JP2001094035A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インピーダンスをほぼ同一にした高密度実装
型半導体装置を得るようにしたものである。 【解決手段】 本発明は半導体基板１１に形成され電極
１６、２２を有する複数の導電性金属板１２、５１…
と、この複数の導電性金属板１２、５１…に接続される
複数の半導体チップ１８a、１８b、１９a、１９bと、こ
の複数の半導体チップ１８a、１８b…と前記複数の導電
性金属板１２、５１…の電極１６、２２との間に形成さ
れる電流路をほぼ同一長さにするインピーダンス均等手
段５２a、５２bとを備え、複数の半導体チップ１８a、
１８b…と電極１６、２２とのインピーダンスのバラン
スをとり発振を生じない高密度実装の半導体装置を得る
ようにしたものである。
型半導体装置を得るようにしたものである。 【解決手段】 本発明は半導体基板１１に形成され電極
１６、２２を有する複数の導電性金属板１２、５１…
と、この複数の導電性金属板１２、５１…に接続される
複数の半導体チップ１８a、１８b、１９a、１９bと、こ
の複数の半導体チップ１８a、１８b…と前記複数の導電
性金属板１２、５１…の電極１６、２２との間に形成さ
れる電流路をほぼ同一長さにするインピーダンス均等手
段５２a、５２bとを備え、複数の半導体チップ１８a、
１８b…と電極１６、２２とのインピーダンスのバラン
スをとり発振を生じない高密度実装の半導体装置を得る
ようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に、モジュール型大容量高電圧の半導体装置に関する
ものである。
特に、モジュール型大容量高電圧の半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術おび発明が解決しようとする課題】一般に
モジュール型大容量高電圧の半導体装置、例えば、電車
のインバータ装置等に使用されるプラスチックモジュー
ル型のIGBT１０は図４に示すようにセラミック等の半導
体基板１１が備えられ、この上面にほぼ逆U字状にパタ
ーニングされたコレクタ電極用のパッドを有する導電性
金属板１２、T字状にパターニングされたエミッタ電極
用のパッドを有する導電性金属板１３およびI字状にパ
ターニングされたゲート電極用のパッドを有する複数の
導電性金属板１４a、１４b、１５a、１５bを形成するよ
うになっている。
モジュール型大容量高電圧の半導体装置、例えば、電車
のインバータ装置等に使用されるプラスチックモジュー
ル型のIGBT１０は図４に示すようにセラミック等の半導
体基板１１が備えられ、この上面にほぼ逆U字状にパタ
ーニングされたコレクタ電極用のパッドを有する導電性
金属板１２、T字状にパターニングされたエミッタ電極
用のパッドを有する導電性金属板１３およびI字状にパ
ターニングされたゲート電極用のパッドを有する複数の
導電性金属板１４a、１４b、１５a、１５bを形成するよ
うになっている。
【０００３】このほぼ逆U字状の導電性金属板１２の上
部にはパッドを介し前記コレクタ電極１６が取り付けら
れ、左側部の上部から下部に順に高速ダイオード１７
a、半導体チップ１８a、半導体チップ１９aを、また、
右側部の上部から下部に順に高速ダイオード１７b、半
導体チップ１８b、半導体チップ１９bをそれぞれ接続す
るようになっている。
部にはパッドを介し前記コレクタ電極１６が取り付けら
れ、左側部の上部から下部に順に高速ダイオード１７
a、半導体チップ１８a、半導体チップ１９aを、また、
右側部の上部から下部に順に高速ダイオード１７b、半
導体チップ１８b、半導体チップ１９bをそれぞれ接続す
るようになっている。
【０００４】これら高速ダイオード１７aと高速ダイオ
ード１７b、半導体チップ１８aと半導体チップ１８b、
半導体チップ１９aと半導体チップ１９bとが導電性金属
板１３に対して対称的に配置され、高速ダイオード１７
a、１７b等と導電性金属板１３とがパッドを介し容易に
ボンディングワイヤ２０、２１を接続するようになって
いる。
ード１７b、半導体チップ１８aと半導体チップ１８b、
半導体チップ１９aと半導体チップ１９bとが導電性金属
板１３に対して対称的に配置され、高速ダイオード１７
a、１７b等と導電性金属板１３とがパッドを介し容易に
ボンディングワイヤ２０、２１を接続するようになって
いる。
【０００５】T字状の導電性金属板１３はほぼ逆U字状の
導電性金属板１２の間に配置され、その上部にパッドを
介し前記エミッタ電極２２を取り付けるとともにボンデ
ィングワイヤ２０により高速ダイオード１７a、１７bを
接続し、また、下部にボンディングワイヤ２１により半
導体チップ１８a、１８b等を接続するようになってい
る。
導電性金属板１２の間に配置され、その上部にパッドを
介し前記エミッタ電極２２を取り付けるとともにボンデ
ィングワイヤ２０により高速ダイオード１７a、１７bを
接続し、また、下部にボンディングワイヤ２１により半
導体チップ１８a、１８b等を接続するようになってい
る。
【０００６】I字状の導電性金属板１４a、１４b等は半
導体チップ１８a、１８b等の外側部に配置され、その中
央部にはパッドを介しゲート電極２３a、２３b、２４
a、２４bを取り付けるようになっている。この導電性金
属板１４a、１４b等と半導体チップ１８a、１８b等とが
パッドを介しボンディングワイヤ２５を接続されるよう
になっている。
導体チップ１８a、１８b等の外側部に配置され、その中
央部にはパッドを介しゲート電極２３a、２３b、２４
a、２４bを取り付けるようになっている。この導電性金
属板１４a、１４b等と半導体チップ１８a、１８b等とが
パッドを介しボンディングワイヤ２５を接続されるよう
になっている。
【０００７】このような構成のプラスチックモジュール
プ型のIGBT１０は高密度の実装を優先したものであるた
め導電性金属板１２、１３、１４a、１４b等のパターニ
ングが簡素化され、かつ、ボンディングワイヤ２０、２
１、２５の接続が容易にできるようになっている。
プ型のIGBT１０は高密度の実装を優先したものであるた
め導電性金属板１２、１３、１４a、１４b等のパターニ
ングが簡素化され、かつ、ボンディングワイヤ２０、２
１、２５の接続が容易にできるようになっている。
【０００８】しかしながら、上側の半導体チップ１８
a、１８b、ボンディングワイヤ２１、導電性金属板１３
を介してエミッタ電極２２に至る電流路の距離が短い反
面下側の半導体チップ１９a、１９b、ボンディングワイ
ヤ２１、導電性金属板１３を介してエミッタ電極２２に
至る電流路の距離が長いからその電流路の抵抗、インダ
クタンス等によるインピーダンスが前者は小さいが後者
は大きくなる。
a、１８b、ボンディングワイヤ２１、導電性金属板１３
を介してエミッタ電極２２に至る電流路の距離が短い反
面下側の半導体チップ１９a、１９b、ボンディングワイ
ヤ２１、導電性金属板１３を介してエミッタ電極２２に
至る電流路の距離が長いからその電流路の抵抗、インダ
クタンス等によるインピーダンスが前者は小さいが後者
は大きくなる。
【０００９】このインピーダンスの違いにより半導体チ
ップ１８a、１８bを流れる電流と半導体チップ１９a、
１９bを流れる電流にアンバランスが生じスイッチング
時に発振が生じると言う問題があった。
ップ１８a、１８bを流れる電流と半導体チップ１９a、
１９bを流れる電流にアンバランスが生じスイッチング
時に発振が生じると言う問題があった。
【００１０】このような問題を解決するために図５に示
すようなプラスチックモジュールプ型のIGBT３０が開発
され、各半導体チップのインピーダンスのバランスをと
るようにしている。
すようなプラスチックモジュールプ型のIGBT３０が開発
され、各半導体チップのインピーダンスのバランスをと
るようにしている。
【００１１】このプラスチックモジュールプ型のIGBT３
０は基本的にはプラスチックモジュールプ型のIGBT１０
と同様であるがセラミック等の半導体基板１１に備える
コレクタ電極用の導電性金属板３１をほぼT字状に形成
し、エミッタ電極用の導電性金属板３２をほぼH字状に
形成し、そのうえ、高速ダイオード１７a、１７b、半導
体チップ１８a、１８b、半導体チップ１９a、１９aを接
続する導電性金属板３３a、３３bを備えている違いがあ
る。
０は基本的にはプラスチックモジュールプ型のIGBT１０
と同様であるがセラミック等の半導体基板１１に備える
コレクタ電極用の導電性金属板３１をほぼT字状に形成
し、エミッタ電極用の導電性金属板３２をほぼH字状に
形成し、そのうえ、高速ダイオード１７a、１７b、半導
体チップ１８a、１８b、半導体チップ１９a、１９aを接
続する導電性金属板３３a、３３bを備えている違いがあ
る。
【００１２】それにくわえ、導電性金属板３３a、３３b
の中心部には高速ダイオード１７a、１７bを配置しその
上下部に半導体チップ１８a、１８b、１９a、１９aを取
り付け、かつ、これらが導電性金属板３２に対称的に配
置している。
の中心部には高速ダイオード１７a、１７bを配置しその
上下部に半導体チップ１８a、１８b、１９a、１９aを取
り付け、かつ、これらが導電性金属板３２に対称的に配
置している。
【００１３】このようにすることにより、上部の半導体
チップ１８a、１８b、ボンディングワイヤ２１、導電性
金属板３２を介してエミッタ電極２２に至る電流路の距
離と下部の半導体チップ１９a、１９b、ボンディングワ
イヤ２１、導電性金属板３２を介してエミッタ電極２２
に至る電流路の距離とをほぼ均等にその電流路の抵抗、
インダクタンス等によるインピーダンスを同じくするよ
うにしているし違いがある。
チップ１８a、１８b、ボンディングワイヤ２１、導電性
金属板３２を介してエミッタ電極２２に至る電流路の距
離と下部の半導体チップ１９a、１９b、ボンディングワ
イヤ２１、導電性金属板３２を介してエミッタ電極２２
に至る電流路の距離とをほぼ均等にその電流路の抵抗、
インダクタンス等によるインピーダンスを同じくするよ
うにしているし違いがある。
【００１４】そのため、半導体チップ１８a、１８bとエ
ミッタ電極２２との間のインピーダンスと半導体チップ
１９a、１９bとエミッタ電極２２との間のインピーダン
スのバランスがとれ、スイッチング時に発振を生じるこ
とがない。
ミッタ電極２２との間のインピーダンスと半導体チップ
１９a、１９bとエミッタ電極２２との間のインピーダン
スのバランスがとれ、スイッチング時に発振を生じるこ
とがない。
【００１５】しかし、導電性金属板１４a、１４b等、３
１、３２、３３a、３３bが多くなるから半導体チップ１
８a、１８b等を配置する半導体基板１１の有効面積が少
なくなる。
１、３２、３３a、３３bが多くなるから半導体チップ１
８a、１８b等を配置する半導体基板１１の有効面積が少
なくなる。
【００１６】さらに、半導体チップ１８a、１８bと導電
性金属板３２とのボンディングワイヤ２１の接続、高速
ダイオード１７a、１７bと導電性金属板３２および導電
性金属板３１とのボンディングワイヤ２０および３４の
接続、半導体チップ１９a、１９bと導電性金属板３２と
のボンディングワイヤ２１の接続が方向性、位置、間隔
等が不揃いとなり接続作業が大変に面倒になる。
性金属板３２とのボンディングワイヤ２１の接続、高速
ダイオード１７a、１７bと導電性金属板３２および導電
性金属板３１とのボンディングワイヤ２０および３４の
接続、半導体チップ１９a、１９bと導電性金属板３２と
のボンディングワイヤ２１の接続が方向性、位置、間隔
等が不揃いとなり接続作業が大変に面倒になる。
【００１７】そのため、大容量高電圧の高密度実装の半
導体装置の製造が困難となると言う問題があった。
導体装置の製造が困難となると言う問題があった。
【００１８】そこで本発明は各半導体チップと電極の間
のインピーダンスのバランスをとるとともに高密度実装
を可能にした半導体装置を提供することを目的とするも
のである。
のインピーダンスのバランスをとるとともに高密度実装
を可能にした半導体装置を提供することを目的とするも
のである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の特徴は
半導体基板に形成され電極を有する複数の導電性金属板
と、この複数の導電性金属板に接続される複数の半導体
チップと、この複数の半導体チップと前記複数の導電性
金属板の電極との間に形成される電流路をほぼ同一長さ
にするインピーダンス均等手段とを備え、インピーダン
スのアンバランスにより発振を生じないようにした高密
度実装の半導体装置を提供するものである。
半導体基板に形成され電極を有する複数の導電性金属板
と、この複数の導電性金属板に接続される複数の半導体
チップと、この複数の半導体チップと前記複数の導電性
金属板の電極との間に形成される電流路をほぼ同一長さ
にするインピーダンス均等手段とを備え、インピーダン
スのアンバランスにより発振を生じないようにした高密
度実装の半導体装置を提供するものである。
【００２０】請求項２の発明の特徴はインピーダンス均
等手段は複数の半導体チップを接続する導電性金属板の
ほぼ中央部に延びるスリットにより形成したからパター
ニングが容易にができる。
等手段は複数の半導体チップを接続する導電性金属板の
ほぼ中央部に延びるスリットにより形成したからパター
ニングが容易にができる。
【００２１】請求項３の発明の特徴はスリットは複数の
半導体チップを接続する導電性金属板のほぼ中央部まで
対向して延びるように形成したからインピーダンスをほ
ぼ正確に均等なものとすることができる。
半導体チップを接続する導電性金属板のほぼ中央部まで
対向して延びるように形成したからインピーダンスをほ
ぼ正確に均等なものとすることができる。
【００２２】請求項４の発明の特徴はインピーダンス均
等手段には複数の半導体チップを接続する導電性金属板
のほぼ中央部に延びる連結金属板が備えられているから
インピーダンスをほぼ正確に均等なものとすることがで
きる。
等手段には複数の半導体チップを接続する導電性金属板
のほぼ中央部に延びる連結金属板が備えられているから
インピーダンスをほぼ正確に均等なものとすることがで
きる。
【００２３】請求項５の発明の特徴はインピーダンス均
等手段はエミッタ電極を有する導電性金属板に形成され
たから半導体チップとエミッタとのインピーダンスをほ
ぼ均等なものとすることができる。
等手段はエミッタ電極を有する導電性金属板に形成され
たから半導体チップとエミッタとのインピーダンスをほ
ぼ均等なものとすることができる。
【００２４】請求項６の発明の特徴はインピーダンス均
等手段はコレクタ電極を有する導電性金属板に形成され
たから半導体チップとコレクタとのインピーダンスをほ
ぼ均等なものとすることができる。
等手段はコレクタ電極を有する導電性金属板に形成され
たから半導体チップとコレクタとのインピーダンスをほ
ぼ均等なものとすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下本発明半導体装置の第１の実
施の形態を図１を参照しながら説明する。
施の形態を図１を参照しながら説明する。
【００２６】大容量のモジュール型の半導体装置、例え
ば、インバータ等に使用するプラスチックモジュール型
のIGBT５０は基本的には図４に示したプラスチックモジ
ュール型のIGBT１０と同様に構成されているので同一部
分は同一符号を付し詳細な説明は省略して説明する。
ば、インバータ等に使用するプラスチックモジュール型
のIGBT５０は基本的には図４に示したプラスチックモジ
ュール型のIGBT１０と同様に構成されているので同一部
分は同一符号を付し詳細な説明は省略して説明する。
【００２７】このIGBT５０にはセラミック等の半導体基
板１１が備えられ、この上面にほぼ逆U字状にパターニ
ングしたコレクタ電極用の導電性金属板１２、T字状に
パターニングしたエミッタ電極用の導電性金属板５１お
よびI字状にパターニングしたゲート電極用の複数の導
電性金属板１４a、１４b、１５a、１５bを形成するよう
になっている。
板１１が備えられ、この上面にほぼ逆U字状にパターニ
ングしたコレクタ電極用の導電性金属板１２、T字状に
パターニングしたエミッタ電極用の導電性金属板５１お
よびI字状にパターニングしたゲート電極用の複数の導
電性金属板１４a、１４b、１５a、１５bを形成するよう
になっている。
【００２８】これらのほぼ逆U字状の導電性金属板１２
の上部にはパッドを介しコレクタ電極１６を取り付ける
とともに高速ダイオード１７a、１７b、半導体チップ１
８a、１８b、半導体チップ１９a、１９bを接続するよう
になっている。
の上部にはパッドを介しコレクタ電極１６を取り付ける
とともに高速ダイオード１７a、１７b、半導体チップ１
８a、１８b、半導体チップ１９a、１９bを接続するよう
になっている。
【００２９】導電性金属板５１の腕部５１aにはその下
側中央部から半導体チップ１８a、１８ｂを越え半導体
チップ１９a、１９ｂの上部方向に延びる適宜の幅の平
行スリット５２a、５２bにより分離された連結部５３が
設けられる。
側中央部から半導体チップ１８a、１８ｂを越え半導体
チップ１９a、１９ｂの上部方向に延びる適宜の幅の平
行スリット５２a、５２bにより分離された連結部５３が
設けられる。
【００３０】これにより、上部の半導体チップ１８a、
１８b、ボンディングワイヤ２１、ボンディングワイヤ
接続部５４a、５４b、連結部５３、腕部５１a、ゲート
電極２２に至る電流路と下部の半導体チップ１９a、１
９b、ボンディングワイヤ２１、ボンディングワイヤ接
続部５５a、５５b、連結部５３、腕部５１a、ゲート電
極２２に至る電流路とが実質的に同一になるようになっ
ている。
１８b、ボンディングワイヤ２１、ボンディングワイヤ
接続部５４a、５４b、連結部５３、腕部５１a、ゲート
電極２２に至る電流路と下部の半導体チップ１９a、１
９b、ボンディングワイヤ２１、ボンディングワイヤ接
続部５５a、５５b、連結部５３、腕部５１a、ゲート電
極２２に至る電流路とが実質的に同一になるようになっ
ている。
【００３１】この電流路の一致により半導体チップ１８
a、１８bとエミッタ電極２２との間のインピーダンスと
半導体チップ１９a、１９bとエミッタ電極２２とのイン
ピーダンスとがバランスがとれスイッチング時に発振を
起こすこともない。
a、１８bとエミッタ電極２２との間のインピーダンスと
半導体チップ１９a、１９bとエミッタ電極２２とのイン
ピーダンスとがバランスがとれスイッチング時に発振を
起こすこともない。
【００３２】そのうえ、このプラスチックモジュールプ
型のIGBT５０は導電性金属板１２、５１、１４a、１４
b、１５a、１５bのパターニングが図４のものと同様に
簡素化にでき、かつ、ボンディングワイヤ２０、２１、
２５の方向性、位置、間隔等がほぼ同一であるから接続
作業等を容易にできる。
型のIGBT５０は導電性金属板１２、５１、１４a、１４
b、１５a、１５bのパターニングが図４のものと同様に
簡素化にでき、かつ、ボンディングワイヤ２０、２１、
２５の方向性、位置、間隔等がほぼ同一であるから接続
作業等を容易にできる。
【００３３】そのため、高品質の大容量高電圧高密度実
装の半導体装置を得ることができる。
装の半導体装置を得ることができる。
【００３４】図２は第１の実施の形態の導電性金属板を
改良した第２の実施の形態を示すものである。
改良した第２の実施の形態を示すものである。
【００３５】第１の実施の導電性金属板５１のスリット
５２a、５２bは対称的に配置された半導体チップ１８
a、１８bと半導体チップ１９a、１９bとの中央部よりや
や下方まで設けられ上下の半導体チップ１８a、１８bと
１９a、１９bとの電流路の同一性を図ったものであっ
た。
５２a、５２bは対称的に配置された半導体チップ１８
a、１８bと半導体チップ１９a、１９bとの中央部よりや
や下方まで設けられ上下の半導体チップ１８a、１８bと
１９a、１９bとの電流路の同一性を図ったものであっ
た。
【００３６】このような方法でもインピーダンスをほぼ
同一にすることができるがスリット５２a、５２bの端部
の位置決めが難しい。
同一にすることができるがスリット５２a、５２bの端部
の位置決めが難しい。
【００３７】そこで、図２に示すように導電性金属板６
１の上部と下部とから中央部に延びるほぼ均等のスリッ
ト６２a、６２b、６３a、６３bを設け、導電性金属板６
１の電流路を均等にし上下の半導体チップ１８a、１８b
等とエミッタ電極２２とのインピーダンスを同一にす
る。
１の上部と下部とから中央部に延びるほぼ均等のスリッ
ト６２a、６２b、６３a、６３bを設け、導電性金属板６
１の電流路を均等にし上下の半導体チップ１８a、１８b
等とエミッタ電極２２とのインピーダンスを同一にす
る。
【００３８】また、半導体チップ１８a、１８b等とエミ
ッタ電極２２とのインピーダンスを同一にするばかりで
はなくT字状の導電性金属板６６の下部にL形のスリット
６７a、６７bを設けるとともにI字状のスリット６８a、
６８bを設けることにより、第１の実施の形態とほぼ同
様な方法で上部の半導体チップ１８a、１８b、導電性金
属板６６、コレクタ電極と下部の半導体チップ１９a、
１９b、導電性金属板６６、コレクタ電極１６との電流
路を同一にしインピーダンスを均等にすることができ
る。
ッタ電極２２とのインピーダンスを同一にするばかりで
はなくT字状の導電性金属板６６の下部にL形のスリット
６７a、６７bを設けるとともにI字状のスリット６８a、
６８bを設けることにより、第１の実施の形態とほぼ同
様な方法で上部の半導体チップ１８a、１８b、導電性金
属板６６、コレクタ電極と下部の半導体チップ１９a、
１９b、導電性金属板６６、コレクタ電極１６との電流
路を同一にしインピーダンスを均等にすることができ
る。
【００３９】これにより半導体チップ１８a、１８bとコ
レクタ電極１６および半導体チップ１９a、１９bとコレ
クタ電極１６とのインピーダンスを同一し質の高い電流
を取り出すことができる。
レクタ電極１６および半導体チップ１９a、１９bとコレ
クタ電極１６とのインピーダンスを同一し質の高い電流
を取り出すことができる。
【００４０】図３は第１、第２の実施の形態の導電性金
属板を改良した第３の実施の形態を示すものである。
属板を改良した第３の実施の形態を示すものである。
【００４１】第１、第２の実施の形態では導電性金属板
１３等に平行なスリット５２a、５２bを設けたが導電性
金属板７３を腕部７４と支持部７５とに分割し、腕部７
４の下部中央部から支持部７５の中央部に延びる連結金
属板７６を設けることにより上部の半導体チップ１８
a、１８bとエミッタ電極１６との電流路と下部の半導体
チップ１９a、１９bとエミッタ電極１６との電流路とを
同一にしインピーダンスのバランスをとることができ
る。
１３等に平行なスリット５２a、５２bを設けたが導電性
金属板７３を腕部７４と支持部７５とに分割し、腕部７
４の下部中央部から支持部７５の中央部に延びる連結金
属板７６を設けることにより上部の半導体チップ１８
a、１８bとエミッタ電極１６との電流路と下部の半導体
チップ１９a、１９bとエミッタ電極１６との電流路とを
同一にしインピーダンスのバランスをとることができ
る。
【００４２】その他同一の電流路を形成するには上記各
実施の形態に限らず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の方法を採用することができる。
実施の形態に限らず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の方法を採用することができる。
【００４３】
【発明の効果】各請求項に記載の発明は半導体基板に形
成され電極を有する複数の導電性金属板と、この複数の
導電性金属板に接続される複数の半導体チップと、この
複数の半導体チップと前記複数の導電性金属板の電極と
の間に形成される電流路をほぼ同一長さにするインピー
ダンス均等手段とを備えたから複数の半導体チップと電
極とのインピーダンスのバランスがとれ発振を生じない
高密度実装の半導体装置を得ることができる。
成され電極を有する複数の導電性金属板と、この複数の
導電性金属板に接続される複数の半導体チップと、この
複数の半導体チップと前記複数の導電性金属板の電極と
の間に形成される電流路をほぼ同一長さにするインピー
ダンス均等手段とを備えたから複数の半導体チップと電
極とのインピーダンスのバランスがとれ発振を生じない
高密度実装の半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明半導体装置の概要を示す平面図。
【図２】本発明半導体装置の他の一部の概要を示す平面
図。
図。
【図３】本発明半導体装置のされに他の一部の概要を示
す平面図。
す平面図。
【図４】従来の半導体装置の概要を示す平面図。
【図５】他の従来の半導体装置の概要を示す平面図。
１０、３０、５０ IGBT １１ 半導体基板 １２、１３、１４a、３１、３２、３３a、５１、６１、
７３… 導電性金属板 １６ コレクタ電極 １７a、１７b 高速ダイオード １８a、１８ｂ、１９a、１９b 半導体チップ ２０、２１、２５ ボンディングワイヤ ２２ エミッタ電極 ２３a、２３b、２４a、２４b ゲート電極 ５１a、７４ 腕部 ５２a、５２b、６２a、６２b、６３a、６３b、６７a、
６７b… スリット ５３ 連結部 ５４a、５４b、５５a、５５b ボンディングワイヤ接続
部 ７５ 支持部
７３… 導電性金属板 １６ コレクタ電極 １７a、１７b 高速ダイオード １８a、１８ｂ、１９a、１９b 半導体チップ ２０、２１、２５ ボンディングワイヤ ２２ エミッタ電極 ２３a、２３b、２４a、２４b ゲート電極 ５１a、７４ 腕部 ５２a、５２b、６２a、６２b、６３a、６３b、６７a、
６７b… スリット ５３ 連結部 ５４a、５４b、５５a、５５b ボンディングワイヤ接続
部 ７５ 支持部
フロントページの続き (72)発明者 日 吉 道 明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板に形成され電極を有する複数の
導電性金属板と、 この複数の導電性金属板に接続される複数の半導体チッ
プと、 この複数の半導体チップと前記複数の導電性金属板の電
極との間に形成される電流路をほぼ同一長さにするイン
ピーダンス均等手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】インピーダンス均等手段は複数の半導体チ
ップを接続する導電性金属板のほぼ中央部に延びるスリ
ットにより形成したことを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項３】スリットは複数の半導体チップを接続する
導電性金属板のほぼ中央部まで対向して延びるように形
成したことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】インピーダンス均等手段には複数の半導体
チップを接続する導電性金属板のほぼ中央部に延びる連
結金属板が備えられていることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項５】インピーダンス均等手段はエミッタ電極を
有する導電性金属板に形成されたことを特徴とする請求
項１、２、３または４記載の半導体装置。 - 【請求項６】インピーダンス均等手段はコレクタ電極を
有する導電性金属板に形成されたことを特徴とする請求
項１、２、３、４または５記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27280899A JP2001094035A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27280899A JP2001094035A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094035A true JP2001094035A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17519051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27280899A Abandoned JP2001094035A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001094035A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087400A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2011249394A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2013062551A (ja) * | 2013-01-09 | 2013-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2016009496A1 (ja) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 株式会社日立製作所 | パワートランジスタモジュール |
| EP3203625A1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-08-09 | Hitachi Ltd. | Electric power conversion apparatus |
| JP2017162866A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2021177519A (ja) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US11177190B2 (en) | 2018-06-06 | 2021-11-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113707643A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高集成高可靠igbt功率模块及其制造方法 |
| US11521933B2 (en) | 2018-04-18 | 2022-12-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current flow between a plurality of semiconductor chips |
-
1999
- 1999-09-27 JP JP27280899A patent/JP2001094035A/ja not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2016009496A1 (ja) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 株式会社日立製作所 | パワートランジスタモジュール |
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| CN113707643A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种高集成高可靠igbt功率模块及其制造方法 |
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