JP2001126428A - ディスクドライブ用eブロック、ディスクドライブ、およびディスクドライブ用eブロックの製造方法 - Google Patents

ディスクドライブ用eブロック、ディスクドライブ、およびディスクドライブ用eブロックの製造方法

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JP2001126428A
JP2001126428A JP2000278527A JP2000278527A JP2001126428A JP 2001126428 A JP2001126428 A JP 2001126428A JP 2000278527 A JP2000278527 A JP 2000278527A JP 2000278527 A JP2000278527 A JP 2000278527A JP 2001126428 A JP2001126428 A JP 2001126428A
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P Williams Steven
スティーブン・ピィ・ウィリアムス
Douglas Richardes C
シィ・ダグラス・リチャーズ
C Hoffland Jonathan
ジョナサン・シィ・ホフランド
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    • G11B5/48Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
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    • G11B5/55Track change, selection or acquisition by displacement of the head
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランスデューサアセンブリをディスクドラ
イブの回転記憶ディスクの近くに位置決めするための、
改善されたEブロックを提供する。 【解決手段】 Eブロックはアクチュエータハブと、ト
ランスデューサアセンブリを回転記憶ディスクの近くに
保持するためのアクチュエータアームとを含む。アクチ
ュエータアームの少なくとも1つは、2つ未満のトラン
スデューサアセンブリを保持する疎のアクチュエータア
ームである。疎のアクチュエータアームは一体的に形成
された重みづけセグメントを含む。さらに疎のアクチュ
エータはダブルヘッドアクチュエータアームよりも厚み
が小さい。重みづけセグメントと、アームの厚みの減少
とによって、疎のアクチュエータアームは密のアクチュ
エータアームと同様に振動する。このためディスクドラ
イブを設計および調整してEブロックの脆性および共振
特性を改善することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】この発明は一般的に、データを記憶するた
めのディスクドライブに関する。より特定的には、この
発明はEブロックの共振特性および脆性を改善するため
に1つまたはそれ以上の一体的に形成された重みづけセ
グメントを含む、1つまたはそれ以上のアクチュエータ
アームを有するEブロックに関する。
【0002】ディスクドライブは、コンピュータおよび
データ処理システムにおいて情報をデジタル形式で記憶
するために広く用いられている。これらのディスクドラ
イブは通常1つまたはそれ以上の回転記憶ディスクを用
いて、デジタル形式でデータを記憶する。各記憶ディス
クは、典型的には記憶ディスクの各々の側にデータ記憶
面を含む。これらの記憶面は、通常トラックと呼ばれる
半径の異なる複数の細い環状の領域に分割される。典型
的には1つまたはそれ以上のアクチュエータアームを有
するEブロックを用いて、トランスデューサアセンブリ
のデータトランスデューサが各記憶ディスクの各データ
記憶面のすぐ近くに位置づけられる。Eブロックはアク
チュエータモータによって、記憶ディスクに対して動か
される。ディスクドライブの設計に依存して、各アクチ
ュエータアームは1つまたは2つのトランスデューサア
センブリを保持し得る。
【0003】ディスクから情報を転送および検索するた
めには、各データ記憶面の近くへの各トランスデューサ
アセンブリの正確で安定した位置決めが重要である。し
たがってEブロックおよびトランスデューサアセンブリ
における振動は、データトランスデューサの記憶ディス
クに対する不正確な位置づけによる、データ転送のエラ
ーを起こし得る。これを通常トラック外れモーションと
呼ぶ。加えてディスクドライブの輸送、取扱い、および
/または設置の際に極度の衝撃がかけられると、Eブロ
ックおよびトランスデューサアセンブリが極度に振動し
得る。その極度の振動によってデータトランスデューサ
が懸垂負荷力を超え、ディスク表面を離れる恐れがあ
り、その結果記憶ディスク面に戻るときにディスク表面
を打ったり破壊したりする恐れがある。
【0004】ディスクドライブのディスクのすべての表
面を用いることが最も経済的であるため、その各アーム
の端部に取付けられたヘッドを有するEブロックは、そ
の一番上と一番下のアームとが内側のアームに対して非
対称になる。1つのヘッドのみを保持する外側のアクチ
ュエータは「疎(depopulated)」と呼ぶ。2つのトラ
ンスデューサアセンブリを保持する内側のアクチュエー
タアームは「密(populated)」と呼ぶ。疎のアクチュ
エータアームは、1つのトランスデューサアセンブリの
みがアクチュエータアームに結合された非対称の性質の
ため、密のアクチュエータアームと異なる頻度で曲が
る。この非対称性の結果、付加的な振動モードおよびト
ラック外れモーションが起こる。
【0005】図1Aは、先行技術のEブロック10Pお
よびトランスデューサアセンブリ12Pの、アクチュエ
ータモータ(図示せず)から力が加えられたときの振動
を例示する上平面図である。図1Bも、先行技術のEブ
ロック10Pおよびトランスデューサアセンブリ12P
の、アクチュエータモータ(図示せず)から力が加えら
れたときの振動を例示する側面斜視図である。図1Aお
よび図1Bにおける先行技術のEブロック10Pは、4
つのアクチュエータアーム14Pおよび6つのトランス
デューサアセンブリ12を含む。一番上および一番下の
アクチュエータアーム14Pが疎のものであるのに対
し、真中の2つのアクチュエータアーム14Pは密のも
のである。この非対称な設計の結果、アクチュエータア
ーム14Pおよびトランスデューサアセンブリ12Pの
各々は、アクチュエータモータによって加えられる力、
およびディスクドライブにかけられる衝撃に対して異な
る反応をする。
【0006】図2−4は、非対称な設計がどのようにア
クチュエータアームおよび/またはトランスデューサの
共振特性に影響するかをさらに強調したものである。た
とえば図2は、図1Aおよび図1Bに例示されたEブロ
ックにアクチュエータモータから力が加えられた後の、
各々のデータトランスデューサ16Pに対するトラック
外れモーションのコンピュータシミュレーションを例示
したものである。図3は、図1Aおよび1Bに例示され
るEブロックに対する衝撃の持続時間の関数として、ア
ンロードに対するGのコンピュータシミュレーションを
例示したものである。言換えると、図3は所与の衝撃持
続時間に対して記憶ディスクの表面からトランスデュー
サを持上げるために必要とされるGを例示するものであ
る。図3において、18Pで示される曲線は疎のアクチ
ュエータアームのトランスデューサの動きを例示し、2
0Pで示される曲線の各々は密のアクチュエータアーム
に対するトランスデューサの動きを例示する。図4は、
図1Aおよび図1Bに例示されたEブロックに対する衝
撃の持続時間の関数として、Eブロック10Pのアクチ
ュエータアーム14Pに対するアームの偏向量を例示し
たものである。より特定的には、図4において22Pで
示される曲線はトランスデューサアセンブリを含まない
アクチュエータアームの動きを表わし、24Pで示され
る曲線は単一のトランスデューサアセンブリを有するア
クチュエータアームの動きを表わし、26Pで示される
曲線は2つのトランスデューサアセンブリが取付けられ
たアクチュエータアームの動きを表わす。
【0007】疎のアクチュエータアームの影響をなくす
ための1つの試みには、トランスデューサアセンブリを
各アクチュエータアームの各々の側に取付けることによ
って各アームが占有されるようにすることと、ディスク
ドライブに付加的な記憶ディスクを加えることとが含ま
れる。しかし、2つの付加的なトランスデューサアセン
ブリおよび付加的な記憶ディスクは、ディスクドライブ
の費用を増加させ、ディスクドライブ中の貴重な場所を
取る。代替的に、Eブロックの対称性を維持するため
に、4本のアームのEブロックの代わりに6つのトラン
スデューサを有する3本のアームのEブロックを用いる
こともできる。この設計では、1つの余分なディスクが
必要となり、一番外側のディスクの一番外側の2つの表
面が用いられなくなる。
【0008】トラック外れ振動およびヘッドの打ちつけ
を最小限にするための別の試みには、疎のアクチュエー
タアームの各々からダミーのスエージ板の形の質量を片
持ち支持することが含まれる。ダミーのスエージ板はシ
ステムに付加的な質量を加えるのに効果的であり得る。
しかし、ダミーのスエージ板はEブロックの慣性を増加
させる。その結果アクチュエータモータがEブロックを
早く動かせなくなるため、ディスクドライブに対するデ
ータシーク時間が増加する。さらに、これをトランスデ
ューサアセンブリの全長にすることは実用的でないダミ
ーのスエージ板は、典型的に異なる動的振る舞いおよび
剛性を有する。典型的には、短く簡単な形の片持ち梁ま
たはスエージベースが用いられる。加えて、ダミーのス
エージ板を適切に位置づけて疎のアクチュエータアーム
に取付けることはいくぶん難しい。このことはディスク
ドライブに余分な構成要素を付加するため、ディスクド
ライブの製造費用が増加する。
【0009】振動の影響によるヘッドの打ちつけを最小
限にするためのさらに別の試みでは、弾力のある台を用
いてディスクドライブを固定することが含まれる。弾力
のある台は曲がることによって衝撃を和らげ、ヘッドの
打ちつけを減少させる。不運なことに、弾力のある台も
データシーク要求の際のディスクドライブの性能を減少
させる。
【0010】上記に照らして、この発明の目的は、ディ
スクドライブのための1つまたはそれ以上の疎のアクチ
ュエータアームを有する安定なEブロックと、それを作
る方法とを提供することである。この発明の別の目的
は、ディスクドライブの性能を落とすことなく、改善さ
れた振動および共振特性を有するEブロックを提供する
ことである。この発明のさらに別の目的は、ヘッドの打
ちつけを最小化し、輸送、取扱いおよび設置に対するド
ライブの脆性を減少させたEブロックを提供することで
ある。この発明のさらに別の目的は、異なる数(altern
ative number)の記憶ディスクを有するディスクドライ
ブとの使用に適合し得るEブロックを提供することであ
る。この発明のさらに別の目的は、1つまたはそれ以上
の比較的容易におよび安価に製造される疎のアクチュエ
ータアームを有するEブロックを提供することである。
【0011】この発明は、これらの目的を満たすEブロ
ックと、ディスクドライブ用のEブロックを製造する方
法とに関する。このEブロックはアクチュエータハブ
と、アクチュエータハブに固定された疎のアクチュエー
タアームとを含む。疎のアクチュエータアームは2つ未
満のトランスデューサアセンブリを保持する。一意的に
は、疎のアクチュエータアームは、疎のアクチュエータ
アームに一体的に形成された第1の重みづけセグメント
を含む。第1の重みづけセグメントの大きさ、形および
位置は、疎のアクチュエータアームの共振特性を改善す
るように定められる。
【0012】共振特性が改善されると、Eブロックおよ
びトランスデューサアセンブリの振動量が減少し、これ
によってトラック外れモーションが減少し、ヘッドの打
ちつけが最小化し、ディスクドライブの精度が増加す
る。さらに、重みづけセグメントはアクチュエータアー
ムと一体化された部分であって、アクチュエータアーム
から離れて片持ち支持しないため、アクチュエータモー
タに対する動作衝撃が最小化され、またこのEブロック
の製造費用が増加しない。
【0013】実施例の1つにおいて、疎のアクチュエー
タアームは、単一のトランスデューサアセンブリを保持
する単一ヘッドアクチュエータアームである。この単一
ヘッドアクチュエータアームは結合側と、反対側の非結
合側とを含む。単一ヘッドアクチュエータアームは、1
つの記憶ディスクに近い結合側に1つのトランスデュー
サアセンブリを固定する。この実施例において、重みづ
けセグメントの大きさ、形および位置は、好ましくは単
一のトランスデューサアセンブリに釣合うように定めら
れる。
【0014】別の実施例において、疎のアクチュエータ
アームはトランスデューサアセンブリを保持しない、ヘ
ッドのないアクチュエータアームである。ヘッドのない
アクチュエータアームは、1対の互いに間隔をおかれた
非結合側と、1対の互いに間隔をおかれた重みづけセグ
メントとを含む。各重みづけセグメントはアクチュエー
タアームに一体的に形成され、その大きさ、形および位
置はヘッドのないアクチュエータアームの共振特性を改
善するように定められる。
【0015】ディスクドライブの設計に依存して、Eブ
ロックは1つまたはそれ以上の単一ヘッドアクチュエー
タアーム、1つまたはそれ以上のヘッドのないアクチュ
エータアーム、および1つまたはそれ以上のダブルヘッ
ドアクチュエータアームを含んでもよい。以下に詳細に
示すように、この特徴によって、たとえば異なる数の記
憶ディスクを有するディスクドライブのために、同じE
ブロック設計を代替的に生産できる。
【0016】この発明は、ディスクドライブ用のEブロ
ックの製造方法でもある。この方法は、アクチュエータ
ハブとアクチュエータハブに固定された疎のアクチュエ
ータアームとを有するEブロックを形成するステップを
含む。疎のアクチュエータアームは非結合側と、疎のア
クチュエータアームに一体的に形成された重みづけセグ
メントとを含む。重みづけセグメントの大きさ、形およ
び位置は、疎のアクチュエータアームの共振特性を改善
するように定められる。
【0017】加えて、疎のアクチュエータアームの各々
のアームの厚みは、ダブルヘッドアクチュエータアーム
の各々のアームの厚みよりも小さい。このため、疎のア
クチュエータアームの各々の横剛性は、ダブルヘッドア
クチュエータアームの各々の横剛性よりも小さくなる。
重みづけセグメントと減少した横剛性とを組合せること
によって、疎のアクチュエータアームの各々はダブルヘ
ッドアクチュエータアームの各々とほぼ同じ共振特性を
有するようになる。
【0018】重要なことは、一体的に形成された重みづ
けセグメントおよび減少した横剛性によって、製造費用
を大きく増加させたりディスクドライブの性能を落とし
たりすることなく、Eブロックの共振特性を改善できる
ことである。ここに提供される設計によって、疎のアク
チュエータアームおよびダブルヘッドアクチュエータア
ームは実質的に同じ共振特性を有する。このため、ディ
スクドライブの製造者はディスクドライブの設計および
調整を改善して、ヘッドの打ちつけおよびトラック外れ
モーションを最小限にすることができる。さらに、ディ
スクドライブをよりよく調整することによって、輸送お
よび取扱いの際にかかる衝撃に対するディスクドライブ
の脆性を改善できる。
【0019】この発明の新規の特徴およびこの発明自身
については、その構造および動作と同様、以下の説明お
よび添付の図面から最もよく理解されるであろう。図面
において、類似の参照記号は類似の部分を示す。
【0020】最初に図5を参照すると、この発明に従っ
たディスクドライブ10は、(i)ドライブハウジング
12と、(ii)ディスクアセンブリ14と、(ii
i)1つまたはそれ以上のアクチュエータアーム18を
有するEブロック16と、(iv)1つまたはそれ以上
のトランスデューサアセンブリ20と、(v)アクチュ
エータモータ22とを含む。ここに与えられたEブロッ
ク16は改善された共振特性を有する。このためにアク
チュエータアーム18における動きおよび曲げが減少
し、Eブロック16はより正確なデータ転送のためにト
ランスデューサアセンブリ20を正確に位置決めでき
る。加えて、Eブロック16をよりよく調整することに
より運搬、取扱いおよび設置に対するドライブの脆性を
減少することができる。
【0021】概観としては、Eブロック16は、各アク
チュエータアーム18がそこに固定されたトランスデュ
ーサアセンブリとともに類似の共振特性を有するよう
に、一意に設計される。このため、ドライブ製造者(図
示せず)はディスクドライブ10を設計および調整する
ことによってヘッドの打ちつけおよびトラック外れモー
ションを最小化することができる。
【0022】ディスクドライブ10のさまざまな構成要
素に関する詳細な説明は、この発明の譲受人であるクウ
ォンタム・コーポレイションに譲渡された、ハッチらに
よる米国特許第5,208,712号に提供されてい
る。米国特許第5,208,712号の内容をここに引
用により援用する。したがってここでは、この発明にと
って特に重要なディスクドライブ10の構造的局面につ
いてのみ詳細に述べる。
【0023】ドライブハウジング12はディスクドライ
ブ10のさまざまな構成要素を保持する。図1に例示さ
れるドライブハウジング12は、基台24および4つの
側壁26を含む。典型的なドライブハウジング12は、
側壁26によって基台24からの間隔をおかれるカバー
(図示せず)も含む。ドライブハウジング12は典型的
にはコンピュータ(図示せず)またはワードプロセッサ
(図示せず)の場合に設置される。
【0024】ディスクアセンブリ14は1つまたはそれ
以上の記憶ディスク28を含み、これはその後必要に応
じて検索できる形でデータを記憶する。データをデジタ
ル形式で記憶するためには通常、磁気記憶ディスク28
が用いられる。代替的には、各記憶ディスク28はたと
えば光ディスクまたは光磁気ディスクであってもよい。
場所を節約するために、各記憶ディスク28は好ましく
は記憶ディスク28の各々の側にデータ記憶面30を含
む。これらの記憶面30は典型的には、通常トラックと
呼ばれる半径の異なる複数の細い環状の領域(図示せ
ず)に分割される。記憶ディスク28は当業者に公知の
手法で製造される。
【0025】ディスクドライブ10の設計に依存して、
あらゆる数の記憶ディスク28をディスクドライブ10
とともに用いることができる。たとえばディスクドライ
ブ28は、1個、2個、3個、6個、9個、または12
個の記憶ディスク14を含んでもよい。両面記憶ディス
ク28に対しては、少なくとも1つのトランスデューサ
アセンブリ20を、隣接する記憶ディスク28の各記憶
面30のすぐ近くに位置決めできるよう、ディスク28
には互いに十分な距離の間隔をおかれる。場所を節約す
るため、連続的なディスク28の中心線(図示せず)は
典型的には約1ミリメートル(1.0mm)から3ミリ
メートル(3.0mm)の間隔をおかれる。
【0026】記憶ディスク28は、基台24に固定され
たスピンドルシャフト(図示せず)に取付けられたディ
スクスピンドル34上で互いに間隔をおかれる。ディス
クスピンドル34はディスク軸(図示せず)において、
スピンドルベアリングアセンブリ(図示せず)上のスピ
ンドルシャフトに対して回転する。典型的には、ディス
クスピンドル34および記憶ディスク28は、スピンド
ルモータ(図示せず)によって、予め定められた角速度
でディスク軸の周りを回転する。
【0027】記憶ディスク28の回転速度は、ディスク
ドライブ10の設計に従って変化する。現在、ディスク
ドライブ10の使用するディスク28は約4,500R
PMから10,000RPMの角速度で回転する。技術
の進歩により,ディスクドライブ10が約15,000
RPMまたはそれ以上という高速度で回転する記憶ディ
スク28を有することが可能になると予想される。
【0028】Eブロック16の設計は、アクチュエータ
モータ22の設計と、ディスクドライブ10の設計とに
依存する。アクチュエータモータ22は当業者に公知の
いくつかの別の手法で実現できる。たとえば、アクチュ
エータモータ22は回転ボイスコイルアクチュエータま
たは線形ボイスコイルアクチュエータであってもよい。
図5に示される実施例において、アクチュエータモータ
22は回転ボイスコイルアクチュエータである。この実
施例においては、アクチュエータモータ22の活性化に
よってEブロック16が回転し、トランスデューサアセ
ンブリ20を記憶ディスク28に対して正確に動かす。
【0029】図5に例示されるとおり、アクチュエータ
モータ22はEブロック16に取付けられたコイル36
を含む。コイル36は、ドライブハウジング12に固定
された、1対の互いに間隔をおかれた磁束復帰板40
(1つの磁束復帰板40のみを図示する)と、1対の互
いに間隔をおかれた永久磁石38(1つの磁石38のみ
を図示する)との間に配される。
【0030】磁石38の有する反対の極性の極面は、コ
イル36の対向する脚部に直接面する。その結果生じる
磁場のため、コイル36を流れる一方向の電流によって
Eブロック16がディスクアセンブリ14に対して一つ
の半径方向に回転し、逆向きの電流は逆向きの動きを起
こす。したがって、アクチュエータモータ22はEブロ
ック16をドライブハウジング12に対して双方向に回
転できる。
【0031】トランスデューサアセンブリ20は、コン
ピュータ(図示せず)またはワードプロセッサ(図示せ
ず)と、記憶ディスク28との間で情報を転送または伝
達する。ここに示される実施例において、各トランスデ
ューサアセンブリ20は負荷梁42と、負荷梁42をア
クチュエータアーム18に固定するベースプレート(図
示せず)と、湾曲部44と、データトランスデューサ4
6とを含む。負荷梁42は、湾曲部44およびデータト
ランスデューサ46をEブロック16に取付ける。典型
的には、各負荷梁42は記憶ディスク28に対して垂直
方向に可撓性であり、データトランスデューサ46を支
持するためのばねとして作用する。
【0032】各湾曲部44はデータトランスデューサ4
6の1つを負荷梁42の1つに取付けるために用いられ
る。典型的には、各湾曲部44はデータトランスデュー
サ46に電気的に接続された複数の導電湾曲部トレース
47を含む。続いて各湾曲部44は、湾曲部44をディ
スクドライブ10に電気的に接続する屈曲回路48に取
付けられる。
【0033】各データトランスデューサ46は記憶ディ
スク28の1つと相互作用して、記憶ディスク28にア
クセスまたは情報を転送する。磁気記憶ディスク28に
対して、データトランスデューサ46は通常、読書きヘ
ッドと呼ばれる。この装置は、磁気記憶ディスク28に
対する読書きヘッド以外のデータトランスデューサ46
に対して用い得ることが予想される。
【0034】Eブロック16は、トランスデューサアセ
ンブリ20を記憶ディスク28の適切なトラックのすぐ
近くに保持し、位置決めする。図6−図11に最もよく
みられるとおり、Eブロック16はアクチュエータハブ
50と、アクチュエータハブ50に取付けられそこから
片持ち支持する複数の平行なアクチュエータアーム18
とを含む。図に例示される実施例において、アクチュエ
ータハブ50は実質的に管状であり、アクチュエータシ
ャフト52(図5に例示)に取付け可能である。アクチ
ュエータハブ50はハブ軸53において、アクチュエー
タベアリングアセンブリ(図示せず)上のアクチュエー
タシャフト52に対して回転する。
【0035】アクチュエータアーム18はアクチュエー
タハブ50とともに動き、トランスデューサアセンブリ
20を記憶ディスク28の間の、記憶面30のすぐ近く
に位置決めする。各アクチュエータアーム18は、アク
チュエータハブ50に固定された基部54と、アクチュ
エータハブ50から片持ち支持する末端部56とを含
む。アクチュエータアーム18の間隔は、記憶ディスク
28の間隔に従って変化する。連続するアクチュエータ
アーム18間の距離は、典型的には約1ミリメートル
(1mm)から3ミリメートル(3mm)である。
【0036】各アクチュエータアーム18の末端部56
は実質的に矩形の断面を有してもよく、トランスデュー
サアセンブリ20をアクチュエータアーム18に取付け
るためのトランスデューサ孔58を含む。図6、図8お
よび図10に最もよくみられるとおり、各アクチュエー
タアーム18の幅は基部54から末端部56に向かって
だんだん細くなっている。細くなる度合はアクチュエー
タハブ50の設計およびディスクドライブ10の設計に
従って変化可能である。典型的には、その幅は約8度か
ら20度(8°−20°)細くなる。
【0037】加えて、各アクチュエータアーム18は、
各アクチュエータアーム18を軽くするために1つまた
はそれ以上のアームアパチャ59を含んでもよい。アー
ムアパチャ59の大きさ、形および数は、各アクチュエ
ータアーム18が十分硬い必要性と、空気抵抗および乱
流を最小限にする必要性とに両立しなければならない。
【0038】図6、図8および図10は、Eブロック1
6の3つの代替的な実施例を例示する斜視図である。こ
れらの実施例の各々において、Eブロック16は4本の
互いに間隔をおかれたアクチュエータアーム18を含
む。便宜上、一番上のアクチュエータアーム18を第1
のアクチュエータアーム18Aと呼び、次のアクチュエ
ータアーム18を第2のアクチュエータアーム18Bと
呼び、次のアクチュエータアーム18を第3のアクチュ
エータアーム18Cと呼び、一番下のアクチュエータア
ームを第4のアクチュエータアーム18Dと呼ぶ。
【0039】図6、図8および図10に例示される各々
の実施例において、Eブロック16は1つまたはそれ以
上の疎のアクチュエータアーム60を含む。各々の疎の
アクチュエータアーム60は2つ未満のトランスデュー
サアセンブリ20を保持するよう設計される。疎のアク
チュエータアーム60の2つのタイプ、すなわち単一ヘ
ッドアクチュエータアーム62とヘッドのないアクチュ
エータアーム64とを例示する。重要なことに、疎のア
クチュエータアーム60の各々は、Eブロック16の共
振特性を改善するために、疎のアクチュエータアーム6
0に一体的に形成された1つまたはそれ以上の重みづけ
セグメント65を含む。各重みづけセグメント65はE
ブロックに一体的に形成されているため、図7、図9お
よび図11において、各重みづけセグメント65の仮想
境界線を破線で表わす。
【0040】単一ヘッドアクチュエータアーム62はた
だ1つのトランスデューサアセンブリ18を保持するよ
う設計されており、結合側66および非結合側68を含
む。トランスデューサアセンブリ20は結合側66に取
付けられており、非結合側68は機能がなく(barre
n)、トランスデューサアセンブリを保持しないよう設
計されている。例示される単一ヘッドアクチュエータア
ーム62の各々について、重みづけセグメント65が、
単一ヘッドアクチュエータアーム62の非結合側68お
よび末端部56の近くに一体的に形成される。
【0041】各単一ヘッドアクチュエータアーム62の
重みづけセグメント56の大きさ、形および位置は、単
一ヘッドアクチュエータアーム62の共振特性を改善す
るように定められる。たとえば、単一ヘッドアクチュエ
ータアーム62の重みづけセグメント56は、単一ヘッ
ドアクチュエータアーム62の非結合側68に固定され
た第2のトランスデューサアセンブリ(図示せず)に似
せて設計されてもよい。言換えると、重みづけセグメン
ト56の大きさ、形および位置は、単一ヘッドアクチュ
エータアーム62の結合側66に固定された1つのトラ
ンスデューサアセンブリ20と釣合うように定められ
る。したがって、重みづけセグメント56の大きさ、形
および位置は、トランスデューサアセンブリ20の設計
に従って変化する。
【0042】ヘッドのないアクチュエータアーム64
は、トランスデューサアセンブリ18を保持しないよう
設計される。ヘッドのないアクチュエータアーム64の
各々は、機能のない1対の対向する非結合側68と、1
対の互いに間隔をおかれた重みづけセグメント65とを
含む。各重みづけセグメント65は、ヘッドのないアク
チュエータアーム64の、非結合側68の1つおよび末
端部56の近くに一体的に形成される。各重みづけセグ
メント65の大きさ、形および位置は、Eブロック16
の共振特性を改善するように定められる。たとえば、ヘ
ッドのないアクチュエータアーム64の重みづけセグメ
ント56の大きさ、形および位置は、ヘッドのないアク
チュエータアーム64に固定された1対のトランスデュ
ーサアセンブリ(図示せず)に似せて定められてもよ
い。したがって、各重みづけセグメント52の大きさ、
形および位置は、ディスクドライブ10に用いられるト
ランスデューサアセンブリ20の設計に従って変化す
る。
【0043】重要なことに、単一ヘッドアクチュエータ
アーム62の重みづけセグメント65は、単一ヘッドア
クチュエータアーム62にただ1つのトランスデューサ
アセンブリ20が固定されていることによる非対称性を
補償する。これにいくぶん類似して、ヘッドのないアク
チュエータアーム64の重みづけセグメント65は、ヘ
ッドのないアクチュエータアーム64にトランスデュー
サアセンブリが固定されていないことによる、Eブロッ
ク16の他方のアクチュエータアーム18に対する非対
称性を補償する。したがってこの発明は、一体的に形成
された重みづけセグメント65によって、アクチュエー
タアーム18から離れて片持ち支持する別個の構成要素
(図示せず)を付加することなく非対称性を補償する。
【0044】好ましくは、単一ヘッドアクチュエータア
ーム62の重みづけセグメント56の大きさ、形および
位置は、ヘッドのないアクチュエータアーム64の各重
みづけセグメント56に実質的に類似して定められる。
このことにより、単一ヘッドアクチュエータアーム62
はヘッドのないアクチュエータアーム64と同様の共振
特性を有するようになる。
【0045】各重みづけセグメント56の特定の設計
は、ディスクドライブ10およびトランスデューサアセ
ンブリ20の設計に従って変化する。重みづけセグメン
ト56の1つの実施例の特定の詳細については、図6お
よび図7を参照することによって最もよく理解されるで
あろう。各アクチュエータアーム18は、ハブ軸53か
らのアームの長さ70と、重みづけセグメント65に近
接するアームの厚み72と、アームの長手方向の軸74
とを有する。図7に示されるとおり、各重みづけセグメ
ント56は、アクチュエータハブ50のハブ軸53から
セグメントの距離76のところに位置決めされ、セグメ
ントの長さ78をもって延在する。さらに各重みづけセ
グメント65はセグメントの厚み80を有する。図7に
例示される実施例において、各重みづけセグメント56
に対するセグメントの距離76はハブ軸53からおよそ
25mmであり、セグメントの長さ78はおよそ2mm
であり、セグメントの厚み80はおよそ0.6mmであ
る。さらに、各重みづけセグメント56の重さはおよそ
0.07グラムである。重みづけセグメント56の特定
の大きさ、形および位置は、有限要素解析を用いて正確
に調整および最適化できる。
【0046】加えて図8−11に例示されるとおり、E
ブロック16は1つまたはそれ以上のダブルヘッドアク
チュエータアーム84を含んでもよい。ダブルヘッドア
クチュエータアーム84の各々は1対の結合側66を含
み、2つのトランスデューサアセンブリ20を固定す
る。各ダブルヘッドアクチュエータアーム84は2つの
トランスデューサアセンブリ20を固定するため、各ダ
ブルヘッドアクチュエータアームは対称であり、重みづ
けセグメントを含まない。ダブルヘッドアクチュエータ
アーム84は「密」とも呼ばれる。
【0047】1つまたはそれ以上の重みづけセグメント
65に加え、疎のアクチュエータアーム60の各々は、
ダブルヘッドアクチュエータアーム84の各々よりも低
い横剛性および低い共振周波数を有する。さらに、ヘッ
ドのないアクチュエータアーム64の各々は、単一ヘッ
ドアクチュエータアーム62の各々よりも低い横剛性お
よび低い共振周波数を有する。同様に、単一ヘッドアク
チュエータアーム62の各々は、ダブルヘッドアクチュ
エータアーム84の各々よりも低い横剛性および低い共
振周波数を有する。横剛性が低いことは、各重みづけセ
グメント65がトランスデューサアセンブリ20のよう
に片持ち支持しないという事実を補償すると考えられ
る。
【0048】疎のアクチュエータアーム60の各々に対
する剛性の減少量は、ディスクドライブ10、トランス
デューサアセンブリ20および重みづけセグメント65
の設計に従って変化する。有限要素解析を用いて、横剛
性の所望の量の差を正確に最適化することができる。
【0049】疎のアクチュエータアーム60の横剛性を
低くすることは、いくつかの手法でなしとげられる。た
とえば、疎のアクチュエータアーム60のアームアパチ
ャ59は、ダブルヘッドアクチュエータアーム84のア
ームアパチャ59よりも大きくてもよい。代替的には、
疎のアクチュエータアーム60のアームの厚み72は、
ダブルヘッドアクチュエータアーム84のアームの厚み
72よりも小さくてもよい。特にここに示した実施例に
おいては、ヘッドのないアクチュエータアーム64のア
ームの厚み72は、単一ヘッドアクチュエータアーム6
2のアームの厚み72よりもおよそ0.1から0.2ミ
リメートル小さい。同様に、単一ヘッドアクチュエータ
アーム62のアームの厚み72は、ダブルヘッドアクチ
ュエータアーム84のアームの厚み72よりもおよそ
0.1から0.2ミリメートル小さい。
【0050】重要なことに、この発明は一体的に形成さ
れた重みづけセグメント65および減少した横剛性を用
いて、ヘッドのないアクチュエータアーム64および単
一ヘッドアクチュエータアーム62の共振特性を変更す
る。好ましくは、ヘッドのないアクチュエータアーム6
4および単一ヘッドアクチュエータアーム62の各々の
共振特性を変更することによって、ダブルヘッドアクチ
ュエータアーム84を模し、同様の振動特性を有するよ
うにする。これによってディスクドライブ10の製造者
は、ディスクドライブ10のすべてのアクチュエータア
ーム18の調整を改善し、データトランスデューサ46
の打ちつけおよびトラック外れモーションを最小限にす
ることができる。このためディスクドライブ10の輸
送、取扱い、設置および使用におけるドライブの脆性が
減少する。
【0051】要約すると、重みづけセグメント65の横
剛性および質量を増加させることによって、疎のアクチ
ュエータアーム60の各々のアームモードの本来の共振
周波数が、密のアーム84の各々の共振周波数とそろう
ようにする。
【0052】図12は、アクチュエータモータ22によ
る動きの後の、図10および図11に例示される6つの
データトランスデューサ46の各々に対する共振曲線の
コンピュータシミュレーションを例示したものである。
図12において重要なのは、各データトランスデューサ
46に対する共振曲線が、Eブロック16の一意の設計
の結果と実質的に同じであることが認められることであ
る。
【0053】図13は、図10および図11に例示され
る実施例に対する衝撃の持続時間の関数として、アンロ
ードに対するGのコンピュータシミュレーションを例示
したものである。より特定的には、図13はトランスデ
ューサアセンブリ20を記憶ディスク28から持上げる
ために必要とされるGを例示する。特に、86で示され
る曲線は、単一ヘッドアクチュエータアーム62に対す
るトランスデューサアセンブリ20の動きを例示するも
のである。これにいくぶん類似して、88で示される曲
線の各々は、ダブルヘッドアクチュエータアーム84に
対するトランスデューサアセンブリ20の1つの動きを
例示するものである。図13からは、この一意の発明の
結果、衝撃を受けたときのトランスデューサアセンブリ
20の動きが大変類似していることが明らかである。し
たがって、製造者はディスクドライブ10の調整を改善
して衝撃の影響を最小限にすることができる。
【0054】図14は、図10および図11に例示され
るEブロック16のアクチュエータアーム18の偏向の
コンピュータシミュレーションを、衝撃の持続時間の関
数として例示したものである。特に、所与の衝撃に対
し、90で示される曲線はヘッドのないアクチュエータ
アーム64の動きを例示し、92で示される曲線は単一
ヘッドアクチュエータアーム62の偏向を例示し、94
で示される曲線はダブルヘッドアクチュエータアーム8
4の動きを例示する。この発明の結果として、アクチュ
エータアーム18は所与の衝撃を受けたときにいくぶん
類似した反応をする。このため、製造者はディスクドラ
イブ10の調整を改善してこのような衝撃を補償するこ
とができる。
【0055】図6および図7に戻ると、ここに例示され
るEブロック16は、単一の記憶ディスク28(図6お
よび図7には図示せず)を有するディスクドライブ10
とともに用いるために設計されている。このEブロック
16は1対のヘッドのないアクチュエータアーム64
と、1対の単一ヘッドアクチュエータアーム62とを含
む。この実施例において、第1および第2のアクチュエ
ータアーム18A、18Bはヘッドのないアクチュエー
タアーム64であり、第3および第4のアクチュエータ
アーム18C、18Dは単一ヘッドアクチュエータアー
ム62である。1つの記憶ディスクが2本の単一ヘッド
アクチュエータアーム62の間に位置決めされる。
【0056】図8および図9に例示される実施例におい
て、Eブロック16は2つの記憶ディスク28(図8お
よび図9には図示せず)を有するディスクドライブ10
とともに用いるために設計されている。この実施例にお
いて、第1のアクチュエータアーム18Aはヘッドのな
いアクチュエータアーム64であり、第2および第4の
アクチュエータアーム18Bおよび18Dは単一ヘッド
アクチュエータアーム62であり、第3のアクチュエー
タアーム18Cはダブルヘッドアクチュエータアーム8
4である。
【0057】図10および図11に例示される実施例に
おいて、Eブロック16は3つの記憶ディスク28(図
10および図11には図示せず)を有するディスクドラ
イブ10とともに用いるために設計されている。この実
施例において、第1および第4のアクチュエータアーム
18A、18Dは単一ヘッドアクチュエータアーム62
であり、第2および第3のアクチュエータアーム18
B、18Cはダブルヘッドアクチュエータアームであ
る。
【0058】Eブロック16を作るために多くのプロセ
スが使用可能である。たとえば、Eブロック16は適切
な大きさに押出成形および機械加工されてもよい。代替
的には、Eブロック16は射出成形または鋳造されても
よい。Eブロック16に対する好適な材料はアルミニウ
ム合金、マグネシウム合金、強化プラスチック、または
セラミック材料である。代替的には、アクチュエータア
ーム18は別個の小片として形成され、当業者に公知の
適切な接合技術によって互いに接続されてもよい。
【0059】一意的には、この発明によって、図6、図
8および図10に例示される代替的な実施例に対するE
ブロック16を、各々同じ方式の鋳造から機械加工する
ことができる。言換えると、図6、図8および図10に
例示される代替的な実施例に対して、同じ鋳型(図示せ
ず)を用いることができる。粗製Eブロック(図示せ
ず)を鋳型から取外した後、アクチュエータアーム18
が所望の構成に機械加工される。したがって単一の鋳型
を用いて、代替的なドライブ構成のための釣合いのとれ
たEブロックを作ることができる。さらに、各重みづけ
セグメント65がアクチュエータアーム18の一部とし
て一体化しているため、付加的な構成要素が必要とされ
ない。
【0060】さらに、重みづけセグメント65および減
少した横剛性のために、ヘッドのないアクチュエータア
ーム64および単一ヘッドアクチュエータアーム62
は、ダブルヘッドアクチュエータアーム84と類似の振
動特性を有する。したがって図6、図8および図10に
例示されたEブロック16の3つの実施例は、各々が代
替的なドライブ構成のために設計されたにもかかわら
ず、いくぶん類似した振動特性を有する。
【0061】要約すると、ここに提供した一意のプロセ
スによって、いくつかの代替的なディスクドライブ10
に対するEブロック16を同じ鋳型から作ることができ
る。さらにこのEブロック16は、付加的な釣合いを取
る部分および/または構成要素を加えることなく、ディ
スクドライブ10の共振特性を改善する。さらに、各重
みづけセグメント65はアクチュエータアーム18から
片持ち支持しないため、Eブロックの慣性は大きく増加
しない。
【0062】ここに示し詳細に開示した特定のEブロッ
ク16およびディスクドライブ10によって、前述の目
的を得ることおよび利点を与えることが完全に可能であ
るが、これはこの発明の現在好ましい実施例を単に例示
するものであって、添付の請求項の記載以外の、ここに
示した構成または設計の詳細に対するいかなる制限も意
図するものではないことが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1Aは先行技術のEブロックおよびトラン
スデューサアセンブリの曲げを例示する上面図である。
図1Bは先行技術のEブロックおよびトランスデューサ
アセンブリの曲げを例示する斜視図である。
【図2】 図1Aおよび図1Bの先行技術のEブロック
およびトランスデューサアセンブリに対するボード線図
のコンピュータシミュレーションを例示する図である。
【図3】 記憶ディスクからトランスデューサをアンロ
ードするためのGのコンピュータシミュレーションを、
図1Aおよび図1Bの先行技術のEブロックおよびトラ
ンスデューサアセンブリに対する衝撃の持続時間の関数
として例示する図である。
【図4】 図1Aおよび図1Bにおけるアクチュエータ
アームのアーム偏向のコンピュータシミュレーションを
例示する図である。
【図5】 この発明の特徴を有するディスクドライブを
示す斜視図である。
【図6】 この発明の特徴を有するEブロック、トラン
スデューサアセンブリ、コイルおよび屈曲回路の第1の
実施例を示す斜視図である。
【図7】 図6に例示されるEブロック、トランスデュ
ーサアセンブリおよびコイルを示す側面図である。
【図8】 この発明の特徴を有するEブロック、トラン
スデューサアセンブリ、コイルおよび屈曲回路の第2の
実施例を示す斜視図である。
【図9】 図8に例示されるEブロック、トランスデュ
ーサアセンブリおよびコイルの側面図である。
【図10】 この発明の特徴を有するEブロック、トラ
ンスデューサアセンブリ、コイルおよび屈曲回路の第3
の実施例を示す斜視図である。
【図11】 図10に例示されるEブロック、トランス
デューサアセンブリおよびコイルを示す側面図である。
【図12】 図10および図11に例示されるデータト
ランスデューサが動いた後の、共振曲線のコンピュータ
シミュレーションを例示する図である。
【図13】 図10および図11に例示される実施例に
対する衝撃の持続時間の関数として、トランスデューサ
を記憶ディスクからアンロードするためのGのコンピュ
ータシミュレーションを例示する図である。
【図14】 図10および図11に例示されるEブロッ
クに対する衝撃の持続時間の関数として、アクチュエー
タアームのアーム偏向のコンピュータシミュレーション
を例示する図である。
【符号の説明】
10 ディスクドライブ、16 Eブロック、20 ト
ランスデューサアセンブリ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シィ・ダグラス・リチャーズ アメリカ合衆国、95132 カリフォルニア 州、サン・ノゼ、チャブリス・サークル、 3517 (72)発明者 ジョナサン・シィ・ホフランド アメリカ合衆国、95117 カリフォルニア 州、サン・ノゼ、ウッドリーフ・コート、 3791

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ディスクドライブのためのEブロックで
    あって、ディスクドライブは1つまたはそれ以上のトラ
    ンスデューサアセンブリと、1つまたはそれ以上の記憶
    ディスクとを含み、Eブロックはアクチュエータハブ
    と、 アクチュエータハブに固定された疎のアクチュエータア
    ームとを含み、疎のアクチュエータアームは2つ未満の
    トランスデューサアセンブリを保持するように適合さ
    れ、その疎のアクチュエータアームは第1の非結合側
    と、疎のアクチュエータアームの第1の非結合側の近く
    に一体的に形成された第1の重みづけセグメントとを含
    み、第1の重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、疎のアクチュエータアームの共振特性を改善するよ
    うに定められる、Eブロック。
  2. 【請求項2】 疎のアクチュエータアームは、1つのト
    ランスデューサアセンブリを保持するために適合した単
    一ヘッドアクチュエータアームであり、単一ヘッドアク
    チュエータアームは第1の非結合側と実質的に対向する
    結合側を含み、単一ヘッドアクチュエータアームは結合
    側に1つのトランスデューサアセンブリを固定するよう
    に適合される、請求項1に記載のEブロック。
  3. 【請求項3】 第1の重みづけセグメントの大きさ、形
    および位置は、1つのトランスデューサアセンブリと釣
    合うように定められる、請求項2に記載のEブロック。
  4. 【請求項4】 アクチュエータハブに固定されたダブル
    ヘッドアクチュエータアームを含み、ダブルヘッドアク
    チュエータアームは2つのトランスデューサアセンブリ
    を固定するように適合され、ダブルヘッドアクチュエー
    タアームは疎のアクチュエータアームよりも高い横剛性
    を有する、請求項2に記載のEブロック。
  5. 【請求項5】 アクチュエータハブに固定されたヘッド
    のないアクチュエータアームをさらに含み、ヘッドのな
    いアクチュエータアームはトランスデューサアセンブリ
    を固定しないよう設計され、ヘッドのないアクチュエー
    タアームは第1の非結合側と、対向する第2の非結合側
    と、1対の互いに間隔をおかれた重みづけセグメントと
    を含み、各重みづけセグメントはヘッドのないアクチュ
    エータアームの非結合側の近くに一体的に形成され、各
    重みづけセグメントの大きさ、形および位置は、ヘッド
    のないアクチュエータアームの共振特性を改善するよう
    に定められる、請求項2に記載のEブロック。
  6. 【請求項6】 単一ヘッドアクチュエータアームは、ヘ
    ッドのないアクチュエータアームよりも高い横剛性を有
    する、請求項5に記載のEブロック。
  7. 【請求項7】 アクチュエータハブに固定されたダブル
    ヘッドアクチュエータアームを含み、ダブルヘッドアク
    チュエータアームは2つのトランスデューサアセンブリ
    を固定するように適合され、ダブルヘッドアクチュエー
    タアームは疎のアクチュエータアームよりも高い横剛性
    を有する、請求項1に記載のEブロック。
  8. 【請求項8】 疎のアクチュエータアームはヘッドのな
    いアクチュエータアームであり、ヘッドのないアクチュ
    エータアームはトランスデューサアセンブリを固定しな
    いよう設計され、ヘッドのないアクチュエータアームは
    第2の非結合側と、第2の重みづけセグメントとを含
    み、第2の重みづけセグメントはヘッドのないアクチュ
    エータアームの第2の非結合側の近くに一体的に形成さ
    れ、第2の重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、ヘッドのないアクチュエータアームの共振特性を改
    善するように定められる、請求項1に記載のEブロッ
    ク。
  9. 【請求項9】 アクチュエータハブに固定されたダブル
    ヘッドアクチュエータアームを含み、ダブルヘッドアク
    チュエータアームは2つのトランスデューサアセンブリ
    を固定するように適合され、ダブルヘッドアクチュエー
    タアームは疎のアクチュエータアームよりも高い横剛性
    を有する、請求項8に記載のEブロック。
  10. 【請求項10】 記憶ディスクおよび請求項1に記載の
    Eブロックを含む、ディスクドライブ。
  11. 【請求項11】 ドライブハウジングと、 ドライブハウジングに固定され、ドライブハウジングに
    対して回転する1つまたはそれ以上の記憶ディスクと、 1つまたはそれ以上のトランスデューサアセンブリと、 1つまたはそれ以上のトランスデューサアセンブリをド
    ライブハウジングに対して動かすEブロックとを含み、
    Eブロックはアクチュエータハブと、アクチュエータハ
    ブに固定された疎のアクチュエータアームとを含み、疎
    のアクチュエータアームは2つ未満のトランスデューサ
    アセンブリを保持し、疎のアクチュエータアームは第1
    の非結合側と、疎のアクチュエータアームの第1の非結
    合側の近くに一体的に形成された第1の重みづけセグメ
    ントとを含み、第1の重みづけセグメントの大きさ、形
    および位置は、疎のアクチュエータアームの共振特性を
    改善するように定められる、ディスクドライブ。
  12. 【請求項12】 疎のアクチュエータアームは、1つの
    トランスデューサアセンブリを保持する単一ヘッドアク
    チュエータアームであり、単一ヘッドアクチュエータア
    ームは第1の非結合側と実質的に対向する結合側を含
    み、単一ヘッドアクチュエータアームは結合側に1つの
    トランスデューサアセンブリを固定する、請求項11に
    記載のディスクドライブ。
  13. 【請求項13】 Eブロックはアクチュエータハブに固
    定されたダブルヘッドアクチュエータアームを含み、ダ
    ブルヘッドアクチュエータアームは2つのトランスデュ
    ーサアセンブリを固定するように適合され、ダブルヘッ
    ドアクチュエータアームの有するアームの厚みは、疎の
    アクチュエータアームのアームの厚みよりも大きい、請
    求項11に記載のディスクドライブ。
  14. 【請求項14】 アクチュエータハブに固定されたダブ
    ルヘッドアクチュエータアームを含み、ダブルヘッドア
    クチュエータアームは2つにのトランスデューサアセン
    ブリを固定するように適合され、ダブルヘッドアクチュ
    エータアームは疎のアクチュエータアームよりも高い横
    剛性を有する、請求項11に記載のEブロック。
  15. 【請求項15】 疎のアクチュエータアームはヘッドの
    ないアクチュエータアームであり、ヘッドのないアクチ
    ュエータアームはトランスデューサアセンブリを固定し
    ないよう設計され、ヘッドのないアクチュエータアーム
    は第2の非結合側と第2の重みづけセグメントとを含
    み、第2の重みづけセグメントはヘッドのないアクチュ
    エータアームの第2の非結合側の近くに一体的に形成さ
    れ、第2の重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、ヘッドのないアクチュエータアームの共振特性を改
    善するように定められる、請求項11に記載のディスク
    ドライブ。
  16. 【請求項16】 ディスクドライブのためのEブロック
    であって、ディスクドライブは1つまたはそれ以上のト
    ランスデューサアセンブリと、1つまたはそれ以上の記
    憶ディスクとを含み、Eブロックはアクチュエータハブ
    と、 アクチュエータハブに固定された疎のアクチュエータア
    ームとを含み、疎のアクチュエータアームは2つ未満の
    トランスデューサアセンブリを保持するために適合し、
    さらにアクチュエータハブに固定されたダブルヘッドア
    クチュエータアームを含み、ダブルヘッドアクチュエー
    タアームは2つのトランスデューサアセンブリを固定す
    るように適合され、ダブルヘッドアクチュエータアーム
    は疎のアクチュエータアームよりも高い横剛性を有す
    る、Eブロック。
  17. 【請求項17】 疎のアクチュエータアームは第1の非
    結合側と、疎のアクチュエータアームの第1の非結合側
    の近くに一体的に形成された第1の重みづけセグメント
    とを含み、第1の重みづけセグメントの大きさ、形およ
    び位置は、疎のアクチュエータアームの共振特性を改善
    するように定められる、請求項16に記載のEブロッ
    ク。
  18. 【請求項18】 疎のアクチュエータアームは、1つの
    トランスデューサアセンブリを保持するために適合した
    単一ヘッドアクチュエータアームであり、単一ヘッドア
    クチュエータアームは第1の非結合側と実質的に対向す
    る結合側を含み、単一ヘッドアクチュエータアームはそ
    の結合側に1つのトランスデューサアセンブリを固定す
    るように適合される、請求項17に記載のEブロック。
  19. 【請求項19】 疎のアクチュエータアームはヘッドの
    ないアクチュエータアームであり、ヘッドのないアクチ
    ュエータアームはトランスデューサアセンブリを固定し
    ないよう設計され、ヘッドのないアクチュエータアーム
    は第2の非結合側と第2の重みづけセグメントとを含
    み、第2の重みづけセグメントはヘッドのないアクチュ
    エータアームの第2の非結合側の近くに一体的に形成さ
    れ、第2の重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、ヘッドのないアクチュエータアームの共振特性を改
    善するように定められる、請求項17に記載のEブロッ
    ク。
  20. 【請求項20】 ダブルヘッドアクチュエータアームの
    有するアームの厚みが、疎のアクチュエータアームのア
    ームの厚みよりも大きい、請求項16に記載のEブロッ
    ク。
  21. 【請求項21】 ディスクドライブのためのEブロック
    を製造する方法であって、ディスクドライブは1つまた
    はそれ以上のトランスデューサアセンブリと、1つまた
    はそれ以上の記憶ディスクとを含み、この方法はアクチ
    ュエータハブと、アクチュエータハブに固定された第1
    の疎のアクチュエータアームとを含むEブロックを形成
    するステップを含み、疎のアクチュエータアームは第1
    の非結合側と、疎のアクチュエータアームの非結合側の
    近くに一体的に形成された第1の重みづけセグメントと
    を含み、重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、疎のアクチュエータアームの共振特性を改善するよ
    うに定められる、方法。
  22. 【請求項22】 Eブロックを形成する方法は、疎のア
    クチュエータアームを形成して単一ヘッドアクチュエー
    タアームにするステップを含み、単一ヘッドアクチュエ
    ータアームは第1の非結合側と実質的に対向する結合側
    を含み、単一ヘッドアクチュエータアームはその結合側
    に1つのトランスデューサアセンブリを固定するために
    適合する、請求項21に記載の方法。
  23. 【請求項23】 Eブロックを形成するステップは、ア
    クチュエータハブに固定されたヘッドのないアクチュエ
    ータアームを形成するステップを含み、ヘッドのないア
    クチュエータアームはトランスデューサアセンブリを固
    定しないよう設計されており、ヘッドのないアクチュエ
    ータアームは第1の非結合側と、第2の非結合側と、ヘ
    ッドのないアクチュエータアームに一体的に形成され
    た、1対の互いに間隔をおかれた重みづけセグメントと
    を含み、各重みづけセグメントの大きさ、形および位置
    は、ヘッドのないアクチュエータアームの共振特性を改
    善するように定められる、請求項22に記載の方法。
  24. 【請求項24】 Eブロックを形成するステップは、ア
    クチュエータハブに固定されたダブルヘッドアクチュエ
    ータアームを形成するステップを含み、ダブルヘッドア
    クチュエータアームは2つのトランスデューサアセンブ
    リを固定するために適合し、ダブルヘッドアクチュエー
    タアームは疎のアクチュエータアームよりも高い横剛性
    を有する、請求項21に記載の方法。
  25. 【請求項25】 Eブロックを形成するステップは、疎
    のアクチュエータアームを形成してヘッドのないアクチ
    ュエータアームにするステップを含み、ヘッドのないア
    クチュエータアームは、第1の非結合側と実質的に対向
    する第2の非結合側と、ヘッドのないアクチュエータア
    ームに一体的に形成された第2の重みづけセグメントと
    を含み、ここでヘッドのないアクチュエータアームはト
    ランスデューサアセンブリを固定しないために適合す
    る、請求項21に記載の方法。
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