JP2001144506A - 同調周波数フィルタ - Google Patents
同調周波数フィルタInfo
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- JP2001144506A JP2001144506A JP32267499A JP32267499A JP2001144506A JP 2001144506 A JP2001144506 A JP 2001144506A JP 32267499 A JP32267499 A JP 32267499A JP 32267499 A JP32267499 A JP 32267499A JP 2001144506 A JP2001144506 A JP 2001144506A
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- Japan
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- frequency filter
- tuning frequency
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検波回路と可変同調フィルタとの接続の電気
長を短くした同調周波数フィルタを提供する。 【解決手段】 半導体基板１０の表面に形成された検波
回路１１と、半導体基板１０の表面に形成され、検波回
路１１に接続された第１線状導体１２と、半導体基板の
裏面に配置される第２線状導体３２と接する第２線状導
体受容部１４と、第１線状導体１２と第２線状導体受容
部１４との間に配置された静磁モードフェライト単結晶
球１６と、を備え、検波回路１１と第１線状導体１２と
が半導体基板１０の同一平面上に形成されているため、
検波回路１１と第１線状導体１２との接続電気長を短く
できる。
長を短くした同調周波数フィルタを提供する。 【解決手段】 半導体基板１０の表面に形成された検波
回路１１と、半導体基板１０の表面に形成され、検波回
路１１に接続された第１線状導体１２と、半導体基板の
裏面に配置される第２線状導体３２と接する第２線状導
体受容部１４と、第１線状導体１２と第２線状導体受容
部１４との間に配置された静磁モードフェライト単結晶
球１６と、を備え、検波回路１１と第１線状導体１２と
が半導体基板１０の同一平面上に形成されているため、
検波回路１１と第１線状導体１２との接続電気長を短く
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は同調周波数フィルタ
に関し、特にフィルタリングの対象となる信号を出力す
る検波回路と同調周波数フィルタとの電気長を短くした
同調周波数フィルタに関する。
に関し、特にフィルタリングの対象となる信号を出力す
る検波回路と同調周波数フィルタとの電気長を短くした
同調周波数フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】検波器（ディテクタ）は、入力された交
流信号の電力の関数で単調増加あるいは減少する直流信
号（例えば直流電圧信号）を出力する回路である。被検
波信号の周波数は通常未定なので、ディテクタは広帯域
の入力が可能なように設計される。
流信号の電力の関数で単調増加あるいは減少する直流信
号（例えば直流電圧信号）を出力する回路である。被検
波信号の周波数は通常未定なので、ディテクタは広帯域
の入力が可能なように設計される。
【０００３】図３に、複数のスペクトルを含む入力信号
をディテクタに入力したときの出力を示す。図３に示す
ように、検波器５０により、各周波数の電力Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３、Ｐ４…に対応した直流信号ｆ（Ｐ１）、ｆ
（Ｐ２）、ｆ（Ｐ３）、ｆ（Ｐ４）…を加算した信号が
出力される。よって、ある特定の周波数の電力Ｐｎ（例
えばＰ１）を検波したければ、フィルタを使用して、入
力信号から特定の周波数の信号のみをとりだす。
をディテクタに入力したときの出力を示す。図３に示す
ように、検波器５０により、各周波数の電力Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３、Ｐ４…に対応した直流信号ｆ（Ｐ１）、ｆ
（Ｐ２）、ｆ（Ｐ３）、ｆ（Ｐ４）…を加算した信号が
出力される。よって、ある特定の周波数の電力Ｐｎ（例
えばＰ１）を検波したければ、フィルタを使用して、入
力信号から特定の周波数の信号のみをとりだす。
【０００４】ここで、検波器に入力される信号が１オク
ターブ以上にわたって掃引されるような場合、通過域が
固定されたフィルタでは高調波の抑圧が困難となる。そ
こで、同調周波数を可変とした可変同調フィルタを使用
する。
ターブ以上にわたって掃引されるような場合、通過域が
固定されたフィルタでは高調波の抑圧が困難となる。そ
こで、同調周波数を可変とした可変同調フィルタを使用
する。
【０００５】図４に、可変同調フィルタを検波器に接続
したときの出力を示す。図４に示すように、可変同調フ
ィルタを設けると、電力Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４…に対応した
周波数の信号がカットされて、検波器に入力されてい
る。検波器５０は可変同調フィルタ５２に伝送線路５４
により接続されている。検波器５０は半導体で構成さ
れ、可変同調フィルタ５２は電磁石と静磁モード磁性体
を持つ電気磁気回路で構成される。よって、検波器５０
と可変同調フィルタ５２とは別々の部品またはモジュー
ルで構成されるので、伝送線路５４により接続すること
になる。
したときの出力を示す。図４に示すように、可変同調フ
ィルタを設けると、電力Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４…に対応した
周波数の信号がカットされて、検波器に入力されてい
る。検波器５０は可変同調フィルタ５２に伝送線路５４
により接続されている。検波器５０は半導体で構成さ
れ、可変同調フィルタ５２は電磁石と静磁モード磁性体
を持つ電気磁気回路で構成される。よって、検波器５０
と可変同調フィルタ５２とは別々の部品またはモジュー
ルで構成されるので、伝送線路５４により接続すること
になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、伝送線
路５４による接続は損失を生み、高周波では無視できな
い存在となる。また、伝送線路５４の電気長が長いと増
幅器５０と可変同調フィルタ５２との間に定在波が立
ち、検波器５０と可変同調フィルタ５２との組み合わせ
の性能を大きく劣化させる。
路５４による接続は損失を生み、高周波では無視できな
い存在となる。また、伝送線路５４の電気長が長いと増
幅器５０と可変同調フィルタ５２との間に定在波が立
ち、検波器５０と可変同調フィルタ５２との組み合わせ
の性能を大きく劣化させる。
【０００７】そこで、本発明は、検波回路と可変同調フ
ィルタとの接続の電気長を短くした同調周波数フィルタ
を提供することを課題とする。
ィルタとの接続の電気長を短くした同調周波数フィルタ
を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み、請求項
１に記載の発明は、半導体基板の表面に形成された第１
線状導体と、表面に形成され、第１線状導体からの出力
を入力とする入力回路と、半導体基板の裏面に配置され
る第２線状導体と接する第２線状導体受容部と、第１線
状導体と第２線状導体受容部との間に配置されたフェラ
イト結晶部材と、を備えるように構成される。
１に記載の発明は、半導体基板の表面に形成された第１
線状導体と、表面に形成され、第１線状導体からの出力
を入力とする入力回路と、半導体基板の裏面に配置され
る第２線状導体と接する第２線状導体受容部と、第１線
状導体と第２線状導体受容部との間に配置されたフェラ
イト結晶部材と、を備えるように構成される。
【０００９】以上のように構成された同調周波数フィル
タは、入力回路と第１線状導体とが半導体基板の同一平
面上に形成されているため、入力回路と第１線状導体と
の接続電気長を短くできる。
タは、入力回路と第１線状導体とが半導体基板の同一平
面上に形成されているため、入力回路と第１線状導体と
の接続電気長を短くできる。
【００１０】上記課題に鑑み、請求項２に記載の発明
は、請求項１に記載の発明であって、入力回路は検波回
路であるように構成される。
は、請求項１に記載の発明であって、入力回路は検波回
路であるように構成される。
【００１１】上記課題に鑑み、請求項３に記載の発明
は、請求項１または２に記載の発明であって、フェライ
ト結晶部材は球体であるように構成される。
は、請求項１または２に記載の発明であって、フェライ
ト結晶部材は球体であるように構成される。
【００１２】上記のように構成された同調周波数フィル
タは、穴または窪みにフィットして位置決めがしやすく
なる。
タは、穴または窪みにフィットして位置決めがしやすく
なる。
【００１３】上記課題に鑑み、請求項４に記載の発明
は、請求項１から３のいずれか一項に記載の発明であっ
て、フェライト結晶部材は前記半導体基板に設けられた
穴または窪みの中に格納されるように構成される。
は、請求項１から３のいずれか一項に記載の発明であっ
て、フェライト結晶部材は前記半導体基板に設けられた
穴または窪みの中に格納されるように構成される。
【００１４】上記のように構成された同調周波数フィル
タは、フェライト結晶部材が穴または窪みにより位置決
めされるので製造上のばらつきが少なく再現性にすぐれ
る。
タは、フェライト結晶部材が穴または窪みにより位置決
めされるので製造上のばらつきが少なく再現性にすぐれ
る。
【００１５】上記課題に鑑み、請求項５に記載の発明
は、請求項４に記載の発明であって、第１線状導体は穴
または窪みに沿って配置されるように構成される。
は、請求項４に記載の発明であって、第１線状導体は穴
または窪みに沿って配置されるように構成される。
【００１６】上記のように構成された同調周波数フィル
タは、穴または窪みに格納されたフェライト結晶部材に
沿って第１線状導体が配置されるため、フェライト結晶
部材の影響が強くなり、同調周波数の調整が容易にな
る。しかも、第１線状導体がフェライト結晶部材の格納
の妨げにならないため、フェライト結晶部材の格納がし
やすい。
タは、穴または窪みに格納されたフェライト結晶部材に
沿って第１線状導体が配置されるため、フェライト結晶
部材の影響が強くなり、同調周波数の調整が容易にな
る。しかも、第１線状導体がフェライト結晶部材の格納
の妨げにならないため、フェライト結晶部材の格納がし
やすい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１８】まず、本発明の実施の形態に係る可変同調
フィルタの構成を説明する。図１は、本発明の実施の形
態に係る可変同調フィルタの構成を示した斜視図であ
る。図２は、可変同調フィルタを部品配置用基板に配置
したときの斜視図である。
フィルタの構成を説明する。図１は、本発明の実施の形
態に係る可変同調フィルタの構成を示した斜視図であ
る。図２は、可変同調フィルタを部品配置用基板に配置
したときの斜視図である。
【００１９】可変同調フィルタ１は、半導体基板１０、
検波回路１１、第１結合線状導体１２、裏面メタル１
３、第２結合線状導体受容部１４、静磁モードフェライ
ト単結晶球１６、フェライト球格納穴１８、接地用ヴィ
アホール１９を備える。
検波回路１１、第１結合線状導体１２、裏面メタル１
３、第２結合線状導体受容部１４、静磁モードフェライ
ト単結晶球１６、フェライト球格納穴１８、接地用ヴィ
アホール１９を備える。
【００２０】検波回路１１は半導体基板１０の表面に形
成されている。検波回路１１は出力端子２２、入力端子
２４を備える。第１結合線状導体１２は２本の線状導体
であり、その中央部分では大きく離れており、その一方
の端部において一体となり、入力端子２４に接続する。
また、第１結合線状導体１２の他方の端部において一体
となり、接地用ヴィアホール１９に接続する。接地用ヴ
ィアホール１９は第１結合線状導体１２を接地するため
のものである。
成されている。検波回路１１は出力端子２２、入力端子
２４を備える。第１結合線状導体１２は２本の線状導体
であり、その中央部分では大きく離れており、その一方
の端部において一体となり、入力端子２４に接続する。
また、第１結合線状導体１２の他方の端部において一体
となり、接地用ヴィアホール１９に接続する。接地用ヴ
ィアホール１９は第１結合線状導体１２を接地するため
のものである。
【００２１】第２結合線状導体受容部１４は、半導体基
板１０の裏面に配置される第２結合線状導体３２と接す
る。第２結合線状導体３２は部品配置用基板３０上にあ
る導体パターン３１にあり（図２参照）、部品配置用基
板３０上に可変同調フィルタ１が配置されている。な
お、部品配置用基板３０上には第２結合線状導体３２と
隣り合わせて入力用伝送線路３４が配置されている。
板１０の裏面に配置される第２結合線状導体３２と接す
る。第２結合線状導体３２は部品配置用基板３０上にあ
る導体パターン３１にあり（図２参照）、部品配置用基
板３０上に可変同調フィルタ１が配置されている。な
お、部品配置用基板３０上には第２結合線状導体３２と
隣り合わせて入力用伝送線路３４が配置されている。
【００２２】図１に戻り、フェライト球格納穴１８は、
第１結合線状導体１２の中央部分の大きく離れた部分に
あけられている。なお、フェライト球格納穴１８は半導
体基板１０を貫通しているが、貫通しないいわば窪みの
ようなものでもよい。静磁モードフェライト単結晶球１
６は、フェライト球格納穴１８に格納されている。裏面
メタル１３は、半導体基板１０の裏面に形成されてい
る。
第１結合線状導体１２の中央部分の大きく離れた部分に
あけられている。なお、フェライト球格納穴１８は半導
体基板１０を貫通しているが、貫通しないいわば窪みの
ようなものでもよい。静磁モードフェライト単結晶球１
６は、フェライト球格納穴１８に格納されている。裏面
メタル１３は、半導体基板１０の裏面に形成されてい
る。
【００２３】次に、本発明の実施の形態に係る可変同調
フィルタの動作を説明する。入力用伝送線路３４に検波
されるべき電気信号が与えられると、電磁誘導により第
２結合線状導体３２に電流が流れる。すると、電磁誘導
により第１結合線状導体１２にも電流が流れる。
フィルタの動作を説明する。入力用伝送線路３４に検波
されるべき電気信号が与えられると、電磁誘導により第
２結合線状導体３２に電流が流れる。すると、電磁誘導
により第１結合線状導体１２にも電流が流れる。
【００２４】ここで、半導体基板１０の表面から裏面の
方向へ静磁界をかける。すると、静磁モードフェライト
単結晶球１６により、第１結合線状導体１２と第２結合
線状導体３２との間のインダクタンスが静磁界に応じて
決定される。よって、静磁界の強さを変更することで、
第１結合線状導体１２と第２結合線状導体３２との間の
インダクタンスを変更でき、同調周波数を変更できるた
め、可変同調フィルタとして機能する。
方向へ静磁界をかける。すると、静磁モードフェライト
単結晶球１６により、第１結合線状導体１２と第２結合
線状導体３２との間のインダクタンスが静磁界に応じて
決定される。よって、静磁界の強さを変更することで、
第１結合線状導体１２と第２結合線状導体３２との間の
インダクタンスを変更でき、同調周波数を変更できるた
め、可変同調フィルタとして機能する。
【００２５】第１結合線状導体１２に流れる電流は入力
端子２４を介して検波回路１１に与えられる。第１結合
線状導体１２に流れる電流は、所望の周波数の信号のみ
が取り出されている。そして、検波回路１１は検波して
直流信号を出力端子２２に出力する。
端子２４を介して検波回路１１に与えられる。第１結合
線状導体１２に流れる電流は、所望の周波数の信号のみ
が取り出されている。そして、検波回路１１は検波して
直流信号を出力端子２２に出力する。
【００２６】本発明の実施の形態によれば、検波回路１
１と第１結合線状導体１２とが、半導体基板１０の表面
に配置されているので、検波回路１１と第１結合線状導
体１２との接続の電気長が短くできる。
１と第１結合線状導体１２とが、半導体基板１０の表面
に配置されているので、検波回路１１と第１結合線状導
体１２との接続の電気長が短くできる。
【００２７】しかも、静磁モードフェライト単結晶球１
６は、静磁モードフェライト単結晶であるため、所望の
周波数以外の成分を抑圧できるため不要な周波数成分を
良く取り除いた信号を出力できる。
６は、静磁モードフェライト単結晶であるため、所望の
周波数以外の成分を抑圧できるため不要な周波数成分を
良く取り除いた信号を出力できる。
【００２８】さらに、静磁モードフェライト単結晶球１
６は、フェライト球格納穴１８により位置決めされるた
め製造上のばらつきが少なく再現性にすぐれる。また、
静磁モードフェライト単結晶球１６は、球体であるた
め、フェライト球格納穴１８にフィットしやすい。しか
も、フェライト球格納穴１８に格納された静磁モードフ
ェライト単結晶球１６に沿って第１線状導体１２が配置
されるため、静磁モードフェライト単結晶球１６の影響
が強くなり、同調周波数の調整が容易になる。しかも、
第１線状導体１２が静磁モードフェライト単結晶球１６
の格納の妨げにならないため、静磁モードフェライト単
結晶球１６の格納がしやすい。
６は、フェライト球格納穴１８により位置決めされるた
め製造上のばらつきが少なく再現性にすぐれる。また、
静磁モードフェライト単結晶球１６は、球体であるた
め、フェライト球格納穴１８にフィットしやすい。しか
も、フェライト球格納穴１８に格納された静磁モードフ
ェライト単結晶球１６に沿って第１線状導体１２が配置
されるため、静磁モードフェライト単結晶球１６の影響
が強くなり、同調周波数の調整が容易になる。しかも、
第１線状導体１２が静磁モードフェライト単結晶球１６
の格納の妨げにならないため、静磁モードフェライト単
結晶球１６の格納がしやすい。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、出力回路と第１線状導
体とが半導体基板の同一平面上に形成されているため、
出力回路と第１線状導体との接続電気長を短くできる。
体とが半導体基板の同一平面上に形成されているため、
出力回路と第１線状導体との接続電気長を短くできる。
【図１】本発明の実施の形態に係る可変同調フィルタの
構成を示した斜視図である。
構成を示した斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る可変同調フィルタを
部品配置用基板に配置したときの斜視図である。
部品配置用基板に配置したときの斜視図である。
【図３】従来技術における周波数ｆの信号を増幅器に入
力したときの出力を示す図である。
力したときの出力を示す図である。
【図４】従来技術における可変同調フィルタを検波回路
に接続したときの出力を示す図である。
に接続したときの出力を示す図である。
１ 可変同調フィルタ １０ 半導体基板 １１ 検波回路 １２ 第１結合線状導体 １４ 第２結合線状導体受容部 １６ 静磁モードフェライト単結晶球 １８ フェライト球格納穴 ３２ 第２結合線状導体
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板の表面に形成された第１線状導
体と、 前記表面に形成され、前記第１線状導体からの出力を入
力とする入力回路と、 前記半導体基板の裏面に配置される第２線状導体と接す
る第２線状導体受容部と、 前記第１線状導体と前記第２線状導体受容部との間に配
置されたフェライト結晶部材と、 を備えた同調周波数フィルタ。 - 【請求項２】前記入力回路は検波回路である請求項１に
記載の同調周波数フィルタ。 - 【請求項３】前記フェライト結晶部材は球体である請求
項１または２に記載の同調周波数フィルタ。 - 【請求項４】前記フェライト結晶部材は前記半導体基板
に設けられた穴または窪みの中に格納されている請求項
１から３のいずれか一項に記載の同調周波数フィルタ。 - 【請求項５】前記第１線状導体は前記穴または前記窪み
に沿って配置されている請求項４に記載の同調周波数フ
ィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32267499A JP2001144506A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 同調周波数フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32267499A JP2001144506A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 同調周波数フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144506A true JP2001144506A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18146352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32267499A Withdrawn JP2001144506A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 同調周波数フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144506A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022202326A1 (ja) | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 株式会社 東芝 | 半導体装置及びその位相特性調整方法 |
-
1999
- 1999-11-12 JP JP32267499A patent/JP2001144506A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022202326A1 (ja) | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 株式会社 東芝 | 半導体装置及びその位相特性調整方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |