JP2001091959A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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JP2001091959A
JP2001091959A JP26750299A JP26750299A JP2001091959A JP 2001091959 A JP2001091959 A JP 2001091959A JP 26750299 A JP26750299 A JP 26750299A JP 26750299 A JP26750299 A JP 26750299A JP 2001091959 A JP2001091959 A JP 2001091959A
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common electrode
supply line
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electrode signal
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Hiroaki Yonekura
広顕 米倉
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造過程で基板帯電が生じた場合に共通電極
に溜まる電荷を小さくすることにより、静電気による絶
縁破壊などの発生を抑制し、歩留まり良く製造すること
が可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板1上に、共通電極11および共
通電極信号供給線8を互いに独立した形状の部材として
形成した後、共通電極信号供給線12および映像信号供
給線5を形成し、しかる後に共通電極11と共通電極信
号供給線8および12とを接続部13を介して電気的に
接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス方式の液晶表示装置およびその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力、軽
量という、従来の表示装置には見られない特徴を有す
る。特に、各画素にスイッチング素子として薄膜トラン
ジスタ(以下、「TFT」とする。)を配置したアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置は、クロストークの
少ない鮮明な画像表示が得られることから、ノートパソ
コンやカーナビゲーションのディスプレイなどに使用さ
れ、更に近年では大型ディスプレイモニターとして急速
に利用されるようになっている。
【0003】アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
は、画素電極およびスイッチング素子を備えた第1の透
明基板と、対向電極を備えた第2の透明基板とが、液晶
層を介して、互いに対向するように配置されて構成され
る。図4は、従来の液晶表示装置を構成する第1の透明
基板の平面図であり、図5は、図4のC−C’に沿った
断面図である。以下、これらの図面を用いて、従来の液
晶表示装置の構造について説明する。
【0004】透明基板21上に、複数の画素電極30が
行列状に配置され、各画素電極に対応させてTFTが配
置されている。更に、TFTに走査信号を供給するため
の走査信号供給線22と、画素電極にTFTを介して映
像信号を供給するための映像信号供給線25とが形成さ
れている。なお、走査信号供給線22および映像信号供
給線25は、各々、TFTのゲート電極およびソース電
極としての機能を兼ねている。更に、透明基板21上に
は、画素電極30が成す各列に対応する共通電極31
と、共通電極に電位信号を供給する共通電極信号供給線
28および32とが形成されている。共通電極31と共
通電極信号供給線28とは同層で構成され、パターン的
に一体化した櫛型電極(櫛の歯に相当する部分が共通電
極31として機能し、櫛の胴に相当する部分が共通電極
信号供給線28として機能する。)として形成されてい
る。
【0005】以上のように構成された液晶表示装置につ
いてその動作を説明する。まず、走査信号供給線22に
電圧が印加されると、映像信号供給線25から映像信号
がTFTを介して画素電極30に伝わる。これにより、
画素電極30と対向する対向電極(図示せず。)との間
に電界を発生させ、画素電極と対向電極の間に存在する
液晶(図示せず。)の配向を任意に可変し、光透過率を
調整して所望の画像が作り出す。画素電極30に伝えら
れた映像信号電圧は、画素電極30と共通電極31との
間に絶縁膜を誘電体として形成される蓄積容量により、
次の映像信号印可タイミングまでの間保持される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の製造過
程においては、基板の帯電が生じる場合がある。例え
ば、一般的な成膜工程であるスパッタリング工程や、フ
ォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程などで
基板が電界にさらされることに起因した帯電や、搬送途
中の剥離帯電などの基板帯電が挙げられる。このような
基板帯電が生じると、共通電極に電荷が溜まり静電気が
生じるおそれがある。
【0007】従来の液晶表示装置においては、共通電極
31と共通電極信号供給線28とが一体化されており、
画素領域外から内に及ぶ大面積の櫛型電極として形成さ
れている。このような大面積の電極が存在すると、基板
帯電時に共通電極31に溜まる電荷が大きくなるため、
大きな静電気が発生し、画素領域内で交差する映像信号
供給線25との間に介在する絶縁膜の静電気に起因した
絶縁破壊が生じやすいという問題があった。
【0008】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、静電気による絶縁破壊などの発生を抑制し、歩
留まり良く製造することが可能な液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置は、透明基板に複数の画素電
極が行列状に配置され、前記画素電極の各々に対応する
ように複数のスイッチング素子が配置された液晶表示装
置であって、前記透明基板の上方に、前記画素電極と絶
縁膜を介して対向するように形成された共通電極と、前
記共通電極の一端と電気的に接続された第1の共通電極
信号供給線と、前記共通電極の他端と電気的に接続され
た第2の共通電極信号供給線とを備え、前記共通電極
が、前記第1の共通電極信号供給線および前記第2の共
通電極信号供給線から分離した別の部材として形成され
ていることを特徴とする。ここで、部材Aが部材Bから
「分離」するとは、部材Aと部材Bとが、パターン的に
一体化されておらず、互いに独立していることを意味す
る。
【0010】このような構成の液晶表示装置は、製造過
程における基板帯電時に共通電極に溜まる電荷を小さく
することが可能な構造を有するため、静電気による配線
ショートなどの不良を抑制し、歩留まり良く製造するこ
とが可能であるという利点を有する。
【0011】前記液晶表示装置においては、共通電極と
第1の共通電極信号供給線とが、前記共通電極および前
記第1の共通電極信号供給線よりも上方に形成された第
1の接続部を介して、電気的に接続されていることが好
ましい。また、共通電極と第2の共通電極信号供給線と
が、前記共通電極および前記第2の共通電極信号供給線
よりも上方に形成された第2の接続部を介して、電気的
に接続されていることが好ましい。ここで、「(部材
A)よりも上方」とは、透明基板の画素電極が形成され
た側の表面を上面としたとき、透明基板の上面からの距
離が部材Aよりも大きいことを意味する。
【0012】前記目的を達成するため、本発明の液晶表
示装置の製造方法は、透明基板に複数の画素電極が行列
状に配置され、前記画素電極の各々に対応するように複
数のスイッチング素子が配置された液晶表示装置の製造
方法であって、前記透明基板上に共通電極を形成する工
程と、前記透明基板上に第1の共通電極信号供給線を形
成する工程と、前記透明基板の前記共通電極よりも上方
に第2の共通電極信号供給線を形成する工程と、前記画
素電極を前記共通電極と絶縁膜を介して対向するように
形成する工程とを含み、前記共通電極を前記第1の共通
電極信号供給線および前記第2の共通電極信号供給線か
ら分離した別の部材として形成し、前記第2の共通電極
信号供給線を形成する工程の後に、前記共通電極の一端
を前記第1の共通電極信号供給線と電気的に接続し、前
記共通電極の他端を前記第2の共通電極信号供給線と電
気的に接続することを特徴とする。
【0013】このような製造方法によれば、共通電極と
共通電極信号供給線とを離間させて比較的小面積の電極
として形成し、両者の電気的接続は、基板帯電の生じや
すい工程である第2の共通電極信号供給線形成工程の後
に実施するため、基板帯電時に共通電極に溜まる電荷を
小さくして、静電気による配線ショートなどの不良を抑
制することができ、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【0014】前記製造方法においては、第2の共通電極
信号供給線を形成する工程の後に、共通電極および第1
の共通電極信号供給線よりも上方に第1の接続部を形成
し、前記共通電極と前記第1の共通電極信号供給線とを
前記第1の接続部を介して電気的に接続することが好ま
しい。また、第2の共通電極信号供給線を形成する工程
の後に、共通電極および第2の共通電極信号供給線より
も上方に第2の接続部を形成し、前記共通電極と前記第
2の共通電極信号供給線とを前記第2の接続部を介して
電気的に接続することが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置は、画素電
極およびスイッチング素子を備えた第1の透明基板と、
対向電極を備えた第2の透明基板とが、液晶層を介し
て、互いに対向するように配置されて構成される。図1
は、本発明に係る液晶表示装置を構成する第1の透明基
板の一例を示す平面図である。また、図2は、図1のA
−A’に沿った断面図であり、図3は、図1のB−B’
に沿った断面図である。なお、図1においては、簡単の
ため画素電極が2×2個配置された図を示しているが、
本発明はこれに限定されるものではない。
【0016】以下、これらの図面を用いて、本発明に係
る液晶表示装置について説明する。透明基板(例えば、
ガラス基板)1上に、複数の画素電極10が行列状に配
置されており、各画素電極10に対応するように複数の
薄膜トランジスタ(TFT)が配置されている。以下、
透明基板の画素電極およびTFTが行列状に配置された
領域を「画素領域」とする。
【0017】各TFTは、透明基板1上に形成されたゲ
ート電極と、ゲート電極上に絶縁膜3を介して形成され
た半導体層4と、半導体層4と電気的に接続されたソー
ス電極およびドレイン電極9とで構成されている。
【0018】ゲート電極は、特定方向(以下、「行方
向」とする。)に隣接する別のTFTのゲート電極と一
体化した形状に形成される。例えば、図1に示すよう
に、行方向に伸びた長矩形の導電層2として形成するこ
とができる。この導電層2は、ゲート電極としての機能
に加えて、行方向に配列した複数のゲート電極を電気的
に接続し、これらのゲート電極に走査信号を供給する配
線としての機能を果たす。以下、この導電層2を「走査
信号供給線」とする。
【0019】一方、ソース電極は、行方向と直交する方
向(以下、「列方向」とする。)に隣接する別のTFT
のソース電極と一体化した形状に形成される。例えば、
図1に示すように、ソース電極として機能する部分を櫛
の歯に見立てた、櫛形の導電層5として形成することが
できる。櫛の胴に相当する部分は、列方向に配列した複
数のソース電極を電気的に接続し、これらに対応する画
素電極にドレイン電極を介して映像信号を供給する配線
として機能する。以下、この櫛形導電層5を「映像信号
供給線」とする。
【0020】画素電極10は、TFTを被覆するように
形成されたパッシベーション膜である絶縁膜6上に形成
されており、対応するTFTのドレイン電極9とコンタ
クトホール7を介して電気的に接続されている。
【0021】更に、画素領域には、複数の画素電極10
が行方向に配列してなす各行に対応するように共通電極
11が配置されている。共通電極11は、行方向に伸び
る電極であり、絶縁膜3および6を介して画素電極10
と対向するように形成されている。
【0022】また、透明基板1には、共通電極11に電
位信号を供給するための共通電極信号供給線8および1
2が配置されている。共通電極信号供給線8および12
は列方向に伸びる配線であり、画素領域外、すなわち第
1列および最終列を構成する画素電極よりも外側の領域
に配置されている。
【0023】図3に示すように、共通電極信号供給線8
は共通電極11と同層で形成され、共通電極信号供給線
12は共通電極11よりも上方の層で形成される。ま
た、共通電極11、共通電極信号供給線8および12上
には、絶縁膜3および6が形成されている。なお、「同
層」とは、同一工程で成膜され得る層を意味し、「(共
通電極)よりも上方の層」とは、共通電極を構成する層
よりも上方に形成される層、すなわち共通電極を構成す
る層よりも後に成膜され得る層を意味する。
【0024】本発明の液晶表示装置においては、共通電
極11と、共通電極信号供給線8および12とは、パタ
ーン的に独立した別の部材として、互いに離間するよう
に配置されている。共通電極11と、共通電極信号供給
線8および12との間の電気的な接続は、共通電極1
1、共通電極信号供給線8および12よりも上方の層で
形成された接続部13を用いて達成されている。接続部
13は、映像信号供給線5よりも上方の層で形成される
ことが好ましく、更には画素電極10と同層で形成され
ることが好ましい。この場合、絶縁膜3および6には共
通電極11と共通電極信号供給線8および12の上方に
相当する部分にコンタクトホールが形成され、このコン
タクトホールおよび接続部13を介して共通電極11と
共通電極信号供給線8および12とが電気的に接続され
る。
【0025】なお、本液晶表示装置を構成する各部材の
材料については、特に限定するものではなく、従来使用
されているものと同様の材料を使用することができる。
具体的には、後の製造方法についての説明において例示
するような材料を使用することができる。
【0026】以上のように構成された液晶表示装置につ
いてその動作を説明する。まず、走査信号供給線2に走
査信号電圧が印加され、TFTの半導体層4にチャンネ
ルが形成される。次に、映像信号供給線5に映像信号電
圧が印加されると、この電圧がTFTを介して画素電極
10に伝わり、画素電極10と対向する対向電極(図示
せず。)との間に電界を発生させ、画素電極と対向電極
の間に存在する液晶(図示せず。)の配向を任意に可変
し、光透過率を調整して所望の画像が作り出される。画
素電極10に伝えられた映像信号電圧は、画素電極10
と共通電極11との間に絶縁膜3を誘電体として形成さ
れる蓄積容量により、次に映像信号が印可される時まで
保持される。
【0027】次に、本液晶表示装置の製造方法の一例を
説明する。まず、透明基板1上に第1の導電膜を堆積形
成する。第1の導電膜としては、例えば、Cr、Ta、
Mo、Alまたはこれらの合金などを使用することがで
き、膜厚は200〜300nm程度とすることが適当で
ある。また、第1の導電膜の形成方法としては、例え
ば、スパッタリング法を採用することができる。次に、
第1の導電膜をフォトリソグラフィーおよびエッチング
にてパターニングし、走査信号供給線2、共通電極信号
供給線8および共通電極11を形成する。このとき、共
通電極信号供給線8と共通電極11とは互いにパターン
的に独立させて、離間させて形成する。
【0028】次に、絶縁膜3を形成した後、絶縁膜3上
に半導体層4を形成する。絶縁膜3としては、例えば、
シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などを使用するこ
とができ、膜厚は300〜400nm程度とするのが適
当である。また、半導体層4としては、例えば、アモル
ファスシリコンなどを使用することができ、膜厚は20
0〜300nm程度とするのが適当である。また、絶縁
膜3および半導体層4の形成方法としては、例えばCV
D法を採用することができる。
【0029】次に、半導体層4および絶縁膜3上に、第
2の導電膜を堆積形成する。第2の導電膜としては、例
えば、Cr、Ta、Mo、Alまたはこれらの合金など
を使用することができ、膜厚は200〜300nm程度
とすることが適当である。また、第2の導電膜の形成方
法としては、例えば、スパッタリング法を採用すること
ができる。続いて、第2の導電膜をパターニングし、ド
レイン電極9、映像信号供給線5および共通電極信号供
給線12を形成する。このように、共通電極信号供給線
12は、共通電極11とは異なる層で形成されるため、
当然のことながら独立した別の部材として形成されるこ
ととなる。
【0030】更に、絶縁膜6を形成したあと、共通電極
11の両端部と、共通電極信号供給線8および12の共
通電極11に近接する部分とに、各々、コンタクトホー
ルを形成する。絶縁膜6としては、シリコン酸化物、シ
リコン窒化物、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリカーボネートまたはこれらの積層膜を使用する
ことができ、その膜厚は200〜4000nm程度とす
ることが適当である。また、絶縁膜6の形成としては、
例えば、無機材料を使用する場合はCVD法、有機材料
を使用する場合は塗布によって実施することができる。
【0031】その後、第3の導電膜を形成した後、これ
をパターニングして、画素電極10および接続部13を
形成する。同時に接続部13によって、互いに離間する
ように配置された共通電極11と共通電極信号供給線
8、および、共通電極11と共通電極信号供給線12と
を、各々、コンタクトホールを介して電気的に接続す
る。第3の導電膜としては、例えば、インジウム錫酸化
物(ITO)などを使用することができ、膜厚は50〜
200nm程度とすることが適当である。また、第3の
導電膜の形成方法としては、例えば、スパッタリング法
を採用することができる。
【0032】このように、共通電極と共通電極信号供給
線とを離間させて比較的小面積の電極として形成してお
き、両者を基板帯電の生じやすい工程である第2の導電
膜の成膜工程を実施した後に接続することにより、基板
帯電時に共通電極に溜まる電荷を小さくすることができ
る。
【0033】更に、上記各工程を経た透明基板を、慣用
の方法によって、対向電極が形成された別の透明基板と
貼り合わせた後、基板間の間隙に液晶を封入することに
より、液晶表示装置が製造される。
【0034】なお、上記製造方法において、スパッタリ
ング法またはCVD法などの成膜、フォトリソグラフー
およびエッチングは、基本的に常法に従って実施するこ
とができ、その操作および条件について特に限定するも
のではない。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置は、透明基板に複数の画素電極が行列状に配置さ
れ、前記画素電極の各々に対応するように複数のスイッ
チング素子が配置された液晶表示装置であって、前記透
明基板の上方に、前記画素電極と絶縁膜を介して対向す
るように形成された共通電極と、前記共通電極の一端と
電気的に接続された第1の共通電極信号供給線と、前記
共通電極の他端と電気的に接続された第2の共通電極信
号供給線とを備え、前記共通電極が、前記第1の共通電
極信号供給線および前記第2の共通電極信号供給線から
分離した別の部材として形成されているため、製造過程
で発生する静電気による配線ショート不良を抑制し、歩
留まり良く製造することが可能な構造を有している。
【0036】また、本発明の製造方法によれば、透明基
板に複数の画素電極が行列状に配置され、前記画素電極
の各々に対応するように複数のスイッチング素子が配置
された液晶表示装置の製造方法であって、前記透明基板
上に共通電極を形成する工程と、前記透明基板上に第1
の共通電極信号供給線を形成する工程と、前記透明基板
の前記共通電極よりも上方に第2の共通電極信号供給線
を形成する工程と、前記画素電極を前記共通電極と絶縁
膜を介して対向するように形成する工程とを含み、前記
共通電極を前記第1の共通電極信号供給線および前記第
2の共通電極信号供給線から分離した別の部材として形
成し、前記第2の共通電極信号供給線を形成する工程の
後に、前記共通電極の一端を前記第1の共通電極信号供
給線と電気的に接続し、前記共通電極の他端を前記第2
の共通電極信号供給線と電気的に接続するため、静電気
による配線ショート不良の発生を抑制し、歩留まりを向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る液晶表示装置の構造の一例を示
す部分平面図である。
【図2】 図1におけるA−A’断面図である。
【図3】 図1におけるB−B’断面図である。
【図4】 従来の液晶表示装置の構造を示す部分断面図
である。
【図5】 図4におけるC−C’断面図である。
【符号の説明】
1、21 透明基板 2、22 走査信号供給線 3、23 絶縁膜 4、24 半導体層 5、25 映像信号供給線 6、26 絶縁膜 7、27 コンタクトホール 8、28 共通電極信号供給線 9、29 ドレイン電極 10、30 画素電極 11、31 共通電極 12、32 共通電極信号供給線 13、33 接続部
フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 JA25 JA33 JA35 JB27 JB32 JB36 JB56 JB57 JB79 KA05 KA12 KA18 KB04 MA05 MA07 MA37 NA14 NA16 NA29 5C094 AA31 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板に複数の画素電極が行列状に配
    置され、前記画素電極の各々に対応するように複数のス
    イッチング素子が配置された液晶表示装置であって、前
    記透明基板の上方に、前記画素電極と絶縁膜を介して対
    向するように形成された共通電極と、前記共通電極の一
    端と電気的に接続された第1の共通電極信号供給線と、
    前記共通電極の他端と電気的に接続された第2の共通電
    極信号供給線とを備え、前記共通電極が、前記第1の共
    通電極信号供給線および前記第2の共通電極信号供給線
    から分離した別の部材として形成されていることを特徴
    とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 共通電極と第1の共通電極信号供給線と
    が、前記共通電極および前記第1の共通電極信号供給線
    よりも上方に形成された第1の接続部を介して、電気的
    に接続されている請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 共通電極と第2の共通電極信号供給線と
    が、前記共通電極および前記第2の共通電極信号供給線
    よりも上方に形成された第2の接続部を介して、電気的
    に接続されている請求項1または2に記載の液晶表示装
    置。
  4. 【請求項4】 透明基板に複数の画素電極が行列状に配
    置され、前記画素電極の各々に対応するように複数のス
    イッチング素子が配置された液晶表示装置の製造方法で
    あって、前記透明基板上に共通電極を形成する工程と、
    前記透明基板上に第1の共通電極信号供給線を形成する
    工程と、前記透明基板の前記共通電極よりも上方に第2
    の共通電極信号供給線を形成する工程と、前記画素電極
    を前記共通電極と絶縁膜を介して対向するように形成す
    る工程とを含み、前記共通電極を前記第1の共通電極信
    号供給線および前記第2の共通電極信号供給線から分離
    した別の部材として形成し、前記第2の共通電極信号供
    給線を形成する工程の後に、前記共通電極の一端を前記
    第1の共通電極信号供給線と電気的に接続し、前記共通
    電極の他端を前記第2の共通電極信号供給線と電気的に
    接続することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 第2の共通電極信号供給線を形成する工
    程の後に、共通電極および第1の共通電極信号供給線よ
    りも上方に第1の接続部を形成し、前記共通電極と前記
    第1の共通電極信号供給線とを前記第1の接続部を介し
    て電気的に接続する請求項4に記載の液晶表示装置の製
    造方法。
  6. 【請求項6】 第2の共通電極信号供給線を形成する工
    程の後に、共通電極および第2の共通電極信号供給線よ
    りも上方に第2の接続部を形成し、前記共通電極と前記
    第2の共通電極信号供給線とを前記第2の接続部を介し
    て電気的に接続する請求項4または5に記載の液晶表示
    装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101027842B1 (ko) * 2003-12-16 2011-04-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8587506B2 (en) 2005-03-07 2013-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2014115810A1 (ja) * 2013-01-25 2014-07-31 シャープ株式会社 半導体装置

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