JP2001102353A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2001102353A
JP2001102353A JP27974399A JP27974399A JP2001102353A JP 2001102353 A JP2001102353 A JP 2001102353A JP 27974399 A JP27974399 A JP 27974399A JP 27974399 A JP27974399 A JP 27974399A JP 2001102353 A JP2001102353 A JP 2001102353A
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lifter
processing
substrate
liquid
operation speed
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JP27974399A
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Katsunori Tamai
克典 玉井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リフターの動作速度を処理液の種類に応じて
変更するようにした基板処理装置を提供すること。 【手段】 RAM45には、リフターLHについて付与
された速度設定パラメータや、リフターLHの動作に関
するレシピや、処理液の種類と推奨リフター液種別動作
速度との対応テーブルなどが記憶されている。レシピに
リフターLHの動作速度が記述されている場合にはそれ
をリフターLHの動作速度とし、記述されていなけれ
ば、動作するリフターLHのポジションの処理槽が貯留
する処理液の種類が、前記テーブルに規定の推奨リフタ
ー液種別動作速度をリフターLHの動作速度としてマス
ターコントローラ40が選択し、リフターLHが昇降す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、液晶表示
装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディ
スク用基板(以下、単に「基板」と称する)を、処理液
を貯留した処理槽に対して昇降することにより、前記基
板に浸漬処理を行なう基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、上記の基板の製造工程におい
ては、基板をエッチング液等の薬液や純水中に順次浸漬
させることにより薬液処理や洗浄処理を繰り返し、一連
の基板処理を進行させている。一般に、このような基板
処理を行う装置としては、薬液を貯留する薬液槽や純水
を貯留する水洗槽からなる複数の処理槽を備え、それぞ
れの処理槽において薬液処理や洗浄処理を行う多槽式の
装置と、一つの処理槽において薬液処理や洗浄処理を繰
り返すワンバスタイプの装置とが使用されている。
【0003】いづれのタイプの装置であっても、処理槽
中の処理液に基板を浸漬させるときにはリフターを昇降
させることにより行なっている。なお、基板を収納して
運搬するためのカセットとリフターとの間で基板の受渡
を行なったり、別の処理槽との間で基板を水平移動する
には、リフターを水平移動させたり、あるいはリフター
とは別に水平移動用に搬送ロボットを用いる等して行な
っている。
【0004】このようなリフターや搬送ロボットにはそ
れぞれ速度設定用パラメータが割り当てられていて、リ
フターや搬送ロボットの動作速度はその速度設定用パラ
メータによって規定されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一方、リフターの動作
速度、すなわち昇降速度は基板の処理内容に応じて異な
るものとした方が好ましいことを見出した。例えば、使
用する処理液の粘度が高い場合と低い場合とではリフタ
ーの動作速度を異なるものとした方が良好な結果が得ら
れる。また、同じ処理液に基板を浸漬させる場合であっ
ても、基板を下降させるとき(処理液に浸けるとき)と
上昇させるとき(処理液から離脱させるとき)とではリ
フターの動作速度を異なるものとした方が良いことも見
出した。
【0006】しかしながら、従来においては、リフター
の動作速度が上記の速度設定用パラメータによって一律
に定められていたため、基板の処理内容に応じて異なる
ものとすることは困難であった。
【0007】もっとも、装置のオペレータが速度設定用
パラメータを設定・変更することは可能であるため、処
理内容に応じてオペレータが逐一速度設定用パラメータ
を変更することも一応可能ではあった。しかし、その作
業負担は非常に大きなものであるだけでなく、連続して
行なわれる一連の処理工程の途中で毎回同じタイミング
にて速度設定用パラメータを変更することはほとんど不
可能に近い。すなわち、従来においては、リフターの動
作速度を基板の処理内容に応じて異なるものとすること
は実質的に不可能であったと言える。
【0008】本発明は、上記課題に着目してなされたも
のであり、リフターの動作速度を処理液の種類に応じて
変更すうようした基板処理装置を提供することを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような目的
を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、
請求項1の発明は、処理液を貯留する処理槽と、前記処
理槽に対して基板を昇降させることによって基板を前記
処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させるリフ
ターと、前記リフターの動作条件を記憶する動作条件記
憶部と、前記動作条件記憶部に記憶された前記動作条件
に従って前記リフターの昇降動作を制御する動作条件式
リフター制御手段と、を備え、前記動作条件は、前記処
理槽にて行われる浸漬処理の処理内容に関連付けて設定
された処理用動作速度と、処理液の種類ごとに対応して
設定された液種別動作速度と、を含み、前記動作条件式
リフター制御手段は、前記処理用動作速度が設定されて
いる場合には前記処理用動作速度を選択し、前記処理用
動作速度が設定されていない場合には、前記動作条件記
憶部に記憶されている液種別動作速度のうちから、浸漬
する処理液の種類に対応する液種別動作速度を選択し、
当該動作速度にて前記リフターが動作するように前記リ
フターを制御することを特徴とする基板処理装置であ
る。
【0010】また、請求項2の発明は、処理液を貯留す
る処理槽と、前記処理槽に対して基板を昇降させること
によって基板を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液
から離脱させるリフターと、処理液の種類ごとに設定さ
れた前記リフターの液種別動作速度を記憶する液種別動
作速度記憶部と、前記リフターの昇降を制御する液種対
応式リフター制御手段とを備え、前記液種対応式リフタ
ー制御手段は、基板が浸漬する処理液の種類に対応し
て、前記液種別動作速度記憶部に記憶されている液種別
動作速度を選択し、当該動作速度にて前記リフターが動
作するように前記リフターを制御することを特徴とする
基板処理装置である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ発明の実
施の形態について詳細に説明する。
【0012】<1−1.第1実施形態の基板処理装置の
全体構成>
【0013】図1は、本発明に係る基板処理装置の全体
構成を示す斜視図である。図示のように、この装置は、
未処理基板を収納しているカセットCが投入されるカセ
ット搬入部21と、このカセット搬入部21からのカセ
ットCが載置されて内部から複数の基板が同時に取り出
される基板取出部41と、カセットCから取り出された
未処理基板に順次浸漬処理が行われる基板処理部6と、
浸漬処理後の複数の処理済み基板が同時にカセット中に
収納される基板収納部42と、処理済み基板を収納して
いるカセットが払い出されるカセット払出部22とを備
えている。さらに、装置の前側には、基板取出部41か
ら基板収納部42にかけて基板移載搬送機構8が配置さ
れており、処理前、処理中及び処理後の基板を一箇所か
ら別の箇所に搬送したり移載したりする。
【0014】カセット搬入部21は、水平移動、昇降移
動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボット
CR1を備え、カセットステージ21a上の所定位置に
載置された一対のカセットCを基板取出部41に移載す
る。
【0015】基板取出部41は、一対のホルダ41a、
41bを備える。これらのホルダ41a、41bは、図
示を省略するアクチュエータによって昇降移動する。そ
して、ホルダ41a、41bの上面にはそれぞれガイド
溝が刻設されており、カセットC中の未処理基板を垂直
に支持することを可能にする。したがって、ホルダ41
a、41bが上昇すると、カセットC中から基板が取り
出される。カセットC中から取り出された基板は、基板
移載搬送機構8に設けた搬送ロボットTRの一対のハン
ド80、81に把持されてこれに受け渡され、水平移動
後に基板処理部6に投入される。
【0016】基板処理部6は、硫酸、アンモニア、塩
酸、フッ酸等の薬液を貯留する薬液槽CBを備える薬液
処理部62と、純水を収容する水洗槽WBを備える水洗
処理部64と、スピンドライヤを内蔵する乾燥部66と
を備える。なお、本明細書においては、薬液槽および水
洗槽を総称して「処理槽」とする。また、薬液および純
水を総称して「処理液」とする。
【0017】基板処理部6において、薬液処理部62及
び水洗処理部64の後方側には、基板浸漬機構68が配
置されており、基板浸漬機構68は搬送ロボットTRと
の間で基板の受け渡しが可能であるとともに、上下動及
び横行可能なリフターLHを備える。リフターLHは、
薬液槽CBと水洗槽WBとの間で基板を搬送することが
可能であるとともに、処理槽に対して基板を昇降させる
ことによって当該基板を処理槽に貯留された処理液中に
浸漬し、またはその処理液から離脱させることができ
る。
【0018】基板収納部42は、基板取出部41と同様
の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ41a、41b
によって、搬送ロボットTRに把持された処理済み基板
を受け取ってカセットC中に収納する。また、カセット
搬出部22は、カセット搬入部21と同様の構造を有
し、移動自在のカセット移載ロボットCR2を備え、基
板収納部42上に載置された一対のカセットをカセット
ステージ22a上の所定位置に移載する。
【0019】なお、本実施形態においては、薬液槽CB
または水洗槽WBが処理槽に相当する。
【0020】<1−2.第1実施形態の基板処理装置の
制御機構>
【0021】次に、上記基板処理装置の制御機構につい
て説明する。図2は、図1の基板処理装置の制御機構を
説明するための機能ブロック図である。この基板処理装
置には、卓上型コンピュータ30が組み込まれており、
オペレータは当該卓上型コンピュータ30を介して装置
に指令を与えたり、処理条件(以下、「フローレシピ」
または単に「レシピ」と称する)の設定を行ったりでき
る。
【0022】卓上型コンピュータ30は、その本体部で
あるCPU31と、読み出し専用メモリーであるROM
32と、読み書き自在のメモリーであるRAM33と、
制御用ソフトウェア、データおよびレシピなどを記憶し
ておく磁気ディスク34と、付随する入出力機器とのイ
ンターフェイスである入出力ポート35と、基板処理装
置を直接制御する部分とのインターフェイスであるネッ
トワークポート36と、装置外部に設けられているホス
トコンピュータなどと通信を行う通信ポート37とを備
えている。
【0023】また、卓上型コンピュータ30には、入出
力ポート35を介してディスプレイ38とキーボード3
9とが付随して設けられており、これらが編集手段60
を構成している。オペレータはディスプレイ38の表示
を確認しつつ、キーボード39からコマンドやパラメー
タを入力して、卓上型コンピュータ30に指令を与えた
り、磁気ディスク34に格納されているレシピの内容を
編集・変更することができる。なお、この編集手段60
としては、ディスプレイ38とキーボード39との組み
合わせに限定されず、例えば、タッチパネルなどのよう
にコマンドやパラメータを入力できるものであれば良
い。
【0024】卓上型コンピュータ30に入力された指令
は、処理用のソフトウェアに基づいて処理され、必要に
応じて当該卓上型コンピュータ30からネットワークポ
ート36を介してマスターコントローラ40などに伝達
される。マスターコントローラ40は、搬送ロボットT
RおよびリフターLHの動作を制御する。またマスター
コノトローラ40は、槽制御装置BCを制御して、各処
理槽への注排液などを行なう。
【0025】マスターコントローラ40は、メモリーと
してRAM45を備えている。RAM45は、搬送ロボ
ットTR、リフターLH、および各処理槽の動作条件を
記憶する。具体的には、RAM45は、搬送ロボットT
RおよびリフターLHのそれぞれに予め設定された搬送
用パラメータと、各処理槽それぞれに設定された槽用パ
ラメータを記憶するとともに、磁気ディスク34に格納
されているレシピのうち、処理対象となるロット(複数
の基板の集合体)に対応するレシピを記憶する。マスタ
ーコントローラ40は、RAM45に記憶された動作条
件に従って搬送ロボットTRやリフターLHを制御す
る。
【0026】前記搬送用パラメータとしては、速度設定
用パラメータや、処理液種類と推奨リフター液種別動作
速度との対応テーブルなどが、RAM45に記憶されて
いる。
【0027】前記処理液種類と推奨リフター液種別動作
速度との対応テーブルとは、予め所要の処理液ごとに、
好適なリフターLHの下降や上昇の動作速度を求めて推
奨リフター液種別動作速度とし、例えば図5に示す処理
液種類と推奨リフター液種別動作速度との対応テーブル
概念図にように、処理液の種類と推奨リフター液種別動
作速度とを対応つけたデータである。なお、図5にて、
処理液の種類として記載のHFはフッ酸の水溶液を、C
aroは硫酸と過酸化水素の混合液で、BHFはフッ酸
とフッ化アモンの水溶液である。
【0028】また、前記槽用パラメータとしては、処理
液の循環流量や温度等の槽管理データや、槽ポジション
と処理液との関係(どの槽にどんな種類の処理液を貯留
させるかの関係)などが、RAM45に記憶されてい
る。
【0029】なお、この第1実施形態においては、RA
M45が動作条件記憶部に相当し、マスターコントロー
ラ40が動作条件式リフター制御手段に相当する。
【0030】<1−3.第1実施形態の処理手順>次
に、上記構成および制御機構を有する第1実施形態の基
板処理装置における処理手順について説明する。装置全
体としての基板処理の手順は、概ねカセット搬入部21
からカセット搬出部22に向けて基板を順次搬送し、そ
の搬送途中の基板処理部6において基板にエッチング等
の薬液処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行う
というものである(図1参照)。ここでは、リフターL
Hを動作させるときの処理手順についてさらに詳述す
る。
【0031】図3は、リフターLHを動作させるときの
第1実施形態の処理手順を示すフローチャートである。
まず、ステップS1において、装置からのリフター動作
要求があるか否かがマスターコントローラ40によって
判断される。これは、マスターコントローラ40自身が
リフターLHに動作命令を出すか否かを判断するもので
ある。リフター動作要求がない場合、リフターLHは当
然に停止したままであり、リフター動作要求があるまで
待機することとなる。
【0032】リフター動作要求があった場合は、ステッ
プS2に進み、そのリフター動作要求がレシピに基づく
動作、つまり処理液に基板を浸漬する動作の要求である
か否かがマスターコントローラ40によって判断され
る。レシピとは上述の如く基板の処理条件を示すもので
あり、レシピに基づく動作とはレシピに記載された動
作、すなわち基板の処理のための動作を意味する。例え
ば、薬液中に基板を浸漬させるためにリフターLHが下
降を行う動作は基板の処理のための動作であり、レシピ
に基づく動作である。一方、例えば、リフターLHが所
定の待機位置まで待機する横行移動は基板の処理とは無
関係の動作であり、レシピに基づく動作ではない。
【0033】リフター動作要求がレシピに基づく動作の
要求である場合は、ステップS3に進む。なお、レシピ
に基づく動作の要求でない場合にはステップS9へ進む
が、ステップS9については後述する。
【0034】ステップS3では、マスターコントローラ
40がRAM45に記憶されている対応するレシピを参
照する。図4は、レシピの構造の一例を示す概念図であ
る。RAM45には、処理に供されるロットごとに作成
されたフローレシピが記載されている。図4に示す例で
は、ロット1からロット5までについてのフローレシピ
が記載されている。そして、各ロットのレシピには、大
まかな処理を示す処理ステップが順に記述されている。
例えば、ロット1のフローレシピの処理ステップ1では
第1の薬液処理を行い、処理ステップ2では第1の水洗
処理を行うというように記述されている。
【0035】そして、さらに、各処理ステップにはその
処理の具体的内容が記述されている。処理の具体的内容
とは、例えば、使用する処理槽のポジション(処理槽番
号)、処理時間、処理液の温度、リフターLHの動作速
度等である。ここで、図4に示す例では、リフターLH
の動作速度として上昇および下降のそれぞれについて2
種類ずつ記述されているが、これについては後述する。
【0036】図3に戻り、ステップS3では、対象とさ
れているロットについてのその時点での処理の具体的内
容をマスターコントローラ40が参照するのである。そ
して、レシピに速度設定があるか否かが、すなわち、例
えばレシピ中の処理の具体的内容に動作速度に関する記
述がなされているか否かがマスターコントローラ40に
よって判断される(ステップS4)。
【0037】レシピに速度設定がある場合は、ステップ
S5に進み、レシピ内データをリフターLHの動作速度
としてマスターコントローラ40が設定する。レシピ内
データとは、レシピ中の処理の具体的内容に記述された
動作速度である。例えば、図4に示した例のように、リ
フターLHが下降する動作速度が記述されている場合
は、その動作速度をリフターLHが下降する動作速度と
して設定するのである。
【0038】ステップS4において、レシピに速度設定
がないと判断された場合、すなわちレシピ中の処理の具
体的内容に動作速度に関する記述がない場合はステップ
S6に進む。
【0039】ステップS6においては、リフターLHの
ポジションにて、つまりリフターLHが昇降動作する処
理槽にて、貯留されている処理液について、マスターコ
ントローラ40が、当処理液の種類を参照し(ステップ
S6)、ステップS7へ進む。
【0040】ステップS7では、先のステップS6にて
認識された処理液の種類(すなわち、リフターLHのポ
ジションの処理槽が貯留する処理液の種類)が、RAM
45に記憶されている処理液種類と推奨リフター液種別
動作速度との対応テーブルに在るか否かが(すなわち、
前記テーブルにて推奨されているリフター動作速度に対
応して規定されている処理液の種類の何れかに該当する
か否かが)、マスターコントローラ40によって判断さ
れる。(ステップS7)
【0041】ステップS6にて認識された処理液の種類
が前記テーブルに存在するとステップS7で判断された
場合(すなわち、認識された処理液の種類が前記テーブ
ルにて規定されている処理液の種類の何れかに該当する
場合)は、ステップS8に進む。ステップS8では、ス
テップS6で認識された処理液の種類に対応して前記テ
ーブルに規定されている推奨リフター液種別動作速度
を、リフターLHの動作速度としてマスターコントロー
ラ40が設定する。この際、例えば図5に示した処理液
種類と推奨リフター液種別動作速度との対応テーブルの
ように、リフターLHの上昇と下降とで動作速度が別々
に記憶されている場合は、下降時であれば、その記憶さ
れた下降の動作速度をリフターLHの動作速度として設
定し、上昇時であれば、その記憶された上昇の動作速度
をリフターLHの動作速度とする。例えば、リフターL
Hが下降の際、リフターLHのポジションの処理槽に貯
留されている処理液がHFであれば150ミリメートル
/秒が、Caroであれば110ミリメートル/秒が、
リフターLHが下降する動作速度としてマスターコント
ローラ40が設定することとなる。(ステップS8)
【0042】一方、ステップS6にて認識された処理液
の種類が前記テーブルには存在しないと判断された場合
(すなわち、前記テーブルにて規定されている処理液の
種類の何れにも該当しない場合)や、ステップS2にお
いてレシピに基づく動作でない、つまり処理液に浸漬し
ない動作と判断された場合には、ステップS9に進む。
ステップS9においては、パラメータ内データをリフタ
ーLHの動作速度としてマスターコントローラ40が設
定する。パラメータ内データとは、搬送ロボットTRお
よびリフターLHのそれぞれに予め設定された上述の速
度設定用パラメータである。
【0043】ステップS5またはステップS8それとも
ステップS9においてリフターLHの動作速度が設定さ
れると、ステップS10に進み、設定された動作速度に
てリフターLHが昇降するようにマスターコントローラ
40がリフターLHを制御する。
【0044】以上のようにすれば、本実施形態に示す処
理手順においては、レシピにリフターLHの動作速度が
記述されている場合にはそれをリフターLHの動作速度
としてマスターコントローラ40が選択し、記述されて
いない場合には、リフターLHが動作するポジションに
て基板Wが浸漬する処理液の種類が、予め記憶させてお
いた処理液種類と推奨リフター液種別動作速度との対応
テーブルに規定された処理液であれば、その処理液に応
じて前記テーブルに規定の推奨リフター液種別動作速度
をリフターLHの動作速度としてマスターコントローラ
40が選択し、規定された処理液でなければ、予め規定
された速度設定用パラメータをリフターLHの動作速度
としてマスターコントローラ40が選択し、そのような
動作速度にてリフターLHが昇降するように制御するこ
ととなる。
【0045】ここで、速度設定用パラメータは、リフタ
ーLH等の駆動性能等に基づいて設定されているもので
あり、リフターLH等について予め付与された基準動作
速度を規定するものである。
【0046】一方、レシピに記述されている動作速度
は、薬液槽CBまたは水洗槽WBにて行われる処理内容
に関連付けて個別具体的に設定された処理動作速度であ
る。換言すれば、動作速度をレシピに記述することによ
って処理内容と関連付け、処理内容を考慮したリフター
LH等の処理用動作速度を設定しているのである。
【0047】また、処理液種類と推奨リフター液種別動
作速度との対応テーブルとして記憶させてある推奨リフ
ター液種別動作速度は、処理液の種類ごとに予め実験的
に、あるいは、技術的に深く探求して求めておいた好適
な動作速度である。換言すれば、レシピで特段指定しな
い場合でも、前記テーブルに記憶された処理液であれ
ば、推奨リフター液種別動作速度として記憶された好適
な動作速度を設定しているのである。
【0048】従って、オペレータが逐一速度選択用パラ
メータを変更しなくても、処理内容と関連付けられた処
理動作用速度がレシピに設定されているときにはその処
理動作速度にてリフターLHが駆動することとなり、レ
シピに設定されていなくとも、処理液種類と推奨リフタ
ー液種別動作速度との対応テーブルに記憶されている処
理液の種類に応じた推奨リフター液種別動作速度にてリ
フターLHが駆動することとなり、基板の処理内容の応
じてリフターLHの動作速度を容易に変更することがで
きる。
【0049】<1−4.第1実施形態のリフターの動作
例>次に、図3に示したような第1実施形態の処理手順
に従ったときのリフターLHの動作の一例について図6
から図17を用いつつ説明する。図6から図17は、リ
フターLHの動作例を説明するための図である。ここで
は、リフターLHが搬送ロボットTRからロットを受け
取って、薬液槽CBに貯留された薬液中に浸漬処理を行
う場合を例として説明する。また、この処理は図4に示
したレシピに従って行われるものとする。
【0050】まず、図6に示す如く、薬液槽CBの底部
に位置していたリフターLHがロット受け取りのための
待機位置まで矢印A5にて示すように上昇する。この上
昇動作ではリフターLHは基板Wを支持しておらず、基
板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、レシピに
速度が設定されておらず、つまりレシピに基づく動作で
ないので、リフターLH上昇の動作速度としては、速度
設定パラメータが選択され、基準動作速度にてリフター
LHは上昇する。
【0051】次に、未処理のロットを保持する搬送ロボ
ットTRが薬液槽CBの上方まで移動する。そして、図
7に示す如く、リフターLHが上記待機位置から搬送ロ
ボットTRのハンド80、81に把持されるロット(以
後の各図においては、図示の便宜上、ロットの端部に位
置する1枚に基板Wのみを描いている)の直下まで矢印
A6にて示すように上昇する。この上昇動作も基板を支
持しておらず、基板の処理内容と直接関係ある動作では
なくて、レシピに速度が設定されておらず、レシピに基
づく動作でないので、リフターLH上昇の動作速度とし
ては、速度設定パラメータが選択され、基準動作速度に
てリフターLHは上昇する。
【0052】その後、図8に示す如く、リフターLHが
矢印A7にて示すようにさらに上昇し、ハンド80、8
1に把持されるロット全体を突き上げるようにして受け
取る。このときは、基板を支持することになるが、基板
を処理液に浸漬せず、基板の処理内容と直接関係ある動
作ではなくて、レシピに速度が設定されておらず、レシ
ピに基づく動作でないので、リフターLH上昇の動作速
度としては、速度設定パラメータが選択され、基準動作
速度にてリフターLHは上昇する。
【0053】リフターLHがロットを受け取ると、搬送
ロボットTRがハンド80、81を回動させて開放する
とともに、リフターLHが薬液槽CBに貯留された薬液
の液面直上まで矢印A8にて示すように下降する(図
9)。この下降動作も、基板の処理内容と直接関係ある
動作ではなくて、レシピに速度が設定されておらず、レ
シピに基づく動作でなく、リフターLH下降の動作速度
としては、速度設定パラメータが選択され、基準動作速
度にてリフターLHは下降する。
【0054】次に、リフターLHは、矢印A9にて示す
ように、リフターLH自身が薬液中に浸かる程度にまで
少し下降する(図10)。このときには、ロットを構成
する基板Wの一部も薬液中に浸漬される。この段階にお
いて、リフターLHを急激に下降させると薬液の液面が
乱されて基板Wに付着し、その薬液処理に影響を及ぼす
おそれがある。すなわち、この下降動作は、基板の処理
内容と関連のある動作であり、とくに処理液の種類のよ
うに処理内容と密接に関わることは勿論、その他の要素
も、例えば、ロットを構成する基板Wの枚数とか、基板
Wの下端にオリエンテーションフラットが整列するよう
に基板Wが並んでとかのように、個々のロットに特有の
事情等の要素とも密接に関連し、レシピに処理用動作速
度が設定されている動作である。具体的には、図4に示
すように、この段階のリフターLHの処理用動作速度と
して”リフター下降の動作速度105ミリメートル/
秒”が設定されている。よって、リフターLH下降の動
作速度としては処理用動作速度(”リフター下降の動作
速度105ミリメートル/秒”)が選択され、その速度
にてリフターLHは下降する。
【0055】次に、リフターLHは、矢印A10にて示
すように、所定の基板処理位置(ロット全体が完全に薬
液中に浸漬される位置)まで下降する(図11)。この
段階においては、薬液の種類や粘度或いは浸漬処理の目
的によって下降する動作速度を可変とした方が好まし
い。その理由は、この下降動作のように、液中での基板
の下降動作や上昇動作は、処理液の粘度や基板表面との
親和性や、液と基板Wとの温度差等のように処理液の性
質によって、好適な動作速度が違うことを本願発明者ら
は見出したからであり、処理液の種類に応じた好適動作
速度で昇降するためである。
【0056】例えば、基板を下降する速度が速すぎると
基板表面に泡が付着したり、基板が下降する勢いで液面
が波だって基板表面に液面と平行な幾筋もの処理不均一
な斑が発生したりし、遅すぎれば、基板の上下での浸漬
時間の差が大きくなり処理の加減が不均一になるなどの
不具合を避けるべく、処理液の種類に応じた好適な動作
速度で昇降することは重要である。したがって、この段
階においては、図4に示すように、この段階のリフター
LHの処理用動作速度はレシピには設定しておらず、薬
液槽CBに貯留される処理液の種類に対応して、処理液
種類と推奨リフター液種別動作速度との対応テーブルに
記憶されている推奨リフター液種別動作速度にて、リフ
ターLHは下降する。
【0057】リフターLHが上記基板処理位置まで下降
すると、図12に示すようにリフターLHは所定の時間
その動作を停止する。この時間中にロットを構成する基
板Wの浸漬処理が進行する。なお、リフターLHが停止
する時間は処理時間としてレシピに記述されている(図
4参照)。
【0058】ロットの浸漬処理が終了すると、リフター
LHは矢印A12にて示すように上昇を開始する(図1
2)。このときには、図9に示したのと同じ位置にまで
上昇する。この段階においては、上記と同様に、薬液の
種類や粘度或いは浸漬処理の目的によって上昇する動作
速度を可変とした方が好ましい。例えば、薬液の粘度が
高いときに、急速にリフターLHを上昇させると基板W
に薬液が付着したまま残留することもあるからである。
したがって、この段階においては、図4に示すように、
この段階のリフターLHの処理用動作速度はレシピには
設定しておらず、薬液槽CBに貯留される処理液の種類
に対応して、処理液種類と推奨リフター液種別動作速度
との対応テーブルに記憶されている推奨リフター液種別
動作速度にて、リフターLHは上昇する。
【0059】次に、リフターLHは、矢印A13にて示
すように、薬液槽CBに貯留された薬液の液面直上に位
置するまで少し上昇する(図14)。この段階において
は、リフターLHを急速に上昇させると薬液の液面が乱
されて基板Wに付着し、その薬液処理に影響を及ぼすお
それがある。すなわち、この上昇動作も、基板の処理内
容と関連のある動作であり、とくに処理液の種類のよう
に処理内容と密接に関わる要素だけでなくその他の要
素、例えば、ロットを構成する基板Wの枚数とか、基板
Wの上端にオリエンテーションフラットが整列するよう
に基板Wが並んでいるかのように、個々のロットに特有
の事情等の要素とも密接に関連し、レシピに処理用動作
速度が設定されている動作である。具体的には、図4に
示すように、この段階のリフターLHの処理用動作速度
として”リフター上昇の動作速度5ミリメートル/秒”
が設定されている。よって、リフターLHの上昇の動作
速度としては処理用動作速度(”リフター上昇の動作速
度80ミリメートル/秒”)が選択され、その速度にて
リフターLHは上昇する。
【0060】次に、リフターLHは、矢印A14にて示
すように、薬液の液面直上から搬送ロボットTRにロッ
トを渡す位置にまで上昇する(図15)。この上昇動作
は、基板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、レ
シピに速度が設定されておらず、レシピに基づく動作で
なく、リフターLH上昇の動作速度としては速度設定パ
ラメータが選択され、基準動作速度にてリフターLHは
上昇する。
【0061】その後、搬送ロボットTRがハンド80、
81を回動させてロットを把持するとともに、リフター
LHが矢印A15にて示すように若干下降することによ
り搬送ロボットTRにロットが渡される(図16)。こ
の下降動作も、基板の処理内容と直接関係ある動作では
なくて、レシピに速度が設定されておらず、レシピに基
づく動作でなく、リフターLH下降の動作速度としては
速度設定パラメータが選択され、基準動作速度にてリフ
ターLHは下降する。
【0062】搬送ロボットTRにロットが渡された後、
矢印A16にて示すように、リフターLHが薬液槽CB
の底部の元の位置まで下降する(図17)。この下降動
作も、基板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、
レシピに速度が設定されておらず、レシピに基づく動作
でなく、リフターLH下降の動作速度としては速度設定
パラメータが選択され、基準動作速度にてリフターLH
は下降する。
【0063】以上のように、第1の実施形態の基板処理
装置においては、基板の処理内容に応じてリフターLH
が昇降する動作速度を適宜容易に変更できるとともに、
リフターLHの動作速度が処理内容と関連付けられてレ
シピに設定されていなくても、処理液種類と推奨リフタ
ー液種別動作速度との対応テーブルに記憶されている処
理液の種類に応じた推奨リフター液種別動作速度にてリ
フターLHが駆動することとな、基板の処理内容の応じ
てリフターLHの動作速度を容易に変更することができ
る。
【0064】<2−1.第2実施形態の基板処理装置の
全体構成>第2の実施形態の基板処理装置の全体構成
は、先の第1に実施形態の基板処理装置の全体構成と同
じであり、説明は省略する。 <2−2.第2実施形態の基板処理装置の制御機構>第
2の実施形態の基板処理装置の制御機構は、先の第1の
実施形態の基板処理装置の制御機構と同じであり、説明
は省略する。
【0065】なお、この第2実施形態においては、RA
M45が液種別動作速度記憶部に相当し、マスターコン
トローラ40が液種別リフター制御手段に相当する。
【0066】<2−3.第2実施形態の処理手順>次
に、上記構成および制御機構を有する第2実施形態の基
板処理装置における処理手順について説明する。装置全
体としての基板処理の手順は、概ねカセット搬入部21
からカセット搬出部22に向けて基板を順次搬送し、そ
の搬送途中の基板処理部6において基板にエッチング等
の薬液処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行う
というものである(図1参照)。ここでは、リフターL
Hを動作させるときの処理手順についてさらに詳述す
る。
【0067】図18は、リフターLHを動作させるとき
の第1実施形態の処理手順を示すフローチャートであ
る。まず、ステップS21において、装置からのリフタ
ー動作要求があるか否かがマスターコントローラ40に
よって判断される。これは、マスターコントローラ40
自身がリフターLHに動作命令を出すか否かを判断する
ものである。リフター動作要求がない場合、リフターL
Hは当然に停止したままであり、リフター動作要求があ
るまで待機することとなる。
【0068】リフター動作要求があった場合は、ステッ
プS22に進み、そのリフター動作要求がレシピに基づ
く動作、つまり処理液に基板を浸漬する動作の要求であ
るか否かがマスターコントローラ40によって判断され
る。レシピに基づく動作とはレシピに記載された動作、
すなわち基板の処理のための動作を意味する。例えば、
薬液中に基板を浸漬させるためにリフターLHが下降を
行う動作は基板の処理のための動作であり、レシピに基
づく動作である。一方、例えば、リフターLHが所定の
待機位置まで待機する横行移動は基板の処理とは無関係
の動作であり、レシピに基づく動作ではない。
【0069】リフター動作要求がレシピに基づく動作の
要求である場合は、ステップS23に進む。なお、レシ
ピに基づく動作の要求でない場合にはステップS27へ
進むが、ステップS27については後述する。ステップ
S23においては、リフターLHのポジションにて、つ
まりリフターLHが昇降動作する処理槽にて、貯留され
ている処理液について、マスターコントローラ40が、
当処理液の種類を参照し(ステップS23)、ステップ
S24へ進む。
【0070】ステップS24では、先のステップS23
にて認識された処理液の種類(すなわち、リフターLH
のポジションの処理槽が貯留する処理液の種類)が、R
AM45に記憶されている処理液種類と推奨リフター液
種別動作速度との対応テーブルに在るか否かが(すなわ
ち、前記テーブルにて推奨されているリフター動作速度
に対応して規定されている処理液の種類の何れかに該当
するか否かが)、マスターコントローラ40によって判
断される。(ステップS24)
【0071】ステップS24にて認識された処理液の種
類が前記テーブルに存在すると判断された場合(すなわ
ち、前記テーブルにて規定されている処理液の種類の何
れかに該当する場合)は、ステップS25に進む。ステ
ップS25では、ステップS23で認識された処理液の
種類に対応して前記テーブルに規定されている推奨リフ
ター液種別動作速度を、リフターLHの動作速度として
マスターコントローラ40が設定する。この際、例えば
図5に示した処理液種類と推奨リフター液種別動作速度
との対応テーブルのように、リフターLH上昇の動作速
度と下降の動作速度が別々に記憶されている場合は、下
降時であれば、その記憶された下降の動作速度をリフタ
ーLHの動作速度として設定し、上昇時であれば、その
記憶された上昇の動作速度をリフターLHの動作速度と
する。例えば、リフターLHが下降の際、リフターLH
のポジションの処理槽に貯留されている処理液がHFで
あれば150ミリメートル/秒が、Caroであれば1
10ミリメートル/秒が、リフターLH下降の動作速度
としてマスターコントローラ40が設定することとな
る。(ステップS25)
【0072】一方、ステップS24にて認識された処理
液の種類が前記テーブルには存在しないと判断された場
合(すなわち、前記テーブルにて規定されている処理液
の種類の何れにも該当しない場合)や、ステップS22
においてレシピに基づく動作でない、つまり処理液に浸
漬しに動作と判断された場合には、ステップS27に進
む。ステップS27においては、パラメータ内データを
リフターLHの動作速度としてマスターコントローラ4
0が設定する。パラメータ内データとは、搬送ロボット
TRおよびリフターLHのそれぞれに予め設定された上
述の速度設定用パラメータである。
【0073】ステップS25またはステップS27にお
いてリフターLHの動作速度が設定されると、ステップ
S26に進み、設定された速度にてリフターLHが昇降
するようにマスターコントローラ40がリフターLHを
制御する。
【0074】以上のようにすれば、動作するリフターL
Hのポジションの処理槽が貯留する処理液の種類が、予
め記憶させておいた処理液種類と推奨リフター液種別動
作速度との対応テーブルに規定された処理液であれば、
その処理液に応じて前記テーブルに規定の推奨リフター
液種別動作速度をリフターLHの動作速度としてマスタ
ーコントローラ40が選択し、規定された処理液でなけ
れば、予め規定された速度設定用パラメータをリフター
LHの動作速度としてマスターコントローラ40が選択
し、そのような動作速度にてリフターLHが昇降するよ
うに制御することとなる。
【0075】ここで、速度設定用パラメータは、リフタ
ーLH等の駆動性能等に基づいて設定されているもので
あり、リフターLH等について予め付与された基準動作
速度を規定するものである。
【0076】また、処理液種類と推奨リフター液種別動
作速度との対応テーブルとして記憶させてある推奨リフ
ター液種別動作速度は、処理液の種類ごとに予め実験的
に、あるいは、技術的に深く探求して求めておいた好適
な動作速度である。換言すれば、前記テーブルに記憶さ
れた処理液であれば、推奨リフター液種別動作速度とし
て記憶された好適な動作速度を設定しているのである。
【0077】従って、オペレータが逐一速度選択用パラ
メータを変更しなくても、処理液種類と推奨リフター液
種別動作速度との対応テーブルに記憶されている処理液
の種類に応じた推奨リフター液種別動作速度にてリフタ
ーLHが駆動することとなり、基板の処理内容の応じて
リフターLHの動作速度を容易に変更することができ
る。
【0078】<2−4.第2実施形態のリフターの動作
例>次に、図18に示したような第2実施形態の処理手
順に従ったときのリフターLHの動作の一例について、
先の第1実施形態のリフターの動作例の説明にて参照し
た図6から図17を再度用いつつ説明する。
【0079】まず、図6に示す如く、薬液槽CBの底部
に位置していたリフターLHがロット受け取りのための
待機位置まで矢印A5にて示すように上昇する。この上
昇動作ではリフターLHは基板Wを支持しておらず、基
板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、レシピに
速度が設定されておらず、つまりレシピに基づく動作で
ないので、リフターLH上昇の動作速度としては、速度
設定パラメータが選択され、基準動作速度にてリフター
LHは上昇する。
【0080】次に、未処理のロットを保持する搬送ロボ
ットTRが薬液槽CBの上方まで移動する。そして、図
7に示す如く、リフターLHが上記待機位置から搬送ロ
ボットTRのハンド80、81に把持されるロットの直
下まで矢印A6にて示すように上昇する。この上昇動作
も基板を支持しておらず、基板の処理内容と直接関係あ
る動作ではなくて、レシピに速度が設定されておらず、
レシピに基づく動作でないので、リフターLH上昇の動
作速度としては、速度設定パラメータが選択され、基準
動作速度にてリフターLHは上昇する。
【0081】その後、図8に示す如く、リフターLHが
矢印A7にて示すようにさらに上昇し、ハンド80、8
1に把持されるロット全体を突き上げるようにして受け
取る。このときは、基板を支持することになるが、基板
を処理液に浸漬せず、基板の処理内容と直接関係ある動
作ではなくて、レシピに速度が設定されておらず、レシ
ピに基づく動作でないので、リフターLH上昇の動作速
度としては、速度設定パラメータが選択され、基準動作
速度にてリフターLHは上昇する。
【0082】リフターLHがロットを受け取ると、搬送
ロボットTRがハンド80、81を回動させて開放する
とともに、リフターLHが薬液槽CBに貯留された薬液
の液面直上まで矢印A8にて示すように下降する(図
9)。この下降動作も、基板の処理内容と直接関係ある
動作ではなくて、レシピに速度が設定されておらず、レ
シピに基づく動作でなく、リフターLH下降の動作速度
としては、速度設定パラメータが選択され、基準動作速
度にてリフターLHは下降する。
【0083】次に、リフターLHは、矢印A9にて示す
ように、リフターLH自身が薬液中に浸かる程度にまで
少し下降する(図10)。このときには、ロットを構成
する基板Wの一部も薬液中に浸漬される。この段階にお
いて、リフターLHを急激に下降させると薬液の液面が
乱されて基板Wに付着し、その薬液処理に影響を及ぼす
おそれがある。すなわち、この下降動作は、処理液の種
類と密接に関連し、薬液槽CBに貯留される処理液の種
類に対応して、処理液種類と推奨リフター液種別動作速
度との対応テーブルに記憶されている推奨リフター液種
別動作速度にて、リフターLHは下降する。
【0084】次に、リフターLHは、矢印A10にて示
すように、所定の基板処理位置(ロット全体が完全に薬
液中に浸漬される位置)まで下降する(図11)。この
段階においては、薬液の種類や粘度或いは浸漬処理の目
的によって下降する動作速度を可変とした方が好まし
い。その理由は、この下降動作のように、液中での基板
の下降動作や上昇動作は、処理液の粘度や基板表面との
親和性や、液と基板Wとの温度差等のように処理液の性
質によって、好適な動作速度が違うことを本願発明者ら
は見出したからであり、処理液の種類に応じた好適動作
速度で昇降するためである。
【0085】例えば、基板を下降する速度が速すぎると
基板表面に泡が付着したり、基板が下降する勢いで液面
が波だって基板表面に液面と平行な幾筋もの処理不均一
な斑が発生したりし、遅すぎれば、基板の上下での浸漬
時間の差が大きくなり処理の加減が不均一になるなどの
不具合を避けるべく、処理液の種類に応じた好適な動作
速度で昇降することは重要である。したがって、この段
階においては、薬液槽CBに貯留される処理液の種類に
対応して、処理液種類と推奨リフター液種別動作速度と
の対応テーブルに記憶されている推奨リフター液種別動
作速度にて、リフターLHは下降する。
【0086】リフターLHが上記基板処理位置まで下降
すると、図12に示すようにリフターLHは所定の時間
その動作を停止する。この時間中にロットを構成する基
板Wの浸漬処理が進行する。なお、リフターLHが停止
する時間は処理時間としてレシピに記述されている(図
4参照)。
【0087】ロットの浸漬処理が終了すると、リフター
LHは矢印A12にて示すように上昇を開始する(図1
2)。このときには、図9に示したのと同じ位置にまで
上昇する。この段階においては、上記と同様に、薬液の
種類や粘度或いは浸漬処理の目的によって上昇する動作
速度を可変とした方が好ましい。例えば、薬液の粘度が
高いときに、急速にリフターLHを上昇させると基板W
に薬液が付着したまま残留することもあるからである。
したがって、この段階においては、薬液槽CBに貯留さ
れる処理液の種類に対応して、処理液種類と推奨リフタ
ー液種別動作速度との対応テーブルに記憶されている推
奨リフター液種別動作速度にて、リフターLHは上昇す
る。
【0088】次に、リフターLHは、矢印A13にて示
すように、薬液槽CBに貯留された薬液の液面直上に位
置するまで少し上昇する(図14)。この段階において
は、リフターLHを急速に上昇させると薬液の液面が乱
されて基板Wに付着し、その薬液処理に影響を及ぼすお
それがある。すなわち、この上昇動作も、処理液の種類
と密接に関連し、薬液槽CBに貯留される処理液の種類
に対応して、処理液種類と推奨リフター液種別動作速度
との対応テーブルに記憶されている推奨リフター液種別
動作速度にて、リフターLHは上昇する。
【0089】次に、リフターLHは、矢印A14にて示
すように、薬液の液面直上から搬送ロボットTRにロッ
トを渡す位置にまで上昇する(図15)。この上昇動作
は、基板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、レ
シピに速度が設定されておらず、レシピに基づく動作で
なく、リフターLH上昇の動作速度としては速度設定パ
ラメータが選択され、基準動作速度にてリフターLHは
上昇する。
【0090】その後、搬送ロボットTRがハンド80、
81を回動させてロットを把持するとともに、リフター
LHが矢印A15にて示すように若干下降することによ
り搬送ロボットTRにロットが渡される(図16)。こ
の下降動作も、基板の処理内容と直接関係ある動作では
なくて、レシピに速度が設定されておらず、レシピに基
づく動作でなく、リフターLH下降の動作速度としては
速度設定パラメータが選択され、基準動作速度にてリフ
ターLHは下降する。
【0091】搬送ロボットTRにロットが渡された後、
矢印A16にて示すように、リフターLHが薬液槽CB
の底部の元の位置まで下降する(図17)。この下降動
作も、基板の処理内容と直接関係ある動作ではなくて、
レシピに速度が設定されておらず、レシピに基づく動作
でなく、リフターLH下降の動作速度としては速度設定
パラメータが選択され、基準動作速度にてリフターLH
は下降する。
【0092】以上のように、第2の実施形態の基板処理
装置においては、処理液種類と推奨リフター液種別動作
速度との対応テーブルに記憶されている処理液の種類に
応じた推奨リフター液種別動作速度にてリフターLHが
駆動することとなり、基板の処理内容の応じてリフター
LHの動作速度を容易に変更することができる。
【0093】<3.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態の基板処理装置
は、薬液槽CBおよび水洗槽WBのそれぞれを個別に備
えるいわゆる多槽式の装置であったが、一つの処理槽に
おいて薬液処理や洗浄処理を繰り返すワンバスタイプの
装置としてもよい。また、複数の基板Wを一括して浸漬
するに限定されず、基板Wを1枚ずつ浸漬する基板処理
装置でもよい。
【0094】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、浸漬処理内容に関連付けてリフター昇降の動
作速度を設定すれば、その浸漬処理内容と関連付けて設
定されたリフター昇降の動作速度を、リフター昇降の動
作速度として選択し、浸漬処理内容と関連付けてリフタ
ー昇降の動作速度が設定されていなければ、動作条件記
憶部に記憶されている液種別動作速度のうちから、基板
が浸漬する処理液の種類に対応する液種別動作速度を、
リフターが昇降する動作速度として選択することとなる
から、基板の処理内容の応じてリフターLHの動作速度
を容易に変更することができるとともに、自動的に基板
が浸漬する処理液の種類に応じて設定した処理液の種類
に対応する動作速度にてリフターを昇降することができ
る。
【0095】また、請求項2の発明によれば、基板が浸
漬する処理液の種類に応じて、処理液の種類ごとに対応
して設定された液種別動作速度を、リフターが昇降する
動作速度として選択することとなるから、自動的に処理
液の種類に応じて設定した動作速度にてリフターを昇降
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜
視図である。
【図2】図1のリフターを動作させるときの処理手順を
示すフローチャートである。
【図3】図1の基板処理装置の制御機構を説明するため
の機能ブロック図である。
【図4】レシピの構造の一例を示す概念図である。
【図5】処理液種と推奨リフター液種別動作速度との対
応テーブルの一例を示す概念図である。。
【図6】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明す
るための図である。
【図7】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明す
るための図である。
【図8】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明す
るための図である。
【図9】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明す
るための図である。
【図10】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図11】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図12】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図13】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図14】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図15】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図16】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図17】図1の基板処理装置のリフターの動作を説明
するための図である。
【図18】図1の基板処理装置の制御機構を説明するた
めの機能ブロック図である。
【符号の説明】
40 マスターコントローラ40 45 RAM CB 薬液槽 LH リフター TR 搬送ロボット WB 水洗槽 W 基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液を貯留する処理槽と、 前記処理槽に対して基板を昇降させることによって基板
    を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させ
    るリフターと、 前記リフターの動作条件を記憶する動作条件記憶部と、 前記動作条件記憶部に記憶された前記動作条件に従って
    前記リフターの昇降動作を制御する動作条件式リフター
    制御手段と、 を備え、 前記動作条件は、前記処理槽にて行われる浸漬処理の処
    理内容に関連付けて設定された処理用動作速度と、処理
    液の種類ごとに対応して設定された液種別動作速度と、
    を含み、 前記動作条件式リフター制御手段は、前記処理用動作速
    度が設定されている場合には前記処理用動作速度を選択
    し、前記処理用動作速度が設定されていない場合には、
    前記動作条件記憶部に記憶されている液種別動作速度の
    うちから、浸漬する処理液の種類に対応する液種別動作
    速度を選択し、当該動作速度にて前記リフターが動作す
    るように前記リフターを制御することを特徴とする基板
    処理装置。
  2. 【請求項2】 処理液を貯留する処理槽と、 前記処理槽に対して基板を昇降させることによって基板
    を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させ
    るリフターと、処理液の種類ごとに設定された前記リフ
    ターの液種別動作速度を記憶する液種別動作速度記憶部
    と、 前記リフターの昇降を制御する液種対応式リフター制御
    手段とを備え、 前記液種対応式リフター制御手段は、基板が浸漬する処
    理液の種類に対応して、前記液種別動作速度記憶部に記
    憶されている液種別動作速度を選択し、当該動作速度に
    て前記リフターが動作するように前記リフターを制御す
    ることを特徴とする基板処理装置。
JP27974399A 1999-09-30 1999-09-30 基板処理装置 Pending JP2001102353A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008522939A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 グラナドス,ファン ルイス レンドン 同時かつ及び連続製造のために、酸溶液に浸漬することを含む全体的又は部分的にサテン/艶消し仕上げされたガラスを得るための化学的方法
JP2008522938A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 グラナドス,ファン ルイス レンドン 同時かつ連続的な製造のために、酸溶液に浸漬することを含む反射防止仕上げされたガラスを得るための化学的方法

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JP2008522939A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 グラナドス,ファン ルイス レンドン 同時かつ及び連続製造のために、酸溶液に浸漬することを含む全体的又は部分的にサテン/艶消し仕上げされたガラスを得るための化学的方法
JP2008522938A (ja) * 2004-12-10 2008-07-03 グラナドス,ファン ルイス レンドン 同時かつ連続的な製造のために、酸溶液に浸漬することを含む反射防止仕上げされたガラスを得るための化学的方法

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