JP2001119927A - チャージポンプ昇圧回路および安定化電圧発生回路 - Google Patents

チャージポンプ昇圧回路および安定化電圧発生回路

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JP2001119927A JP29820799A JP29820799A JP2001119927A JP 2001119927 A JP2001119927 A JP 2001119927A JP 29820799 A JP29820799 A JP 29820799A JP 29820799 A JP29820799 A JP 29820799A JP 2001119927 A JP2001119927 A JP 2001119927A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】低電圧電源でも効率良く電力を取り出すことが
可能な同期整流型チャージポンプ昇圧回路と、それを用
いた最低入力電源電圧より僅かに低い電圧を出力可能な
ICチップ内高安定化電圧発生回路とを提供することを
目的とする。 【解決手段】チャージポンプ昇圧回路は非安定マルチバ
イブレータ回路400及び電流ミラー回路500およ
び、倍電圧整流を行うための同期整流トランジスタQ1
とキック容量C2及び、同期整流トランジスタQ7とキ
ック容量C6を有しており、電流ミラー回路500によ
り非安定マルチバイブレータ回路400の発振特性を決
める電流を調整している。また、同期整流トランジスタ
Q1及び同期整流トランジスタQ7により、非安定マル
チバイブレータ回路400のトランジスタがONとなる
サイクルに同期して電流を効率良く取り出している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】光半導体駆動回路や、光受信
回路など、高速バイポーラ・プロセスを使った高速アナ
ログ回路一般を対象とした、チップ内安定化電圧発生回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】最近のマルチメディアの発展を支える高
速信号処理ICに付いては、その高スループット動作と
処理能力を最高に引き出すために、システムの電源電圧
とは異なった電圧で動作させる必要のある場合が多くな
ってきた。中でもCPUやDSP(Digital S
ignal Processor)など数W以上のパワ
ーを必要とする場合には、始めから多出力電源を用意し
たり、または、ICを実装する基板にDC−DCコンバ
ータ電源を実装して電圧を変換して対処している。これ
らの例のように大電力を必要とする場合には、全体の電
力効率まで考えると基板上にマルチチップIC構成と
し、必要に応じて能動素子も組み合わせて使ったハイブ
リッド構成はメリットがある。しかし、1W以下の消費
電力で回路規模もそれ程大きくないICにおいては、I
C内部で必要とする特殊電圧は同一チップ内に電源回路
を組み込んで、ワンチップ化することが要請されてい
る。特に、チップ内での動作条件変化に対する電圧安定
性や電圧の絶対値そのものが重要な場合には、IC内外
の周辺回路による雑音の影響や配線電圧降下を極力避け
る意味からも、その電源電圧をチップ内で発生する回路
構成が有利となり、それが不可欠な条件となることも多
い。
【0003】外部から供給される最低電源電圧より1V
以上低い電圧を出力する場合、バンドギャップ電圧を基
準とした直列制御方式の安定化電圧回路をIC内部に組
み込んで出力を得ることが可能であった。一方最低電源
電圧に対して1V未満の電圧を出力する場合、直列制御
方式を用いて実現することは困難であった。一般に高速
アナログ・バイポーラ回路におけるトランジスタのベー
ス・エミッタ動作電圧は0.85V程度と高く、トラン
ジスタを縦積みにした回路において、動作に必要な最低
電圧は2.5V以上となる。回路マージンの確保を考慮
すれば、2.7V程度の出力電圧を発生する必要があ
る。従って、±10%の変動を認める3.3V電源電圧
の回路の場合には、3.0Vの電源電圧最低値から2.
7V以上の安定化出力電圧を発生する必要があり、元々
供給された電源電圧と内部で発生した安定化電圧との差
は0.3Vだけとなる。従来はこのような場合、チャー
ジポンプ回路などのDC−DCコンバータ昇圧回路を使
ってきた。すなわち、入力電圧の3Vをチョッパー変調
し、キック容量やインダクターの助けを借りて昇圧し、
ダイオードなどで整流した電荷を出力容量に蓄め、必要
に応じてその昇圧出力を安定化する回路方式が採用され
てきた。しかし必要とする出力パワーが数10mW以上
となる場合には、ICの外部に大容量のキック容量やイ
ンダクターを接続したり、最終的には出力リップル変動
を小さくするための大容量を使ったフィルターを接続す
る構成が不可欠であった。例外的にICチップ内部品だ
けで発生させた場合でも、使用目的がディジタル回路用
電圧であるため、出力電力が小さかったり、ある程度リ
ップル雑音が大きくても良く、かつ、電圧変動もかなり
あっても構わないものを対象とした昇圧回路であった。
【0004】図8はCMOSを用いた負電源用昇圧回路
の例である。外部クロックCLK電圧入力をCMOSイ
ンバータで−1.5V振幅のパルス変調増幅したのち、
キック容量Cで昇圧された電荷を同期FETスイッチで
倍電圧整流している。外部クロック信号発生回路が必要
となることに加えて、基本的には半波整流回路であるの
でその値は負荷容量に強く依存するが、リップルは比較
的大きく、−3Vの出力からは大きな電流出力は採れな
い。もし負荷電流を増やした場合には、出力電圧は急激
に落ちる特性を示す。また、倍電圧整流回路に関して調
べて見ると、高速バイポーラ・プロセスでは専用の高速
のスイッチダイオードのサポートは普通無いため、トラ
ンジスタのコレクタとベースを接続したダイオード接続
トランジスタが代わりに使われる。従って、チャージポ
ンプ回路で整流用に使用されるダイオードの順方向電圧
は、室温で0.85V程度と高めとなる。特に低温では
この値が更に上昇し、遮断周波数が15GHzのバイポ
ーラ・プロセスの例では、−20℃で0.95Vから
1.0V程度の値を示した。このため、電源電圧3V電
圧をスイッチし、ダイオード接続のトランジスタで機械
的に整流するチャージポンプ回路を設計すると、発振器
に入力した電力に対して出力効率10%程度の負荷を繋
いだ場合でも、−20℃では出力電圧は3.4V程度し
か得られない。直列制御方式で2.7V程度の出力電圧
を得るためには、最低でも3.8V以上が必要であり、
倍電圧整流でも出力電圧不足になってしまう。もっと高
い電圧を得るために昇圧回路の段数を増やした場合に
は、電圧変動が大きくなるばかりで無く、電力変換効率
が更に下がるためスイッチ電流が増え、チップ内内部雑
音が大きくなる。加えて、入力電源電圧が3.6Vにな
った時には、出力電圧が高くなり過ぎて、高周波プロセ
スのトランジスタでは耐圧が不足する問題が生じる。こ
のため、倍電圧整流のままで約4V以上の出力が得られ
るチャージポンプ回路の実現が緊急の課題となってい
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】直列制御方式の安定化
電圧回路を用いて、最低電源電圧に対して1V未満の差
の電圧を出力することは困難であった。また、直列制御
方式の安定化電圧回路内部にチャージポンプ昇圧回路を
接続して電源電圧を昇圧する場合、出力パワーとして数
10mW以上を得るためには、外部に大容量のキック容
量やインダクターを接続したり、最終的には出力リップ
ル変動を小さくするための大容量の出力容量を接続する
構成が不可欠であった。本発明は上記の課題を解決する
ことを目的とする。すなわち、直列制御方式とチャージ
ポンプ方式の両者の不都合を克服して高周波バイポーラ
・プロセスに適合し、アナログ回路に要求される1mV
程度以下の安定度とリップル雑音特性を持ち、入力電圧
3Vの場合でも最高2.7Vの出力と10mA以上の出
力電流が容易に得られ、更には外付部品なしでワンチッ
プIC化が可能な安定化電圧回路を提供することを目的
とする。また、温度変動や電源電圧変動に拘わらず、安
定した高い出力電圧を得ることが可能なチャージポンプ
昇圧回路を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本願発明のチャージポン
プ昇圧回路は、同一特性の第一のトランジスタ及び第二
のトランジスタを用いて相補的に発振を行う自励発振手
段と、前記自励発振手段の出力電圧を倍電圧整流する手
段と、前記自励発振手段の出力パルスを制御する手段と
を具備し、前記倍電圧整流する手段は、前記第一のトラ
ンジスタのコレクタに接続した第一の容量と、前記第一
の容量の他端に接続したエミッタ及び、電源に接続した
コレクタ及び、前記第二のトランジスタのコレクタに第
二の容量を介して接続したベースとを有する第三のトラ
ンジスタと、前記第一の容量の他端に接続した第一のダ
イオードと、前記第一のダイオードに接続した蓄積容量
と、前記蓄積容量に接続したRCフィルタ容量とを有
し、前記第一のトランジスタのコレクタ電圧がロー時
に、前記第一の容量に前記第三のトランジスタを介して
電源より電流が注入され、前記第一のトランジスタのコ
レクタ電圧がハイ時に、前記蓄積容量に前記第一の容量
から前記第一のダイオードを介して電流が蓄積容量に注
入されることを特徴とし、また、前記倍電圧整流する手
段は、前記第二のトランジスタのコレクタに接続した第
三の容量と、前記第三の容量の他端に接続したエミッタ
及び、電源に接続したコレクタ及び、前記第一のトラン
ジスタのコレクタに第四の容量を介して接続したベース
とを有する第四のトランジスタと、前記第三の容量の他
端に接続し、且つ前記蓄積容量に接続した第二のダイオ
ードとを有し、前記第二のトランジスタのコレクタ電圧
がロー時に、前記第三の容量に前記第四のトランジスタ
を介して電源より電流が注入され、前記第二のトランジ
スタのコレクタ電圧がハイ時に、前記蓄積容量に前記第
三の容量から第二のダイオードを介して電流が蓄積容量
に注入されることを特徴とする。
【0007】あるいは、前記自励発振手段は、前記第一
のトランジスタ及び前記第二のトランジスタを含む非安
定マルチバイブレータ回路を有することを特徴とする。
あるいは、前記自励発振手段の出力パルスを制御する手
段は、前記第一のトランジスタ及び第二のトランジスタ
のそれぞれのベースにそれぞれのコレクタを接続した第
五のトランジスタ及び第六のトランジスタと、電源と接
地間に直列接続した第一の分割抵抗及び第二の分割抵抗
と、前記第一の分割抵抗と前記第二の分割抵抗との接続
点にコレクタを接続した第七のトランジスタとを有し、
前記第五のトランジスタのベース及び、前記第六のトラ
ンジスタのベース及び、前記第七のトランジスタのベー
スは前記第一の分割抵抗と第二の分割抵抗との接続点に
共通に接続し、それぞれのエミッタはすべて接地されて
いることを特徴とする。あるいは、前記第三のトランジ
スタのベースと接地との間及び、前記第四のトランジス
タのベースと接地との間に、直列接続した少なくとも二
つ以上からなるダイオードを具備することを特徴とす
る。または、前記RCフィルタ容量に接続した出力端子
に、入力電圧変化、または、出力電圧変化に比例した電
流負荷を与える手段を具備したことを特徴とする。
【0008】前記電流負荷を与える手段は、エミッタが
共通接続された第八のトランジスタ及び第九のトランジ
スタを有する差動増幅回路と、共通接続されたエミッタ
に接続した定電流発生回路と、電源と接地間に直列接続
した第三の分割抵抗及び第四の分割抵抗とを有し、前記
第三の分割抵抗と前記第四の分割抵抗との接続点に前記
RCフィルタ容量が接続され、前記第八のトランジスタ
はベースが前記第三の分割抵抗と前記第四の分割抵抗と
の接続点、コレクタが前記RCフィルタ容量の出力端子
に接続され、前記第九のトランジスタはコレクタが電源
に接続され、前記RCフィルタ容量の入力端子に与えら
れる電流負荷が入力電圧変化及び出力電圧変化に依存す
ることを特徴とする。あるいは、前記電流負荷を与える
手段は、エミッタが共通接続された第八のトランジスタ
及び第九のトランジスタを有する差動増幅回路と、共通
接続されたエミッタに接続した定電流発生回路と、前記
RCフィルタ容量と接地間に直列接続した第三の分割抵
抗及び第四の分割抵抗とを有し、前記第八のトランジス
タはベースが前記第三の分割抵抗と前記第四の分割抵抗
との接続点、コレクタが前記RCフィルタ容量の出力端
子に接続され、前記第九のトランジスタはコレクタが電
源に接続され、前記RCフィルタ容量の入力端子に与え
られる電流負荷が出力電圧変化に依存することを特徴と
する。
【0009】本願発明の安定化電圧発生回路は、第十の
トランジスタと、前記第十のトランジスタのベース電流
を制御する第十一のトランジスタと、前記第十一のトラ
ンジスタのエミッタ・ベース間に接続した負荷抵抗と、
出力電圧を分割する第五の分割抵抗と、基準電圧リファ
レンスと、誤差増幅器とを有する直列制御型安定化回路
と、上記記載のチャージポンプ昇圧回路とを具備し、分
割された出力電圧と前記基準電圧リファレンスとの誤差
は、増幅出力されて前記負荷抵抗のバイアス電流と前記
第十一のトランジスタのベース電流を制御し、その誤差
が最小となるように負帰還動作することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明における実施の形態を以下
の実施例により説明する。本発明の第一の実施例におけ
るチャージポンプ昇圧回路100について説明する。図
1は第一の実施例におけるチャージポンプ昇圧回路を示
す回路図である。第一の実施例のチャージポンプ昇圧回
路は主に非安定マルチバイブレータ回路400及び、ミ
ラー電流回路500及び、倍電圧整流回路からなる。こ
のチャージポンプ昇圧回路は、ミラー電流回路500を
有することにより非安定マルチバイブレータ回路400
のトランジスタの飽和特性を安定化し、チャージポンプ
昇圧回路の発振周波数を安定化することを特徴としてい
る。また、非安定マルチバイブレータ回路400のトラ
ンジスタがONとなるサイクルに同期して、電流を効率
良くキック容量に注入する倍電圧整流回路を有すること
を特徴とする。まず、非安定マルチバイブレータ回路4
00の構造の詳細について説明する。トランジスタQ3
のコレクタはコンデンサC3を介し、トランジスタQ4
のコレクタはコンデンサC4を介して互いのベースに接
続している。また、トランジスタQ3のベースは抵抗R
5を介し、トランジスタQ4のベースは抵抗R6を介し
て電源入力端子1に接続している。トランジスタQ3の
コレクタは抵抗R4を介して電源入力端子1へ接続して
おり、また、キック容量C2に接続している。また、ト
ランジスタQ4のコレクタは抵抗R7を介して電源入力
端子1へ接続しており、また、キック容量C6に接続し
ている。トランジスタQ3及びトランジスタQ4のエミ
ッタは共通接続されて電流帰還抵抗R8を介し、接地し
ている。
【0011】次に電流ミラー回路500の構造の詳細に
ついて説明する。トランジスタQ2のコレクタ及びベー
スは分割抵抗R1及び分割抵抗R2間に接続しており、
エミッタは接地している。トランジスタQ5及びトラン
ジスタQ6はトランジスタQ2のベースに接続してい
る。また、トランジスタQ5及びトランジスタQ6のコ
レクタはそれぞれ非安定マルチバイブレータ回路400
のトランジスタQ3及びトランジスタQ4のベースに接
続しており、トランジスタQ5及びトランジスタQ6の
エミッタは接地している。更に倍電圧整流回路の構造の
詳細について説明する。同期整流トランジスタQ1のエ
ミッタはキック容量C2に接続し、コレクタは電源入力
端子1に接続している。同期整流トランジスタQ1のベ
ースは容量C1を介して非安定マルチバイブレータ回路
400のトランジスタQ4のコレクタに接続している。
また、トランジスタQ1のベースと容量C1間に抵抗R
3が接続しており、抵抗R3の他端は電源入力端子1に
接続している。キック容量C2はダイオードD12を介
して蓄積容量C7に接続している。同期整流トランジス
タQ7のエミッタはキック容量C6に接続し、コレクタ
は電源入力端子1に接続している。同期整流トランジス
タQ7のベースは容量C5を介して非安定マルチバイブ
レータ回路400のトランジスタQ3のコレクタに接続
している。また、トランジスタQ7のベースと容量C1
間に抵抗R9が接続しており、抵抗R9の他端は電源入
力端子1に接続している。キック容量C6はダイオード
D11を介して蓄積容量C7に接続している。更に蓄積
容量C7は抵抗R10を介して出力端子3に接続してい
る。また、出力端子3はRCフィルタ容量C8が接続し
ている。
【0012】以上の回路を有する第一の実施例における
チャージポンプ昇圧回路の動作について説明する。非安
定マルチバイブレータ回路400のトランジスタQ3が
OFFの状態、すなわちコレクタ電圧がハイのとき、ト
ランジスタQ4はONの状態で、そのコレクタ電圧がロ
ーである。このとき、コンデンサC4は抵抗R5を介し
て電源電圧Vccに向かって充電される。そこで、コン
デンサC4に接続したトランジスタQ3のベース電圧は
指数関数的に上昇してついにはトランジスタQ3はON
の状態になり、トランジスタQ3のコレクタ電圧はロー
の状態に変わる。同時にトランジスタQ3のコレクタに
コンデンサC3を介して接続したトランジスタQ4のベ
ース電圧は急減して、トランジスタQ4はOFFの状態
に反転する。この過渡遷移時には抵抗R8による電流帰
還が働いて反転動作が加速される。次にコンデンサC3
は抵抗R6を介して電源電圧Vccに向かって充電され
る。そこで、コンデンサC3に接続したトランジスタQ
4のベース電圧は指数関数的に上昇して、ついにはトラ
ンジスタQ4はONの状態に復旧し、そのコレクタ電圧
はローの状態に戻る。以上のように動作が交互に繰り返
されて非安定マルチバイブレータ回路400のトランジ
スタQ3及びトランジスタQ4のコレクタ電圧は交互に
上下動する。コンデンサC3及びコンデンサC4の容量
値に比例して非安定マルチバイブレータ回路400の自
励発振のパルス間隔は決定される。自励発振して得られ
たコレクタ電圧はキック容量C2あるいはキック容量C
6に充電される。例えばトランジスタQ3がONの時、
キック容量C2は同期整流トランジスタQ1のエミッタ
電流により充電され、トランジスタQ3がOFFになる
とダイオードD12を通じて放電される。前半サイクル
ではOFFとなったトランジスタQ4のコレクタ電圧に
より、トランジスタQ1はONとなるため、キック容量
C2への充電はほぼ電源電圧Vccまで効率良く行わ
れ、後半サイクルで倍電圧整流されて蓄積容量C7に貯
められる。そして、RCフィルタ容量C8を介して出力
端子3から電圧Vhが出力される。このように電流ON
となるトランジスタQ3のサイクルに同期して同期整流
トランジスタQ1から電流を効率良くキック容量C2に
注入するために、同期整流トランジスタQ1のベースは
容量C1を介してOFF状態のトランジスタQ4のコレ
クタに接続して、電源電圧Vccにトランジスタのベー
ス・エミッタ導通電圧を加えた値に相当するより高い電
圧をかけている。トランジスタQ4がONのときには、
同期整流トランジスタQ1のベースがローとなり、容量
C1に溜まった電荷は抵抗R3を経由して放電される。
この放電を行うために、抵抗R3とコンデンサC1の時
定数積を非安定マルチバイブレータ回路400の発振周
期と同程度かそれ以下になるように設定している。その
結果同期整流トランジスタQ1はON時に確実に飽和状
態に入るように動作する。同期整流トランジスタQ7も
同期整流トランジスタQ1と同様な動作を行い、トラン
ジスタQ4がONのとき、キック容量C6は同期整流ト
ランジスタQ7のエミッタ電流より充電され、トランジ
スタQ4がOFFになるとダイオードD11を通じて放
電される。
【0013】以上により、同期整流トランジスタQ1と
それに相補的に動作する同期整流トランジスタQ7とは
トランジスタQ3あるいはトランジスタQ4がONとな
るサイクルに同期して電流を効率良くキック容量C2及
びキック容量C6に注入することができ、電圧損失の少
ない同期整流が可能となる。その結果、チップ温度が−
20℃、電源電圧Vccが3Vで動作させた時、4.1
V以上の高い出力電圧Vhが得られ、従来のチャージポ
ンプ昇圧回路で発生した出力電圧3.4Vよりも高い値
が得られる。電源電圧Vccの変動に拘わらず安定した
出力電圧Vhを得るために、電流ミラー回路500を設
けている。抵抗R5あるいは抵抗R6を経由してトラン
ジスタQ3あるいはトランジスタQ4のベースに注入さ
れる電流のうち一定値は電流ミラー回路500のトラン
ジスタQ5あるいはトランジスタQ6のコレクタにバイ
パスして吸い込まれる。この電流吸い込み量はトランジ
スタQ2のコレクタ電流量と同じである。抵抗R1、R
2、R5、R6の値を調整してバランス良く最適化する
ことにより、温度変動や電源電圧変動が生じてもトラン
ジスタQ3あるいはトランジスタQ4の電流増幅率が変
化することなく、一定の値を得ることが可能となる。従
って、ICの全動作条件範囲に亙って自励発振周波数を
10%以内の変動に抑え、かつ、トランジスタQ3とト
ランジスタQ4の飽和電圧も30mV以内の変動に抑え
ることができる。この結果、安定に発振できる自励発振
周波数を高く設定することが可能となる。
【0014】以上により、第一の実施例におけるチャー
ジポンプ昇圧回路においては、同期整流回路を有するこ
とにより非安定マルチバイブレータ回路400のトラン
ジスタの電流ONとなるサイクルに同期して電流を効率
良くキック容量に注入することが可能となって電圧損失
の少ない同期整流が実現できる。また、電流ミラー回路
500を有することにより温度変動や電源電圧変動に関
わらず安定した出力電圧Vhを得ることが可能となり、
且つ、キック容量及び、蓄積容量C7及び、RCフィル
タ容量C8の値を小さくしても出力電圧のリップルを小
さくすることが可能となる。なお、第一の実施例におけ
るチャージポンプ昇圧回路は電流ミラー回路500と同
期整流回路とを両方具備しているが、どちらか一方のみ
を具備した構成でもよい。例えば同期整流回路のみを具
備する場合、電流ミラー回路の代わりに抵抗R5および
抵抗R6の値を大きく設定して、電圧損失の少ない同期
整流を可能とするチャージポンプ昇圧回路を構成するこ
とができる。次に本願発明におけるチャージポンプ昇圧
回路の第二の実施例について説明する。第一の実施例に
示したように、整流回路の電圧損失が小さくなった結
果、入力電圧Vccが小さい時にも高い出力が得られる
ようになった反面、入力電圧Vccが大きくなった時に
は逆に出力電圧Vhが過大になる傾向にある。しかし、
昇圧された出力電圧Vcc自身はできるだけ変動幅が小
さいことが望ましい。そこで第二の実施例は、同期整流
トランジスタQ1のベースと接地との間にダイオードD
1乃至ダイオードD5を接続し、また、同期整流トラン
ジスタQ7のベースと接地との間にダイオードD6乃至
ダイオードD10を接続してパルス尖頭電圧を一定値で
クランプした回路を構成している。図2は第二の実施例
におけるチャージポンプ昇圧回路の構成を示した図であ
る。
【0015】第二の実施例におけるチャージポンプ昇圧
回路の構成を以下に説明する。非安定マルチバイブレー
タ回路400及び、電流ミラー回路500及び、同期整
流トランジスタQ1、同期整流トランジスタQ7、容量
C1、容量C5、キック容量C2、キック容量C6、蓄
積容量C7、RCフィルタ容量C8、抵抗R1、抵抗R
2、抵抗R3、抵抗R9、抵抗R10、電流帰還抵抗R
8、ダイオードD11、ダイオードD12の構成は第一
の実施例と同様であるため、説明を省略する。ダイオー
ドD1乃至ダイオードD5は同期整流トランジスタQ1
のベースと接地との間に直列接続している。そしてダイ
オードD6乃至ダイオードD10は同期整流トランジス
タQ7のベースと接地との間に直列接続している。この
ダイオードD1乃至ダイオードD10はクランプダイオ
ードであるが、電源電圧Vccが3.3Vである設計例
に対応して設けている。電源電圧Vccやダイオードの
順方向電圧の値に応じてクランプダイオオードの接続数
を変更可能であることはいうまでもない。次に第二の実
施例におけるチャージポンプ昇圧回路の動作について説
明する。容量C1または容量C5を介して入力する電圧
がダイオード5個分の順方向降下電圧以上の電圧に対し
ては同期整流トランジスタQ1と同期整流トランジスタ
Q7のベース電圧がクランプし、エミッタ電圧は自動的
にそのベース電圧からダイオード1個分下がった電圧に
クランプする。電源電圧Vccが大きくなっても、倍電
圧整流回路のキック容量C2とキック容量C6に発生す
る最大電圧差はこのエミッタ・クランプ電圧値に抑えら
れる。この結果、出力電圧Vhも抑えられ、その変動幅
も小さくなる。同時に、同期整流トランジスタQ1と同
期整流トランジスタQ7のベース・エミッタ間に印加さ
れる最大逆電圧の値も4V以下と小さく抑えられ、トラ
ンジスタの最大許容電圧内に納まる効果が得られる。
【0016】以上により、第二の実施例におけるチャー
ジポンプ昇圧回路においては、非安定マルチバイブレー
タ回路400のトランジスタの電流ONとなるサイクル
に同期して電流を効率良くキック容量に注入することが
可能になる。従って、電圧損失の少ない同期整流が実現
でき、且つキック容量及び、蓄積容量及び、RCフィル
タ容量の値を小さくすることが可能となる。また、安定
に発振する自励発振周波数を高く設定することが可能と
なる。更に、ダイオードD1乃至ダイオードD10を所
望の位置に接続することにより、電源電圧Vccが大き
くなっても、同期整流トランジスタQ1あるいは同期整
流トランジスタQ7のエミッタ電圧は、クランプ電圧値
からダイオードの端子電圧一個分下がった電圧に抑えら
れる。従って出力電圧Vhが抑制されて変動幅は小さく
なる。同時に、同期整流トランジスタQ1と同期整流ト
ランジスタQ7のベース・エミッタ間に印加される最大
逆電圧も抑制できる効果が得られる。次に本願発明にお
けるチャージポンプ昇圧回路の第三の実施例について説
明する。前記した第二の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路は、ダイオードD1乃至ダイオードD10がO
N状態に入るだけの大振幅入力パルスが非安定マルチバ
イブレータより得られた場合は効果的に作用するが、そ
れ以下の振幅ではダイオードD1乃至ダイオードD10
がない場合と変わらない。また、パルス振幅入力が大き
くて実際にダイオードD1乃至ダイオードD10が働い
ている時でも、その作用は倍電圧整流の半分のサイクル
にしか及ばない。そのため、出力電圧Vhの変動幅は小
さくなるものの、依然として入力電圧Vccに対する出
力変動は残る。そこで、第三の実施例におけるチャージ
ポンプ昇圧回路では、チャージポンプ出力部に入力電圧
Vccまたは出力電圧Vhに比例して電流負荷を変化さ
せる電流負荷回路600を設置することを特徴とする。
【0017】図3は第三の実施例におけるチャージポン
プ昇圧回路の構成を示した図である。第三の実施例にお
けるチャージポンプ昇圧回路の構成を以下に説明する。
非安定マルチバイブレータ回路400及び、電流ミラー
回路500及び、同期整流トランジスタQ1、同期整流
トランジスタQ7、容量C1、容量C5、キック容量C
2、キック容量C6、蓄積容量C7、RCフィルタ容量
C8、抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3、抵抗R9、抵抗
R10、電流帰還抵抗R8、ダイオードD1乃至ダイオ
ードD12の構成は第二の実施例と同様であるため、説
明を省略する。電流負荷回路600は差動トランジスタ
と、差動トランジスタの共通エミッタに接続した定電流
発生回路と、電源電圧Vccを分割するための抵抗R2
0及び抵抗R21と、これら分割抵抗と抵抗10との間
に容量C20を有している。差動トランジスタはトラン
ジスタQ20及びトランジスタQ21からなり、トラン
ジスタQ20のベースは容量C20を介して抵抗R10
に接続している。また、トランジスタQ20のベースは
抵抗20及び抵抗21の間に接続している。一方トラン
ジスタQ21のベースは抵抗R22を介して基準入力端
子5に接続している。トランジスタQ20のコレクタは
抵抗R10に接続し、そのコレクタ電圧は出力端子3か
ら出力される。トランジスタQ21のコレクタは電源入
力端子1に接続している。トランジスタQ20及びトラ
ンジスタQ21のエミッタは共通接続して、定電流発生
回路のトランジスタQ22のコレクタに接続している。
トランジスタQ22のベースはバイアス電圧入力端子6
に接続しており、エミッタは抵抗R23を介して接地し
ている。
【0018】第三の実施例におけるチャージポンプ昇圧
回路の動作を説明する。電流負荷回路600は電源電圧
Vccをモニターして、電源電圧Vccに比例して電流
負荷を変化させるものである。最低電源電圧Vccの入
力時には負荷電流が零となり、最大電源電圧Vccの入
力時には所望の最大電流負荷が懸かる様に定電流発生回
路の電流値と、差動トランジスタ・サイズと、抵抗R2
0と抵抗R21の比とを決定している。従って、チャー
ジポンプ回路の電源容量としては、実際に外部負荷に必
須な最小出力電流が確保されていれば、十分に動作可能
な省電力方式であることが特徴である。また、抵抗R2
0と抵抗R21による電源電圧Vccの分割値が基準入
力Vrefの近傍になった時には、誤差入力電圧に比例
した電流負荷として線形領域で動作するので、設置した
容量C20による高周波帰還が働いてリップル電圧は小
さくなる。なお、定電流発生回路は、バイアス電圧入力
端子からトランジスタQ22のベースにバイアス電圧V
bbを与え、最大負荷電流値より少し大きめの定電流を
発生させている。電源電圧Vccにほぼ比例する電流負
荷によって出力電圧の変動幅も更に小さく抑えられ、
3.3V±10%と温度範囲−20℃から100℃の全
動作条件に亙って出力電圧を4.05Vから4.35V
の範囲のほぼ一定値に保つことができる。同時に同期整
流トランジスタQ1及び同期整流トランジスタQ7のベ
ース・エミッタ間に印加される最大逆電圧の値も更に小
さく抑えられ、常に3.5V以下となって最大許容電圧
に対し0.5Vのマージンを確保できる。リップルにつ
いても、3.3Vの電源電圧Vccの入力時において、
約30%抑圧できる。
【0019】以上のように第三の実施例においては、非
安定マルチバイブレータ回路のトランジスタの電流ON
となるサイクルに同期して電流を効率良くキック容量に
注入し、電圧損失の少ない同期整流が実現できる。ま
た、安定に発振する自励発振周波数を高く設定できる。
また、電源電圧Vccにほぼ比例する電流負荷によって
出力電圧Vhの変動幅も更に小さく抑えられる。同時
に、同期整流トランジスタQ1と同期整流トランジスタ
Q7のベース・エミッタ間に印加される最大逆電圧も更
に抑制でき、リップルについても抑制できる。次に本願
発明のチャージポンプ昇圧回路における第四の実施例に
ついて説明する。前記した第三の実施例では、低温でか
つ電源電圧Vccが最小となり、チャージポンプ昇圧回
路の電源出力能力が最低になった時、電流負荷回路60
0の電流が零となるようにした。第四の実施例はチャー
ジポンプ昇圧回路の出力容量を多少強化し、出力電圧を
モニターすることによって電流負荷を制御して出力変動
を更に少なくするものである。第四の実施例におけるチ
ャージポンプ昇圧回路を図4に示す。この回路の構成を
以下に説明する。非安定マルチバイブレータ回路400
及び、電流ミラー回路500及び、同期整流トランジス
タQ1、同期整流トランジスタQ7、容量C1、容量C
5、キック容量C2、キック容量C6、蓄積容量C7、
RCフィルタ容量C8、抵抗R1、抵抗R2、抵抗R
3、抵抗R9、抵抗R10、電流帰還抵抗R8、ダイオ
ードD1乃至ダイオードD12の構成は第三の実施例と
同様であるため、説明を省略する。また、電流負荷回路
600のうち、差動トランジスタを構成するトランジス
タQ20及び、トランジスタQ21及び、抵抗R22
と、定電流発生回路を構成するトランジスタQ22及
び、抵抗R23の構成は、第三の実施例と同様であるた
め、説明を省略する。トランジスタQ20のベースには
抵抗R30及び抵抗R31により出力電圧Vhを分割し
た値が印加される。また、高周波信号帰還容量C30は
トランジスタQ20と抵抗R30の間に形成している。
【0020】次に第四の実施例のチャージポンプ昇圧回
路の動作について説明する。第四の実施例は、抵抗R1
0からの出力Vhを抵抗R30及び抵抗R31で分割し
直接モニターして電流負荷を変化させるものであり、原
理的に負荷インピーダンス調整型の電圧安定化回路にな
っている。最大負荷電流値より少し大きめの定電流を定
電流発生回路から発生させ、トランジスタQ20とトラ
ンジスタQ21からなる差動トランジスタにより、抵抗
R30及び抵抗R31の分割電圧と基準電圧Vrefと
を比較・一致させるものである。従って、第四の実施例
においては、抵抗R30及び抵抗R31に流れる電流と
出力電圧Vhが最低となった時にQ20へバイアスした
電流との合計分だけチャージポンプ昇圧回路の出力電流
を余分に必要とするが、基本的に直結帰還型の安定化回
路になっており、出力電圧Vhの出力変化は格段に改善
される。この結果、3.3V±10%と温度範囲−20
℃から100℃の全動作条件に亙って出力電圧Vhを5
0mV以下の変動に、かつ、リップルも50%以上抑圧
できる。また、同期整流トランジスタQ1及び同期整流
トランジスタQ7のベース・エミッタ間に印加される最
大逆電圧の値も更に小さく抑えられ、常に3.4V以下
となって最大許容電圧に対し0.6Vのマージンを確保
できる。
【0021】以上のように第四の実施例においては、非
安定マルチバイブレータ回路のトランジスタの電流ON
となるサイクルに同期して電流を効率良くキック容量に
注入し、電圧損失の少ない同期整流が実現できる。そし
て、安定に発振する自励発振周波数を高く設定できる。
また、RCフィルタ容量C8を介して得られた出力を抵
抗分割R30及びR31により直接モニターして電流負
荷を変化させて、出力電圧Vhの出力変動を抑えること
が可能である。同時に、同期整流トランジスタQ1と同
期整流トランジスタQ7のベース・エミッタ間に印加さ
れる最大逆電圧も更に抑制でき、リップルについても抑
制できる。次に本願発明のチャージポンプ昇圧回路にお
ける第五の実施例について説明する。前記した第四の実
施例は、非安定マルチバイブレータ回路400からの出
力電流容量を多少強化し、電流負荷回路600で余分に
消費する電流を電源入力端子1から供給することによっ
て出力電圧Vhをほぼ完全に安定化できるものである。
一旦回路を固定するとそれに応じて最大負荷電流が固定
されるため、出力電流負荷が予め決まっている時には有
効な手段である。しかしながら、出力電流負荷が大きく
変わる可能性がある時には制御が働かなくなる恐れがあ
る。そこで第五の実施例は第四の実施例を変形して、吸
い込み電流値の制限を除いた回路としたことを特徴とす
る。
【0022】第五の実施例におけるチャージポンプ昇圧
回路を図5に示す。この回路の構成を以下に説明する。
非安定マルチバイブレータ回路400及び、電流ミラー
回路500及び、同期整流トランジスタQ1、同期整流
トランジスタQ7、容量C1、容量C5、キック容量C
2、キック容量C6、蓄積容量C7、RCフィルタ容量
C8、抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3、抵抗R9、抵抗
R10、電流帰還抵抗R8、ダイオードD1乃至ダイオ
ードD12、電流負荷回路を構成するトランジスタQ2
0及び、トランジスタQ21及び、抵抗R22、定電流
発生回路を構成するトランジスタQ22及び、抵抗R2
3は第三の実施例と同様であるため説明を省略する。ト
ランジスタQ20のコレクタは抵抗R44を介して電源
入力端子1に接続しており、更にトランジスタQ43及
びトランジスタQ44のベースに接続している。トラン
ジスタQ43のコレクタはトランジスタQ21のコレク
タに接続している。また、トランジスタQ43のエミッ
タは電源入力端子1に接続している。一方トランジスタ
Q44のエミッタは電源入力端子1に接続しており、コ
レクタはトランジスタQ45のベース及び、他端が接地
された抵抗R45及び、コンデンサC41を介して他端
が接地されている抵抗R46に接続している。トランジ
スタQ45のエミッタは接地しており、コレクタは出力
端子3に接続している。
【0023】次に第五の実施例のチャージポンプ昇圧回
路の動作について説明する。第五の実施例は、抵抗R1
0からの電圧を直接モニターして、エミッタ接地のトラ
ンジスタQ45による増幅作用により出力電流負荷を変
化させるものであり、トランジスタQ45の最大コレク
タ許容電流まで任意の吸い込み電流を許容する負荷イン
ピーダンス調整型の安定化回路である。抵抗R23とト
ランジスタQ22からなる定電流発生回路により負荷抵
抗R44及び負荷トランジスタQ43の動作に必要なバ
イアス電流を発生させる。トランジスタQ43及びトラ
ンジスタQ44は電流ミラー回路を構成しており、トラ
ンジスタQ43のコレクタ電流と同様の電流がトランジ
スタQ44に流れる。このトランジスタQ44のコレク
タ電流はトランジスタQ45のベースに印加され、トラ
ンジスタQ45の吸い込み電流が調整される。差動トラ
ンジスタQ20及びQ21は抵抗R40及び抵抗R41
の比で分割した電圧と基準電圧Vref5とを一致させ
る帰還増幅器を構成している。従って、第五の実施例で
は、分割抵抗R40及び分割抵抗R41に流れる電流だ
けが非安定マルチバイブレータ回路からの出力電流を余
分に要し、トランジスタQ45の許容電流の範囲内で余
分な回路出力電流を吸収する。特性的には第4の実施例
と同じであり、3.3V±10%と温度範囲−20℃か
ら100℃の全動作条件に亙って出力電圧を50mV以
下の変動に抑え、リップルは50%以上抑圧できる。同
期整流トランジスタQ1及び同期整流トランジスタQ7
のベース・エミッタ間に印加される最大逆電圧の値は常
に3.4V以下となって最大許容電圧に対し0.6Vの
マージンを確保できる。
【0024】以上のように第五の実施例においては、非
安定マルチバイブレータ回路のトランジスタの電流ON
となるサイクルに同期して電流を効率良くキック容量に
注入し、電圧損失の少ない同期整流が実現できる。そし
て、安定に発振する自励発振周波数を高く設定できる。
また、RCフィルタ容量C8を介して得られた出力を抵
抗分割R40及びR41により直接モニターして電流負
荷を変化させて、出力電圧Vhの出力変動を抑えること
が可能である。同時に、同期整流トランジスタQ1と同
期整流トランジスタQ7のベース・エミッタ間に印加さ
れる最大逆電圧も更に抑制でき、リップルについても抑
制できる。第一の実施例乃至第五の実施例では、チャー
ジポンプ昇圧回路による高圧Vhの発生回路について詳
細に説明してきた。第六の実施例では、電源電圧Vcc
に近い直列制御型安定化回路と、以上説明したチャージ
ポンプ昇圧回路のいずれかとを組み合わせた第六の実施
例における安定化電圧発生回路について説明する。安定
化電圧発生回路の基本ブロック構成を図6に示す。チャ
ージポンプ昇圧回路100により電源電圧Vccを昇圧
し、チャージポンプ昇圧回路100からの出力電圧Vh
により、直列制御型安定化回路200から所望の出力電
圧Voutを出力する。直列制御型安定化回路200は
バイポーラ・トランジスタQ51を制御素子とする直列
制御方式の回路である。この電力制御用バイポーラ・ト
ランジスタQ51はコレクタ・エミッタ間に0.3V程
度のバイアス電圧が印加されていれば可変インピーダン
ス素子として動作可能である。本質的にはトランジスタ
Q51は電流制御素子であることから、Q51のベース
にはpnpトランジスタQ50から制御電流を注入する
こととし、Q50のコレクタ出力電流をチャージポンプ
昇圧回路により得られた高圧Vhを使って制御する。こ
の構成回路では電源Vhに必要な仕様としては、出力電
圧Voutに対してダイオード一個分以上高い出力電圧
と、最大出力電流としては、トランジスタQ51の電流
増幅率で割った電流値とpnpトランジスタQ50を安
定に動作させるためのバイアス電流を合計した電流出力
があれば良い。例えば、3.0Vの電源から、出力電圧
Vout=2.7Vと出力電流10mAとを得たい場合
を想定し、電流増幅率が100の値を持つトランジスタ
Q51を使った時には、130μA程度の出力電流と
3.8V以上の内部電圧があれば良い。内部電圧発生回
路に第二の実施例のチャージポンプ昇圧回路を用いるこ
とにより、必要な内部電圧を得ることができる。以上の
チャージポンプ昇圧回路100と直列制御型安定化回路
200からなる安定化電圧発生回路は、低雑音と低消費
電力であり、電源回路に必要な面積が小さくICのワン
チップ化が可能であることを特徴とする。
【0025】次に、第七の実施例では、第六の実施例を
具体化したものとして、第二の実施例で説明したチャー
ジポンプ昇圧回路と、誤差増幅器として差動増幅器二段
とを使った安定化電圧発生回路を説明する。この安定化
電圧発生回路の詳細を図7に示す。まず、直列制御型安
定化回路200の構造の構造の詳細について説明する。
トランジスタQ51のコレクタは電源入力端子1に接続
している。トランジスタQ51のベースはpnpトラン
ジスタQ50のコレクタに接続している。pnpトラン
ジスタQ50のエミッタはチャージポンプ昇圧回路の出
力端子2に接続しており、ベースは抵抗R50を介して
出力端子2に接続している。トランジスタQ51のエミ
ッタは分割抵抗R51及び分割抵抗R52を介して接地
しており、更にコンデンサC50を介して出力Vout
の出力端子3に接続している。また、誤差増幅器4のト
ランジスタQ10のベースは分割抵抗R51及び分割抵
抗R52の接続点に接続しており、誤差増幅器4のトラ
ンジスタQ15のベースは基準電圧入力端子5に接続し
ている。トランジスタQ10及びトランジスタQ15の
エミッタは共通接続して、定電流発生回路を構成するト
ランジスタQ13のコレクタに接続している。トランジ
スタQ10及びトランジスタQ15のそれぞれのコレク
タは更に、誤差増幅回路を構成するトランジスタQ11
及びトランジスタQ12のベースに接続している。トラ
ンジスタQ11及びトランジスタQ12のエミッタは共
通接続して、定電流発生回路を構成するトランジスタQ
14のコレクタに接続している。誤差増幅器4のトラン
ジスタQ11のコレクタはpnpトランジスタQ50の
ベースに接続しており、トランジスタQ12のコレクタ
は抵抗R13及びダイオードD13を介して電源入力端
子1に接続している。
【0026】次に直列制御型安定化回路200の動作に
ついて説明する。pnpトランジスタQ50のコレクタ
出力電流はチャージポンプ昇圧回路により内部発生した
高電圧Vhを使って制御される。このコレクタ出力電流
はトランジスタQ51のベース電流となり、トランジス
タQ51のコレクタ・エミッタ電流を制御する。トラン
ジスタQ51の電流増幅率が100以上あり、出力Vo
utの出力電流として10mAから20mAを得たい時
には、トランジスタQ51への注入電流は100μAか
ら200μA以下が良い。トランジスタQ50の電流増
幅率として40以上が得られる時には、トランジスタQ
50のベース吐き出し電流は、最大でも5μA以下であ
り、抵抗R50のバイアス電流として必要な量は5μA
となる。出力電圧Voutの安定性を考えたとしても、
50μA以下が目安となる。トランジスタQ51のエミ
ッタ電圧はコンデンサC50を介して出力端子2から出
力電圧Voutとして出力される。出力電圧Voutが
高い場合、分割抵抗R51及び分割抵抗R52により分
割されたコレクタ・エミッタ電圧は、バンドギャップ電
圧リファレンスVrefとの差を誤差増幅器により増幅
される。増幅された電圧は負荷抵抗R50のバイアス電
流とpnpトランジスタQ50のベース電流を制御す
る。これによりトランジスタQ51のベース電流も制御
されてトランジスタQ51のエミッタ電流が制御され、
出力電圧Voutは減少する。以上により直列制御型安
定化回路は誤差が最小となるような負帰還動作を行って
出力を安定化している。なお、誤差増幅器4において
は、全動作条件範囲に亙ってトランジスタQ11に流れ
るコレクタ電流の平均値を算出し、その2倍の定電流を
発生するようにバイアス電圧Vbb、トランジスタQ1
4と抵抗R19から構成される定電流発生回路の回路定
数を設定している。また、トランジスタQ11及びトラ
ンジスタQ12のベース入力インピーダンスを内部動作
点のマージンを考慮して、トランジスタQ10及びトラ
ンジスタQ15の動作バイアス電流と負荷抵抗R16及
び負荷抵抗R17の値を決定している。
【0027】前述したように、この直列制御型安定化回
路の構成では、チャージポンプ昇圧回路からの高電圧V
hに必要な仕様としては、出力電圧Voutに対してダ
イオード一個分以上高い出力電圧と、最大出力電流とし
ては、トランジスタQ51の電流増幅率で割った電流値
とpnpトランジスタQ50を安定に動作させるための
バイアス電流を合計した電流出力があれば良い。そこ
で、第七の実施例においては第二の実施例に示したチャ
ージポンプ昇圧回路を内部電圧発生回路として用いてい
る。第二の実施例におけるチャージポンプ昇圧回路の構
造及び動作は前記しているため説明を省略する。第二の
実施例のチャージポンプ昇圧回路を用いることにより、
必要な内部発生出力電圧Vh及び出力電流を得ることが
可能となる。以上の安定化電圧発生回路において、直列
制御型安定化回路200が定常値に達した時には、出力
電圧VoutはVref×(1+R51/R52)とな
るが、電源投入後チャージポンプ昇圧回路の蓄積容量C
8の電圧Vhが約4Vに昇圧されるまでの間は、チャー
ジポンプ昇圧回路は異常動作モードにトラップされ、蓄
積容量C8の電圧Vhが規定電圧に達しても出力電圧V
outが立上がらないことが起り得る。ダイオードD1
3と抵抗R13は、電源投入直後の電圧Vhが低い時で
もVoutが0Vより高く持ち上げられ、正常モードの
回路動作点に引き込むスターター回路として働く。これ
により、出力電圧Voutが2.7V、出力電流が10
mA以下の時には、電源電圧Vccが3V以上、チャー
ジポンプ昇圧回路の出力Vhが3.8V以上で安定に動
作する。また、出力Vhが3.9V以上あれば、回路変
更なしでも20mAまで出力Vhを増やすことが可能で
ある。以上の実施例として記載したプロセス的に厳しい
設計の場合でも、上記の通りチャージポンプ昇圧回路で
は常に4.05V以上が得られていて0.15V以上の
マージンがあり、一般的に本発明を適用可能であること
は明らかである。
【0028】以上のように小容量のチャージポンプ昇圧
回路と前記直列制御型安定化回路200を組み合わせて
安定化電圧発生回路を構成することにより、低雑音で低
消費電力の安定化電源を達成できる。副次的には、回路
構成素子サイズが小さくて済むので電圧発生回路に必要
な面積は小さく、ICのワンチップ化に最適である。第
七の実施例における安定化電圧発生回路では、電源電圧
Vccに近い電圧を発生する安定化電圧発生回路200
と第二の実施例に示したチャージポンプ昇圧回路の構成
を用いたが、第一の実施例あるいは第三の実施例乃至第
五の実施例におけるチャージポンプ昇圧回路を第六の実
施例のチャージポンプ昇圧回路に用いても、基本動作と
本発明の趣旨を逸脱するものではなく、同様の効果が得
られる。ただし、チャージポンプ昇圧回路からの出力V
hの出力特性に応じて、安定性とリップル値が改善され
るので、それに応じて安定化された出力電圧Voutの
特性も変化する。出力電圧Voutに現れるチャージポ
ンプ昇圧回路の自励発振周波数に相当する数十MHz乃
至数百MHz帯域のリップルは、出力Vhから持ち込ま
れる量であるため、第三の実施例乃至第五の実施例の回
路に置きかえれば、最大半分以下のリップル特性まで改
善される。出力電圧Voutの安定性に付いては、第一
の実施例のチャージポンプ昇圧回路を用いた場合には1
0mV程度の変動劣化が生じたが、第三の実施例乃至第
五の実施例のチャージポンプ昇圧回路を用いた場合には
直列制御型安定化回路200の帰還増幅率が大きいため
に数mVの安定化改善が得られる。また、帰還増幅率が
下がったり、バンドギャップ基準電圧Vrefの安定性
が元々1mV以下の時には、出力安定性の観点からも、
第三の実施例乃至第五の実施例に用いた電流負荷回路6
00を付加したチャージポンプ昇圧回路を選択すべきで
ある。また、高周波トランジスタ耐圧に関しても、第三
の実施例乃至第五の実施のチャージポンプ昇圧回路を選
択したほうがよい。
【0029】
【発明の効果】本願発明のチャージポンプ昇圧回路は、
電源電圧と温度変化に対して安定な周波数で自励発振
し、電流飽和スイッチ特性を有し、低温で電源電圧が低
く、且つ電流負荷があっても高い電圧を発生することを
可能とする。本願発明の安定化電圧発生回路は、安定度
が高く低雑音の出力電圧を得ることを可能とする。ま
た、以上の構造により、電圧発生を行うための外付け部
品を不要とし、ICチップ内へ安定化電圧発生回路を組
み込んでワンチップ化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路を示す図、
【図2】本発明の第二の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路を示す図、
【図3】本発明の第三の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路を示す図、
【図4】本発明の第四の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路を示す図、
【図5】本発明の第五の実施例におけるチャージポンプ
昇圧回路を示す図、
【図6】本発明の第六の実施例における安定化電圧発生
回路の構成を示す図、
【図7】本発明の第七の実施例における安定化電源発生
回路を示す図、
【図8】従来のCMOSを用いた負電源用昇圧回路を示
す図。
【符号の説明】
1…電源入力端子 2…安定化電圧出力端子 3…チャージポンプ出力端子 100…チャージポンプ昇圧回路 200…直列制御型安定化回路 400…非安定マルチバイブレータ回路 500…電流ミラー回路 C1、C3、C4、C5…容量 C2、C6…キック容量 C7…蓄積容量 C8…RCフィルタ容量 R1、R2、R3、R5、R6、R9、R10…抵抗 R4、R7…負荷抵抗 R8…電流帰還抵抗 Q2、Q3、Q4、Q5、Q6…バイポーラ・トランジ
スタ Q1、Q7…同期整流トランジスタ D11、D12…ダイオード

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】同一特性の第一のトランジスタ及び第二の
    トランジスタを用いて相補的に発振を行う自励発振手段
    と、 前記自励発振手段の出力電圧を倍電圧整流する手段と、 前記自励発振手段の出力パルスを制御する手段と、 を具備し、 前記倍電圧整流する手段は、前記第一のトランジスタの
    コレクタに接続した第一の容量と、 前記第一の容量の他端に接続したエミッタ及び、電源に
    接続したコレクタ及び、前記第二のトランジスタのコレ
    クタに第二の容量を介して接続したベースとを有する第
    三のトランジスタと、 前記第一の容量の他端に接続した第一のダイオードと、 前記第一のダイオードに接続した蓄積容量と、 前記蓄積容量に接続したRCフィルタ容量と、 を有し、 前記第一のトランジスタのコレクタ電圧がロー時に、前
    記第一の容量に前記第三のトランジスタを介して電源よ
    り電流が注入され、前記第一のトランジスタのコレクタ
    電圧がハイ時に、前記蓄積容量に前記第一の容量から前
    記第一のダイオードを介して電流が蓄積容量に注入され
    ることを特徴とし、 また、前記倍電圧整流する手段は、前記第二のトランジ
    スタのコレクタに接続した第三の容量と、 前記第三の容量の他端に接続したエミッタ及び、電源に
    接続したコレクタ及び、前記第一のトランジスタのコレ
    クタに第四の容量を介して接続したベースとを有する第
    四のトランジスタと、 前記第三の容量の他端に接続し、且つ前記蓄積容量に接
    続した第二のダイオードと、 を有し、 前記第二のトランジスタのコレクタ電圧がロー時に、前
    記第三の容量に前記第四のトランジスタを介して電源よ
    り電流が注入され、前記第二のトランジスタのコレクタ
    電圧がハイ時に、前記蓄積容量に前記第三の容量から第
    二のダイオードを介して電流が蓄積容量に注入されるこ
    とを特徴とするチャージポンプ昇圧回路。
  2. 【請求項2】前記自励発振手段は、前記第一のトランジ
    スタ及び前記第二のトランジスタを含む非安定マルチバ
    イブレータ回路を有することを特徴とする請求項1に記
    載のチャージポンプ昇圧回路。
  3. 【請求項3】前記自励発振手段の出力パルスを制御する
    手段は、 前記第一のトランジスタ及び第二のトランジスタのそれ
    ぞれのベースにそれぞれのコレクタを接続した第五のト
    ランジスタ及び第六のトランジスタと、 電源と接地間に直列接続した第一の分割抵抗及び第二の
    分割抵抗と、 前記第一の分割抵抗と前記第二の分割抵抗との接続点に
    コレクタを接続した第七のトランジスタと、 を有し、 前記第五のトランジスタのベース及び、前記第六のトラ
    ンジスタのベース及び、前記第七のトランジスタのベー
    スは前記第一の分割抵抗と第二の分割抵抗との接続点に
    共通に接続し、それぞれのエミッタはすべて接地されて
    いることを特徴とする請求項1あるいは請求項2に記載
    のチャージポンプ昇圧回路。
  4. 【請求項4】前記第三のトランジスタのベースと接地と
    の間及び、前記第四のトランジスタのベースと接地との
    間に、直列接続した少なくとも二つ以上からなるダイオ
    ードを具備することを特徴とする請求項1乃至請求項3
    のいずれかに記載のチャージポンプ昇圧回路。
  5. 【請求項5】前記RCフィルタ容量に接続した出力端子
    に、入力電圧変化、または、出力電圧変化に比例した電
    流負荷を与える手段を具備したことを特徴とする請求項
    1乃至請求項4のいずれかに記載のチャージポンプ昇圧
    回路。
  6. 【請求項6】前記電流負荷を与える手段は、 エミッタが共通接続された第八のトランジスタ及び第九
    のトランジスタを有する差動増幅回路と、 共通接続されたエミッタに接続した定電流発生回路と、 電源と接地間に直列接続した第三の分割抵抗及び第四の
    分割抵抗と、 を有し、 前記第三の分割抵抗と前記第四の分割抵抗との接続点に
    前記RCフィルタ容量が接続され、前記第八のトランジ
    スタはベースが前記第三の分割抵抗と前記第四の分割抵
    抗との接続点、コレクタが前記RCフィルタ容量の出力
    端子に接続され、前記第九のトランジスタはコレクタが
    電源に接続され、前記RCフィルタ容量の入力端子に与
    えられる電流負荷が入力電圧変化及び出力電圧変化に依
    存することを特徴とする請求項5に記載のチャージポン
    プ昇圧回路。
  7. 【請求項7】前記電流負荷を与える手段は、 エミッタが共通接続された第八のトランジスタ及び第九
    のトランジスタを有する差動増幅回路と、 共通接続されたエミッタに接続した定電流発生回路と、 前記RCフィルタ容量と接地間に直列接続した第三の分
    割抵抗及び第四の分割抵抗と、 を有し、 前記第八のトランジスタはベースが前記第三の分割抵抗
    と前記第四の分割抵抗との接続点、コレクタが前記RC
    フィルタ容量の出力端子に接続され、前記第九のトラン
    ジスタはコレクタが電源に接続され、前記RCフィルタ
    容量の入力端子に与えられる電流負荷が出力電圧変化に
    依存することを特徴とする請求項5に記載のチャージポ
    ンプ昇圧回路。
  8. 【請求項8】第十のトランジスタと、 前記第十のトランジスタのベース電流を制御する第十一
    のトランジスタと、 前記第十一のトランジスタのエミッタ・ベース間に接続
    した負荷抵抗と、 出力電圧を分割する第五の分割抵抗と、 基準電圧リファレンスと、 誤差増幅器と、 を有する直列制御型安定化回路と、 前記請求項1乃至前記請求項7のいずれかに記載のチャ
    ージポンプ昇圧回路と、 を具備し、 分割された出力電圧と前記基準電圧リファレンスとの誤
    差は、増幅出力されて前記負荷抵抗のバイアス電流と前
    記第十一のトランジスタのベース電流を制御し、その誤
    差が最小となるように負帰還動作することを特徴とする
    安定化電圧発生回路。
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