JP2001100420A5

JP2001100420A5 -

Info

Publication number: JP2001100420A5
Application number: JP1999277016A
Authority: JP
Filing date: 1999-09-29
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2019-09-29

Claims

少なくとも下記一般式（Ｉ）で示される構造単位を含有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

式（Ｉ）中、Ｌは−Ａ−ＯＣＯ−、−Ａ−ＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ａ−ＣＯＮＨ−、−Ａ−ＯＣＯＮＨ−及び−Ａ−Ｓ−から選択される少なくとも１つの２価の連結基を表す。Ａは単結合又はアリーレン基を表す。Ｘは２価の連結基を表す。Ｑは水素原子または酸分解性基を表すが、一般式（Ｉ）を含むポリシロキサン中で全てのＱが水素原子になることはない。ｎは１〜６の整数を表す。
一般式（Ｉ）で示される構造単位において、Ｘが芳香環基又は脂環基であることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォトレジスト組成物。
少なくとも請求項１記載の一般式（Ｉ）で示される構造単位と、下記一般式（II）で示される構造単位の両方を含有する酸分解性ポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

式（II）中、Ｌは−Ａ−ＯＣＯ−、−Ａ−ＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ａ−ＣＯＮＨ−、−Ａ−ＯＣＯＮＨ−及び−Ａ−Ｓ−
から選択される少なくとも１つの２価の連結基を表す。Ａは単結合又はアリーレン基を表す。Ｘは２価の連結基を表す。Ｚは、

Ｒは水素原子または酸で分解する基を表す。Ｙは水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌは１〜３の整数を、ｍは１〜３の整数を、ｎは１〜６の整数を表す。
（ａ）請求項１〜３のいずれかに記載の酸分解性ポリシロキサン、及び
（ｂ）露光により分解して酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
さらに、（ｃ）分子内に含まれるフェノール性水酸基が、酸により分解する基で部分的もしくは完全に保護されたフェノール性化合物、又は分子内に含まれるカルボキシル基が、酸により分解する基で部分的もしくは完全に保護された芳香族もしくは脂肪族カルボン酸化合物を含有することを特徴とする請求項４記載のポジ型フォトレジスト組成物。
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。