JP2001140079A - バリア性フィルムの製造方法及び装置、並びにバリア性フィルム及びその基材 - Google Patents
バリア性フィルムの製造方法及び装置、並びにバリア性フィルム及びその基材Info
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Abstract
てバリア層を形成する場合の品質の安定性を向上させ
る。を提供する。 【解決手段】 ドラム16にフィルム状の基材1を巻き
掛けて基材1を走行させ、その走行中の基材1の表面1
aにプラズマCVD法を利用してバリア層2を成膜する
バリア性フィルムの製造方法において、基材1とドラム
16とが対向する部分に、基材1から放出されるガスの
逃げ場を設けた状態で成膜を行う。
Description
にプラズマCVD法(化学気相成膜法)を利用してバリ
ア層を形成したバリア性フィルムの製造方法及び装置等
に関する。
ルムとして、ポリエステル系樹脂フィルムやポリアミド
系樹脂フィルム等のプラスチック基材の表面にプラズマ
CVD(chemical vapor deposition)法を利用して珪
素酸化物等で構成されるバリア層を形成したものがあ
る。
としては、真空チャンバ内に設けられたドラムに基材を
巻き掛け、そのドラムを回転させて基材を走行させると
ともに、ドラムの外周付近に原料ガスを供給しつつドラ
ムを一方の電極としてドラムの外周付近にプラズマ放電
を生じさせ、それにより走行中の基材の表面にバリア層
を連続的に成膜する方法が知られている(例えば特開平
8−142252号公報参照)。
れば成膜を連続的に行えるため、効率よく低コストでバ
リア性フィルムを製造できる。しかしながら、製造途中
でフィルムに皺が発生してプラズマが不安定になる等、
フィルムの品質に影響を与える現象が生じることがあっ
た。
VDを利用してバリア層を形成する場合の品質の安定性
を向上させることを目的とする。
ため、発明者は種々の検討を重ね、その結果、次の知見
を得るに至った。ドラムと基材とを密着させながらその
基材の表面にプラズマCVDで成膜を行うと、プラズマ
発生領域の熱により基材が加熱されて水蒸気等のガスが
基材から放出される。基材とドラムとは密着しているた
め、基材のドラムに対する密着面側からガスが放出され
ると、そのガスにより基材が膨らんでドラムから浮き上
がり、その結果として基材に皺が生じて成膜の品質が劣
化する。プラズマによる基材の加熱を抑えるためにドラ
ムは常温以下に冷却されるが、基材がドラムから浮き上
がるとドラムによる冷却効果も損なわれ、この点でもフ
ィルムの品質が損なわれる。
によるフィルムの浮き上がりを抑える手段を種々検討
し、その結果として本発明を完成するに至ったものであ
る。
ィルム状の基材(1)を巻き掛けて該基材を走行させ、
その走行中の前記基材の表面(1a)にプラズマCVD
法を利用してバリア層(2)を成膜するバリア性フィル
ムの製造方法において、前記基材と前記ドラムとが対向
する部分に前記基材から放出されるガスの逃げ場を設け
た状態で成膜を行うことにより、上述した課題を解決す
る。
たガスの逃げ場が確保されているので、基材がドラムか
ら浮き上がって成膜等の品質が高く維持される。なお、
前記逃げ場は前記ドラムの表面に設けてもよい。前記逃
げ場として、前記基材の前記ドラムに対する接触面を成
膜に先立って凹凸形状に加工してもよい。
ム状の基材(1)を巻き掛けて該基材を走行させ、その
走行中の前記基材の表面にプラズマCVD法を利用して
バリア層(2)を成膜するバリア性フィルムの製造装置
において、前記基材と前記ドラムとが対向する部分に前
記基材から放出されるガスの逃げ場が設けられているこ
とを特徴とするバリア性フィルムの製造装置としても構
成できる。
同様の理由により、基材がドラムから浮き上がって成膜
等の品質が高く維持される。
の表面に線材(30)を巻き付けて前記逃げ場を設ける
ことができる。空隙を有するシート材(31)を前記ド
ラムの表面に巻き付けて前記逃げ場を設けてもよい。シ
ート材(31)は紙又は不織布にて構成できる。また、
シート材は導電性を有していてもよい。さらに、前記ド
ラムの表面に凹凸加工を施して前記逃げ場を設けてもよ
い。前記基材の前記ドラムに対する接触面を成膜に先立
って凹凸形状に加工して前記逃げ場を設けてもよい。
CVD法を利用してバリア層(2)が形成されるバリア
性フィルムの基材(1)であって、前記バリア層の形成
される面に対する反対側の面(1b)に凹凸加工が施さ
れていることを特徴とするバリア性フィルムの基材とし
ても構成できる。
ば、基材から放出されるガスが凹凸加工された表面の凹
部に逃げるため、基材のフィルムからの浮き上がりが防
止されて成膜等の品質が高く維持される。
片面(1a)にプラズマCVD法を利用してバリア層
(2)が形成されたバリア性フィルム(A)であって、
前記バリア層が形成された面に対する反対側の面に凹凸
加工が施されていることを特徴とする。このフィルム
は、上述した理由により製造途中に基材がドラムから浮
き上がることがないためにバリア層が高品質に成膜さ
れ、信頼性の高いバリア効果を発揮する。
解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きに
て付記したが、それにより本発明が図示の形態に限定さ
れるものではない。
バリア性フィルムの一例を示している。バリア性フィル
ムAは、プラスチック基材1の片面1aにバリア層2を
設けた構成を有している。このバリア性フィルムAは図
1(a)の状態のまま包材として使用されてもよいが、
図1(b)に示すように、バリア層2の表面にさらに樹
脂層3が形成された積層材Bの状態で包材として使用さ
れてもよい。
ポリアミド系樹脂等の各種の可撓性の樹脂フィルムを用
いることができる。具体的には、ポリエステル、ナイロ
ン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、セルロー
ス、ポリアクリレート、ポリウレタン、セロハン、ポリ
エチレンテレフタレート、アイオノマー等の延伸又は未
延伸の樹脂フィルムを挙げることができる。基材1の厚
みは、バリア性フィルムの使用目的、製造時の安定性等
から適宜設定することができるが、例えば、10〜10
0μm程度とすることができる。
る連続層として構成される。バリア層2を構成する珪素
酸化物は、SiOx(X=1〜2)の薄膜、好ましくは
連続層であり、厚みは10〜3000Å、好ましくは6
0〜400Å程度である。特に、透明性の点から、珪素
酸化物の連続層は、SiOx(X=1.7〜2)である
薄膜が好ましい。バリア層2には、珪素酸化物に加え
て、炭素、水素、珪素および酸素のなかの1種類、ある
いは2種類以上の元素からなる化合物が少なくとも1種
類含有されてもよい。例えば、C−H結合を有する化合
物、Si−H結合を有する化合物、または炭素単体がグ
ラファイト状、ダイヤモンド状、フラーレン状になって
いる場合、さらに原料の有機珪素化合物やそれらの誘導
体を含有する場合がある。具体例を挙げると、CH3部
位をもつハイドロカ−ボン、SiH3シリル、SiH2シ
リレン等のハイドロシリカ、SiH2OHシラノールな
どの水酸基誘導体などを挙げることができる。上記以外
でも、蒸着過程の条件を変化させることによりバリア層
に含有される化合物の種類、量等を変化させることがで
きる。
種々選択できるが、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレン/ビニルアル
コール共重合体、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂等の樹脂層とすることができる。樹脂層3は単層で
あってもよいが、2種以上の樹脂からなる多層構造であ
ってもよい。このような樹脂層3の厚みは、例えば、1
0〜1000μm程度とすることができる。
のプラズマCVD装置の一例を示している。このプラズ
マCVD装置11においては、チャンバ12内に配置さ
れた巻き出しロール13に基材1が巻き付けられる。ロ
ール13から引き出された基材1は補助ロール14A,
15Aを経てドラム16に巻き掛けられ、さらに補助ロ
ール15B,14Bを経て巻き取りロール17に巻き取
られる。ドラム16及び巻き取りロール17は不図示の
駆動装置により図中の矢印方向に回転駆動され、それに
より基材1が巻き出しロール13からドラム16を経て
巻き取りロール17へと所定の速度(例えば100m/
min.)で搬送される。
バ12はアースされている。また、ドラム16は不図示
の冷却装置により常温以下(例えば−10〜0°C)に
冷却される。ドラム16の冷却温度は、成膜中の基材1
の温度がそのガラス転移温度以上に上昇しないように設
定される。ドラム16の表面は例えばクロムメッキによ
り平滑に形成されている。
る。成膜時、真空ポンプ19によりチャンバ12の内部
は所定の圧力まで減圧される。圧力はプラズマが発生で
きる範囲に設定され、一般には1.33322〜13.
3322Pa(10〜100mmtorr)の範囲、好ましく
は6.6661Pa(50mmtorr)に設定される。
A,20B及び原料揮発供給装置21が設けられ、各装
置20A,20Bからはそれぞれ酸素ガス及び不活性ガ
ス(例えばアルゴンガスやヘリウムガス)が供給され、
原料揮発供給装置21からはバリア層2の原料となる有
機珪素酸化物を揮発させて生成された成膜用モノマーガ
スが供給される。これらのガスが所定の比率で混合され
て成膜用混合ガスが構成され、その混合ガスがノズル2
2からドラム16の外周近傍に供給される。ドラム16
の外側にはプラズマの発生を促進するための磁石23が
設置され、ノズル22はその磁石23とドラム16とに
挟まれたプラズマ発生領域Pに開口する。
2を真空ポンプ19により所定圧まで減圧した状態で、
基材1を巻き出しロール13から巻き取りロール17に
向かって走行させつつノズル22から混合ガスを供給す
ると、ドラム16とノズル22との間の電位差によって
プラズマ発生領域Pにプラズマが発生し、基材1がプラ
ズマ発生領域Pを通過する際にその表面にバリア層2が
形成される。
マ発生領域Pに生じる熱で基材1が加熱され、基材1と
ドラム16との間にガスが放出されることがある。例え
ば基材1としてポリアミド系樹脂フィルムを使用した場
合、そのフィルムは、2〜3%、多いときで4%程度の
水分を含んでおり、これが加熱されると基材1とドラム
16との間に水蒸気が放出される。この水蒸気を適切に
処理しないと、ドラム16から基材1が浮き上がり、基
材1に皺が生じたり、プラズマが不安定となる等の現象
が生じて成膜後のフィルムの品質に影響が及ぶことがあ
る。
図8に示す実施形態により効果的に抑えることができ
る。
を巻き付けた実施形態を示している。このワイヤー30
の上から基材1を巻き掛けて成膜を行えば、ドラム16
の表面と基材1との間に隙間が生じて基材1から放出さ
れたガスがその隙間に逃げることができる。従って、基
材1はワイヤー30から浮き上がらず、成膜の品質が安
定する。なお、図3ではワイヤー30を誇張して描いて
いるが、その線径はドラム16の直径に対して遥かに小
さくてよい。好適には線径を0.1〜1.0mmの範囲
に、さらに好ましくは0.2〜0.5mmの範囲に設定
するとよい。また、ワイヤー30のピッチPTはワイヤ
ー30の径と等しく設定する、言い換えればドラム16
にワイヤー30を隙間なく巻き付けることが望ましい
が、最大でピッチPTを1mm程度に設定してもよい。
ワイヤー30に代え、樹脂糸等の各種の線材を用いてよ
い。上記のCVD装置11ではドラム16を電極として
プラズマを発生させているため、線材は導電性を有する
ものが望ましい。
て覆った実施形態を示している。シート材31は例えば
紙や不織布にて構成される。これらの素材は繊維質であ
り、基材1から放出される水蒸気等のガスを逃がすに十
分な空隙をその表面及び内部に有している。従って、シ
ート材31の上から基材1を巻き掛けて成膜を行えば、
基材1から放出されたガスがそのシート材31内に逃
げ、基材1がシート材31から浮き上がらず、成膜の品
質が安定する。シート材31に使用する紙としては坪量
が100〜400g/m2の白板紙、特に導電性を有す
る白板紙が好ましく、不織布としては乾式不織布、特に
導電性を有する不織布が好ましい。不織布に代え、折ら
れた布地を使用してもよい。なお、上記のCVD装置1
1ではドラム16を電極としてプラズマを発生させてい
るため、シート材31には導電性を付与することが好ま
しい。
表面に別の部材を追加してガスの逃げ場を確保したが、
図5に示すようにドラム16の表面に凹凸部16aを直
接加工してもよい。凹凸部16aは、図6に示すように
複数の凹所16bをドラム16の表面に繰り返し設けた
ものでもよいし、ドラム16の軸方向又は周方向に複数
の溝を形成したものでもよい。凹所16bは、図7
(a)〜(g)に示すように種々の形状や配置にて設け
ることができる。なお、図6の場合、凹所16bの幅W
1は0.1〜1mm、間隔W2は0.1〜1mm、深さ
DPは0.01〜0.5mmの範囲が好適に用いられ
る。凹凸部16aは例えばドラム16の表面にショット
ブラスト加工を施して形成してもよい。
ム16に限らず基材1にも設けることができる。例えば
図8に示すように、基材1のドラム16に対する接触面
(非成膜面)1bに対してエンボス加工やマット加工等
の凹凸加工を施すことにより、基材1から放出されるガ
スを基材1自身の表面の隙間に逃がすことができる。
種々の形態にて実施できる。ドラムは円筒状のものに限
らず、フィルムが押し付けられた状態で一定方向に動作
してフィルムを搬送するものであればドラムの概念に含
まれる。
ば、基材をドラムに巻き掛けて搬送しつつプラズマCV
D法により連続的にバリア層を形成する場合において、
基材からドラム側へ放出されるガスを適切に逃がしてド
ラムからの基材の浮き上がりを防止できる。従って、高
品質のバリア層を連続的にかつ安定して形成できる。
を利用した包材の一例を示す図。
マCVD製造装置の構成を示す図。
図。
図。
(a)は平面図、(b)は断面図。
図。
実施形態を示す図。
Claims (13)
- 【請求項1】 ドラムにフィルム状の基材を巻き掛けて
該基材を走行させ、その走行中の前記基材の表面にプラ
ズマCVD法を利用してバリア層を成膜するバリア性フ
ィルムの製造方法において、前記基材と前記ドラムとが
対向する部分に前記基材から放出されるガスの逃げ場を
設けた状態で成膜を行うことを特徴とするバリア性フィ
ルムの製造方法。 - 【請求項2】 前記逃げ場を前記ドラムの表面に設ける
ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 【請求項3】 前記逃げ場として、前記基材の前記ドラ
ムに対する接触面を成膜に先立って凹凸形状に加工する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 ドラムにフィルム状の基材を巻き掛けて
該基材を走行させ、その走行中の前記基材の表面にプラ
ズマCVD法を利用してバリア層を成膜するバリア性フ
ィルムの製造装置において、前記基材と前記ドラムとが
対向する部分に前記基材から放出されるガスの逃げ場が
設けられていることを特徴とするバリア性フィルムの製
造装置。 - 【請求項5】 前記ドラムの表面に線材を巻き付けて前
記逃げ場を設けたことを特徴とする請求項4に記載の製
造装置。 - 【請求項6】 空隙を有するシート材を前記ドラムの表
面に巻き付けて前記逃げ場を設けたことを特徴とする請
求項4に記載の製造装置。 - 【請求項7】 前記シート材が紙にて構成されることを
特徴とする請求項6に記載の製造装置。 - 【請求項8】 前記シート材が不織布にて構成されるこ
とを特徴とする請求項6に記載の製造装置。 - 【請求項9】 前記シート材が導電性を有していること
を特徴とする請求項6に記載の製造装置。 - 【請求項10】 前記ドラムの表面に凹凸加工を施して
前記逃げ場を設けたことを特徴とする請求項4に記載の
製造装置。 - 【請求項11】 前記基材の前記ドラムに対する接触面
を成膜に先立って凹凸形状に加工して前記逃げ場を設け
たことを特徴とする請求項4に記載の製造装置。 - 【請求項12】 片面にプラズマCVD法を利用してバ
リア層が形成されるバリア性フィルムの基材であって、
前記バリア層の形成される面に対する反対側の面に凹凸
加工が施されていることを特徴とするバリア性フィルム
の基材。 - 【請求項13】 片面にプラズマCVD法を利用してバ
リア層が形成されたバリア性フィルムであって、前記バ
リア層が形成された面に対する反対側の面に凹凸加工が
施されていることを特徴とするバリア性フィルム。
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JP32169699A JP4544552B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | バリア性フィルムの製造方法及びバリア性フィルムの基材 |
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