JP2001109156A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

ポジ型感光性組成物

Info

Publication number
JP2001109156A
JP2001109156A JP28985499A JP28985499A JP2001109156A JP 2001109156 A JP2001109156 A JP 2001109156A JP 28985499 A JP28985499 A JP 28985499A JP 28985499 A JP28985499 A JP 28985499A JP 2001109156 A JP2001109156 A JP 2001109156A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
compound
acid
alkali
photosensitive composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP28985499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4253409B2 (ja
Inventor
Kunihiko Kodama
邦彦 児玉
Kenichiro Sato
健一郎 佐藤
Toshiaki Aoso
利明 青合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP28985499A priority Critical patent/JP4253409B2/ja
Publication of JP2001109156A publication Critical patent/JP2001109156A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4253409B2 publication Critical patent/JP4253409B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 ハーフ露光部の現像液に対する溶解性が向上
し、高いディスクリミネーションが得られ、高感度、高
い解像力でパターンプロファイルの形状も優れたポジ型
感光性組成物を提供する。 【解決手段】 (A)活性光線または放射線の照射によ
り酸を発生する化合物と、(B)酸の作用により分解
し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂と、
(C)アルカリの作用により分解しアルカリ現像液中で
の溶解度が増大する分子量3000以下の化合物、ある
いはアルカリの作用により分解しアルカリ現像液への親
和性が増大を含有する。(C)化合物が(I)の構造を
有する化合物であるとよい。 〜Rは、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、直鎖、分岐、環状アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、直鎖、分岐、環状アルコキシ基を表す。m+n≧1
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
250nm以下の遠紫外線等を露光光源とする場合に好
適なポジ型感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のノボラックとナフトキノンジアジ
ド化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザ
ー光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いる
と、ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域
に於ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達し
にくくなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得
られない。
【0003】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,1
39号等に記載されている化学増幅系レジスト組成物で
ある。化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等
の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を
触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射
部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板
上に形成させるパターン形成材料である。
【0004】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタール又はO,N−アセタール化
合物との組合せ(特開昭48−89003号公報)、オ
ルトエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ
(特開昭51−120714号公報)、主鎖にアセター
ル又はケタール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭
53−133429号公報)、エノールエーテル化合物
との組合せ(特開昭55−12995号公報)、N−ア
シルイミノ炭酸化合物との組合せ(特開昭55−126
236号公報)、主鎖にオルトエステル基を有するポリ
マーとの組合せ(特開昭56−17345号公報)、第
3級アルキルエステル化合物との組合せ(特開昭60−
3625号公報)、シリルエステル化合物との組合せ
(特開昭60−10247号公報)、及びシリルエーテ
ル化合物との組合せ(特開昭60−37549号、特開
昭60−121446号各公報)等を挙げることができ
る。これらは原理的に量子収率が1を越えるため、高い
感光性を示す。
【0005】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭59
−45439号、特開昭60−3625号、特開昭62
−229242号、特開昭63−27829号、特開昭
63−36240号、特開昭63−250642号、特
開平5−181279号各公報、Polym.Eng.
Sce.,23巻、1012頁(1983);ACS.
Sym.242巻、11頁(1984);Semico
nductor World 1987年、11月号、
91頁;Macromolecules,21巻、14
75頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1
988)等に記載されている露光により酸を発生する化
合物と、第3級又は2級炭素(例えばt−ブチル、2−
シクロヘキセニル)のエステル又は炭酸エステル化合物
との組合せ系、特開平4−219757号、同5−24
9682号、同6−65332号各公報等に記載されて
いるアセタール化合物との組み合わせ系、特開平4−2
11258号、同6−65333号各公報等に記載され
ているt−ブチルエーテル化合物との組み合わせ系等が
挙げられる。
【0006】これらの系は、主として248nm領域で
の吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用するため、KrFエキシマ
レーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。
【0007】しかしながら、更なる短波長の光源、例え
ばArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源と
して使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的
に193nm領域に大きな吸収を示すため、上記化学増
幅系でも十分ではなかった。また、193nm波長領域
に吸収の小さいポリマーとして、ポリ(メタ)アクリレ
ートの利用がJ.Vac.Sci.Technol.,
B9,3357(1991). に記載されているが、こ
のポリマーは一般に半導体製造工程で行われるドライエ
ッチングに対する耐性が、芳香族基を有する従来のフェ
ノール樹脂に比べ低いという問題があった。
【0008】これに対し、脂環炭化水素基を有するポリ
マーが、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示
し、且つ193nm領域の吸収が小さいことがPro
c.ofSPIE,1672,66(1992)で報告
され、近年同ポリマーの利用が精力的に検討されるに至
った。具体的には、特開平4−39665号、同5−8
0515号、同5−265212号、同5−29759
1号、同5−346668号、同6−289615号、
同6−324494号、同7−49568号、同7−1
85046号、同7−191463号、同7−1994
67号、同7−234511号、同7−252324号
等の公報に記載されているポリマーが挙げられる。これ
らのポリマーは疎水性の非常に高い脂環炭化水素を有し
ているが、ハーフ露光部では露光により発生した酸量が
すくないため、触媒反応の進行が不十分であり、未分解
の酸分解基が多数残存する。脂環基を酸分解結合で連結
し、脂環基の酸分解による樹脂からの脱離を利用してア
ルカリ現像液への溶解性を増大させるような上述の樹脂
では、ハーフ露光部においては脂環基の脱離が十分に進
行せず、樹脂中に脂環基が多数残存してしまう。その結
果ハーフ露光部の現像液に対する溶解速度が遅くなって
しまうため、感度が低くなるという問題があった。同様
にハーフ露光部の現像液に対する溶解速度が遅いことに
起因して、現像残査の発生や解像力低下が起こってい
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、ハー
フ露光部の現像液に対する溶解性が向上し、高いディス
クリミネーションが得られ、高感度、高い解像力でパタ
ーンプロファイルの形状も優れたポジ型感光性組成物を
提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため以下の手段を採った。 (1)(A)活性光線または放射線の照射により酸を発
生する化合物と、(B)酸の作用により分解し、アルカ
リ現像液中での溶解度が増大する樹脂と、(C)アルカ
リの作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増
大する分子量3000以下の化合物、あるいはアルカリ
の作用により分解しアルカリ現像液への親和性が増大を
含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 (2)(D)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現
像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量
3000以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有するこ
とを特徴とする上記(1)に記載のポジ型感光性組成
物。 (3)(A)活性光線または放射線の照射により酸を発
生する化合物と、(C)アルカリの作用により分解し、
アルカリ現像液中での溶解度が増大する分子量3000
以下の化合物、あるいはアルカリの作用により分解し、
アルカリ現像液への親和性が増大する分子量3000以
下の化合物と、(D)酸により分解しうる基を有し、ア
ルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大す
る、分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物と、
(E)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂と、を含
有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 (4)(C)アルカリの作用により分解し、アルカリ現
像液中での溶解度が増大する分子量3000以下の化合
物あるいはアルカリ現像液への親和性が増大する分子量
3000以下の化合物が、下式(I)の構造を少なくと
も1つ有する化合物であることを特徴とする上記(1)
〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【0011】
【化2】
【0012】R1〜R5は、同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、直鎖、分岐、環状アルキル基、ハロゲン
原子、水酸基、直鎖、分岐、環状アルコキシ基を表す。
m+n≧1である。 (5) アルカリの作用により分解し、アルカリ現像液
中での溶解度が増大する分子量3000以下の化合物あ
るいはアルカリ現像液への親和性が増大する分子量30
00以下の化合物が、ハロゲン化アルキルオキシカルボ
ニル基を一部に有する化合物であることを特徴とする上
記(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成
物。 (6) (B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液
中での溶解度が増大する樹脂が単環または多環の脂環炭
化水素構造を有する樹脂であることを特徴とする上記
(1)または(2)に記載のポジ型感光性組成物。 (7) (B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液
中での溶解度が増大する樹脂が、単環または多環の脂環
炭化水素構造およびラクトン構造を含有する樹脂である
ことを特徴とする上記(1)または(2)に記載のポジ
型感光性組成物。 (8) (F)含窒素塩基性化合物をさらに含有する上
記(1)〜(7)のいずれかに記載のポジ型感光性組成
物。 (9) (G)フツ素系および/またはシリコン系界面
活性剤とをさらに含有する上記(1)〜(8)のいずれ
かに記載のポジ型感光性組成物。 (10) 活性光線が、250nm以下の波長の遠紫外
光であることを特徴とする上記(1)〜(9)のいずれ
かに記載のボジ型感光性組成物。 (11) 活性光線が、220nm以下の波長の遠紫外
光であることを特徴とする上記(1)〜(10)のいず
れかに記載のポジ型感光性組成物。
【0013】
【発明の実施の形態】≪光酸発生剤≫まず、(A)活性
光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(光酸
発生剤)について説明する。本発明で用いられる光酸発
生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する
化合物である。本発明で使用される活性光線又は放射線
の照射により分解して酸を発生する化合物としては、光
カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、
色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジス
ト等に使用されている公知の光(400〜200nmの
紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i
線、KrFエキシマレーザー光)、ArFエキシマレー
ザー光、電子線、X線、分子線又はイオンビームにより
酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択し
て使用することができる。
【0014】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Ph
otogr.Sci.Eng.,18,387(197
4)、T.S.Bal etal,Polymer,2
1,423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米
国特許第4,069,055号、同4,069,056
号、同 Re 27,992号、特開平3−140,1
40号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necke
r etal,Macromolecules,17,
2468(1984)、C.S.Wen etal,T
eh,Proc.Conf.Rad.Curing A
SIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、
米国特許第4,069,055 号、同4,069,0
56号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crive
llo etal,Macromorecules,1
0(6),1307(1977) 、Chem.&En
g.News,Nov.28,p31(1988)、欧
州特許第104,143 号、同第339,049号、
同第410,201号、特開平2−150,848号、
特開平2−296,514 号等に記載のヨードニウム
塩、J.V.Crivello etal,Polym
er J.17,73 (1985)、J.V.Cri
vello etal.J.Org.Chem.,4
3,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.
V.Crivello etal,Polymer B
ull.,14,279(1985)、J.V.Cri
vello etal,Macromorecule
s,14(5),1141(1981)、J.V.Cr
ivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed.,17,28
77(1979)、欧州特許第370,693 号、同
161,811号、同410,201号、同339,0
49号、同233,567号、同297,443号、同
297,442号、米国特許第3,902,114号、
同4,933,377号、同4,760,013号、同
4,734,444号、同2,833,827号、独国
特許第2,904,626号、同3,604,580
号、同3,604,581号、特開平7−28237
号、同8−27102号等に記載のスルホニウム塩、
J.V.Crivello etal,Macromo
recules,10(6),1307(1977)、
J.V.Crivello etal,J.Polym
erSci.,Polymer Chem.Ed.,
17,1047(1979)等に記載のセレノニウム
塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.C
onf.Rad.Curing ASIA,p478
Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウ
ム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815
号、特公昭46−4605号、特開昭48−36281
号、特開昭55−32070号、特開昭60−2397
36号、特開昭61−169835号、特開昭61−1
69837号、特開昭62−58241号、特開昭62
−212401号、特開昭63−70243号、特開昭
63−298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、
K.Meier et al,J.Rad.Curin
g,13(4),26(1986) 、T.P.Gil
l et al,Inorg.Chem.,19,30
07(1980)、D.Astruc,Acc.Che
m.Res.,19(12),377(1896)、特
開平2−161445号等に記載の有機金属/有機ハロ
ゲン化物、S.Hayase etal,J.Poly
mer Sci.,25,753(1987)、E.R
eichmanisetal,J.Pholymer
Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,
1(1985)、Q.Q.Zhu etal,J.Ph
otochem.,36,85,39,317(198
7)、 B.Amit etal,Tetrahedr
on Lett.,(24)2205(1973)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem
Soc.,3571(1965)、P.M.Colli
ns et al, J.Chem.SoC.,Per
kin I,1695(1975)、M.Rudins
tein etal,Tetrahedron Let
t.,(17),1445(1975)、J.W.Wa
lker etalJ.Am.Chem.Soc.,1
10,7170(1988)、S.C.Busman
etal,J.Imaging Technol.,1
1(4),191(1985)、H.M.Houlih
an etal,Macormolecules,2
1,2001(1988)、 P.M.Collins
etal,J.Chem.Soc.,Chem.Co
mmun.,532(1972)、S.Hayase
etal,Macromolecules,18,17
99(1985)、E.Reichmanis eta
l,J.Electrochem.Soc.,Soli
d State Sci.Technol.,130
(6)、F.M.Houlihan etal,Mac
romolcules,21,2001(1988)、
欧州特許第0290,750号、同046,083
号、同156,535号、同271,851号、同0,
388,343号、 米国特許第3,901,710
号、同4,181,531号、特開昭60−19853
8号、特開昭53−133022号等に記載のO−ニト
ロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNO
OKA etal,Polymer Preprint
s Japan,35(8)、G.Berner et
al,J.Rad.Curing,13(4)、 W.
J.Mijs etal,Coating Techn
ol.,55(697),45(1983),Akz
o、H.Adachi etal,Polymer P
reprints,Japan,37(3)、欧州特許
第0199,672号、同84515号、同044,1
15号、同第618,564号、同0101,122
号、米国特許第4,371,605号、同4,431,
774 号、特開昭64−18143号、特開平2−2
45756号、特開平3−140109号等に記載のイ
ミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン
酸を発生する化合物、特開昭61−166544 号、
特開平2−71270号等に記載のジスルホン化合物、
特開平3−103854号、同3−103856号、同
4−210960号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。
【0015】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化
合物、たとえば、M.E.Woodhouse et
al,J.Am.Chem.Soc.,104,558
6(1982)、S.P.Pappas et al,
J.Imaging Sci.,30(5),218
(1986)、S.Kondo etal,Makro
mol.Chem.,Rapid Commun.,
9,625(1988)、Y.Yamada eta
l,Makromol.Chem.,152,153,
163(1972)、J.V.Crivello et
al,J.PolymerSci.,Polymer
Chem.Ed.,17,3845(1979)、米
国特許第3,849,137号、独国特許第39144
07、特開昭63−26653号、特開昭55−164
824号、特開昭62−69263号、特開昭63−1
46038 、特開昭63−163452 号、特開昭
62−153853号、特開昭63−146029号等
に記載の化合物を用いることができる。たとえば、 ジア
ゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨード
ニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニ
ウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属
/有機ハロゲン化物、o−ニトロベンジル型保護基を有
する光酸発生剤、イミノスルフォネート等に代表される
光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化
合物、ジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物を
挙げることができる。また、これらの光により酸を発生
する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した化合物を用いることができる。
【0016】さらにV.N.R.Pillai,Syn
thesis,(1),1(1980)、A.Abad
etal,Tetrahedron Lett.,
(47)4555(1971)、D.H.R.Bart
on et al,J.Chem.Soc.,(C),
329(1970)、米国特許第3,779,778
号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸
を発生する化合物も使用することができる。
【0017】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0018】
【化3】
【0019】式中、R201 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202 は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
を示す。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。
【0020】
【化4】
【0021】
【化5】
【0022】
【化6】
【0023】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
【0024】
【化7】
【0025】ここで式Ar1、Ar2は、同一又は異なっ
て、置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい
置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ
基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。R
203 、R204 、R205 は、同一又は異なって、置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましく
は、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8のアル
キル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置換基
としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコ
キシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カルボ
キシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アル
キル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カルボ
キシル基、アルコシキカルボニル基である。
【0026】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
置換してもよいアルカンスルホン酸、パーフロロアルカ
ンスルホン酸、置換していてもよいベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、
樟脳スルホン酸などが挙げられるがこれらに限定される
ものではない。好ましくは、アルカンスルホン酸、パー
フロロアルカンスルホン酸、アルキル置換ベンゼンスル
ホン酸、ペンタフロロベンゼンスルホン酸である。
【0027】またR203 、R204 、R205 のうちの2つ
及びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介し
て結合してもよい。
【0028】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0029】
【化8】
【0030】
【化9】
【0031】
【化10】
【0032】
【化11】
【0033】
【化12】
【0034】
【化13】
【0035】
【化14】
【0036】
【化15】
【0037】
【化16】
【0038】
【化17】
【0039】
【化18】
【0040】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Kn
apczyk etal,J.Am.Chem.So
c.,91,145(1969)、A.L.Mayco
k etal, J.Org.Chem.,35,25
32,(1970)、E.Goethas etal,
Bull.Soc.Chem.Belg.,73,54
6,(1964) 、H.M.Leicester、
J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1
929)、J.V.Crivello etal,J.
Polym.Chem.Ed.,18,2677(19
80)、米国特許第2,807,648号及び同4,2
47,473号、特開昭53−101,331号等に記
載の方法により合成することができる。
【0041】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
【0042】
【化19】
【0043】式中、Ar3、Ar4は、同一又は異なっ
て、置換もしくは未置換のアリール基を示す。R206
置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。
Aは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン
基、アリーレン基を示す。具体例としては以下に示す化
合物が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
【0044】
【化20】
【0045】
【化21】
【0046】
【化22】
【0047】
【化23】
【0048】
【化24】
【0049】
【化25】
【0050】(4)下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
【0051】
【化26】
【0052】ここでRは、直鎖状、分岐状又は環状アル
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
【0053】
【化27】
【0054】これらの活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量は、本発明のポジ
型感光性組成物の全組成物の固形分に対し、通常0.0
01〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.0
1〜20重量%、更に好ましくは0.01〜5重量%の
範囲で使用される。活性光線又は放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、0.01重量%
より少ないと感度が低くなり、また添加量が40重量%
より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロファ
イルの悪化や、プロセス(特にベーク)マージンが狭く
なり好ましくない。
【0055】≪酸分解性樹脂≫本発明において、酸の作
用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
(「酸分解性樹脂」とも言う)は、酸の作用により分解
する基を有する樹脂である。酸の作用により分解する基
(「酸分解性基」ともいう)とは、例えば、酸の作用に
より加水分解し酸を形成する基、更には酸の作用により
炭素カチオンが脱離し酸を形成する基が挙げられる。好
ましくは下記一般式(x)、(y)で表される基、ラク
トン構造を含む酸分解性基、脂環式構造を含む酸分解性
基である。これにより、経時安定性が優れるようにな
る。
【0056】
【化28】
【0057】ここで、Ra、Rb、Rcは、同一又は異
なって、水素原子、又は置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表
す。但し、式(x)のRa、Rb、Rcのうち、少なく
とも1つは水素原子以外の基である。Rdは置換基を有
していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はア
ルケニル基を表す。また式(x)のRa、Rb、Rcの
うちの2つ、又は式(y)のRa、Rb、Rdのうちの
2つの基が結合して3〜8個の炭素原子、ヘテロ原子か
ら成る環構造を形成してもよい。このような環としては
具体的にはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、1−シクロヘキセニ
ル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロ
ピラニル基等が挙げられる。Za、Zbは、同一又は異
なって、酸素原子又はイオウ原子を表す。Ra〜Rdの
アルキル基としては、好ましくは置換基を有していても
よい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシ
ル基、オクチル基のような炭素数1〜8個のものが挙げ
られる。シクロアルキル基としては、好ましくは置換基
を有していてもよい、シクロプロピル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のもの
が挙げられる。アルケニル基としては、好ましくは置換
基を有していてもよい、ビニル基、プロペニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シク
ロヘキセニル基の様な炭素数2〜6個のものが挙げられ
る。
【0058】また上記詳述した各置換基における更なる
置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、ア
ミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、
プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、ア
セチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、
ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙
げられる。
【0059】以下、酸分解性基を有する繰り返し単位の
具体例を示すが、本発明の内容はこれらに限定されるも
のではない。
【0060】
【化29】
【0061】
【化30】
【0062】
【化31】
【0063】
【化32】
【0064】本発明において、酸分解性樹脂には単環ま
たは多環の脂環炭化水素構造及び/又はラクトン構造を
含有することが好ましい。ここでラクトン構造として
は、樹脂の側鎖に有するものが好ましく、具体的には、
下記に示した側鎖にラクトン構造を有する繰り返し単位
(a1)から(a20)を例示することができる。
【0065】
【化33】
【0066】
【化34】
【0067】酸分解性樹脂に含有される単環又は多環の
脂環式炭化水素構造としては、単環型としては、炭素数
3以上、好ましくは炭素数3〜8の単環型の脂環式骨格
を有する基を挙げることができ、たとえばシクロプロパ
ン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等
の環状炭化水素骨格を挙げることができる。多環型とし
ては、炭素数5個以上、好ましくは炭素数7〜25個の
脂環式骨格を有するものを挙げることができる。たとえ
ばビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式の環
状炭化水素骨格を挙げることができる。より具体的に
は、後述の構造で挙げたものが挙げられる。このような
単環又は多環の脂環式炭化水素構造を有する繰り返し単
位としては、好ましくは下記一般式(II)、(II
I)、又は(IV)で表される構造単位である。
【0068】
【化35】
【0069】式(II)〜(IV)中、R11、R12、R14
16は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R13
は、シアノ基、−CO−OR23又は−CO−NR2425
を表す。X1〜X3は、同一又は異なって、単結合である
か、置換基を有していてもよい、2価のアルキレン基、
アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、−O−、
−SO2−、−O−CO−R26−、−CO−O−R
27−、又は−CO−NR28−R29−を表す。R23は、水
素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シク
ロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中で溶解性を増大させる基を
表す。R24、R25、R28は、同一又は異なって、水素原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロア
ルキル基もしくはアルケニル基を表す。またR24とR 25
が結合して環を形成してもよい。R26、R27、R29は、
同一又は異なって、単結合もしくは2価のアルキレン
基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表し、さ
らにこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミド
基、ウレタン基あるいはウレイド基とともに2価の基を
形成してもよい。Aは、単環又は多環の環状炭化水素基
を表す。
【0070】R23〜R25、R28のアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していてもよい、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数1〜8個のものが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
のような炭素数3〜8個のものが挙げられる。アルケニ
ル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数2〜6個のものが挙げられる。
【0071】R11、R12、R14〜R16のアルキル基とし
ては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、
エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。ハロア
ルキル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子が置換した炭素数1〜4個のアルキル基、例え
ばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル
基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル
基等が挙げられる。
【0072】またR26、R27、R29及びX1、X2、X3
のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基
は、上記で示したアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルキル基の二価のものが挙げられ、R26、R27、R29
更にそれらの基と、エーテル基、エステル基、アミド
基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも1つの基とが
一緒になって2価の基を形成したものも挙げられる。ま
た、R24とR25とが結合して窒素原子とともに形成する
環としては、5〜8員環を形成するものが好ましく、具
体的にはピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等が挙げ
られる。
【0073】R23の酸の作用により分解してアルカリ現
像液中での溶解性を増大させる基(酸分解性基)は、上
述の酸分解性基と同義であり、好ましい基もまた同義で
ある。
【0074】Aで示される単環型の環状炭化水素基とし
ては、置換基を有していてもよい炭素数3以上のシクロ
プロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキ
サン等の環状炭化水素骨格を有する基であり、好ましく
は置換基を有していてもよい炭素数3〜8の脂環式基で
ある。Aで示される多環型の環状炭化水素基としては、
好ましくは置換基を有していてもよい炭素数5個以上の
ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式基であ
り、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数6〜3
0個、更に好ましくは置換基を有していてもよい炭素数
7〜25個の多環型の脂環式基を表す。上記多環型の脂
環式基の好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原
子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ
基、アミド基、スルホンアミド基、上記R23のところで
記載したアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロ
キシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ
基、ブトキシ基等炭素数1〜8個のアルコキシ基、メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキ
シカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル
基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。上記多環ま
たは単環型の環状炭化水素基のうちの多環または単環型
脂環式部分の代表的な構造としては、例えば下記に示す
ものが挙げられる。
【0075】
【化36】
【0076】
【化37】
【0077】酸分解性樹脂分子中に占める酸分解性基を
有する繰り返し単位の含有量は、耐ドライエッチング
性、アルカリ現像性とのバランスにより調整されるが、
全繰り返し単位に対して20モル%以上含有することが
好ましく、より好ましくは30〜80モル%、更に好ま
しくは40〜70モル%の範囲である。(B)酸分解ア
ルカリ可溶性樹脂中、上記環状炭化水素基を有する構造
単位(好ましくは一般式(II)〜(IV)で表される
繰り返し構造単位)の含有量は、耐ドライエッチング
性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整される
が、全繰り返し構造単位に対して20モル%以上含有す
ることが好ましい。該含有量はより好ましくは30〜8
0モル%、更に好ましくは35〜70モル%、また更に
好ましくは40〜60モル%の範囲である。
【0078】また、(B)酸分解アルカリ可溶性樹脂に
おいて、ラクトン構造を有する繰り返し構造単位と単環
又は多環の環状炭化水素基を有する繰り返し単位の使用
割合は、好ましくは80:20〜20:80であり、更
に好ましくは70:30〜30:70である。また、ラ
クトン構造を有する繰り返し構造単位中に単環又は多環
の環状炭化水素部分が存在してもよい。
【0079】脂環炭化水素構造を有する繰り返し構造単
位の代表的なものを下記に例示するが、これに制限され
ない。
【0080】
【化38】
【0081】
【化39】
【0082】
【化40】
【0083】
【化41】
【0084】
【化42】
【0085】
【化43】
【0086】
【化44】
【0087】
【化45】
【0088】
【化46】
【0089】本発明では、全組成物中、(B)酸の作用
によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂の
含有割合は、全固形分に対して60重量%以上がよい。
60重量%未満の場合にはドライエッチング耐性の劣化
や、成膜性が悪くなり好ましくない
【0090】≪アルカリ分解性低分子化合物≫(C)ア
ルカリの作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解
度が増大する分子量3000以下の化合物、アルカリ現
像液への親和性が増大する分子量3000以下の化合物
(以下、「アルカリ分解性低分子化合物」ということが
ある)は、以下の通りである。アルカリ現像液中での溶
解度は、アルカリ現像液中に溶解可能な量を重量%で表
すが、アルカリ現像液への親和性は官能基の無機性すな
わちI/O値で定義できる。
【0091】アルカリ分解性低分子化合物は、アルカリ
の作用により分解する。ここでいうアルカリとは、pH
8〜14、好ましくは10〜14、具体的には例えば、
現像液にも用いられるテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液、濃度2.38重量%などを挙げることが
できる。分解とは、特定の官能基の一部が開裂し、開裂
部分にアルカリ可溶性又は親和性の官能基が出現する反
応を言う。特定の官能基とは、例えば一部にエステル基
を含む化合物を言う。エステル基は環状のラクトン構造
を呈していても良い。あるいは、アルキル基に多数のハ
ロゲン基が置換して分極化しているハロゲン化アルキル
エステル基なども挙げることができる。そのほかにも、
(C)の化合物としては、アルカリ現像液中での溶解度
が増大あるいはアルカリ現像液への親和性が増大する化
合物であれば、どのようなものでも用いることができ
る。その中でも好ましくは、アルカリの作用により分解
し、カルボン酸(塩)を生成する化合物がよい。具体的
には、脂環式骨格原子団の一部にハロゲン化アルキロキ
シカルボニル基を置換した化合物や、ラクトン基を有す
る化合物が挙げられ、中でもラクトン基を有する化合物
が安定性、アルカリ分解性の観点から好ましい。また、
ドライエツチング耐性向上の観点から、アルカリ分解性
低分子化合物はアルカリ分解性基の他に単環または多環
の環状炭化水素基を有するのが好ましい。
【0092】このアルカリ分解性低分子化合物は、例え
ば式(I)の構造を有する原子団を含むことが望まし
い。R1〜R5は、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、直鎖、分岐、環状アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、直鎖、分岐、環状アルコキシ基を表す。直鎖あるい
は分岐のアルキル基としては炭素数1〜10のものが好
ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基、n−オクチ
ル基などが挙げられる。その中でもメチル基が最も好ま
しい。環状アルキル基としては、炭素数4〜9のものが
好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が最も
好ましい。m+n≧1、好ましくは2又は3である。m
+nが1であればβ−ラクトン(4員環)、2であれば
γ−ラクトン(5員環)である。3であればδ−ラクト
ン(6員環)である。m+nの値の増減で環状原子団の
大きさが増減する。式(I)が示す構造の原子団は、骨
格として飽和脂環炭化水素構造原子団又は脂肪族鎖状構
造原子団と結合してアルカリ分解性低分子化合物を形成
する。脂肪族鎖状構造原子団としては、炭素数2以上の
直鎖または分岐のアルキレン基が好ましい。その構造中
にオキソメチレン基、エーテル結合、エステル結合を含
んでいてもよく、また水酸基が置換していてもよい。。
骨格である飽和脂環炭化水素構造原子団は、縮合環でも
よく単環でもよい。橋かけ環式炭化水素でもよい。環状
構造は、一部にオキソメチレン基又はエーテル基を含ん
で環状体を形成していてもよい。水酸基を置換していて
もよい。例えば、酸分解性樹脂の説明中で上記した一般
式(II)(III)(IV)中、総称基Aで明示した
内訳例の中の多環または単環型脂環式部分の例群(1)
〜(50)と実質的には同一範囲の例群をここでも例示
できる。特に好ましいものとしては、例えばアダマンタ
ン構造、ステロイド構造などを挙げることが望ましい。
1分子中に含まれるアルカリ分解基の数は、1〜4がよ
い。その中でも好ましくは2又は3が望ましい。
【0093】式(I)が示す構造の原子団と骨格である
飽和脂環炭化水素構造原子団との結合は、例えばアルキ
レン基、ケト基、エーテル基、(ポリ)オキソアルキレ
ン基又はこれらの組み合わせを介して結合していてもよ
い。(C)の化合物の分子量は200〜3000、好ま
しくは300〜1500が望ましい。アルカリ分解性低
分子化合物の添加量は、ボジ型感光性組成物の全組成物
の固形分に対して1〜50重量%であり、より好ましく
は5〜40重量%、更に好ましくは10〜30重量%で
ある。アルカリ分解性低分子化合物の具体例を順次説明
する。なお、アルカリ分解性低分子化合物の例はこれに
限定されない。
【0094】
【化47】
【0095】
【化48】
【0096】
【化49】
【0097】このような化合物は単独で用いてもよく、
互いに組み合わせて用いても良い。また、このような化
合物は、例えば次のような方法で調製できる。アダマン
タンジカルボン酸と、α−ハロロ−ラクトンをメチルイ
ソブチルケトンに溶解し、得られたこの溶液にトリエチ
ルアミンを滴下する。次いでその反応液を塩酸水溶液に
注ぎ、生成物を酢酸エチルで抽出し、ついで精製する。
このようにすると、例えばアダマンタンジカルボン酸−
ラクトン−α−イルが得られる。
【0098】≪酸分解性溶解阻止化合物≫本発明のポジ
型感光性組成物は、(D)酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量
3000以下の溶解阻止低分子化合物(以下、「(D)
酸分解性溶解阻止化合物」ともいう)を含有することが
好ましい。特に220nm以下の透過性を低下させない
ため、Proceeding of SPIE, 27
24,355 (1996)に記載されている酸分解性
基を含むコール酸誘導体の様な脂環族又は脂肪族化合物
が(D)酸分解性溶解阻止化合物として好ましい。
(D)酸分解性溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型感光
性組成物の全組成物の固形分に対し、好ましくは3〜5
0重量%であり、より好ましくは5〜40重量%であ
る。以下に(D)酸分解性溶解阻止化合物の具体例を示
すが、これらに限定されない。
【0099】
【化50】
【0100】≪界面活性剤≫次に本発明のポジ型感光性
樹脂組成物に含有される(G)フッ素系界面活性剤とシ
リコン系界面活性剤について説明する。本発明のポジ型
感光性樹脂組成物には、フッ素系界面活性剤及びシリコ
ン系界面活性剤のいずれか、あるいは両方を含有するこ
とができる。本発明のポジ型感光性組成物が上記(B)
酸分解性樹脂と上記(G)界面活性剤とを含有すること
により、250nm以下、特に220nm以下の露光光
源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現
像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能と
なる。これらの(G)界面活性剤として、例えば特開昭
62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の
界面活性剤をそのまま用いることもできる。使用できる
市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF3
03、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友
スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F
189、R08(大日本インキ(株)製)、サーフロンS−38
2、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)
製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤
を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP
−341(信越化学工業(株)製)、トロイゾルS−36
6(トロイケミカル(株)製)もシリコン系界面活性剤
として用いることができる。界面活性剤の使用量は、ポ
ジ型感光性組成物全量中の固形分に対して0.0001
〜2重量%、好ましくは0.001〜1重量%がよい。
【0101】≪含窒素塩基性化合物≫本発明のポジ型感
光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化
を低減するために、(F)含窒素塩基性化合物を含有す
ることができる。好ましい構造として、下記式(A)〜
(E)で示される構造を挙げることができる。
【0102】
【化51】
【0103】ここでR250、R251およびR252は、同一
または異なり、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
炭素数1〜6アミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロ
キシアルキル基または炭素数6〜20の置換もしくは非
置換のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに
結合して環を形成してもよい。
【0104】
【化52】
【0105】(式中、R253、R254、R255およびR256
は、同一または異なり、炭素数1〜6のアルキル基を示
す)。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換の
グアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もし
くは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換の
インダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換
もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリ
ミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未
置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリ
ン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未
置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミ
ノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリ
アルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換
もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノー
ルアミン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ
基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリ
ール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【0106】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノ
ピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピ
リジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルア
ミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−ア
ミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピ
リジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ
−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4
−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノ
ピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノ
エチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メ
チルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−ト
リルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5
−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリ
ミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾ
リン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−
(2−アミノエチル)モルフォリン、1,5−ジアザビ
シクロ〔4,3,0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5,4,0〕ウンデカ−7−エン、2,4,
5−トリフェニルイミダゾール、トリ(n−ブチル)ア
ミン、トリ(n−オクチル)アミン、N−フェニルジエ
タノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリジン、
2,6−ジイソプロピルアニリン、N−シクロヘキシル
−N’−モルホリノエチルチオ尿素等が挙げられるがこ
れに限定されるものではない。これらの(F)含窒素塩
基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられ
る。(F)含窒素塩基性化合物の使用量は、感光性樹脂
組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10
重量%、好ましくは0.01〜5重量%である。0.0
01重量%未満では上記含窒素塩基性化合物の添加の効
果が得られない。一方、10重量%を超えると感度の低
下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
【0107】≪その他の物質≫本発明のポジ型フォトレ
ジスト組成物は、酸分解性基を含有していない、(E)
水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有すること
ができ、これにより感度が向上する。本発明において
は、分子量1000〜20000程度のノボラック樹脂
類、分子量3000〜50000程度のポリヒドロキシ
スチレン誘導体をこのような樹脂として用いることがで
きるが、これらは250nm以下の光に対して吸収が大
きいため、一部水素添加して用いるか、又は全樹脂量の
30重量%以下の量で使用するのが好ましい。また、カ
ルボキシル基をアルカリ可溶性基として含有する樹脂も
用いることができる。カルボキシル基を含有する樹脂中
にはドライエッチング耐性向上のために単環、または多
環の脂環炭化水素基を有していることが好ましい。具体
的には酸分解性を示さない脂環炭化水素のメタクリル酸
エステルと(メタ)アクリル酸の共重合体あるいは末端
にカルボキシル基を有する脂環炭化水素基の(メタ)ア
クリル酸エステルの樹脂などを挙げることができる。
【0108】本発明のポジ型感光性組成物には、必要に
応じて更に酸分解性溶解促進化合物、染料、可塑剤、上
記(D)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液
に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させること
ができる。本発明で使用できる現像液に対する溶解促進
性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカル
ボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分
子化合物である。カルボキシ基を有する場合は上記と同
じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。これら溶
解促進性化合物の好ましい添加量は、(B)酸の作用に
より分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹
脂に対して2〜50重量%であり、更に好ましくは5〜
30重量%である。50重量%を越えた添加量では、現
像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形するとい
う新たな欠点が発生して好ましくない。
【0109】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
おいて容易に合成することができる。フェノール化合物
の具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物は
これらに限定されるものではない。
【0110】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。カルボキシル基を有する脂環族、
又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシ
コール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有する
カルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、ア
ダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、
シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれら
に限定されるものではない。
【0111】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
【0112】露光による酸発生率を向上させるため、さ
らに下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
p,p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
2−クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアン
トラセン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリ
ン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロア
ニリン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアント
ラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベ
ンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−
1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,
2−ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,
7−ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
【0113】≪使用方法≫本発明の感光性組成物は、上
記の成分を所定の溶媒に混合状態で溶解してなる。所定
の支持体上に塗布して用いる。ここで使用する溶媒とし
ては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シク
ロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、
メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−
メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テ
トラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あ
るいは混合して使用する。これらの中でもシクロヘキサ
ノン、2−ヘプタノン、プロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテート、乳酸エチル、エトキシプロピオン酸
エチルを単独あるいは2種を1/9〜9/1の割合で混
合して使用するのが好ましい。
【0114】本発明においては、上記(D)フッ素系及
び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を
加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は
単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせ
で添加することもできる。
【0115】溶媒に溶解したポジ型感光性組成物は、所
定の基板上に次のようにして塗布する。すなわち、上記
感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるよ
うな基板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にス
ピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布する。
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現
像する。このようにすると、良好なレジストパターンを
得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは
250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長
の遠紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザ
ー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193n
m)、F2 エキシマレーザー(157nm)、X線、電
子ビーム等が挙げられる。
【0116】現像工程では、現像液を次のように用い
る。感光性組成物の現像液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第
二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピ
ヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用
することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアル
コール類、界面活性剤を適当量添加して使用することも
できる。
【0117】
【実施例】<アルカリ分解性化合物の合成> 〔化合物例(I−5)〕1,3−アダマンタンジカルボ
ン酸10g、α−ブロモ−γ−ブチロラクトン18.4
gをメチルイソブチルケトン100mlに溶解させた。
この溶液にトリエチルアミン14.6gを30分かけて
滴下し、そのまま室温で15時間反応させた。反応液を
塩酸20mlの蒸留水500ml溶液に注ぎ、これを酢
酸エチルで抽出した。有機相を水洗、乾燥、濃縮すると
粗生成物か得られた。これをカラムクロマトグラフィー
て精製すると化合物例(1−5)で示す化合物と同一の
化合物10.2gが得られた。
【0118】〔化合物例(I−21〕α−ブロモ−γ−
ブチロラクトン150g、α−ヒドロキシイソ酪酸18
9gをメチルイソブチルケトン600mlに溶解させ
た。この溶液にトリエチルアミン276gを60分かけ
て滴下し、そのまま室温で15時間反応させた。反応液
を濃縮し、これに酢酸エチル1.5L加えて溶解させ
た。有機相を蒸留水、炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留
水の順で洗浄し乾燥、濃縮すると粗生成物が得られた。
これをカラムクロマトグラフィーで精製すると縮合物が
136g得られた。この縮合物をTHFに溶解させ1/
2等量のアジビン酸ジクロリド、次いで1.05等量の
トリエチルアミン滴下して加え、室温で24時間反応し
た。反応液に塩酸水溶液を加えて酸性にした後、これを
酢酸エチルて抽出した。有機相を蒸留水、炭酸水素ナト
リウム水溶液、蒸留水の順で洗浄し乾燥、濃縮すると粗
生成物が得られた。これをカラムクロマトグラフィーで
精製すると化合物例(I−21)で示す化合物と同一の
化合物87gが得られた。 〔化合物例(I−1)〕〜〔化合物例(I−24)〕同
様の手法を用いることで化合物例(I−1)〜(I−2
4)で示す化合物と同一の化合物それぞれを合成した。
【0119】<樹脂の合成例> 〔樹脂(P−1)の合成(a1)/(b1)=50/5
0〕窒素気流下60℃に加熱したN,N一ジメチルアセ
トアミド7.0gに2−メチル−2−アダマンタンメタ
クリレート5.0g、メバロニックラクトンメタクリレ
ート4.23g、重合開始剤2,2'−アゾビス(2,4
−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製;V−65)
0.534gをN,N−ジメチルアセトアミド30.0
gに溶解させた溶液を4時間かけて滴下した。さらに6
0℃で2時間反応させた後、V−65を0.267g加
え、さらに2時間反応させた。反応液をイオン交換水1
000m1に注ぎ、析出した粉体をろ取した。これをT
HFに溶解させて、ヘキサン1500m1に注ぎ、得ら
れた粉体を乾燥して樹脂(I−1)を得た。得られた樹
脂の分子量は5500、分散度(Mw/Mn)は1.9
であった。 〔樹脂(P−2)〜樹脂(P−12)の合成〕ほぼ同様
の手法で、樹脂(P−2)〜樹脂(P−12)を順に合
成した。
【0120】
【表1】
【0121】<レジスト調整> 〔実施例1〕〜〔実施例14〕 表2に示す素材をプロピレングリコールメチルエーテル
アセテートに溶解させ固形分濃度15%の溶液を調整
し、これを0.1μmのテフロン(登録商標)フィルタ
ーでろ過して感光性組成物を調製した。
【0122】
【表2】
【0123】TPSTF;トリフエニルスルホニウムト
リフレート TPSPFB;トリフェニルスルホニウムパーフルオロ
ブタンスルホネート DBN;1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−
ノネン DIA;2,6−ジイソプロピルアニリン TPI;TPI:2,4,5−トリフェニルイミダゾー
ル W−1;メガファックF176(大日本インキ(株)
製)(フッ素系) W−2;メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコーン系) W−3;ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化
学工業(株)製)(シリコーン系) W‐4;トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)(シリコーン系)
【0124】(現像欠陥数の評価方法) (1)現像欠陥数 感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチル
ジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布
し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱、乾燥
を行い、0.50μmのレジスト膜を形成した。このレ
ジスト膜を、マスクを通してArFエキシマレーザー光
で露光し、露光後直ぐに110℃で90秒間ホットプレ
ート上で加熱した。更に2.38重量%濃度のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒
間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥した。
このようにして得られたコンタクトホールパターンの形
成されたサンプルを、KLA2112機(KLAテンコ
ール(株)製)により現像欠陥数を測定した(Threshold1
2、Pixcel Size=0.39)。
【0125】(画像評価法)スピンコーターにてヘキサメ
チルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリュー
ワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オ
ングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホッ
トプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱
乾燥を行った。その後、各感光性樹脂組成物をスピンコ
ーターで塗布し120℃で90秒乾燥を行い0.50μ
mのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、
マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(I
SI社製 NA=0.6)で露光し、露光後直ぐに12
0℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.
38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした
後、乾燥し、レジストラインパターンを得た。感度は
0.20μmのマスクパターンを再現する露光量を示
す。解像力は0.20μmのマスクパターンを再現する
露光量における限界解像力を示す。
【0126】
【表3】
【0127】現像残査の評価を〇×△の3段階で行っ
た。現像残査が全くないものを〇、パターン形成してい
るものの現像残査が見られるものを△、現像残査がひど
く底まで解像しない部分が存在するものをものを×とし
て3段階評価した。
【0128】
【発明の効果】本発明は、上記の構成でなるから、ハー
フ露光部の現像液に対する溶解性が向上し高いディスク
リミネーションが得られ、高感度、高い解像力でパター
ンプロファイルの形状も優れたポジ型感光性組成物を提
供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 5/353 C08K 5/353 5/36 5/36 C08L 33/04 C08L 33/04 35/02 35/02 G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 504 504 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 青合 利明 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA11 AB16 AB17 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 CB41 CB42 CC04 CC20 FA17 4J002 BG041 BG051 BG071 BH021 EB116 EH007 EH097 EH117 EL068 EL087 EL088 EN029 ER019 ER029 EU029 EU049 EU079 EU139 EU186 EV129 EV216 EV226 EV296 FD206 FD207 FD208 FD209 GP03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)活性光線または放射線の照射により
    酸を発生する化合物と、(B)酸の作用により分解し、
    アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂と、(C)
    アルカリの作用により分解しアルカリ現像液中での溶解
    度が増大する分子量3000以下の化合物、あるいはア
    ルカリの作用により分解しアルカリ現像液への親和性が
    増大する分子量3000以下の化合物と、を含有するこ
    とを特徴とするポジ型感光性組成物。
  2. 【請求項2】(D)酸により分解しうる基を有し、アル
    カリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、
    分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有
    することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性組
    成物。
  3. 【請求項3】(A)活性光線または放射線の照射により
    酸を発生する化合物と、(C)アルカリの作用により分
    解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する分子量3
    000以下の化合物、あるいはアルカリの作用により分
    解し、アルカリ現像液への親和性が増大する分子量30
    00以下の化合物と、(D)酸により分解しうる基を有
    し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増
    大する、分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物
    と、(E)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂と、
    を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
  4. 【請求項4】(C)アルカリの作用により分解し、アル
    カリ現像液中での溶解度が増大する分子量3000以下
    の化合物あるいはアルカリ現像液への親和性が増大する
    分子量3000以下の化合物が、下式(I)の構造を有
    する化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいず
    れかに記載のポジ型感光性組成物。 【化1】 1〜R5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、
    直鎖、分岐、環状アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、
    直鎖、分岐、環状アルコキシ基を表す。m+n≧1であ
    る。
  5. 【請求項5】アルカリの作用により分解し、アルカリ現
    像液中での溶解度が増大する分子量3000以下の化合
    物あるいはアルカリ現像液への親和性が増大する分子量
    3000以下の化合物が、ハロゲン化アルコキシカルボ
    ニル基を一部に有する化合物であることを特徴とする請
    求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
  6. 【請求項6】 (B)酸の作用により分解し、アルカリ
    現像液中での溶解度が増大する樹脂が単環または多環の
    脂環炭化水素構造を有する樹脂であることを特徴とする
    請求項1または2に記載のポジ型感光性組成物。
  7. 【請求項7】 (B)酸の作用により分解し、アルカリ
    現像液中での溶解度が増大する樹脂が、単環または多環
    の脂環炭化水素構造およびラクトン構造を含有する樹脂
    であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ
    型感光性組成物。
  8. 【請求項8】 (F)含窒素塩基性化合物をさらに含有
    する請求項1〜7のいずれかに記載のポジ型感光性組成
    物。
  9. 【請求項9】 (G)フツ素系および/またはシリコン
    系界面活性剤をさらに含有する請求項1〜8のいずれか
    に記載のポジ型感光性組成物。
  10. 【請求項10】 照射光線が、250nm以下の波長の
    遠紫外光であることを特徴とする請求項1〜8のいずれ
    かに記載のボジ型感光性組成物。
  11. 【請求項11】 照射光線が、220nm以下の波長の
    遠紫外光であることを特徴とする請求項1〜8のいずれ
    かに記載のポジ型感光性組成物。
JP28985499A 1999-10-12 1999-10-12 ポジ型感光性組成物 Expired - Lifetime JP4253409B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28985499A JP4253409B2 (ja) 1999-10-12 1999-10-12 ポジ型感光性組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28985499A JP4253409B2 (ja) 1999-10-12 1999-10-12 ポジ型感光性組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001109156A true JP2001109156A (ja) 2001-04-20
JP4253409B2 JP4253409B2 (ja) 2009-04-15

Family

ID=17748632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28985499A Expired - Lifetime JP4253409B2 (ja) 1999-10-12 1999-10-12 ポジ型感光性組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4253409B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002365803A (ja) * 2001-06-08 2002-12-18 Nec Corp レジスト組成物
JP2005227646A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Fuji Photo Film Co Ltd 液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1574497A4 (en) * 2002-12-11 2006-07-05 Asahi Glass Co Ltd FLUORED ADAMANTAN DERIVATIVES
US7488847B2 (en) 2002-12-11 2009-02-10 Asahi Glass Company, Limited Fluorinated adamantane and its derivatives
US8012665B2 (en) 2005-06-28 2011-09-06 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP2016047817A (ja) * 2014-08-25 2016-04-07 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2019101121A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
KR20200026954A (ko) 2017-09-29 2020-03-11 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002365803A (ja) * 2001-06-08 2002-12-18 Nec Corp レジスト組成物
JP4574067B2 (ja) * 2001-06-08 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レジスト組成物
EP1574497A4 (en) * 2002-12-11 2006-07-05 Asahi Glass Co Ltd FLUORED ADAMANTAN DERIVATIVES
US7488847B2 (en) 2002-12-11 2009-02-10 Asahi Glass Company, Limited Fluorinated adamantane and its derivatives
JP2005227646A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Fuji Photo Film Co Ltd 液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8012665B2 (en) 2005-06-28 2011-09-06 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same
US8753792B2 (en) 2005-06-28 2014-06-17 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP2016047817A (ja) * 2014-08-25 2016-04-07 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
KR20200026954A (ko) 2017-09-29 2020-03-11 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP2019101121A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物

Also Published As

Publication number Publication date
JP4253409B2 (ja) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4226803B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP4150509B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP2002268223A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2000214588A (ja) 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP2000267287A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2002268224A (ja) ポジ型感光性組成物
JP3969909B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3961139B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP2001235865A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP4253409B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP2003122011A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2001290276A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2002236359A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2000338680A (ja) 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP4495872B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
KR100787887B1 (ko) 포지티브 감광성 조성물
JP2001235866A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2002278071A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2001147523A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2002278070A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP3731776B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP2001235867A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2002207289A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2002251012A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2002196496A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050517

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060324

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071108

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080702

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081008

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090107

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090126

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4253409

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140130

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term