JP2001116941A

JP2001116941A - フレキシブル高分子光導波路の製造方法

Info

Publication number: JP2001116941A
Application number: JP29897399A
Authority: JP
Inventors: Mitsuro Mita; 充郎見田; Hiroo Miyamoto; 裕生宮本; Kiminori Maeno; 仁典前野; Katsuaki Umibe; 勝晶海部
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 1999-10-21
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】フレキシブル高分子光導波路を容易且つ簡便
に製造する方法を提供する。【解決手段】少なくともその上表面にＳｉＯ₂膜１１
ａを備えた基板１１上に、下部クラッド層、コア、上部
クラッド層からなる高分子光導波路部１７を形成した
後、高分子光導波路部１７を形成した基板１１をフッ酸
水溶液１８に浸漬することにより、ＳｉＯ₂膜１１ａを
溶解させ、高分子光導波路部１７を基板から剥離する。
これによりフレキシブル高分子光導波路１９ができあが
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光インターコネク
トに用い、電気部品、光部品を混載したプリント基板間
の光接続を容易とするフレキシブル高分子光導波路の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣや抵抗など電気部品を搭載し
たプリント基板は、専ら電気部品のみを搭載したもので
あり、これら電気部品間の信号のやりとりは電気配線に
より行われてきた。また、これらのプリント基板を複数
並べてプリント基板間で信号を授受する場合も電気ケー
ブルなどの電気配線が用いられてきた。最近では、この
ようなプリント基板に、電気部品のみならず光部品も同
じ基板上に混載されることも多くなり、これら電気部
品、光部品を混載したプリント基板内では電気配線とと
もに光配線により信号の授受を行っている。さらに、こ
れらの電気部品、光部品混載プリント基板を複数並べて
信号を授受する場合、プリント基板間を光ファイバなど
を用いて光信号を授受する方法が用いられるようになっ
てきている。

【０００３】このような光による信号の授受を行うこと
により、電気配線のみの場合より時間的な遅延が小さく
高速の信号処理が可能となり、また電気配線で問題とな
る電気ノイズの影響を受けないなどの利点が得られる。
このため、光を用いた信号の授受は、光インターコネク
トと呼ばれ、今後ますます多用され、その性能や信頼性
のみならず、低コスト化が重要になってきている。

【０００４】従来、この種の光インターコネクト用の光
導波路部品として、高分子を用い、フレキシビリティ
（可撓性）をもった高分子フレキシブル光導波路につい
て、文献：特開平８−３０４６５０号公報に開示される
ものがあった。上記文献に開示された従来の高分子フレ
キシブル光導波路の製造方法について、その前半の工程
を示す図３（ａ）〜（ｇ）及び後半の工程を示す図４
（ａ）、（ｂ）の製造工程図を用いて説明する。なお、
これら図３、図４では要部を示した図としている。

【０００５】先ず、図３（ａ）に示すように、真空装置
としてスパッタリング装置を用い、シリコン（Ｓｉ）基
板１の上にスパッタリングにより数十ｎｍ〜数百ｎｍの
厚さの銅（Ｃｕ）薄膜２を形成する。次いで、図３
（ｂ）に示すように、Ｃｕ薄膜２上に光導波路材料とし
て高分子光導波路材料を用いて、下部クラッド層３を形
成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、下部クラッ
ド層３上に、同様の高分子光導波路材料を用いて、コア
層４を形成する。但し、このコア層４の屈折率は前述の
下部クラッド層３及び後述する上部クラッド層の屈折率
より高くなるようにしている。

【０００６】次いで、図３（ｄ）に示すように、コア層
４上にレジストを塗布して、フォトリソグラフィ、現像
を行って、後述するコアのパターンに対応したレジスト
パターン５を形成する。次いで、図３（ｅ）に示すよう
に、酸素（Ｏ₂）ガスを用いたリアクティブ・イオン・
エッチング（以下、ＲＩＥとも呼ぶ）によるパターニン
グを行って、コア４ａのパターンを形成する。

【０００７】次いで、図３（ｆ）に示すように、コア４
ａ上のレジストパターンを除去する。次いで、図３
（ｇ）に示すように、下部クラッド層３が露出した部分
及びコア４ａの上に、高分子光導波路材料を用いて、上
部クラッド６を形成する。これによりＣｕ薄膜上に高分
子光導波路材料の光導波路部７が形成される。次いで、
図４（ａ）に示すように、光導波路部７が形成されたＳ
ｉ基板１を塩酸（ＨＣｌ）水溶液または水酸化カリウム
（ＫＯＨ）水溶液８に数時間浸漬して、Ｃｕ薄膜２を溶
かすことにより、Ｓｉ基板１から光導波路部７を剥離す
る。これにより、図４（ｂ）に示すように、フレキシブ
ル高分子光導波路９が完成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述の従来のフレキシ
ブル高分子光導波路の製造方法では、Ｃｕ薄膜２の形成
に高価な真空装置（スパッタリング装置）を用いている
ため、製造コストが高くなるという問題があった。ま
た、Ｃｕ薄膜２の形成を真空装置（スパッタリング装
置）を用いて行っているためＣｕ薄膜の形成に時間がか
かり、さらにＳｉ基板１から光導波路部７を剥離する際
にＣｕ薄膜（例えば、１００ｎｍ厚）を溶解するのに数
時間を要し、従ってこの剥離に時間がかかり、その結
果、フレキシブル高分子光導波路９の製造に時間がかか
るという問題があった。

【０００９】また、Ｃｕ薄膜を溶解する時間が短くなる
と、剥離した後の光導波路部にＣｕ薄膜が残留し、光導
波路の光透過特性に悪影響を与える恐れがあった。ま
た、Ｃｕ薄膜を形成するためにスパッタリング装置など
の真空装置を用いるが、使用する基板の大きさが真空装
置の仕様で決定され、使用可能な基板の大きさが制限さ
れるという問題もあった。本発明は、上記問題点を解決
し、短時間で且つ低コストでの製造を可能とし、任意な
大きさの基板を使用することができ、しかも良好な光透
過特性を有するフレキシブル高分子光導波路の製造方法
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のフレキシブル高分子光導波路の製造方法
は、少なくともその上表面にＳｉＯ₂膜を備えた基板上
に、下部クラッド層、コア、上部クラッド層からなる高
分子光導波路部を形成する工程と、高分子光導波路部を
形成した基板をフッ酸水溶液に浸漬することにより、前
記ＳｉＯ₂膜を溶解させ、基板からその上に形成した高
分子光導波路部を剥離する工程とを備えることを特徴と
する。

【００１１】基板としてはシリコン基板を用い、ＳｉＯ
₂膜としてはシリコン基板表面に存在する自然酸化膜を
用いることができる。或いは、基板としてＳｉＯ₂を主
成分とするガラス基板を用い、ＳｉＯ₂膜としてＳｉＯ₂
を主成分とする前記基板の表層部を用いることができ
る。或いは、基板としてシリコン基板を用い、ＳｉＯ₂
膜としてシリコン基板を熱酸化して形成した熱酸化膜を
用いることができる。或いは、ＳｉＯ₂膜としてゾルゲ
ル法により形成したＳｉＯ₂膜を用いることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。先ず、図１、図２を参照して本発明の第１
の実施の形態について説明する。この第１の実施の形態
においては、シリコン基板（以下、Ｓｉ基板という）上
に高分子光導波路を形成した後、Ｓｉ基板と高分子光導
波路の間に存在するＳｉ基板表面に自然に生じている自
然酸化膜（ＳｉＯ₂膜）をフッ酸水溶液で溶解すること
により、高分子光導波路をＳｉ基板から剥離することを
特徴とする。以下、前半の工程を示す図１（ａ）〜
（ｇ）及び後半の工程を示す図２（ａ）、（ｂ）の製造
工程図を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るフ
レキシブル高分子光導波路の製造方法を詳細に説明す
る。

【００１３】先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板（以下、Ｓｉ基板という）１１を準備する。このＳ
ｉ基板１１の表面には、大気中に放置することにより、
自然に自然酸化膜として膜厚十数Åから数十Åの２酸化
シリコン膜（以下、ＳｉＯ₂膜という）１１ａが生じて
いる。このＳｉ基板１１の上表面側のＳｉＯ₂膜１１ａ
上に接着層として機能するカプラー層１２を形成する。
このカプラー層１２は、後工程で形成し、加工するフッ
素化ポリイミド層が、工程の途中で、Ｓｉ基板１１から
剥離するのを防止するためのものである。このためにカ
プラー剤（日立化成（株）製、商品名：ＯＰＩ−Ｃｏｕ
ｐｌｅｒ、ＲＵ−１６００）を、Ｓｉ基板１１の上面側
のＳｉＯ₂膜１１ａ上に回転速度２８００ｒｐｍ、６０
秒の条件でスピンコートし、空気中で２５０℃、１時間
の熱処理を施すことにより、膜厚として単分子層程度の
膜厚数Åのカプラー層１２が形成される。このカプラー
層１２は、ＳｉＯ₂から成り、自然酸化膜であるＳｉＯ₂
膜１１ａのＳｉＯ₂と結合され、また後工程で形成され
るフッ素化ポリイミド層とも結合されて、剥離を防止す
る。

【００１４】次いで、図１（ｂ）に示すように、下部ク
ラッド層形成のための高分子材料としてフッ素化ポリイ
ミド溶液（日立化成（株）製、商品名：ＯＰＩ−Ｎ３２
０５）を用い、カプラー層１２上に、この溶液をスピン
コート法（回転速度３０００ｒｐｍ、３０秒）で塗布
し、空気中３５０℃でベークした。この工程を数度繰り
返すことにより、膜厚１５μｍの下部クラッド層１３を
形成した。この下部クラッド層１３の屈折率は１．５２
７であった。

【００１５】次いで、図１（ｃ）に示すように、下部ク
ラッド層１３上にコア層１４を形成した。このコア層１
４形成のための高分子材料としては、フッ素化ポリイミ
ド溶液（日立化成（株）製、商品名：ＯＰＩ−Ｎ３４０
５）を用いた。本溶液は、下部クラッド層の高分子材料
よりもフッ素化率を低減したもので、これを用いて形成
されるコア層１４は下部クラッド層の屈折率１．５２７
より大きい屈折率１．５３６を有する。この溶液を、下
部クラッド層１３上に、スピンコート法（回転速度３０
００ｒｐｍ、３０秒）で塗布し、空気中３５０℃でベー
クし、膜厚７．５μｍのコア層１４を形成した。

【００１６】次いで、図１（ｄ）に示すように、コア層
１４をパターニングして光導波路のコアを作製するた
め、レジストパターン１５の形成を行った。このレジス
トパターン１５は、次のようにして形成した。先ず、レ
ジストをスピンコートで塗布した（２８００回転、６０
秒）。次に、導波路のコアとして残すべき部分の上のみ
にレジストが残るよう、所定の光導波路のパターンを有
する露光マスクを用いて露光し、現像した。このように
してレジストパターン１５が形成される。

【００１７】次いで、図１（ｅ）に示すように、エッチ
ング・ガスとして酸素（Ｏ₂）ガスを用いたリアクティ
ブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）によりレジストの覆
っていない部分のコア層１４を除去し、コア１４ａのパ
ターンを形成した。次いで、図１（ｆ）に示すように、
コア１４ａ上に残っているレジストを溶解し、除去し
た。

【００１８】次いで、図１（ｇ）に示すように、このパ
ターニングにより形成したコア１４ａの上及び露出した
下部クラッド層１３上に、下部クラッド層１３と同様の
フッ素化ポリイミド溶液（日立化成（株）製、商品名：
ＯＰＩ−Ｎ３２０５）を用い、スピンコート法（回転速
度３０００ｒｐｍ、３０秒）で塗布し、空気中３５０℃
で焼成し、この工程を数度繰り返すことにより、膜厚１
５μｍの上部クラッド層１６を形成した。この上部クラ
ッド層１６の屈折率は下部クラッド層１３の屈折率と同
じとなる。このようにして、Ｓｉ基板１１上には、下部
クラッド層１３、コア１４ａ、上部クラッド層１６から
なる光導波路部１７が形成される。

【００１９】次いで、図２（ａ）に示すように、光導波
路部１７が形成されたＳｉ基板１１を、フッ酸の５％水
溶液１８中に３０分間浸漬した。これにより、Ｓｉ基板
１１上に形成した下部クラッド層１６とＳｉ基板１１と
の間に存在する、Ｓｉ基板表面に自然に生じている自然
酸化膜としてのＳｉＯ₂膜１１ａが溶解し、光導波路部
１７がＳｉ基板１１から剥離する。このときカプラー層
１２も溶解されるが、剥離した後、その一部が光導波路
部１７側に被着した状態で残ることもあり得る。仮にこ
のカプラー層１２の一部が残ったとしても、その膜厚は
最大でも数Å程度（単分子層程度の厚み）であり、しか
もカプラー層１２はＳｉＯ₂で構成されているため、光
導波路の光学特性には何の影響も与えない。さらに、Ｓ
ｉＯ₂膜１１ａについても、その一部が溶解されずに光
導波路部１７側に被着した状態で残ることもあり得る
が、その膜厚も薄く、しかもＳｉＯ₂膜であるので、光
導波路の光学特性には何の影響も与えない。

【００２０】最後に、Ｓｉ基板１１から剥離された光導
波路部を水洗して、図２（ｂ）に示すように、フレキシ
ブル高分子光導波路１９が完成する。この光導波路１９
の光透過特性を、フッ酸水溶液への浸漬前と、フッ酸水
溶液へ浸漬してＳｉ基板１１から剥離した後との両方で
の測定を行って見たが、両者での光透過特性に差異はな
かった。従って、フッ酸水溶液への浸漬は、フッ素化ポ
リイミドからなる高分子光導波路へ何らの影響も与えて
いないと考えて良い。なお、本実施の形態では、高分子
光導波路材料として、フッ素化ポリイミドを用いた例を
示したが、これに代えて、感光性樹脂である感光性フッ
素化ポリイミドを用いることもでき、或いはエポキシ系
などの感光性樹脂を用いることもできる。また、本実施
の形態では、コアのパターニングを、真空装置であるＲ
ＩＥ装置を用いたＲＩＥによるパターニングで行った例
を示したが、上述した感光性の樹脂を光導波路材料とし
て用いることで、フォトリソグラフィ工程のみでパター
ニングが可能となり、真空装置の使用を不要とすること
ができる。

【００２１】このように、本実施の形態によれば、Ｓｉ
基板から高分子光導波路を剥離するために、従来のよう
に真空装置を用いてＣｕなどの金属薄膜を形成する必要
が無く、元来Ｓｉ基板表面に存在する自然酸化膜（Ｓｉ
Ｏ₂膜）を利用し、これをフッ酸水溶液に溶解してＳｉ
基板から剥離するだけでフレキシブル高分子光導波路が
容易且つ簡便に作製できる。しかも任意な大きさのフレ
キシブル高分子光導波路を容易に作製できる。

【００２２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。この第２の実施の形態において、前述の第１
の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態における
Ｓｉ基板に代えて全体がＳｉＯ₂を主成分とするガラス
基板を用いることと、第１の実施の形態における自然酸
化膜としてのＳｉＯ₂膜に代えてＳｉＯ₂を主成分とする
ガラス基板自体の表層部のＳｉＯ₂をＳｉＯ₂膜として利
用することである。その製造工程については、前述の第
１の実施の形態と同様であり、その工程の詳細な説明は
省略する。

【００２３】この第２の実施の形態においては、前述の
ように、基板としてＳｉＯ₂を主成分とするガラス基板
（コーニング社製、商品名：７０５９）を用いた。この
ガラス基板の歪点は、フッ素化ポリイミドのイミド化に
必要な熱処理温度３５０℃より高い５５３℃であるた
め、基板としては問題なく使用できる。このガラス基板
上に第１の実施の形態と同様にして、カプラー層形成、
光導波路部を形成した後、フッ酸水溶液に浸漬してガラ
ス基板表層部のＳｉＯ₂を溶解することによりガラス基
板を剥離し、フレキシブル高分子光導波路を形成する。
このガラス基板の主成分はＳｉＯ₂であり、フッ酸水溶
液に浸漬する時間もわずか５分程度で確実に光導波路を
ガラス基板から剥離でき、容易にフレキシブル光導波路
を作製できる。このＳｉＯ₂を主成分とするガラス基板
を用いる利点としては、Ｓｉ基板の約半分程度の価格で
入手でき、基板の価格が安いことが第１に挙げられる。
この光導波路についても、その光透過特性を、フッ酸水
溶液への浸漬前と、フッ酸水溶液へ浸漬してガラス基板
から剥離した後との両方での測定を行って見たが、両者
での光透過特性に差異はなかった。従って、フッ酸水溶
液への浸漬は、フッ素化ポリイミドからなる高分子光導
波路へ何らの影響も与えていないと考えて良い。

【００２４】本実施の形態によれば、基板から高分子光
導波路部を剥離するために、従来のように真空装置を用
いてＣｕなどの金属薄膜を形成する必要が無く、基板自
体をＳｉＯ₂を主成分とするガラス基板を用いているの
で、フッ酸水溶液に浸漬して光導波路を基板から剥離す
る際に、前述の第１の実施の形態の場合と比べ、より短
時間で確実に剥離することができ、容易且つ簡便に任意
の大きさのフレキシブル高分子光導波路を作製できる。

【００２５】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。この第３の実施の形態において、前述の第１
の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態における
自然酸化膜（ＳｉＯ₂膜）に代えて、Ｓｉ基板を熱酸化
することによりＳｉ基板の表面に形成された酸化膜（Ｓ
ｉＯ₂膜）を用いることである。その製造工程について
は、前述の第１の実施の形態と同様であり、その工程の
詳細な説明は省略する。

【００２６】この第３の実施の形態においては、基板と
してＳｉ基板を熱酸化したＳｉ熱酸化基板を用いる。こ
のＳｉ熱酸化基板としては、酸化炉中にＳｉ基板を入
れ、水蒸気を流しながら１３００℃で１０分加熱するこ
とにより、Ｓｉ基板の表面に０．１〜０．２μｍのＳｉ
Ｏ₂膜が形成されたＳｉ熱酸化基板が形成される。この
Ｓｉ熱酸化基板上に、前述の第１の実施の形態の製法と
全く同様の手順で、カプラー層形成、光導波路形成、光
導波路の剥離までを行うことにより、容易にフレキシブ
ル高分子光導波路を作製できた。この光導波路について
も、その光透過特性を、フッ酸水溶液への浸漬前と、フ
ッ酸水溶液へ浸漬してＳｉ熱酸化基板から剥離した後と
の両方での測定を行って見たが、両者での光透過特性に
差異はなかった。従って、フッ酸水溶液への浸漬は、フ
ッ素化ポリイミドからなる高分子光導波路へ何らの影響
も与えていないと考えて良い。

【００２７】この第３の実施の形態によれば、Ｓｉ基板
表面に熱酸化により酸化膜を形成したため、前述の第１
の実施の形態における自然酸化膜よりもＳｉＯ₂膜の膜
厚を厚く形成でき、フッ酸水溶液での溶解も容易とな
り、光導波路を基板から剥離する際に、より短時間の５
分程度で確実に剥離することができ、プロセス時間を短
縮できた。

【００２８】次に、本発明の第４の実施の形態について
説明する。この第４の実施の形態において、前述の第１
の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態における
自然酸化膜（ＳｉＯ₂膜）に代えて、ＳｉＯ₂のゾルゲル
溶液を用いて形成したＳｉＯ₂膜を用いることである。
その製造工程については、前述の第１の実施の形態と同
様であり、その工程の詳細な説明は省略する。

【００２９】この第４の実施の形態では、Ｓｉ基板表面
にＳｉＯ₂のゾルゲル溶液を用いて２酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ₂）膜を形成した。ゾルゲル溶液としては、高純度
化学社製のゾルゲル溶液（商品名：Ｓｉ−０５Ｓ）を用
い、これをＳｉ基板上にスピンコート（３０００ｒｐ
ｍ、６０秒）した後、加熱（５００℃、１時間）するこ
とにより、膜厚約０．１μｍのＳｉＯ₂膜を形成した。
次いで、前述の第１の実施の形態の製法と同様に、カプ
ラー層形成、光導波路形成、光導波路の剥離を行い、フ
レキシブル高分子光導波路を作製した。この光導波路に
ついても、その光透過特性を、フッ酸水溶液への浸漬前
と、フッ酸水溶液へ浸漬してＳｉ基板から剥離した後と
の両方での測定を行って見たが、両者での光透過特性に
差異はなかった。従って、フッ酸水溶液への浸漬は、フ
ッ素化ポリイミドからなる高分子光導波路へ何らの影響
も与えていないと考えて良い。

【００３０】この第４の実施の形態によれば、Ｓｉ基板
上にゾルゲル法を用いてＳｉＯ₂膜を形成したので、前
述の第１の実施の形態における自然酸化膜よりもＳｉＯ
₂膜の膜厚を厚く形成でき、フッ酸水溶液での溶解も容
易となり、光導波路を基板から剥離する際に、５分程度
の短時間で確実に光導波路を基板から剥離することがで
き、プロセス時間を短縮できた。

【００３１】なお、前述の各実施の形態においてはＳｉ
Ｏ₂膜を溶解させるフッ酸水溶液としてフッ酸の濃度が
５％の水溶液を用いた場合について説明したが、このフ
ッ酸水溶液におけるフッ酸の濃度としては１〜３０％の
範囲の濃度とすることが望ましい。それは、フッ酸の濃
度が１％より小さいと剥離に時間がかかり、またフッ酸
の濃度が３０％より大きいと高分子光導波路に損傷を与
える恐れがあるからである。

【００３２】また、前述の第１、第２、第４の実施の形
態で用いたＳｉ基板としては、任意な大きさのＳｉウエ
ハを用いることができる。その場合、例えば代表的に前
述の第１の実施の形態の製法を例にとって説明すると、
図１（ａ）〜図１（ｇ）の各工程を実施することにより
このＳｉウエハ上に複数の光導波路部を形成した後、こ
のＳｉウエハをダイシングソーを用いてダイシングする
ことにより、個々の光導波路チップに切り離す。次い
で、切り離した個々の光導波路チップに対し図２（ａ）
の工程を実施することにより、それぞれのチップの光導
波路部が基板部分から剥離され、これにより個々のフレ
キシブル高分子光導波路が作製される。このＳｉウエハ
として大面積のＳｉウエハを用いれば、フレキシブル高
分子光導波路を大量に製造することができる。

【００３３】前述の各実施の形態の方法により作製され
たフレキシブル高分子光導波路は、良好な光透過特性及
び可撓性を有し、光インターコネクションにおいて、光
実装基板の基板間の信号の授受を行うフレキシブルな光
導波路として用いられる。なお、本発明は前述の各実施
の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
き種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から
排除するものではない。

【００３４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、少なくともその上表面にＳｉＯ₂膜を備えた基
板上に、下部クラッド層、コア、上部クラッド層からな
る高分子光導波路部を形成した後、高分子導波路部を形
成した基板をフッ酸水溶液に浸漬することにより、Ｓｉ
Ｏ₂膜を溶解させ、高分子光導波路部を基板から剥離す
るようにしたので、従来のように真空装置を用いてＣｕ
などの金属薄膜を形成する必要が無く、Ｓｉ基板表面の
ＳｉＯ₂膜をフッ酸水溶液に溶解してＳｉ基板から剥離
するだけでフレキシブル高分子光導波路を容易且つ簡便
に作製できるという特有の効果を有する。しかも、Ｓｉ
基板としては任意の大きさの基板を用いることができる
ため任意の大きさのフレキシブル高分子光導波路を容易
に製造でき、また大面積のＳｉウエハ等をＳｉ基板とし
て用いることにより一定の特性のフレキシブル高分子光
導波路を大量に製造できるという特有の効果を有する。

【００３５】また、フッ酸水溶液は、実質上フッ素化ポ
リイミド等からなる高分子光導波路へ何らの影響も与え
ることはなく、本発明の方法により作製されたフレキシ
ブル高分子光導波路は、良好な光透過特性及び可撓性を
有し、光インターコネクションにおいて、光実装基板の
基板間の信号の授受を行うフレキシブルな光導波路とし
て用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るフレキシブル
高分子光導波路の製造工程（前半）を示した図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るフレキシブル
高分子光導波路の製造工程（後半）を示した図である。

【図３】従来のフレキシブル高分子光導波路の製造工程
（前半）を示した図である。

【図４】従来のフレキシブル高分子光導波路の製造工程
（後半）を示した図である。

【符号の説明】

１１Ｓｉ基板１１ａ自然酸化膜（ＳｉＯ₂膜）１２カプラー層１３下部クラッド層１４コア層１４ａコア１５レジストパターン１６上部クラッド層１７光導波路部１８フッ酸水溶液１９フレキシブル高分子光導波路

フロントページの続き (72)発明者前野仁典東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内 (72)発明者海部勝晶東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 RA00 TA00 TA43

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともその上表面にＳｉＯ₂膜を備
えた基板上に、下部クラッド層、コア、上部クラッド層
からなる高分子光導波路部を形成する工程と、高分子光
導波路部を形成した前記基板をフッ酸水溶液に浸漬する
ことにより、前記ＳｉＯ₂膜を溶解させ、前記基板から
その上に形成した前記高分子光導波路部を剥離する工程
とを備えることを特徴とするフレキシブル高分子光導波
路の製造方法。
【請求項２】前記基板としてシリコン基板を用い、前
記ＳｉＯ₂膜としてシリコン基板表面に存在する自然酸
化膜を用いたことを特徴とする請求項１記載のフレキシ
ブル高分子光導波路の製造方法。
【請求項３】前記基板としてＳｉＯ₂を主成分とする
ガラス基板を用い、前記ＳｉＯ₂膜としてＳｉＯ₂を主成
分とする前記基板の表層部を用いたことを特徴とする請
求項１記載のフレキシブル高分子光導波路の製造方法。
【請求項４】前記基板としてシリコン基板を用い、前
記ＳｉＯ₂膜として前記シリコン基板を熱酸化して形成
した熱酸化膜を用いたことを特徴とする請求項１記載の
フレキシブル高分子光導波路の製造方法。
【請求項５】前記ＳｉＯ₂膜としてゾルゲル法により
形成したＳｉＯ₂膜を用いたことを特徴とする請求項１
記載のフレキシブル高分子光導波路の製造方法。