JPH11350117A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JPH11350117A JPH11350117A JP15420898A JP15420898A JPH11350117A JP H11350117 A JPH11350117 A JP H11350117A JP 15420898 A JP15420898 A JP 15420898A JP 15420898 A JP15420898 A JP 15420898A JP H11350117 A JPH11350117 A JP H11350117A
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- film forming
- deposition
- drum
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Abstract
(57)【要約】
【課題】巻出ロールから巻出されたフィルム基材が、巻
取ロールで巻取られる間に成膜ドラム上で薄膜を成膜す
る真空成膜装置において、フィルム基材を加熱し高い温
度で成膜することは非常に難しい。成膜ドラムを高温に
してフィルム基材を加熱する手段では、成膜ドラム上で
フィルム基材が温度上昇による伸張を起こし、伸びた箇
所では成膜ドラム面と接触しない部分ができ、温度上昇
による熱ダメージを受けるだけでなく、局所的に薄膜の
成長過程の違いによる不均質が起こる。そこで、フィル
ム基材を加熱し高い温度で熱ダメージのない安定的に成
膜する手段が望まれていた。 【解決手段】フィルム基材が成膜ドラム上を走行する前
に少なくとも１つから成るフィルムを加熱する加熱機構
を具備し、かつその加熱機構がフィルム基材が成膜ドラ
ムに入る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御する
制御機構を具備。
取ロールで巻取られる間に成膜ドラム上で薄膜を成膜す
る真空成膜装置において、フィルム基材を加熱し高い温
度で成膜することは非常に難しい。成膜ドラムを高温に
してフィルム基材を加熱する手段では、成膜ドラム上で
フィルム基材が温度上昇による伸張を起こし、伸びた箇
所では成膜ドラム面と接触しない部分ができ、温度上昇
による熱ダメージを受けるだけでなく、局所的に薄膜の
成長過程の違いによる不均質が起こる。そこで、フィル
ム基材を加熱し高い温度で熱ダメージのない安定的に成
膜する手段が望まれていた。 【解決手段】フィルム基材が成膜ドラム上を走行する前
に少なくとも１つから成るフィルムを加熱する加熱機構
を具備し、かつその加熱機構がフィルム基材が成膜ドラ
ムに入る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御する
制御機構を具備。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空成膜装置に関
し、特にフィルム基材を走行させながら成膜する巻取式
の真空成膜装置に関する。
し、特にフィルム基材を走行させながら成膜する巻取式
の真空成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】巻取式真空成膜装置は、巻出ロールから
巻出されたフィルム基材上に成膜ドラム上でセラミック
スや金属、有機化合物からなる機能性薄膜を、蒸着法
や、スパッタリング法、C V D （化学的気相成長）法等
の真空成膜法によって成膜した後、巻取ロールに巻取
る。ここで言う機能性薄膜の機能性とは、食品包装にお
ける気体遮断性、エレクトロニクス部品における帯電防
止性や電気伝導性、反射や反射防止の光機能性などを示
し、すでに実用化されているものも多い。これらの機能
性薄膜を形成する際、フィルム基材としてプラスチック
フィルムを使用する場合が多い。プラスチックフィルム
は熱に弱く、通常は冷却された成膜ドラム上をプラスチ
ックフィルムが走行し真空成膜法による熱ダメージを防
いでいる。
巻出されたフィルム基材上に成膜ドラム上でセラミック
スや金属、有機化合物からなる機能性薄膜を、蒸着法
や、スパッタリング法、C V D （化学的気相成長）法等
の真空成膜法によって成膜した後、巻取ロールに巻取
る。ここで言う機能性薄膜の機能性とは、食品包装にお
ける気体遮断性、エレクトロニクス部品における帯電防
止性や電気伝導性、反射や反射防止の光機能性などを示
し、すでに実用化されているものも多い。これらの機能
性薄膜を形成する際、フィルム基材としてプラスチック
フィルムを使用する場合が多い。プラスチックフィルム
は熱に弱く、通常は冷却された成膜ドラム上をプラスチ
ックフィルムが走行し真空成膜法による熱ダメージを防
いでいる。
【０００３】一方、真空成膜法は基材の温度が高いほど
薄膜の成長過程で、凝集粒子のマイグレーションや表面
での高い反応性を示す効果があり、充填密度、架橋構造
の高い薄膜が成長し、結果として気体遮断性や電気伝導
性、屈折率の向上などの薄膜の機能性が向上することは
周知の事実である。
薄膜の成長過程で、凝集粒子のマイグレーションや表面
での高い反応性を示す効果があり、充填密度、架橋構造
の高い薄膜が成長し、結果として気体遮断性や電気伝導
性、屈折率の向上などの薄膜の機能性が向上することは
周知の事実である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱に弱いフィ
ルム基材を加熱し高い温度で成膜することは非常に難し
い。特に、成膜ドラムを高温にしてフィルム基材を加熱
する手段では、成膜ドラム上でフィルム基材が温度上昇
による伸張を起こし、伸びた箇所では成膜ドラム面と接
触しない部分ができ、熱容量の小さいフィルム基材は熱
負荷の高い真空成膜法により容易に温度上昇し熱ダメー
ジを受けるだけでなく、局所的に薄膜の成長過程の違い
による不均質が起こる。このため製品としては役立たな
いものになってしまう。そこで、フィルム基材を加熱し
高い温度で熱ダメージのない安定的に成膜する手段が望
まれていた。
ルム基材を加熱し高い温度で成膜することは非常に難し
い。特に、成膜ドラムを高温にしてフィルム基材を加熱
する手段では、成膜ドラム上でフィルム基材が温度上昇
による伸張を起こし、伸びた箇所では成膜ドラム面と接
触しない部分ができ、熱容量の小さいフィルム基材は熱
負荷の高い真空成膜法により容易に温度上昇し熱ダメー
ジを受けるだけでなく、局所的に薄膜の成長過程の違い
による不均質が起こる。このため製品としては役立たな
いものになってしまう。そこで、フィルム基材を加熱し
高い温度で熱ダメージのない安定的に成膜する手段が望
まれていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するものであり、請求項１の発明は、巻出ロールから
巻出されたフィルム基材が、巻取ロールで巻取られる間
に成膜ドラム上で薄膜を成膜する真空成膜装置におい
て、フィルム基材が成膜ドラム上を走行する前に少なく
とも１つから成るフィルムを加熱する加熱機構を具備
し、かつその加熱機構がフィルム基材が成膜ドラムに入
る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御する制御機
構を具備した真空成膜装置としたものである。
決するものであり、請求項１の発明は、巻出ロールから
巻出されたフィルム基材が、巻取ロールで巻取られる間
に成膜ドラム上で薄膜を成膜する真空成膜装置におい
て、フィルム基材が成膜ドラム上を走行する前に少なく
とも１つから成るフィルムを加熱する加熱機構を具備
し、かつその加熱機構がフィルム基材が成膜ドラムに入
る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御する制御機
構を具備した真空成膜装置としたものである。
【０００６】本発明の請求項２の発明は、上記成膜ドラ
ムの温度を加熱冷却する温度調整機構を具備する請求項
１記載の真空成膜装置としたものである。
ムの温度を加熱冷却する温度調整機構を具備する請求項
１記載の真空成膜装置としたものである。
【０００７】本発明の請求項３の発明は、上記の加熱機
構が、赤外線ヒータであることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
構が、赤外線ヒータであることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
【０００８】本発明の請求項４の発明は、上記の加熱機
構が、ハロゲンヒータであることを特徴とする請求項１
または請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
構が、ハロゲンヒータであることを特徴とする請求項１
または請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
【０００９】本発明の請求項５の発明は、上記の加熱機
構が、加熱ロールであることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
構が、加熱ロールであることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の真空成膜装置としたものである。
【００１０】本発明の請求項６の発明は、上記成膜ドラ
ムと巻取ロールの間に少なくとも１つから成るフィルム
基材を加熱冷却する温度調節機構を具備した請求項１乃
至請求項５記載の真空成膜装置としたものである。
ムと巻取ロールの間に少なくとも１つから成るフィルム
基材を加熱冷却する温度調節機構を具備した請求項１乃
至請求項５記載の真空成膜装置としたものである。
【００１１】
【作用】本発明は、上記課題に鑑み発明されたものであ
る。巻出ロールから巻出されたフィルム基材が、成膜ド
ラム上で走行・成膜される前に少なくとも１つから成る
フィルムの加熱機構であって、且つフィルム基材が成膜
ドラムに入る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御
する制御機構を具備することを特徴とする。フィルム基
材は、成膜ドラム上で真空成膜法により成膜された後、
巻取ロールで巻取られる。
る。巻出ロールから巻出されたフィルム基材が、成膜ド
ラム上で走行・成膜される前に少なくとも１つから成る
フィルムの加熱機構であって、且つフィルム基材が成膜
ドラムに入る際に成膜ドラムの温度より高く維持・制御
する制御機構を具備することを特徴とする。フィルム基
材は、成膜ドラム上で真空成膜法により成膜された後、
巻取ロールで巻取られる。
【００１２】上記の加熱機構は、赤外線ヒータ、ハロゲ
ンヒ一夕、加熱ロール等の安定に温度制御可能なものが
好ましく、この他であっても同様の効果があるものであ
れば特に限定されない。
ンヒ一夕、加熱ロール等の安定に温度制御可能なものが
好ましく、この他であっても同様の効果があるものであ
れば特に限定されない。
【００１３】上記成膜ドラムは、加熱冷却可能な温度調
節機構を有し、成膜ドラムを任意の温度に安定に調節す
る。更に上記成膜ドラムと巻取ロールの間に少なくとも
1 つから成るフィルム基材を加熱冷却する温度調節機構
を具備する。
節機構を有し、成膜ドラムを任意の温度に安定に調節す
る。更に上記成膜ドラムと巻取ロールの間に少なくとも
1 つから成るフィルム基材を加熱冷却する温度調節機構
を具備する。
【００１４】巻出ロールから巻出されたフィルム基材
は、成膜ドラム上で走行・成膜される前に少なくとも１
つから成るフィルム基材の加熱機構によって、成膜ドラ
ムより高い温度に加熱される。成膜ドラムも室温から加
熱されているが、フィルム基材は成膜ドラムより温度が
高く成膜ドラムに入る際には実質的に冷却される。この
ため、フィルム基材は成膜ドラム上で収縮し成膜ドラム
に密着して非常に接触具合の高い状態で成膜される。接
触具合が高いため、フィルム基材の温度分布の不均質が
殆どなく、特に成膜ドラム面から浮いた箇所がないた
め、真空成膜法による熱ダメージの影響も少なく安定に
均質な薄膜が形成できる。
は、成膜ドラム上で走行・成膜される前に少なくとも１
つから成るフィルム基材の加熱機構によって、成膜ドラ
ムより高い温度に加熱される。成膜ドラムも室温から加
熱されているが、フィルム基材は成膜ドラムより温度が
高く成膜ドラムに入る際には実質的に冷却される。この
ため、フィルム基材は成膜ドラム上で収縮し成膜ドラム
に密着して非常に接触具合の高い状態で成膜される。接
触具合が高いため、フィルム基材の温度分布の不均質が
殆どなく、特に成膜ドラム面から浮いた箇所がないた
め、真空成膜法による熱ダメージの影響も少なく安定に
均質な薄膜が形成できる。
【００１５】更に、上記成膜ドラムと巻取ロールの間に
少なくとも１つから成るフィルム基材を加熱冷却する温
度調節機構を具備することによって、フィルム基材の成
膜後の急激な降温を防ぎ、降温によるフィルムの収縮に
よるシワの発生を防止し、綺麗に安定に巻取ロールに巻
取ることができる。
少なくとも１つから成るフィルム基材を加熱冷却する温
度調節機構を具備することによって、フィルム基材の成
膜後の急激な降温を防ぎ、降温によるフィルムの収縮に
よるシワの発生を防止し、綺麗に安定に巻取ロールに巻
取ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の真空成膜装置を一実施形
態に基づいて以下に詳細に説明する。図１に示すよう
に、真空ポンプ等により（11）の方向に空気が排気され
真空を維持した真空排気装置（12）内に、巻出ロール
（1）から搬出されたフィルム基材（3）は、ガイドロー
ル（4）を経て加熱ロール（5）で加熱される。順次加熱
されたフィルム基材（3）は、成膜ドラムの温度より高
い温度まで加熱された後、成膜ドラム（6）上を走行し
成膜される。本実施例では、真空成膜法は、真空蒸着法
とスパッタリング法の双方を示してあり、巻取室と成膜
室を分ける隔壁（10）の下側で成膜ドラム（6）の下部
に設置してある蒸発源（8）、及び隔壁（10）の上のス
パッター源（9）により薄膜を成膜できる。
態に基づいて以下に詳細に説明する。図１に示すよう
に、真空ポンプ等により（11）の方向に空気が排気され
真空を維持した真空排気装置（12）内に、巻出ロール
（1）から搬出されたフィルム基材（3）は、ガイドロー
ル（4）を経て加熱ロール（5）で加熱される。順次加熱
されたフィルム基材（3）は、成膜ドラムの温度より高
い温度まで加熱された後、成膜ドラム（6）上を走行し
成膜される。本実施例では、真空成膜法は、真空蒸着法
とスパッタリング法の双方を示してあり、巻取室と成膜
室を分ける隔壁（10）の下側で成膜ドラム（6）の下部
に設置してある蒸発源（8）、及び隔壁（10）の上のス
パッター源（9）により薄膜を成膜できる。
【００１７】成膜されたフィルム基材（3）は、温度調
節ロール（7）で順次温度が下げられ、ガイドロール
（4）を経て巻取ロール(2)に巻き取られる。フィルム基
材（3）は、ポリエチレンテレフタレートに代表される
ポリエステルフィルム、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート等のプ
ラスチックフィルムが使用できる。成膜物質は、SiOx、
TiO2、ZrO2、SiO2、ITO のセラミックス、Al、Ag、In、
Zn等の金属、メタン、アクリル、HMDSO 、TEOS、フタロ
シアニン等の有機或いは有機金属化合物が使用できる。
表1 に実施例、比較例をまとめた。
節ロール（7）で順次温度が下げられ、ガイドロール
（4）を経て巻取ロール(2)に巻き取られる。フィルム基
材（3）は、ポリエチレンテレフタレートに代表される
ポリエステルフィルム、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート等のプ
ラスチックフィルムが使用できる。成膜物質は、SiOx、
TiO2、ZrO2、SiO2、ITO のセラミックス、Al、Ag、In、
Zn等の金属、メタン、アクリル、HMDSO 、TEOS、フタロ
シアニン等の有機或いは有機金属化合物が使用できる。
表1 に実施例、比較例をまとめた。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】上記のように、本発明によれば、成膜ド
ラム上で成膜される前にフィルム基材の加熱機構によっ
て、成膜ドラムより高い温度に加熱された後、成膜ドラ
ム上を走行させることにより、比較的に高い温度のフィ
ルム基材上に、接触具合が高くフィルム基材の温度分布
の不均質の殆どない状態で、真空成膜法による熱ダメー
ジの影響も少なく安定に均質な高品質の薄膜が形成でき
る。
ラム上で成膜される前にフィルム基材の加熱機構によっ
て、成膜ドラムより高い温度に加熱された後、成膜ドラ
ム上を走行させることにより、比較的に高い温度のフィ
ルム基材上に、接触具合が高くフィルム基材の温度分布
の不均質の殆どない状態で、真空成膜法による熱ダメー
ジの影響も少なく安定に均質な高品質の薄膜が形成でき
る。
【００２０】更に、上記成膜後に温度調節機構により、
フィルム基材の成膜後の急激な降温を防ぐことにより、
フィルムの収縮によるシワの発生を防止し、綺麗に安定
に巻取ロールに巻取ることができる。
フィルム基材の成膜後の急激な降温を防ぐことにより、
フィルムの収縮によるシワの発生を防止し、綺麗に安定
に巻取ロールに巻取ることができる。
【図１】本発明の真空成膜装置の１実施の形態を説明す
る概念図である。
る概念図である。
１・・・巻出ロール ２・・・巻取ロール ３・・・フィルム基材 ４・・・ガイドロール ５・・・加熱ロール ６・・・成膜ドラム ７・・・温度調整ロール ８・・・蒸発源 ９・・・スパッタ源 １０・・・排気口 １１・・・真空ポンプ １２・・・真空排気装置
Claims (6)
- 【請求項１】巻出ロールから巻出されたフィルム基材
が、巻取ロールで巻取られる間に成膜ドラム上で薄膜を
成膜する真空成膜装置において、フィルム基材が成膜ド
ラム上を走行する前に少なくとも１つから成るフィルム
を加熱する加熱機構を具備し、かつその加熱機構がフィ
ルム基材が成膜ドラムに入る際に成膜ドラムの温度より
高く維持・制御する制御機構を具備した真空成膜装置。 - 【請求項２】上記成膜ドラムの温度を加熱冷却する温度
調整機構を具備する請求項１記載の真空成膜装置。 - 【請求項３】上記の加熱機構が、赤外線ヒータであるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空成膜
装置。 - 【請求項４】上記の加熱機構が、ハロゲンヒータである
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空成
膜装置。 - 【請求項５】上記の加熱機構が、加熱ロールであること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の真空成膜装
置。 - 【請求項６】上記成膜ドラムと巻取ロールの間に少なく
とも１つから成るフィルム基材を加熱冷却する温度調節
機構を具備した請求項１乃至請求項５記載の真空成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15420898A JPH11350117A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15420898A JPH11350117A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 真空成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11350117A true JPH11350117A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15579218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15420898A Pending JPH11350117A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11350117A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015021172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日東電工株式会社 | スパッタ装置 |
| US9487875B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-11-08 | Osaka Electro-Communication University | Producing electrolyzed liquid |
| US9546428B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-01-17 | Osaka Electro-Communication University | Producing electrolyzed liquid |
| JP2018009247A (ja) * | 2017-07-31 | 2018-01-18 | 日東電工株式会社 | スパッタ装置 |
| WO2018199169A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR20190020018A (ko) * | 2017-04-19 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 아루박 | 막 형성장치 및 막 형성방법 |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP15420898A patent/JPH11350117A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9487875B2 (en) | 2012-12-27 | 2016-11-08 | Osaka Electro-Communication University | Producing electrolyzed liquid |
| US9546428B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-01-17 | Osaka Electro-Communication University | Producing electrolyzed liquid |
| JP2015021172A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日東電工株式会社 | スパッタ装置 |
| KR20190020018A (ko) * | 2017-04-19 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 아루박 | 막 형성장치 및 막 형성방법 |
| WO2018199169A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| JPWO2018199169A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2018009247A (ja) * | 2017-07-31 | 2018-01-18 | 日東電工株式会社 | スパッタ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20050324 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20080110 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080307 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20080624 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |