JP2001085748A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
よって半導体発光体からの光の取り出し効率を低下させ
ないようにすることができる発光装置を提供する。 【解決手段】 枠体7に通孔1を形成する。通孔1内に
半導体発光体2を配置する。半導体発光体2を透光性材
料6で覆った発光装置に関する。枠体7を硬い部位8と
硬い部位8よりも軟らかい部位9とで形成する。透明性
材料6の硬化時の収縮による変位や温度変化による熱膨
張及び熱収縮による硬い部位8の変位を軟らかい部位9
の伸縮で吸収緩和することができる。
Description
表示するための表示装置及び照明装置などとして利用さ
れる発光装置(発光素子)に関するものである。
略することがある)やレーザーダイオードや半導体レー
ザーなどに代表される半導体発光体が発光光源として利
用されている。特に、発光ダイオードは長寿命な小型光
源としてサイン光源用途やディスプレイ光源用途として
広く利用されている。一般的にLEDを用いた発光装置
はリードフレーム上にLEDチップをマウントし、LE
Dチップの周囲をエポキシ樹脂などの透光性材料で封止
する構造を取っている。封止する目的は、LEDチップ
自身やLEDチップに接続しているボンディングワイヤ
ーを機械的衝撃から保護すること、アルミニウム−イン
ジウム−ガリウム−リン系(AlInGaP)などの4元系L
EDのように水分によって劣化するLEDチップを水分
の混入から保護すること、LEDチップの周囲を空気と
比較して屈折率の高い樹脂で覆うことによって、LED
チップの内部で発生した光の内部反射を防いで効率よく
光をチップから取り出すことなどであって、従来、こう
いった条件を満たす封止材料としてエポキシ樹脂が用い
られてきた。
ウント部分を凹面鏡形状とすることなどにより、LED
チップの近傍に反射鏡構造を設け、LEDチップから放
出された光の発光装置外への取り出し効率の向上や配光
制御を狙う場合もある。発光装置の配光を精度良く実現
するためには、LEDチップの近傍にはしっかりとした
反射面を形成する必要があり、軟らかい部材のみでの封
止では十分な配光特性を得ることができない。従って、
一般的には十分な硬度を持つエポキシ樹脂を主なる封止
材料として用い、反射面としてはリードフレームの金属
面を利用している。
チップ内の格子欠陥が増加し発光効率が低下するという
問題がある。特に、上記のような4元系LEDではその
影響が顕著である。従って、LEDチップを樹脂で封止
する際には、樹脂の硬化収縮などによる応力がチップに
かからないようにしたり、温度変化での部材の熱膨張に
よる応力を緩和する工夫が重要である。従来、発光装置
はこういった応力を緩和するために、封止材料として硬
化時の収縮が小さく、熱膨張率が小さいエポキシ系の樹
脂を用いてきた。また、LEDチップを一度シリコーン
樹脂などのような軟らかい材料で封止したうえで、その
外側をエポキシ樹脂などで封止するといった手法も採用
されてきた。そして、従来の発光装置はその形状が比較
的小さい砲弾型の点発光タイプのものが主流であったこ
ともあり、上記のような手法で硬化時の収縮や熱膨張に
よるLEDチップヘの応力は比較的小さく抑えることが
できていた。
上しており、発光装置は表示用光源のみならず、照明用
光源としての利用も考えられ始めている。照明用用途を
考えた場合、基板上に複数個のLEDチップをアレイ状
にマウントし、面光源とすることで光束を稼ぐという方
法が実用的である。図3に示すように、このような発光
装置を考えた場合、基板5の上にアレイ状にマウントし
たLEDチップ4に対し、反射板を兼ねた枠体7を配置
し、1面をまとめてエポキシ樹脂等の封止樹脂3で封止
するのが作製方法としては簡便である。
を有する樹脂封止構造の場合、樹脂の硬化時の収縮や熱
膨張による変位が大きく、LEDチップ4ヘの応力を従
来の手法で十分に低減することは困難である。透明のエ
ポキシ樹脂を封止樹脂3として用いた一例を示してみる
と、硬化時の線収縮率は約1.7%であり、100mm
□(100mm角)の樹脂封止部分を持つ発光装置の場
合、中央に対して端部は1.2mmもの収縮が生じるこ
とになる。実際には基板5と接着しているのでこれほど
のずれは生じないが、この収縮に伴う応力がかなりLE
Dチップ4にかかることになる。また熱膨張の観点から
見た場合、線膨張係数75×10-6/℃とすると、同じ
く100mm□の発光装置の場合は中央に対して端部は
0.2mmの膨張が生じることになる。この熱膨張の影
響も、LEDチップ4ヘの応力による発光効率低下とい
う問題となって顕在化してくる。
コーン樹脂などの軟らかい樹脂で覆った上でエポキシ樹
脂などの封止樹脂3で封止する方法は、LEDチップ4
ヘの応力を低減するために効果的である。しかし、シリ
コーン樹脂の屈折率は1.40程度であり、エポキシ樹
脂の1.58に比較するとかなり低い。LEDチップ4
自体の屈折率は約2.8であり、LEDチップ4の内部
で発生した光を効率良く取りたすためには、より屈折率
の高い材料で周囲を覆うことが望ましい。その点から見
て、エポキシ樹脂に比較して屈折率が低いシリコーン樹
脂で封止することは、発光装置の発光効率の面から見て
あまり好ましいとは言えない。このように、従来の封止
方法では、LEDチップ4を基板5上にアレイ状に配置
して形成される発光装置の発光効率を高いままに作製す
るのは困難であった。
みてなされたものであり、半導体発光体にかかる応力を
低減することによって半導体発光体からの光の取り出し
効率を低下させないようにすることができる発光装置を
提供することを目的とするものである。
発光装置は、枠体7に通孔1を形成し、通孔1内に半導
体発光体2を配置し、半導体発光体2を透光性材料6で
覆った発光装置において、枠体7を硬い部位8と硬い部
位8よりも軟らかい部位9とで形成して成ることを特徴
とするものである。
請求項1の構成に加えて、軟らかい部位9がバネ性を有
して成ることを特徴とするものである。
請求項1又は2の構成に加えて、軟らかい部位9をシリ
コーン樹脂で形成して成ることを特徴とするものであ
る。
請求項1乃至3のいずれかの構成に加えて、透光性材料
6がエポキシ樹脂であって、通孔1内に透光性材料6を
充填して半導体発光体2を封止して成ることを特徴とす
るものである。
請求項1乃至4のいずれかの構成に加えて、硬い部位8
を硬質プラスチックで形成して成ることを特徴とするも
のである。
請求項1乃至5のいずれかの構成に加えて、通孔1の内
面にアルミニウム蒸着による鏡面加工を施して反射面1
0を形成して成ることを特徴とするものである。
請求項1乃至6のいずれかの構成に加えて、硬い部位8
と軟らかい部位9を一体成形することによって枠体7を
形成して成ることを特徴とするものである。
請求項1乃至7のいずれかの構成に加えて、通孔1を有
する枠部材11で硬い部位8を形成し、軟らかい部位9
として形成される連結部12で複数個の枠部材11を連
結することによって枠体7を形成して成ることを特徴と
するものである。
請求項8の構成に加えて、連結部12を蛇腹構造に形成
して成ることを特徴とするものである。
する。
基板5はプリント配線板等の回路板で形成されるもので
あって、半導体発光体2と接続される回路が形成されて
いる。この基板5の表面(上面)には半導体発光体2で
ある複数個のLEDチップ4がアレイ状にマウントされ
ている。すなわち、所定の間隔を介して複数個のLED
チップ4を縦横に配列して基板5の表面に配置すると共
に基板5の回路とLEDチップ4をボンディングワイヤ
20でボンディングすることによって、LED基板が形
成されている。そして、基板5の表面には枠体7が配設
されている。
部材11と軟らかい部位9を構成する連結部12とで形
成されている。枠部材11はその材料が特に限定される
ものではないが、枠体7の形状を保持する程度の機械的
強度(剛性)を有する材料、例えば、アルミニウムなど
の硬質の金属材料やABS樹脂などの硬質の樹脂材料
(硬質プラスチック)で円盤形状(円柱形状)に形成さ
れており、その略中央部には略円形の通孔1が表裏面
(上下面)に貫通して設けられている。この通孔1は裏
面側(下側)ほど径が小さくなるように形成されてお
り、このため、通孔1の内面(通孔1を構成する面)は
テーパー形状に形成されている。また、枠部材11が金
属材料で形成されている場合、通孔1の内面には研磨等
の鏡面加工が施されており、通孔1の内面はLEDチッ
プ4で発生した光を反射しやすい反射面10として形成
されている。一方、枠部材11が樹脂材料で形成されて
いる場合、通孔1の内面にはアルミニウム蒸着による鏡
面加工が施されており、通孔1の内面はLEDチップ4
で発生した光を反射しやすい反射面10として形成され
ている。
部材11を縦横に所定の間隔を介して配列すると共に隣
り合う枠部材11の間に連結部12を枠部材11の外周
面に密着させて設け、複数個の枠部材11を連結部12
で連結して一体化することによって、枠体7が形成され
ている。枠部材11はその略中心が上記のLEDチップ
4のピッチと略同じになるように配列されている。ま
た、連結部12はその材料が特に限定されるものではな
いが、枠部材11の材料やLEDチップ4を封止する透
明性材料6と比較して軟らかくてバネ性を有する軟質の
樹脂材料で形成されている。連結部12を形成する樹脂
材料としては硬度の種類が豊富で所望の硬度のものを選
択しやすいシリコーン樹脂などを用いることができる。
この連結部12の厚み寸法は枠部材1の厚み寸法よりも
小さく形成されており、連結部12の表面と枠部材1の
表面を略面一にして連結部12の裏面よりも枠部材1の
裏面が下側に突出するように形成されている。
るにあたっては、まず、上記の枠体7を基板5の表面に
密着させて設ける。この時、枠体7の各通孔1に基板5
の表面に設けたLEDチップ4を一個ずつ収めるように
して枠体7を基板5に配置する。次に、通孔1内に透光
性材料6を充填することによって、透明性材料6でLE
Dチップ4を封止して覆う。この充填された透明性材料
6は上記のようなLEDチップ4の保護の他に、LED
チップ4から発生した光の配光を制御するレンズのよう
な作用をするものである。透明性材料6としては透明の
エポキシ樹脂など、透明の熱硬化性樹脂などを用いるこ
とができ、硬化前に通孔1内に流し込んだ後、通孔1内
で熱等で硬化させるようにする。また、透明性材料6の
硬化によって、枠体7の硬い部位8である枠部材11の
部分が基板5と接着されて枠体7が基板5の表面に固定
されることになる。また、上記のように、連結部12の
裏面よりも枠部材1の裏面が下側に突出するように形成
されているので、連結部12の裏面が基板5の表面と接
触しないことになり、連結部12と基板5が透明性材料
6で接着されず、枠部材11のみが基板5と接着される
ことになり、また、連結部12と基板5の間に摩擦が生
じないものである。従って、連結部12の伸縮が接着や
摩擦で損なわれないようにすることができ、連結部12
の伸縮による応力の吸収緩和が低下しないようにするこ
とができるものである。
い部位8である枠部材11と軟らかい部位9である連結
部12とで枠体7を形成し、枠部材11に通孔1を形成
し、枠体7を基板5の表面に配設し、通孔1内において
基板5の表面に半導体発光体2であるLEDチップ4を
設け、通孔1内にエポキシ樹脂である透光性材料6を充
填してLEDチップ4を透光性材料6で封止するように
したので、通孔1内で透明性材料6が硬化する際に収縮
しても、この収縮により枠体7に発生する変位は通孔1
内の透明性材料6の部分もしくは枠部材11と基板5の
接着部分でしか生じず、しかも、通孔1内の透明性材料
6の部分もしくは枠部材11と基板5の接着部分で生じ
た変位は、隣り合う透明性材料6の部分の間(すなわち
隣り合う枠部材11の間)に位置する連結部12の伸縮
によって吸収される。従って、上記の透明性材料6の硬
化収縮による変位で生じる応力は、軟らかい部位9であ
る連結部12によって吸収緩和されるものであり、LE
Dチップ4に加わる応力はLEDチップ4の近傍で発生
した透明性材料6の硬化収縮に伴うものだけとなって、
従来のものに比べてLEDチップ4にかかる応力が軽減
されることになる。すなわち、枠体7をすべて硬い部材
で作製した場合やLEDチップ4のアレイの全体をまと
めて透明性材料6であるエポキシ樹脂で封止した場合に
比較して、LEDチップ4に加わる応力が著しく減少す
ることになり、LEDチップ4の応力による発光効率の
大幅な低下(半導体発光体からの光の取り出し効率を低
下)を防止することができるものである。
明性材料6の硬化収縮のみならず、使用時の温度変化に
よって、枠体7や基板5などの発光装置を構成する部材
が熱膨張や熱収縮を起こした場合でも、基板5の変位や
通孔1内の透明性材料6の部分もしくは枠部材11と基
板5の接着部分で生じた変位は、隣り合う透明性材料6
の部分の間(すなわち隣り合う枠部材11の間)に位置
する連結部12の伸縮によって吸収される。従って、上
記の温度変化による変位で生じる応力は、軟らかい部位
9である連結部12によって吸収緩和されるものであ
り、従来のもののように基板5の全体の熱膨張や熱収縮
で生じる応力がLEDチップ4に加わる場合に比べて、
本発明ではLEDチップ4にかかる応力が軽減されるこ
とになる。すなわち、枠体7をすべて硬い部材で作製し
た場合やLEDチップ4のアレイの全体をまとめて透明
性材料6であるエポキシ樹脂で封止した場合に比較し
て、LEDチップ4に加わる応力が著しく減少すること
になり、LEDチップ4の応力による発光効率の大幅な
低下(半導体発光体からの光の取り出し効率を低下)を
防止することができるものであり、また、LEDチップ
4の上記応力による破損を防止することができるもので
ある。
キシ樹脂である透明性材料6となっているので、従来の
応力緩和手段であるシリコーン樹脂に比較すると高屈折
率の材料がLEDチップ4に接していることになり、L
EDチップ4からの光取り出し効率が比較的高いものと
なる。さらに、反射面10は硬い部位8である枠部材1
1に形成されているので、反射面10の形状安定性が高
く、LEDチップ4から取り出された発光を精度良く発
光装置の外へと導き出すことが可能となる。また、発光
装置としての配光制御も高精度で行うことができるので
ある。仮に、枠体7の全体を軟らかい部材で形成した場
合、機械的な応力や熱膨張や熱収縮によって反射面10
の部分が容易に変形してしまうため、このような精度の
高い発光の制御は困難となるものである。また、上記の
実施の形態では、硬い部位8である枠部材11と軟らか
い部位9である連結部12とを一体化して形成される枠
体7を用いるので、発光装置を組立封止して形成する際
に部品点数が減少し、取り扱い性が容易になるという利
点もある。また、連結部12と基板5の間に形成される
空隙30に冷媒を流通させることによって、基板5を表
面側から冷却することができ、LEDチップ4の発光効
率を向上させることができるものである。
形態は枠体7以外が上記の実施の形態と同様に形成され
ている。枠体7は硬い部位8を構成する複数個の枠部材
11と軟らかい部位9を構成する連結部12とで形成さ
れているが、枠部材11と連結部12はともにABS樹
脂などの硬質の樹脂材料(硬質プラスチック)で形成さ
れており、また、枠部材11と連結部12は射出成形や
注型成形等などの一体成形により形成されている。枠部
材11は四角盤形状(四角柱形状)に形成されており、
その略中央部には略円形の通孔1が表裏面(上下面)に
貫通して設けられている。この通孔1は裏面側(下側)
ほど径が小さくなるように形成されており、このため、
通孔1の内面(通孔1を構成する面)はテーパー形状に
形成されている。また、通孔1の内面にはアルミニウム
蒸着による鏡面加工が施されており、通孔1の内面はL
EDチップ4で発生した光を反射しやすい反射面10と
して形成されている。
配列する複数個の枠部材11の隣り合う枠部材11の間
に設けられて枠部材11の外面の上部に一体に連設され
ており、複数個の枠部材11を連結部12で連結して一
体化することによって、枠体7が形成されている。枠部
材11はその略中心が上記のLEDチップ4のピッチと
略同じになるように配列されている。また、連結部12
は薄板が上下に屈曲したような形状で上下に屈曲する蛇
腹構造に形成されている。従って、連結部12は隣り合
う枠部材11の近接離間方向においてバネ性を有して形
成されている。
るにあたっては、上記の実施の形態と同様に、枠体7の
各通孔1に基板5の表面に設けたLEDチップ4を一個
ずつ収めるようにして枠体7を基板5の表面に密着させ
て設け、次に、通孔1内に透光性材料6を充填すること
によって、透明性材料6でLEDチップ4を封止して覆
い、透明性材料6の硬化によって枠体7の枠部材11を
基板5に接着して枠体7を基板5の表面に固定する。こ
のようにして発光装置を形成することができる。
に、透明性材料6の硬化時の収縮による変位や温度変化
による熱膨張及び熱収縮による基板5や枠体7の変位を
連結部12の伸縮によって吸収緩和することができ、L
EDチップ4に加わる応力が著しく減少することにな
り、LEDチップ4の応力による発光効率の大幅な低下
(半導体発光体からの光の取り出し効率を低下)を防止
することができるものである。また、枠部材11と連結
部12を樹脂の一体成形により同時に形成することがで
き、枠体7の作製工程や作製時間を上記実施の形態のも
のよりも大幅に減らすことができるものである。
は、枠体に通孔を形成し、通孔内に半導体発光体を配置
し、半導体発光体を透光性材料で封止して覆った発光装
置において、枠体を硬い部位と硬い部位よりも軟らかい
部位とで形成するので、透明性材料の硬化時の収縮によ
る変位や温度変化による熱膨張及び熱収縮による硬い部
位の変位を軟らかい部位の伸縮で吸収緩和することがで
き、この吸収緩和で半導体発光体にかかる応力を低減す
ることによって半導体発光体からの光の取り出し効率を
低下させないようにすることができるものである。
い部位がバネ性を有しているので、透明性材料の硬化時
の収縮による変位や温度変化による熱膨張及び熱収縮に
よる硬い部位の変位を軟らかい部位の伸縮で確実に吸収
緩和することができ、この吸収緩和で半導体発光体にか
かる応力を低減することによって半導体発光体からの光
の取り出し効率を低下させないようにすることができる
ものである。
い部位をシリコーン樹脂で形成するので、軟らかい部位
の硬度を容易に設定することができ、軟らかい部位にお
ける応力の吸収緩和の能力を簡単に調整することができ
るものである。
材料がエポキシ樹脂であって、通孔内に透光性材料を充
填して半導体発光体を封止するので、半導体発光体を機
械的衝撃や水分から保護することができ、また、半導体
発光体で発生した光の内部反射を防いで効率よく光をチ
ップから取り出すことができ、長期にわたって高い発光
能力を維持することができるものである。
位を硬質プラスチックで形成するので、半導体発光体を
機械的衝撃から保護することができ、破損しにくくする
ことができるものである。
内面にアルミニウム蒸着による鏡面加工を施して反射面
を形成するので、半導体発光体で発生した光を通孔の内
面の反射面で反射することができ、半導体発光体からの
光の取り出し効率を高くすることができるものである。
位と軟らかい部位を一体成形することによって枠体を形
成するので、硬い部位と軟らかい部位を一回の成形で同
時に形成することができ、枠体の作製工程や作製時間を
減らすことができるものである。
有する枠部材で硬い部位を形成し、軟らかい部位として
形成される連結部で複数個の枠部材を連結することによ
って枠体を形成するので、透明性材料の硬化時の収縮に
よる変位や温度変化による熱膨張及び熱収縮による枠部
材の変位を連結部の伸縮で吸収緩和することができ、こ
の吸収緩和で半導体発光体にかかる応力を低減すること
によって半導体発光体からの光の取り出し効率を低下さ
せないようにすることができるものである。しかも、通
孔内に配置された半導体発光体を硬い枠部材で保護する
ことができ、半導体発光体の破損を防止することができ
るものである。
を蛇腹構造に形成するので、透明性材料の硬化時の収縮
による変位や温度変化による熱膨張及び熱収縮による硬
い部位の変位を軟らかい部位の伸縮で確実に吸収緩和す
ることができ、この吸収緩和で半導体発光体にかかる応
力を低減することによって半導体発光体からの光の取り
出し効率を低下させないようにすることができるもので
ある。
面図、(b)は平面図である。
断面図、(b)は平面図である。
図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 枠体に通孔を形成し、通孔内に半導体発
光体を配置し、半導体発光体を透光性材料で覆った発光
装置において、枠体を硬い部位と硬い部位よりも軟らか
い部位とで形成して成ることを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 軟らかい部位がバネ性を有して成ること
を特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 【請求項3】 軟らかい部位をシリコーン樹脂で形成し
て成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装
置。 - 【請求項4】 透光性材料がエポキシ樹脂であって、通
孔内に透光性材料を充填して半導体発光体を封止して成
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の
発光装置。 - 【請求項5】 硬い部位を硬質プラスチックで形成して
成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載
の発光装置。 - 【請求項6】 通孔の内面にアルミニウム蒸着による鏡
面加工を施して反射面を形成して成ることを特徴とする
請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項7】 硬い部位と軟らかい部位を一体成形する
ことによって枠体を形成して成ることを特徴とする請求
項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。 - 【請求項8】 通孔を有する枠部材で硬い部位を形成
し、軟らかい部位として形成される連結部で複数個の枠
部材を連結することによって枠体を形成して成ることを
特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装
置。 - 【請求項9】 連結部を蛇腹構造に形成して成ることを
特徴とする請求項8に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP26029899A JP2001085748A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 発光装置 |
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JP26029899A JP2001085748A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 発光装置 |
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ID=17346109
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---|---|---|---|
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JP (1) | JP2001085748A (ja) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10324909A1 (de) * | 2003-05-30 | 2005-01-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
WO2004032571A3 (de) * | 2002-09-30 | 2005-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul mit leuchtdioden sowie verfahren zu dessen herstellung |
JP2005209795A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び灯具 |
JP2006120691A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 線状光源装置 |
JP2006516764A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | タッチセンサー テクノロジーズ,エルエルシー | 集積化された薄いディスプレイ |
JP2006210724A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 射出成形回路部品とそれを用いた窓枠および発光ダイオード用パッケージ並びに射出成形回路部品の製造方法 |
WO2007034575A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
JP2007142051A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュール |
JP2008182271A (ja) * | 2003-01-09 | 2008-08-07 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
WO2006013066A3 (en) * | 2004-08-04 | 2008-12-11 | Wacker Chemie Ag | Resin-encapsulated light emitting diode and method for encapsulating light emitting diode |
JP2009059729A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JPWO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-01-21 | パナソニック株式会社 | Led光源 |
JP2010087224A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led表示装置およびled表示装置用隔壁の製造方法 |
US7767475B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-08-03 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2010529645A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 発光体を有するシリコン成形部材 |
US7850339B2 (en) | 2003-01-30 | 2010-12-14 | Touchsensor Technologies, Llc | Display having thin cross-section and/or multi-colored output |
EP2264797A2 (en) | 2005-11-21 | 2010-12-22 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Light-emitting device |
US7977697B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-07-12 | Nec Lighting, Ltd. | Light emitting device |
KR101177098B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2012-08-24 | 크루셜텍 (주) | 보조 광원 패키지 및 그의 제조 방법 |
WO2014139278A1 (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示装置 |
JP2015096875A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP2020080295A (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 同泰電子科技股▲分▼有限公司 | 隔壁を具えた光電機構の製作方法 |
JP2021057504A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2021057505A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11437429B2 (en) | 2019-09-30 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP4286930A1 (de) * | 2022-06-01 | 2023-12-06 | Continental Automotive Technologies GmbH | Anzeigevorrichtung und fortbewegungsmittel |
-
1999
- 1999-09-14 JP JP26029899A patent/JP2001085748A/ja active Pending
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004032571A3 (de) * | 2002-09-30 | 2005-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul mit leuchtdioden sowie verfahren zu dessen herstellung |
US7456500B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-11-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light source module and method for production thereof |
JP2008182271A (ja) * | 2003-01-09 | 2008-08-07 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP4574694B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
US7850339B2 (en) | 2003-01-30 | 2010-12-14 | Touchsensor Technologies, Llc | Display having thin cross-section and/or multi-colored output |
JP2006516764A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-07-06 | タッチセンサー テクノロジーズ,エルエルシー | 集積化された薄いディスプレイ |
US7414269B2 (en) | 2003-05-30 | 2008-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for a radiation-emitting component, method for the production thereof, and radiation-emitting component |
DE10324909A1 (de) * | 2003-05-30 | 2005-01-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
DE10324909B4 (de) * | 2003-05-30 | 2017-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement |
JP2005209795A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び灯具 |
JPWO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-01-21 | パナソニック株式会社 | Led光源 |
WO2006013066A3 (en) * | 2004-08-04 | 2008-12-11 | Wacker Chemie Ag | Resin-encapsulated light emitting diode and method for encapsulating light emitting diode |
JP2006120691A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 線状光源装置 |
JP2006210724A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 射出成形回路部品とそれを用いた窓枠および発光ダイオード用パッケージ並びに射出成形回路部品の製造方法 |
WO2007034575A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
US7956372B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-06-07 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2007142051A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュール |
US7767475B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-08-03 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
US8278678B2 (en) | 2005-11-21 | 2012-10-02 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
EP2264797A2 (en) | 2005-11-21 | 2010-12-22 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Light-emitting device |
JP2010529645A (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-26 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 発光体を有するシリコン成形部材 |
JP2009059729A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
US7977697B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-07-12 | Nec Lighting, Ltd. | Light emitting device |
US8022429B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-09-20 | Nec Lighting, Ltd. | Light emitting device |
JP2010087224A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led表示装置およびled表示装置用隔壁の製造方法 |
KR101177098B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2012-08-24 | 크루셜텍 (주) | 보조 광원 패키지 및 그의 제조 방법 |
WO2014139278A1 (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示装置 |
US9733401B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-08-15 | Leyard Optoelectronic Co., Ltd. | LED display system |
JP2015096875A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
JP2020080295A (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 同泰電子科技股▲分▼有限公司 | 隔壁を具えた光電機構の製作方法 |
JP2021057504A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2021057505A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11437429B2 (en) | 2019-09-30 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP7144682B2 (ja) | 2019-09-30 | 2022-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7144683B2 (ja) | 2019-09-30 | 2022-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11798977B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-10-24 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP4286930A1 (de) * | 2022-06-01 | 2023-12-06 | Continental Automotive Technologies GmbH | Anzeigevorrichtung und fortbewegungsmittel |
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