JP2001118907A - トレイレス斜め基板搬送装置 - Google Patents
トレイレス斜め基板搬送装置Info
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度分布やバイアス分布を生じることなく大
型基板に均一な製膜処理をすることができるトレイレス
斜め基板搬送装置を提供する。 【解決手段】 基板を減圧下で処理する真空処理室10
と、この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送台
車6A,6B,6C,6Dと、この搬送台車上で基板を斜めに立て
掛け支持する基板保持機構62〜68と、前記真空処理室に
設けられた両面型の製膜ユニット71と、この製膜ユニッ
トの両側にそれぞれ配置され、それぞれが前記製膜ユニ
ットに対して可動である該ヒータ発熱面を覆うヒータカ
バー73を有する一対のヒータユニット72と、前記ヒータ
発熱面と平面での平行関係を保ちながら前記ヒータカバ
ーを前記ヒータ発熱面に実質的に直交する方向に移動さ
せ、前記ヒータカバーを基板に密着させるヒータカバー
移動手段74〜76と、を具備する。
型基板に均一な製膜処理をすることができるトレイレス
斜め基板搬送装置を提供する。 【解決手段】 基板を減圧下で処理する真空処理室10
と、この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送台
車6A,6B,6C,6Dと、この搬送台車上で基板を斜めに立て
掛け支持する基板保持機構62〜68と、前記真空処理室に
設けられた両面型の製膜ユニット71と、この製膜ユニッ
トの両側にそれぞれ配置され、それぞれが前記製膜ユニ
ットに対して可動である該ヒータ発熱面を覆うヒータカ
バー73を有する一対のヒータユニット72と、前記ヒータ
発熱面と平面での平行関係を保ちながら前記ヒータカバ
ーを前記ヒータ発熱面に実質的に直交する方向に移動さ
せ、前記ヒータカバーを基板に密着させるヒータカバー
移動手段74〜76と、を具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の搬送台車を
用いて真空処理室に基板をそれぞれ搬送して処理するト
レイレス斜め基板搬送装置に関する。
用いて真空処理室に基板をそれぞれ搬送して処理するト
レイレス斜め基板搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマＣＶＤ、スパッタリン
グ、ドライエッチング等のプラズマ処理を施すための真
空処理システム内において、ガラス基板を真空処理室に
対して出し入れする際に基板をトレイ（ホルダ）に固定
し、トレイとともに基板を搬送する方法としてトレイ斜
め搬送方式が採用されている。しかし、トレイ搬送方式
は基板をトレイに固定したり取り外したりするのに時間
と労力を要したり、トレイに不純物が吸着し易いという
問題点があるので、これに代わるものとしてトレイレス
斜め搬送台車方式が開発されている。
グ、ドライエッチング等のプラズマ処理を施すための真
空処理システム内において、ガラス基板を真空処理室に
対して出し入れする際に基板をトレイ（ホルダ）に固定
し、トレイとともに基板を搬送する方法としてトレイ斜
め搬送方式が採用されている。しかし、トレイ搬送方式
は基板をトレイに固定したり取り外したりするのに時間
と労力を要したり、トレイに不純物が吸着し易いという
問題点があるので、これに代わるものとしてトレイレス
斜め搬送台車方式が開発されている。
【０００３】トレイレス斜め搬送台車方式は、例えば特
開平７−１２６８４８号公報（特願平５−２７９４９７
号の明細書図面）および特願平１０−３５１３５４号の
明細書図面にそれぞれ開示されているように、複数（通
常は２枚）のガラス基板を支持する支持機構を備えた搬
送台車で支持し、製膜室のヒータまで搬送し、ポジショ
ナーにより基板をヒータ面（実際はヒータ表面に取り付
けたヒータカバー面）に押付け、搬送台車は製膜室から
退出させる。
開平７−１２６８４８号公報（特願平５−２７９４９７
号の明細書図面）および特願平１０−３５１３５４号の
明細書図面にそれぞれ開示されているように、複数（通
常は２枚）のガラス基板を支持する支持機構を備えた搬
送台車で支持し、製膜室のヒータまで搬送し、ポジショ
ナーにより基板をヒータ面（実際はヒータ表面に取り付
けたヒータカバー面）に押付け、搬送台車は製膜室から
退出させる。
【０００４】図９に示すように、従来の装置では、自走
式の搬送台車１０６がレール１０８に沿って製膜室１０
０に向けて基板Ｇを搬送するようになっている。搬送台
車１０６は本体１６１上に基板Ｇを斜めに支持するため
の支持アーム１６２を備えている。この支持アーム１６
２に基板Ｇを持たせ掛け、搬送中の基板Ｇが安定するの
で、特に大型の基板Ｇを搬送するのに有利である。製膜
室１００の中央には基板Ｇを加熱するためのヒータユニ
ット１７２が設けられ、このヒータユニット１７２の両
面とそれぞれ対面するように製膜ユニット１７０が配置
されている。ヒータユニット１７２は両面発熱型のヒー
タエレメエント（図示せず）とこれに固定されたヒータ
カバー１７３とを備えている。基板Ｇはポジショナー１
３７により周縁部がヒータカバー１７３に押し付けられ
る。また、各製膜ユニット１７０は直進導入器１３５に
より基板Ｇに近接されるようになっている。
式の搬送台車１０６がレール１０８に沿って製膜室１０
０に向けて基板Ｇを搬送するようになっている。搬送台
車１０６は本体１６１上に基板Ｇを斜めに支持するため
の支持アーム１６２を備えている。この支持アーム１６
２に基板Ｇを持たせ掛け、搬送中の基板Ｇが安定するの
で、特に大型の基板Ｇを搬送するのに有利である。製膜
室１００の中央には基板Ｇを加熱するためのヒータユニ
ット１７２が設けられ、このヒータユニット１７２の両
面とそれぞれ対面するように製膜ユニット１７０が配置
されている。ヒータユニット１７２は両面発熱型のヒー
タエレメエント（図示せず）とこれに固定されたヒータ
カバー１７３とを備えている。基板Ｇはポジショナー１
３７により周縁部がヒータカバー１７３に押し付けられ
る。また、各製膜ユニット１７０は直進導入器１３５に
より基板Ｇに近接されるようになっている。
【０００５】図１０に示すように、製膜ユニット１７０
の内部にはプラズマＣＶＤ製膜を実行するための要素と
して電極１７３、ガス供給機構１７４、防着板１７５が
順次設けられている。これらの各要素１７３，１７４，
１７５は製膜ユニット枠１７１にそれぞれ固定されてい
る。
の内部にはプラズマＣＶＤ製膜を実行するための要素と
して電極１７３、ガス供給機構１７４、防着板１７５が
順次設けられている。これらの各要素１７３，１７４，
１７５は製膜ユニット枠１７１にそれぞれ固定されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置においては、さらに基板が大型化すると、基板の周
縁部のみをポジショナー１３７でヒータユニット１７２
に押し付けただけでは基板Ｇの中央部とヒータカバー１
７３との相互接触が不十分になり、基板Ｇの温度分布お
よびバイアス分布を生じて、膜厚および膜質の均一性が
損なわれやすい。
装置においては、さらに基板が大型化すると、基板の周
縁部のみをポジショナー１３７でヒータユニット１７２
に押し付けただけでは基板Ｇの中央部とヒータカバー１
７３との相互接触が不十分になり、基板Ｇの温度分布お
よびバイアス分布を生じて、膜厚および膜質の均一性が
損なわれやすい。
【０００７】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、温度分布やバイアス分布を生じるこ
となく大型基板に均一な製膜処理をすることができるト
レイレス斜め基板搬送装置を提供することを目的とす
る。
れたものであって、温度分布やバイアス分布を生じるこ
となく大型基板に均一な製膜処理をすることができるト
レイレス斜め基板搬送装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るトレイレス
斜め基板搬送装置は、基板を減圧下で処理する真空処理
室と、この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送
台車と、この搬送台車上で基板を斜めに立て掛け支持す
る基板保持機構と、前記真空処理室に設けられた両面型
の製膜ユニットと、この製膜ユニットの両側にそれぞれ
配置され、それぞれが前記製膜ユニットに対して可動で
ある該ヒータ発熱面を覆うヒータカバーを有する一対の
ヒータユニットと、前記ヒータ発熱面と平面での平行関
係を保ちながら前記ヒータカバーを前記ヒータ発熱面に
実質的に直交する方向に移動させ、前記ヒータカバーを
基板に密着させるヒータカバー移動手段と、を具備する
ことを特徴とする。
斜め基板搬送装置は、基板を減圧下で処理する真空処理
室と、この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送
台車と、この搬送台車上で基板を斜めに立て掛け支持す
る基板保持機構と、前記真空処理室に設けられた両面型
の製膜ユニットと、この製膜ユニットの両側にそれぞれ
配置され、それぞれが前記製膜ユニットに対して可動で
ある該ヒータ発熱面を覆うヒータカバーを有する一対の
ヒータユニットと、前記ヒータ発熱面と平面での平行関
係を保ちながら前記ヒータカバーを前記ヒータ発熱面に
実質的に直交する方向に移動させ、前記ヒータカバーを
基板に密着させるヒータカバー移動手段と、を具備する
ことを特徴とする。
【０００９】さらに、上記製膜ユニットは、基板に押し
付けられるポジショナーを有することが好ましい。
付けられるポジショナーを有することが好ましい。
【００１０】上記ヒータカバーは、垂直軸に対して７〜
１２°傾けて基板に密着することが好ましい。
１２°傾けて基板に密着することが好ましい。
【００１１】上記ヒータカバーが密着した基板は製膜予
定面が上向きであってもよいし、下向きであってもよ
い。
定面が上向きであってもよいし、下向きであってもよ
い。
【００１２】なお、基板保持機構は、垂直軸に対して７
°〜１２°傾けて基板を支持することが好ましく、基板
を約１０°傾けて支持することが最も好ましい。基板の
傾斜角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板が
不安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角
θ１の下限値は７°とする。一方、基板の傾斜角θ１が
１２°を上回ると、ゲート弁開口幅が広くなったり、搬
送スペースや製膜ユニット内の無駄スペースが大きくな
り処理室内のデッドスペースが増加して真空ポンプに過
大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の上限値
は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大や真空
ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、傾斜角
θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とすること
も可能である。
°〜１２°傾けて基板を支持することが好ましく、基板
を約１０°傾けて支持することが最も好ましい。基板の
傾斜角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板が
不安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角
θ１の下限値は７°とする。一方、基板の傾斜角θ１が
１２°を上回ると、ゲート弁開口幅が広くなったり、搬
送スペースや製膜ユニット内の無駄スペースが大きくな
り処理室内のデッドスペースが増加して真空ポンプに過
大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の上限値
は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大や真空
ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、傾斜角
θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とすること
も可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
【００１４】図１に示すように、トレイレス斜め基板搬
送装置１は、真空処理室１０と、この真空処理室１０の
前後に設けられた搬送部４，２４と、この搬送部４，２
４の両側に設けられたローラテーブル２，２２とを備え
ている。一般には搬送部４と真空処理室１０との間にロ
ードロック室（図示せず）を、また真空処理室１０の後
流側にはアンロード室（図示せず）を設けて、真空処理
室１０を大気圧に戻すことなく、基板Ｇを基板搬送台車
６Ａ，６Ｂとともに搬入するシステムとすることがある
が、ここでは簡便のためにロードロック室とアンロード
室を除いた構成にて実施形態を説明する。
送装置１は、真空処理室１０と、この真空処理室１０の
前後に設けられた搬送部４，２４と、この搬送部４，２
４の両側に設けられたローラテーブル２，２２とを備え
ている。一般には搬送部４と真空処理室１０との間にロ
ードロック室（図示せず）を、また真空処理室１０の後
流側にはアンロード室（図示せず）を設けて、真空処理
室１０を大気圧に戻すことなく、基板Ｇを基板搬送台車
６Ａ，６Ｂとともに搬入するシステムとすることがある
が、ここでは簡便のためにロードロック室とアンロード
室を除いた構成にて実施形態を説明する。
【００１５】第１の搬送部４は、真空処理室１０の上流
側（前方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０に基
板Ｇを１枚ずつ搬送する２台の搬送台車６Ａ，６Ｂを備
えている。この搬送部４には真空処理室１０に向けてＹ
軸方向に延び出す２本のリニアガイドレール８Ａ，８Ｂ
が敷設されている。一方のレール８Ａ上には第１の搬送
台車６Ａが走行可能に設けられ、他方のレール８Ｂ上に
は第２の搬送台車６Ｂが走行可能に設けられている。各
レール８Ａ，８Ｂの延長線上に真空処理室１０内の各レ
ール１８Ａ，１８Ｂがそれぞれ設けられている。
側（前方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０に基
板Ｇを１枚ずつ搬送する２台の搬送台車６Ａ，６Ｂを備
えている。この搬送部４には真空処理室１０に向けてＹ
軸方向に延び出す２本のリニアガイドレール８Ａ，８Ｂ
が敷設されている。一方のレール８Ａ上には第１の搬送
台車６Ａが走行可能に設けられ、他方のレール８Ｂ上に
は第２の搬送台車６Ｂが走行可能に設けられている。各
レール８Ａ，８Ｂの延長線上に真空処理室１０内の各レ
ール１８Ａ，１８Ｂがそれぞれ設けられている。
【００１６】左右一対のローラテーブル２が第１の搬送
部４を間に挟むように設けられている。各ローラテーブ
ル２上には複数の送りローラ３がそれぞれ並べられ、こ
の上に水平に載置されたガラス基板Ｇがレール８Ａ，８
Ｂと平行に送られるようになって、本実施形態では基板
搬入器として機能する。
部４を間に挟むように設けられている。各ローラテーブ
ル２上には複数の送りローラ３がそれぞれ並べられ、こ
の上に水平に載置されたガラス基板Ｇがレール８Ａ，８
Ｂと平行に送られるようになって、本実施形態では基板
搬入器として機能する。
【００１７】第２の搬送部２４は、真空処理室１０の下
流側（後方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０か
ら基板Ｇを１枚ずつ搬出する２台の搬送台車６Ｃ，６Ｄ
を備えている。この第２の搬送部２４は、実質的に第１
の搬送部４と同じであり、Ｙ軸方向に延び出す２本のリ
ニアガイドレール２８Ａ，２８Ｂと第３及び第４の搬送
台車６Ｃ，６Ｄとを備えている。一方のレール２８Ａ上
には第３の搬送台車６Ｃが走行可能に設けられ、他方の
レール２８Ｂ上には第４の搬送台車６Ｄが走行可能に設
けられている。各レール２８Ａ，２８Ｂは真空処理室１
０内の各レール１８Ａ，１８Ｂの延長線上にそれぞれ設
けられている。
流側（後方）に設けられ、それぞれが真空処理室１０か
ら基板Ｇを１枚ずつ搬出する２台の搬送台車６Ｃ，６Ｄ
を備えている。この第２の搬送部２４は、実質的に第１
の搬送部４と同じであり、Ｙ軸方向に延び出す２本のリ
ニアガイドレール２８Ａ，２８Ｂと第３及び第４の搬送
台車６Ｃ，６Ｄとを備えている。一方のレール２８Ａ上
には第３の搬送台車６Ｃが走行可能に設けられ、他方の
レール２８Ｂ上には第４の搬送台車６Ｄが走行可能に設
けられている。各レール２８Ａ，２８Ｂは真空処理室１
０内の各レール１８Ａ，１８Ｂの延長線上にそれぞれ設
けられている。
【００１８】左右一対のローラテーブル２２が第２の搬
送部２４を間に挟むように設けられている。これらのロ
ーラテーブル２２は実質的に上記のローラテーブル２と
同じであり、本実施形態では基板搬入器として機能す
る。
送部２４を間に挟むように設けられている。これらのロ
ーラテーブル２２は実質的に上記のローラテーブル２と
同じであり、本実施形態では基板搬入器として機能す
る。
【００１９】真空処理室１０の前面には左右一対の搬入
出口１２Ａ，１２Ｂが形成され、右方の搬入出口１２Ａ
はシリンダ１４Ａ及びゲート１６Ａを備えたゲート弁機
構により開閉され、左方の搬入出口１２Ｂはシリンダ１
４Ｂ及びゲート１６Ｂを備えたゲート弁機構により開閉
されるようになっている。同様に、真空処理室１０の後
面にも左右一対の搬入出口１２Ｃ，１２Ｄが形成され、
右方の搬入出口１２Ｃはシリンダ１４Ｃ及びゲート１６
Ｃを備えたゲート弁機構により開閉され、左方の搬入出
口１２Ｄはシリンダ１４Ｄ及びゲート１６Ｄを備えたゲ
ート弁機構により開閉されるようになっている。
出口１２Ａ，１２Ｂが形成され、右方の搬入出口１２Ａ
はシリンダ１４Ａ及びゲート１６Ａを備えたゲート弁機
構により開閉され、左方の搬入出口１２Ｂはシリンダ１
４Ｂ及びゲート１６Ｂを備えたゲート弁機構により開閉
されるようになっている。同様に、真空処理室１０の後
面にも左右一対の搬入出口１２Ｃ，１２Ｄが形成され、
右方の搬入出口１２Ｃはシリンダ１４Ｃ及びゲート１６
Ｃを備えたゲート弁機構により開閉され、左方の搬入出
口１２Ｄはシリンダ１４Ｄ及びゲート１６Ｄを備えたゲ
ート弁機構により開閉されるようになっている。
【００２０】各搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２
Ｄは縦長の平行四辺形状をなし、各ゲート１６Ａ，１６
Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２
Ｃ，１２Ｄよりも若干大きい縦長の平行四辺形状をなし
ている。各ゲート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは各
シリンダ１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄのピストンロ
ッド１４ａにそれぞれ連結され、基台１１上に形成され
たガイド溝に沿ってそれぞれが水平にスライドするよう
になっている。搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２
Ｄは、搬送台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄに支持された基
板Ｇがそれぞれ通過できるぎりぎりの大きさに開口形成
されている。
Ｄは縦長の平行四辺形状をなし、各ゲート１６Ａ，１６
Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２
Ｃ，１２Ｄよりも若干大きい縦長の平行四辺形状をなし
ている。各ゲート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄは各
シリンダ１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄのピストンロ
ッド１４ａにそれぞれ連結され、基台１１上に形成され
たガイド溝に沿ってそれぞれが水平にスライドするよう
になっている。搬入出口１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２
Ｄは、搬送台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄに支持された基
板Ｇがそれぞれ通過できるぎりぎりの大きさに開口形成
されている。
【００２１】図２に示すように、搬送部の各レール８
Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの回転機構の例を示す。すな
わち、レール回動機構９により長手軸まわりに回動自在
に支持されている。レール回動機構の回転軸９ａは、一
端が各レール８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの端部にそれ
ぞれ連結固定され、他端が軸受９ａにより支持されてい
る。回転軸９の適所に回り止め付きの固定リング９ｃが
取り付けられている。固定リング９ｃの外周にはレバー
９ｄが連結されており、レバー９ｄを回すと、これに伴
い固定リング９ｃ及び回転軸９ａと共にレール８Ａ，８
Ｂ，２８Ａ，２８Ｂが回動するようになっている。
Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの回転機構の例を示す。すな
わち、レール回動機構９により長手軸まわりに回動自在
に支持されている。レール回動機構の回転軸９ａは、一
端が各レール８Ａ，８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂの端部にそれ
ぞれ連結固定され、他端が軸受９ａにより支持されてい
る。回転軸９の適所に回り止め付きの固定リング９ｃが
取り付けられている。固定リング９ｃの外周にはレバー
９ｄが連結されており、レバー９ｄを回すと、これに伴
い固定リング９ｃ及び回転軸９ａと共にレール８Ａ，８
Ｂ，２８Ａ，２８Ｂが回動するようになっている。
【００２２】レバー９ｄは図示しない油圧駆動装置によ
り駆動される揺動機構（図示せず）に連結され、そのス
トローク角はおよそ８０°である。レバー９ｄが定位置
にあるときは、図１に示す第２及び第４の搬送台車６
Ｂ，６Ｄのように台車上の基板Ｇはほぼ直立する。この
とき基板Ｇは垂直軸に対して７°〜１２°傾斜した状態
で搬送台車６Ｂ，６Ｄにそれぞれ保持され、搬送可能な
状態となる。一方、レバー９ｄが定位置から約８０°回
された位置にあるときは、図１に示す第１及び第３の搬
送台車６Ａ，６Ｃのように台車上の基板Ｇはほぼ水平に
なる。このとき基板Ｇはローラテーブル２から搬送台車
６Ａ上に積み込み可能な状態となるか、又は搬送台車６
Ｃからローラテーブル２２上に積み下ろし可能な状態と
なる。なお、ガラス基板Ｇの大きさは例えば１ｍ角であ
る。例えば板厚４ｍｍで１ｍ角サイズのガラス基板Ｇ
は、重量が１０ｋｇｆを上回り、かなりな重量物となる
ため、基板搬送台車へ基板Ｇをセットするにあたり、従
来の如く吸着パッド基板保持機構のあるハンドを持つ多
軸ロボットにより対応は難しく、本発明に係る使用が望
ましい。
り駆動される揺動機構（図示せず）に連結され、そのス
トローク角はおよそ８０°である。レバー９ｄが定位置
にあるときは、図１に示す第２及び第４の搬送台車６
Ｂ，６Ｄのように台車上の基板Ｇはほぼ直立する。この
とき基板Ｇは垂直軸に対して７°〜１２°傾斜した状態
で搬送台車６Ｂ，６Ｄにそれぞれ保持され、搬送可能な
状態となる。一方、レバー９ｄが定位置から約８０°回
された位置にあるときは、図１に示す第１及び第３の搬
送台車６Ａ，６Ｃのように台車上の基板Ｇはほぼ水平に
なる。このとき基板Ｇはローラテーブル２から搬送台車
６Ａ上に積み込み可能な状態となるか、又は搬送台車６
Ｃからローラテーブル２２上に積み下ろし可能な状態と
なる。なお、ガラス基板Ｇの大きさは例えば１ｍ角であ
る。例えば板厚４ｍｍで１ｍ角サイズのガラス基板Ｇ
は、重量が１０ｋｇｆを上回り、かなりな重量物となる
ため、基板搬送台車へ基板Ｇをセットするにあたり、従
来の如く吸着パッド基板保持機構のあるハンドを持つ多
軸ロボットにより対応は難しく、本発明に係る使用が望
ましい。
【００２３】次に、図３及び図４を参照しながら搬送台
車の基板保持機構について説明する。なお、４つの搬送
台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄの構成は実質的に同じであ
るので、これらを代表して第１の搬送台車６Ａについて
述べる。
車の基板保持機構について説明する。なお、４つの搬送
台車６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄの構成は実質的に同じであ
るので、これらを代表して第１の搬送台車６Ａについて
述べる。
【００２４】搬送台車６Ａは、台車本体６１と、２本の
アーム６２と、一対の支持カム６３と、間欠回転駆動機
構６５と、一対の保持部材６６と、一対のストッパ６８
とを備えている。台車本体６１は図示しない進退駆動機
構によりレール８Ａに噛み込み連結されており、保持し
た基板Ｇが水平姿勢となる約８０°回動した場合であっ
ても台車本体６１はレール８Ａから外れないようになっ
ている。
アーム６２と、一対の支持カム６３と、間欠回転駆動機
構６５と、一対の保持部材６６と、一対のストッパ６８
とを備えている。台車本体６１は図示しない進退駆動機
構によりレール８Ａに噛み込み連結されており、保持し
た基板Ｇが水平姿勢となる約８０°回動した場合であっ
ても台車本体６１はレール８Ａから外れないようになっ
ている。
【００２５】２本のアーム６２は台車本体６１の長手直
交軸に対して約１０°傾斜するように台車本体６１の上
に直立して設けられている。アーム６２の相互間隔は基
板Ｇの長辺より少し大きく、これら２本のアーム６２の
間に基板Ｇがもたせ掛けられるようになっている。アー
ム６２は基板Ｇの重量に耐えられるように台車本体６１
に強固に締結されている。アーム６２と台車本体６１は
例えばステンレス鋼のような高強度で強靭な金属材料で
つくられている。
交軸に対して約１０°傾斜するように台車本体６１の上
に直立して設けられている。アーム６２の相互間隔は基
板Ｇの長辺より少し大きく、これら２本のアーム６２の
間に基板Ｇがもたせ掛けられるようになっている。アー
ム６２は基板Ｇの重量に耐えられるように台車本体６１
に強固に締結されている。アーム６２と台車本体６１は
例えばステンレス鋼のような高強度で強靭な金属材料で
つくられている。
【００２６】各アーム６２の上部には保持部材６６およ
び揺動軸６７が取り付けられ、各アーム６２の下部には
支持カム６３および間欠回転駆動機構６５が取り付けら
れている。上部保持部材６６は揺動軸６７まわりに揺動
可能に支持され、基板Ｇ支持カム６３は基板Ｇの下部を
支持し、回転軸６４により間欠回転駆動機構６５に連結
されている。支持カム６３は上面に凹所６３ａを有する
厚みのある板カムである。
び揺動軸６７が取り付けられ、各アーム６２の下部には
支持カム６３および間欠回転駆動機構６５が取り付けら
れている。上部保持部材６６は揺動軸６７まわりに揺動
可能に支持され、基板Ｇ支持カム６３は基板Ｇの下部を
支持し、回転軸６４により間欠回転駆動機構６５に連結
されている。支持カム６３は上面に凹所６３ａを有する
厚みのある板カムである。
【００２７】間欠回転駆動機構６５は、例えばゼネバス
トップのような機構からなり、支持カム６３を軸６４ま
わりに所望角度だけ間欠的に回転させうるようになって
いる。支持カム６３は、基板Ｇを保持搬送するときは図
４の（ａ）に示すように凹所６３ａで基板Ｇの下端に接
触しているが、基板Ｇを真空処理室内のヒータカバー７
３に受け渡すときは図４の（ｂ）に示すように凹所６３
ａから基板Ｇの下端が外れるように軸６４まわりに回転
される。基板Ｇは受け渡し前後で落差ｈを生じるので、
ヒータカバー７３は支持突起７３ａが基板Ｇの下端より
少し下方に位置するように台車６Ａに接近するようにな
っている。
トップのような機構からなり、支持カム６３を軸６４ま
わりに所望角度だけ間欠的に回転させうるようになって
いる。支持カム６３は、基板Ｇを保持搬送するときは図
４の（ａ）に示すように凹所６３ａで基板Ｇの下端に接
触しているが、基板Ｇを真空処理室内のヒータカバー７
３に受け渡すときは図４の（ｂ）に示すように凹所６３
ａから基板Ｇの下端が外れるように軸６４まわりに回転
される。基板Ｇは受け渡し前後で落差ｈを生じるので、
ヒータカバー７３は支持突起７３ａが基板Ｇの下端より
少し下方に位置するように台車６Ａに接近するようにな
っている。
【００２８】なお、ストッパ６８は基板Ｇの側端部に当
接するようにアーム６２の適所に取り付けられ、これに
より搬送中の基板Ｇが進行方向（Ｙ軸方向）に位置ずれ
するのを防止するようになっている。
接するようにアーム６２の適所に取り付けられ、これに
より搬送中の基板Ｇが進行方向（Ｙ軸方向）に位置ずれ
するのを防止するようになっている。
【００２９】次に、図５及び図６を参照しながら真空処
理室１０について説明する。
理室１０について説明する。
【００３０】真空処理室１０の中央には製膜ユニット７
１が設置されている。製膜ユニット７１はプラズマＣＶ
Ｄ製膜に必要な機器要素７１ａ〜７１ｄを２組ずつ備え
るものであり、このユニット７１の両面にヒータカバー
７３を介してヒータユニット７２が対面配置されてい
る。
１が設置されている。製膜ユニット７１はプラズマＣＶ
Ｄ製膜に必要な機器要素７１ａ〜７１ｄを２組ずつ備え
るものであり、このユニット７１の両面にヒータカバー
７３を介してヒータユニット７２が対面配置されてい
る。
【００３１】ヒータユニット７２は片面発熱型の面状ヒ
ータエレメントからなり、図示しない上部または背面支
持機構により吊り下げられている。ヒータカバー７３は
ヒータユニット７２の発熱面を保護するためのものであ
り、４つのボールスクリュウ機構によりヒータユニット
７２に対して可動に支持されている。ボールスクリュウ
機構は、ナット７４、ステッピングモータ７５、スクリ
ュウ７６を具備し、ヒータユニット７２（固定）から製
膜ユニット７１（固定）までの間でヒータカバー７３を
移動させるための機構である。ナット７４はヒータカバ
ー７３の四隅近傍にそれぞれ取り付けられ、モータ７５
で回転駆動されるスクリュウ７６に螺合されている。本
実施形態ではボールスクリュウ機構によるヒータカバー
７３の移動量は最大７０ｍｍである。ちなみに、基板Ｇ
と電極７１ｂとの相互間距離は例えば３５〜５０ｍｍに
設定されている。プラズマは基板Ｇと電極７１ｂとで挟
まれた狭い領域に生成されるようになっている。
ータエレメントからなり、図示しない上部または背面支
持機構により吊り下げられている。ヒータカバー７３は
ヒータユニット７２の発熱面を保護するためのものであ
り、４つのボールスクリュウ機構によりヒータユニット
７２に対して可動に支持されている。ボールスクリュウ
機構は、ナット７４、ステッピングモータ７５、スクリ
ュウ７６を具備し、ヒータユニット７２（固定）から製
膜ユニット７１（固定）までの間でヒータカバー７３を
移動させるための機構である。ナット７４はヒータカバ
ー７３の四隅近傍にそれぞれ取り付けられ、モータ７５
で回転駆動されるスクリュウ７６に螺合されている。本
実施形態ではボールスクリュウ機構によるヒータカバー
７３の移動量は最大７０ｍｍである。ちなみに、基板Ｇ
と電極７１ｂとの相互間距離は例えば３５〜５０ｍｍに
設定されている。プラズマは基板Ｇと電極７１ｂとで挟
まれた狭い領域に生成されるようになっている。
【００３２】製膜ユニット７１は、図６及び図７に示す
ように、ポジショナー７１ａと、ガス供給機能付きラダ
ー電極７１ｂと、製膜ユニットカバー７１ｃと、製膜ユ
ニット温度制御ヒータ７１ｄと、排気通路７１ｅとを備
えている。ポジショナー７１ａは製膜ユニット７１を取
り囲む周囲枠の一部を利用したものである。電極７１ｂ
には図示しない高周波電源およびガス供給源がそれぞれ
接続されている。高周波電源は所定周波数の高周波を電
極７１ｂに印可し、電極７１ａと基板Ｇとの間にプラズ
マを生じさせるようになっている。ガス供給源（図示せ
ず）には反応性ガスとして例えばシランを主成分とする
プロセスガスが収容されている。製膜ユニットカバー７
１ｃは電極７１ｂの背後を覆うように配置されている。
ように、ポジショナー７１ａと、ガス供給機能付きラダ
ー電極７１ｂと、製膜ユニットカバー７１ｃと、製膜ユ
ニット温度制御ヒータ７１ｄと、排気通路７１ｅとを備
えている。ポジショナー７１ａは製膜ユニット７１を取
り囲む周囲枠の一部を利用したものである。電極７１ｂ
には図示しない高周波電源およびガス供給源がそれぞれ
接続されている。高周波電源は所定周波数の高周波を電
極７１ｂに印可し、電極７１ａと基板Ｇとの間にプラズ
マを生じさせるようになっている。ガス供給源（図示せ
ず）には反応性ガスとして例えばシランを主成分とする
プロセスガスが収容されている。製膜ユニットカバー７
１ｃは電極７１ｂの背後を覆うように配置されている。
【００３３】製膜ユニット温度制御ヒータ７１ｂは製膜
ユニット７１の中央に設けられている。ヒータ７１ｄの
電源は図示しないコントローラに接続され、製膜ユニッ
ト７１をＣＶＤ製膜に適した温度にするように給電制御
される。排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の中央上部
に連通し、製膜ユニット７１の内部を排気するようにな
っている。
ユニット７１の中央に設けられている。ヒータ７１ｄの
電源は図示しないコントローラに接続され、製膜ユニッ
ト７１をＣＶＤ製膜に適した温度にするように給電制御
される。排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の中央上部
に連通し、製膜ユニット７１の内部を排気するようにな
っている。
【００３４】図７に示すように、左右のヒータユニット
７２は製膜室扉開閉移動機構８０によってＸ軸方向に移
動可能にそれぞれ支持されている。製膜室扉開閉移動機
構８０にてレール８１に沿って走行させ、ヒータユニッ
ト７２を真空処理室１０に押し付け、外装扉８６で真空
処理室１０の側面開口を塞ぐと、処理室１０の内部は半
分が気密になる。この気密な空間を排気通路７１ｅを介
して真空ポンプ（図示せず）で排気し、製膜ガスを供給
し、電極７１ｂに高周波を印可すると電極７１ｂと基板
Ｇとの間にプラズマが生成されるようになっている。
７２は製膜室扉開閉移動機構８０によってＸ軸方向に移
動可能にそれぞれ支持されている。製膜室扉開閉移動機
構８０にてレール８１に沿って走行させ、ヒータユニッ
ト７２を真空処理室１０に押し付け、外装扉８６で真空
処理室１０の側面開口を塞ぐと、処理室１０の内部は半
分が気密になる。この気密な空間を排気通路７１ｅを介
して真空ポンプ（図示せず）で排気し、製膜ガスを供給
し、電極７１ｂに高周波を印可すると電極７１ｂと基板
Ｇとの間にプラズマが生成されるようになっている。
【００３５】基板保持機構としてのヒータカバー７３は
支持突起７３ａを備えており、搬送台車６Ａ，６Ｂから
受け渡された基板Ｇが支持突起７３ａによりヒータカバ
ー７３から滑り落ちるのを防ぐようになっている。この
ようなヒータカバー７３は垂直軸に対して７°〜１２°
傾けて基板Ｇを支持することが好ましく、基板Ｇを約１
０°傾けて支持することが最も好ましい。基板Ｇの傾斜
角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板Ｇが不
安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角θ
１の下限値は７°とする。一方、基板Ｇの傾斜角θ１が
１２°を上回ると、搬送スペースやヒータスペースが大
きくなり処理室内のデッドスペースが増加して真空ポン
プに過大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の
上限値は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大
や真空ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、
傾斜角θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とす
ることも可能である。
支持突起７３ａを備えており、搬送台車６Ａ，６Ｂから
受け渡された基板Ｇが支持突起７３ａによりヒータカバ
ー７３から滑り落ちるのを防ぐようになっている。この
ようなヒータカバー７３は垂直軸に対して７°〜１２°
傾けて基板Ｇを支持することが好ましく、基板Ｇを約１
０°傾けて支持することが最も好ましい。基板Ｇの傾斜
角θ１が７°を下回ると、搬送中に台車上で基板Ｇが不
安定になり反対側へ倒れるおそれがあるので、傾斜角θ
１の下限値は７°とする。一方、基板Ｇの傾斜角θ１が
１２°を上回ると、搬送スペースやヒータスペースが大
きくなり処理室内のデッドスペースが増加して真空ポン
プに過大な負荷がかかるようになるので、傾斜角θ１の
上限値は１２°とする。しかし、デッドスペースの増大
や真空ポンプの過負荷が大きな問題とならない場合は、
傾斜角θ１を１２°以上に、例えば２０°〜３０°とす
ることも可能である。
【００３６】次に、上記のトレイレス斜め基板搬送装置
を用いて基板Ｇを真空処理室に搬送し、製膜処理する場
合について概略説明する。
を用いて基板Ｇを真空処理室に搬送し、製膜処理する場
合について概略説明する。
【００３７】製膜予定面を上向きにしてガラス基板Ｇが
ローダ部としてのローラテーブル２上を搬送されてくる
と、図示しないセンサが基板Ｇを検知し、この検知信号
に基づき送りローラ３が停止され、基板Ｇが所定の受け
渡し位置で停止する。シリンダ１４Ａが駆動してゲート
１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを開けて、この受け
渡し位置には搬送台車６Ａが待機しており、基板Ｇは２
本のアーム６１の真上に位置することになる。
ローダ部としてのローラテーブル２上を搬送されてくる
と、図示しないセンサが基板Ｇを検知し、この検知信号
に基づき送りローラ３が停止され、基板Ｇが所定の受け
渡し位置で停止する。シリンダ１４Ａが駆動してゲート
１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを開けて、この受け
渡し位置には搬送台車６Ａが待機しており、基板Ｇは２
本のアーム６１の真上に位置することになる。
【００３８】次いで、支持カム６３および保持部材６６
により基板Ｇをアーム６１に保持する。基板Ｇの保持動
作が完了すると、レール回動機構９により搬送台車６Ａ
とともに基板Ｇを直立させる。そして、真空処理室１０
に向けて搬送台車６Ａを走行させる。
により基板Ｇをアーム６１に保持する。基板Ｇの保持動
作が完了すると、レール回動機構９により搬送台車６Ａ
とともに基板Ｇを直立させる。そして、真空処理室１０
に向けて搬送台車６Ａを走行させる。
【００３９】次いで、ボールスクリュウ機構によりヒー
タカバー７３を台車６Ａ上の基板Ｇに前進近接させると
ともに、支持カム６３および保持部材６６のそれぞれを
揺動回転させ、台車のアーム６１から基板Ｇを解放し、
ヒータカバー７３の支持突起７３ａの上に基板Ｇを移載
する。
タカバー７３を台車６Ａ上の基板Ｇに前進近接させると
ともに、支持カム６３および保持部材６６のそれぞれを
揺動回転させ、台車のアーム６１から基板Ｇを解放し、
ヒータカバー７３の支持突起７３ａの上に基板Ｇを移載
する。
【００４０】基板Ｇの受け渡し動作が完了すると、搬送
台車６Ａは移動してレール８Ａからレール１８Ａの上に
乗り移り、この台車の乗り移りが完了したことをセンサ
（図示せず）で検知すると、シリンダ１４Ａが駆動して
ゲート１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを閉じる。次
に、ヒータカバー７３を製膜ユニット７１に向けて前進
させ、基板Ｇの周縁部を全周にわたりポジショナー７１
ａに押し付ける。これにより基板Ｇとヒータカバー７３
との密着度が良好になり、基板Ｇの温度分布が改善され
るとともにバイアス電圧分布も改善され、膜厚および膜
質の均一性が向上する。
台車６Ａは移動してレール８Ａからレール１８Ａの上に
乗り移り、この台車の乗り移りが完了したことをセンサ
（図示せず）で検知すると、シリンダ１４Ａが駆動して
ゲート１６Ａを移動させ、搬入出口１２Ａを閉じる。次
に、ヒータカバー７３を製膜ユニット７１に向けて前進
させ、基板Ｇの周縁部を全周にわたりポジショナー７１
ａに押し付ける。これにより基板Ｇとヒータカバー７３
との密着度が良好になり、基板Ｇの温度分布が改善され
るとともにバイアス電圧分布も改善され、膜厚および膜
質の均一性が向上する。
【００４１】製膜ユニット７１の内部を排気しながらプ
ロセスガスを供給するとともに、電極７１ｂに高周波を
印可して電極７１ｂと基板Ｇとの間に高周波プラズマを
生成する。これにより基板Ｇの表面に所望の膜が製膜さ
れる。
ロセスガスを供給するとともに、電極７１ｂに高周波を
印可して電極７１ｂと基板Ｇとの間に高周波プラズマを
生成する。これにより基板Ｇの表面に所望の膜が製膜さ
れる。
【００４２】製膜処理が完了すると、シリンダ１４Ｃに
よりゲート１６Ｃを移動させ搬入出口１２Ｃを開け、搬
送台車６Ｃを真空処理室内に搬入し、上記と逆の動作を
することにより基板Ｇをヒータカバー７３から搬送台車
６Ｃに受け渡す。搬送台車６Ｃは真空処理室１０を退出
し、上記と逆の動作をすることによって基板Ｇをローラ
テーブル２２に移載する。そして、基板Ｇはアンローダ
部としてのローラテーブル２２により次工程へ搬出され
る。
よりゲート１６Ｃを移動させ搬入出口１２Ｃを開け、搬
送台車６Ｃを真空処理室内に搬入し、上記と逆の動作を
することにより基板Ｇをヒータカバー７３から搬送台車
６Ｃに受け渡す。搬送台車６Ｃは真空処理室１０を退出
し、上記と逆の動作をすることによって基板Ｇをローラ
テーブル２２に移載する。そして、基板Ｇはアンローダ
部としてのローラテーブル２２により次工程へ搬出され
る。
【００４３】次に、図８を参照しながら他の実施形態の
装置について説明する。なお、本実施形態が上記の実施
形態と重複する部分の説明は省略する。
装置について説明する。なお、本実施形態が上記の実施
形態と重複する部分の説明は省略する。
【００４４】本実施形態の装置では製膜室中央の両面型
製膜ユニット７１を上下逆転させた形状としている。す
なわち、製膜ユニット７１は上部よりも下部が大きくな
っており、排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の最下部
に設けられている。このような製膜ユニット７１の形状
に応じてヒータユニット７２の形状も変えてある。すな
わち、ヒータユニット７２は上部が前傾するような姿勢
で扉開閉移動機構８０に支持されている。なお、製膜ユ
ニット７１およびヒータユニット７２の傾斜角θ１は７
〜１２°に設定されている。
製膜ユニット７１を上下逆転させた形状としている。す
なわち、製膜ユニット７１は上部よりも下部が大きくな
っており、排気通路７１ｅは製膜ユニット７１の最下部
に設けられている。このような製膜ユニット７１の形状
に応じてヒータユニット７２の形状も変えてある。すな
わち、ヒータユニット７２は上部が前傾するような姿勢
で扉開閉移動機構８０に支持されている。なお、製膜ユ
ニット７１およびヒータユニット７２の傾斜角θ１は７
〜１２°に設定されている。
【００４５】本実施形態の装置では搬送台車６Ｅとの基
板Ｇの受け渡しは製膜ユニット７２との間でなされる。
すなわち、製膜ユニット７２のポジショナー７１ａの下
部に支持突起７１ｆが設けられ、この支持突起７１ｆに
より基板Ｇの滑り落ちが防止されるようになっている。
このようにポジショナー７１ａにより保持された基板Ｇ
にヒータカバー７３を押し付け、両者の密着性を向上さ
せて基板温度分布およびバイアス電圧分布を低減してい
る。
板Ｇの受け渡しは製膜ユニット７２との間でなされる。
すなわち、製膜ユニット７２のポジショナー７１ａの下
部に支持突起７１ｆが設けられ、この支持突起７１ｆに
より基板Ｇの滑り落ちが防止されるようになっている。
このようにポジショナー７１ａにより保持された基板Ｇ
にヒータカバー７３を押し付け、両者の密着性を向上さ
せて基板温度分布およびバイアス電圧分布を低減してい
る。
【００４６】本実施形態の装置によれば、基板Ｇの製膜
面が下向きとなるため、製膜中に製膜ユニット内で生成
された粉や剥離膜が製膜面上に滑り落ちることを抑制で
き、製膜品質が向上する。特に、板厚の厚い基板や小型
の基板に適している。
面が下向きとなるため、製膜中に製膜ユニット内で生成
された粉や剥離膜が製膜面上に滑り落ちることを抑制で
き、製膜品質が向上する。特に、板厚の厚い基板や小型
の基板に適している。
【００４７】なお、上記実施形態では１ｍ角サイズの基
板を支持し搬送する場合について説明したが、本発明は
これのみに限られることなく更に大型の基板、例えば
１．２ｍ角〜１．５ｍ角サイズの大型基板を保持し搬送
することも可能である。
板を支持し搬送する場合について説明したが、本発明は
これのみに限られることなく更に大型の基板、例えば
１．２ｍ角〜１．５ｍ角サイズの大型基板を保持し搬送
することも可能である。
【００４８】また、図８の実施形態では製膜予定面を下
向きにして基板をローダ／アンローダ部に搬入搬出する
ことになる。
向きにして基板をローダ／アンローダ部に搬入搬出する
ことになる。
【００４９】上記各々の搬送形態をもち、真空処理室を
複数個並列に構成した実施形態によれば、基板を各処理
室に対して次々に搬送し、複数の基板を同時並行処理す
ることができるので、ある１つの処理室にトラブルが生
じた場合であっても他の処理室には直接の影響が及ば
ず、システム全体を停止する必要がない。また、ある１
つの処理室をメンテナンスする必要が生じた場合であっ
ても他の処理室には直接の影響が及ばず、システム全体
を停止する必要がない。このため、設備稼働率が従来に
比べて格段に高まる。
複数個並列に構成した実施形態によれば、基板を各処理
室に対して次々に搬送し、複数の基板を同時並行処理す
ることができるので、ある１つの処理室にトラブルが生
じた場合であっても他の処理室には直接の影響が及ば
ず、システム全体を停止する必要がない。また、ある１
つの処理室をメンテナンスする必要が生じた場合であっ
ても他の処理室には直接の影響が及ばず、システム全体
を停止する必要がない。このため、設備稼働率が従来に
比べて格段に高まる。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
板とヒータカバーとの密着性が良好になるので、温度分
布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製
膜処理をすることができる。
板とヒータカバーとの密着性が良好になるので、温度分
布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製
膜処理をすることができる。
【図１】本発明の実施形態に係るトレイレス斜め基板搬
送装置を示す全体斜視図。
送装置を示す全体斜視図。
【図２】搬送台車用レールの回動機構を示す斜視図。
【図３】基板を保持した搬送台車を示す斜視図。
【図４】（ａ）は搬送時の基板の支持状態を説明するた
めに搬送台車の一部を拡大して示す部分拡大図、（ｂ）
は移載時の基板の支持状態を説明するために搬送台車お
よびヒータカバーの一部を拡大して示す部分拡大図。
めに搬送台車の一部を拡大して示す部分拡大図、（ｂ）
は移載時の基板の支持状態を説明するために搬送台車お
よびヒータカバーの一部を拡大して示す部分拡大図。
【図５】製膜室の内部を透視して示す分解斜視図。
【図６】製膜室内の製膜ユニットおよびヒータユニット
の一部を切り欠いて内部を示す分解斜視図。
の一部を切り欠いて内部を示す分解斜視図。
【図７】製膜室の内部を示す縦断面図。
【図８】他の実施形態の装置における製膜室の内部を示
す縦断面図。
す縦断面図。
【図９】従来の基板搬送装置の概要を示す斜視図。
【図１０】従来の製膜ユニットおよびヒータを示す内部
透視斜視図。
透視斜視図。
１…トレイレス斜め基板搬送装置、 ２，２２…ローラテーブル（ローダ／アンローダ部）、 ４，４４…搬送部、 ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ…搬送台車、 ６１…台車本体、 ６２…アーム、 ６３…支持カム、 ６４…回転軸、 ６５…間欠回転駆動機構、 ６６…保持部材、 ６７…揺動軸、 ６８…ストッパ、 ８Ａ，８Ｂ，１８Ａ，１８Ｂ，２８Ａ，２８Ｂ…リニア
ガイドレール、 ９…レール回動機構、 １０…真空処理室（製膜室）、 １２Ａ，１２Ｂ…基板搬入出口、 １４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ…ゲート弁駆動用シリ
ンダ、 １６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ…ゲート、 ７１…製膜ユニット、 ７１ａ…ポジショナー（周囲外枠）、 ７１ｂ…ガス供給機能付ラダー電極、 ７１ｃ…製膜ユニットカバー、 ７１ｄ…製膜ユニット温度制御ヒータ、 ７１ｅ…排気通路、 ７１ｆ…支持突起、 ７２…ヒータユニット、７３…ヒータカバー、７３ａ…
支持突起、 ７４…ナット、７５…モータ、７６…スクリュウ、 ８０…製膜室扉開閉移動機構、 Ｇ…基板。
ガイドレール、 ９…レール回動機構、 １０…真空処理室（製膜室）、 １２Ａ，１２Ｂ…基板搬入出口、 １４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ…ゲート弁駆動用シリ
ンダ、 １６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ…ゲート、 ７１…製膜ユニット、 ７１ａ…ポジショナー（周囲外枠）、 ７１ｂ…ガス供給機能付ラダー電極、 ７１ｃ…製膜ユニットカバー、 ７１ｄ…製膜ユニット温度制御ヒータ、 ７１ｅ…排気通路、 ７１ｆ…支持突起、 ７２…ヒータユニット、７３…ヒータカバー、７３ａ…
支持突起、 ７４…ナット、７５…モータ、７６…スクリュウ、 ８０…製膜室扉開閉移動機構、 Ｇ…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 藤山 泰三 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 (72)発明者 小川 和彦 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 Ｆターム(参考） 4K030 CA06 GA03 GA12 5F004 AA01 BA04 BB13 BB16 BB20 BC06 BD04 5F031 CA05 FA02 FA07 FA18 GA37 GA58 5F045 AA08 AA19 AC01 BB02 DP07 DP11 EB02 EB08 EB09 EH13 EK23 EN04
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を減圧下で処理する真空処理室と、 この真空処理室との間で基板を受け渡しする搬送台車
と、 この搬送台車上で基板を斜めに立て掛け支持する基板保
持機構と、 前記真空処理室に設けられた両面型の製膜ユニットと、 この製膜ユニットの両側にそれぞれ配置され、それぞれ
が前記製膜ユニットに対して可動である該ヒータ発熱面
を覆うヒータカバーを有する一対のヒータユニットと、 前記ヒータ発熱面と平面での平行関係を保ちながら前記
ヒータカバーを前記ヒータ発熱面に実質的に直交する方
向に移動させ、前記ヒータカバーを基板に密着させるヒ
ータカバー移動手段と、を具備することを特徴とするト
レイレス斜め基板搬送装置。 - 【請求項２】 さらに、上記製膜ユニットは、基板に押
し付けられるポジショナーを有することを特徴とする請
求項１記載のトレイレス斜め基板搬送装置。 - 【請求項３】 上記ヒータカバーは、垂直軸に対して７
〜１２°傾けて基板に密着することを特徴とする請求項
１記載のトレイレス斜め基板搬送装置。 - 【請求項４】 上記ヒータカバーに密着した基板は製膜
予定面が上向きであることを特徴とする請求項３記載の
トレイレス斜め基板搬送装置。 - 【請求項５】 上記ヒータカバーに密着した基板は製膜
予定面が下向きであることを特徴とする請求項３記載の
トレイレス斜め基板搬送装置。
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