JP2001077079A - エッチング処理方法及び装置 - Google Patents

エッチング処理方法及び装置

Info

Publication number
JP2001077079A
JP2001077079A JP24826999A JP24826999A JP2001077079A JP 2001077079 A JP2001077079 A JP 2001077079A JP 24826999 A JP24826999 A JP 24826999A JP 24826999 A JP24826999 A JP 24826999A JP 2001077079 A JP2001077079 A JP 2001077079A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
wafer
processing space
etching solution
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP24826999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3185027B2 (ja
Inventor
公夫 ▲土▼井
Kimio Doi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ENYA SYSTEM KK
Original Assignee
ENYA SYSTEM KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ENYA SYSTEM KK filed Critical ENYA SYSTEM KK
Priority to JP24826999A priority Critical patent/JP3185027B2/ja
Publication of JP2001077079A publication Critical patent/JP2001077079A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3185027B2 publication Critical patent/JP3185027B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大口径のウエ−ハを少ないエッチング液で精
度を良く枚葉処理でエッチングできるようにする。 【解決手段】 少し傾斜して起立した処理空間(4)を
形成するようエッチング液噴出プレ−ト(8),(8)
を間隔をあけて対設する。この処理空間(4)内に起立
状態でウエ−ハ(1)を挿入し、回転する。上記エッチ
ング液噴出プレ−ト(8),(8)から上記ウエ−ハ
(1)にエッチング液を噴出し、エッチング処理をす
る。エッチング処理するエッチングステ−ションを複数
設けて、各エチングステ−ションで目的に応じた異なる
エッチング処理を行うこともできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエ−ハ
等のウエ−ハをエッチングするエッチング処理方法及び
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、シリコンウエ−ハ等のウエ−ハ
を酸エッチングする場合、従来はエッチング槽内に50
〜100枚程度のウエ−ハを収納したバレルを浸漬し、
該バレル内でウエ−ハを直接回転させたり、バレルを回
転させることによりバレル内でウエ−ハを従動回転さ
せ、ウエ−ハ全面をエッチングするよう構成されてい
る。このような構成はウエ−ハの口径が200mm程度ま
ではあまり問題を生じないが、口径300mmというよう
にウエ−ハが大口径化するとエッチング槽が大きくなっ
て大量のエッチング液を必要とし、液管理が面倒で均一
なエッチングがむずかしくなり、反応ガスの排出量も多
く、排気設備や装置のフットプリントが大きくなり、そ
のためクリ−ンル−ムも大型化しなければならない等の
種々の問題を生じていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決課題は、
大口径のウエ−ハをエッチング処理する際、少ないエッ
チング液を用いて均一なエッチングを行うことができ、
反応排出ガスも低減化し、フットプリントも小さくでき
るようにしたエッチング処理方法及び装置を提供するこ
とである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、起立し
た処理空間を形成するよう間隔をあけて対設したエッチ
ング液噴出プレ−トから該処理空間にエッチング液を噴
出し、該処理空間内にウエ−ハを起立状態で挿入して回
転し、上記エッチング液噴出プレ−トから噴出したエッ
チング液を回転するウエ−ハの両面に流下させてエッチ
ング処理することを特徴とするエッチング処理方法が提
案され、上記課題が解決される。
【0005】また、本発明によれば、エッチング液が供
給され起立状態の処理空間を形成するよう間隔をあけて
対設した一対のエッチング液ジャケットと、該エッチン
グ液ジャケットの対向面に設けられエッチング液を上記
処理空間に平面状に噴出するエッチング液噴出プレ−ト
と、該処理空間にウエ−ハを起立状態に搬入搬出する搬
送手段と、上記処理空間内に搬入されたウエ−ハを回転
する回転手段を具備するエッチング処理装置が提案さ
れ、上記課題が解決される。
【0006】さらに、上記処理空間は傾斜しており、複
数の処理空間が隣接して設けられ、ウエ−ハが順次各処
理空間に搬入され、最後に洗浄液が噴出する洗浄空間に
搬入されて洗浄される上記エッチング処理方法及び装置
が提案され、上記課題が解決される。
【0007】
【発明の実施の形態】図面は本発明の一実施例を示し、
図1,図2を参照し、ウエ−ハ(1)をエッチングする
ためのエッチングステ−ション(2)が複数組、図にお
いては2組隣接して設けられ、エッチング処理後のウエ
−ハを洗浄する洗浄ステ−ション(3)が最後に設けら
れているが、エッチングステ−ションを1ヶ所にしても
よいし、各ステ−ションを適宜に組み合せてもよい。該
エッチングステ−ション(2)には起立した処理空間
(4)を形成するよう間隔をあけて対設した一対のエッ
チング液ジャケット(5),(5)があり、該エッチング
液ジャケット(5),(5)には、供給口(6),(6)か
らエッチング液が供給される。エッチング液の量は、各
ジャケット(5)の上部に流量コントロ−ルバルブ
(7)を設けて調整することにより供給量を安定させる
ことができる。
【0008】上記エッチング液ジャケット(5)の対向
面には、上記処理空間(4)にエッチング液を平面状に
噴出するようエッチング液噴出プレ−ト(8),(8)が
設けられている。該エッチング液噴出プレ−ト(8),
(8)は、好ましくは少なくともウエ−ハ(1)の直径
と同じ若しくはそれ以上の幅を有し、例えば約10〜1
00μm程度の微細な流出孔を全面に形成したテフロン
等の耐熱、耐薬品性を有する材料で形成され、上記エッ
チング液ジャケット(5),(5)にエッチング液を加圧
して供給することにより該プレ−ト(8),(8)表面か
らエッチング液が噴出するようにしてある。
【0009】上記処理空間(4)の起立状態は、垂直で
もよいが、好ましくは例えば、約10〜20°程度、図
においては約15°程度に傾斜して設けてあり、上記ウ
エ−ハ(1)の表面を均一にエッチング液が流下するよ
うにしてある。この際、傾斜角度を調整できるよう適宜
の角度調整機構を設けることもできる。
【0010】上記ジャケットの下方には、上記処理空間
(4)に搬入したウエ−ハを回転する回転手段がある。
該回転手段は、ウエ−ハ(1)を支持する受溝(9)を
形成した回転ロ−ラ(10),(10) を有し、該回転ロ−ラ(1
0),(10) の軸(11)をエッチングフレ−ム(12)に設けた軸
受(13)を有する支持部材(14)を通して外方に突出し、該
軸(11)に設けたプ−リ(15)を駆動源(図示略)に連結
し、該プ−リ(15)を介して回転ロ−ラを回転することに
より上記ウエ−ハを回転するようにしてある。
【0011】なお、上記回転ロ−ラ(10)の傾斜裏面側に
は、エッチング液等がロ−ラ(10)のボス部(16)に飛散し
ないようカバ−(17)が設けられ、該カバ−(17)内に位置
するボス部(16)の周囲にはフランジ(18)が形成されてい
る。さらに、上記支持部材(14)に形成した環状溝(19)に
は導入口(20)を通してエア, 窒素ガス等の不活性ガスが
吹き込まれ、上記軸(11)の周囲に浸入しようとするエッ
チング液をエッチングフレ−ム(12)内に吹き戻すように
してある。上記エッチングフレ−ム(12)の下方には、エ
ッチング液を回収タンクへ戻すための戻しパイプ(21)が
設けられ、回収されたエッチング液は熱交換器で熱交換
され、濾過され所定の液温になって上記供給口(6),
(6)に循環される。
【0012】上記エッチングフレ−ム(12)に支持された
上記エッチング液ジャケット(5),(5)の処理空間
(4)に、ウエ−ハ(1)を起立状態で搬入搬出する搬
送手段が設けられている。該搬送手段は、適宜のロボッ
トを用いてもよいが、図に示す実施例では、上記ウエ−
ハ(1)を下部側方から支持するよう受溝(22)を形成し
た複数個の、図においては2つの受ロ−ラ(23),(23) を
有し、該受ロ−ラ(23),(23) の軸(24)を軸受(25),(26)
を介し上下動フレ−ム(27)に支持し、該軸(24)に駆動源
(図示略)に連絡するプ−リ(28)を設け、該プ−リを介
して上記受ロ−ラ(23),(23) を回転し、搬送中のウエ−
ハを回転できるようにしてある。上記上下動フレ−ム(2
7)は、上記エッチングフレ−ム(12)の側面に平行して設
けられ、スライドベアリング上下機構(29)を介して横送
りフレ−ム(30)に上下動可能に支持され、該横送りフレ
−ム(30)はスライドベアリング(31)を介して本体フレ−
ム(32)に横移動可能に支持されている。
【0013】上記上下動フレ−ム(27)及び横送りフレ−
ム(30)を上下動及び横移動させる機構は公知の各種移動
機構を用いることができ、これらの移動機構により、上
記上下動フレ−ム(27)が上記エッチングフレ−ム(12)に
沿って上下すると、上記受ロ−ラ(23),(23) は上下動
し、上記横送りフレ−ム(30)が横移動すると上記受ロ−
ラ(23),(23) は左右動する。したがって、これらの移動
機構を適宜に操作することにより、ウエ−ハ(1)を受
ロ−ラ(23),(23) で支持し、上記回転ロ−ラ(10),(10)
から外れる高さまで処理空間(4)の上方に移動し、次
に横移動させて1つのエッチングステ−ションの処理空
間からウエ−ハを取り出し、隣接するエッチングステ−
ションの処理空間にウエ−ハを搬入し、該エッチングス
テ−ションで下方に移動させ、回転ロ−ラ(10),(10) 上
に支持させれば、ウエ−ハを各ステ−ションに搬入,搬
出することができる。この際、図においては、共通の上
下動フレ−ム(27)及び横送りフレ−ム(30)に隣接するス
テ−ションに対応する2組の受ロ−ラ(23)・・・を設け
てあり、これにより、該横送りフレ−ム(30)を循環動さ
せて同時に複数のステ−ションにウエ−ハを搬入,搬出
できるようにしてある。なお、該受ロ−ラは、エッチン
グ処理中にもウエ−ハを回転させることができるし、ま
た上下動フレ−ムを操作してエッチング処理中にウエ−
ハを回転させながら上下に揺動させることができる。
【0014】なお、上記エッチングステ−ションの処理
空間は、隣接するエッチングステ−ションにウエ−ハを
横移動して搬入,搬出することができるよう側面が連通
可能に開口しており、該開口部には適宜のシャッタ−を
設けたり、外部から開口部を通して処理空間内へ向けて
空気や窒素ガス等の不活性ガスを吹き込むようエアカ−
テン等を設けてエッチング処理中のエッチング液の流出
や排出ガスの流出を防止するようにしてあり(図示
略)、また次のエッチングステ−ション等にエッチング
液を持ち込まないようエアナイフ(36)で液切りしてい
る。
【0015】また、上記エッチングステ−ションのエッ
チング液ジャケット(5),(5)、エッチングフレ−ム
(12)、回転ロ−ラ(10)や受ロ−ラ(23)等の外周は、排気
チャンバ−(図示略)で囲まれ、適宜の排気装置により
排気されている。
【0016】なお、上記洗浄ステ−ション(3)は、基
本的に上記エッチングステ−ション(2)と同じような
構成を有する。すなわち、洗浄液が供給される一対の洗
浄液ジャケット(33)を、起立状態の洗浄空間(34)を形成
するよう対設し、該洗浄空間(34)に洗浄液を噴出するよ
う該洗浄液ジャケットの対向面に洗浄液噴出プレ−ト(3
5)を設け、エッチング処理後のウエ−ハを上記洗浄空間
(34)に搬入し、回転ロ−ラ(10)で支持回転し洗浄するよ
う構成されている。なお、洗浄液噴出プレ−トに代えて
多数のスプレ−ノズルを設けたり、洗浄ステ−ション
を、従来のような洗浄槽に形成することもできる。
【0017】上記各エッチングステ−ション(2),
(2)では、供給口(6),(6)からエッチング液ジャ
ケット(5),(5)に供給する混酸(硝酸,フッ酸,氷
酢酸等で組成した酸性液)やアルカリ性液等のエッチン
グ液の混合比を変え、各ステ−ション毎にエッチング液
を管理し、上記熱交換器により各ステ−ション毎に最適
な液温になるよう加熱若しくは冷却してウエ−ハ全面に
安定した状態でエッチング液を供給し、各エッチングス
テ−ション毎に異なるエッチング処理をできるようにし
てある。
【0018】而して、上記処理空間(4)に搬入された
ウエ−ハ(1)は、起立状態で両面からエッチング液が
噴出され、回転し、上下動することにより均一にエッチ
ング処理され、引き続いて洗浄される。そして、ウエ−
ハ(1)のエッチング量は、上記エッチング液噴出プレ
−ト(8),(8)から噴出するエッチング液の流量、液
温、該プレ−ト間の隙間、ウエ−ハの回転数等によって
制御することができるから、目標とするエッチング量を
得られるように各ステ−ション毎に制御すればよい。
【0019】
【発明の効果】本発明は上記のように構成され、起立し
た処理空間を形成するよう間隔をあけて対設したエッチ
ング液噴出プレ−トから該処理空間にエッチング液を噴
出し、該処理空間内にウエ−ハを起立状態で挿入して回
転し、上記エッチング液噴出プレ−トから噴出したエッ
チング液を回転するウエ−ハの両面に流下させてエッチ
ング処理するようにしたので、口径300mmというよう
な大口径のウエ−ハでも枚葉で少ないエッチング液で高
精度にエッチング処理することができ、液管理が容易で
あり、反応ガスの発生も少なくでき排気設備も小さくて
済み、またエッチングステ−ションを複数設け、個々の
エッチングステ−ションの熱交換タンクの薬液の混合比
率や液温を変えるとにより、ウエ−ハ表面の粗さや光沢
度を適宜にコントロ−ルすることもでき、その上従来の
ように複数のウエ−ハを収納する専用バレルへの移し替
えも不要であり、装置間の搬送の自動化も容易であり、
エッチング処理から洗浄工程への移動時間を短縮でき、
エッチングむらも発生しにくく、フットプリントも小さ
くでき、大きなクリ−ンル−ムを必要としない等の効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図。
【図2】正面からみた概略の説明図。
【符号の説明】
1 ウエ−ハ 2 エッチングステ−ション 3 洗浄ステ−ション 4 処理空間 5 エッチング液ジャケット 8 エッチング液噴出プレ−ト 10 回転ロ−ラ 12 エッチングフレ−ム 23 受ロ−ラ 27 上下動フレ−ム 30 横送りフレ−ム

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 起立した処理空間を形成するよう間隔を
    あけて対設したエッチング液噴出プレ−トから該処理空
    間にエッチング液を噴出し、該処理空間内にウエ−ハを
    起立状態で挿入して回転し、上記エッチング液噴出プレ
    −トから噴出したエッチング液を回転するウエ−ハの両
    面に流下させてエッチング処理することを特徴とするエ
    ッチング処理方法。
  2. 【請求項2】 上記エッチング液噴出プレ−ト間に形成
    される処理空間は、傾斜して設けられている請求項1に
    記載のエッチング処理方法。
  3. 【請求項3】 上記エッチング液が噴出する処理空間を
    隣接して複数設け、上記ウエ−ハを各処理空間に順次搬
    入することによりエッチング処理するようにした請求項
    1または2に記載のエッチング処理方法。
  4. 【請求項4】 隣接する上記処理空間に噴出されるエッ
    チング液は、混合比、液温等を変えて供給され、各処理
    空間で異なるエッチング処理を行うようにした請求項3
    に記載のエッチング処理方法。
  5. 【請求項5】 起立した洗浄空間を形成するよう間隔を
    あけて対設した洗浄液噴出プレ−トから該洗浄空間に洗
    浄液を噴出し、エッチング処理後のウエ−ハを上記洗浄
    空間に搬入して洗浄するようにした請求項1または2に
    記載のエッチング処理方法。
  6. 【請求項6】 エッチング液が供給され起立した処理空
    間を形成するよう間隔をあけて対設した一対のエッチン
    グ液ジャケットと、該エッチング液ジャケットの対向面
    に設けられエッチング液を上記処理空間に平面状に噴出
    するエッチング液噴出プレ−トと、該処理空間にウエ−
    ハを起立状態で搬入搬出する搬送手段と、上記処理空間
    内に搬入されたウエ−ハを回転する回転手段を具備する
    エッチング処理装置。
  7. 【請求項7】 上記処理空間は傾斜して設けられている
    請求項6に記載のエッチング処理装置。
  8. 【請求項8】 上記処理空間を形成した一対のエッチン
    グ液ジャケットは、複数組が隣接して設けられ、ウエ−
    ハは上記搬送手段によって各処理空間を順次移送されて
    エッチング処理される請求項6または7に記載のエッチ
    ング処理装置。
  9. 【請求項9】 洗浄液が供給され起立した洗浄空間を形
    成するよう間隔をあけて対設した一対の洗浄液ジャケッ
    トと、上記洗浄空間に洗浄液を噴出するよう該洗浄液ジ
    ャケットの対向面に設けた洗浄液噴出プレ−トを有し、
    エッチング処理後のウエ−ハを上記洗浄空間に搬入して
    洗浄するようにした請求項6または7に記載のエッチン
    グ処理装置。
JP24826999A 1999-09-02 1999-09-02 エッチング処理方法及び装置 Expired - Fee Related JP3185027B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24826999A JP3185027B2 (ja) 1999-09-02 1999-09-02 エッチング処理方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24826999A JP3185027B2 (ja) 1999-09-02 1999-09-02 エッチング処理方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001077079A true JP2001077079A (ja) 2001-03-23
JP3185027B2 JP3185027B2 (ja) 2001-07-09

Family

ID=17175627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24826999A Expired - Fee Related JP3185027B2 (ja) 1999-09-02 1999-09-02 エッチング処理方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3185027B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420204B1 (ko) * 2001-06-29 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 플라즈마 식각 장비를 이용한 식각 방법
JP2012044083A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420204B1 (ko) * 2001-06-29 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 플라즈마 식각 장비를 이용한 식각 방법
JP2012044083A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Mitsubishi Electric Corp ウエットエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3185027B2 (ja) 2001-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7364626B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4372182B2 (ja) 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置
US20020053355A1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
JP3445757B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN101615572A (zh) 用于有选择地蚀刻基板表面的基板处理装置和方法
JP2008534774A (ja) 半導体基板上への金属の無電解堆積のための装置
KR20070005511A (ko) 반도체 기판들에 금속들의 무전해 증착을 위한 장치
US20090136670A1 (en) Apparatus and Method for Treating Substrate
CN100367473C (zh) 基片处理装置及基片处理方法
JP2008124366A (ja) 減圧乾燥装置
JP2001057334A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
US7789577B2 (en) Coating and developing system, coating and developing method and storage medium
JP3777542B2 (ja) ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法
JP2000340495A (ja) 液処理装置およびそれに用いる処理液供給ノズル
JPH11260718A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
US8216391B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3984004B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3958572B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3185027B2 (ja) エッチング処理方法及び装置
JP3892687B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20110066864A (ko) 기판처리장치, 기판처리방법 및 이 기판처리방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
JP7258913B2 (ja) プリント回路基板の液体均一化処理装置
JP3230030U (ja) プリント回路基板の液体均一化処理装置
CN115565925A (zh) 基板处理装置和防雾件的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees