JP2022139303A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図りつつ、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、エッチング液を貯留する第２薬液処理槽６と、水平方向に互いに平行に延びる一対のバー状部材３０であって、第２薬液処理槽６内において、鉛直姿勢で基板Ｗを保持する一対のバー状部材３０と、一対のバー状部材３０に対して昇降するリフタ６０であって、下降する際に一対のバー状部材３０から鉛直姿勢の基板Ｗを渡し、上昇する際に一対のバー状部材３０から鉛直姿勢の基板Ｗを受け取るリフタ６０とを含む。一対のバー状部材３０が、延長方向ＥＤに沿って延び対応する第１バー状部材３０Ａの内部を通り一対の回転軸線Ａ１をそれぞれ有し、各バー状部材３０が、対応する回転軸線Ａ１のまわりに回転することによって鉛直姿勢のＷ基板の回転を駆動する。【選択図】図２

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置、および、基板を処理する基板処理方法に関する。
処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１には、ウェハを処理液に浸漬させて処理を行うウェハ処理装置が開示されている。このウェハ処理装置では、複数枚のウェハを起立姿勢で保持する保持機構が、処理槽内の処理位置と処理槽よりも上方の待機位置との間で昇降する。保持機構は、一対の保持フレームと、一対の保持フレームに取り付けられた二本の係止部材と、一対の保持フレームに着脱自在に取り付けられた係止部材とを備えている。各係止部材は、その両端部が前側の保持フレームおよび後側の保持フレームに取り付けられて、複数枚のウェハの外周三箇所を係止することにより複数枚のウェハを安定保持する。

特開２００６－３３２４２５号公報

特許文献１の基板処理装置によれば、保持機構は、昇降機構によって昇降され、昇降機構の昇降片に設けられたモータによって回転される。これにより、処理槽内の処理液の流れの均一性を向上させて、ウェハの処理の均一性が向上される。
しかしながら、特許文献１の基板処理装置には、保持機構を回転させて基板を回転させるための機構として、モータに連結された第１回転軸と、第１回転軸と平行に延びる第２回転軸と、これらの回転軸間で動力を伝達するためのギヤと、第２回転軸の回転を保持機構に伝達するタイミングベルトとが設けられている。そのため、処理槽内で基板を回転させるための構成が大型化するおそれがある。

そこで、この発明の１つの目的は、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図りつつ、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を処理する処理液を貯留する処理槽と、鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材であって、前記処理槽内において、前記バー状部材の延長方向に基板の主面が向く処理姿勢で前記基板を保持する複数のバー状部材と、姿勢が前記処理姿勢である基板を支持し複数の前記バー状部材に対して昇降する昇降部材であって、下降する際に複数の前記バー状部材に前記基板を渡し、上昇する際に複数の前記バー状部材から前記基板を受け取る昇降部材とを含む、基板処理装置を提供する。

この基板処理装置では、複数の前記バー状部材が、前記延長方向に沿って延びる複数の回転軸線をそれぞれ有する。各前記バー状部材が、対応する前記回転軸線のまわりに回転することによって複数の前記バー状部材に保持されている前記基板の回転を駆動する。
この基板処理装置によれば、昇降部材は、複数のバー状部材に対して昇降する際に、複数のバー状部材に基板を渡したり、複数のバー状部材から基板を受け取ったりすることができる。そのため、複数のバー状部材を昇降させることなく、基板を複数のバー状部材に保持させて、基板を処理槽内の処理液に浸漬させることができる。

複数のバー状部材の昇降が不要であるため、複数のバー状部材を回転させるために必要な機構を昇降部材とともに昇降させる必要がない。そのため、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図れる。
また、複数のバー状部材を複数の回転軸線のまわりに回転することで処理姿勢の基板の回転が駆動される。処理姿勢の基板を処理槽内で回転させることによって、処理槽中の処理液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる。

この発明の一実施形態では。複数の前記バー状部材が、前記回転軸線と平行に延びる所定の中心軸線まわりの周方向に間隔を空けて配置される。各前記バー状部材が、前記処理姿勢の前記基板の周縁部を収容する収容溝を有する。
この構成によれば、各バー状部材に基板の周縁部を収容する収容溝が設けられている。そのため、所定の中心軸線まわりの周方向の複数箇所において基板の周縁部を収容溝に収容させることができる。これにより、基板の姿勢の安定性の向上を図れるため、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。

この発明の一実施形態では、各前記バー状部材は、前記収容溝を複数有し、複数の前記収容溝は、前記延長方向に等間隔で設けられている。そのため、複数の基板を、延長方向に等間隔に配列させた状態で、複数のバー状部材に保持させることができる。そのため、複数のバー状部材によって、複数の基板を安定性高く保持することができる。ひいては、基板間での処理むらを低減できる。

この発明の一実施形態では、複数の前記バー状部材が、互いに間隔を空けて配置された第１バー状部材および第２バー状部材を含む。前記昇降部材が、前記第１バー状部材および前記第２バー状部材の間を通って昇降する。そのため、処理槽内における第１バー状部材と第２バー状部材との間の空間を、昇降部材の昇降のための経路として活用できる。したがって、処理槽の大型化を抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材と、前記処理槽内に処理液を吐出する吐出部材とをさらに含む。そのため、吐出部材から吐出される処理液によって処理槽内に液流を形成することができる。羽根部材がこの液流を受けることによって、羽根部材が回転する。羽根部材およびバー状部材は一体回転するため、液流の形成によってバー状部材が回転し、バー状部材の回転によって基板が回転される。そのため、バー状部材を回転させるための電動モータ等を設けることなく、バー状部材を回転させることができる。したがって、基板を回転させる構成の簡素化を図れる。

昇降部材は、基板を処理姿勢で支持する。そのため、昇降部材を下降させて基板を処理槽内の処理液に浸漬する際には、基板の下端部が最も早いタイミングで処理槽内の処理液に浸漬され始め、基板の上端部が最も遅いタイミングで処理槽内の処理液に浸漬され始める。処理槽内での基板の処理を終えた後、昇降部材を上昇させて基板を処理槽から取り出す際には、処理液への基板の上端部の浸漬が最も早いタイミングで終了し、処理液への基板の下端部の浸漬が最も遅いタイミングで終了する。したがって、処理液に浸漬されている時間は、基板の下端部が最も長く、基板の上端部が最も短い。そのため、処理液に浸漬する際の基板の回転位相と処理液への浸漬を終了する際の基板の回転位相とを変化させなければ、基板の主面に処理むらが発生するおそれがある。

そこで、吐出部材から吐出される処理液の流量を調整して、複数のバー状部材に保持されている基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。たとえば、所定角度は、９０°よりも大きく２７０°よりも小さい角度であれば、基板の処理むらを効果的に抑制できる。ただし、基板の回転変位は、１８０°に近いほど処理むらの低減効果は高く、基板の回転変位は、１５０°以上２１０°以下であることが好ましく、１８０°であることが一層好ましい。

基板を基板中心軸線まわりに１８０°回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記吐出部材から吐出される処理液の流量を制御することによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む。
処理姿勢の基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転するように、コントローラによって吐出部材から吐出される処理液の流量を制御すれば、基板処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材を対応する前記回転軸線まわりに回転させる回転アクチュエータをさらに含む。そのため、バー状部材を精度良く回転させることができる。また、この構成では、バー状部材が昇降部材とともに昇降しない。そのため、回転アクチュエータの回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板を回転させるための構成を簡素化することができる。

回転アクチュエータによってバー状部材の回転変位を調整して、複数のバー状部材に保持されている基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。
上述したように、基板を基板中心軸線まわりに１８０°回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記回転アクチュエータを制御して複数の前記バー状部材を回転させることによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む。
処理姿勢の基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転するように、コントローラによって回転アクチュエータを制御すれば、基板処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、基板の周縁部に設けられた被検出部を検出する周縁検出センサをさらに含む。
そのため、基板の周方向における所定位置に設けられた被検出部が検出されたタイミングでバー状部材の回転を停止させれば、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。これにより、基板処理の面内均一性を向上させることができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材の回転変位を検出する回転変位センサをさらに含む。このように、バー状部材の回転変位を検出することで、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。
この発明の他の実施形態は、処理液を貯留する処理槽内で鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材の延長方向に主面を向ける処理姿勢の基板を支持する昇降部材を下降させることによって、前記処理槽内の処理液への基板の浸漬を開始する浸漬開始工程と、前記浸漬開始工程後に前記昇降部材をさらに下降させることによって、前記処理槽内において、前記昇降部材から複数の前記バー状部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡され、前記処理姿勢の前記基板が複数の前記バー状部材に保持される第１受渡工程と、複数の前記バー状部材の内部をそれぞれ通り前記延長方向に延びる複数の回転軸線のまわりに複数の前記バー状部材をそれぞれ回転させることによって、前記処理姿勢の前記基板を当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程の後に前記昇降部材を上昇させることによって、複数の前記バー状部材から前記昇降部材が前記処理姿勢の前記基板が受け渡される第２受渡工程と、前記第２受渡工程の後に前記昇降部材をさらに上昇させることによって、前記処理槽に貯留されている処理液への前記基板の浸漬を終了する浸漬終了工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この基板処理方法によれば、昇降部材は、複数のバー状部材に対して昇降する際に、複数のバー状部材に基板を渡したり、複数のバー状部材から基板を受け取ったりすることができる。そのため、複数のバー状部材を昇降させることなく、基板を複数のバー状部材に保持させて、基板を処理槽内の処理液に浸漬させることができる。
複数のバー状部材の昇降が不要であるため、複数のバー状部材を回転させるために必要な機構を昇降部材とともに昇降させる必要がない。そのため、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図れる。

また、複数のバー状部材がそれぞれの内部を通る複数の回転軸線のまわりに回転することで処理姿勢の基板の回転を駆動する。処理姿勢の基板を処理槽内で回転させることによって、処理槽中の処理液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる。
さらに、昇降部材から複数のバー状部材に基板が受け渡された後、複数のバー状部材に保持されている基板が基板中心軸線まわりに所定角度回転する。そのため、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。

上述したように、基板を基板中心軸線まわりに１８０°回転させれば、その後に昇降部材が上昇する際には、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。

この発明の他の実施形態では、前記基板回転工程が、前記処理槽内に吐出部材から処理液を吐出することによって、前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材を回転させる工程を含む。そのため、吐出部材から吐出される処理液によって処理槽内に液流を形成することができる。羽根部材がこの液流を受けることによって、羽根部材が回転する。羽根部材およびバー状部材は一体回転するため、液流の形成によってバー状部材が回転し、バー状部材の回転によって基板が回転される。そのため、バー状部材を回転させるための電動モータ等を設けることなく、バー状部材を回転させることができる。したがって、基板を回転させる構成の簡素化を図れる。

この発明の他の実施形態では、前記基板回転工程が、回転アクチュエータが前記バー状部材を前記回転軸線まわりに回転させる工程を含む。そのため、バー状部材を精度良く回転させることができる。また、この方法では、バー状部材が昇降部材とともに昇降しないため、回転アクチュエータの回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板を回転させるための構成を簡素化することができる。

この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の周方向に設けられた被検出部が所定位置に位置することを周縁検出センサが検出したタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む。そのため、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。これにより、基板処理の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を一層低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。

この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記バー状部材の回転変位が所定の回転変位となるタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む。このように、バー状部材の回転変位を検出することで、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装に備えられる第２薬液処理槽およびその周辺の部材の縦断面図である。 図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図４は、前記基板処理装置に備えられる一対のバー状部材の構成を説明するための斜視図である。 図５は、前記基板処理装置の制御に関する構成例を説明するためのブロック図である。 図６は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例について説明するための流れ図である。 図７は、前記基板処理の一部であるエッチング処理の一例について説明するため流れ図である。 図８Ａは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。 図８Ｂは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。 図８Ｃは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。 図８Ｄは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。 図８Ｅは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。 図９は、前記基板処理装置の変形例を説明するための模式的な断面図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して説明する。
＜基板処理装置１の全体構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置である。基板処理装置１は、半導体ウェハなどの円板状の基板Ｗを収容するキャリアＣが搬送されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを薬液やリンス液等の処理液で処理する処理ユニット２と、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する複数の搬送ロボットと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを含む。

処理ユニット２は、複数枚の基板Ｗが浸漬される第１薬液を貯留する第１薬液処理槽４と、複数枚の基板Ｗが浸漬される第１リンス液を貯留する第１リンス処理槽５と、複数枚の基板Ｗが浸漬される第２薬液を貯留する第２薬液処理槽６と、複数枚の基板Ｗが浸漬される第２リンス液を貯留する第２リンス処理槽７とを含む。処理ユニット２は、複数枚の基板Ｗを乾燥させる乾燥処理槽８をさらに含む。

第１薬液は、たとえば、アンモニア過酸化水素混合液（ＡＰＭ液：Ammonium Hydrogen-peroxide mixture）またはフッ酸である。第２薬液は、たとえば、エッチング液である。エッチング液は、たとえば、リン酸、酢酸、硝酸、および水の混合液である混酸（ＰＡＮ液：Phosphoric Acetic and Nitric acid）である。第１リンス液および第２リンス液は、たとえば、脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized water）である。

第１薬液は、ＡＰＭ液およびフッ酸以外の薬液であってもよい。同様に、第１リンス液および第２リンス液は、純水以外のリンス液であってもよい。第１リンス液および第２リンス液は、互いに異なる種類のリンス液であってもよい。
基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは、たとえば、主面からタングステン等の金属層が露出する基板である。

複数の搬送ロボットは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間でキャリアＣを搬送し、複数のキャリアＣを収容するキャリア搬送装置９と、キャリア搬送装置９に保持されているキャリアＣに対して複数枚の基板Ｗの搬入および搬出を行い、水平姿勢および鉛直姿勢のいずれかに基板Ｗの姿勢を変更する姿勢変換ロボット１０とを含む。
水平姿勢とは、基板Ｗの主面が水平面となる姿勢である。鉛直姿勢とは、基板Ｗの主面が鉛直面となる姿勢である。鉛直姿勢は、起立姿勢ともいう。

姿勢変換ロボット１０は、複数のキャリアＣから取り出した複数枚（たとえば５０枚）の基板Ｗで１つのバッチを形成するバッチ組み動作と、１つのバッチに含まれる複数枚の基板Ｗを複数のキャリアＣに収容するバッチ解除動作とを行う。
複数の搬送ロボットは、さらに、姿勢変換ロボット１０と処理ユニット２との間で１バッチの基板Ｗを搬送する主搬送ロボット１１と、主搬送ロボット１１と処理ユニット２との間で１バッチの基板Ｗを搬送する複数の副搬送ロボット１２とを含む。複数の副搬送ロボット１２は、第１薬液処理槽４と第１リンス処理槽５との間で１バッチの基板Ｗを搬送する第１副搬送ロボット１２Ａと、第２薬液処理槽６と第２リンス処理槽７との間で複数枚の基板Ｗを搬送する第２副搬送ロボット１２Ｂとを含む。

主搬送ロボット１１は、１バッチの基板Ｗを姿勢変換ロボット１０から受け取る。主搬送ロボット１１は、姿勢変換ロボット１０から受け取った１バッチの基板Ｗを第１副搬送ロボット１２Ａおよび第２副搬送ロボット１２Ｂに渡し、第１副搬送ロボット１２Ａおよび第２副搬送ロボット１２Ｂに保持されている１バッチの基板Ｗを受け取る。主搬送ロボット１１は、さらに、１バッチの基板Ｗを乾燥処理槽８に搬送する。

第１副搬送ロボット１２Ａは、主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗを第１薬液処理槽４と第１リンス処理槽５との間で搬送し、第１薬液処理槽４内の第１薬液または第１リンス処理槽５内の第１リンス液に浸漬させる。同様に、第２副搬送ロボット１２Ｂは、主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗを第２薬液処理槽６と第２リンス処理槽７との間で搬送し、第２薬液処理槽６内の第２薬液または第２リンス処理槽７内の第２リンス液に浸漬させる。

＜処理ユニット２の構成＞
図２は、第２薬液処理槽６およびその周辺に備えられる部材の縦断面図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図示はしないが、第１薬液処理槽４、第１リンス処理槽５、および第２リンス処理槽７についても、第２薬液処理槽６と同様の構成を備えている。

第２薬液処理槽６は、この実施形態では、二重槽構造を有している。具体的には、第２薬液処理槽６は、エッチング液を貯留し、１バッチの基板Ｗを浸漬させる内槽２０と、内槽２０の少なくとも上端部を取り囲み、内槽２０とエッチング液を交換可能な外槽２１とを含む。
内槽２０は、薬液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料によって形成された平面視矩形状の容器である。内槽２０は、上端部に開口を有しており、Ｖ字状の底壁２０ａと、底壁２０ａに連結された複数（この実施形態では４つ）の側壁２０ｂとを有する。外槽２１は、内槽２０と同様の材料によって形成されている。

処理ユニット２は、第２薬液処理槽６内で１バッチの基板Ｗを保持する一対のバー状部材３０さらに含む。一対のバー状部材３０は、互いに平行して水平に延びている。各バー状部材３０は、円筒状または円柱状である。一対のバー状部材３０は、バー状部材３０が延びる方向（延長方向ＥＤ）に対して直交する水平方向（直交方向ＯＤ）に互いに間隔を空けて第２薬液処理槽６内に設けられた第１バー状部材３０Ａおよび第２バー状部材３０Ｂを含む。一対のバー状部材３０は、内槽２０の複数の側壁２０ｂによって、内槽２０に対して回転可能に支持されている。

一対のバー状部材３０は、延長方向ＥＤに沿って延びる一対の回転軸線Ａ１をそれぞれ有する。各回転軸線Ａ１は、対応するバー状部材３０の内部を通っており、対応するバー状部材３０の中心軸線でもある。そのため、各バー状部材３０は、延長方向ＥＤに沿って延びる回転軸線Ａ１のまわりを自転可能である。
一対のバー状部材３０が、回転軸線Ａ１と平行に延びる所定の中心軸線Ａ２まわりの周方向ＣＤに間隔を空けて配置されている。基板Ｗは、基板Ｗの中心部を通る中心軸線（基板中心軸線Ａ３）が、中心軸線Ａ２と一致するように、一対のバー状部材３０に保持される。

図４は、一対のバー状部材３０の構成を説明するための斜視図である。各バー状部材３０は、１バッチの基板Ｗの周縁部の一部をそれぞれ収容する複数の収容溝３１を有する。各バー状部材３０において、複数の収容溝３１は、延長方向ＥＤに等間隔で設けられている。各基板Ｗの周縁部は、延長方向ＥＤにおいて同じ位置に位置する複数（この実施形態では２つ）の収容溝３１に収容されている。これにより、基板Ｗが鉛直姿勢（処理姿勢）で一対のバー状部材３０に保持される。

収容溝３１は、たとえば、バー状部材３０の中心側に向かって幅狭となる断面視Ｖ字状の溝である。収容溝３１は、断面視Ｕ字状の溝であってもよい。収容溝３１内において、基板Ｗの周縁部は、バー状部材３０に接触している。たとえば、バー状部材３０は、延長方向ＥＤの両側から基板Ｗの周縁部に接している。そのため、バー状部材３０の回転が基板Ｗに伝達される。また、収容溝３１の底部が延長方向ＥＤから見て円形状であれば、バー状部材３０の外周面は必ずしも円筒状でなくてもよい。

処理ユニット２は、一対のバー状部材３０のうちの一方のバー状部材３０（たとえば、第１バー状部材３０Ａ）と一体回転するように第２薬液処理槽６内に設けられた羽根部材４０をさらに含む。この実施形態では、羽根部材４０は、第１バー状部材３０Ａにおいて複数の収容溝３１が設けられている溝形成領域３２の外側において、第１バー状部材３０Ａに接合されている。

羽根部材４０は、たとえば、図４に示すように、第１バー状部材３０Ａと一体に形成されていてもよく、第１バー状部材３０Ａの外周面に取り付けられた複数の羽根部４１を含んでいてもよい。
羽根部材４０は、図４とは異なり、第１バー状部材３０Ａとは別体で形成されており、延長方向ＥＤから第１バー状部材３０Ａに連結されていてもよい。あるいは、羽根部材４０は、複数の羽根部４１と、複数の羽根部４１を支持する環状部とを含んでおり、当該環状部に第１バー状部材３０Ａが挿入されていてもよい。

図２および図３を再び参照して、処理ユニット２は、第２薬液処理槽６内にエッチング液吐出する一対の吐出部材５０をさらに含む。吐出部材５０は、たとえば、延長方向ＥＤに延びるバー状ノズルである。一対の吐出部材５０は、直交方向ＯＤに互いに間隔を空けて設けられている。一対の吐出部材５０は、たとえば、内槽２０の底壁２０ａと側壁２０ｂとの境界付近に設けられている。吐出部材５０は、内槽２０内へ向けてエッチング液を吐出する複数の吐出口５１を有している。複数の吐出口５１は、延長方向ＥＤに所定の間隔で配置されている。少なくとも一つの吐出口５１が、羽根部材４０に対向していることが好ましい（図２を参照）。

処理ユニット２は、各吐出部材５０に接続される処理液配管５２と、処理液供給源（図示せず）からのエッチング液等の第２薬液を一対の処理液配管５２に第２薬液を供給する主配管５３と、主配管５３に介装された処理液バルブ５４および流量調整バルブ５５とを含む。処理液バルブ５４は、主配管５３内の流路を開閉する。流量調整バルブ５５は、主配管５３を流れる第２薬液の流量を調整する。処理液バルブ５４が開かれると、処理液供給源から一対の吐出部材５０に第２薬液が供給され、２つの吐出部材５０から第２薬液が吐出される。詳しくは、両方の吐出部材５０の複数の吐出口５１から第２薬液が吐出される。

第２副搬送ロボット１２Ｂは、第２薬液処理槽６に対して昇降するリフタ６０と、リフタ６０を昇降させる昇降機構７０と、リフタ６０を水平方向に移動（スライド）させるスライド機構８０とを含む。昇降機構７０は、リフタ６０に連結された昇降軸７１と、昇降軸７１を昇降させる駆動力を発生させる昇降アクチュエータ７２とを含む。昇降機構７０は、昇降アクチュエータ７２の駆動力を昇降軸７１に伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、または、ラックアンドピニオン機構である。

スライド機構８０は、昇降軸７１を水平方向に移動させる駆動力を発生させるスライドアクチュエータ８１を含む。スライド機構８０は、スライドアクチュエータ８１の駆動力を昇降軸７１に伝達する動力伝達機構(図示せず)を含んでいてもよい。
リフタ６０は、１バッチの基板Ｗを下方から支持する複数の支持部６１と、延長方向ＥＤにおける複数の支持部６１の一端に連結され複数の支持部６１を昇降させる昇降部６２とを有する。リフタ６０は、延長方向ＥＤにおける複数の支持部６１の他端を連結するフレーム部６３を含んでいてもよい。

各支持部６１は、延長方向ＥＤに沿って等間隔で設けられた複数の収容溝６４を有している。各基板Ｗの周縁部は、延長方向ＥＤにおいて同じ位置に位置する複数の収容溝６４に収容される。そのため、リフタ６０は、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢に維持しながら１バッチの基板Ｗを昇降させることができる。
リフタ６０は、スライド機構８０によって、第２薬液処理槽６上に位置する第２薬液処理位置と、第２リンス処理槽７上に位置する第２リンス処理位置とに水平移動することができる。

リフタ６０は、第２薬液処理位置に位置する状態で、昇降機構７０によって、支持部６１が第２薬液処理槽６内の第２薬液の液面よりも上側に位置する上位置（後述する図８Ａを参照）と、支持部６１が複数のバー状部材３０よりも下側に位置する下位置（後述する図８Ｄを参照）との間で昇降可能である。リフタ６０は、上位置と下位置との間の受渡位置（後述する図８Ｃを参照）を下降して通過する際に、１バッチの基板Ｗを一対のバー状部材３０に渡す。リフタ６０は、上昇して受渡位置（後述する図８Ｅを参照）を通過する際に、１バッチの基板Ｗを一対のバー状部材３０から受け取る。リフタ６０は、第１バー状部材３０Ａと第２バー状部材３０Ｂとの間を通って昇降する。リフタ６０は、複数のバー状部材３０に対して昇降する昇降部材の一例である。

図示しないが、第１副搬送ロボット１２Ａについても、第２副搬送ロボット１２Ｂと同様の構成を有していてもよい。
基板処理装置１は、基板Ｗの周縁部に設けられた切り欠きＷ１，Ｗ２（被検出部）を検出する周縁検出センサ９０をさらに含む。切り欠きＷ１，Ｗ２は、全ての基板Ｗに設けられていてもよいが、周縁検出センサ９０は、１バッチの基板Ｗのうちの１枚の基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２を検出する。

周縁検出センサ９０は、たとえば、基板Ｗの上端部（基板Ｗの周縁部の一部）に向けてレーザを発振するレーザ発振器（図示せず）と、基板Ｗの上端部から反射するレーザを検出する反射光検出器（図示せず）とを含む。周縁検出センサ９０は、基板Ｗの周縁部において切り欠きＷ１，Ｗ２が設けられていない部分から反射する光の強度と、基板Ｗの周縁部において切り欠きＷ１，Ｗ２が設けられている部分から反射する光の強度との差に基づいて、基板Ｗが所定の回転位相に位置することを検出する。

基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２は、基板Ｗの周縁部において等間隔に設けられていることが好ましい。基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２は、周縁部に２箇所設けられていることが特に好ましい。すなわち、２つの切り欠きＷ１，Ｗ２の位相差は１８０°（所定角度）であることが好ましい。
周縁検出センサ９０は、一対のバー状部材３０および第２薬液処理槽６よりも上方に配置されており、一対のバー状部材３０に保持されている基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２を上方から検出する。周縁検出センサ９０は、切り欠きＷ１，Ｗ２が基板Ｗの上端部に位置するときに切り欠きＷ１，Ｗ２を検出する。図２は、切り欠きＷ１が基板Ｗの上端部に位置する状態を示している。

図３に二点鎖線で示すように、周縁検出センサ９０は、第２薬液処理槽６の側方に設けられていて、かつ、一対のバー状部材３０に保持されている基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２を延長方向ＥＤから検出するように構成されていてもよい。この場合、レーザを透過する透過部材（図示せず）を側壁２０ｂに受けることで、周縁検出センサ９０を、第２薬液処理槽６の側壁２０ｂに外側から取り付けることができる。

この実施形態とは異なり、周縁検出センサ９０は、延長方向ＥＤに沿って等間隔に複数配置されていてもよい。複数の周縁検出センサ９０は、１バッチの基板Ｗと同数設けられていてもよいし、１バッチの基板Ｗよりも少ない個数設けられていてもよい。
＜電気的構成＞
図５は、基板処理装置１の制御に関する構成例を説明するためのブロック図である。

コントローラ３は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３ａと、プログラムが格納されたメモリ３ｂとを含み、プロセッサ３ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御処理を実行するように構成されている。

特に、コントローラ３は、複数の搬送ロボット（キャリア搬送装置９、姿勢変換ロボット１０、主搬送ロボット１１、および、複数の副搬送ロボット１２）、処理液バルブ５４、流量調整バルブ５５等の動作を制御する。コントローラ３には、周縁検出センサ９０が接続されており、周縁検出センサ９０の検出結果が入力される。
また、第２薬液処理槽６以外の処理槽（第１薬液処理槽４、第１リンス処理槽５、第２リンス処理槽７、および、乾燥処理槽８）に関連する部材（バルブ等）についてもコントローラ３によって制御される。

＜基板処理の一例＞
図６は、基板処理装置１によって実行される基板処理の一例について説明するための流れ図である。以下では、図１および図６を参照する。
主搬送ロボット１１は、複数枚の基板Ｗからなる１バッチの基板Ｗを姿勢変換ロボット１０から受け取る。主搬送ロボット１１は、姿勢変換ロボット１０から受け取った１バッチの基板Ｗを第１副搬送ロボット１２Ａに搬送し、第１副搬送ロボット１２Ａに渡す。主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗを第１副搬送ロボット１２Ａが第１薬液処理槽４内の第１薬液に浸漬させる（第１薬液処理：図６のステップＳ１）。その後、第１副搬送ロボット１２Ａが、第１リンス処理槽５内の第１リンス液に１バッチの基板Ｗを浸漬させる（第１リンス処理：図６のステップＳ２）。その後、第１副搬送ロボット１２Ａは、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１１に渡す。

主搬送ロボット１１は、第１副搬送ロボット１２Ａから受け取った１バッチの基板Ｗを第２副搬送ロボット１２Ｂに渡す。その後、第２副搬送ロボット１２Ｂが、主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗを第２薬液処理槽６内のエッチング液等の第２薬液に浸漬させる（第２薬液処理（エッチング処理）：図６のステップＳ３）。さらにその後、第２副搬送ロボット１２Ｂが、第２リンス処理槽７内の第２リンス液に１バッチの基板Ｗを浸漬させる（第２リンス処理：図６のステップＳ４）。その後、第２副搬送ロボット１２Ｂは、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１１に渡す。主搬送ロボット１１は、第２副搬送ロボット１２Ｂから受け取った１バッチの基板Ｗを乾燥処理槽８に搬送する。

乾燥処理槽８内では、１バッチの基板Ｗを減圧乾燥等の手法によって乾燥される（乾燥処理：図６のステップＳ５）。その後、主搬送ロボット１１は、１バッチの基板Ｗを姿勢変換ロボット１０に渡す。姿勢変換ロボット１０は、主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更し、その後、１バッチの基板Ｗをキャリア搬送装置９に保持されている複数のキャリアＣに収容する。この一連の動作が繰り返されることにより、基板処理装置１に搬送された複数枚の基板Ｗが処理される。

次に、基板処理において実行されるエッチング処理（図６のステップＳ３）について詳しく説明する。
図７は、エッチング処理の一例について説明するための流れ図である。図８Ａ～図８Ｅは、基板処理装置１のエッチング処理を説明するための模式図である。図８Ａに示すように、第２副搬送ロボット１２Ｂが主搬送ロボット１１から受け取った１バッチの基板Ｗは、リフタ６０の複数の支持部６１に下方から支持されている。このとき、基板Ｗは、一対の切り欠きＷ１，Ｗ２のうちのいずれか一方が上端に位置するようにリフタ６０に支持されている。図８Ａでは、切り欠きＷ１が上端に位置している。

昇降機構７０は、１バッチの基板Ｗを支持するリフタ６０を下降させる。これにより、図８Ｂに示すように、基板Ｗの下端部が、第２薬液処理槽６内のエッチング液の液面に接触し、基板Ｗの浸漬が開始される（浸漬開始工程：図７のステップＳ１１）。昇降機構７０は、リフタ６０をさらに下降させる。リフタ６０が下降して受渡位置を通過する際に、図８Ｃに示すように、リフタ６０から一対のバー状部材３０に１バッチの基板Ｗが受け渡われる（第１受渡工程：図７のステップＳ１２）。これにより、各基板Ｗの主面の全体がエッチング液に浸漬される。リフタ６０は、受渡位置を通過した後、下位置に達するまで下降する。

１バッチの基板Ｗが一対のバー状部材３０に渡された後、処理液バルブ５４が開かれる。これにより、吐出部材５０からエッチング液が吐出される（処理液吐出工程、エッチング液吐出工程）。エッチング液の吐出によって、第２薬液処理槽６内のエッチング液に液流が形成され、液流によって羽根部材４０の回転が開始される。羽根部材４０が回転することによって、第１バー状部材３０Ａが回転（自転）し、第１バー状部材３０Ａの回転によって、１バッチの基板Ｗの回転が駆動される。すなわち、図８Ｄに示すように、中心軸線Ａ２まわりの基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程：図７のステップＳ１３）。１バッチの基板Ｗの回転によって、第２バー状部材３０Ｂの回転軸線Ａ１まわりの回転が駆動される。

周縁検出センサ９０が基板Ｗの切り欠きＷ２を検出すると、処理液バルブ５４が閉じられる。これにより、基板Ｗが中心軸線Ａ２まわりに１８０°（所定角度）回転したときに液流が形成されなくなる。液流の形成が停止されることによって、基板Ｗの回転が停止される（回転停止工程）。
基板Ｗの回転が停止された後、昇降機構７０が、下位置に位置するリフタ６０の上昇を開始する。リフタ６０が上昇して受渡位置を通過する際に、図８Ｅに示すように、一対のバー状部材３０からリフタ６０に１バッチの基板Ｗが受け渡される（第２受渡工程：図７のステップＳ１４）。昇降機構７０は、リフタ６０をさらに上昇させる。リフタ６０が上位置にまで移動することによって、第２薬液処理槽６内のエッチング液への１バッチの基板Ｗの浸漬が終了する（浸漬終了工程：図７のステップＳ１５）。以上により、エッチング処理が終了する。

このエッチング処理では、リフタ６０は、一対のバー状部材３０に対して昇降する際に、一対のバー状部材３０に１バッチの基板Ｗを渡したり、一対のバー状部材３０から１バッチの基板Ｗを受け取ったりすることができる。そのため、一対のバー状部材３０を昇降させることなく、一対のバー状部材３０に基板Ｗを保持させて、１バッチの基板Ｗを第２薬液処理槽６内のエッチング液に浸漬させることができる。

一対のバー状部材３０の昇降が不要であるため、一対のバー状部材３０を回転させるために必要な機構（電動モータ等）をリフタ６０とともに昇降させる必要がない。そのため、第２薬液処理槽６内で基板Ｗを回転させる構成の簡素化を図れる。
また、一対のバー状部材３０がそれぞれの内部を通る複数の回転軸線Ａ１のまわりに回転することで１バッチの基板Ｗの回転を駆動する。１バッチの基板Ｗを第２薬液処理槽６内で回転させることによって、第２薬液処理槽６中のエッチング液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、エッチング処理の面内均一性の向上を図ることができる。

また、この実施形態によれば、一対のバー状部材３０が、中心軸線Ａ２まわりの周方向ＣＤに間隔を空けて配置される。各バー状部材３０が、鉛直姿勢の基板Ｗの周縁部を収容する収容溝３１を有する。そのため、周方向ＣＤの複数箇所において基板Ｗの周縁部を収容溝３１に収容させることができる。これにより、基板Ｗの姿勢の安定性の向上を図れるため、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。

また、この実施形態によれば、各バー状部材３０は、収容溝３１を複数有し、複数の収容溝３１は、延長方向ＥＤに等間隔で設けられている。そのため、１バッチの基板Ｗを、延長方向ＥＤに等間隔に配列させた状態で、一対のバー状部材３０に保持させることができる。そのため、一対のバー状部材３０によって、１バッチの基板Ｗを安定性高く保持することができる。ひいては、基板Ｗ間での処理むらを低減できる。

また、この実施形態によれば、リフタ６０の複数の支持部６１が、第１バー状部材３０Ａおよび第２バー状部材３０Ｂの間を通って昇降する。そのため、第２薬液処理槽６内における第１バー状部材３０Ａと第２バー状部材３０Ｂとの間の空間を、リフタ６０の昇降のための経路として活用できる。したがって、第２薬液処理槽６の大型化を抑制できる。
また、この実施形態によれば、羽根部材４０が第１バー状部材３０Ａと一体回転するように第２薬液処理槽６内に設けられている。また、吐出部材５０から吐出されるエッチング液によって第２薬液処理槽６内に液流を形成することができる。羽根部材４０がこの液流を受けることによって、羽根部材４０が回転する。羽根部材４０および第１バー状部材３０Ａは一体回転するため、液流の形成によって第１バー状部材３０Ａが回転し、第１バー状部材３０Ａの回転によって基板Ｗが回転される。そのため、第１バー状部材３０Ａを回転させるための電動モータ等を設けることなく、第１バー状部材３０Ａを回転させることができる。

リフタ６０と一対のバー状部材３０との間で受け渡される基板Ｗの姿勢は、鉛直姿勢である。そのため、リフタ６０を下降させて基板Ｗを第２薬液処理槽６内のエッチング液に浸漬する際には、基板Ｗの下端部が最も早いタイミングで第２薬液処理槽６内のエッチング液に浸漬され始め、基板Ｗの上端部が最も遅いタイミングで第２薬液処理槽６内のエッチング液に浸漬され始める。第２薬液処理槽６内での基板Ｗのエッチング処理を終えた後、リフタ６０を上昇させて基板Ｗを第２薬液処理槽６から取り出す際には、エッチング液への基板Ｗの上端部の浸漬が最も早いタイミングで終了し、エッチング液への基板Ｗの下端部の浸漬が最も遅いタイミングで終了する。したがって、エッチング液に浸漬されている時間は、基板Ｗの下端部が最も長く、基板Ｗの上端部が最も短い。そのため、エッチング液に浸漬する際の基板Ｗの回転位相とエッチング液への浸漬を終了する際の基板Ｗの回転位相とを変化させなければ、基板Ｗの主面に処理むらが発生するおそれがある。

そこで、吐出部材５０から吐出されるエッチング液の流量を調整して、一対のバー状部材３０に保持されている基板Ｗを基板中心軸線Ａ３まわりに１８０°回転させれば、基板Ｗの主面において、リフタ６０が下降する際に最も早いタイミングでエッチング液に浸漬された部分が、リフタ６０が上昇する際に最も早いタイミングでエッチング液から取り出される。したがって、基板Ｗの主面の各位置におけるエッチング液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。

鉛直姿勢の基板Ｗを基板中心軸線Ａ３まわりに１８０°回転するように、コントローラ３によって吐出部材５０から吐出されるエッチング液の流量を制御すれば、エッチング処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。
周縁検出センサ９０は、基板Ｗの周縁部に設けられた切り欠きＷ１，Ｗ２を検出する。そのため、切り欠きＷ１，Ｗ２が検出されたタイミングでバー状部材３０の回転を停止させれば、基板Ｗが適切な回転位相に位置するように基板Ｗの回転を停止させることができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。

この実施形態に係るエッチング処理であれば、エッチングの面内均一性の向上が要求されている三次元ＮＡＮＤデバイスの製造工程におけるタングステンのエッチング処理において、面内均一性を充分に向上させることができる。とくに、基板Ｗの主面に、ライン状のトレンチが互いに直交して延びており、そのトレンチにタングステンが埋設された基板Ｗを用いた場合において、羽根部材４０の回転によって形成される液流によって、互いに直交するトレンチ内のタングステンのエッチングの均一性を良好に向上させることができる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、図９に示すように、処理ユニット２は、第１バー状部材３０Ａを回転軸線Ａ１まわりに回転させる回転アクチュエータ１００と、回転アクチュエータ１００の第１バー状部材３０Ａの回転変位（回転量ともいう。）を検出する回転変位センサ１０１とを含んでいてもよい。回転アクチュエータ１００は、たとえば、電動モータであり、回転変位センサ１０１は、たとえば、エンコーダである。回転変位センサ１０１は、回転アクチュエータ１００の回転変位を検出することで第１バー状部材３０Ａの回転変位を算出してもよいし、第１バー状部材３０Ａの回転変位を直接検出してもよい。

コントローラ３は、回転変位センサ１０１の検出結果に基づいて回転アクチュエータ１００を制御する（図５を参照）。回転アクチュエータ１００が設けられている場合であっても、同様のエッチング処理が可能である。
エッチング処理において、１バッチの基板Ｗが一対のバー状部材３０に渡された後、回転アクチュエータ１００が第１バー状部材３０Ａを回転させる。これにより、中心軸線Ａ２まわりの基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程：図７のステップＳ１３）。回転アクチュエータ１００は、基板Ｗを１８０°回転させるために必要な回転変位（必要回転変位）だけ、第１バー状部材３０Ａを回転させる。第１バー状部材３０Ａが１回転よりも多く回転する場合、必要回転変位が３６０°を超える。そして、第１バー状部材３０Ａの回転変位が必要回転変位となるタイミングで、第１バー状部材３０Ａの回転が停止される。これにより、基板Ｗの回転が停止される（回転停止工程）。

回転アクチュエータ１００によって第１バー状部材３０Ａの回転変位を調整して、一対のバー状部材３０に保持されている基板Ｗを基板中心軸線Ａ３まわりに１８０°回転させれば、基板Ｗの主面において、リフタ６０が下降する際に最も早いタイミングでエッチング液に浸漬された部分が、リフタ６０が上昇する際に最も早いタイミングでエッチング液から取り出される。したがって、基板Ｗの主面の各位置におけるエッチング液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。

回転アクチュエータ１００によって第１バー状部材３０Ａの回転を駆動することで、第１バー状部材３０Ａを精度良く回転させることができる。また、この構成では、一対のバー状部材３０がリフタ６０とともに昇降しない。そのため、回転アクチュエータ１００の回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板Ｗを回転させるための構成を簡素化することができる。

回転アクチュエータ１００が設けられている場合、羽根部材４０を省略することが可能である。回転変位センサ１０１が設けられている場合、周縁検出センサ９０および基板Ｗの切り欠きＷ１，Ｗ２を省略することが可能である。
回転アクチュエータ１００を用いて基板Ｗを回転させる場合であっても、周縁検出センサ９０を用いて基板Ｗの回転を停止させることが可能である。この場合、周縁検出センサ９０が切り欠きＷ２を検出した時点で回転アクチュエータ１００が停止されれば、基板Ｗが１８０°回転した時点で、基板Ｗの回転を停止させることができる。

同様に、羽根部材４０を用いて基板Ｗを回転させる場合であっても、回転変位センサ１０１を用いて基板Ｗの回転を停止させることが可能である。この場合、第１バー状部材３０Ａが必要回転量だけ回転した時点で吐出部材５０からのエッチング液の吐出が停止されれば、基板Ｗが１８０°回転した時点で、基板Ｗの回転を停止させることができる。
また、羽根部材４０は、各バー状部材３０に設けられていてもよい。この場合、第１バー状部材３０Ａに設けられた羽根部材４０と第２バー状部材３０Ｂに設けられた羽根部材４０が同じ方向に回転するように、第２薬液処理槽６内のエッチング液に液流を発生させる必要がある。同様に、回転アクチュエータ１００を各バー状部材３０に設けることも可能である。また、羽根部材４０を一定の方向に回転させる液流を形成できるのであれば、吐出口５１が羽根部材４０に対向している必要はなく、全ての吐出口５１が羽根部材４０に対向していない構成であってもよい。たとえば、第２薬液処理槽６内において吐出口５１は、内槽２０の底壁２０ａに対向していてもよいし、内槽２０の側壁２０ｂに対向していてもよい。

図２に示す例とは異なり、一対の処理液配管５２に一対のバルブがそれぞれ介装されており、エッチング液の吐出が吐出部材５０毎に制御されてもよい。
切り欠きＷ２が基板Ｗの下端部に位置するように基板Ｗをリフタ６０の複数の支持部６１に載置することができれば、切り欠きＷ１は不要である。すなわち、基板Ｗの周縁部には、必ずしも切り欠きを２つ設ける必要はない。

また、基板Ｗが第２薬液処理槽６内で１８０°回転できれば、基板Ｗの回転前後において切り欠きＷ１，Ｗ２が上端部および下端部に位置している必要はなく、切り欠きＷ１，Ｗ２は、センサによって検出可能な位置に位置していればよい。
また、基板Ｗは、エッチング処理（図６のステップＳ３）において、第２薬液処理槽６内において必ずしも１８０°回転する必要はない。たとえば、基板Ｗの回転変位が９０°よりも大きく２７０°よりも小さい所定角度（所定変位）であれば、基板Ｗの処理むらを効果的に抑制できる。ただし、基板Ｗの回転変位は、１８０°に近いほど処理むらの低減効果は高く、基板Ｗの回転変位は、１５０°以上２１０°以下であることが好ましく、１８０°であることが一層好ましい。

また、周縁検出センサ９０によって検出される被検出部は、切り欠きＷ１，Ｗ２に限られない。被検出部は、光の反射強度が基板Ｗの周縁部のその他の部分と異なっていれば、基板Ｗの周縁部に形成された構造物であってもよい。
一対のバー状部材３０は、必ずしも鉛直姿勢で基板Ｗを保持する必要はなく、基板Ｗの主面が鉛直方向に対して僅かに傾斜していてもよい。すなわち、処理姿勢は、鉛直姿勢に限られない。

また、上述の実施形態では、バー状部材３０が２つ設けられている。しかしながら、バー状部材３０の数は２つに限られず、３つ以上設けられていてもよい。ただし、複数のバー状部材３０は、中心軸線Ａ２まわりの周方向ＣＤに間隔を空けて配置されていることが好ましく、リフタ６０が、複数のバー状部材３０と干渉することなく昇降できることが好ましい。

また、上述の実施形態では、第２副搬送ロボット１２Ｂによって、リフタ６０をスライド移動させる。しかしながら、単一の処理槽に対して複数枚の基板Ｗを搬送するロボットが基板処理装置１に備えられている場合には、当該ロボットに備えられるリフタ６０はスライド移動不能であってもよい。
また、上述の実施形態に係る基板処理とは異なり、第１薬液処理（図６のステップＳ１）および第１リンス処理（図６のステップＳ２）を省略することも可能である。

また、上述の実施形態では、エッチング処理中において、基板Ｗを回転させる際にのみ処理液バルブ５４が開かれる。しかしながら、処理液バルブ５４が常時開かれていて、流量調整バルブ５５によってエッチング液の流量を調整することによって、基板Ｗの回転の開始および停止が制御されてもよい。
また、上述の実施形態では、基板処理装置１が、ロードポートＬＰと、複数の搬送ロボットと、処理ユニット２と、コントローラ３とを含んでいる。しかしながら、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、複数の搬送ロボットやロードポートＬＰを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

なお、上述の実施形態では、「水平」、「鉛直」といった表現を用いているが、厳密に「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット（基板処理装置）
３ ：コントローラ
４ ：第１薬液処理槽
５ ：第１リンス処理槽
６ ：第２薬液処理槽
７ ：第２リンス処理槽
３０ ：バー状部材
３０Ａ ：第１バー状部材
３０Ｂ ：第２バー状部材
３１ ：収容溝
４０ ：羽根部材
５０ ：吐出部材
６０ ：リフタ（昇降部材）
９０ ：周縁検出センサ
１００ ：回転アクチュエータ
１０１ ：回転変位センサ
Ａ１ ：回転軸線
Ａ２ ：中心軸線
Ａ３ ：基板中心軸線（基板の中心軸線）
ＣＤ ：周方向
ＥＤ ：延長方向
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：切り欠き（被検出部）
Ｗ２ ：切り欠き（被検出部）

Claims (15)

1. 基板を処理する処理液を貯留する処理槽と、
   鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材であって、前記処理槽内において、前記バー状部材の延長方向に基板の主面が向く処理姿勢で前記基板を保持する複数のバー状部材と、
   姿勢が前記処理姿勢である基板を支持し複数の前記バー状部材に対して昇降する昇降部材であって、下降する際に複数の前記バー状部材に前記基板を渡し、上昇する際に複数の前記バー状部材から前記基板を受け取る昇降部材とを含み、
   複数の前記バー状部材は、前記延長方向に沿って延びる複数の回転軸線をそれぞれ有し、
   各前記バー状部材が、対応する前記回転軸線のまわりに回転することによって複数の前記バー状部材に保持されている前記基板の回転を駆動する、基板処理装置。
2. 複数の前記バー状部材が、前記回転軸線と平行に延びる所定の中心軸線まわりの周方向に間隔を空けて配置され、
   各前記バー状部材が、前記処理姿勢の前記基板の周縁部を収容する収容溝を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 各前記バー状部材は、前記収容溝を複数有し、
   複数の前記収容溝は、前記延長方向に等間隔で設けられている、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 複数の前記バー状部材が、互いに間隔を空けて配置された第１バー状部材および第２バー状部材を含み、
   前記昇降部材が、前記第１バー状部材および前記第２バー状部材の間を通って昇降する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材と、
   前記処理槽内に処理液を吐出する吐出部材とをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記吐出部材から吐出される処理液の流量を制御することによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記バー状部材を対応する前記回転軸線まわりに回転させる回転アクチュエータをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記回転アクチュエータを制御して複数の前記バー状部材を回転させることによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 基板の周縁部に設けられた被検出部を検出する周縁検出センサをさらに含む、請求項５～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記バー状部材の回転変位を検出する回転変位センサをさらに含む、請求項５～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 処理液を貯留する処理槽内で鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材の延長方向に主面を向ける処理姿勢の基板を支持する昇降部材を下降させることによって、前記処理槽内の処理液への基板の浸漬を開始する浸漬開始工程と、
    前記浸漬開始工程後に前記昇降部材をさらに下降させることによって、前記処理槽内において、前記昇降部材から複数の前記バー状部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡され、前記処理姿勢の前記基板が複数の前記バー状部材に保持される第１受渡工程と、
    複数の前記バー状部材の内部をそれぞれ通り前記延長方向に延びる複数の回転軸線のまわりに複数の前記バー状部材をそれぞれ回転させることによって、前記処理姿勢の前記基板を当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させる基板回転工程と、
    前記基板回転工程の後に前記昇降部材を上昇させることによって、複数の前記バー状部材から前記昇降部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡される第２受渡工程と、
    前記第２受渡工程の後に前記昇降部材をさらに上昇させることによって、前記処理槽内の処理液への前記基板の浸漬を終了する浸漬終了工程とを含む、基板処理方法。
12. 前記基板回転工程が、前記処理槽内に吐出部材から処理液を吐出することによって、前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材を回転させる工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記基板回転工程が、回転アクチュエータが前記バー状部材を前記回転軸線まわりに回転させる工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
14. 前記基板の周方向に設けられた被検出部が所定位置に位置することを周縁検出センサが検出したタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
15. 前記バー状部材の回転変位が所定の回転変位となるタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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