求項１２記載の方法。
14. 【請求項１４】 前記液圧が約６０ｐｓｉ未満である、
    請求項１３記載の方法。
15. 【請求項１５】 前記純水液滴には、更に約１０ｐｓｉ
    未満の空気圧が加えられる、請求項１４記載の方法。
16. 【請求項１６】 研磨面上へスラリーを散布する装置で
    あって、 前記研磨面の近傍に位置する下面を有し、ある区域を包
    囲するリテーナと、 この包囲された区域にスラリーを散布して、この包囲区
    域内にスラリーのリザーバを形成する流出口と、を備
    え、前記スラリーは、前記研磨面と前記リテーナの下面
    との間を移動することにより、前記リテーナによって包
    囲されていない区域に散布される装置。
17. 【請求項１７】 基板をポリシングするケミカルメカニ
    カルポリシングシステムにおいてポリシングパッドの表
    面を調整する方法であって、 残留研磨スラリー、汚染物質および流体の少なくとも一
    つを有する前記ポリシングパッドに対して洗浄流体を当
    てるステップと、 前記洗浄流体、残留研磨スラリー、汚染物質および流体
    をハウジングによって実質的に閉じ込めるステップと、 前記ハウジングを持ち上げて、前記残留研磨スラリー、
    汚染物質および流体の少なくとも一部を前記ポリシング
    パッドから排除するステップと、 前記ポリシングパッドへ研磨スラリーを供給するステッ
    プと、 前記ハウジングの下面を用いて前記ポリシングパッドの
    上に前記研磨スラリーを広げるステップと、を備える方
    法。