JP2006259361A - ポリマー光導波路の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 気泡やクラックの発生を低減しうるポリマー光導波路の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を有するポリマー光導波路の製造方法において、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を有するポリマー光導波路の製造方法において、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ポリマー光導波路の製造方法に関する。
近年のパソコンやインターネットの普及に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このため、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報処理装置まで普及させることが望まれている。これを実現するには、光インターコネクション用に、高性能な光導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
光導波路の材料としては、ガラスや半導体材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料により光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これを所望の導波路形状にエッチングすることにより製造する方法が用いられる。また、樹脂によって光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により大気圧中で行う。
光導波路の材料としては、ガラスや半導体材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料により光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これを所望の導波路形状にエッチングすることにより製造する方法が用いられる。また、樹脂によって光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により大気圧中で行う。
また、コアならびにクラッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラス転移温度(Tg)が高く、耐熱性に優れるポリイミドが特に期待されている。ポリイミドによりコアおよびクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、半田付けにも耐えることができる。このポリイミドの中でも透過率、屈折率特性から通常フッ素を含むポリイミドが適用されている。通常、基板にはシリコンウエハが用いられ、ウエハに多面取りできるようにレイアウトされる。これを、それぞれのチップにダイシングを用いて切断する。
このようなポリマー光導波路は、一般に、基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を含む方法により製造されている。
コア形成後、上部クラッド層を形成する工程は、従来、所望の厚さ、例えば、15μmの厚さを有するように1回の塗布、加熱硬化により行われていた。しかし、この方法では、上部クラッド層形成材料が乾燥収縮する際に、コア側面部に応力が集中し、また、ドライエッチング面が表面に露出しているため、微少欠陥が存在し、クラッド層形成材料中の溶媒の攻撃により、下部クラッド層にクラックを生じることがあった。また、マルチモード光導波路のようにコアの幅が広い部分と狭い部分を含む分岐を有する光導波路においては分岐部に気泡を生じるという問題があった。
コア形成後、上部クラッド層を形成する工程は、従来、所望の厚さ、例えば、15μmの厚さを有するように1回の塗布、加熱硬化により行われていた。しかし、この方法では、上部クラッド層形成材料が乾燥収縮する際に、コア側面部に応力が集中し、また、ドライエッチング面が表面に露出しているため、微少欠陥が存在し、クラッド層形成材料中の溶媒の攻撃により、下部クラッド層にクラックを生じることがあった。また、マルチモード光導波路のようにコアの幅が広い部分と狭い部分を含む分岐を有する光導波路においては分岐部に気泡を生じるという問題があった。
ポリマー光導波路の製造において、上部クラッド層を複数回に分けて形成し、その際、1回目の塗布、焼成により形成される上部クラッド層の厚さをコア層の高さよりも薄くすることによりY分岐のような極めて狭いギャップ領域(例えば、図2のG)での気泡の取り込みを防止することが提案されている(特許文献1)。しかし、上記方法は、コア幅が小さい場合にはある程度の効果を奏するが、コア幅が大きくなると気泡の発生を充分に防止することが難しくなる。
また、ドライエッチングの際にコア近傍の下部クラッド層に生じたクラック(例えば、図3の6)から、レジスト除去の際の薬液が基板との界面にまで浸入して下部クラッド層を剥離してしまうという不具合があった。この問題を解消するために、レジストの除去前に上部クラッド層を形成し、下部クラッド層に生じたクラックを埋め込んでから、さらにドライエッチングしてレジストを露出させ、レジスト剥離を行う方法が提案されている(特許文献2)。しかし、この方法はクラックの発生そのものを防止しようとするものではない。
また、ドライエッチングの際にコア近傍の下部クラッド層に生じたクラック(例えば、図3の6)から、レジスト除去の際の薬液が基板との界面にまで浸入して下部クラッド層を剥離してしまうという不具合があった。この問題を解消するために、レジストの除去前に上部クラッド層を形成し、下部クラッド層に生じたクラックを埋め込んでから、さらにドライエッチングしてレジストを露出させ、レジスト剥離を行う方法が提案されている(特許文献2)。しかし、この方法はクラックの発生そのものを防止しようとするものではない。
本発明の目的は、ポリマー光導波路の製造方法を提供することであり、特に、気泡やクラックの発生を低減しうるポリマー光導波路の製造方法を提供することである。
本発明は以下に示すポリマー光導波路の製造方法を提供するものである。
1.基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を有するポリマー光導波路の製造方法において、
上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。
2.第1上部クラッド層の厚さが、0.4μm〜1.2μmである上記1記載の方法。
3.コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理工程を含む上記1又は2記載の方法。
4.熱処理工程が、200〜250℃で20分〜2時間行われる上記3記載の方法。
5.コアが幅15μm以上の部分を含む上記1〜4のいずれか1項記載の方法。
6.コアが分岐を含む上記1〜5のいずれか1項記載の方法。
7.コアが幅15μm以上の部分と幅15μm未満の部分を含む上記6記載の方法。
8.上部クラッド層全体の厚さが、10μm以上である上記1〜7のいずれか1項記載の方法。
9.クラッド層及びコアがフッ素化ポリイミドを含む上記1〜8のいずれか1項記載の方法。
1.基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を有するポリマー光導波路の製造方法において、
上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。
2.第1上部クラッド層の厚さが、0.4μm〜1.2μmである上記1記載の方法。
3.コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理工程を含む上記1又は2記載の方法。
4.熱処理工程が、200〜250℃で20分〜2時間行われる上記3記載の方法。
5.コアが幅15μm以上の部分を含む上記1〜4のいずれか1項記載の方法。
6.コアが分岐を含む上記1〜5のいずれか1項記載の方法。
7.コアが幅15μm以上の部分と幅15μm未満の部分を含む上記6記載の方法。
8.上部クラッド層全体の厚さが、10μm以上である上記1〜7のいずれか1項記載の方法。
9.クラッド層及びコアがフッ素化ポリイミドを含む上記1〜8のいずれか1項記載の方法。
本発明によれば、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行い、かつ、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることにより、気泡やクラックの発生を顕著に低減することができる。また、コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理を行うことにより、コア近傍の下部クラッド層におけるクラックの発生をさらに顕著に低減することができる。
図1に示すように、ポリマー光導波路は一般に、シリコン等の基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にSi含有レジスト等のレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を含む方法により製造される。
本発明は、上記従来の製造方法において、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするものである。第1上部クラッド層の厚さは、好ましくは0.4μm〜1.2μmであり、さらに好ましくは0.5〜1.2μmであり、最も好ましくは0.8〜1.2μmである。
厚さが1.5μmを超えると、乾燥収縮による応力低減効果が少なくなり、クラックや気泡の発生率が増大するので好ましくない。また、0.4μm未満ではコア側壁への塗布性(カバーリング性)が悪くなり第2上部クラッド層形成時にクラックが発生しやすくなる。
本発明は、上記従来の製造方法において、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするものである。第1上部クラッド層の厚さは、好ましくは0.4μm〜1.2μmであり、さらに好ましくは0.5〜1.2μmであり、最も好ましくは0.8〜1.2μmである。
厚さが1.5μmを超えると、乾燥収縮による応力低減効果が少なくなり、クラックや気泡の発生率が増大するので好ましくない。また、0.4μm未満ではコア側壁への塗布性(カバーリング性)が悪くなり第2上部クラッド層形成時にクラックが発生しやすくなる。
本発明の好ましい実施態様では、コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理工程が行われる。熱処理工程は、好ましくは200〜250℃、さらに好ましくは210〜230℃で、好ましくは20分〜2時間、さらに好ましくは20分〜40分間行う。
この熱処理工程により、ドライエッチング面の熱的性質が改質され、クラックの発生率がより顕著に低減する。
コアの幅が大きくなるにつれて乾燥収縮による応力も大きくなるため、クラックの発生率も高くなる。従って本発明は、コアが幅15μm以上の部分を含むポリマー光導波路の製造に特に適している。
また、気泡の発生は、狭い分岐部を有する光導波路において顕著であるため、本発明はコアが分岐を含むポリマー光導波路の製造に特に適している。
本発明はまた、コアが幅15μm以上の部分と幅15μm未満の部分を含むポリマー光導波路、特にマルチモードのポリマー光導波路の製造に特に適している。
この熱処理工程により、ドライエッチング面の熱的性質が改質され、クラックの発生率がより顕著に低減する。
コアの幅が大きくなるにつれて乾燥収縮による応力も大きくなるため、クラックの発生率も高くなる。従って本発明は、コアが幅15μm以上の部分を含むポリマー光導波路の製造に特に適している。
また、気泡の発生は、狭い分岐部を有する光導波路において顕著であるため、本発明はコアが分岐を含むポリマー光導波路の製造に特に適している。
本発明はまた、コアが幅15μm以上の部分と幅15μm未満の部分を含むポリマー光導波路、特にマルチモードのポリマー光導波路の製造に特に適している。
本発明のポリマー光導波路の上部クラッド層の厚さは特に限定されないが、通常は全体の厚さが、10μm以上、好ましくは15〜25μmである。
本発明のポリマー光導波路のクラッド層及びコアを形成する材料としては、種々の材料が使用できるが、通常使用される1.3〜1.5μmの光に対する透明性に優れている点でフッ素化ポリイミドが好ましい。
本発明のポリマー光導波路のクラッド層及びコアを形成する材料としては、種々の材料が使用できるが、通常使用される1.3〜1.5μmの光に対する透明性に優れている点でフッ素化ポリイミドが好ましい。
実施例
基板1として直径約12.7cmのシリコンウエハを用意し、この基板1の上に図1に示すように第1のフッ素化ポリイミドからなる下部クラッド層2、第1のフッ素化ポリイミドより屈折率の高い第2のポリイミドからなるコア層3A、Si含有レジスト層4を順次形成し、ホトマスクを介して露光、現像した後、ドライエッチングによりコア層3Aをエッチングしてコア3Bを形成した。図2にコア3Bの平面形状を示す。また、図2のX−X’断面図を図3に示す。このコア3Bは、幅6.6μmの狭い部分N1と、幅16.8μmの広い部分W1及び幅4.0μmの2つの狭い部分N2、N3を有する。N2とN3の間には狭い隙間Gが存在する。
レジスト4を剥離した後、220℃で30分間加熱処理した。次いで、第1のフッ素化ポリイミドからなる第1上部クラッド層5Aを表1に示す厚さ(硬化後の厚さ)で塗布し、加熱硬化した後、さらに第1のフッ素化ポリイミドからなる第2上部クラッド層5Bを積層塗布し、加熱硬化して最終膜厚30μmのクラッド層5を作製した。この後、ドライエッチングにより、10μm除去し、20μmとした。ここで、第1上部クラッド層の厚さが0μmである場合は、上部クラッド層を1回で塗布、加熱硬化したことを意味する。
隙間Gにおける気泡の発生率(%)(母数193)、及びコアの広い部分W1の側面部W1A及びW1Bにおけるクラック6の発生率(%)(母数193)を調べた。
同様の試験を220℃で30分間の加熱処理を行わない場合についても実施した。
結果を表1に示す。
基板1として直径約12.7cmのシリコンウエハを用意し、この基板1の上に図1に示すように第1のフッ素化ポリイミドからなる下部クラッド層2、第1のフッ素化ポリイミドより屈折率の高い第2のポリイミドからなるコア層3A、Si含有レジスト層4を順次形成し、ホトマスクを介して露光、現像した後、ドライエッチングによりコア層3Aをエッチングしてコア3Bを形成した。図2にコア3Bの平面形状を示す。また、図2のX−X’断面図を図3に示す。このコア3Bは、幅6.6μmの狭い部分N1と、幅16.8μmの広い部分W1及び幅4.0μmの2つの狭い部分N2、N3を有する。N2とN3の間には狭い隙間Gが存在する。
レジスト4を剥離した後、220℃で30分間加熱処理した。次いで、第1のフッ素化ポリイミドからなる第1上部クラッド層5Aを表1に示す厚さ(硬化後の厚さ)で塗布し、加熱硬化した後、さらに第1のフッ素化ポリイミドからなる第2上部クラッド層5Bを積層塗布し、加熱硬化して最終膜厚30μmのクラッド層5を作製した。この後、ドライエッチングにより、10μm除去し、20μmとした。ここで、第1上部クラッド層の厚さが0μmである場合は、上部クラッド層を1回で塗布、加熱硬化したことを意味する。
隙間Gにおける気泡の発生率(%)(母数193)、及びコアの広い部分W1の側面部W1A及びW1Bにおけるクラック6の発生率(%)(母数193)を調べた。
同様の試験を220℃で30分間の加熱処理を行わない場合についても実施した。
結果を表1に示す。
表1に示すように、上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行い、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることにより、気泡およびクラックの発生率を顕著に低減しうること、コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理を行うことにより、気泡およびクラックの発生率をさらに低減しうることがわかる。
1:基板、2:下部クラッド層、3A:コア層、3、3B、N1、N2、N3、W1:コア、4:レジスト、5:上部クラッド層、5A:第1上部クラッド層、5B:第2上部クラッド層、G:コア間の隙間、6:クラック
Claims (9)
- 基板上に、下部クラッド層を形成する工程、下部クラッド層の上にコア層を形成する工程、コア層の上にレジスト層を形成し、ホトマスクを介してレジスト層を露光、現像後、コア層をドライエッチングしてコアを形成する工程、コア形成後、上部クラッド層を形成する工程を有するポリマー光導波路の製造方法において、
上部クラッド層の形成を2回以上に分けて行うこと、及び、第1上部クラッド層の厚さを1.5μm以下とすることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。 - 第1上部クラッド層の厚さが、0.4μm〜1.2μmである請求項1記載の方法。
- コア形成後、第1上部クラッド層形成前に熱処理工程を含む請求項1又は2記載の方法。
- 熱処理工程が、200〜250℃で20分〜2時間行われる請求項3記載の方法。
- コアが幅15μm以上の部分を含む請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
- コアが分岐を含む請求項1〜5のいずれか1項記載の方法。
- コアが幅15μm以上の部分と幅15μm未満の部分を含む請求項6記載の方法。
- 上部クラッド層全体の厚さが、10μm以上である請求項1〜7のいずれか1項記載の方法。
- クラッド層及びコアがフッ素化ポリイミドを含む請求項1〜8のいずれか1項記載の方法。
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- 2005-03-17 JP JP2005077828A patent/JP2006259361A/ja active Pending
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