JP2001094235A

JP2001094235A - 回路形成方法

Info

Publication number: JP2001094235A
Application number: JP26641299A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Sato; 弘章佐藤; Shinji Kanda; 真治神田
Original assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd; Fuji Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd; Fuji Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-09-21
Filing date: 1999-09-21
Publication date: 2001-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】作業性、金属膜の均一性に優れた回路形成方
法を提供すること。【解決方法】基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
露光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に
高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、金属膜を形成した
後、硬化レジストを剥離する回路形成方法、基板上に感
光性樹脂組成物層を積層し、露光、現像により形成され
たレジストパターンの凹部に高圧ガスにて金属粉体を吹
き付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離し、
該レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後金属膜
を剥離する回路形成方法、基板上に感光性樹脂組成物層
を積層し、露光、現像により形成されたレジストパター
ンの凹部に金属めっきを施した後、高圧ガスにて金属粉
体を吹き付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥
離し、該レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後
金属膜を剥離する回路形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導通回路を形成す
る新規な方法に関し、更に詳しくは作業性、金属膜の均
一性に優れた方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板への導通回路の形成に際して
は、金属イオンを含む電解液中にパラジウム等の還元
剤を触媒を用いてめっき被膜を置換形成する無電解めっ
き法、金属イオンを含む電解液中に基板を浸漬し、陰
極として用い、電解をかけることにより金属イオンを析
出させる電解めっき法、ＩＴＯ膜等のように蒸着法又
はスパッタ法にて付着させる方法、等が用いられる。

【０００３】実際には、基板上に感光性樹脂組成物から
なるレジストパターンを形成した後、該レジストパター
ンの凹部に上記〜のいずれかの方法により、金属膜
を形成し、該レジストを剥離除去して回路形成を行う。
必要に応じて、該レジストを剥離除去した後、該剥離部
分の基板をエッチング加工して回路形成を行うのであ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
無電解めっき法や電解めっき法においては、基板を強
アルカリ又は強酸性液に浸漬する必要がある上に、めっ
き液の管理が非常に困難であったり、めっき時間が５〜
２０分間と長く作業性が劣ったり、基板の中央部と端部
等でめっきによる金属膜厚にムラが生じたり、更に洗浄
液や廃液等による環境問題がある等、種々の問題点があ
るのが現状である。

【０００５】又、上記蒸着法又はスパッタ法において
は、真空引きするのに長時間を要したり、真空条件下で
１００℃以上の温度を要したり、めっき加工面積が装置
の大きさに左右され、加工面積を大きくするには大型の
装置を要したりする等、問題点の残るものである。

【０００６】そこで、本発明ではこのような背景下にお
いて、上記のような問題の生じない、即ち、めっき液の
管理等を必要とせず、作業性に優れ、かつ、形成される
金属膜の均一性に優れた回路形成方法を提供することを
目的とするものである。更に、本発明では、プラスチッ
クやセラミック等の導通を得にくい基板に対しても回路
形成することができ、又、大型基板に対しても金属膜の
均一な導通回路を容易に形成することができる方法であ
る。

【０００７】

【問題を解決するための手段】しかるに、本発明者等
は、かかる事情に鑑み鋭意研究をした結果、基板上に感
光性樹脂組成物層を積層し、露光、現像により形成され
たレジストパターンの凹部に風速１００ｍ／分以上又は
圧力０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を
吹き付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離す
る回路形成方法、又は、基板上に感光性樹脂組成物層を
積層し、露光、現像により形成されたレジストパターン
の凹部に風速１００ｍ／分以上又は圧力０．５ｋｇ／ｃ
ｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、金属膜を
形成した後、硬化レジストを剥離し、該レジスト剥離部
分のエッチングを行い、その後金属膜を剥離する回路形
成方法、更には基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
露光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に
金属めっきを施した後、風速１００ｍ／分以上又は圧力
０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き
付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離し、該
レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後金属膜を
剥離する回路形成方法が上記目的に合致することを見出
し、本発明を完成するに至った。

【０００８】本発明では、感光性樹脂組成物として、カ
ルボキシル基含有アクリルウレタン系樹脂及び光重合開
始剤からなる感光性樹脂組成物を用いることが安定なパ
ターン形成を行う点で好ましい。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明は、従来のめっき法と異なり、金属粉体を吹き付
けることが最大の特徴で、（１）基板上に感光性樹脂組
成物層を積層し、露光、現像により形成されたレジスト
パターンの凹部に風速１００ｍ／分以上又は圧力０．５
ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、
金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離する回路形成
方法、あるいは（２）基板上に感光性樹脂組成物層を積
層し、露光、現像により形成されたレジストパターンの
凹部に風速１００ｍ／分以上又は圧力０．５ｋｇ／ｃｍ
²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、金属膜を形
成した後、硬化レジストを剥離し、該レジスト剥離部分
のエッチングを行い、その後金属膜を剥離する回路形成
方法、更には基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、露
光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に金
属めっきを施した後、風速１００ｍ／分以上又は圧力
０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き
付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離し、該
レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後金属膜を
剥離する回路形成方法が挙げられる。

【００１０】本発明で用いられる感光性樹脂組成物とし
ては、特に限定されず、カルボキシル基含有アクリル系
樹脂（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）及び光重合
開始剤（Ｃ）からなる感光性樹脂組成物（Ｉ）、カルボ
キシル基含有アクリルウレタン系樹脂（Ｄ）及び光重合
開始剤（Ｅ）、必要に応じてカルボキシル基含有アクリ
ル系樹脂（Ｆ）やエチレン性不飽和化合物（Ｇ）からな
る感光性樹脂組成物（ＩＩ）等が挙げられる。以下、感
光性樹脂組成物（Ｉ）及び感光性樹脂組成物（ＩＩ）に
ついて詳述する。但し、これに限定されるものではな
い。

【００１１】［感光性樹脂組成物（Ｉ）］カルボキシル
基含有アクリル系樹脂（Ａ）としては、（メタ）アクリ
レートを主成分とし、これにエチレン性不飽和カルボン
酸を共重合したアクリル系共重合体が好適に用いられる
が、必要に応じ、他の共重合可能なモノマーを共重合し
たアクリル系共重合体とすることも可能である。この場
合の各成分の含有量は（メタ）アクリレート成分が７０
〜８５重量％、好ましくは７５〜８２重量％、エチレン
性不飽和カルボン酸成分が１５〜３０重量％、好ましく
は１８〜２５重量％、他の共重合可能なモノマー成分が
０〜１５重量％である。

【００１２】ここで（メタ）アクリレートとしては、メ
チル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレー
ト、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）ア
クリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチ
ルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メ
タ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジ
メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メ
タ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等
が例示される。

【００１３】エチレン性不飽和カルボン酸としては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカ
ルボン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フ
マール酸、イタコン酸等のジカルボン酸、あるいはそれ
らの無水物やハーフエステルも用いることができる。こ
れらの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好まし
い。

【００１４】他の共重合可能なモノマーとしては、例え
ばテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、（メ
タ）アクリルジメチルアミノエチルエステル、ジエチル
アミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジルメタク
リレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）ア
クリレート、（メタ）アクリルアミド、２，２，３，３
−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレートアクリ
ルアミド、ジアセトンアクリルアミド、スチレン、α−
メチルスチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、アルキ
ルビニルエーテル、（メタ）アクリロニトリル等が挙げ
られる。

【００１５】かくして得られるカルボキシル基含有アク
リル系樹脂（Ａ）には、上記以外に、ポリエステル樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂
等を併用することもできる。

【００１６】又、該カルボキシル基含有アクリル系樹脂
（Ａ）の重量平均分子量は１０，０００〜３００，００
０、好ましくは１０，０００〜１５０，０００、更に好
ましくは３０，０００〜１００，０００の範囲のものが
好ましく、分子量が小さいとコールドフローを起こし易
く、逆に大きいと現像されにくく、解像度の低下を招い
たり、レジスト剥離時の剥離性に劣ることとなる。

【００１７】エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として、エ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレング
リコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）
アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アク
リレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アク
リレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリス
リトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペ
ンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−アクリ
ロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−（メタ）アクリロキポリエトキシフェニル）プロ
パン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキ
シプロピルアクリレート、エチレングリコールジグリシ
ジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリ
コールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、
１，６−ヘキサメチルジグリシジルエーテルジ（メタ）
アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジル
エーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ
ジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル
酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリ
セリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレー
ト、更にはポリエチレングリコールやポリプロピレング
リコール等のジオール成分とヘキサメチレンジイソシア
ネート、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソ
シアネート等のポリイソシアネート成分とを１：２のモ
ル比で反応させた後エチレン性不飽和基含有ヒドロキシ
化合物を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレ
ート等の多官能モノマー等が用いられる。

【００１８】これらの多官能モノマーと共に単官能モノ
マーを適当量併用することもでき、そのような単官能モ
ノマーの例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２
−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリ
レート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロ
キシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メ
タ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエ
チルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ
（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリ
ルアミド等が挙げられる。

【００１９】上記エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合
割合は、カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ａ）と該
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の総重量に対して５〜９
０重量％、好ましくは２０〜８０重量％、特に好ましく
は２５〜５０重量％である。エチレン性不飽和化合物
（Ｂ）の過少は、硬化不良、可塑性の低下、現像速度の
遅延を招き、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は、
粘着性の増大、コールドフロー、硬化レジストの剥離速
度低下を招き好ましくない。

【００２０】光重合開始剤（Ｃ）としては、特に限定さ
れず、ロフィン二量体、ｐ−アミノフェニルケトン、Ｎ
−アリール−α−アミノ酸系化合物、ベンゾイン、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベ
ンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチル
エーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ジベンジル、
ジアセチル、アントラキノン、２−エチルアントラキノ
ン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、アクタメチ
ルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、
２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラ
キノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロ
ロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メ
チルアントラキノン、１，４−ジメチルアントラキノ
ン、２，３−ジメチルアントラキノン、３−クロロ−２
−メチルアントラキノン、９，１０−フェナントラキノ
ン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサン
トン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，２−ジエ
トキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェ
ニルアセトフェノン、２，２−ジクロロ−４−フェノキ
シアセトフェノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒ
ドロキシイソブチルフェノン、ジベゾスパロン、１−
（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−プロパノン、２−メチル−［４−（メチル
チオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノ
ン、トリブロモフェニルスルホン、トリブロモメチルフ
ェニルスルホン等が挙げられ、これらは単独又は２種以
上併用して用いられる。

【００２１】上記ロフィン二量体としては、ヘキサアリ
ールビイミダゾール類が好ましく、例えば、２，２’−
ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テ
トラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−
ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テ
トラフェニル−１，１’−ビイミダゾール、２，２’−
ビス（ｏ−フルオロフェニル）−４，５，４’，５’−
テトラフェニル−１，１’−ビイミダゾール、２，２’
−ビス（ｏ−メトキシフェニル）−４，５，４’，５’
−テトラフェニル−１，１’−ビイミダゾール、２，
２’−ビス（ｐ−メトキシフェニル）−４，５，４’，
５’−テトラフェニル−１，１’−ビイミダゾール、
２，４，２’，４’−ビス［ビ（ｐ−メトキシフェニ
ル）］−５，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミダゾ
ール、２，２’−ビス（２，４−ジメトキシフェニル）
−４，５，４’，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミ
ダゾール、２，２’−ビス（ｐ−メチルチオフェニル）
−４，５，４’，５’−ジフェニル−１，１’−ビイミ
ダゾール、ビス（２，４，５−トリフェニル）−１，
１’−ビイミダゾール、更には１，２’−、１，４’
−、２，４’−で共有結合している互変異性体を用いる
こともできる。中でも２，２’−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，
２’−ビイミダゾールが好適に用いられる。

【００２２】かかるロフィン二量体の含有量としては、
カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ａ）とエチレン性
不飽和化合物（Ｂ）の合計量１００重量部に対して１〜
１０重量部であることが好ましく、特に好ましくは１〜
７重量部、更に好ましくは２〜６重量部である。該含有
量が１重量部未満ではレジストの硬化不足や感度の低下
を招くことになり、１０重量部を越えると保存安定性が
低下して好ましくない。

【００２３】又上記ｐ−アミノフェニルケトンとして
は、例えば、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ブチルア
ミノフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ
−ジエチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−ビス（ジ
メチルアミノ）ベンゾフェノン［ミヒラーズケトン］、
ｐ，ｐ′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、
ｐ，ｐ′−ビス（ジブチルアミノ）ベンゾフェノン等が
挙げられ、中でもｐ，ｐ′−ビス（ジエチルアミノ）ベ
ンゾフェノンが特に好ましい。

【００２４】又、上記Ｎ−アリール−α−アミノ酸系化
合物としては、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルグリシン、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルグリシ
ン、Ｎ−（ｎ−プロピル）−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ
−（ｎ−ブチル）−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−（２−
メトキシエチル）−Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアラニン、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルア
ラニン、Ｎ−（ｎ−プロピル）−Ｎ−フェニルアラニ
ン、Ｎ−（ｎ−ブチル）−Ｎ−フェニルアラニン、Ｎ−
メチル−Ｎ−フェニルバリン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルロイシン、Ｎ−メチル−Ｎ−（ｐ−トリル）グリシ
ン、Ｎ−エチル−Ｎ−（ｐ−トリル）グリシン、Ｎ−
（ｎ−プロピル）−Ｎ−（ｐ−トリル）グリシン、Ｎ−
（ｎ−ブチル）−Ｎ−（ｐ−トリル）グリシン、Ｎ−メ
チル−Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシン、Ｎ−エチ
ル−Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシン、Ｎ−（ｎ−
プロピル）−Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシン、Ｎ
−メチル−Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グリシン、Ｎ−
エチル−Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グリシン、Ｎ−
（ｎ−ブチル）−Ｎ−（ｐ−ブロモフェニル）グリシ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニルグリシン、Ｎ−メチル−Ｎ−
（ｐ−ヨードフェニル）グリシン、Ｎ−（ｐ−ブロモフ
ェニル）グリシン、Ｎ−（ｐ−クロロフェニル）グリシ
ン、Ｎ−（ｏ−クロロフェニル）グリシン等が挙げられ
る。

【００２５】光重合開始剤（Ｃ）の含有量としては、カ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ａ）とエチレン性不
飽和化合物（Ｂ）の合計量１００重量部に対して、０．
１〜２０重量部であることが好ましく、特に好ましくは
０．２〜１２重量部である。かかる含有量が０．１重量
部未満では低感度となり作業性の低下を招き、２０重量
部を越えるとドライフィルムレジストとしての保存安定
性が悪くなり好ましくない。

【００２６】更に、カルボキシル基含有アクリル系樹脂
（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）及び光重合開始
剤（Ｃ）の他に、ロイコ化合物を含有することが好まし
く、ロイコ化合物としては、例えば、トリス（４−ジメ
チルアミノフェニル）メタン［ロイコクリスタルバイオ
レット］、トリス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
ェニル）メタン、ロイコマラカイトグリーン、ロイコア
ニリン、ロイコメチルバイオレット等が挙げられる。中
でも、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン
［ロイコクリスタルバイオレット］が好適に用いられ
る。

【００２７】かかるロイコ化合物の含有量は、カルボキ
シル基含有アクリル系樹脂（Ａ）とエチレン性不飽和化
合物（Ｂ）の合計量１００重量部に対して、０．０１〜
５重量部であることが好ましく、更には０．０５〜３重
量部、特には０．１〜１重量部であることが好ましい。

【００２８】又必要に応じて、その他の添加剤として、
熱重合禁止剤、可塑剤、染料（色素（ロイコ化合物を除
く）、変色剤）、酸化防止剤、溶剤、表面張力改質剤、
安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤、等の添加剤を適
宜添加することができる。

【００２９】例えば、熱重合禁止剤は感光性樹脂組成物
の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加す
るもので、ｐ−メトキシフェノール、ヒドロキノン、ｔ
−ブチルカテコール、ピロガロール、２−ヒドロキシベ
ンゾフェノン、４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフ
ェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナ
フチルアミン、β−ナフトール、２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール、ニトロベンゼン、ピクリン酸、ｐ
−トルイジン等が挙げられる。

【００３０】可塑剤は膜物性をコントロールするために
添加するもので、例えばジブチルフタレート、ジヘプチ
ルフタレート、ジオクチルフタレート、ジアリルフタレ
ート等のフタル酸エステル類；トリエチレングリコール
ジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート
等のグリコールエステル類；トリクレジルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類；
ｐ−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミ
ド、Ｎ−ｎ−ブチルアセトアミド等のアミド類；ジイソ
ブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセ
バケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等
の脂肪族二塩基酸エステル類；クエン酸トリエチル、ク
エン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、
ラウリン酸ブチル、４，５−ジエポキシシクロヘキサン
−１，２−ジカルボン酸ジオクチル、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類等
が挙げられる。

【００３１】色素としては上記ロイコ化合物以外に、例
えば、ブリリアントグリーン、エオシン、エチルバイオ
レット、エリスロシンＢ、メチルグリーン、クリスタル
バイオレット、ベイシックフクシン、フェノールフタレ
イン、１，３−ジフェニルトリアジン、アリザリンレッ
ドＳ、チモールフタレイン、メチルバイオレット２Ｂ、
キナルジンレッド、ローズベンガル、メタニルイエロ
ー、チモールスルホフタレイン、キシレノールブルー、
メチルオレンジ、オレンジ４、ジフェニルチオカルバゾ
ン、２，７−ジクロロフルオレセイン、パラメチルレッ
ド、コンゴーレッド、ベンゾプルプリン４Ｂ、α−ナフ
チルレッド、ナイルブルーＡ、フェナセタリン、メチル
バイオレット、マラカイトグリーン、パラフクシン、オ
イルブルー＃６０３［オリエント化学工業（株）製］、
ビクトリアピュアブルーＢＯＨ、スピロンブルーＧＮ
［保土ケ谷化学工業（株）製］、ローダミン６Ｇ等が挙
げられる。

【００３２】変色剤は、露光により可視像を与えること
ができるように感光性樹脂組成物中に添加され、具体例
として前記色素の他にジフェニルアミン、ジベンジルア
ニリン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン、ジフ
ェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−トルイジン、
４，４′−ビフェニルジアミン、ｏ−クロロアニリン等
が挙げられる。

【００３３】密着促進剤としては、例えばベンズイミダ
ゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキソゾール、ベン
ズトリアゾール、２−メルカプトベンズチアゾール、２
−メルカプトベンズイミダゾール等が挙げられる。

【００３４】［感光性樹脂組成物（ＩＩ）］カルボキシ
ル基含有アクリルウレタン系樹脂（Ｄ）としては、カル
ボキシル基を含有するアクリルウレタン系樹脂であれば
特に限定されないが、カルボキシル基含有ジオール化合
物とジイソシアネート化合物を１：２のモル比で反応さ
せて得られる化合物に、高分子ポリオールを付加させ、
更にヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートを付加さ
せて得られるものが好ましい。

【００３５】カルボキシル基含有ジオール化合物として
は、分子量５００以下のカルボキシル基含有ジオール化
合物が好ましく、具体的には２，２−ビス（ヒドロキシ
メチル）酪酸、酒石酸、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，２−ビス（ヒ
ドロキシメチル）プロピオン酸、２，２−ビス（ヒドロ
キシエチル）プロピオン酸、２，２−ビス（ヒドロキシ
プロピル）プロピオン酸、ジヒドロキシメチル酢酸、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）酢酸、４，４−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ペンタン酸、ホモゲンチジン酸
等が挙げられ、好適には２，２−ビス（ヒドロキシメチ
ル）酪酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオ
ン酸、２，２−ビス（ヒドロキシエチル）プロピオン
酸、２，２−ビス（ヒドロキシプロピル）プロピオン酸
が用いられる。

【００３６】ジイソシアネート化合物としては、分子量
５００以下、好ましくは分子量３００以下のジイソシア
ネート化合物が好ましく、具体的にはヘキサメチレンジ
イソシアネート、ヘプタメチレンジイソシアネート、
２，２−ジメチルペンタン−１，５−ジイソシアネー
ト、オクタメチレンジイソシアネート、２，５−ジメチ
ルヘキサン−１，６−ジイソシアネート、２，２，４−
トリメチルペンタン−１，５−ジイソシアネート、ノナ
メチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘ
キサンジイソシアネート、デカメチレンジイソシアネー
ト、ウンデカメチレンジイソシアネート、ドデカンメチ
レンジイソシアネート、トリデカメチレンジイソシアネ
ート、ペンタデカメチレンジイソシアネート、ブテンジ
イソシアネート、１，３−ブタジエン−１，４−ジイソ
シアネート、２−ブチニレンジイソシアネート、２，４
−トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネ
ート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−
キシリレンジイソシアネート等が挙げられ、好適にはヘ
キサメチレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイ
ソシアネート、イソホロンジイソシアネートが用いられ
る。

【００３７】かかるカルボキシル基含有ジオール化合物
とジイソシアネート化合物を反応させるに当たっては、
公知の反応手段を用いることができ、例えばジイソシア
ネートに安定な溶媒（酢酸エチル等）中で該溶媒の還流
以下の温度で反応させればよい。但し、上記の如くカル
ボキシル基含有ジオール化合物とジイソシアネート化合
物の反応モル比を理論値として１：２にすること（実際
の仕込みに当たっては数％程度の誤差は許容される）が
好ましく、かかる条件を逸脱すると両末端にイソシアネ
ートを付加することができず、後述するエチレン性不飽
和基の導入が困難となり好ましくない。

【００３８】高分子ポリオールとしては、具体的にはポ
リエーテル系ポリオール、ポリエステル系ポリオール、
ポリカーボネート系ポリオール、アクリル系ポリオー
ル、ポリブタジエン系ポリオール、ポリオレフィン系ポ
リオール等が挙げられ、中でも分子量５００以上のも
の、好ましくは分子量５００〜４，０００のものが好ま
しく用いられる。

【００３９】カルボキシル基含有ジオール化合物とジイ
ソシアネート化合物の反応生成物に高分子ポリオールを
反応させる方法については、公知の方法が採用でき、ジ
オール化合物とジイソシアネート化合物の反応生成物溶
液中に高分子ポリオールを添加し、還流以下の温度で反
応させればよい。反応促進のためにジブチルチンラウレ
ート等の公知の触媒を添加することもできる。

【００４０】又、アクリル系ポリマーとの相溶性の向上
の点で、高分子ポリオールの代わりに、分子量５００未
満のポリオール、例えばエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ブタンジオール、ジエチレングリコー
ル、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコー
ル、ジプロピレングリコール、ネオペンチルグリコー
ル、１，３−ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジ
オール、２−ブテン−１，４−ジオール、２，２，４−
トリメチル−１，３−ペンタンジオール、１，４−ビス
−β−ヒドロキシエトキシシクロヘキサン、シクロヘキ
サンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、水
添ビスフェノールＡ、水添ビスフェノールＦ、水添ビス
フェノールＳ、パラキシリレングリコール等のカルボキ
シル基を有さないジオール化合物を反応させることもで
きる。

【００４１】ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレート
化合物としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリ
レート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−
（メタ）アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロ
ピルフタレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、
２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピル（メ
タ）アクリレート等が挙げられ、好適には２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピ
ル（メタ）アクリレートが用いられる。

【００４２】かくして得られるカルボキシル基含有アク
リルウレタン系樹脂（Ｄ）の酸価は、１０〜１１０ｍｇ
ＫＯＨ／ｇであることが好ましく、より好ましくは１０
〜９０ｍｇＫＯＨ／ｇ、特に好ましくは２０〜７０ｍｇ
ＫＯＨ／ｇである。かかる酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ未
満では充分な現像性が得られず、解像性の低下となり、
１１０ｍｇＫＯＨ／ｇを越えると充分な耐ブラスト性が
得られず好ましくない。

【００４３】更に、カルボキシル基含有アクリルウレタ
ン系樹脂（Ｄ）の平均分子量は、スチレン換算で５，０
００〜１００，０００であることが好ましく、より好ま
しくは１０，０００〜８０，０００、特に好ましくは１
０，０００〜５０，０００である。かかる平均分子量が
５，０００未満ではドライフィルムレジスト化した際の
流動性が大きくなりコールドフローが発生しやすくな
り、１００，０００を越えると現像性の低下による解像
性の低下を招き好ましくない。

【００４４】光重合開始剤（Ｅ）としては、上記の如き
光重合開始剤（Ｃ）と同様のものが用いられる。又、カ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ｆ）も上記に記載の
カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ａ）と同様のもの
が用いられ、エチレン性不飽和化合物（Ｇ）も上記に記
載のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）と同様の単官能モノ
マー、２官能モノマー、３官能以上のモノマーが用いら
れる。

【００４５】該光重合開始剤（Ｅ）の含有量は、カルボ
キシル基含有アクリルウレタン系樹脂（Ｄ）１００重量
部、カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ｆ）を併用す
る場合はカルボキシル基含有アクリルウレタン系樹脂
（Ｄ）とカルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ｆ）の合
計量１００重量部に対して、０．１〜２０重量部である
ことが好ましく、より好ましくは０．１〜１０重量部、
特には０．５〜１０重量部である。かかる含有量が０．
１重量部未満では添加効果が得られず、２０重量部を越
えると保存安定性が低下して好ましくない。

【００４６】カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ｆ）
の含有量は、カルボキシル基含有アクリルウレタン系樹
脂（Ｄ）１００重量部に対して、０〜２０重量部とする
ことが好ましく、含有量が２０重量部を越えると硬化レ
ジストが硬くなり過ぎ金属粉体の吹き付けにおいて耐性
の低下を招くことになり好ましくない。エチレン性不飽
和化合物（Ｇ）の含有量は、カルボキシル基含有アクリ
ルウレタン系樹脂（Ｄ）１００重量部に対して、０〜２
０重量部であることが好ましく、更には０〜１０重量部
であることが好ましい。

【００４７】更に、カルボキシル基含有アクリルウレタ
ン系樹脂（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）、必要に応じてカ
ルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ｆ）やエチレン性不
飽和化合物（Ｇ）の他に、上記のロイコ化合物を含有す
ることが好ましい。

【００４８】更に、必要に応じて、その他の添加剤とし
て、上記と同様、熱重合禁止剤、可塑剤、染料（色素
（ロイコ化合物を除く）、変色剤）、酸化防止剤、溶
剤、表面張力改質剤、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難
燃剤、等の添加剤を適宜添加することができる。

【００４９】本発明では、上記感光性樹脂組成物の中で
も感光性樹脂組成物（ＩＩ）のほうがエッジフュージョ
ンの防止、保存安定性の点で好ましい。

【００５０】又、本発明で用いられる金属粉体として
は、特に限定されないが、特に融解温度が５００℃以下
の金属であることが好ましく、より好ましくは４００℃
以下、特に好ましくは３５０℃以下である。該融解温度
が５００℃を越えるとブラスト条件を苛酷にする必要が
あり、レジストへのダメージが大きくなり好ましくな
い。融解温度が５００℃以下の金属粉体としてはインジ
ウム、錫、鉛、半田（錫／鉛混合物）等が挙げられる。

【００５１】次に上記感光性樹脂組成物を用いたフォト
レジストフィルムの製造及びそれを用いた上記（１）、
（２）及び（３）の回路形成方法について説明する。

【００５２】（成層方法）上記の感光性樹脂組成物をポ
リエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリス
チレンフィルム等の支持体フィルム面に塗工した後、必
要に応じてその塗工面の上からポリエチレンフィルム、
ポリビニルアルコール系フィルム等の保護フィルムを被
覆してフォトレジストフィルムとする。

【００５３】フォトレジストフィルム以外の用途として
は、上記感光性樹脂組成物をディップコート法、フロー
コート法、スクリーン印刷法等の常法により、加工すべ
き基板上に直接塗工することも可能である。塗工時にメ
チルエチルケトン、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブアセテート、シクロヘキセン、メチルセル
ソルブ、塩化メチレン、１，１，１−トリクロルエタン
等の溶剤を添加することもできる。

【００５４】上記フォトレジストフィルムの感光性樹脂
組成物層の厚みは特に限定されないが、５〜２００μｍ
であることが好ましく、特に好ましくは１０〜１００μ
ｍである。

【００５５】（積層）基板上に上記感光性樹脂組成物層
を積層するに際しては、フォトレジストフィルムのベー
スフィルムと感光性樹脂組成物層との接着力及び保護フ
ィルムと感光性樹脂組成物層との接着力を比較し、接着
力の低い方のフィルムを剥離してから感光性樹脂組成物
層の側を基板上に貼り付ける。

【００５６】（露光）基板上に該感光性樹脂組成物層を
積層した後は、他方のフィルム上にパターンマスク（ポ
リエステルフィルム、ガラスマスク等）を密着させ、露
光に供する。感光性樹脂組成物が粘着性を有しないとき
は、前記他方のフィルムを剥離してからパターンマスク
を感光性樹脂組成物層に直接接触させて露光することで
きる。

【００５７】基板上に直接塗工した場合は、その塗工面
に直接又はポリエステルフィルム等を介してパターンマ
スクを接触させ、露光に供する。露光は通常紫外線照射
により行い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高
圧水銀灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハラ
イドランプ、ケミカルランプ等が用いられる。紫外線照
射後は、必要に応じて加熱を行って、硬化の完全を図る
こともできる。

【００５８】（現像）露光後は、レジスト上のフィルム
を剥離除去してから現像を行い、未露光部分を除去し、
レジストパターンを形成する。かかる現像については、
上記感光性樹脂組成物がアルカリ現像型であるので、炭
酸ソーダ、炭酸カルシウム等のアルカリ０．５〜３重量
％程度の稀薄水溶液を用いて行う。

【００５９】（金属膜の形成）現像後は、形成されたレ
ジストパターンの凹部に風速１００ｍ／分以上又は圧力
０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き
付けて金属膜を形成する。

【００６０】かかる金属粉体としては、上記の金属粉体
が用いられる。金属粉体を基板に吹き付けるに際して
は、例えば、粒子径が０．０１〜１０００μｍ、好まし
くは０．１〜１００μｍの金属粉体を用いることが好ま
しく、吹き付ける際の圧力は０．５ｋｇ／ｃｍ²以上、
好ましくは０．５〜１０ｋｇ／ｃｍ²、特に好ましくは
１〜５ｋｇ／ｃｍ²である。粒子径が０．０１μｍ未満
では吹き付け作業が安定にできず、１０００μｍを越え
るとレジストへの負荷が大きくなり安定な回路形成が困
難となり好ましくない。吹き付け圧が０．５ｋｇ／ｃｍ
²未満では作業時間が著しく長くなったり、充分な金属
パターンが形成できなくなり、１０ｋｇ／ｃｍ²を越え
るとレジストの負荷が大きくなり不良が発生しやすくな
り好ましくない。

【００６１】金属粉体を吹き付ける装置としては、サン
ドブラスト装置が主に挙げられるが、ペイントガンやス
クラブ研磨装置等も挙げられる。金属膜の厚みは特に限
定されず、用いられる用途により異なるが、０．１〜２
０μｍ、好ましくは１〜１０μｍが適当である。

【００６２】（硬化レジストの剥離除去）金属膜を形成
した後、残っている硬化レジストの剥離を行う。硬化レ
ジストの剥離除去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム等の０．１〜５重量％程度の濃度のアルカリ水溶液か
らなるアルカリ剥離液を用いて行う。かくして上記
（１）の方法により、基板上に導通回路を形成すること
ができる。又、（２）の方法においては、硬化レジスト
の剥離除去した後、更に、該レジスト剥離部分のエッチ
ングを行い、その後金属膜を剥離することにより、導通
回路を形成することができる。

【００６３】（エッチング）エッチングは、通常塩化第
二銅−塩酸水溶液や塩化第二鉄−塩酸水溶液等の酸性エ
ッチング液を用いて常法に従ってエッチングを行う。希
にアンモニア系のアルカリエッチング液も用いられる。

【００６４】（金属膜の剥離）エッチング後、はんだ剥
離液と過酸化水素水の混合液（混合重量比３／１）等の
剥離液を用いて、浸漬することにより金属膜の剥離を行
う。

【００６５】更に、（３）の方法においては、基板上に
感光性樹脂組成物層を積層し、露光、現像によりレジス
トパターンを形成した後、該レジストパターンの凹部
に、銅、ニッケル、クロム等の金属めっきを施し、その
後該金属めっき部分に風速１００ｍ／分以上又は圧力
０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き
付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離し、該
レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後金属膜を
剥離を行う。金属膜の形成、硬化レジストの剥離、エッ
チング、金属膜の剥離については、上記同様に行われ
る。

【００６６】上記（１）、（２）及び（３）の方法によ
る回路形成方法において、使用される基板としては、銅
張積層板やＩＴＯ膜形成後の基材等の導通を有するもの
や、プラスチック、セラミック、ガラス等の導通を得に
くいもの、あるいは導通を有さないものが用いられ、従
来のめっき法では回路形成できなかったものまで回路形
成することが可能である。

【００６７】例えば、導通を得にくい基板上に、導通回
路を形成するに当たっては、上記（１）の方法により導
通をもった金属粉体を吹き付け金属膜を形成することで
導通回路を得ることができ、又、導通を有する基板上に
は、上記（２）又は（３）の方法により導通回路を得る
ことができる。

【００６８】又、本発明の回路形成方法では、基板に金
属粉体を吹き付けて金属膜を形成するため、めっき法で
生じる金属膜の不均一性、めっき液の管理、長時間のめ
っき工程等の問題や、蒸着法、スパッタ法で生じる作業
条件、大型化等の問題を解決することができ、短時間で
作業性よく容易に回路形成することができる。更に、大
型化にも対応した回路形成方法となるものである。本発
明の回路形成方法は、プリント配線板の製造、リードフ
レームの製造、金属等の精密加工、ボールグリットアレ
イ（ＢＧＡ）の接合用加工等の用途に非常に有用であ
る。

【００６９】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。尚、実施例中「％」、「部」とあるのは、断りの
ない限り重量基準を意味する。

【００７０】実施例１カルボキシル基含有アクリルウレタン系樹脂（Ｄ１）温度計、撹拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み
口を備えた４つ口フラスコに、２，２−ビス（ヒドロキ
シメチル）プロピオン酸８５．１４ｇ（０．６３モル）
とヘキサメチレンジイソシアネート２１３．６６ｇ
（１．２７モル）、酢酸エチル４５０．２３ｇを仕込
み、窒素雰囲気下、７０℃で反応させ、残存イソシアネ
ート基が７．６％となった時点で平均分子量６００のポ
リエチレングリコール５６９．７５ｇ（０．９５モル）
を加え、ジブチルスズラウリレート０．１５ｇを加えて
更に反応させ、残存イソシアネート基が０．１％となっ
た時点でヘキサメチレンジイソシアネート１０７．４０
ｇ（０．６４モル）を新たに加えて反応を続け、残存イ
ソシアネート基が１．９％となったところで２−ヒドロ
キシエチルアクリレート７３．６７ｇ（０．６４モル）
を加え反応させ、残存イソシアネート基が０．５％とな
った時点で反応を終了し、カルボキシル基含有アクリル
ウレタン系樹脂（Ｄ１）溶液を得た。

【００７１】得られたカルボキシル基含有アクリルウレ
タン系樹脂（Ｄ１）の樹脂分７０．３％、イソシアネー
ト含有率は０．３％、酸価は３２．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、
平均分子量１８，０００であった。

【００７２】（ドープの調製）上記カルボキシル基含有
アクリルウレタン系樹脂（Ｄ１）溶液１４２．２部（該
アクリルウレタン系樹脂（Ｄ１）１００部）に、２，
２′−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，４′，５′
−テトラフェニル−１，２′−ビイミダゾール４．０
部、ロイコクリスタルバイオレット１．０部、Ｐ，Ｐ′
−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．２部、マ
ラカイトグリーン０．０５部及びメチルエチルケトン５
０部を配合してよく混合し、ドープを調製した。

【００７３】（ドライフィルムレジストの作製及び基板
へのラミネート）次に得られたドープを、ギャップ１０
ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリエス
テルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒間放置後、
６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ３分間
乾燥して、レジスト厚５０μｍのドライフィルムレジス
ト（保護フィルムは設けていない）を得た。

【００７４】該ドライフィルムレジストを、オーブンで
６０℃に予熱したガラス布基材エポキシ樹脂板に、ラミ
ネートロール温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃ
ｍ²、ラミネート速度１．５ｍ／ｍｉｎにてラミネート
した。尚、基板は厚さ１．６ｍｍであり、幅２５０ｍ
ｍ、長さ３００ｍｍの基板である。

【００７５】（露光、現像）上記ラミネート後、室温に
１０分間放置することにより除熱し、オーク製作所の露
光機ＥＸＭ−１２０１−Ｆ０２−００にて５ｋｗ超高圧
水銀灯で、ストーファー２１段ステップタブレット（光
透過量が段階的に少なくなるように作られたネガフィル
ム）の数値が７となる露光量で露光した。露光後、１５
分経過してからポリエステルフィルムを剥離し、３０℃
で１％炭酸ナトリウム水溶液をブレークポイント（未露
光部分が完全溶解する時間）の２倍の現像時間でスプレ
ー圧１．０ｋｇ／ｃｍ²で現像し、レジストパターンを
形成した。

【００７６】（金属膜の形成）現像後、露出した銅部
（レジストパターンの凹部）に、インジウム粉体（融解
温度１５７℃、平均粒子径２０μｍ）を、不二製作所社
製の「ＰＮＥＵＭＡＢＬＡＳＴＥＲ」（ハイパーノズ
ル、エアー圧２ｋｇ／ｃｍ²、粉体供給量２００ｇ／ｍ
ｉｎ）を用いて、ガン移動速度１５，０００ｍｍ／ｍｉ
ｎ、ガン移動幅４００ｍｍ、搬送速度１５ｍｍ／ｍｉｎ
で吹き付け、インジウム膜（厚さ１．５μｍ）を形成し
た。

【００７７】（硬化レジストの剥離）インジウム膜形成
後、３６℃の３％水酸化ナトリウム水溶液で１２０秒噴
霧して硬化レジストを剥離し、回路を形成した。

【００７８】上記工程において、インジウム膜は、短時
間で、基板に対してバラツキがなく均一に形成すること
ができ、作業性に優れたものであり、更に得られた回路
は非常に良好なものであった。

【００７９】実施例２実施例１と同様のカルボキシル基含有アクリルウレタン
系樹脂（Ｄ１）を用いて、実施例１と同様のドープを調
製した。

【００８０】（ドライフィルムレジストの作製及び基板
へのラミネート）次に得られたドープを、ギャップ１０
ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリエス
テルフィルム上に塗工し、室温で１分３０秒間放置後、
６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ３分間
乾燥して、レジスト厚５０μｍのドライフィルムレジス
ト（保護フィルムは設けていない）を得た。

【００８１】該ドライフィルムレジストを、オーブンで
６０℃に予熱した銅張り積層板に、ラミネートロール温
度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ²、ラミネート速
度１．５ｍ／ｍｉｎにてラミネートした。尚、銅張り積
層板は、アルカリ脱脂剤（１０％水溶液）に５０℃で２
分間浸漬した後、水洗処理し、更に５％塩酸水溶液に室
温で２０秒間浸漬し、水洗処理した後、精製水により水
洗を行い、乾燥したものを用いた。基板は厚さ１．６ｍ
ｍであり、幅２５０ｍｍ、長さ３００ｍｍ、銅厚さ１８
μｍの片面銅張り基板である。

【００８２】（露光、現像）上記ラミネート後、室温に
１０分間放置することにより除熱し、オーク製作所の露
光機ＥＸＭ−１２０１−Ｆ０２−００にて５ｋｗ超高圧
水銀灯で、ストーファー２１段ステップタブレット（光
透過量が段階的に少なくなるように作られたネガフィル
ム）の数値が７となる露光量で露光した。露光後、１５
分経過してからポリエステルフィルムを剥離し、３０℃
で１％炭酸ナトリウム水溶液をブレークポイント（未露
光部分が完全溶解する時間）の２倍の現像時間でスプレ
ー圧１．０ｋｇ／ｃｍ²で現像し、レジストパターンを
形成した。

【００８３】（金属膜の形成）現像後、露出した銅部
（レジストパターンの凹部）に、錫粉体（融解温度２３
２℃、平均粒子径２５μｍ）を、不二製作所社製の「Ｐ
ＮＥＵＭＡＢＬＡＳＴＥＲ」（ハイパーノズル、エア
ー圧２ｋｇ／ｃｍ²、粉体供給量１５０ｇ／ｍｉｎ）を
用いて、ガン移動速度２０，０００ｍｍ／ｍｉｎ、ガン
移動幅４００ｍｍ、搬送速度１５ｍｍ／ｍｉｎで吹き付
け、錫膜（厚さ４μｍ）を形成した。

【００８４】（硬化レジストの剥離）錫膜形成後、半田
剥離防止液を添加した３６℃の３％水酸化ナトリウム水
溶液で１２０秒噴霧して硬化レジストを剥離した。硬化
レジストを剥離した後、該剥離部分をアルカリエッチン
グ液にてエッチングを行い、更にはんだ剥離液（ＴＬ−
１０７、メルテックス社製）と過酸化水素水の混合液
（重量比３／１）の剥離液にて錫膜を剥離して回路を形
成した。

【００８５】上記工程において、錫膜は、短時間で、基
板に対してバラツキがなく均一に形成することができ、
作業性に優れたものであり、更に得られた回路は非常に
良好なものであった。

【００８６】実施例３実施例２において、下記の如きドープに代えた以外は同
様に行い、回路を形成した。カルボキシル基含有アクリル系樹脂（Ａ１）メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２
−エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸の共重合
割合が重量基準で５０／１０／１５／２５である共重合
体（酸価：１６３ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移点：６６
℃、重量平均分子量：７５，０００、樹脂分：４０％、
溶媒：メチルエチルケトン／イソプロピルアルコール＝
７０／３０（重量比）の混合溶媒）

【００８７】（ドープの調製）上記カルボキシル基含有
アクリル系樹脂（Ａ１）溶液２５０部（該アクリル系樹
脂（Ａ１）１００部）に、平均分子量６００のポリエチ
レングリコールとヘキサメチレンジイソシアネートを
１：２のモル比で反応させ、その後２−ヒドロキシエチ
ルアクリレートを１：２のモル比で反応させて得られた
ウレタンアクリレートモノマー１００部、ベンゾフェノ
ン１０部、ロイコクリスタルバイオレット１．０部、
Ｐ，Ｐ′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．
２部、マラカイトグリーン０．０５部及びメチルエチル
ケトン４０部を配合してよく混合し、ドープを調製し
た。

【００８８】実施例２と同様、上記工程において、錫膜
は、短時間で、基板に対してバラツキがなく均一に形成
することができ、作業性に優れたものであり、更に得ら
れた回路は非常に良好なものであった。

【００８９】実施例４実施例２と同様に、実施例２で用いたドライフィルムレ
ジストを銅張り積層板にラミネートし、露光、現像によ
りレジストパターンを形成した後、露出した銅部（レジ
ストパターンの凹部）を、酸性脱脂剤（アトテック社
製、ＦＲ）で４０℃、２分間処理し、水洗し、その後ソ
フトエッチング剤で３０℃、１．５分間処理し、水洗
し、５％硫酸水溶液に浸漬して水洗し、その後銅めっき
を付与した後、上記と同様に錫粉体を吹き付け、錫膜
（厚さ４μｍ）を形成した。錫膜形成後、実施例２と同
様に硬化レジストを剥離し、アルカリエッチング液によ
りエッチングを行い、剥離液にて錫膜を剥離して回路を
形成した。

【００９０】上記工程において、錫膜は、短時間で、基
板に対してバラツキがなく均一に形成することができ、
作業性に優れたものであり、更に得られた回路は非常に
良好なものであった。

【００９１】比較例１実施例２において、錫粉体を吹き付ける代わりに、露出
した銅部（レジストパターンの凹部）に、酸性脱脂剤
（アトテック社製、ＦＲ）で４０℃、２分間処理し、水
洗し、その後ソフトエッチング剤で３０℃、１．５分間
処理し、水洗し、５％硫酸水溶液に浸漬して水洗した
後、錫めっきを行った。その後、硬化レジストの剥離、
エッチング、錫膜の剥離は上記と同様に行った。

【００９２】上記工程においては、錫めっきを電解めっ
きにて付与する工程があり、錫めっき液の管理が困難な
上、めっき浴汚染、錫の析出、錫浴による腐食性等の問
題があり、更にめっき時間も長時間を要し、膜厚も電流
密度のバラツキのため均一性に劣るものである。

フロントページの続きＦターム(参考） 4K044 AA06 AA12 AA13 AA16 AB10 BA02 BA06 BA10 BB03 BB10 BC14 CA04 CA15 CA18 CA23 CA64 5E339 AB01 BC02 BD03 BD06 BE11 CD05 CE02 CE13 CE15 CG04 DD10 FF03 5E343 BB22 BB34 BB48 BB54 BB78 CC61 DD32 DD71 ER16 ER18 GG06 GG11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
露光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に
風速１００ｍ／分以上又は圧力０．５ｋｇ／ｃｍ²以上
の高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、金属膜を形成した
後、硬化レジストを剥離することを特徴とする回路形成
方法。
【請求項２】基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
露光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に
風速１００ｍ／分以上又は圧力０．５ｋｇ／ｃｍ²以上
の高圧ガスにて金属粉体を吹き付け、金属膜を形成した
後、硬化レジストを剥離し、該レジスト剥離部分のエッ
チングを行い、その後金属膜を剥離することを特徴とす
る回路形成方法。
【請求項３】基板上に感光性樹脂組成物層を積層し、
露光、現像により形成されたレジストパターンの凹部に
金属めっきを施した後、風速１００ｍ／分以上又は圧力
０．５ｋｇ／ｃｍ²以上の高圧ガスにて金属粉体を吹き
付け、金属膜を形成した後、硬化レジストを剥離し、該
レジスト剥離部分のエッチングを行い、その後金属膜を
剥離することを特徴とする回路形成方法。
【請求項４】感光性樹脂組成物として、カルボキシル
基含有アクリルウレタン系樹脂及び光重合開始剤からな
る感光性樹脂組成物を用いることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の回路形成方法。
【請求項５】金属粉体の融解温度が５００℃以下であ
ることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の回路形
成方法。