JP4956876B2 - 真空成膜装置及びそれを用いた成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は真空中にてポリエステル、トリアセチルセルロースなどの樹脂製ロールフィルム表面などに化学気相成長法(CVD法:Chemical Vapor Deposition)等の方法により薄膜を形成する巻取り式の真空成膜装置及びそれを用いた成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の真空成膜装置2は、図4に示すように、トルクモータ等の一定の張力にて巻取り可能な巻取り手段を持つ巻取り軸3と、パウダークラッチ等のトルク制御手段により一定のバックテンションをかけつつ、ウェブ状の基材フィルムの巻出しを可能にする巻出し軸4とを備えている。そして、この二軸の間に基材フィルム14の走行を規制する複数のアイドルローラ5、6および基材フィルムの張力を検知して巻取り軸3または巻出し軸4に適宜フィードバックを行うための張力検出器7、8を具備したテンションロール9、10および基材フィルム14の温度をコントロールし、このフイルム表面に薄膜を形成するための温調ドラム12および電極13と複数のプロセスガス噴出部19、20からなる成膜手段を備えている。このように、巻出し軸4から所定の張力を付与されつつ、巻き出されるウエブ状の基材フィルム14が、温調ドラム12上で、前記の成膜手段により基材フィルム14の表面に薄膜を形成された後、所定の張力を伴いつつ巻取り軸3にて巻き取られ、表面に薄膜が形成されたフィルムの巻取15を得ることが出来る仕組みになっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図4に示した従来の真空成膜装置2では以下のような問題を生じていた。CVD法やスパッタリング法は成膜速度が遅いため、電極を大型化することで必要な膜厚を堆積させる必要があった。電極を大型化する場合、形状やフィルムの幅によっては大型化自体が無理であったり、たとえ大型化が可能であった場合でも電極の中央部と両端での成膜速度及び膜質の変化が大きい等の問題があった。
【0004】
また、複数個の電極を使用し、その電極に電力を供給する場合、電力供給配管の周りでプラズマが発生してしまい、それにより膜厚分布の不均一性の発生や異常放電及び無駄に電力消費をしてしまう等の問題があった。
【0005】
本発明はかかる従来の問題点を解決するものであり、その課題とするところは、化学気相成長法(CVD法)等によりウェブ状基材表面に薄膜を形成する真空成膜装置において、電極を大型化しないで、成膜の安定性向上が図れる真空成膜装置とそれを用いた成膜方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る発明は、ウエブ状基材の巻出し・巻取り室と薄膜を形成させる成膜室を有する真空成膜装置において、該成膜室にプロセスガス噴出部と電極からなる成膜手段と、電極に電力を供給する電力供給配管とを備え、前記電極がウェブ状基材の下部に所定の間隔をおいて複数個配置され、前記電極がウェブ状基材の巻取り方向に対して直角方向で千鳥状に配置され、前記電極がシャワーヘッド電極であり、前記電力供給配管が中空構成の最内層、絶縁性を有する樹脂からなる中心層、金属からなる最外層の3層構成からなることを特徴とする真空成膜装置である。
【0008】
次に、請求項2に係る発明は、上記請求項1に係る発明において、前記電力供給配管が水冷可能な配管であることを特徴とする真空成膜装置である。
【0009】
次に、請求項3に係る発明は、上記請求項1又は請求項2に係る発明において、前記絶縁性を有する樹脂が熱収縮性の高い材質であることを特徴とする真空成膜装置である。
【0011】
次に、請求項4に係る発明は、上記請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空成膜装置を用いて、ウェブ状基材上に薄膜を形成させることを特徴とする薄膜の成膜方法である。
【0012】
【作用】
本発明の真空成膜装置によれば、成膜手段としての電極を大型化することなく、シャワーヘッド電極を複数個に増やし、そのシャワーヘッド電極をウェブ状基材の巻取り方向に対して直角方向で、千鳥状に配置することで成膜速度を向上させることが出来、かつ、基材の幅方向に安定した薄膜を積層可能となる。更に、成膜手段としての電極への電力供給配管に3層構成のものを用いる事で、電極上以外にプラズマがまわり込む事による異常放電及び無駄な電力消費を抑制することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の真空成膜装置を実施の形態に沿って以下に説明する。
【0014】
図1は本発明の真空成膜装置1の全体を示す概略説明図であり、トルクモータ等の一定の張力にて巻取り可能な巻取り手段を持つ巻取り軸3と、パウダークラッチ等のトルク制御手段により一定のバックテンションをかけつつ、ウェブ状の基材フィルムの巻出しを可能にする巻出し軸4とを備え、かつ、この二軸の間に基材フィルム14の走行を規制する複数のアイドルローラ5、6および張力を検知して巻取り軸3または巻出し軸4に適宜フィードバックを行うための張力検出器7、8を具備したテンションロール9、10を備えた巻き出し・巻き取り室24と、基材フィルム14の温度をコントロールし、基材フィルム14の表面に薄膜を形成するための温調ドラム12及びプロセスガス噴出部を有するシャワーヘッド電極21a、21b、21c、21dからなる成膜手段と、前記電極に電力を供給する3層構成の電力供給配管22を備えた成膜室25を有しており、巻出し軸4から所定の張力を付与されつつ、巻き出されるウエブ状の基材フィルム14が温調ドラム12上で、前記の成膜手段により基材フィルム14の表面に薄膜を形成された後、所定の張力を伴いつつ巻取り軸3にて巻き取られ、表面に薄膜が形成されたフィルムの巻取15を得ることが出来る仕組みになっている。前記シャワーヘッド電極は、電極とプロセスガス噴出部が一体となっており、電極表面に複数の穴が開いており、その穴からプロセスガスを供給するようになっている。本発明では、前記シャワーヘッド電極がウエブ状基材の下部に、巻取り方向に対して直角方向で所定の間隔をおいて複数個が千鳥状に配置されている。さらに、真空成膜装置1内を真空にする為に真空ポンプ23を備えている。
【0015】
図2(a)は本発明の真空成膜装置1の成膜室25の成膜部分の拡大正面図であり、(b)は同様に成膜室25の成膜部分の拡大上面図である。前記シャワーヘッド電極21a、21b、21c、21dを基材フィルム14の巻取り方向に対して直角方向で千鳥状に配置することで、基材フィルム14の幅方向も安定した薄膜の積層が可能となる。前記シャワーヘッド電極21a、21b、21c、21dを前述の如くならべて配置することで、電極を大型化する必要がなく、かつ、使用する電極も安価に製作できる。
【0016】
また、成膜手段としての電極への電力供給配管22に3層構成の配管を用い、水冷する事でプラズマのまわり込みを防ぎ異常放電及び無駄な電力消費を抑える事が出来る。図3は本発明の真空成膜装置1に使用した電力供給配管22の断面図であり、配管は3層構成になっており、その3層構成の最内層22aはステンレスなどの金属製の配管からなる中空構成で、水冷可能であり、中心層22bは絶縁性の良いフッ素系樹脂等の配管からなり、最外層22cは設置電位とするためにステンレス等の金属製の配管からなっている。特に、中心層22bの絶縁性の良い配管には熱収縮性の高い材質のものを使用することで、最内層22aとの隙間を無くすことが出来、これによりプラズマのまわり込みを抑える効果を向上することが出来る。
【0017】
本発明の真空成膜装置1を用いて、ウエブ状基材にCVD法で薄膜を形成させる方法を説明すると、図1の真空成膜装置1内の巻き出し軸4にウエブ状基材原反11を装着した後、装置内の圧力を1〜50Paに調整する。続いて、原反から巻き出された基材フィルム14を0.1〜40m/minの任意のスピードで搬送し、巻き取り軸3で巻き取りながら、成膜室25のシャワーヘッド電極21a,21b,21c,21dのそれぞれのガス噴出穴からプロセスガスを導入する。さらに、前記シャワーヘッド電極21a,21b,21c,21dに40kHz〜13.56MHzの高周波電力を供給し、プラズマを発生させる。これにより、導入したプロセスガスである有機モノマーガス、酸素、窒素が反応し、基材フィルム14上に均一な無機化合物の薄膜、例えば酸化珪素、酸化チタンなどの薄膜を形成させることが可能である。
【0018】
前記プロセスガスは、酸素、窒素、プラズマ重合性のある有機モノマーからなり、前記有機モノマーとしては、主としてシリコーン系有機化合物が使用できる。例えば、テトラメチルシラン、トリメチルエチルシラン、ジメチルジエチルシランなどのテトラアルキルシラン系、ジエチルアミノトリメチルシランなどのジアルキルアミノトリアルキルシラン系、ヘキサメチルジシラン、ヘキサエチルジシランなどのヘキサアルキルジシラン系のいずれでも使用できる。
【0019】
【発明の効果】
本発明の真空成膜装置は、成膜手段としての電極を大型化することなく、シャワーヘッド電極を使用して複数個に増やし、その配置をウェブ状基材の巻取り方向に直角方向で千鳥状に配置することにより、基材上に薄膜を成膜する時にその成膜速度を向上することが出来、また基材の幅方向で安定した薄膜を積層可能となる。更に、電極への電力供給配管に3層構成の配管を用いる事で、プラズマがまわり込む事による異常放電及び無駄な電力消費を抑制することが可能となる。
従って本発明の真空成膜装置は、真空中にてウエブ状基材表面などに薄膜を形成する真空成膜装置、特に化学気相成長法(CVD法)等によりウエブ状基材フィルム表面に薄膜を形成する真空成膜装置として、優れた実用上の効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空成膜装置の全体を示す概略説明図である。
【図2】(a)は本発明の真空成膜装置にシャワーヘッド電極からなる成膜手段を設置した場合の一事例を示す部分拡大正面図であり、(b)はその部分拡大上面図である。
【図3】本発明の真空成膜装置に使用した3層構成の電力供給配管の断面図である。
【図4】従来の真空成膜装置の全体を示す概略説明図である。
【符号の説明】
1,2…真空成膜装置
3…巻取り軸
4…巻出し軸
5,6…アイドルローラ
7,8…張力検出器
9,10…テンションローラ
11…基材原反巻取
12…温調ドラム
13…電極
14…基材フィルム
15…成膜済みフィルム巻取
16,17…ニップローラ
18…ダンサローラ
19,20…プロセスガス噴出部
21a,21b,21c,21d…シャワーヘッド電極
22…電力供給配管
22a…電力供給配管最内層
22b…電力供給配管中心層
22c…電力供給管最外層
22d…中空
23…真空ポンプ
24…巻き出し・巻き取り室
25…成膜室
Claims (4)
- ウエブ状基材の巻出し・巻取り室と薄膜を形成させる成膜室を有する真空成膜装置において、該成膜室にプロセスガス噴出部と電極からなる成膜手段と、電極に電力を供給する電力供給配管とを備え、前記電極がウェブ状基材の下部に所定の間隔をおいて複数個配置され、前記電極がウェブ状基材の巻取り方向に対して直角方向で千鳥状に配置され、前記電極がシャワーヘッド電極であり、前記電力供給配管が中空構成の最内層、絶縁性を有する樹脂からなる中心層、金属からなる最外層の3層構成からなることを特徴とする真空成膜装置。
- 前記電力供給配管が水冷可能な配管であることを特徴とする請求項1記載の真空成膜装置。
- 前記絶縁性を有する樹脂が熱収縮性の高い材質であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の真空成膜装置。
- 前記請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空成膜装置を用いて、ウェブ状基材上に薄膜を形成させることを特徴とする薄膜の成膜方法。
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