JP2001085707A

JP2001085707A - Ｓｉキャリアの製造方法

Info

Publication number: JP2001085707A
Application number: JP26260299A
Authority: JP
Inventors: Takuya Takaya; 卓哉孝谷
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-03-30
Anticipated expiration: 2019-09-16
Also published as: JP4122649B2

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｖ溝を形成してその先端の斜状面に反射膜を配
置する際に制約を受けにくく自由度の大きい光受信モジ
ュール用Ｓｉキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】Ｓｉ基板１上に、Ｖ溝エッチング時にエッ
チングマスクとなるシリコン窒化膜７を形成し、シリコ
ン窒化膜７の上に電気信号が伝送する線路５を形成し、
その上にシリコン酸化膜８を形成し、膜７，８にＶ溝エ
ッチング用の開口部９を形成し、開口部９からのエッチ
ングによりＳｉ基板１にＶ溝６を形成し、Ｖ溝６の内部
を含むシリコン酸化膜８全面に、光路変換のための反射
膜１０を被着し、シリコン酸化膜８の上の反射膜１０を
シリコン酸化膜８と同時に除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信用光受信
モジュールに用いられるＳｉキャリアに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信における光集積回路の低コ
スト化、小型化を図るために、光モジュールの開発が活
発となっている。特に、素子を駆動させずに素子や光フ
ァイバーをＳｉキャリア上に実装するパッシブアライメ
ント実装によるモジュール組立に注目が集まっている。

【０００３】図９は、従来の光受信モジュールを説明す
るための断面図である。５１はＳｉキャリア、５２はＳ
ｉキャリア上に形成されたＶ溝、５３は光ファイバー、
５４は側面照射型のフォトダイオードである。ここで、
Ｖ溝５２はアルカリ異方性エッチングにより高精度に形
成されているため、このＶ溝５２に固定される光ファイ
バー５３は自動的に位置決めされ、高さ方向及び横方向
の位置精度は極めて高い。また、受光素子５４には半田
リフローによるセルフアライン効果を利用したフリップ
チップ実装が用いられているため、素子を駆動させるこ
となく、パッシブアライメントにより実装が可能とな
る。

【０００４】しかしながら、この従来構造では、照射光
の光路を変換する機構を備えておらず、表面または裏面
照射型の受光素子に適用できないが、信学技報、ＥＭＤ
９６−３０、１９９６、Ｐ．３７」に記載されている技
術を用いることが可能である。この技術は、図１０に示
すように、基板６０のＶ溝６１に光ファイバー６２が固
定され、Ｖ溝６１の先端部での斜状面６３を利用し、光
ファイバー６２からの照射光の光路を変換して、受光素
子６４に表面照射するものである。

【０００５】ところが、この構造にも問題がある。それ
は、照射光の光路を効率よく変換する場合、Ｖ溝６１の
先端部での斜状面６３（光ファイバー６２の先端面と対
向する面）にミラー用の反射膜を形成する必要がある
が、Ｖ溝６１の段差（図１０中の溝深さＤ）は数１０μ
ｍ以上あるためフォトリソ工程が難しく、ミラーを良好
に形成することが困難であることである。

【０００６】この問題を解決する技術として、特開平１
０−２０１５７号公報に記載されている技術がある。こ
れは、図１１に示すように、Ｖ溝７０に形成するミラー
用斜状面７１をウエハ外周に延設するようにしてＳｉキ
ャリアを形成するというものである。これにより、ミラ
ーを形成する面が常にウエハ中心に向いているために、
ミラー用斜状面（ミラーを形成する面）７１にはレジス
トが良好に被着されてミラーの加工が良好に行われる。

【０００７】しかしながら、この方法では、制約を受け
やすく自由度が小さい。つまり、ミラーを形成する斜状
面７１を常にウエハ中心に向かわせる必要があり、Ｓｉ
キャリアの構成の制約が大きくなるとともに、ウエハ上
の配置に関する制約も大きくなる。また、Ｖ溝７０は形
成後のレジストのウエハ全面におけるカバレッジが悪い
点については改善されておらず、プロセスの自由度も小
さい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、Ｖ溝を形成してその先端の斜状面に反射膜を配置
する際に制約を受けにくく自由度の大きい光受信モジュ
ール用Ｓｉキャリアの製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、Ｓｉ基板上に、Ｖ溝エッチング時にエッチング
マスクとなる第１のマスク材が形成され、その上に第２
のマスク材が形成される。そして、第１および第２のマ
スク材にＶ溝エッチング用の開口部が形成され、開口部
からのエッチングによりＳｉ基板にＶ溝が形成される。
さらに、Ｖ溝の内部を含む第２のマスク材全面に、光路
変換のための反射膜が被着され、第２のマスク材の上の
反射膜が第２のマスク材と同時に除去される。

【００１０】このように、２層からなるマスク材を用い
てＶ溝を形成し、このマスク材を利用してＶ溝内部の全
面に反射膜を残すようにしたので、Ｖ溝形成後に反射膜
をパターニングするためのフォトリソ工程が不要とな
る。これにより、ウエハ全面においてＶ溝先端の斜状面
（反射膜形成面）の方向に関わらず光路変換のための反
射膜を良好に配置でき、Ｖ溝を形成してその先端の斜状
面に反射膜を配置する際に制約を受けにくく自由度の大
きいものとなる。

【００１１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用効果に加え、第１のマスク材を窒化
膜としたため、ＫＯＨ等アルカリ溶液への耐性があるた
め、エッチング部以外のＳｉ基板が侵食されることがな
い。

【００１２】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
または２に記載の発明の作用効果に加え、第２のマスク
材を酸化膜としたため、被着した反射膜と第２のマスク
材を除去する際に、第１のマスク材を侵食せずにバッフ
ァードフッ酸で容易に除去することが可能となる。

【００１３】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
〜３のいずれか１項に記載の発明の作用効果に加え、第
１のマスク材を形成した後に、第１のマスク材の上に電
気信号伝送用の線路が形成される。このように、線路を
第１のマスク材と第２のマスク材の間に配置したため、
Ｖ溝エッチングの際に第２のマスク材により、ＫＯＨ等
のエッチング液に晒されることがなく、線路が侵食され
ないため、良好な線路を得ることができる。

【００１４】請求項５に記載の発明によれば、Ｓｉ基板
にエッチングによりＶ溝が形成され、Ｖ溝の内部を含む
Ｓｉ基板上全面に、光路変換のための反射膜が被着され
る。そして、Ｖ溝の内部においてはＶ溝の深さよりも厚
い溝埋め材が、Ｓｉ基板全面に形成され、溝埋め材に対
する平坦化によりＶ溝内部以外の溝埋め材が除去され
る。さらに、Ｖ溝の内部に残っている溝埋め材を利用し
たエッチングによりＶ溝内部以外に形成されている反射
膜が除去される。最後に、Ｖ溝の内部に残っている溝埋
め材が除去される。

【００１５】このように、Ｖ溝形成後の反射膜エッチン
グを平坦化後に残った溝埋め材を用いて行いＶ溝内部の
全面に反射膜を残すようにしたので、Ｖ溝形成後に反射
膜をパターニングするためのフォトリソ工程が不要とな
る。これにより、ウエハ全面においてＶ溝先端の斜状面
（反射膜形成面）の方向に関わらず光路変換のための反
射膜を良好に配置でき、Ｖ溝を形成してその先端の斜状
面に反射膜を配置する際に制約を受けにくく自由度の大
きいものとなる。また、Ｖ溝形成後にＳｉ基板の平坦化
を行う製造方法としたため、線路等自由に形成でき、プ
ロセスの自由度が大きいとともにウエハ上の配置に関し
ても自由度が大きい。

【００１６】請求項６に記載の発明によれば、Ｓｉ基板
にエッチングによりＶ溝が形成され、Ｖ溝の内部を含む
Ｓｉ基板上全面に、光路変換用反射膜および電気信号伝
送用線路となる金属膜が被着される。そして、Ｖ溝の内
部においてはＶ溝の深さよりも厚い溝埋め材が、Ｓｉ基
板全面に形成され、溝埋め材に対する平坦化によりＶ溝
内部以外の溝埋め材が除去される。さらに、フォトリソ
グラフィにより、線路形成領域にのみレジストパターン
が残され、Ｖ溝内部の溝埋め材とレジストパターンを利
用したエッチングにより、Ｖ溝内部および線路形成領域
以外の金属膜が除去される。最後に、Ｖ溝の内部に残っ
ている溝埋め材が除去される。

【００１７】このように、Ｖ溝形成後の反射膜となる金
属膜エッチングを平坦化後に残った溝埋め材を用いて行
いＶ溝内部の全面に反射膜を残すようにしたので、Ｖ溝
形成後に反射膜をパターニングするためのフォトリソ工
程が不要となる。これにより、ウエハ全面においてＶ溝
先端の斜状面（反射膜形成面）の方向に関わらず光路変
換のための反射膜を良好に配置でき、Ｖ溝を形成してそ
の先端の斜状面に反射膜を配置する際に制約を受けにく
く自由度の大きいものとなる。また、Ｖ溝形成後にＳｉ
基板の平坦化を行う製造方法としたため、線路等自由に
形成でき、プロセスの自由度が大きいとともにウエハ上
の配置に関しても自由度が大きい。

【００１８】さらに、反射膜となる金属膜をパターニン
グする際に、同時に線路としてもパターニングするの
で、工数を低減することができる。ここで、請求項７に
記載の発明によれば、溝埋め材を酸化膜としているた
め、除去が容易にできる。

【００１９】また、請求項８に記載の発明によれば、溝
埋め材をポリイミドとしているため、Ｖ溝が深い場合で
も平坦化が可能である。一方、請求項９に記載の発明に
よれば、反射膜または金属膜をＡｕとしているので、光
路の変換を効率よく行うことができる。

【００２０】また、請求項１０に記載の発明によれば、
反射膜または金属膜を、Ａｕを最上層とした積層構造と
しているので、密着性の低いＳｉとＡｕの接触を防ぐこ
とが可能となる。

【００２１】また、請求項１１，１２に記載の発明によ
れば、反射膜または金属膜を、Ｔｉ／ＡｕあるいはＣｒ
／Ａｕとしているので、Ｓｉへの密着性を向上すること
ができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、この
発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明
する。

【００２３】図１は、光受信モジュールの平面図であ
る。また、図２には図１のＡ−Ａ線での縦断面を示す。
さらに、図３には、光受信モジュールの側面図（図１の
Ｂ矢視図）を示す。

【００２４】光受信モジュールは、Ｓｉ基板１、表面照
射型受光素子２、光ファイバー３、光路変換用の反射膜
４、線路（導体パターン）５から構成されている。ま
た、Ｓｉ基板１と反射膜４にてＳｉキャリアが構成され
ている。

【００２５】Ｓｉ基板１の表面（上面）にはＶ溝６が延
設されている。このＶ溝６は一端が基板側面に開口し、
他端が基板の内方に直線的に延び、かつ、先端が斜状と
なっている。Ｖ溝６には光ファイバー３が固定されてい
る。また、Ｖ溝６の先端での斜状面６ａには光路変換用
の反射膜４が形成されている。この反射膜４によって光
ファイバー３からの受信光の光軸が上下方向に変換され
る。

【００２６】このように、光受信モジュール用Ｓｉキャ
リアは、光ファイバー固定用のＶ溝６と、受光素子２の
表面照射のためにＶ溝６の先端の斜状面６ａに形成され
た光路変換用反射膜４とを備えている。

【００２７】また、Ｓｉ基板１の上面には線路５がパタ
ーニングされている。線路（配線）５は受光素子実装用
パッド５ａを有し、パッド５ａの上には表面照射型受光
素子２がフリップチップ実装されている。

【００２８】そして、光ファイバー３の受信光が反射膜
４に照射されると、その光が上下方向に変換され、表面
照射型受光素子２に照射され、この受光素子２にて電気
信号に変換される。

【００２９】次に、光受信モジュールの製造方法を説明
する。まず、図４（ａ）に示すように、ウエハ状のＳｉ
基板１を用意する。そして、Ｓｉ基板１の上に、Ｖ溝エ
ッチング時にエッチングマスクとなる第１のマスク材と
してのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）７を、厚さ５００ｎ
ｍ成膜する。さらに、図４（ｂ）に示すように、シリコ
ン窒化膜７の上に、電気信号が伝送する線路５を形成
（パターニング）する。引き続き、図４（ｃ）に示すよ
うに、その上に第２のマスク材としてのシリコン酸化膜
（ＳｉＯ₂ 膜）８を、厚さ１０００ｎｍ成膜する。

【００３０】その後、図５（ａ）に示すように、窒化膜
７および酸化膜８の積層体に対しＶ溝エッチング用の開
口部９を形成する。詳しくは、フォトリソ工程とエッチ
ングによりＳｉＮ／ＳｉＯ₂ の絶縁膜７，８に開口部９
を形成する。そして、この開口部９からのＫＯＨ等によ
るＳｉ基板１のエッチングによりＳｉ基板１にＶ溝６を
形成する。

【００３１】引き続き、図５（ｂ）に示すように、Ｖ溝
６の内部を含む酸化膜８の全面に、光路変換のための反
射膜となるＣｒ／Ａｕ膜（Ａｕを最上層とした多層膜）
１０を蒸着して、Ｖ溝６内の露出部にＣｒ／Ａｕ膜１０
を配置する。これにより、Ｖ溝６の先端の斜状面６ａに
反射膜４が配置されることとなる。なお、Ｃｒ／Ａｕ膜
（反射膜）１０の被着はスパッタでもよい。

【００３２】そして、図５（ｃ）に示すように、酸化膜
８およびその上のＣｒ／Ａｕ膜１０をエッチングにより
同時に除去する。詳しくは、フッ酸等の、ＳｉＮ膜に対
してＳｉＯ₂ 膜の方がエッチングレートが大きいエッチ
ング液を用いて、ＳｉＯ₂ 膜８およびＳｉＯ₂ 膜８上の
Ｃｒ／Ａｕ膜１０を除去する。このようして、酸化膜８
の上のＣｒ／Ａｕ膜１０が酸化膜８と同時に除去され
る。

【００３３】これにより、Ｖ溝６の内部にのみＣｒ／Ａ
ｕ膜１０（反射膜４）が配置されたＳｉキャリアが形成
される。このＳｉキャリアを用いて、図１〜３に示すご
とく、Ｖ溝６内に光ファイバー３を固定するとともに、
表面照射型受光素子２を半田リフローによるセルフアラ
インにて実装する。

【００３４】このようにして光受信モジュールが完成す
る。以上のように、２層からなるマスク材７，８を用い
てＶ溝６を形成し、このマスク材７，８をエッチングマ
スクとして利用してＶ溝６内部の全面に反射膜を残すよ
うにしたので、Ｖ溝６の形成後に反射膜をパターニング
するためのフォトリソ工程が不要となる。つまり、特開
平１０−２０１５７号公報のようにＶ溝の斜状面（反射
膜形成面）をウエハ中心に向かわせる必要がなくなる。
これによって、ウエハ全面においてＶ溝先端の斜状面
（反射膜形成面）の方向に関わらず光路変換のための反
射膜を良好に配置でき、Ｖ溝を形成してその先端の斜状
面に反射膜を配置する際に制約を受けにくく自由度の大
きいものとなる。

【００３５】また、シリコン窒化膜７の形成後に線路５
を形成し、その上にシリコン酸化膜８を配置しているの
で、ＫＯＨ等によるＶ溝エッチング時にも線路５がシリ
コン酸化膜８で被覆されているために、エッチング液に
晒されることがなく線路５が浸食されないため良好な線
路５を得ることができる。

【００３６】さらに、第１のマスク材を窒化膜７とした
ので、ＫＯＨ等アルカリ溶液への耐性があるため、エッ
チング部以外のＳｉ基板１が侵食されることがない。さ
らに、第２のマスク材を酸化膜８としたため、被着した
反射膜と第２のマスク材（８）を除去する際に、第１の
マスク材（７）を侵食せずにバッファードフッ酸で容易
に除去することが可能となる。

【００３７】なお、これまで説明した製造工程において
はＳｉＮ膜７を形成した後に線路５を形成したが、Ｓｉ
Ｎ膜７を形成した後に線路５を形成せずに、ＳｉＯ₂ 膜
８およびＳｉＯ₂ 膜８上のＣｒ／Ａｕ膜１０を除去した
後に線路５を形成するようにしてもよい。（第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００３８】図６，７，８は、第２の実施形態の製造方
法を説明するための図である。まず、図６（ａ）に示す
ように、ウエハ状のＳｉ基板２１を用意し、図６（ｂ）
に示すように、Ｓｉ基板２１の表面にＫＯＨ等によりエ
ッチングを行いＶ溝２２を形成する。そして、図６
（ｃ）に示すように、Ｖ溝２２の内部を含むＳｉ基板２
１の上全面に、Ａｕを最上層とした多層膜としてのＴｉ
／Ａｕ膜（金属膜）２３を蒸着する。Ｔｉ／Ａｕ膜２３
は、後に光路変換用反射膜および電気信号伝送用線路と
なるものである。なお、Ｔｉ／Ａｕ膜（金属膜）２３の
被着はスパッタでもよい。

【００３９】その後、図７（ａ）に示すように、Ｖ溝２
２の深さよりも厚い膜厚のシリコン酸化膜２４を成膜す
る。つまり、Ｖ溝２２の内部においてはＶ溝２２の深さ
よりも厚いシリコン酸化膜（溝埋め材）２４を、Ｓｉ基
板２１の全面に形成する。

【００４０】そして、図７（ｂ）に示すように、酸化膜
（溝埋め材）２４に対し研磨およびバッファードフッ酸
によるエッチングにてＶ溝２２の内部以外の酸化膜（溝
埋め材）２４を除去する。つまり、Ｔｉ／Ａｕ膜２３で
のＡｕの表面が露出するまで、平坦化を行う。

【００４１】引き続き、図８（ａ）に示すように、フォ
トリソグラフィにより、線路形成領域（電極パッドを有
する配線の形成領域）にのみレジストパターン２５を残
す。さらに、Ｖ溝２２の内部の酸化膜（溝埋め材）２４
とレジストパターン２５をマスクとして利用したエッチ
ングにより、図８（ｂ）に示すように、Ｖ溝２２の内部
および線路形成領域以外の金属膜２３を除去する。これ
により、基板２１の上にパッド２６ａを有する線路２６
が配置される。このエッチングの際には、ヨウ素系エッ
チング液およびフッ酸を用いる。

【００４２】このように、反射膜であるＴｉ／Ａｕ膜２
３のエッチング（パターニング）の際に平坦化後に残っ
た酸化膜２４をマスクとして用いており、Ｖ溝形成後に
反射膜パターニングのためのフォトリソグラフィーを必
要としない。

【００４３】そして、図８（ｃ）に示すように、フォト
リソグラフィーおよびバッファードフッ酸によりＶ溝２
２の内部に残っている酸化膜２４を除去する。これによ
り、Ｖ溝２２の内部にＴｉ／Ａｕ膜２３（反射膜４）が
配置されたＳｉキャリアが形成される。

【００４４】このＳｉキャリアを用いて、図１〜３に示
すごとく、Ｖ溝６（２２）内に光ファイバー３を固定す
るとともに、表面照射型受光素子２を半田リフローによ
るセルフアラインにて実装する。

【００４５】このようにして光受信モジュールが完成す
る。以上のように、Ｖ溝形成後の反射膜となる金属膜エ
ッチングを平坦化後に残った溝埋め材２４を用いて行
い、Ｖ溝内部の全面に反射膜を残すようにしたので、Ｖ
溝形成後に反射膜をパターニングするためのフォトリソ
工程が不要となる（特開平１０−２０１５７号公報のよ
うに斜状面（反射膜形成面）をウエハ中心に向かわせる
必要がなくなる）。これにより、ウエハ全面においてＶ
溝先端の斜状面（反射膜形成面）の方向に関わらず光路
変換のための反射膜を良好に配置でき、Ｖ溝を形成して
その先端の斜状面に反射膜を配置する際に制約を受けに
くく自由度の大きいものとなる。また、Ｖ溝２２の形成
後にＳｉ基板１の平坦化を行う製造方法としたため、線
路等自由に形成でき、プロセスの自由度が大きいととも
にウエハ上の配置に関しても自由度が大きい。

【００４６】さらに、反射膜として金属膜２３を用い、
反射膜となる金属膜２３をパターニングする際に、同時
に線路としてもパターニングするので、工数を低減する
ことができる。

【００４７】なお、この第２の実施形態での製造工程に
おいてはＳｉ基板２１の全面に形成したＴｉ／Ａｕ膜２
３を、光路変換用反射膜および電気信号伝送用線路とな
る金属膜とし、Ｖ溝２２の内部の溝埋め材（酸化膜）２
４に加えてレジストパターン２５をマスクとしたエッチ
ングにより基板２１の上に線路２６を配置したが、Ｓｉ
基板２１の全面に形成したＴｉ／Ａｕ膜２３を光路変換
用反射膜のみに使用し（レジストパターン２５を形成せ
ずに）、Ｖ溝２２の内部以外の金属膜（２３）を除去し
た後において改めて電気信号伝送用線路を形成してもよ
い。この場合もＶ溝２２の形成後にＳｉ基板１の平坦化
を行う製造方法となり、線路等自由に形成でき、プロセ
スの自由度が大きいとともにウエハ上の配置に関しても
自由度が大きい。

【００４８】また、溝埋め材としてシリコン酸化膜２４
を用いたが、ポノイミドを用いてもよい。溝埋め材を酸
化膜とすると除去が容易にでき、また、ポリイミドを用
いるとＶ溝が深い場合でも平坦化が可能である。

【００４９】これまでの説明においては表面照射型受光
素子に適用したが、裏面照射型受光素子に適用してもよ
い。つまり、受光素子の裏面から照射する場合に適用し
てもよい。

【００５０】また、反射膜１０または金属膜２３は、Ａ
ｕを最上層とした多層膜（例えば、第１実施形態でのＣ
ｒ／Ａｕや第２実施形態でのＴｉ／Ａｕ）を用いたが、
他にもＡｕを用いてもよい。Ａｕを用いると、光路の変
換を効率よく行うことができる。また、反射材をＡｕを
最上層とした積層構造とすると、密着性の低いＳｉとＡ
ｕの接触を防ぐことが可能となる。さらに、Ｃｒ／Ａｕ
やＴｉ／Ａｕを用いると、Ｓｉへの密着性を向上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態における光受信モジュールの平面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線での縦断面図。

【図３】光受信モジュールの側面図。

【図４】第１の実施の形態における光受信モジュール
の製造工程を説明するための斜視図。

【図５】光受信モジュールの製造工程を説明するため
の斜視図。

【図６】第２の実施の形態における光受信モジュール
の製造工程を説明するための斜視図。

【図７】光受信モジュールの側面図。

【図８】光受信モジュールの製造工程を説明するため
の斜視図。

【図９】従来技術を説明するための光受信モジュール
の断面図。

【図１０】従来技術を説明するための光受信モジュー
ルの断面図。

【図１１】従来技術を説明するためのウエハの平面
図。

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板、２…表面照射型受光素子、３…光ファイ
バー、４…光路変換用反射膜、５…線路、６…Ｖ溝、７
…シリコン窒化膜、８…シリコン酸化膜、９…開口部、
１０…Ｃｒ／Ａｕ膜、２１…Ｓｉ基板、２２…Ｖ溝、２
３…Ｔｉ／Ａｕ膜、２４…シリコン酸化膜、２５…レジ
ストパターン、２６…線路。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ファイバー固定用のＶ溝（６）と、受
光素子（２）の裏面または表面照射のためにＶ溝の先端
の斜状面に形成された光路変換用反射膜（４）とを備え
た光受信モジュール用Ｓｉキャリアの製造方法であっ
て、Ｓｉ基板（１）上に、Ｖ溝エッチング時にエッチングマ
スクとなる第１のマスク材（７）を形成する工程と、その上に第２のマスク材（８）を形成する工程と、前記第１および第２のマスク材（７，８）にＶ溝エッチ
ング用の開口部（９）を形成する工程と、前記開口部（９）からのエッチングによりＳｉ基板
（１）にＶ溝（６）を形成する工程と、Ｖ溝（６）の内部を含む第２のマスク材（８）全面に、
光路変換のための反射膜（１０）を被着する工程と、第２のマスク材（８）の上の反射膜（１０）を第２のマ
スク材（８）と同時に除去する工程と、を有することを
特徴とするＳｉキャリアの製造方法。
【請求項２】請求項１に記載のＳｉキャリアの製造方
法において、前記第１のマスク材（７）が窒化膜であることを特徴と
するＳｉキャリアの製造方法。
【請求項３】請求項１または２に記載のＳｉキャリア
の製造方法において、前記第２のマスク材（８）が酸化膜であることを特徴と
するＳｉキャリアの製造方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳ
ｉキャリアの製造方法において、前記第１のマスク材（７）を形成した後に、前記第１の
マスク材（７）の上に電気信号が伝送する線路（５）を
形成する工程を有することを特徴とするＳｉキャリアの
製造方法。
【請求項５】光ファイバー固定用のＶ溝（６）と、受
光素子（２）の裏面または表面照射のためにＶ溝の先端
の斜状面に形成された光路変換用反射膜（４）とを備え
た光受信モジュール用Ｓｉキャリアの製造方法であっ
て、Ｓｉ基板（２１）にエッチングによりＶ溝（２２）を形
成する工程と、Ｖ溝（２２）の内部を含むＳｉ基板（２１）上全面に、
光路変換のための反射膜（２３）を被着する工程と、Ｖ溝（２２）の内部においてはＶ溝（２２）の深さより
も厚い溝埋め材（２４）を、Ｓｉ基板（２１）全面に形
成する工程と、前記溝埋め材（２４）に対する平坦化によりＶ溝（２
２）内部以外の溝埋め材（２４）を除去する工程と、Ｖ溝（２２）の内部に残っている溝埋め材（２４）を利
用したエッチングによりＶ溝（２２）内部以外に形成さ
れている反射膜（２３）を除去する工程と、Ｖ溝（２２）の内部に残っている溝埋め材（２４）を除
去する工程と、を有することを特徴とするＳｉキャリア
の製造方法。
【請求項６】光ファイバー固定用のＶ溝（６）と、受
光素子（２）の裏面または表面照射のためにＶ溝の先端
の斜状面に形成された光路変換用反射膜（４）とを備え
た光受信モジュール用Ｓｉキャリアの製造方法であっ
て、Ｓｉ基板（２１）にエッチングによりＶ溝（２２）を形
成する工程と、Ｖ溝（２２）の内部を含むＳｉ基板（２１）上全面に、
光路変換用反射膜および電気信号伝送用線路となる金属
膜（２３）を被着する工程と、Ｖ溝（２２）の内部においてはＶ溝（２２）の深さより
も厚い溝埋め材（２４）を、Ｓｉ基板（２１）全面に形
成する工程と、前記溝埋め材（２４）に対する平坦化によりＶ溝（２
２）内部以外の溝埋め材（２４）を除去する工程と、フォトリソグラフィにより、線路形成領域にのみレジス
トパターン（２５）を残す工程と、前記Ｖ溝（２２）内部の溝埋め材（２４）と前記レジス
トパターン（２５）を利用したエッチングにより、Ｖ溝
（２２）内部および線路形成領域以外の金属膜（２３）
を除去する工程と、Ｖ溝（２２）の内部に残っている溝埋め材（２４）を除
去する工程と、を有することを特徴とするＳｉキャリア
の製造方法。
【請求項７】請求項５または６に記載のＳｉキャリア
の製造方法において、前記溝埋め材（２４）が酸化膜であることを特徴とする
Ｓｉキャリアの製造方法。
【請求項８】請求項５または６に記載のＳｉキャリア
の製造方法において、前記溝埋め材（２４）がポリイミドであることを特徴と
するＳｉキャリアの製造方法。
【請求項９】請求項１〜８のいずれか１項に記載のＳ
ｉキャリアの製造方法において、前記反射膜（１０）または金属膜（２３）がＡｕである
ことを特徴とするＳｉキャリアの製造方法。
【請求項１０】請求項１〜８のいずれか１項に記載の
Ｓｉキャリアの製造方法において、前記反射膜（１０）または金属膜（２３）がＡｕを最上
層とした多層膜であることを特徴とするＳｉキャリアの
製造方法。
【請求項１１】請求項１０に記載のＳｉキャリアの製
造方法において、前記反射膜（１０）または金属膜（２３）がＴｉ／Ａｕ
であることを特徴とするＳｉキャリアの製造方法。
【請求項１２】請求項１０に記載のＳｉキャリアの製
造方法において、前記反射膜（１０）または金属膜（２３）がＣｒ／Ａｕ
であることを特徴とするＳｉキャリアの製造方法。